KR20070097181A - 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 - Google Patents
레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20070097181A KR20070097181A KR1020060028031A KR20060028031A KR20070097181A KR 20070097181 A KR20070097181 A KR 20070097181A KR 1020060028031 A KR1020060028031 A KR 1020060028031A KR 20060028031 A KR20060028031 A KR 20060028031A KR 20070097181 A KR20070097181 A KR 20070097181A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- laser
- laser beam
- pattern portion
- light emitting
- layer
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 42
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 claims abstract description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims abstract description 9
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 45
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 13
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 3
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 60
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 9
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011358 absorbing material Substances 0.000 description 1
- COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N aluminium sulfide Chemical compound [Al+3].[Al+3].[S-2].[S-2].[S-2] COOGPNLGKIHLSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/18—Deposition of organic active material using non-liquid printing techniques, e.g. thermal transfer printing from a donor sheet
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기발광소자의 제조방법을 개시한다. 본 발명에 따른 레이저 조사 장치는, 레이저 발진기, 상기 레이저 발진기에서 발생된 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 다각형의 패턴부를 포함하는 마스크를 포함한다. 상기 마스크는 한번의 노광에 의해 최대한 많은 유기막층을 형성할 수 있으며, 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 방식에 의해 반복적으로 패터닝할 수 있도록 상기 원형 레이저 빔의 면적의 70%를 초과하며, 상하 및 좌우가 대칭인 패턴부를 포함한다. 상기와 같은 레이저 조사 장치를 사용하여 유기발광소자를 제조하는 경우, 화소 배열 형태에 구애받지 않고 유기막층을 형성할 수 있으며, 전사 효율을 향상시킬 수 있다.
유기전계발광소자, 펄스 레이저, 도트 타입, 다각형 마스크
Description
도 1은 종래의 레이저 열 전사법에 의하여 유기전계발광소자를 제조하기 위한 공정을 설명하기 위한 개략도이다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 유기전계발광소자의 화소 배열을 도시한 평면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 레이저 조사 장치를 도시한 개략도이다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치의 마스크를 도시한 평면도이다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이다.
도 6은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 화소 구조를 도시한 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 도너 필름의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따라 유기막층이 형성된 유기전계발광소자 기판을 도시한 평면도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
300: 레이저 조사 장치 310: 레이저 발진기
320: 시준 렌즈 330: 마스크
331: 패턴부 333: 광투과부
335: 광반사부 340: 투영 렌즈
본 발명은 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 유기전계발광소자의 화소 배열에 구애받지 않고 스텝 앤드 리피트 방식에 의하여 효율적으로 유기막층을 형성할 수 있는 레이저 조사 장치 및 유기전계발광소자의 제조방법에 관한 것이다.
평판표시장치 중 유기전계발광소자는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
상기 유기전계발광소자는 유기발광층을 포함하는 유기막층의 패터닝 기술이 중요하다. 최근 상기 유기막층 패터닝 기술 중에 패턴 균일도가 우수하며, 대면적화에 유리한 레이저 열 전사법이 대두되고 있다.
일반적으로 레이저 열 전사법은 적어도 레이저 및 도너 필름을 필요로 하며, 상기 도너 필름은 기재 필름, 광-열 변환층 및 전사층을 구비한다.
상기 레이저 열 전사법에 있어서는 상기 전사층을 소자 기판에 대향하도록 하여 상기 도너 필름을 상기 소자기판의 전체면 상에 라미네이션한 후, 상기 기재 필름 상에 레이저 빔을 조사한다. 상기 기재 필름 상에 조사된 빔은 상기 광-열 변환층에 흡수되어 열에너지로 변환되고, 상기 열에너지에 의해 상기 전사층이 상기 소자 기판 상으로 전사되어, 그 결과, 상기 소자 기판 상에 전사층 패턴이 형성된다.
도 1은 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도로서, 상기 도 1을 참조하여 종래 기술에 따른 레이저 열 전사법에 의한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기로 한다.
도 1을 참조하면, 척(110) 상에 소자 기판(130)을 위치시킨다. 상기 소자 기판(130)은 유기전계발광소자 기판으로서, 상기 소자 기판(130) 상에는 적색, 녹색 및 청색의 부 화소들을 구비한 복수개의 OLED 패널들(135)이 서로 이격되어 배치되어 있으며, 상기 OLED 패널들(135) 상에는 화소 전극들이 형성되어 있다.
상기 소자 기판(130)과 대향되도록 기재 필름, 광-열 변환층 및 전사층을 구비하는 도너 필름(140)을 위치시킨다. 상기 소자 기판(130)이 유기전계발광소자 기판이므로, 상기 전사층은 유기전사층일 수 있다. 이어서, 라미네이션 유닛(도시 안 됨)을 사용하여 도너 필름(140)을 상기 소자 기판(130) 상에 라미네이션 시킨 후, 레이저 소오스(121), 빔 균질기(122), 마스크(123) 및 투영 렌즈(123)을 포함하는 레이저 조사 장치(120)를 이용하여 상기 도너 필름(140) 상에 레이저 빔을 조사한다.
상기 도너 필름(140)의 상기 레이저 빔이 조사된 영역에서는 상기 광-열 변환층이 상기 레이저 빔을 흡수하여 열을 발생시키고, 상기 열이 발생된 광-열 변환층 하부의 상기 전사층은 상기 열에 의해 상기 광-열 변환층과의 접착력에 변화가 생겨, 상기 소자 기판(130) 상에 상기 전사층이 전사된다. 결과적으로 상기 소자 기판(130)의 화소 전극 상에는 패터닝 된 전사층, 즉 유기막층이 형성된다.
상기 레이저 조사 장치는 Y 방향으로 이동하면서 연속적으로 상기 도너 필름(140) 상에 레이저 빔을 조사한다. 즉, 스캔(scan) 방식에 의하여 유기막층을 형성하게 된다.
도 2a, 도 2b 및 도 2c는 유기전계발광소자의 적색, 녹색 및 청색 부 화소들을 포함하는 화소의 배열형태를 도시한 평면도들이다.
상술한 바와 같이, 종래의 레이저 열 전사법은 연속 발진 레이저(continuous wave laser; CW)를 이용한 스캔 방식에 의해 유기막층을 형성하게 된다. 그러나, 상기 스캔 방식은 도 2a에 도시한 스트라이프(stripe) 타입의 화소 배열에는 적용이 가능하나, 도 2b의 모자이크(mosaic) 타입 또는 도 2c의 델타(delta) 타입의 화소 배열의 경우에는 부적절하다. 이는, 상기 모자이크(mosaic) 타입 또는 델타(delta) 타입의 화소 배열의 경우, 동일한 색을 가지는 부화소들이 일렬로 배열되 어 있지 않기 때문에 상기 스캐닝 방식에 의하여 유기막층을 형성할 경우 전사 효율이 저하되기 때문이다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 유기전계발광소자의 화소 배열에 구애됨이 없이 유기막층을 형성할 수 있으며, 전사효율을 높일 수 있는 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은, 레이저 발진기; 상기 레이저 발진기에서 발진된 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 다각형의 패턴부를 가지는 마스크; 및 상기 마스크에 의해 패터닝된 레이저 빔의 배율을 결정하기 위한 투영 렌즈;를 포함하고, 상기 패턴부의 면적은 상기 원형 레이저 빔의 면적의 70%를 초과하며, 상기 패턴부의 형상은 상하 및 좌우 대칭인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치를 제공한다.
또한, 상기 목적은, 화소 전극 및 상기 화소 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소정의막을 구비하는 부 화소들을 포함하는 소자 기판을 제공하고; 상기 소자 기판 상에 기재층, 광-열 변환층 및 전사층을 포함하는 도너 기판을 라미네이션하고; 상기 도너 기판 상에, 레이저 발진기 및 상기 레이저 발진기에서 발생된 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 다각형의 패턴부를 구비하는 마스크를 포함하는 레이저 조사 장치를 위치시키고; 상기 레이저 조사 장치를 이용해서 상기 도너 기판 상에 스텝 앤드 리피트 (step & repeat) 방식으로 레이저 빔을 조사하여, 상기 전사층의 적어도 일부를 기판 상에 전사하여 상기 개구부 내에 유기막층을 형성하는 것을 포함하고, 상기 패턴부의 면적은 상기 원형 레이저 빔의 면적의 70%를 초과하며, 상기 패턴부의 형상은 상하 및 좌우가 대칭인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법을 제공하는 것에 의해서도 달성된다.
(실시예)
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치를 도시한 개략도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 레이저 조사 장치는 레이저 발진기(310), 시준 렌즈(collimation lens; 320), 마스크(mask; 330) 및 투영 렌즈(projection lens; 340)를 포함한다.
상기 레이저 발진기(310)는 펄스 레이저 발진기인 것이 바람직하다. 상기 레이저 발진기는 레이저 광선의 파형에 따라 펄스 레이저(pulse laser) 발진기와 연속 발진 레이저(continuous wave laser) 발진기로 분류할 수 있다. 상기 펄스 레이저는 수십 나노 세컨드의 짧은 조사 시간을 갖는 레이저 광선을 주기적으로 발진시키는 방식으로, 야그 레이저, 엑시머 레이저 등이 이에 해당된다. 상기 연속 발진 레이저는 발진 주기에 관계없이 연속적으로 조사되는 레이저 광선으로, 이에는 아 르곤 레이저, 반도체 레이저 등이 있다. 상기 펄스 레이저는 연속 발진 레이저와 비교하여, 단위시간당 출력전력이 103∼106배 정도 높아서 처리율을 높일 수 있는 이점이 있다.
본 발명에 따른 레이저 조사 장치(300)는 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 방식에 의하여 유기막층을 형성하기 위한 레이저 조사 장치로서, 상기 레이저 조사 장치로 단시간 동안 소정 영역을 레이저 빔에 노광시키는 공정을 반복함으로써, 유기막층을 형성하고자 하는 기판 전체를 노광시키게 된다. 레이저 열 전사법에 의하여 유기막층을 형성하기 위하여는 도너 필름에 단위 면적당 적정량의 에너지를 공급해야 하며, 본 발명에 따른 레이저 조사 장치는 단시간 동안 레이저 빔을 조사하게 되므로, 높은 에너지를 가지는 레이저 발진기를 사용하여야 한다. 따라서, 본 발명의 레이저 발진기(300)는 펄스 레이저 발진기인 것이 바람직하다.
상기 레이저 발진기(310)의 하부에 시준 렌즈(320)가 위치한다. 상기 시준 렌즈(320)는 상기 레이저 발진기(310)에서 발생한 원형 레이저 빔을 평행광으로 만든다.
상기 레이저 발진기(310)에서 발생하는 레이저 빔은 광섬유를 통하여 방출되기 때문에 원형을 가지며, 통상의 스캔 방식의 경우, 상기 원형의 레이저 빔을 빔 균질기(homogenizer)를 사용하여 사각형의 레이저 빔으로 가공하여 사용한다. 또한, 이에 따라 상기 레이저 빔을 패터닝하기 위한 마스크의 패턴부도 사각형으로 사용한다. 그러나, 상기 빔 균질기의 가공에 의하여 상기 레이저 빔은 약 50% 정도 의 광손실을 얻게 되므로, 본 발명에 따른 레이저 조사 장치에서는 고에너지의 레이저 빔을 얻기 위해서, 빔 균질기를 사용하지 않고 시준 렌즈(320)만을 사용한다.
상기 시준 렌즈(320)의 하부에 마스크(330)가 위치한다. 상기 마스크(330)는 상기 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 것으로 복수개의 광투과부(333)와 광반사부(335)를 포함하는 패턴부(331)를 가질 수 있다.
상기 마스크(330)는 상기 원형 레이저 빔(A)에 대응되는 다각형의 패턴부(331)를 포함한다. 상기 패턴부(331)가 원형일 경우는 상기 패턴부(331)에 의하여 반복하여 조사되는 영역들 사이에 레이저 빔이 조사되지 못하는 영역이 생겨나기 때문이다.
또한, 상기 패턴부(331)가 사각형일 경우는 상기 원형 레이저 빔(A)의 약 63%만을 이용하게 되어 전사 효율이 떨어지게 된다. 따라서, 상기 원형 레이저 빔(A)을 최대한 활용할 수 있도록, 상기 패턴부(33)의 면적은 적어도 상기 원형 레이저 빔(A)의 면적의 70%를 초과하는 것이 바람직하다. 그리고, 본 발명에 따른 레이저 조사 장치는 스텝 앤드 리피트(step and repeat) 방식에 사용되는 레이저 조사 장치이므로, 상기 레이저 조사 장치에 의하여 소자 기판을 일정 면적 단위로 반복하여 노광시키기 위하여, 상기 패턴부(331)의 형상은 상하 및 좌우가 대칭인 도형으로 형성하는 것이 바람직하다.
도 4a, 도 4b 및 도 4c는 본 발명의 실시예에 따른 레이저 조사 장치의 마스크들을 도시한 평면도들이다.
상기 패턴부(331A, 331B, 331C)의 형상은, 도 4a, 4b 및 4c에 도시한 바와 같이, 각각, 육각형, 십자형 또는 십자형과 사각형이 결합한 도형일 수 있다. 상기와 같은 패턴부(331A, 331B, 331C)의 면적은 각각 상기 원형 레이저 빔(A)의 면적의 82%, 76%, 76%이므로, 한번의 노광에 패터닝되는 화소의 수를 증가시킬 수 있어, 제조 수율을 향상시킬 수 있다. 또한, 상기 패턴부(331A, 331B, 331C)들은 상하 및 좌우가 대칭인 도형들로 형성되었기 때문에, 상기 패턴부에 의해 레이저 빔이 조사되는 영역들 사이에 상기 레이저 빔이 조사되지 못하는 영역을 발생시키지 않고, 반복적으로 레이저 빔을 조사할 수 있게 된다.
상기 마스크(330)의 하부에는 도 3에 도시된 바와 같이 투영 렌즈(340)가 위치한다. 상기 투영 렌즈(340)는 상기 레이저 빔의 배율을 결정하는 역할을 하며, 상기 투영 렌즈(340)를 통과한 레이저 빔은 소자 기판 상에 조사된다.
도 5는 본 발명에 따른 레이저 조사 장치를 이용한 유기전계발광소자의 제조방법을 설명하기 위한 개략도이며, 도 6은 본 발명에 따른 유기전계발광소자의 화소 구조를 도시한 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 도너 필름의 구조를 설명하기 위한 단면도이다.
이하, 도 3 내지 도 7을 참조하여 상술한 레이저 조사 장치를 사용한 유기전계발광소자의 제조방법을 상세하게 설명하기로 한다.
도 5를 참조하면, 척(410) 상에 소자 기판(420)을 위치시킨다. 상기 소자 기판(420)은 유기전계발광소자 기판일 수 있다. 상기 소자 기판(420)은 적색, 녹색 및 청색 부화소(430)들을 포함하며, 상기 부화소들은 스트라이프 타입 또는 도트 타입의 배열 형태를 가질 수 있다.
상기 부화소(430)의 구조는, 도 6에 도시한 바와 같이, 기판(431) 상의 소정영역에 반도체층(432)이 위치한다. 상기 반도체층(432)은 비정질 실리콘막 또는 비정질 실리콘막을 결정화한 다결정 실리콘막일 수 있다. 상기 반도체층(432) 상에 제 1 절연막인 게이트 절연막(433)이 위치한다. 상기 게이트 절연막(433) 상에 상기 반도체층(432)과 중첩하는 게이트 전극(431)이 위치한다. 상기 게이트 전극(431) 상에 상기 반도체층(432) 및 상기 게이트 전극(434)을 덮는 제 2 절연막(435)이 위치한다. 상기 제 2 절연막(435) 상에 상기 제 2 절연막(435) 및 상기 제 1 절연막(433)을 관통하여 상기 반도체층(432)의 양 단부와 각각 접속하는 소오스 전극(436) 및 드레인 전극(437)이 위치한다. 상기 반도체층(432), 상기 게이트 전극(431) 및 상기 소오스/드레인 전극들(436, 437)은 박막트랜지스터(T)를 구성한다. 상기 소오스/드레인 전극들(436, 437) 상에 상기 소오스/드레인 전극들(436, 437)을 덮는 제 3 절연막(438)이 위한다. 상기 제 3 절연막(438)은 상기 박막트랜지스터(T)를 보호하기 위한 패시베이션막 및/또는 상기 박막트랜지스터로 인한 단차를 완화하기 위한 평탄화막일 수 있다. 상기 제 3 절연막(438) 상에 상기 제 3 절연막(438)을 관통하여 상기 드레인 전극(437)과 접속하는 하부전극(439)이 위치한다. 상기 하부전극(439)은 예를 들어, ITO(Indium Tin Oxide)막 또는 IZO(Indium Zinc Oxide)막일 수 있으며, 하부에 반사금속막을 구비할 수 있다. 상기 하부전극(439) 상에 상기 하부전극의 일부를 노출시키는 개구부(440a)를 갖는 화소정의막(pixel defining layer; 440)이 위치할 수 있다.
또한, 상기 소자 기판(420) 상에 대향되도록 상기 도너 필름(450)을 위치시 킨다. 상기 도너 필름(450)은, 도 7에 도시한 바와 같이, 기재 필름(base film; 451) 및 상기 기재 필름(451)의 일면 상에 차례로 적층된 광-열 변환층(452)과 전사층(453)을 구비한다.
상기 기재 필름(451)은 폴리 에틸렌 테레프탈 레이트(poly ethylene terephthalate,PET) 등의 투명성 고분자 유기재료로 형성될 수 있다. 상기 광-열 변환층(452)은 입사되는 광을 열로 변환시키는 막으로, 광흡수성 물질인 알루미늄 산화물, 알루미늄 황화물, 카본 블랙, 흑연 또는 적외선 염료를 포함할 수 있다. 상기 전사층(453)은 상기 소자 기판(420)이 유기전계발광소자 기판인 경우, 유기전사층일 수 있다. 상기 유기전사층인 전사층(453)은 정공주입층, 정공수송층, 전계발광층, 정공억제층, 전자수송층 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나의 막일 수 있다.
이어서, 상기 도너 필름(450)을 라미네이션 장치(도시 안됨)를 사용하여 상기 기판(420) 상에 라미네이션 시킨 다음, 상기 도너 필름(450) 상에 레이저 조사 장치(300)를 위치시킨다.
상기 레이저 조사 장치(300)는 레이저 발진기(310), 시준 렌즈(320), 마스크(330) 및 투영 렌즈(340)을 포함한다. 상기 레이저 발진기(310)에서 발생한 원형 레이저 빔은 시준 렌즈(320)를 통하여 평행광으로 만들어지며, 상기 시준 렌즈(320)를 통과한 레이저 빔은 마스크(330)의 패턴부(331)에 의하여 패터닝 된다. 상기 패터닝된 레이저 빔은 투영 렌즈(340)를 통하여 배율이 조절되는데, 본 발명의 실시예에서는 등배율인 경우로 한정하여 설명한다.
이어서, 상기 투영 렌즈(340)를 통과한 레이저 빔이 상기 라미네이션된 도너 필름(450) 상에 조사되어, 상기 도너 필름(450) 중 상기 레이저 조사 장치의 패턴부(331)에 대응되는 영역이 상기 레이저 빔에 노광된다.
상기 노광된 도너 필름(450)의 영역에서는 상기 광-열 변환층이 상기 레이저 빔을 흡수하여 열을 발생시키고, 상기 열이 발생된 광-열 변환층 하부의 상기 전사층은 상기 열에 의해 상기 광-열 변환층과의 접착력에 변화가 생겨 상기 소자 기판(420) 상으로 전사된다. 결과적으로 상기 소자 기판(420) 상에는 패터닝된 전사층이 형성된다.
도 8을 참조하면, 상기 레이저 조사 장치는 일정 거리만큼 이동하면서, 상기 소자 기판(430)에 라미네이션된 도너 필름(450)의 일정한 면적(B), 즉 레이저 조사 장치의 패턴부에 대응하는 면적을 반복적으로 노광시킨다. 즉, 스텝 앤드 리피트 방식에 의하여 상기 소자 기판 상에 라미네이션된 도너 필름 전체를 노광시킴으로써, 동일 칼라를 가지는 화소들 상에 유기막층(453a)을 형성한다.
상기와 같은 레이저 열 전사법에 의하여 적어도 발광층을 포함하는 유기막층을 형성한 다음, 상기 유기막층 상에 상부 전극을 형성함으로써 유기전계발광소자의 제조를 완성할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 펄스 레이저 발진기 및 상기 레이저 발진기에서 발생되는 원형 레이저 빔과 대응되는 다각형의 패턴부를 가진 마스크를 포함하는 레이저 조사 장치를 제공함으로써, 한번의 노광으로 인해 형성되는 유기막층의 개수를 증가시킬 수 있다. 즉, 레이저 열 전사법에 의한 유기막층 형성에 소요되는 공정 시간을 단축시킴으로써, 제조 수율을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 상기와 같은 레이저 조사 장치를 사용하여 스텝 앤드 리피트 방식에 의해 유기막층을 형성함으로써, 화소 배열의 형태에 구애받지 않고, 효율적으로 유기막층을 형성할 수 있다. 특히, 도트 타입의 화소 배열 형태를 구비하는 유기전계발광소자의 경우, 유기막층의 전사 효율을 향상시킬 수 있다.
이상에서와 같이, 본 발명은 레이저 열 전사법에 의한 유기막층 형성시 화소 배열에 구애받지 않고 유기막층을 형성할 수 있으며, 유기막층 형성에 소요되는 공정 시간을 감소시킬 수 있어, 전사 효율 및 제조 수율을 향상시킬 수 있는 이점이 있다.
본 발명을 특정의 바람직한 실시예에 관련하여 도시하고 설명하였지만, 본 발명이 그에 한정되는 것이 아니고, 이하의 특허청구범위에 의해 마련되는 본 발명의 정신이나 분야를 이탈하지 않는 한도 내에서 본 발명이 다양하게 개조 및 변화될 수 있다는 것을 당 업계에서 통상의 지식을 가진 자는 용이하게 알 수 있을 것이다.
Claims (14)
- 레이저 발진기;상기 레이저 발진기에서 발진된 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 다각형의 패턴부를 가지는 마스크; 및상기 마스크에 의해 패터닝된 레이저 빔의 배율을 결정하기 위한 투영 렌즈;를 포함하고,상기 패턴부의 면적은 상기 원형 레이저 빔의 면적의 70%를 초과하며, 상기 패턴부의 형상은 상하 및 좌우 대칭인 것을 특징으로 하는 것을 레이저 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 패턴부는 육각형, 십자형 및 십자형과 사각형의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 패턴부는 광차단부와 광반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 레이저 발진기는 펄스 레이저 발진기인 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 원형 레이저 빔을 평행광으로 만들기 위한 시준 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 레이저 조사 장치.
- 하부 전극 및 상기 하부 전극의 적어도 일부를 노출시키는 화소정의막을 구비하는 부화소들을 포함하는 소자 기판을 제공하고;상기 소자 기판 상에 기재층, 광-열 변환층 및 전사층을 포함하는 도너 기판을 라미네이션하고;상기 도너 기판 상에 레이저 발진기, 상기 레이저 발진기에서 발생된 원형 레이저 빔을 패터닝하기 위한 다각형의 패턴부를 구비하는 마스크 및 투영 렌즈를 포함하는 레이저 조사 장치를 위치시키고;상기 레이저 조사 장치를 이용해서 상기 도너 기판 상에 스텝 앤드 리피트 방식으로 레이저 빔을 조사하여, 상기 전사층의 적어도 일부를 기판 상에 전사하여 상기 개구부 내에 유기막층을 형성하는 것을 포함하고,상기 패턴부의 면적은 상기 원형 레이저 빔의 면적의 70%를 초과하며, 상기 패턴부의 형상은 상하 및 좌우가 대칭인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 패턴부는 육각형, 십자형 및 십자형과 사각형의 조합으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 패턴부는 광차단부와 광반사부를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 레이저 발진기는 펄스 레이저 발진기인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 원형 레이저 빔을 평행광으로 만들기 위한 시준 렌즈를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 6 항에 있어서,상기 부화소들은 도트 타입의 화소 배열 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 11 항에 있어서,상기 부화소들은 모자이크 타입 또는 델타 타입의 화소 배열 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 부화소들은 적색, 녹색 및 청색 부화소들인 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
- 제 12 항에 있어서,상기 부화소들은 백색 부화소들을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광소자의 제조방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060028031A KR100782460B1 (ko) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020060028031A KR100782460B1 (ko) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20070097181A true KR20070097181A (ko) | 2007-10-04 |
| KR100782460B1 KR100782460B1 (ko) | 2007-12-05 |
Family
ID=38803633
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020060028031A KR100782460B1 (ko) | 2006-03-28 | 2006-03-28 | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100782460B1 (ko) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8388399B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus |
| US9676063B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a metal mask by laser cutting |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101813548B1 (ko) | 2011-06-30 | 2018-01-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06208220A (ja) * | 1993-01-11 | 1994-07-26 | Oki Electric Ind Co Ltd | マスクパターンの作成方法 |
| DE19537756A1 (de) * | 1995-10-10 | 1997-04-17 | Itt Ind Gmbh Deutsche | Verfahren zum Optimieren einer Stepfeldanordnung auf einem Halbleiterwafer |
| KR20020005288A (ko) * | 2000-07-07 | 2002-01-17 | 유현기 | 웨이퍼 노광 장치 및 그 방법 |
-
2006
- 2006-03-28 KR KR1020060028031A patent/KR100782460B1/ko active IP Right Grant
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8388399B2 (en) | 2011-04-20 | 2013-03-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing organic light-emitting display apparatus |
| US9676063B2 (en) | 2013-10-15 | 2017-06-13 | Samsung Display Co., Ltd. | Method of manufacturing a metal mask by laser cutting |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100782460B1 (ko) | 2007-12-05 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR101813548B1 (ko) | 레이저 열전사 장치 및 이를 이용한 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 | |
| US8292684B2 (en) | Method of manufacturing flat panel display device | |
| KR100712289B1 (ko) | 평판표시장치 및 그의 제조방법 | |
| US8741535B2 (en) | Laser irradiation device and method of fabricating organic light emitting display device using the same | |
| CN112136361A (zh) | 柔性发光器件的制造方法以及制造装置 | |
| JPWO2019215830A1 (ja) | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 | |
| KR100782460B1 (ko) | 레이저 조사 장치 및 이를 이용한 유기전계발광소자의제조방법 | |
| KR20160120390A (ko) | 유기 발광 디스플레이 장치용 증착 장치와, 이를 이용한 증착 방법 | |
| JP6674593B1 (ja) | フレキシブル発光デバイスの製造方法および製造装置 | |
| KR102015845B1 (ko) | 레이저 조사장치 및 이를 이용한 유기발광소자 제조방법 | |
| KR100989130B1 (ko) | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의 제조 방법 | |
| US20160358952A1 (en) | Thin Film Transistor, Method for Fabricating the Same, and Array Substrate | |
| KR100731729B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조 방법 | |
| KR100666567B1 (ko) | 레이저 열전사 장치, 레이저 열전사 방법, 및 그를 이용한유기전계발광표시장치의 제조방법 | |
| KR100685426B1 (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법 | |
| KR100848340B1 (ko) | 레이저 조사 장치 및 그를 이용한 유기전계발광표시장치의제조 방법 | |
| KR101100875B1 (ko) | 결정화용 레이저빔 조사 장치, 이를 이용한 결정화 방법및 이를 포함하는 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 | |
| US20220223769A1 (en) | Light-emitting diode device containing microlenses and method of making the same | |
| US20230135789A1 (en) | Laser annealing apparatus and laser annealing method using the same | |
| KR101335639B1 (ko) | 레이저 결정화 장치 및 이를 이용한 실리콘 결정화 방법 | |
| WO2021005796A1 (ja) | フレキシブル発光デバイス、その製造方法及び支持基板 | |
| KR20070107528A (ko) | 레이저 조사 장치, 레이저 열 전사 장치 및 이를 사용한ｏｌｅｄ 어레이 기판의 제조방법 | |
| JP5258669B2 (ja) | 成膜方法及び転写用基板 | |
| KR20160065384A (ko) | 레이저 열 전사장치 | |
| WO2014080512A1 (ja) | 発光装置及び発光装置の製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121102 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131031 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141030 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151030 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20171101 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181101 Year of fee payment: 12 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191028 Year of fee payment: 13 |