CN1716101A - 描绘装置及描绘方法 - Google Patents

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Abstract

组装到曝光装置(描绘装置)的各曝光头(30)中的矩形二维像素阵列，相对于扫描方向构成给定的设定倾斜角度，相对感光材料(12)的曝光面设置。通过狭缝和光检测器的组合测定构成邻接的两个曝光头间的头间连接区域的曝光面上的光点的位置。根据所测定光点的位置，选择像素阵列上的使用像素，以实现将头间连接区域中曝光冗长和不足抑制至最小限度的，接近理想的N重曝光。从而，可以在用多个描绘头在描绘面上形成所期望的二维图案的描绘装置及描绘方法中，减轻由描绘头间相对位置和相对安装角度的误差，以及图案变形等影响引起的分辨性能和浓度的不均。

Description

描绘装置及描绘方法
技术领域
本发明涉及描绘装置及描绘方法，特别涉及用多个描绘头在描绘面上形成图像数据表示的二维图案的描绘装置和描绘方法。
背景技术
以往，周知有各种具有描绘头，用该描绘头在描绘面上形成图像数据表示所期望的二维图案的描绘装置和描绘方法。作为代表例子，可以举出为制造半导体基板和印刷板，利用曝光头在感光材料等曝光面上形成所期望的二维图案的曝光装置。这种曝光装置的曝光头，一般来说，包括光源阵列和空间光调制元件之类的、具有多个像素且产生构成所期望的二维图案的光点群的像素阵列。通过一边使曝光头相对曝光面作相对移动，一边动作，能够在曝光面上形成所期望的二维图案。
在这样的曝光装置领域中，对于用一般可得到大小的数字微型反射镜器件(DMD)作为空间光调制元件时，根据像素阵列的结构等，用单一的曝光头覆盖十分大的曝光面积是困难的。为此，并列使用多个曝光头的几种曝光装置被提出。另外，为提高与扫描方向垂直的方向的分辨性能，使用具有像素配置成二维的像素阵列的曝光头、在像素阵列的像素列方向相对扫描方向倾斜的状态的几种曝光装置已被提案。
例如，在专利文献1中记载有，使具有将微型反射镜配置成矩形栅格状的DMD的多个曝光头相对扫描方向倾斜，倾斜的DMD的两侧部的三角形状部分，按照在和扫描方向垂直的方向邻接的DMD间相互补充的方式设定，安装各曝光头的装置。
另外，在专利文献2中记载有如下曝光装置：不让具有矩形栅格状的DMD的多个曝光头相对扫描方向倾斜，或者仅倾斜微小角度，在和扫描方向垂直的方向邻接的DMD决定的曝光区域中仅以给定幅度重合的方式设定，安装各曝光头，在与各DMD的曝光区域之间的重合部分相当的区域中，按一定比例渐减或渐增应当被驱动的微型反射镜的数量，使由各DMD决定的曝光区域做成平行四边形。
然而，使用多个像素为二维分布的像素阵列的曝光头，对各像素阵列的像素列方向相对扫描方向倾斜而进行曝光的情况，曝光头之间的相对位置和相对安装角度的微调整一般很难，稍微偏离理想的相对位置和相对安装角度的情况较多。另外，由于像素阵列和曝光面之间的光学系统的各种像差以及像素阵列自身的变形，因而在曝光面上实际形成的图案中产生图案变形。因此，即使假定可以实现没有这种错位和变形的理想的状态，采用各像素阵列形成的曝光区域互相平滑连接的曝光装置，实际上由于完全排除这些错位和变形非常困难，在曝光面上形成的二维图案的头间连接区域中，会产生分辨性能和浓度不均的情况。
作为解决该问题的一个对策，考虑到提高曝光头间的相对位置和相对安装角度的调整精度以及光学系统的调整精度，为追求这些精度的增加，制造成本变得非常之高。
同样的问题，不仅对于曝光装置，在设有例如通过向描绘面喷吐墨滴进行描绘的喷墨记录头的喷墨打印机等其他种类的描绘装置中也出现。
专利文献1：特开2004-9595号公报；
专利文献2：特开2003-195512号公报。
发明内容
鉴于上述情形，本发明的目的在于在用多个描绘头在描绘面上形成所期望的二维图案的描绘装置及描绘方法中，减小由曝光头之间的相对位置和相对安装角度的误差、图案变形等的影响所引起的实际描绘面上头间连接区域的分辨性能和浓度的不均。
即，有关本发明的描绘装置，通过N重描绘对描绘面进行描绘，在描绘面上形成由图像数据表示的二维图案，其中N是1以上的自然数，其特征在于，包括：多个描绘头，各描绘头具有由配置成二维分布的多个可使用像素构成的像素阵列，并根据所述图像数据产生构成二维图案的描绘点群，按照所述可使用像素的像素列方向与描绘头的扫描方向构成给定的设定倾斜角度的方式，相对于描绘面被分别安装；移动机构，其让各个描绘头相对于描绘面在所述扫描方向上相对移动；使用像素指定机构，其对每个描绘头，从所述多个可使用像素中的与描绘面上的头间连接区域中的描绘点所对应的连接区域可使用像素中，指定在该头间连接区域中实现所述N重描绘的连接区域使用像素；和设定变更机构，其对于各个描绘头变更设定，以便在所述连接区域可使用像素中只让所述连接区域使用像素实际动作。
这里，本发明中所谓的“像素列”，是指像素阵列中配置成二维分布的像素的2个排列方向中，和扫描方向所构成的角度更小的方向上的排列，所谓的“像素行”是指和扫描方向所构成的角度更大的方向上的排列。另外，各像素阵列上像素的配置，也可不必是矩形栅格状，也可以是平行四边形状的配置等。
另外，在本发明中所谓“N重描绘”，是指设定为在描绘面上的对象区域内的大致所有部位中，与扫描方向平行的直线与投影在描绘面上的N列使用像素的像素列相交的描绘处理。这里，给定区域的“大致所有部位”是指各使用像素的像素之间的连接的分辨率以下极小量的部分，由于安装角度和像素配置等的误差，在沿着和扫描方向垂直的方向的像素间距和其他部分的像素间距不严格一致，与平行于扫描方向的直线方向相交的使用像素的像素列的数目在±1的范围内增减。另外，在以下的说明中，将N为2以上的自然数的N重描绘总称为“多重描绘”。进一步，在以下的说明中，有关将本发明的描绘装置或描绘方法作为曝光装置或曝光方法而实施的方式，作为与“N重描绘”和“多重描绘”对应的术语，采用“N重曝光”和“多重曝光”的术语。
另外，在本发明中“头间连接区域”是指，各描绘头的像素阵列在描绘面上实际覆盖的描绘区域中，与扫描方向垂直的方向上的位置坐标，同其他描绘头在描绘面上实际覆盖的描绘区域重复的部分。
另外，本发明的“使用像素指定机构”，也可以是手动接受使用像素的指定的机构，也可以包括后述的位置检测机构和选择机构等，自动选择最合适的使用像素的机构。
另外，上述所谓“变更设定使得只有连接区域使用像素实际动作”是指，例如可以是将连接区域可使用像素中连接区域使用像素以外的像素设定为关闭状态而不动作的方式，或者是让被发送至图像数据中连接区域使用像素以外的连接区域可使用像素的部分成为关闭状态的数据(即不描绘的数据)的方式，也可以是虽然也让连接区域使用像素以外的连接区域可使用像素动作，但进行遮蔽而让来自这些像素的光线和喷墨等描绘媒体不到达描绘面的方式。
在上述有关本发明的描绘装置中，也可以是：所述使用像素指定机构，进一步对每个描绘头，从所述多个可使用像素中的所述连接区域可使用像素以外的像素中，指定在描绘面上的头间连接区域以外的区域中实现所述N重描绘的中间区域使用像素；所述设定变更机构，对于各个描绘头进一步变更设定，以便在所述多个可使用像素中的连接区域可使用像素以外的像素中只让所述中间区域使用像素实际动作。
在上述有关本发明的描绘装置中，优选：各个描绘头中的所述设定倾斜角度θ，对于描绘头的成为可使用像素的各像素列的像素的个数s、这些可使用像素的像素列方向的像素间距p，以及沿与所述扫描方向垂直的方向的可使用像素的像素列间距δ，满足如下关系。
    sp sinθ≥Nδ
在上述有关本发明的描绘装置中，优选：所述N重描绘的数N是2以上的自然数。
在上述有关本发明的描绘装置中，也可以是：各个描绘头的像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；所述使用像素指定机构包括：位置检测机构，其对于各个描绘头，检测所述光点群中描绘面上构成头间连接区域的光点在描绘面上的位置；和选择机构，其对于各个描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在描绘面上的头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的N重描绘成为冗余描绘的部分和相对于理想的N重描绘成为不足描绘的部分之总和成为最小。
或者，各个描绘头的像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；所述使用像素指定机构包括：位置检测机构，其对于各个描绘头，检测所述光点群中描绘面上构成头间连接区域的光点在描绘面上的位置；和选择机构，其对于各个描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在描绘面上的头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的N重描绘成为冗余描绘的部分的描绘点数和相对于理想的N重描绘成为不足描绘的部分的描绘点数相等。
或者，各个描绘头的像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；所述使用像素指定机构包括：位置检测机构，其对于各个描绘头，检测所述光点群中描绘面上构成头间连接区域的光点在描绘面上的位置；和选择机构，其对于各个描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在描绘面上的头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的N重描绘成为不足描绘的部分成为最小，并且不产生相对于理想的N重描绘成为冗余描绘的部分。
或者，各个描绘头的像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；所述使用像素指定机构包括：位置检测机构，其对于各个描绘头，检测所述光点群中描绘面上构成头间连接区域的光点在描绘面上的位置；和选择机构，其对于各个描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在描绘面上的头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的N重描绘成为冗余描绘的部分成为最小，并且不产生相对于理想的N重描绘成为不足描绘的部分。
在上述有关本发明的描绘装置中，也可以是：进一步包括参照描绘机构，其为了在所述使用像素指定机构中指定所述连接区域使用像素，对于各个描绘头，在所述连接区域可使用像素中相对于所述N重描绘的数N，只使用构成每隔(N-1)列的像素列的像素，进行参照描绘。
在上述有关本发明的描绘装置中，也可以是：进一步包括参照描绘机构，其为了在所述使用像素指定机构中指定所述连接区域使用像素，对于各个描绘头，在所述连接区域可使用像素中相对于所述N重描绘的数N，只使用构成所述可使用像素的相当于所有像素行数的1/N行的相互邻接的像素行的群的像素，进行参照描绘。
这里，对于可使用像素的所有像素行数是不能被N整除的行数的情况下，作为上述“与可使用像素的所有像素行数的1/N相当的相互邻接的像素行的群”，选择最接近所有像素行数的1/N的行数，所有像素行数的1/N以下的最大的行数或所有像素行数以上的最小行数的像素行构成的群。
有关本发明的描绘装置，进一步包括数据变换机构，其变换所述图像数据以使得所述图像数据表示的所述二维图案的头间连接区域的给定部分的尺寸，与由所指定的所述连接区域使用像素可实现的对应部分的尺寸相一致。
在有关本发明的描绘装置中，也可以是：所述像素阵列是根据所述图像数据按每个像素对来自光源的光进行调制的空间光调制元件。
这里，所述“光源”可以组装到各描绘头(曝光头)的内部，也可以是设于各描绘头的外部，也可以每个描绘头或多个描绘头间共有的光源。
有关本发明的描绘方法，采用多个描绘头进行描绘，各描绘头具有由配置成二维分布的多个可使用像素构成的像素阵列，并根据图像数据产生构成该图像数据表示的二维图案的描绘点群，按照所述可使用像素的像素列方向与该描绘头的扫描方向构成给定的设定倾斜角度的方式，相对于描绘面被分别安装；其特征在于，所述描绘方法包括：对各个描绘头，从所述多个可使用像素中的与描绘面上的头间连接区域中的描绘点所对应的连接区域可使用像素中，指定在该头间连接区域中实现N重描绘的连接区域使用像素的工序，其中N是1以上的自然数；对于各个描绘头变更所述描绘头的设定，以便在所述连接区域可使用像素中只让所述连接区域使用像素实际动作的工序；和一边让各个描绘头相对于描绘面在扫描方向上相对移动，一边让各个描绘头动作，在描绘面上形成所述二维图案的工序。
这里，“边让各个描绘头相对于描绘面在扫描方向上相对移动，一边让各个描绘头动作”，可以是始终移动描绘头进行连续描绘的方式，也可以是阶段性移动描绘头，在各移动目的地的位置使描绘头静止，进行描绘动作的方式。
通过本发明的描绘装置和描绘方法，由于能够将从连接区域可使用像素中的描绘头间相对位置和相对安装角度的影响抑制至最小的数及分布的像素指定为连接区域使用像素，因而能够进行在实际描绘面上头间连接区域中发生的分辨性能和浓度不均被减轻的N重描绘。
另外，通过将使用像素指定机构进一步指定在头间连接区域以外的区域实现N重描绘的中间区域使用像素，设定变更机构变更设定以使得头间连接区域可使用像素以外的可使用像素中仅中间区域使用像素实际动作，依据这样的方式，由于能够即使对于头间连接区域以外的区域，将各描绘头的安装角度误差和图案变形的影响抑制至最小的数及分布的像素指定为中间区域使用像素，因而能够进行在实际的描绘面上遍及全体的分辨性能和浓度不均减轻且均匀的N重描绘。
另外，由于将上述N重描绘的数N设为2以上的自然数，若通过多重描绘方式，各描绘头残留的相对位置误差、安装角度误差和图案变形等的影响，以及不可避免的分辨性能以下的不均，可通过多重描绘而均匀，因此能够进一步减轻描绘面上残留的二维图案的分辨性能和浓度的不均。
另外，连接区域可使用像素中构成每(N-1)列像素列的像素，或者仅使用构成与可使用像素的全体像素的1/N行相当的互相邻接的像素行的群的像素，依据可进行参照描绘的方式，通过参照描绘，能够得到大略单重描绘的单纯图案，由操作者目视确认等，连接区域使用像素的指定变得容易，易于指定最合适的连接区域使用像素。
另外，由所指定的连接区域使用像素，重合可实现的给定部分的尺寸，依据变换图像数据的方式，由所指定的连接区域使用像素的可实现的给定部分的尺寸，与图像数据所示的二维图案的尺寸一致，在描绘面上可以形成所期望的二维图案那样的高精细图案。
附图说明
图1表示本发明的描绘装置一实施方式的曝光装置的外观斜视图；
图2表示图1的曝光装置的扫描器的结构斜视图；
图3(A)表示在感光材料的曝光面上形成的已曝光区域的俯视图，(B)表示根据各曝光头的曝光区域排列配置的俯视图；
图4表示图1的曝光装置的曝光头的大概结构的斜视图；
图5表示图1的曝光装置的曝光头的详细结构的俯视图及侧视图；
图6表示图1的曝光装置的DMD的结构的部分放大图；
图7用于说明DMD的动作的斜视图；
图8表示光纤阵列光源的结构的斜视图；
图9表示光纤阵列光源的激光发射单元的发光点排列配置的正视图；
图10表示在相邻的曝光头间存在相对位置错位时，曝光面上的图案产生不均的例子的说明图；
图11表示基于相邻两个曝光头的曝光区域和对应的狭缝的位置关系的俯视图；
图12表示说明利用狭缝测定曝光面上光点的位置的方法的俯视图；
图13表示图10的例子中仅所选择的使用像素实际动作时，曝光面上的图案产生不均被改善的说明图；
图14表示在相邻的曝光头间存在相对位置错位和存在安装角度误差时，曝光面上的图案产生不均的例子的说明图；
图15表示图14的例子中仅所选择的使用像素实际动作时，曝光面上的图案产生不均被改善的说明图；
图16表示参照曝光的第1例的说明图；
图17表示参照曝光的第2例的说明图；
图中：10-曝光装置，12-感光材料，14-移动平台，18-设置台，20-导轨，22-门，24-扫描器，26-传感器，28-狭缝，30-曝光头，32-曝光区域，36-DMD，38-光纤阵列光源。
具体实施方式
以下，基于附图，详细说明关于本发明的描绘装置一实施方式的曝光装置。
如图1所示，本实施方式所涉及的曝光装置10具有将薄片状感光材料12吸附在表面上进行保持的平板状移动平台14。在由4个地脚16支撑的厚板状设置台18上，沿着平台移动方向设有两根导轨20。平台14配置成其长度方向和平台移动方向同向，并且被支承为通过导轨20可往复移动。另外，在该曝光装置10中，设有沿导轨20驱动作为移动机构的平台14的平台驱动装置(图中未示出)。
在设置台18的中央部位，设有横跨平台14的移动路径的“コ”字状的门22。“コ”字状的门22的各个端部固定在设置台18的两侧面。在该门22两侧的一侧设有扫描器24，而在另一侧设有检测感光材料12的前端和后端的多个(例如两个)传感器26。扫描器24和传感器26均设置在门22上，并在平台14移动路径的上方固定设置。另外，扫描器24和传感器26连接在图中未示出的对它们进行控制的控制器上。这里，为了说明，在与平台14表面平行的平面内，如图1所示规定相互垂直的X轴和Y轴。
沿平台1的扫描方向的上游一侧(以下仅记为“上游一侧”。)的端缘部位，形成向X轴方向张开的“ㄑ”字形的狭缝28，等间隔地形成9条。各狭缝28由位于上游一侧的狭缝28a和位于下游一侧的狭缝28b构成。狭缝28a和狭缝28b相互垂直，同时相对于X轴，狭缝28a有-45度，狭缝28b有+45度的角度。在平台14内部的各狭缝28下方的位置，分别装入有单一元件型的光检测器(图中未示出)。各光检验器与后述的进行使用像素选择处理的运算装置(图中未示出)相连接。
扫描器24，如图2和图3(B)所示，设有2行5列的大略矩阵状排列的10个曝光头30。另外，在以下表示排列配置成m行n列的各个曝光头时，记为曝光头30mn。
各曝光头30设置在扫描器24上，让后述的其内部的数字微型反射镜器件(DMD)36的像素列方向与扫描方向夹成给定的设定倾斜角度θ。因此，由各曝光头30决定的曝光区域32，成为相对于扫描方向倾斜的矩形区域。随着平台14的移动，在感光材料12的曝光面上通过曝光头30形成带状的已曝光区域34，另外，在以下中，表示排列配置成m行n列的各个曝光头的曝光区域时，记为露光区域32mn。
另外，如图3(A)和图3(B)所示，各曝光头30被配置成让带状的各个已曝光区域34与邻接的已曝光区域34部分重合。为此，例如第1行的曝光区域3211和曝光区域3212之间不能曝光的部分，可以通过第2行的曝光区域3221曝光。
另外，上述9条狭缝28的位置和邻接的已曝光区域34间的重复部分的中心位置大略一致。另外，各狭缝28的大小做成充分覆盖已曝光区域34之间的重复部分宽度的大小。
各个曝光头30，如图4和图5所示，作为根据像素数据按每个像素单元对入射光调制的空间光调制元件，具有美国德州仪器公司制造的DMD36。该DMD36连接在具有数据处理单元和反射镜驱动控制单元的控制器上。在该控制器的数据处理单元中，基于输入的图像数据，对每个曝光头30，生成驱动控制DMD36表面的使用区域中的各微型反射镜的控制信号。另外，反射镜驱动控制单元，基于图像数据处理单元生成的控制信号，对每个曝光头30控制DMD36的各微型反射镜的反射面的角度。
如图4所示，在DMD36的光入射侧，依次配置：光纤阵列光源38，其具有光纤的射出端部(发光点)沿与曝光区域32的长边方向一致的方向配置成一列的激光射出单元；透镜系统40，其对光纤阵列光源38射出的激光光束校正并在DMD上聚光；反射镜42，其让透过该透镜系统40的激光光束向DMD36反射。另外，在图4中，概略地图示了透镜系统40。
上述透镜系统40，如图5详细所示，包括：一对组合透镜44，其使光纤阵列光源38射出的激光光束成平行光；一对组合透镜46，其将平行光化后的激光光束光量分布校正成均匀分布；以及聚光透镜48，其将光量分布被校正后的激光光束聚光在DMD36上。
另外，在DMD36的光反射侧，配置将DMD36反射的激光光束在感光材料12的曝光面上成像的透镜系统50。透镜系统50由两片透镜52和54构成，被配置为使得DMD36和感光材料12的曝光面成为共轭关系。
本实施方式中，由光纤阵列光源38射出的激光光束设定为实际被扩大5倍后，在DMD36上各微型反射镜发射的光线通过上述透镜系统50被聚焦成约5μm。
如图6所示，DMD36是在SRAM单元(存储器单元)56上将构成各个像素(pixel)的多个微型透镜58配置成格子状的反射镜器件。在本实施方式中，虽然使用配置成1024列×768行的微型反射镜58所构成的DMD36，但由与该DMD36连接的控制器可驱动的即可使用的微型反射镜58仅为1024列×256行。DMD 36的数据处理速度是有限度的，由于与使用的微型反射镜数目成比例来决定每行的调制速度，像这样通过仅使用一部分微型反射镜，每行的调制速度变快。各微型反射镜58由支柱支承。在其表面蒸镀铝等高反射率的材料。另外，本实施方式中，各微型反射镜58的反射率在90％以上，其配置间距在纵向和横向均为13.7μm。SRAM单元56是通过含有铰链和轭铁的支柱用通常的半导体生产线制造的硅栅极CMOS，均做成单片(一体型)结构。
在DMD36的SRAM单元56，写入用二进值表示的构成所期望的二维图案的各点浓度的图像信号后，由支柱支承的微型反射镜58，以对角线为中心，以相对于配置有DMD36的基板侧成±α度(例如±10度)中的一个角度倾斜。图7(A)示出了微型反射镜58处于打开状态以+α度倾斜的状态，图7(B)示出了微型反射镜58处于关闭状态以-α度倾斜的状态。因此，如图6所示，通过根据图像信号控制DMD 36各像素的微型反射镜58的倾斜，入射到DMD 36的激光光束B分别向各个微型反射镜58的倾斜方向反射。
另外，在图6中，图示了DMD36局部放大的，以+α度或-α度控制各微型反射镜58的状态的一例。通过连接在DMD36上的控制器对各微型反射镜58的进行开/关控制。另外，在处于关闭状态的微型反射镜58反射的激光光束B行进的方向上设置光吸收体(图中未示出)。
光纤阵列光源38，如图8所示，具有多个激光模块(例如14个)60，多模光纤62的一端与各激光模块60结合。多模光纤62的另一端与具有比多模光纤62小的包覆层口径的多模光纤64结合。如图9详细所示，多模光纤64的与多模光纤62相反一侧的端部沿与扫描方向垂直的方向并排7个，并配置成两列而构成激光输出单元66。
由多模光纤64的端部所构成的激光输出单元66，如图9所示，被夹在两个表面平坦的支撑板68之间而被固定。另外，在多模光纤64的光射出端面，为对其保护，希望配置玻璃等透明的保护板。多模光纤64的光射出端面，由于光密度高，容易产生积尘和劣化，通过设置如所述的保护板，防止端面附着尘埃，从而能够延迟劣化。
以下，用图10至图13，说明有关本实施方式的曝光装置10的使用像素指定处理。
在本实施方式中，由曝光装置10进行双重曝光处理，作为各曝光头30即各DMD 36的设定倾斜角度，若是各曝光头30没有装配角度误差的理想状态，采用可使用的1024列×256行微型反射镜58，正好成为双重曝光的角度θideal。该角度θideal，与N重曝光的数N，对于成为构成可使用的微型反射镜58的各像素列的个数s、可使用的微型反射镜58的像素列方向的像素间距p、以及沿与扫描方向垂直方向的可使用的微型反射镜58的像素列间距δ，由式(1)给出。
    sp sinθideal＝Nδ                              (1)
本实施方式的DMD36，如上所述，由于是将纵横配置间距相等的多个微型反射镜58配置成矩形栅格状，因此，
    p cosθideal＝δ                                 (2)
上述式(1)变为
    s tanθideal＝N                                  (3)
在本实施方式中，如上所述，由于s＝256，N＝2，由式(3)可得角度θideal约为0.45度。曝光装置10被初期调整以使得各曝光头30即各DMD36的安装角度成为该角度θideal。
图10表示在如上述的被初期调整的曝光装置10中，两个曝光头(作为一例，为曝光头3012和3021)的关于X轴方向的相对位置偏离理想状态的影响所引起的曝光面上的图案中产生不均的说明图。
该相对于X轴方向的相对位置错位是由于曝光头间的相对位置的微调整较困难而产生。
在以下的附图和说明中，各自将曝光面上的各曝光区域32中的第m行光点行记为r(m)，曝光面的第n列光点列记为c(n)，第m行第n列的光点记为p(m，n)。图10上段部分表示向让平台14静止的状态下投影在感光材料12的曝光面上的、来自具有曝光头3012和3021的DMD36的可使用的微型反射镜58的光点群的图案。图10下段部分表示关于曝光区域3212和3221的头间连接区域及其周边部位，在上段部分所示的光点群图案出现的状态下使平台14移动进行连续曝光时，在曝光面上形成曝光图案的状态。另外，在图10中，出于说明的方便，分别示出了基于由可使用的微型反射镜58的每隔一列像素列形成的像素列群A的曝光图案、和基于其余的像素列形成的像素列群B的图案，实际的曝光面上的曝光图案是这两个曝光图案的叠合。
在图10的例子中，上述的关于X轴方向的曝光头3012和3021之间的相对位置偏离理想状态的结果是在基于像素列群A的曝光图案和基于像素列群B的曝光图案双方中的曝光区域3212和3221的头间连接区域中，产生比理想的双重曝光状态曝光变得冗长的部分。
为减轻上述那样的在曝光面上的头间连接区域出现的不均，在本实施方式中，使用上述狭缝28和光检测器的组合，在来自曝光头3012和3021的光点群中，对于构成描绘面中的头间连接区域的若干光点，检测出其在描绘面上的位置。基于其位置检测结果，在与光检测器相连接的运算装置中，对应于构成曝光头3012和3021之间的头间连接区域的光点的微型反射镜中，选择实际上在正式曝光处理中使用的微型反射镜，进行连接区域使用像素的选择处理。
另外，采用图11及图12，说明使用狭缝28和光检测器的组合的光点位置检测方法。图11是表示与同图10一样的曝光区域3212和3221和对应的狭缝28之间的位置关系的俯视图。正如已经所述，狭缝28的大小做得足够覆盖由曝光头3012和3021的已曝光区域34之间的重复部分宽度，即足够覆盖头间连接区域。
图12是说明检测作为一例的曝光区域3221的光点P(256，1024)的位置时的检测方法的俯视图。首先，使P(256，1024)处于点亮状态时，使平台14缓慢移动从而使狭缝28沿Y轴方向相对移动，将狭缝28定位在让光点P(256，1024)来到上游一侧狭缝28a与下游一侧的狭缝28b之间那样的任意位置上。
此时的狭缝28a与狭缝28b的交点坐标记为(X0，Y0)。该坐标(X0，Y0)的值，由给予平台14的驱动信号所表示的平台14到上述位置的移动距离，以及已知的狭缝28的X方向位置决定，并记录之。
接下来，让平台14移动，使狭缝28沿Y轴朝图12的右侧相对移动。然后，如图12中的两点虚线所示，在光检测器检测出光点P(256，1024)通过左侧的狭缝28b时而让平台14停止。将此时的狭缝28a与狭缝28b的交点坐标记作(X0，Y1)。
现在，使平台14向相反方向移动，使狭缝28沿Y轴朝图12的左侧方相对移动。然后，在如图12中的两点虚线所示，在光检测器检测出光点P(256，1024)通过右侧的狭缝28a时而让平台14停止。将此时的狭缝28a与狭缝28b的交点坐标记作(X0，Y2)。
由以上的测定结果，通过X＝X0+(Y1-Y2)/2，Y＝(Y1+Y2)/2的计算确定光点P(256，1024)的坐标(X，Y)。
在选择连接区域使用像素时，在图10的例子中，首先，通过上述狭缝28和光检测器的组合检测曝光区域3212的光点P(256，1)的位置。接着，以光点P(256，1024)、P(256，1023)…顺序检测出曝光区域3221的光点行r(256)上的光点位置，当检测出与曝光区域3312的光点P(256，1)相比具有较大的X坐标的光点P(256，n)时，结束检测动作。然后，对应于构成曝光区域3221的光点列c(n+1)至c(1024)的光点的微型反射镜确定作为正式曝光中不使用的微型反射镜。例如，在图10的例子中，示出了曝光区域3221的光点P(256，1020)比曝光区域3212的P(256，1)具有较大的X坐标，若在曝光区域3221的光点P(256，1020)被检测出时结束检测动作，将对应于与图13中斜线覆盖的部分70相当的、构成曝光区域3221的光点列c(1021)至c(1024)的光点的微型反射镜确定作为正式曝光中不使用的微型反射镜。
接下来，对于N重曝光的数N，检测出曝光区域3212的光点P(256，N)的位置。由于本实施方式中N＝2，检测出光点P(256，2)的位置。接着，在曝光区域3221的光点列中，在除去作为对应于在正式曝光中不使用的光点列确定之外的构成最右侧的光点列c(1020)的光点的位置，从P(1，1020)以P(1，1020)、P(2，1020).....顺次进行检测，当检测出表示比曝光区域3212的光点P(256，2)具有较大的X坐标的光点P(m，1020)时，结束检测动作。
其后，在与光检测器连接的运算装置中，将曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标与曝光区域3221的光点P(m，1020)和P(m-1，1020)的X坐标比较，当曝光区域3221的光点P(m，1020)的X坐标一方接近曝光区域3212的光点P(256，2)的坐标时，将对应于曝光区域3221的光点P(1，1020)到P(m-1，1020)的微型反射镜确定为正式曝光中不使用的微型反射镜，当曝光区域3221的光点P(m-1，1020)的X坐标一方接近曝光区域3212的光点P(256，2)的坐标时，将对应于曝光区域3221的光点P(1，1020)到P(m-2，1020)的微型反射镜确定为正式曝光中不使用的微型反射镜。对于曝光区域3212的光点P(256，N-1)即P(256，1)的位置，以及构成曝光区域3221的下一光点列c(1019)的各光点的位置，进行相同的检测处理及微型反射镜选择处理。结果，例如，将与构成图13中以网状覆盖的部分72的光点对应的微型反射镜追加确定为正式曝光中不使用的微型反射镜。这些被确定为正式曝光中不使用的微型反射镜，始终被发送将其微型反射镜的角度设定为关闭状态角度的信号，这些微型反射镜实际上在正式曝光中不被使用。
若选择如以上的正式曝光不使用的微型反射镜，曝光区域3212和3221的头间连接区域中，能够让相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分和相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分的总和为最小，如图13的下段所示，能够实现极接近于理想状态的均匀双重曝光。
另外，在上述例子中，在确定构成图13中网状的覆盖部分72的光点时，可以不将曝光区域3212的光点P(256，2)的X坐标与曝光区域3221的光点P(m，1020)和P(m-1，1020)的X坐标进行比较，直接将对应于曝光区域3221的光点P(1，1020)到P(m-2，1020)的微型反射镜确定作为正式曝光不使用的微型反射镜。这种场合，在头间连接区域中，能够选择实际使用的微型反射镜，以使得相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分变得最小，且不出现相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分。或者也可以将对应于曝光区域3221的光点P(1，1020)到P(m-1，1020)的微型反射镜确定作为正式曝光中不使用的微型反射镜。这种场合，在头间连接区域中，能够选择实际使用的微型反射镜，以使得相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分变得最小，且不出现相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分。或者，在曝光面上的头间连接区域中，能够选择实际使用的微型反射镜，以使得相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分的光点数与相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分的光点数相等。
接着，用图14和图15说明上述的本实施方式的曝光装置10的变形例的像素指定处理的例子。该例是在用图10至图13说明的像素指定处理的例子中所考虑的曝光头3212和3221之间的平行相对位置错位的基础上，考虑各曝光头3212和3221的安装角度误差以及曝光头3212和3221之间的相对安装角度错位，将此影响抑制到最小，进而减轻曝光面上的分辨性能和浓度的不均的处理的例子。
在该变形例中，曝光装置10，同上述的实施方式一样，进行双重曝光处理，作为各曝光头30即各DMD36的设定倾斜度，是比满足上述式(1)的理想角度θideal若干大的角度，例如采用0.50度程度的角度θ。这是因为：虽然各曝光头30的安装角度的微调整较困难，即使安装角度多少产生一些误差，也设法使各曝光头30的实际安装角度不小于理想角度θideal。曝光装置10，在可调整的范围内，按照各曝光头30即各DMD36的安装角度变得接近该设定倾斜角度θ的方式进行初期调整。
图14表示在上述那样进行初期调整后的曝光装置10中，通过两个曝光头(作为一例为曝光头3012和3021)的关于X轴方向的相对位置错位，以及由各曝光头3012和3021的安装角度误差以及相对角度错位的影响引起的曝光面上的图案中产生不均的例子。
图14的例子中，同图10的例子一样，作为关于X轴方向的曝光头3012和3021的相对位置错位的结果，在基于像素列群A的曝光图案和基于像素列群B的曝光图案的双方，在曝光区域3212和3221的头间连接区域中，产生比理想的双重曝光状态冗余曝光的部分74，引起浓度不均。加之，在图14的例子中，由于各曝光头的设定倾斜角度θ比满足上述式(1)的理想角度θideal若干要大，并且，各曝光头的安装角度的调整困难，实际的安装角度是从上述设定倾斜角度θ稍微偏离的结果，即使在曝光面上的头间连接区域以外的区域，在基于像素列群A的曝光图案和基于像素列群B的曝光图案的双方，对应于各像素列端部的部分即像素列间的连接部分中，产生比理想的双重曝光状态冗余曝光的部分76，这引起浓度更加不均。
在该变形例中，首先，进行旨在减轻由上述各曝光头3012和3021的安装角度误差和相对安装角度错位的影响引起的浓度不均的使用像素选择处理。具体地，使用上述狭缝28和光检测器的组合，关于曝光头3012和3011的每一个，确定投影在曝光面上的像素列的实际倾斜角度θ’，在与光检测器连接的运算装置中，基于该实际倾斜角度θ’，选择实际的在正式曝光中使用的微型反射镜。实际倾斜角度θ’的确定如下进行：由上述狭缝28和光检测器的组合，例如对于曝光头3012检测出图14的曝光区域3212内的P(1，1)和P(256，1)的位置，而对于曝光头3021则检测出曝光区域3221内的P(1，1024)和P(256，1024)的位置，在运算装置中计算连接这些光点的直线的倾斜角度。
这样，采用所确定的实际倾斜角度θ’，与光检测器连接的运算装置，将满足
    t tanθ′＝N                                  (4)
的关系的值t最接近的自然数T，针对各自曝光头3012和3021导出，进行将DMD36上的第(T+1)行至第256行的微型反射镜确定为正式曝光中不使用的微型反射镜的处理。例如，曝光头3012是T＝254，对于曝光头3021是T＝255，确定对应于构成图15中斜线所覆盖的部分78和80的点的微型反射镜作为正式曝光中不使用的微型反射镜。藉此，在曝光区域3212和3221上的头间连接区域以外的各区域，能够使相对于理想的双重曝光成为冗余的部分和相对于理想的双重曝光曝光成为不足部分的总和为最小。
在此，替代导出最接近上述值t的自然数，也可以导出值t以上的最小自然数。那种场合，在曝光区域3212和3221的头间连接区域以外的各区域中，能够使相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分变得最小，且不出现相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分。或者也可以导出t值以下的最大自然数。那种场合，在曝光区域3212和3221的头间连接区域以外的各区域中，能够使相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分变得最小，且不出现相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分。在头间连接区域以外的各区域中，也可以按照相对于理想的双重曝光成为冗余曝光的部分的光点数与相对于理想的双重曝光成为不足曝光的部分的光点数相等的方式，确定正式曝光中不使用的微型反射镜。
其后，关于与图15中构成由斜线覆盖的部分78和80的光点以外的光点对应的微型反射镜，与用图10至图13说明的上述使用像素选择处理同样的处理，在图15中，将与构成由斜线覆盖的部分82和由网状覆盖部分84的光点对应的微型反射镜，追加确定作为正式曝光不使用的微型反射镜。这些被确定作为正式曝光中不使用的微型反射镜，始终，被发送将微型反射镜的角度设定为关闭状态的角度的信号，这些微型反射镜实际上在正式曝光中不被使用。
通过上述变形例，能够减轻含有头间连接区域及其以外的区域的描绘面全体的分辨性能和浓度的不均，进行均匀的双重曝光。
以上，详细说明了有关本发明的描绘装置的一实施方式及其变形例。这只不过是例示，在不脱离本发明范围的情况下可以进行各种变形。
例如，在上述实施方式及变形例中，作为用于检测曝光面上光点位置的机构，虽然采用狭缝28和单一器件型的光检测器的组合。也可以采用不限定于此的任何方式，例如也可以用二维检测器。
在上述实施方式及变形例中，虽然基于由狭缝28和光检测器的组合的光点位置检测结果，通过与光检测器连接的运算装置，作为选择正式曝光中实际使用的微型反射镜的方式，进行使用例如全部可使用的微型反射镜的参照曝光，通过目视参照曝光结果，确认分辨性能及浓度的不均，由操作者通过手动指定所使用的微型反射镜的方式，也包含在本发明的范围中。
进一步，作为上述实施方式的其他变形例，也可以在设有各曝光头30的DMD36的可使用的微型反射镜中，仅使用构成每(N-1)列像素列的微型反射镜，或构成相当于所有像素行数的1/N行的互相邻接的像素行的群的微型反射镜，进行参照曝光，从对应于构成头间连接区域的光点的微型反射镜中的参照曝光中所使用的器件中，确定正式曝光中不使用的微型反射镜，以能够实现近似于理想的单重曝光的状态。
图16表示仅使用构成每(N-1)列像素列的微型反射镜进行参照曝光的方式一例的说明图。在该例中，正式曝光为双重曝光，因此N＝2。首先，如图16中实线所示，仅使用关于X轴方向邻接的两个曝光头(作为一例为曝光头3012和3021)的第奇数列的光点列所对应的微型反射镜，进行参照曝光，样本输出参照曝光结果。对于所输出的参照曝光结果，操作者通过目视确认分辨性能和浓度的不均，推定实际倾斜角度，使得能够实现对头间连接区域中的分辨性能和浓度的不均抑制至最小限的正式曝光，能够指定正式曝光中使用的微型反射镜。例如，在图16中，对应于斜线覆盖示出的部分86和由网状覆盖示出的部分88的光点列的微型反射镜以外的微型反射镜，作为在构成第奇数列的像素列的微型反射镜中在正式曝光中实际所使用的微型反射镜指定。对于第偶数列的像素，另外同样进行参照曝光，也可指定在正式曝光中实际使用的微型反射镜，也适用于与对第奇数列的像素列的图案相同的图案。通过这样指定在正式曝光中使用的微型反射镜，在使用第奇数列和第偶数列双方的微型反射镜的正式曝光中，能够实现接近头间连接区域的理想的双重曝光的状态。另外，参照曝光结果的分析，不限于通过操作者目视，也可以是仪器的分析。
图17表示在关于X方向邻接的两个曝光头(作为一例为曝光头3012和3021)中，仅使用构成相当于所有像素行数的1/N行的互相邻接的像素群中的微型反射镜进行参照曝光的方式一例的说明图。在该例中，正式曝光为双重曝光，因此N＝2。首先，如图17中实线所示，仅使用对应于第1行至第128(＝256/2)行的光点的微型反射镜，进行参照曝光，样品输出参照曝光结果。对于所输出的参照曝光结果，操作者通过目视确认分辨性能和浓度的不均，推定实际倾斜角度，使得能够实现对头间连接区域中的分辨性能和浓度的不均抑制至最小限的正式曝光，能够指定正式曝光中使用的微型反射镜。例如，在图17中对应于斜线覆盖示出的部分90和由网状覆盖示出的部分92的光点的微型反射镜以外的微型反射镜，作为第1行至第128(＝256/2)行的微型反射镜中在正式曝光中实际所使用的微型反射镜指定。对于129行目至256行目的微型反射镜中，另外同样进行参照曝光，也可指定在正式曝光中实际使用的微型反射镜，也适用于与第1行至第128(＝256/2)行的微型反射镜对应的图案相同的图案。通过这样指定在正式曝光中使用的微型反射镜，在使用所有微型反射镜的正式曝光中，能够实现接近头间连接区域的理想的双重曝光的状态。另外，参照曝光结果的分析，不限于通过操作者目视，也可以是仪器的分析。
以上的实施方式及变形例，虽然均是对正式曝光为双重曝光的情况进行了说明，但并不限定于此，也可以是单重曝光以上的任何N重曝光。但是，为了通过补偿效果进一步减轻描绘面上残留的二维图案的分辨性能和浓度的不均，优选为双重以上的多重曝光。特别是通过三重至七重曝光程度，能够确保高分辨性能与减轻分辨性能及浓度不均的效果之间平衡适中的曝光。
另外，在有关上述实施例和变形例的曝光装置中，进而，优选设置变换图像数据的机构，使得图像数据表示的二维图案的给定部分的尺寸与通过将所选择的微型反射镜作为正式曝光中实际使用的器件而能够实现的对应部分的尺寸一致。通过这样变换图像数据，能够在曝光面上形成所期望的二维图案那样的高精细的图案。
另外，在有关上述实施方式及变形例的曝光装置中，虽然将来自光源的光按每个像素调制的DMD被用作像素阵列，但并不限定于此，也可以使用DMD以外的液晶阵列等的光调制元件、或者光源阵列(如LD阵列，有机EL阵列等)。
另外，在有关上述实施方式及变形例的曝光装置的动作方式中，也可以是始终一边移动曝光头一边进行连续曝光，也可以一边阶段性移动曝光头，一边在各移动目的地的位置使曝光头静止而进行曝光动作的方式。
另外，头间连接区域中使用像素的选择，如上述图13的例子所示，可以仅在与头间连接区域相关的两个曝光头中的一个曝光头中，不使用若干像素的方式，也可以是双方的曝光头分担不使用像素的方式。
另外，本发明不限于曝光装置和曝光方法，只要是用多个描绘头，通过N(N是1以上的自然数)重描绘对描绘面描绘，在描绘面上形成图像数据表示的二维图案的描绘装置和描绘方法，可以在任何装置及方法中适用。作为一例，可以举出诸如喷墨打印机以及以喷墨方式的打印方法。也就是说，一般在喷墨打印机的喷墨记录头上，例如在与记录介质(记录纸和OHP片等)相面对的喷嘴面上，形成喷吐墨滴的喷嘴，在喷墨打印机内，将多个该喷嘴配置成格子状，让喷头本身相对于扫描方向倾斜，通过N描绘可记录图像。在采用这样的二维分布的喷墨打印机中，即使描绘头间的相对位置和角度偏离理想的状态，通过适用本发明，由于能够将这样错位的影响抑制为最小限数量的喷嘴作为实际使用的喷嘴指定，因而能够减轻记录图像的头间连接区域中产生的分辨性能和浓度的不均。
以上，详细说明了本发明的实施方式及变形例，这些实施方式及变形例只不过是例示，显然本发明的技术范围只能够由权利要求书所限定。

Claims (13)

1、一种描绘装置，通过N重描绘对描绘面进行描绘，在描绘面上形成由图像数据表示的二维图案，其中N是1以上的自然数，其特征在于，包括：
多个描绘头，各描绘头具有由配置成二维分布的多个可使用像素构成的像素阵列，并根据所述图像数据产生构成所述二维图案的描绘点群，按照所述可使用像素的像素列方向与该描绘头的扫描方向构成给定的设定倾斜角度的方式，相对于所述描绘面被分别安装；
移动机构，其让各个所述描绘头相对于所述描绘面在所述扫描方向上相对移动；
使用像素指定机构，其对每个所述描绘头，从所述多个可使用像素中的与所述描绘面上的头间连接区域中的描绘点所对应的连接区域可使用像素中，指定在该头间连接区域中实现所述N重描绘的连接区域使用像素；和
设定变更机构，其对于各个所述描绘头变更设定，以便在所述连接区域可使用像素中只让所述连接区域使用像素实际动作。
2、根据权利要求1所述的描绘装置，其特征在于，
所述使用像素指定机构，进一步对每个所述描绘头，从所述多个可使用像素中的所述连接区域可使用像素以外的像素中，指定在所述描绘面上的所述头间连接区域以外的区域中实现所述N重描绘的中间区域使用像素；
所述设定变更机构，对于各个所述描绘头进一步变更设定，以便在所述多个可使用像素中的所述连接区域可使用像素以外的像素中只让所述中间区域使用像素实际动作。
3、根据权利要求1或2所述的描绘装置，其特征在于，各个所述描绘头中的所述设定倾斜角度θ，对于该描绘头的成为所述可使用像素的各像素列的像素的个数s、所述可使用像素的所述像素列方向的像素间距p，以及沿与所述扫描方向垂直的方向的所述可使用像素的像素列间距δ，满足如下关系。
spsinθ≥Nδ
4、根据权利要求1～3中任一项所述的描绘装置，其特征在于，所述N是2以上的自然数。
5、根据权利要求1～4中任一项所述的描绘装置，其特征在于，
各个所述描绘头的所述像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；
所述使用像素指定机构包括：
位置检测机构，其对于各个所述描绘头，检测所述光点群中所述描绘面上构成所述头间连接区域的光点在所述描绘面上的位置；和
选择机构，其对于各个所述描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在所述描绘面上的所述头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的所述N重描绘成为冗余描绘的部分和相对于理想的所述N重描绘成为不足描绘的部分之总和成为最小。
6、根据权利要求1～4中任一项所述的描绘装置，其特征在于，
各个所述描绘头的所述像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；
所述使用像素指定机构包括：
位置检测机构，其对于各个所述描绘头，检测所述光点群中所述描绘面上构成所述头间连接区域的光点在所述描绘面上的位置；和
选择机构，其对于各个所述描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在所述描绘面上的所述头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的所述N重描绘成为冗余描绘的部分的描绘点数和相对于理想的所述N重描绘成为不足描绘的部分的描绘点数相等。
7、根据权利要求1～4中任一项所述的描绘装置，其特征在于，
各个所述描绘头的所述像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；
所述使用像素指定机构包括：
位置检测机构，其对于各个所述描绘头，检测所述光点群中所述描绘面上构成所述头间连接区域的光点在所述描绘面上的位置；和
选择机构，其对于各个所述描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在所述描绘面上的所述头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的所述N重描绘成为不足描绘的部分成为最小，并且不产生相对于理想的所述N重描绘成为冗余描绘的部分。
8、根据权利要求1～4中任一项所述的描绘装置，其特征在于，
各个所述描绘头的所述像素阵列作为所述描绘点群，产生光点群；
所述使用像素指定机构包括：
位置检测机构，其对于各个所述描绘头，检测所述光点群中所述描绘面上构成所述头间连接区域的光点在所述描绘面上的位置；和
选择机构，其对于各个所述描绘头，根据由所述位置检测机构的检测结果，在所述描绘面上的所述头间连接区域中选择所述连接区域使用像素，使得相对于理想的所述N重描绘成为冗余描绘的部分成为最小，并且不产生相对于理想的所述N重描绘成为不足描绘的部分。
9、根据权利要求4所述的描绘装置，其特征在于，进一步包括参照描绘机构，其为了在所述使用像素指定机构中指定所述连接区域使用像素，对于各个所述描绘头，在所述连接区域可使用像素中相对于所述N，只使用构成每隔(N-1)列的像素列的像素，进行参照描绘。
10、根据权利要求4所述的描绘装置，其特征在于，进一步包括参照描绘机构，其为了在所述使用像素指定机构中指定所述连接区域使用像素，对于各个所述描绘头，在所述连接区域可使用像素中相对于所述N，只使用构成所述可使用像素的相当于所有像素行数的1/N行的相互邻接的像素行的群的像素，进行参照描绘。
11、根据权利要求1～10中任一项所述的描绘装置，其特征在于，进一步包括数据变换机构，其变换所述图像数据以使得所述图像数据表示的所述二维图案的所述头间连接区域的给定部分的尺寸，与由所指定的所述连接区域使用像素可实现的对应部分的尺寸相一致。
12、根据权利要求1～11中任一项所述的描绘装置，其特征在于，
所述像素阵列是根据所述图像数据按每个像素对来自光源的光进行调制的空间光调制元件。
13、一种描绘方法，采用多个描绘头进行描绘，各描绘头具有由配置成二维分布的多个可使用像素构成的像素阵列，并根据图像数据产生构成该图像数据表示的二维图案的描绘点群，按照所述可使用像素的像素列方向与该描绘头的扫描方向构成给定的设定倾斜角度的方式，相对于描绘面被分别安装；其特征在于，所述描绘方法包括：
对各个所述描绘头，从所述多个可使用像素中的与所述描绘面上的头间连接区域中的描绘点所对应的连接区域可使用像素中，指定在该头间连接区域中实现N重描绘的连接区域使用像素的工序，其中N是1以上的自然数；
对于各个所述描绘头变更所述描绘头的设定，以便在所述连接区域可使用像素中只让所述连接区域使用像素实际动作的工序；和
一边让各个所述描绘头相对于所述描绘面在所述扫描方向上相对移动，一边让各个所述描绘头动作，在所述描绘面上形成所述二维图案的工序。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102239450B (zh) * 2008-12-05 2014-01-08 富士胶片株式会社 多光束曝光扫描方法和设备，以及用于制造印刷版的方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200606601A (en) * 2004-06-17 2006-02-16 Fuji Photo Film Co Ltd A plotting device and a plotting method
US20090029296A1 (en) * 2005-03-28 2009-01-29 Fujifilm Corporation Image recording method and device
JP4606949B2 (ja) * 2005-03-31 2011-01-05 富士フイルム株式会社 描画装置および描画方法
KR100841291B1 (ko) * 2007-02-13 2008-06-26 주식회사 프로텍 노광장치에서의 스테이지 이송구조
KR100866643B1 (ko) * 2007-02-13 2008-11-04 주식회사 프로텍 스캐너를 이용한 노광장치
KR20100030999A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 마스크리스 노광 장치 및 이를 이용한 정렬 오차의 보상 방법
CN104411095A (zh) * 2014-11-29 2015-03-11 惠州市金百泽电路科技有限公司 一种提高聚四氟乙烯与阻焊油墨结合力的表面改性工艺
JP6590638B2 (ja) * 2015-10-29 2019-10-16 株式会社オーク製作所 露光装置用露光ヘッドおよび露光装置用投影光学系
US10254112B1 (en) * 2015-10-29 2019-04-09 National Technology & Engineering Solutions Of Sandia, Llc Full-field surface roughness

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5984470A (en) * 1995-04-20 1999-11-16 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for producing color filter with alignment error detection
JPH09277571A (ja) * 1996-04-08 1997-10-28 Canon Inc カラーフィルタ製造装置および方法ならびにカラーフィルタ
JP4114184B2 (ja) 2001-12-28 2008-07-09 株式会社オーク製作所 多重露光描画装置および多重露光描画方法
JP2004009595A (ja) 2002-06-07 2004-01-15 Fuji Photo Film Co Ltd 露光ヘッド及び露光装置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102239450B (zh) * 2008-12-05 2014-01-08 富士胶片株式会社 多光束曝光扫描方法和设备，以及用于制造印刷版的方法

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