CN1748121A - 用于在微机电系统结构内部减缓验证质量块运动的方法和系统 - Google Patents
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Abstract
本发明描述了一种微机电系统(MEMS)器件(10),其包括:一个基片(110),该基片(110)具有至少一个锚固件;一个验证质量块(12),该验证质量块(12)具有至少一个从该验证质量块(12)延伸出来的减速延展部(66),或者至少一个形成于该验证质量块(12)上的减速凹槽(158);一个马达驱动梳形件(18);一个马达感测梳形件(20)。这种MEMS器件还包括多个悬挂装置(14),这些悬挂装置(14)被构造成将所述验证质量块悬挂在所述基片的上方并且位于所述马达驱动梳形件与马达感测梳形件之间,这些悬挂装置(14)被锚固在所述基片上。这种MEMS器件还包括一个固连在基片上的主体(60),和至少一个从主体(60)延伸出来的减速梁(64)。所述减速延展部被构造成与所述减速梁或者减速凹槽发生配合,并且在所述验证质量块接触所述马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前使得所述验证质量块减速或者停止。
Description
技术领域
本发明总体上涉及微机电系统(MEMS),并且更具体地说涉及在这种装置内部进行运动减速,以便防止MEMS器件内部的各种部件遭受损伤。
背景技术
微机电系统(MEMS)利用微装配技术将电子和机械部件集成在同一块基片上,比如硅基片上。电气部件利用集成电路工艺进行装配,而机械部件利用与集成电路工艺兼容的微机械加工工艺进行装配。这种组合使得能够利用标准的制造工艺将整个系统装配在一个芯片上。
MEMS器件的一种常规应用是设计和制造传感器件。这种传感器件中的机械部分提供了感测能力,而这种传感器件中的电子部分则对从机械部分接收到的信息进行处理。MEMS器件的一种例子是陀螺仪。某些惯性测量装置(IMU)中结合了一个或者多个MEMS陀螺仪。
一种已知类型的MEMS陀螺仪使用了振动元件通过探测复合向心加速度来感测角速率。在被称作马达模式的谐振模式下,所述振动元件被设置成沿着一根马达轴线(X)发生振荡,其中马达轴线(X)平行于所述基片。一旦所述振动元件发生运动,那么陀螺仪将能够探知由于所述基片环绕一根输入轴线(Z)发生旋转而引起的角速率,其中输入轴线(Z)垂直于所述基片。在被称作马达模式的谐振模式下,复合向心加速度沿着一根感测轴线(Y)发生,其中感测轴线(Y)垂直于所述X轴线和Z轴线,引起沿着Y轴线的振荡运动。感测模式下的振荡幅值与所述基片的角速率成正比例关系。但是,振动元件有时会受到外力的作用。例如,航空器或者其它飞行平台有时会进行高重力的操纵(high gravitational force maneuvers)。所述力可以导致MEMS器件内部的验证质量块(proof mass),比如MEMS陀螺仪,与马达驱动器、马达传感器或者感测板发生接触,有时以很高的速度,有可能损坏前述部件中的一个或者多个。这种接触是不希望发生的,并且会影响MEMS器件的性能。
发明概述
在一个方面,提供了一种微机电系统器件,其包括:一个基片,该基片具有至少一个锚固件;一个验证质量块,该验证质量块包括至少一个从该验证质量块延伸出来的减速延展部,或者至少一个形成于该验证质量块上的减速凹槽;一个马达驱动梳形件;以及一个马达感测梳形件。这种器件还包括多个悬挂装置,这些悬挂装置被构造成将验证质量块悬挂在基片的上方并且位于马达驱动梳形件与马达感测梳形件之间,这些悬挂装置被锚固在所述基片上。这种器件还包括一个固连在基片上的主体,和至少一个从该主体延伸出来的减速梁。所述减速梁被构造成与所述减速延展部或者减速凹槽发生配合,并且在验证质量块接触马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前使得所述验证质量块减速或者停止。
在另外一个方面,提供了一种用于微机电系统(MEMS)器件的减速挡块,其中所述MEMS器件包括一个基片和至少一个验证质量块。这种减速挡块包括至少一个从验证质量块延伸出来的减速延展部,或者至少一个形成于验证质量块上的减速凹槽,以及多个锚固在所述基片上的减速梁。所述减速梁朝向验证质量块延伸。所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个减速梁发生配合,并且在验证质量块接触所述MEMS器件中与其相邻的部件之前促使所述验证质量块减速或者停止。
在另外一个方面,提供了一种陀螺仪,其包括一个基片,至少一个锚固在基片上的横梁,至少一个验证质量块,以及多个连接于相应横梁上的悬挂装置,其中所述验证质量块每一个均包括至少一个减速延展部或者至少一个减速凹槽。这种陀螺仪被构造成将验证质量块悬挂在基片的上方。这种陀螺仪还包括与各个验证质量块相邻的马达驱动梳形件,与各个验证质量块相邻的马达感测梳形件,至少一个固连在各个横梁上的主体,以及多个从所述主体延伸出来的减速梁。所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个减速梁发生配合,并且在验证质量块接触马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前促使所述验证质量块减速或者停止。
在另外一个方面,提供了一种用于在微机电系统(MEMS)器件中的验证质量块与相邻部件之间减轻冲击和降低冲击速度的方法。这种方法包括将验证质量块构造成带有至少一个从该验证质量块延伸出来的减速延展部或者至少一个形成于该验证质量块上的减速凹槽,设置多个朝向所述验证质量块延伸的减速梁,以及设置用于所述减速梁的锚固件。所述减速梁被构造成与减速延展部或者减速凹槽发生配合,并且在验证质量块接触所述MEMS器件中任何与其相邻的部件之前促使所述验证质量块减速或者停止。
在另外一个方面,提供了一种用于在微机电系统(MEMS)器件中的验证质量块与相邻部件之间减轻冲击和降低冲击速度的方法。所述验证质量块利用多个悬挂装置悬挂在一个基片的上方。这种方法包括设置在所述基片上设置用于悬挂装置的锚固件,成形一个朝向验证质量块延伸的主体,锚固所述主体,以及将所述主体构造成带有多个朝向验证质量块延伸的减速梁。这种方法还包括将所述验证质量块构造成带有从该验证质量延伸出来的减速延展部或者形成于该验证质量块上的减速凹槽。所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个减速梁发生配合,并且在验证质量块接触所述MEMS器件中任何与其相邻的部件之前促使所述验证质量块减速或者停止。
附图简述
图1是一个微机电系统(MEMS)器件的示意图,其中结合有从验证质量块延伸出来的减速挡块和一个支撑结构。
图2示出了图1中所示减速挡块的放大视图。
图3示出了一个从验证质量块延伸出来的减速延展部实施例。
图4是一个MEMS器件的示意图,其中结合有从验证质量块延伸出来的减速挡块和一个用于图1中所示器件的替代性锚固结构。
图5示出了图4中所示减速挡块的放大视图。
图6示出了一个用于减速验证质量块的替代性实施例。
优选实施例
图1示出了一个微机电系统(MEMS)器件10,比如陀螺仪,的平面视图。MEMS器件10被形成在一个基片(未示出)上,并且包括至少一个验证质量块12、多个用于支撑验证质量块12的悬挂装置14、以及至少一个连接于悬挂装置14上的横梁16。在一种替代性构造中,悬挂装置14被单独并且直接连接在基片上。MEMS器件10还包括与各个验证重量块12对应的马达驱动梳形件18、马达传感梳形件20以及感测板22。
验证质量块12由任何适合于用在MEMS器件中的质量块制成。在一个实施例中,验证质量块12是一块硅板。也可以采用其它与微机械加工技术兼容的材料。尽管图1示出了两个验证质量块12,但是也可以采用利用了少于或者多于两个验证质量块的MEMS器件。
验证质量块12基本上位于马达驱动梳形件18与马达传感梳形件20之间。验证质量块12包括多个梳状电极26。一部分电极26朝向马达驱动梳形件18延伸,并且另外一部分电极26朝向马达传感梳形件20延伸。尽管在图示出的实施例中,验证质量块12具有三十四个电极26,但是显然可以采用结合有其它数目的电极的验证质量块。在MEMS器件的其它实施例(未示出)中,马达驱动梳形件和马达传感梳形件可以相邻设置。
验证质量块12在所示出的实施例中通过悬挂装置14支撑在相应感测板22的上方。尽管描绘出了四个悬挂装置14用于悬挂每个验证质量块12,但是可以采用任何数目的能够合适支撑验证质量块12的悬挂装置14。在一个实施例中,悬挂装置14是利用硅晶片微机械加工而成的梁。悬挂装置14还用作弹簧,容许验证质量块12在一个驱动平面(X轴线)和一个感测平面(Y轴线)内部移动,如图1中所示。
马达驱动梳形件18包括多个梳状电极28,这些梳状电极28朝向相应的验证质量块12延伸。尽管所示出的马达驱动梳形件18具有十八个电极28,但是马达驱动梳形件18上的电极28的数目通常取决于相应验证质量块12上的电极26的数目。马达驱动梳形件通常被连接在驱动电极(在图1中未示出)上。电极26和电极28随着它们从相应的验证质量块12和马达驱动梳形件18延伸出来而互相交叉,并且形成用于在驱动平面(X轴线)中产生运动的电容器。
马达传感梳形件20也包括多个梳状电极30,这些梳状电极30朝向相应的验证质量块12延伸。尽管所描绘的马达传感梳形件20具有十八个电极30,但是从马达传感梳形件20延伸出来的电极30的数目通常取决于相应验证质量块12上的电极26的数目。马达传感梳形件20有时被称作感测梳形件。电极26和电极30随着它们从相应的验证质量块12和马达传感梳形件20延伸出来而互相交叉,并且形成用于在驱动平面(X轴线)中感测运动的电容器。
感测板22与相应的验证质量块12平行,并且形成一个电容器。如果在至少一个验证质量块12沿着驱动平面(X轴线)振荡的同时沿着一个输入向量(Z轴线)向作为陀螺仪进行工作的MEMS器件10上施加一个角速率(即航空器翻转),那么将在感测平面(Y轴线)中探测到一个复合向心加速度。所述电容器被用来在感测平面(Y轴线)中感测运动。MEMS器件10的输出通常是一个与由于所述运动而导致的电容变化成正比例的信号。感测板22通常被连接在在图1中未示出的感测电子仪器上。感测电子仪器随着验证质量块12朝向和/或背离相应的感测板22以及相应的马达驱动梳形件18和马达传感梳形件20运动而探测出电容变化。
马达传感梳形件20通常被连接在一个用在验证质量块12的感测运动中的偏压(未示出)上。马达驱动梳形件18通常被连接在驱动电子设备(未示出)上。驱动电子设备通过利用由验证质量块12上的多个相互交叉梳状电极26、28以及马达驱动梳形件18形成的电容器基本上以音叉频率沿着驱动平面(X轴线)振荡。MEMS器件10具有两种紧密间隔开的振荡模式。一种模式,有时被称作马达模式,利用一个静电力以器件10的谐振频率得以驱动,以便产生出相对较大的振荡幅值。当向器件10施加一个旋转力时,会在马达模式下产生出与验证质量块12的速度成正比例的地球自转偏向力。该地球自转偏向力以马达模式的频率沿着一个感测模式方向驱动验证质量块12。如下面所述那样,一个或者多个电极被用于利用电容探测出在感测模式下的振荡。向感测电极施加一个DC和/或AC偏压,从而使得验证质量块12在感测模式下的运动产生出一个输出电流。
在某些工作环境中,MEMS器件,比如陀螺仪,会经受剧烈的冲击和振动风险,而且必须具有足以测定出微小角速度和直线加速度的机械敏感性。这种力可以促使验证质量块12上的延展部26猛烈地与一个或者多个马达驱动梳形件18、其延展部28、马达传感梳形件20以及其延展部30发生接触。除了有可能导致延展部26、28和30中之一或者多个折断或者遭受其它形式的损坏之外,静电力有可能促使验证质量块12与器件10中该验证质量块12已经接触的部件保持物理性接触。其它力有可能促使验证质量块12的主体与感测板22发生接触。还有,所述静电力有可能促使验证质量块12保持与感测板22发生接触。
MEMS器件10还被构造成带有多个减速挡块50,这些减速挡块50减少或者缓解了由于过大的外部机械力所导致的前述工作问题。器件10利用减速挡块50来提供外力保护。验证重量块12被进一步区分为左侧验证质量块54和右侧验证重量块56。在这里使用的术语“左侧”和“右侧”相对于附图用于例证目的,仅用来描述减速挡块50的工作过程,并不暗含对MEMS器件10的任何结构限制。左侧验证质量块54和右侧验证质量块56如前所述通过悬挂装置14支撑在基片的上方。在悬挂装置14将验证质量块54和56悬挂在一个感测板(未示出)通常安装于其上的基片(未示出)上方的同时,悬挂装置14还容许验证质量块54和56在施加偏压时发生振动。随着验证质量块54和56发生振动,延展部26在马达驱动梳形件18的延展部28与马达传感梳形件20的延展部30之间前后移动,导致产生可以量化的电容变化。
图2详细示出了一个减速挡块50,该减速挡块50用于防止左侧验证质量块54与马达驱动梳形件18和马达传感梳形件20发生接触。尽管示出了单个减速挡块50并且相对于左侧验证质量块54进行了描述,但是将会明白的是,这些描述适用于结合任何验证质量块(包括右侧验证质量块56)使用的减速挡块,并且可以将多个减速挡块50与任何单独验证质量块(如图1中所示)联接起来。减速挡块50包括一个主体60,在一个实施例中,该挡块60位于横梁16与验证质量块54之间,并且通过一个锚固延展部62固连在横梁16上。在一个实施例中,主体60被固连在所述基片上并且提供了用于MEMS器件的锚固功能。此外,多个减速梁64从主体60朝向验证质量块54延伸。位于减速梁64之间的减速延展部66从验证质量块54延伸出来。减速梁64和减速延展部66容许验证质量块54在正常运动状况下自由运动,但是当验证质量块54的运动超过一个特定界线时使得验证质量块54减速。在一个实施例中,与验证质量块54与梳形件28和30之间相比,减速梁64被设置成更为接近延展部86。正如在图1和2中示出的那样,在一个实施例中,减速梁64和减速延展部66为细长的矩形结构。
具体来说,当由于外力作用而使得验证质量块54的运动促使减速延展部66与一个减速梁64配合起来时,减速梁64和减速延展部66中之一或者两者发生弯曲,使得验证质量块54减速,以便使得当验证质量块54接触一个固定挡块时,冲击明显减小或者避免。由于减速挡块50对验证质量块54的减速作用,防止了对验证质量块54、马达驱动梳形件18以及马达传感梳形件20上的相互交叉构件遭受损坏。
外力还会导致验证质量块54上下运动。图3示出了一个从验证质量块102延伸出来的减速延展部100的实施例。已知的是,当一个验证质量块102正在进行会导致该验证质量块102与感测板104发生接触的向下运动时,一旦初始导致验证质量块102向下运动的力不再存在,静电力有可能促使验证质量块102与感测板104保持接触。验证质量块102与感测板104之间的连续接触会导致MEMS器件失效。
为了降低前述问题的负面作用,减速延展部100的底表面106被制成带有多个突起的半球形区域108,这些区域108从减速延展部100向下延伸。当突起的半球形区域108接触基片110时,验证质量块102的向下运动停止,由此防止了验证质量块102与感测板104或者基片110发生接触。在替代性实施例中,基片110被制成带有突起区域112,这些区域112直接与减速延展部100发生配合(如图所示),或者与突起的半球形区域108发生配合,来在验证质量块102与感测板104之间提供更好的分离作用。在一个实施例中,减速延展部的顶表面114被制成带有多个类似于突起的半球形区域108的突起区域(未示出),这些突起区域被构造成减小或者避免在验证质量块与MEMS器件中位于该验证质量块上方的部件之间发生接触。尽管突起区域108被描述和图示为半球形状而突起区域112被图示为矩形方块,应该明白的是还存在有利用不同形状来提供相同功能的其它实施例。
图4和5示出了一个替代性减速挡块实施例120。图4和5中与图1和2中相同的部件利用与图1和2中所采用的相同附图标记加以标识。参照图4,横梁122利用锚固件124和锚固延展部125连接在基片(未示出)上,其中锚固延展部125在锚固件124与横梁122之间延伸。主体126从横梁122延伸出来,包括朝向相应的验证质量块54或56延伸的减速梁128。主体126从横梁122朝向验证质量块54、56延伸,并且可以具有任何能够与横梁122一体形成并且从横梁122延伸出来的形状。在所示出的实施例中,主体126的形状为矩形。减速挡块120的结构在图5中更为详细地示出。减速梁128被构造成基于验证质量块54的运动与减速延展部66发生配合。减速挡块120与减速挡块50(在图1和2中示出)存在区别,因为减速挡块120不会如同主体60(在图2中示出)那样提供用于MEMS器件中的悬挂装置的锚固功能。
图6示出了一个用于减速验证质量块152的替代性减速挡块实施例150。需要注意的是,以局部视图形式示出了验证质量块152,仅示出了与减速挡块150相关的部分。在本实施例中,一个减速梁154从锚固在基片(未示出)上的主体156朝向验证质量块152延伸。并非如前所述被构造成带有用于与减速梁发生配合的减速延展部,验证质量块152被制成带有一个矩形凹槽158,该矩形凹槽158与减速梁154发生配合。将验证质量块制成带有凹槽158,而非减速延展部,可以容许针对给定区域形成更大的验证质量块。在一个替代性实施例中,可以从验证质量块延伸出一个减速梁,同时在锚固主体内部形成一个减速延展部。
尽管图示和描述了采用单个减速梁154和凹槽158,但是需要明白的是一个MEMS器件可以结合不只一个减速梁154和凹槽158作为减速挡块。此外,可以将若干个使用了单个或者多个减速梁154和凹槽158的减速挡块150结合入一个MEMS器件中,构造类似于图1中所示,在图1中示出了四个减速挡块50。还有,验证质量块152可以被构造成带有多个突起半球形区域108(图3中示出),用以缓解参照图3描述的验证质量块与感测板之间的接触问题。
前述减速挡块实施例,以及用于抵抗验证质量块的上下运动作用的实施例,被用来保护MEMS器件中的部件免受在使用过程中可能遭遇的极端力的损坏。参照MEMS器件进行的描述,该描述将被解释为包括MEMS陀螺仪、惯性测量装置、加速度计、压力传感器以及温度传感器,但并非局限于此。
尽管已经依据不同的具体实施例对本发明进行了描述,但是本技术领域中那些熟练人员将会认识到,在权利要求的精神实质和保护范围之内,可以对本发明进行修改。
Claims (42)
1.一种微机电系统(MEMS)器件(10),包括:
基片,该基片包括至少一个锚固件;
验证质量块(12),该验证质量块(12)包括至少一个从该验证质量块(12)延伸出来的减速延展部(66),或者至少一个形成于该验证质量块(12)上的减速凹槽(158);
马达驱动梳形件(18);
马达感测梳形件(20);
多个悬挂装置(14),这些悬挂装置(14)被构造成将所述验证质量块悬挂在所述基片的上方并且位于所述马达驱动梳形件与马达感测梳形件之间,所述悬挂装置被锚固在所述基片上;
固连在基片上的主体(60);以及
至少一个从所述主体(60)延伸出来的减速梁(64),所述减速梁被构造成与所述至少一个减速延展部或者至少一个减速凹槽发生配合,并且在所述验证质量块接触所述马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前使得所述验证质量块减速或者停止。
2.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述器件还包括至少一个在所述悬挂装置(14)之间延伸的横梁(16),所述主体(60)被连接在所述横梁上并且固连在所述基片上。
3.按照权利要求2中所述的器件(10),其特征在于,所述器件还包括锚固延展部(62),该锚固延展部(62)用于将所述主体(60)连接到所述横梁(16)上。
4.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述器件还包括:
至少一个在所述悬挂装置(14)之间延伸的横梁(122);和
锚固在所述横梁和所述基片上的锚固件(124),所述主体被连接在所述横梁上。
5.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述至少一个减速延展部(100)包括:
底表面(106);和
至少一个位于所述底表面上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块(102)与所述器件(10)中位于该验证质量块下方的部件之间发生接触。
6.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述至少一个减速延展部(100)包括:
顶表面(114);和
至少一个位于所述顶表面上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块(102)与所述器件中位于该验证质量块上方的部件之间发生接触。
7.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述验证质量块(152)被构造成带有至少一个减速凹槽(158),所述验证质量块还包括:
顶表面;
底表面;以及
至少一个位于所述顶表面和底表面中之一或者两者上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块与所述器件中位于该验证质量块上方和下方的部件之间发生接触。
8.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述基片(110)包括至少一个被构造成与所述减速延展部(100)发生配合的突起区域(112),所述突起区域(112)被构造成减少或者消除所述验证质量块(102)与所述器件中位于该验证质量块下方的部件之间发生接触。
9.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述减速延展部(66)和减速梁(64)被构造成在配合起来时发生弯曲,并且提供用于所述验证质量块(12)的减速功能。
10.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述至少一个减速延展部(66)和至少一个减速梁(64)均为细长的矩形结构。
11.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述至少一个减速凹槽(158)细长并且呈矩形。
12.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述器件包括多个所述验证质量块(12)。
13.按照权利要求1中所述的器件(10),其特征在于,所述器件包括下述器件中的至少一个:陀螺仪、惯性测量装置、加速度计、压力传感器以及温度传感器。
14.一种用于微机电系统(MEMS)器件(10)的减速挡块(50),其中所述MEMS器件包括基片(110)和至少一个验证质量块(12),这种减速挡块包括:
至少一个从所述验证质量块延伸出来的减速延展部(66),或者至少一个形成于所述验证质量块内的减速凹槽(158);和
多个锚固在所述基片上的减速梁(64),所述减速梁朝向所述验证质量块延伸,所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个所述减速梁发生配合,并且在所述验证质量块接触所述MEMS器件中与其相邻的部件之前使所述验证质量块减速或者停止。
15.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),还包括锚固在基片(110)上的主体(60),所述减速梁(64)从所述主体朝向所述验证质量块(12)延伸。
16.按照权利要求15中所述的减速挡块(50),还包括锚固延展部(62),该锚固延展部(62)用于将所述主体(60)连接到MEMS器件(10)中的横梁(16)上。
17.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),其特征在于,所述减速延展部(66)包括:
顶表面(114);
底表面(106);以及
至少一个位于所述顶表面和底表面中至少一个上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块(12)与MEMS器件(10)中位于该验证质量块上方和下方的部件之间发生接触。
18.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),其特征在于,所述验证质量块(12)包括:
顶表面;
底表面;以及
至少一个位于所述顶表面和底表面中至少一个上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块与MEMS器件(10)中位于该验证质量块上方和下方的部件之间发生接触。
19.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),其特征在于,所述减速延展部(66)和减速梁(64)被构造成在配合起来时发生弯曲,提供用于所述验证质量块(12)的减速功能。
20.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),其特征在于,所述减速延展部(66)和减速梁(64)均为细长的矩形结构。
21.按照权利要求14中所述的减速挡块(50),其特征在于,所述减速凹槽(158)细长并且呈矩形。
22.一种陀螺仪,包括:
基片(110);
至少一个锚固在所述基片上的横梁(16);
至少一个验证质量块(12),各个所述验证质量块均包括至少一个减速延展部(66)或者至少一个减速凹槽(158);以及
多个悬挂装置(14),这些悬挂装置(14)被连接在相应的所述横梁上,并且被构造成将所述验证质量块悬挂在所述基片的上方;
与各个所述验证质量块相邻的马达驱动梳形件;
与各个所述验证质量块相邻的马达感测梳形件;
至少一个固连在各个所述横梁上的主体(60);以及
多个从所述主体延伸出来的减速梁(64),所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个所述减速梁发生配合,并且在所述验证质量块接触所述马达驱动梳形件和马达感测梳形件之前使所述验证质量块减速或者停止。
23.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述主体(60)被锚固在所述基片(110)上。
24.按照权利要求22中所述的陀螺仪,还包括锚固延展部(62),该锚固延展部(62)用于将所述主体(60)连接到所述横梁(16)上。
25.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述减速延展部(100)包括:
顶表面(114);
底表面(106);以及
至少一个位于所述顶表面和底表面中至少一个上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块(12)与所述陀螺仪中位于该验证质量块上方和下方的部件之间发生接触。
26.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述验证质量块(12)包括:
顶表面;
一个底表面;以及
至少一个位于所述顶表面和底表面中至少一个上的突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块与所述陀螺仪中位于其上方和下方的部件之间发生接触。
27.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述减速延展部(66)和减速梁(64)被构造成在配合起来时发生弯曲,提供用于所述验证质量块(12)的减速功能。
28.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述减速延展部(66)和减速梁(64)均为细长的矩形结构。
29.按照权利要求22中所述的陀螺仪,其特征在于,所述减速凹槽(158)细长并且呈矩形。
30.一种用于减轻微机电系统(MEMS)器件(10)中的验证质量块(12)与相邻部件之间的冲击和降低冲击速度的方法,这种方法包括:
将所述验证质量块构造成带有至少一个从该验证质量块延伸出来的减速延展部(66);
设置多个朝向所述验证质量块延伸的减速梁(64),所述减速延展部被构造成与至少一个减速梁发生配合,并且在所述验证质量块接触所述MEMS器件中任何与其相邻的部件之前使所述验证质量块减速或者停止;以及
设置用于所述减速梁的锚固件。
31.按照权利要求30中所述的方法,还包括将减速延展部(100)的上表面(114)和底表面(106)中至少一个构造成带有至少一个突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除验证质量块(102)与MEMS器件(10)中位于该质量验证块上方或者下方的部件之间发生接触。
32.一种用于减轻微机电系统(MEMS)器件(10)中的验证质量块(152)与相邻部件之间的冲击和降低冲击速度的方法,这种方法包括:
将所述验证质量块构造成带有至少一个形成于该验证质量块上的减速凹槽(158);
设置多个朝向所述验证质量块延伸的减速梁(154),所述减速梁被构造成与至少一个所述减速凹槽发生配合,并且在所述验证质量块接触所述MEMS器件中任何与该验证质量块相邻的部件之前使所述验证质量块减速或者停止;以及
设置用于所述减速梁的锚固件。
33.按照权利要求32中所述的方法,还包括将验证质量块(152)的上表面和底表面中至少一个构造成带有至少一个突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块与MEMS器件(10)中位于该验证质量块上方或者下方的部件之间发生接触。
34.一种用于减轻微机电系统(MEMS)器件(10)中的验证质量块(12)与相邻部件之间的冲击和降低冲击速度的方法,其中所述验证质量块利用多个悬挂装置(14)悬挂在基片(110)的上方,所述方法包括:
在所述基片上设置用于所述悬挂装置的锚固件;
形成朝向所述验证质量块延伸的主体(60);
锚固所述主体;
将所述主体构造成带有多个朝向验证质量块延伸的减速梁(64);以及
将所述验证质量块构造成带有至少一个从该验证质量延伸出来的减速延展部(66)或者至少一个形成于该验证质量块上的减速凹槽(158),所述减速延展部和减速凹槽被构造成与至少一个所述减速梁发生配合,并且在所述验证质量块接触所述MEMS器件中任何与该验证质量块相邻的部件之前促使所述验证质量块减速或者停止。
35.按照权利要求34中所述的方法,还包括将减速延展部(66)的上表面(114)和底表面(106)中至少一个构造成带有至少一个突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除验证质量块(12)与MEMS器件(10)中位于该验证质量块上方或者下方的部件之间发生接触。
36.按照权利要求34中所述的方法,还包括将验证质量块(12)的上表面和底表面中至少一个构造成带有至少一个突起区域(108),所述突起区域被构造成减少或者消除所述验证质量块与MEMS器件(10)中位于该验证质量块上方或者下方的部件之间发生接触。
37.按照权利要求34中所述的方法,还包括将基片(110)构造成带有至少一个突起区域(112),所述突起区域(112)被构造成与减速延展部(100)或者验证质量块(102)的底表面(106)发生配合,所述突起区域与底表面的配合减少或者消除了所述验证质量块与所述MEMS器件中位于该验证质量块下方的部件之间发生接触。
38.按照权利要求34中所述的方法,其特征在于,对主体(60)进行锚固包括直接将所述主体锚固在基片(110)上,所述主体也提供了用于悬挂装置(14)的锚固件。
39.按照权利要求34中所述的方法,其特征在于,设置用于悬挂装置(14)的锚固件包括:
在悬挂装置之间设置横梁(16);和
将所述横梁锚固在基片(110)上。
40.按照权利要求39中所述的方法,其特征在于,对主体(60)进行锚固包括将所述主体锚固在横梁(16)上。
41.按照权利要求40中所述的方法,其特征在于,将横梁(16)锚固在基片(110)上包括将锚固延展部(62)连接在主体(60)与所述横梁之间。
42.一种用于微机电系统(MEMS)器件的减速挡块(50),其中MEMS器件(10)包括基片(110)、至少一个悬挂在所述基片上方的验证质量块(12)以及固连在所述基片上的主体(60),这种减速挡块包括:
至少一个从所述验证质量块延伸出来的减速延展部(66);和
至少一个形成于所述主体(60)上的减速凹槽;所述至少一个减速延展部被构造成与所述至少一个减速凹槽发生配合,并且在所述验证质量块接触所述MEMS器件中与其相邻的部件之前使所述验证质量块减速或者停止。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US10/320,850 | 2002-12-16 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1748121A true CN1748121A (zh) | 2006-03-15 |
CN100520299C CN100520299C (zh) | 2009-07-29 |
Family
ID=32506972
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2003801097659A Expired - Fee Related CN100520299C (zh) | 2002-12-16 | 2003-12-15 | 微机电系统器件、减速挡块、减轻冲击的方法及陀螺仪 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6865944B2 (zh) |
EP (1) | EP1573272B1 (zh) |
JP (1) | JP5117665B2 (zh) |
KR (1) | KR20050086918A (zh) |
CN (1) | CN100520299C (zh) |
AU (1) | AU2003301040A1 (zh) |
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CN104297523A (zh) * | 2013-07-17 | 2015-01-21 | 精工爱普生株式会社 | 功能元件、电子设备及移动体 |
CN104743494A (zh) * | 2013-12-26 | 2015-07-01 | 索尼公司 | 功能元件、加速度传感器和开关 |
CN104743494B (zh) * | 2013-12-26 | 2018-02-09 | 索尼公司 | 功能元件、加速度传感器和开关 |
CN107607100A (zh) * | 2017-10-19 | 2018-01-19 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种硅微机械角振动陀螺抗冲击弹性止挡结构 |
CN107607100B (zh) * | 2017-10-19 | 2019-09-27 | 北方电子研究院安徽有限公司 | 一种硅微机械角振动陀螺抗冲击弹性止挡结构 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2006510029A (ja) | 2006-03-23 |
CN100520299C (zh) | 2009-07-29 |
WO2004059250A2 (en) | 2004-07-15 |
WO2004059250A3 (en) | 2004-08-19 |
US6865944B2 (en) | 2005-03-15 |
AU2003301040A1 (en) | 2004-07-22 |
EP1573272B1 (en) | 2018-07-11 |
EP1573272A2 (en) | 2005-09-14 |
US20040112133A1 (en) | 2004-06-17 |
JP5117665B2 (ja) | 2013-01-16 |
KR20050086918A (ko) | 2005-08-30 |
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