CN1714436A - 测试平板显示器的探针及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及用来测试平板显示器的探针，其中将平行排列的多个导体堆叠在多个其它导体之间，还涉及具有所述探针的探针组以及制造所述探针和探针组的方法。本发明提供的一种用来测试平板显示器的探针包括：板状电介质；平行提供的多个导体；以及提供在所述电介质的上下平面的至少一个平面上的第一沟道，用来以预定排列来将多个导体固定在所述电介质中。

Description

测试平板显示器的探针及其制造方法

技术领域

本发明涉及用来测试平板显示器的探针和制造该探针的方法。更具体地，本发明涉及用来测试平板显示器的探针，其中多个平行排列的导体被堆叠在多个其它导体之间，还涉及包括探针的探针组，以及制造该探针和探针组的方法。

尤其是本发明涉及用来测试平板显示器的探针，其中无需在MEMS单元的制造过程中通过接合机来进行附着探针导体的工艺，从而获得精确对齐的导体，以及涉及制造该探针的方法。

另外，本发明涉及用来测试平板显示器的探针，其中通过在单牺牲衬底上使用MEMS工艺将探针导体形成在单牺牲衬底的两个平面上，以及涉及制造该探针的方法。

背景技术

一般而言，作为平板显示器的TFT-LCD(薄膜晶体管液晶显示器)设备包括其中提供有大量薄膜晶体管(TFT)和各个像素电极的具有预定尺寸的下板、以预定距离与下板分离的用来色化处理的颜色过滤器、以预定距离与下板分离并在其上顺序提供有通用电极的上板、和插入在上下板之间的液晶。

TFT-LCD设备包括多个作为开关组件的TFT、由上下板之间的液晶生成的电容器区域和辅助电容器区域、用来驱动TFT的开启/关闭(ON/OFF)的栅极驱动电极、和用来施加外部图像信号的图像信号电极，从而显示预定图像(包括运动图像)。

另外，在制成后，如TFT-LCD的平板显示器要经受与具有平板显示器电极垫的探针组接触的测试过程，以检验平板显示器的正常性和提前消除平板显示器的故障。

该测试利用包括探针组的探测设备来进行。已经开发了多种类型的探测设备。该探测设备包括针式探测设备、刀片式探测设备、薄膜式探测设备和MEMS(微机电系统)探测设备。

近来，由于平板显示器被高度集成化，平板显示器中的图案线宽已经极为锐化。

因此，存在开发具有优异的再现性和高生产率的探针组以及处理平板显示器的精细间距的大量要求。

发明内容

本发明设法满足前述开发中的要求。本发明的一个目的在于能够简化制造工艺从而减少加工时间的用来测试平板显示器的探针，和制造该探针的方法。

本发明的另一目的在于能够去除在MEMS单元中的生产过程中通过接合机(boding machine)来附着探针导体的工艺并且从而能够以高精确度对齐探针导体的用来测试平板显示器的探针，以及该探针的制造方法。

本发明的一个目的在于能够通过在单牺牲衬底上使用MEMS工艺在单牺牲衬底的两个平面上形成探针导体的用来测试平板显示器的探针，以及该探针的制造方法。

为了实现前述目标，本发明的一个方面是提供用来测试平板显示器的探针，其包括：板状电介质；平行提供的多个导体；和提供在所述电介质的上下平面的至少一个平面上的第一沟道，用来以预定排列将多个导体固定在所述电介质中。

本发明的另一方面是提供用来测试平板显示器的探针，包括以预定间隔分别配置和固定在薄膜下部上的多个单元接触组件，其中薄膜具有预定尺寸，每个单元接触组件包括杆状的束元件，并且其中以集成方式在束元件的一端提供检测尖端。

本发明的另一方面是提供用来测试平板显示器的探针，其包括：牺牲衬底；利用光刻工艺和蚀刻工艺形成的第一沟道；利用导电膜形成工艺配置在牺牲衬底上第一沟道中的具有预定间隔的导体；形成在导体上方的第一电介质；利用光刻工艺和蚀刻工艺形成，以在牺牲衬底下平面上暴露导体的第二沟道；通过将电介质材料埋入第三沟道中所形成的第二电介质。

本发明的另一方面是提供利用单牺牲衬底来形成的探针，其包括：板状第一电介质；堆叠的第二电介质，该步骤的不同之处在于形成在第一电介质的上部；以预定间隔提供穿过第一和第二电介质的多个导体；和通过预定镀覆方法在每个导体的一个平面上堆叠导电材料来形成的导电层。

本发明的另一方面是提供利用单牺牲衬底来形成的探针，其包括：通过在环氧树脂的上下平面上堆叠陶瓷板形成的电介质；以预定间隔形成在电介质上下平面上的多个导体；通过预定镀覆方法堆叠在每个导体的一个平面上的导电层；和堆叠在电介质上下平面上以固定电介质位置的支撑组件。

本发明的另一方面是提供利用单牺牲衬底来形成的探针，其包括：板状电介质；以预定间隔形成在电介质上和下平面上的多个导体；通过预定镀覆方法堆叠在每个导体的一个平面上的导电层；和堆叠在电介质上下平面上来固定电介质位置的支撑组件。

本发明的另一方面是提供一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，其包括以下步骤：在电介质的上下平面的至少一个平面上形成第一沟道，从而以预定排列将多个导体固定在电介质上的的第一沟道形成步骤；和在电介质的上平面或下平面上堆叠支撑组件，从而将导体固定在电介质上的第一沟道中的支撑组件形成步骤。

本发明的另一方面是提供一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括：利用光刻工艺和导电膜形成工艺在具有预定厚度的单牺牲衬底的上下平面的至少一个平面上形成具有预定厚度的光刻胶图案，从而形成导体的导体形成步骤；利用光刻法形成开启每个导体的中央部分的光刻胶图案，并且在每个导体所开启的中央部分上形成电介质的电介质形成步骤；利用光刻工艺和蚀刻工艺形成沟道以暴露每个导体下平面的的沟道形成步骤；通过将支撑材料埋入沟道中来形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和除去牺牲衬底的结束步骤。

本发明的另一方面是提供一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括：利用光刻工艺和第一与第二蚀刻工艺形成具有经过圆化工艺的底部的第一沟道的第一沟道形成步骤；利用光刻工艺开启包括第一沟道的中央部分，然后将导电材料埋入所述开启区域中，从而形成导体的导体形成步骤；利用光刻工艺和电介质膜形成工艺在每个导体的上部形成电介质的电介质形成步骤；和除去牺牲衬底的结束步骤。

本发明的另一方面是提供一种制造用来测试平板显示器的探针片的方法，其包括以下步骤：在牺牲衬底上形成第一保护膜图案，从而限定将要形成多个单元接触组件的尖端处的区域；通过将第一保护膜图案用作蚀刻掩模进行蚀刻工艺从而在牺牲衬底上形成沟道；除去第一保护膜图案；在牺牲衬底上除去第一保护膜处形成第二保护膜图案，从而限定将要形成单元接触组件的束元件(beam element)处的区域；通过在牺牲衬底上形成第二保护膜图案处形成金属膜来形成单元接触组件的束元件；通过除去第二保护膜图案开启单元接触组件的束元件；在开启单元接触组件的束元件处以预定尺寸切割牺牲衬底；将具有预定尺寸的薄膜定位在经切割的牺牲衬底上，并且将单元接触组件的束元件附着和固定在薄膜的下部上；和通过除去附着和固定薄膜的牺牲衬底来开启单元接触组件的尖端。

本发明的另一方面在于提供一种利用单牺牲衬底来制造探针的方法，包括：利用光刻工艺和蚀刻工艺在单牺牲衬底的上下平面上形成第一沟道的第一沟道形成步骤，其中所述单牺牲衬底具有预定厚度；通过将导电材料埋入第一沟道中形成导体的导体形成步骤；利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述导体的下部形成第二沟道的第二沟道形成步骤；通过将电介质材料埋入第二沟道中形成电介质的电介质形成步骤；在牺牲衬底的上下平面的至少一个平面上形成电介质处形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和除去牺牲衬底的结束步骤。

本发明的另一方面在于提供一种利用单牺牲衬底来制造探针的方法，包括：在单牺牲衬底上方形成第一保护膜的第一保护膜形成步骤，其中所述单牺牲衬底具有预定厚度，其中第一保护膜图案被用来形成导体；通过将导电材料埋入第一保护膜图案中来形成上导体的上导体形成步骤；在牺牲衬底上形成导体处形成第二保护膜的第二保护膜形成步骤，其中第二保护膜被用来形成支撑组件；在第二保护膜图案中形成上支撑组件的上支撑形成步骤；利用光刻工艺和蚀刻工艺在牺牲衬底的下平面上形成暴露上导体的沟道的沟道形成步骤；通过将电介质材料埋入所述沟道中来形成电介质的电介质形成步骤；和除去牺牲衬底的步骤。

本发明的另一方面在于提供一种利用单牺牲衬底来制造探针的方法，包括：在单牺牲衬底的预定部位上形成第一沟道的第一沟道形成步骤，其中所述单牺牲衬底由预定材料制成并经历抛光工艺以具有预定厚度，其中所述沟道被用来形成电介质；通过将电介质材料埋入第一沟道中以形成电介质的电介质形成步骤；通过在所述牺牲衬底的上下平面上形成电介质处形成保护膜图案并随后将导电材料埋入保护膜图案中来形成导体的导体形成步骤；和除去所述牺牲衬底的结束步骤。

本发明的另一方面在于提供一种利用单牺牲衬底来制造探针的方法，包括：在单牺牲衬底上平面的预定区域上形成具有预定深度的沟道的沟道形成步骤；在牺牲衬底上形成沟道处形成第一保护膜图案，从而开启所述沟道的第一保护膜图案形成步骤；将沟道埋入材料埋入由第一保护膜图案所开启的沟道中的沟道埋入步骤，其中通过蚀刻工艺除去所述沟道埋入材料；利用光刻工艺在牺牲衬底的上下平面上形成第二保护膜的第二保护膜图案形成步骤，其中第二保护膜图案被用来形成导体；在由第二保护膜图案所限定的特定位置处形成导体的导体形成步骤；在牺牲衬底的上下平面上形成导体处形成第三保护膜图案的第三保护膜图案形成步骤，其中第三保护膜图案被用来形成支撑组件；在由第三保护膜图案所限定的特定位置处形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和除去由沟道埋入材料所分隔的部分牺牲衬底并随后除去沟道埋入材料的结束步骤。

附图说明

本发明的上述和其它目标、优点将由以下联系附图附图的优选实施方案的说明而变得清晰，其中：

图1a是解释根据本发明的一个实施方案的用来检测平板显示器的探针和制造该探针的方法的透视图，图1b是图1a的纵向截面图，图1c是图1a的横向截面图；

图2a和2b是说明按照图1a-1c制造的用来检测平板显示器的探针的另一实施方案的工艺的透视图，图2b是图2a的纵向截面图，图2c是图2a的横向截面图；

图3a-3e是说明按照图2a-2c制造的用来检测平板显示器的探针的另一实施方案的透视图；

图4a和4b是说明根据本发明MEMS工艺制造的用来检测平板显示器的双层探针的透视图；

图5a是说明根据本发明MEMS工艺制造的用来检测平板显示器的单层探针的透视图，并且图5b是图5a的纵向截面图；

图6a-6p是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的截面图；

图7a-7i是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的截面图；

图8a-8t是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的截面图；

图9是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的透视图；

图10a是解释根据另一实施方案的探针的分解透视图并且图10b是其截面图；

图11是解释根据另一实施方案的用来检测平板显示器的探针的透视图；

图12a-12i是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的截面图；

图13a-13d是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的各个工艺的截面图；

图14是根据图13a-13d所示方法制造的探针的透视图；

图15a-15e是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的各个工艺的截面图；

图16是根据图15a-15e所示方法制造的探针的透视图；

图17a-17c是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的各个工艺的截面图；

图18a-18c是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的各个工艺的截面图；

图19a-19d是解释根据另一实施方案制造用来检测平板显示器的探针的方法的各个工艺的截面图；

图20是根据图17a-17d所示方法制造的探针的透视图；

图21a是说明用于本发明的陶瓷板的透视图和截面图，其截面具有平行四边形的形状，并且图21b是说明用于本发明的陶瓷板的透视图和截面图，其截面具有阶梯形状；

图22a是解释包括根据本发明的用来检测平板显示器的探针的第一探针组的透视图，并且图22b是其截面图；

图23是说明在TCP(Tape Carrier Package带载封装)和示于图22和24中的单元导体组件之间的连接的视图；

图24a是解释包括根据本发明的用来检测平板显示器的探针的第二探针组的透视图，并且图24b是其截面图；

图25是解释包括根据本发明的探针的探针组的透视图；

图26是说明包括根据本发明的探针的探针组的截面图。

具体实施方式

在本发明的说明书中，应该注意“探针”在本发明中是指“探针结构”。

首先，在详细描述根据本发明的用来检测平板显示器的探针的实施方案之前，将描述该探针的概念结构。

如图1a-1c和图2a-2c所示，板状电介质10由电介质材料如陶瓷制成。电介质10优选具有240μm的厚度。而且，电介质10的两端优选具有阶差形状(step-difference)或斜倾斜形状。而且，由于电介质10具有维持探针形状的功能以及绝缘的功能，因此优选该电介质由硬质材料制成。

由镍(Ni)或镍合金制成的导体20a和20b为杆状且其两末端部具有尖锐的形状。

按照实施方案存在不同的制造导体的方法。在第一实施方案中，通过划片机工艺形成其中将插入导体的沟道，具有尖锐末端部的导体被附着和固定到各自的沟道中，从而将导体提供在电介质10上。

在第二实施方案中，基于光刻法来确定其位置和尺寸的导体以预定间隔被配置在该电介质上和下平面的至少一个平面上。

导体20a和20b被提供来分别接触电介质10的上和下平面。虽然在电介质的上和下平面上分别形成两行导体，但是一行导体可以被提供在电介质10内。

而且，在一行导体被提供在电介质10内的情况下，形成单层探针，如图2a-2c所示。

当从探针上方观察该探针时，配置导体20a和20以使每个提供在电介质10上平面上的导体20a能够被定位在相邻的电介质10的下平面的导体20b之间。

而且，每个提供在电介质10的上平面上的导体20a的长度均与提供在该电介质下平面上的每个导体20b的长度相同，从电介质10向外伸展的导体20a和20b的左和右突出部分具有完全相同的长度。

如图1c所示，提供在电介质10的上平面上的导体20a的末端部比提供在电介质10下平面上的导体20b的末端部更为突出。尤其是优选将导体20a和20b形成为使得连接提供在电介质10上平面上的导体20a和提供在电介质10下平面上的导体20b的线11能够具有相对于每个导体表面为30°-60°的角度。所使用的每个导体20a和20b均被制造成具有60±5μm的厚度。

如后所述，在制造包括提供在电介质10上的导体20a和20b的用来检测平板显示器的探针的方法中主要存在两个实施方案。第一实施方案是利用划片机工艺来制造探针的方法，而第二实施方案是使用MEMS工艺来制造探针的方法。

在使用MEMS工艺的情况下，可以在导体20a和20b表面上形成薄导电材料40a和40b，其具有比导体更好的导电性。该导电材料优选以镀金层来形成。形成导电材料40a和40b是为了改善每个导体的导电性。

而且，所提供的支撑组件30a和30b由环氧树脂、陶瓷板或环氧树脂和陶瓷板的组合物所形成。该支撑组件与导体20a和20b的上部相接触以便增强导体20a和20b。

而且，本发明公开了单层探针以及双层探针。如图2a-2c所示，单层探针包括具有预定尺寸的板状电介质80、以一定的间隔平行穿过电介质而提供的多个导体50、和形成为与电介质80的上和下平面的一个平面相接触的板状支撑组件60。

在使用MEMS工艺的情况下，具有优异导电性的导电材料可以形成在单层探针中的每个导体50的一个平面上。该导电材料优选是金，从而形成镀金层70。

单层探针的组件与双层探针的组件相同，并且也具有与其相同的功能。因此，将省略它们的详细描述。

(第一实施方案)

根据第一实施方案，通过在由硬质材料使用切片工艺制成的矩形增强板上形成沟道(开口)以及将导体插入和固定到沟道中来制造用来检测平板显示器的探针，由此该导体被用作检测平板显示器的针。

以下，参照图3-5来说明第一实施方案。

图3a-3e为说明根据本发明的第一实施方案的用来检测平板显示器的探针的透视图以及说明制造该探针的方法的工艺流程图。

在图3a所示的根据本发明的用来检测平板显示器的探针和制造该探针的方法中，制备具有矩形板形状的支撑板90。该支撑板由例如陶瓷的硬质材料制成。在支撑板90的上平面从一侧到对侧以纵向形成中央沟槽93，从而可以在支撑板90的上平面上形成相互面对的第一突出区91和第二突出区95。

中央沟槽93可以用划片机等形成。

接着，如图3b所示，利用划片工艺在支撑板90上第一和第二突出区91和95的上表面上分别形成均为针状的多条沟道97a和97b。该多条沟道97a和97b被连接到中央沟槽14。

而且，形成在第一和第二突出区91和95上的沟道97a和97b分别具有相同的间隔，从而如图3c所示相互面对。否则，所述沟道可以形成在第一突出区91上的沟道97a具有细间隔和形成在第二突出区95上的沟97b具有粗间隔或反之的方式来形成。

具体对于沟道97a和97b的深度，优选所述沟道形成在与中央沟槽93相同高度上，或所述沟道形成得比中央沟槽93更深，从而提供在沟道97a和97b中的导体的平坦性可由中央沟槽93的平坦性所决定。

而后，如图3d所示，将具有预定长度和预定直径且每个均具有尖锐形状末端部的导体98分别配置到形成在支撑板90的第一突出区91和第二突出区95上的沟道97a和97b中。

每个导体都具有从支撑板90向外突出的预定长度，以致每个导体的一个末端部可被用作与平板显示器的测试位置直接接触的接触组件并且另一末端部可被用作连接组件。导体98由钨或钨合金制成。

如图3e所示，将胶粘剂应用在支撑板90上的提供针或导体(针)98插入到形成在第一和第二突出区91和95上的沟道97a和97b中处，并且随后施加且固化胶粘剂例如环氧树脂，以附着在支撑板上的导体上，从而制成探针。

以下参照图4和5来说明图3所述探针的制造方法的实施方案。

图4a和4b是说明根据本发明的另一实施方案的用来测试平板显示器的探针及其制造方法的透视图。

在根据本发明的实施方案的用来测试平板显示器的探针及其制造方法中，如图4所示，在第一实施方案中将其上形成有次级探针的另一支撑板100提供在支撑板90上方。在此，支撑板100是由与支撑板90相同的制造方法制造的。

所述位于上部的被称为上探针的探针以与被称为下探针的第一实施方案中的探针相同的制造方法制造。也就是说，形成在第一突出区101上的沟道107a与中央沟槽103连接，并且用胶粘剂如环氧树脂109来附着和固定位于沟道107a中的导体108。而且，其它沟道形成在第二突出区105上，但未在图4a中示出。

接着，如图4b所示，利用胶粘剂如环氧树脂(未示出)将上探针和下探针相互附着和重叠。

以交替排布的方式形成上探针导体108(下文有时称为上导体)和下探针导体98(下文有时称为下导体)。每个上探针导体108的一个末端部都比每个下探针导体98的对应末端部向外突出得更多。上下导体向外突出部分的总长度相同，从而上下导体可以具有相同的物理条件。每个导体108和98的一个末端部被用作与平板显示器测试位置直接接触的接触组件，并且另一末端部则被用作连接组件。

虽然在实施方案中所述是双层探针，但是应该理解可以根据制造商的意向制造三或更多层探针。

而且，上下探针的附着位置也可根据制造商的意向来选择决定。因此，可将上探针的支撑板100直接附着并固定在下探针的支撑板90上。

图5a是说明根据本发明的另一实施方案的用来测试平板显示器的探针及其制造方法的透视图，图5b是图5a的截面图。

在根据本发明的实施方案的用来测试平板显示器的探针及其制造方法中，如图5a和5b所示，在支撑板90的下平面上进行以下工艺。即类似于第一实施方案，形成中央沟槽112、第一突出区110和第二突出区114的工艺，形成第一沟道116a和第二沟道(图5a中未示出)的工艺，提供穿越第一沟道116、第二沟道(未示出)和中央沟槽112的下导体118(具有预定长度)的工艺，从而使两个末端部向外突出，以及进一步在支撑板的下平面上进行利用胶粘剂如环氧树脂来附着与固定下导体118在支撑板90的下平面上的工艺。

形成在支撑板90上平面的导体98和形成在支撑板100下平面的导体118垂直交替。在支撑板上平面的每个导体98的一个末端部都比在支撑板下平面上的每个导体118的一个末端部更加向外突出。上导体98和下导体118的向外突出部分的总长度相同。

(第二实施方案)

第二实施方案是采用MEMS工艺来制造探针的方法。首先，在描述探针制造方法的具体实施方案之前将描述探针制造方法中的通用步骤。

在牺牲衬底制备步骤中，制备由硅(Si)晶片和陶瓷材料制成的衬底所构成的牺牲衬底。一般来说，牺牲衬底优选具有400-500μm的厚度。

接着，在电介质形成步骤中，采用干蚀刻工艺在牺牲衬底的上下平面的预定区域上形成沟道。然后，将电介质插入或模铸在沟道中，由此在牺牲衬底上形成电介质。所述电介质包括陶瓷、环氧树脂等。换言之，将环氧树脂施加到沟道中，并且在环氧树脂固化之前，将具有与各沟道尺寸相同的预制陶瓷板插入并附着在沟道中，由此形成电介质。或者，插入具有与各沟道尺寸相同的预制陶瓷板，然后将环氧树脂施加到沟道和陶瓷板之间的间隙中，从而连接沟道和陶瓷板，由此形成电介质。

虽然陶瓷板为长方体，但其可以具有平行四边形或阶梯形状，如图21a和21b所示。

蚀刻牺牲衬底的上下平面的预定部分的工艺包括切片工艺和干蚀刻工艺，其中利用由光刻胶形成的保护膜图案来蚀刻牺牲衬底。

此处，在用陶瓷作为牺牲衬底的情况下，由于牺牲衬底本身是电介质，因此在牺牲衬底上部形成电介质的步骤可以省略。

接着，在导体形成步骤中，在牺牲衬底上下平面上形成与导体形状相同的图案，然后精确使用该图案在各位置上形成导体。导体优选由钨或钨合金制成。

首先，采用光刻胶在牺牲衬底的将形成导体的精确位置处形成与导体形状相同的图案。接着，利用该图案，以电镀方法形成导体。结果，根据本发明的探针在电介质上下平面上的上下导体之间的配置间隔、位置和间距方面具有优异的精确性和可再现性，从而与手工进行接合工艺相比降低了成品的故障率。

由于是通过镀覆工艺来形成导体，因此在镀覆工艺之前需要在牺牲衬底表面上形成种子层，以利于进行镀覆工艺。在此，可以采用溅射法形成种子层。此外，该种子层优选由钛(Ti)和铜(Cu)制成。钛层具有增加牺牲衬底和铜层之间的粘合性能的功能，而铜层的功能则是作为随后镀覆工艺的种子层。

此外，导体由镍(Ni)或镍合金制成。

在支撑组件形成步骤中，将支撑组件附着并模铸在牺牲衬底上形成导体处。支撑组件由环氧树脂或陶瓷制成。具体而言，优选通过预先施加环氧树脂并且在环氧树脂固化之前将陶瓷板附着其上来获得支撑组件。

换言之，利用光刻胶形成支撑组件图案，然后在支撑膜图案上施加支撑材料，由此形成支撑组件。

最后，在结束步骤中，采用湿蚀刻工艺除去牺牲衬底的残余部分，由此获得探针。

另一方面，在采用硬质材料如陶瓷作为牺牲衬底的情况下，探针的制造方法包括在由电介质材料制成的单牺牲衬底的上下平面的预定部位形成具有预定深度的沟道的沟道形成步骤，其中采用抛光工艺形成具有预定厚度的牺牲衬底；通过在牺牲衬底上形成开启沟道的保护膜并且将金属材料埋入沟道中来形成电介质形成补充装置的电介质形成补充装置形成步骤，其中金属材料是可利用湿蚀刻工艺选择性除去的材料；形成具有与牺牲衬底上导体形状相同的保护膜图案并且利用该图案在精确位置形成导体的导体形成步骤；在牺牲衬底上下平面上的导体形成处形成支撑组件的支撑组件形成步骤；以及从牺牲衬底上除去电介质形成补充装置的步骤。

在此，硬质材料包括陶瓷、玻璃等。

以下，将参照附图来描述用来测试平板显示器的探针的结构及其制造方法。

(实施方案2-1)

图6a-6p是说明根据另一实施方案的用来测试平板显示器的探针的制造方法的截面图。

在按照参照图6a-6p所示的实施方案制造探针的方法中，在牺牲衬底上平面上提供导体和对齐键，从而利于通过利用对齐键来在其下平面上进行工艺。如图6a所示，利用沉积工艺如溅射工艺，在由硅等制成的牺牲衬底120上形成具有预定厚度的种子层126，随后在种子层126上涂覆具有预定厚度的功能为保护膜的第一光刻胶128。

种子层126由厚度为500的钛层122和厚度为5000的铜层124构成。在随后的镀覆工艺中，铜层124实质上功能为种子层126。提供钛层122是为了改善牺牲衬底120和铜层124之间的粘接性能。

接着，如图6b所示，形成第一光刻胶图案129以限定用来形成导体的预定区域和后续工艺中的对齐键。每个导体均为直接接触待测试的平板显示器的接触组件。

可以通过利用其上设计有预定电路图案以形成导体和对齐键的掩模来曝光形成在牺牲衬底上的第一光刻胶128而形成第一光刻胶图案129，随后将其显影。

接着，如图6c所示，通过利用镀覆工艺在牺牲衬底上形成第一光刻胶图案129处沉积导电材料如镍(Ni)和镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成导电膜131。随后，利用平坦化工艺使牺牲衬底120的上平面平坦化。

采用CMP(化学机械抛光)法和研磨法等来进行平坦化工艺。在形成导电膜131的镀覆工艺过程中，种子层126中的铜层124功能为镀覆材料的种子。

具体来说，在形成导电膜131的理想镀覆工艺过程中，仅在第一光刻胶图案129的开启部分内形成导电膜131的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用如PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成导电膜131的情况下，前述进行的形成种子层126的工艺可以省略。

接着，如图6d所示，通过去除第一光刻胶图案129来暴露铜层的某些部分，由此形成导体和对齐键132a和132b。可以利用化学试剂的湿蚀刻工艺和干蚀刻工艺的方法来除去第一光刻胶图案。

随后，如图6e所示，在该使用化学试剂的湿蚀刻工艺中，利用导体130和对齐键132a和132b作为掩模，除去由钛层122和因为除去第一光刻胶图案129而暴露的铜层124所构成的种子层126，由此导体130和对齐键132a和132b完全向外暴露。

接着，如图6f所示，将一定量的第二光刻胶134涂覆到牺牲衬底120上的导体130和对齐键132a和132b完全向外暴露处。

在此，当安装在旋转吸盘上的牺牲衬底120转动时，通过喷嘴将第二光刻胶134喷洒到牺牲衬底120上，由此可以涂覆一定量的第二光刻胶134。

接着，如图6g所示，将提供有预定电路图案的掩模定位在牺牲衬底120上涂覆有第二光刻胶134处，然后，将其曝光和显影，由此可以形成用来完全开启导体130中央部分和对齐键132a和132b的第二光刻胶图案136。

接着如图6h所示，通过以电介质材料如环氧树脂来封闭由第二光刻胶图案所完全开启的导体130的中央部分来形成支撑板138。

在此，可以通过采用印刷方法等来形成用作支撑板138的环氧树脂。

接着，如图6i所示，通过研磨工艺将牺牲衬底120上平面中的由电介质材料如环氧树脂制成的支撑板138所完全封闭的导体中央部分平坦化。

在此，进行所述研磨工艺是为了利于在牺牲衬底120背平面上进行的后续研磨工艺。

接着，如图6j所示，使牺牲衬底120正面朝下，并且研磨牺牲衬底120的背平面至预定厚度，由此在后续沟道形成过程中，调整牺牲衬底120的蚀刻深度处于低水平。

然后，如图6k所示，在牺牲衬底120的背平面上涂覆预定厚度的光刻胶140。

在此，第三光刻胶140的涂覆方法与第一和第二光刻胶128和134相同。

接着，如图6l所示，利用其上提供有特定电路图案的掩模来曝光并随后显影第三光刻胶140，从而形成用来开启牺牲衬底背平面的中央部分的第三光刻胶图案142。

然后，如图6m所示，利用第三光刻胶图案142作为掩模进行蚀刻工艺，以完全蚀刻种子层126，由此形成用来开启牺牲衬底120的沟道144。

在此，该蚀刻工艺为使用混合气的干蚀刻工艺，其中以特定比例混合SF₆、C₄F₈和O₂。

更具体地，该蚀刻工艺是使用作为源自深沟道蚀刻法的RIE(反应离子蚀刻)工艺的所谓Bosh工艺来进行。

接着，如图6n所示，将一定量胶粘剂146(环氧树脂)施加在沟道144中，该沟道形成在牺牲衬底129的背平面上，然后对由预定尺寸的陶瓷板构建的支撑板148加压并将其插入沟道144中，由此将支撑板148埋入且附着在沟道144中。

接着，如图6o所示，通过除去图6n的第二光刻胶图案136和第三光刻胶图案142，以使支撑板148、电介质板130和导体138暴露在外。

在此，通过干蚀刻工艺或使用化学试剂的湿蚀刻工艺来除去第二光刻胶图案136和第三光刻胶图案142。

最后，如图6p所示，通过在牺牲衬底120上进行使用化学试剂的湿蚀刻工艺将每个导体138的两个末端部分均暴露在外。将每个导体138下平面的中央部分以电介质板130绝缘，并且将每个导体138上平面的中央部分用支撑板148支撑，由此获得探针。

在此，除去图6o所示的对齐键132a和132b以及残余种子层126。

(实施方案2-2)

图7a-7i是阐释根据另一实施方案制造用来测试平板显示器的探针的方法的截面图。

在按照该实施方案制造探针的方法中，如图7a所示，在由硅等制成的牺牲衬底200上，使用例如溅射工艺的沉积工艺来形成具有预定厚度的种子层206，然后在种子层206上以预定厚度涂覆功能为保护膜的第一光刻胶208。

种子层206由钛层202和铜层204构成。在后续镀覆工艺中铜层204主要功能为种子。提供钛层是为了改善牺牲衬底200和铜层204之间的粘接性能。

接着，如图7b所示，形成第一光刻胶图案210以限定用来在后续工艺中形成导体的预定区域。

可通过将其上设计有以形成导体的预定电路图案的掩模定位到形成在牺牲衬底200上的图7a的第一光刻胶208上，并随后将其曝光和显影，从而形成第一光刻胶图案210。

然后，如图7c所示，通过将例如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)的导电材料利用镀覆工艺沉积在形成有第一光刻胶图案212的牺牲衬底200上来形成用作接触组件的导电膜212。然后，通过平坦化工艺来平坦化牺牲衬底200的上平面。

该平坦化工艺利用CMP(化学机械抛光)法和研磨法等来进行。在用来形成导电膜212的镀覆工艺过程中，铜层204的功能为镀覆材料的种子。具体而言，在用来形成导电膜212的理想镀覆工艺过程中，在导电膜212仅形成在第一光刻胶图案210的暴露部分内的情况下，平坦化工艺可省略。此外，在使用例如PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成导电膜212的情况下，先前进行的形成种子层203的工艺可以省略。

接着，如图7d所示，在除去第二光刻胶图案210之后，利用形成在第二光刻胶图案210的暴露部分中的导电膜212作为自对齐掩模来除去由钛层202和残留在图7c的第二光刻胶图案210下部上的铜层204所构成的种子层206。

在此，第二光刻胶图案210可通过湿蚀刻法或干蚀刻法除去，并且种子层206也可通过湿蚀刻法或干蚀刻法除去。

然后，如图7e所示，将一定量的第三光刻胶214涂覆到已除去图7c的第二光刻胶图案210的牺牲衬底200上。

在此，第三光刻胶214可以使用常用的光刻胶旋涂法等来涂覆。

接着，如图7f所示，通过将其上提供有特定电路图案的掩模定位到涂覆有第三光刻胶214的牺牲衬底200上，并随后对其曝光和显影以形成用来开启用作接触组件的导电膜212的中央部分的第三光刻胶图案222。

然后，如图7g所示，将一定量的胶粘剂如环氧树脂施加到由第三光刻胶图案222所开启的开启部分中，随后将由电介质材料如具有预定尺寸的陶瓷所制成的支撑板218插入并附着到第三光刻胶图案222的开启部分中。

接着，如图7h所示，通过除去图7g的第三光刻胶图案222使得由支撑板218和导电膜212构成的导体暴露在外。

最后，如图7i所示，通过湿蚀刻工艺等来除去其中支撑板218和导电膜212暴露在外的图7h的牺牲衬底200和在导电膜212下部上的种子层206，由此完成包括导电膜的探针。

在此，优选利用不同的化学试剂的一系列湿蚀刻工艺来顺序除去牺牲衬底200和由铜层204和钛层202构成的种子层206。

此外，额外进行将电介质材料如环氧树脂附着到所完成的探针的导电膜212背平面上的工艺。

(实施方案2-3)

图8a-8t是阐释根据另一实施方案制造用来测试平板显示器的探针的方法的截面图。

在根据所述实施方案制造探针的方法中，如图8a所示，将第一光刻胶252涂覆在由硅等制成的牺牲衬底250上。

在此，第一光刻胶252可通过熟知的光刻胶旋涂法等来涂覆。

接着如图8b所示，通过在牺牲衬底250上进行后续工艺形成第一光刻胶图案254以限定对齐键和成型接触组件。

在此，通过在牺牲衬底250上对齐预定掩模并随后对其曝光和显影来形成第一光刻胶图案254。

接着，如图8c所示，通过将牺牲衬底250上的第一光刻胶图案254用作掩模来进行蚀刻工艺，由此形成用来在牺牲衬底250中形成形成对齐键和接触组件的第一沟道256a和256b以及第二沟道258。

在此，利用反应气体的干蚀刻工艺来进行第一沟道256a和256b以及第二沟道258的工艺。

接着，如图8d所示，在除去形成有第一沟道256a和256b以及第二沟道258的牺牲衬底250上的第一光刻胶图案254之后，利用例如溅射工艺的沉积工艺来形成具有预定厚度的种子层260。

种子层260由厚度为500的钛层261和厚度为5,000的铜层262构成。铜层262的主要功能为在后续工艺中作为种子层。提供钛层261是为了改善牺牲衬底250和铜层262之间的粘接性能。

接着，如图8e所示，将一定量的第二光刻胶264涂覆到形成有种子层260的牺牲衬底250上。

在此，第二光刻胶264可以使用熟知的光刻胶旋涂工艺等来涂覆。

接着，如图8f所示，将形成在牺牲衬底250上的第二光刻胶264曝光和显影，由此形成第二光刻胶图案265以限定形成第一沟道256a和256b以及第二沟道258的区域。

接着，如图8g所示，通过将例如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)的导电材料利用镀覆工艺沉积在形成有第二光刻胶图案265的牺牲衬底250上，形成导电膜266。

在此，在用来形成导电膜266的镀覆工艺期间，种子层260中的铜层262的功能为镀覆材料的种子。

接着，如图8h所示，平坦化形成有导电膜266的牺牲衬底250的上平面。牺牲衬底250上平面的平坦化工艺使用CMP(化学机械抛光)法和研磨法等来进行。

此外，在用来形成导电膜266的理想镀覆工艺期间，仅在第二光刻胶图案265的开启部分内形成导电膜266的情况下，平坦化工艺可以省略。

接着，如图8i所示，将一定量的第三光刻胶268涂覆在完成了平坦化工艺的牺牲衬底250上。

在此，第三光刻胶268可以通过熟知的光刻胶旋涂法等来涂覆。

接着，如图8j所示，形成用来开启形成在牺牲衬底250上的导电膜266的中央部分的第三光刻胶图案270。

在此，第三光刻胶图案270可以利用掩模的曝光工艺和显影工艺来形成。

接着，如图8k所示，通过将电介质材料如环氧树脂埋入由第三光刻胶图案270所开启的开启部分中来形成电介质板272。

然后，如图8l所示，平坦化形成有电介质板272的牺牲衬底250的上平面。该平坦化工艺使用CMP(化学机械抛光)法和研磨法等来进行。

接着，如图8m所示，将牺牲衬底250正面朝下，并且研磨牺牲衬底250的背平面至具有预定厚度。进行该研磨工艺是为了在后续沟道形成工艺中调节牺牲衬底250的蚀刻深度至低水平。

然后，如图8n所示，将具有预定厚度的第四光刻胶276涂覆在已进行研磨工艺的牺牲衬底250的背平面上。第四光刻胶274可以使用熟知的光刻胶涂覆方法来涂覆。

接着，如图8o所示，通过曝光形成在牺牲衬底250上的第四光刻胶274，并随后将其显影，来形成作为牺牲衬底250的中央部分的用来开启牺牲衬底250背平面的中央部分的第四光刻胶图案276。

接着，如图8p所示，利用第四光刻胶图案276作为掩模来进行蚀刻工艺，由此在牺牲衬底250背平面上形成用来开启导电膜266的第三沟道278。在此，该蚀刻工艺为使用混合气的干蚀刻工艺，其中以特定比例混合SF₆、C₄F₈和O₂。

更具体地，该蚀刻工艺是使用作为源自深沟道蚀刻法的RIE(反应离子蚀刻)工艺的所谓Bosh工艺来进行。

接着，如图8q所示，将一定量的胶粘剂280如环氧树脂施加到形成在牺牲衬底250背平面上的第三沟道278中，然后对由具有预定尺寸的陶瓷所制成的支撑板282加压并将其插入第三沟道278中，由此支撑板282被埋入且附着在第三沟道278中。

接着，如图8r所示，以平坦化工艺将牺牲衬底250的背平面上在第三沟道278中埋入支撑板282处平坦化。

该平坦化工艺使用CMP(化学机械抛光)法和研磨法等来进行。

接着，如图8s所示，除去第三光刻胶图案270、第四光刻胶图案276和种子层260。

最后，如图8t所示，使用蚀刻工艺除去牺牲衬底250，由此完成包括以胶粘剂280附着在导体284上部的支撑组件282和提供在导体284下部的电介质板272的探针。

图9是阐释根据另一实施方案制造用来测试平板显示器的探针的方法的透视图。

在根据所述实施方案的探针的制造方法中，制备其中图6o的导体130完全暴露在外的第一牺牲衬底280和第二牺牲衬底282，或制备其中图8t的导体283完全暴露在外的第一牺牲衬底280和第二牺牲衬底282。

在此，对齐键288、电介质板284和导体286向外暴露在第一牺牲衬底280和第二牺牲衬底282上。

接着，通过参照对齐键288或利用操作者眼睛将第一牺牲衬底280的导体284与第二牺牲衬底280的导体284匹配，来使第一牺牲衬底280和第二牺牲衬底282相互连接，而后用胶粘剂使其相互附着。

形成在第二牺牲衬底282上的多个导体286垂直配置到形成在第一牺牲衬底280上的多个相邻导体286之间的间隙空间中，由此使得第二牺牲衬底282的每个导体286均垂直配置在第一牺牲衬底280的相邻导体286之间，并且第二牺牲衬底282的每个导体286的末端部比第一牺牲衬底280的每个导体286的末端部更为水平突出，其中导体形成为多层结构。

而后，利用与前述实施方案相同的湿蚀刻工艺来除去第一牺牲衬底280和第二牺牲衬底282，由此可以制造其中堆叠探针的多层探针。

虽然在本实施方案中描述了双层探针，应该理解根据制造商的意向可以制造三或更多层的探针。

图10a使阐述根据另一实施方案的探针的透视图，且图10b为其截面图。

如图10a和10b所示，根据本方面的实施方案的探针由双层结构组成，其中通过用粘接物质如胶粘剂粘接形成在第一探针300上的电介质板306和316来堆叠第一探针300和第二探针310。

在第一探针300和第二探针310中，多个导体302和312分别以预定间隔附着在由陶瓷制成的支撑板308和318的下部上，并且将由电介质材料如环氧树脂304和314制成的电介质板306和316分别附着到导体302和312的下中央部分上。

更具体地，将第二探针310的每个导体312垂直配置在第一探针300的相邻导体302之间的间隙空间中，由此将多层探针的导体302和导体312之间的间隔调节至最短。

在该堆叠结构中，第二探针310的每个导体312比第一探针300的每个导体302的末端部在水平方向上更为突出。

此外，在另一实施方案中，分别形成在第一探针300和第二探针310上的支撑板308和318通过粘接物质如胶粘剂而相互附着，由此可以制造其中堆叠第一探针300和第二探针310的双层结构。

因此，将其中在堆叠结构中提供由第一探针300和第二探针310的多层结构引入探针组(未示出)中，以验证通过一系列生产工艺得到的平板显示器的正常性。

探针的每个导体302和312的一个末端部均与平板显示器的测试部位(即垫电极)相接触，并且其另一末端部被连接到与驱动芯片相连的TCP(带载封装)，由此验证平板显示器的正常性。

(实施方案2-4)

图11使说明根据另一实施方案的用来测试平板显示器的探针的透视图。如图11所示，探针包括每一个均为杆状的束元件322的多个单元导体320、以集成方式提供在束元件322一端的检测尖端324a，和以集成方式提供在束元件322另一端的连接尖端324b。分别以预定间隔配置多个单元导体。

在此，束元件322和尖端324a和324b由具有优异的导电性和弹性的金属如镍(Ni)和镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)制成，并且使每个尖端324a和324b的末端部分经受圆化(rounding)工艺以抑制微粒的产生。

此外，将具有预定尺寸、由透明材料如环氧树脂和聚对二甲苯(parylene)制成的透明薄膜342通过加压工艺和加热工艺附着到多个单元导体320上。

因此，将其中多个单元导体320与薄膜342相附着的探针片引入探针组中以验证通过一系列生产工艺获得的平板显示器的正常性。

将探针片的连接尖端324b连接到TCP(带载封装)，该封装与驱动芯片相连，并且将探针片的检测尖端324b反复接触到平板显示器的测试位，即垫电极，由此验证平板显示器的正常性。

此外，在另一实施方案中，可以省略每个单元接触组件的束元件322的连接尖端324b。省略了连接尖端322的每个单元导体320可以通过ACF(各向异性导电膜)连接到TCP(带载封装)。

图12a-12i是阐释制造图11所示用来测试平板显示器的探针的方法的截面图。

以下，参照图12说明制造根据本发明的用来测试平板显示器的探针的方法。首先，在由具有特定方向性如(1，0，0)的硅制成的牺牲衬底330上形成用来在后续工艺中形成第一沟道334a和第二沟道334b的第一光刻胶图案332。

第一光刻胶图案332由具有高光敏性的光刻胶组成。通过在衬底330的前平面上使用旋涂工艺旋涂厚约2μm的光刻胶，而后进行曝光工艺和显影工艺，从而形成第一光刻胶图案332。

接着，如图12b所示，使用形成在牺牲衬底330上的第一光刻胶图案332作为掩模进行第一蚀刻工艺，由此分别形成其中将形成检测尖端324a和连接尖端324b的第一沟道334a和第二沟道334b。

形成沟道334a和334b的蚀刻工艺可以是使用以预定比例混合氢氧化钾(KOH)和去离子水的化学试剂的湿蚀刻工艺。利用化学试剂的湿蚀刻工艺各向异性地蚀刻具有特定方向性的牺牲衬底330，由此形成具有截棱锥或截圆锥形状的第一沟道334a和第二沟道334b。

接着，如图12c所示，利用第一光刻胶图案332作为蚀刻掩模进行第二蚀刻工艺，由此具有截棱锥或截圆锥形状的第一沟道334a和第二沟道334b具有深的深度并且使沟道334a和334b的底部经历圆化工艺。

在此，第二蚀刻工艺为使用以特定比例混合SF₆、C₄F₈和O₂气体的混合气的干蚀刻工艺。

更具体地，第二蚀刻工艺是使用作为源自深沟道蚀刻法的RIE(反应离子蚀刻)工艺的所谓Bosh工艺来进行。

接着，之前经历第一蚀刻工艺的具有截棱锥或截圆锥形状的第一沟道334a和第二沟道334b具有30μm-500μm的深的深度，并且沟道334a和334b的底部经历圆化工艺。

接着，如图12d所示，在利用湿蚀刻工艺除去图12c的第一光刻胶图案332之后，在之前经历了第二蚀刻工艺的牺牲衬底330上形成在后续工艺中功能为种子层336的厚度为2,000-3000的铜层。

在此，铜层可以利用物理沉积方法如溅射工艺来形成。

接着，如图12e所示，形成用来开启在后续工艺中将形成束元件332处区域的第二光刻胶图案338。

利用旋涂工艺、曝光工艺和显影工艺形成由具有高光敏性的光刻胶构成的类似第一光刻胶图案332的第二光刻胶图案338。

接着，如图12f所示，通过镀覆工艺用具有优异导电性和弹性的金属材料如镍(Ni)和镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)制成具有预定厚度的金属膜，然后通过以CMP(化学机械抛光)法、回蚀刻法、研磨法等平坦化牺牲衬底330的上平面来形成束元件340。

然而，用来在之前进行工艺的镀覆工艺中的形成种子层336的工艺可以省略，并且通过CVD(化学气相沉积)法、PVD(物理气相沉积)法等形成具有预定厚度的由Ni、Ni-Co、Ni-W-Co等制成的金属膜。

此外，在进行平坦化工艺之后，优选通过进行附加的清洗工艺来除去牺牲衬底330上的有机材料和微粒。

接着，如图12g所示，在通过湿蚀刻工艺除去图12f的第二光刻胶图案338之后，切割已除去第二光刻胶图案338的牺牲衬底。

接着，如图12h所示，将由透明材料如环氧树脂和聚对二甲苯制成的薄膜342配置在经切割的牺牲衬底330上，随后通过加压工艺和加热工艺将薄膜342附着到形成在牺牲衬底330上的束元件340的上平面上。

在此，将通过加压和加热薄膜342由形成在牺牲衬底330上的金属膜构成的束元件340的上部插入并附着到薄膜342中。

最后，如图12i所示，通过使用化学试剂的湿蚀刻工艺除去牺牲衬底330，由此完成包括杆状束元件340，其一端和另一端被提供为接触尖端324a和连接尖端324b的探针片。

(实施方案2-5)

在根据本发明的用来测试平板显示器的探针的制造方法的第一实施方案中，如图13a(a)所示，将两面均经抛光的具有预定厚度的硅(Si)晶片用作牺牲衬底400。通过采用研磨工艺或抛光工艺，使牺牲衬底400具有约400-500μm的厚度。

接着，如图13a(b)所示，利用光刻工艺在牺牲衬底400的两平面上形成对应于探针形状的第一光刻胶图案402a和402b。在此，通过光刻工艺形成图案402a和402b，由此其可以精确形成在所需位置上。因此，与手工操作相比可以进一步消除偏差。亦即，多个具有相同尺寸的导体可以相同间隔形成在牺牲衬底400上，具体而言，形成在牺牲衬底400的上平面A上的导体412a且形成在牺牲衬底400的下平面B上的导体412b可以相互交替的方式形成在精确的位置上。

因此，如图13a(b)所示，在牺牲衬底400的上下平面A和B形成的第一光刻胶图案402a和第二光刻胶图案402b形成在后来以交替方式形成的探针位置处的不对称结构中。

接着，如图13a(c)所示，利用各向异性干蚀刻工艺来蚀刻用第一光刻胶图案402a开启的牺牲衬底400的上平面A上的区域，由此具有探针形状的沟槽404形成在牺牲衬底400的上平面A上。

接着，如图13a(d)所示，牺牲衬底400的下平面B也利用与上平面中一样的工艺来蚀刻，由此形成具有探针形状的沟槽406。在此，形成在牺牲衬底400的下平面B上的沟槽406和形成在牺牲衬底400的上平面A上的沟槽404具有沟槽404和406相互交替的不对称结构。

此外，考虑到在后续平坦化工艺中将除去的深度，形成在牺牲衬底400的上下平面A和B上的沟槽404和406的蚀刻深度分别为70-100μm，由此该蚀刻深度相对要比将得到的导体的深度(即60μm)深。

接着，如图13a(e)所示，以使用化学溶剂的湿蚀刻工艺除去残留在牺牲衬底400的上下平面A和B上的第一光刻胶图案402a和402b。

接着，如图13a(f)示，形成种子层408a和408b以进行用来在牺牲衬底400的两平面上形成导体的镀覆工艺。在此，种子层由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的功能为在后续镀覆工艺中的镀覆种子层，钛层则具有增加牺牲衬底400和铜层之间的粘接性能的功能。

接着，如图13a(g)所示，通过光刻工艺形成第二光刻胶图案410a和410b，以开启牺牲衬底450的两平面A和B的预定部分。

接着，如图13a(h)所示，通过采用电镀工艺在牺牲衬底400的两平面A和B上形成被用第二光刻胶图案410a和410b所开启的导体412a和412b。亦即通过利用第二光刻胶图案410a和410b作为模，用电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来在牺牲衬底400上形成导体412a和412b。

图13b(i)-(p)示出纵向图和横向图，以清楚解释本发明。

如图13a(i)所示，除去从第二光刻胶图案410a和410b以及牺牲衬底400的两平面A和B中突出的部分，由此使牺牲衬底400的两平面A和B平坦化。在此，该平坦化工艺利用CMP(化学机械抛光)法、研磨法、磨片(lapping)法和抛光法等进行。然而，在导体412a和412b仅形成在具有探针形状的沟槽404和406内，该导体在用来形成导体412a和412b的理想镀覆工艺期间利用第一光刻胶图案410a和410b来开启的情况下，可以省略平坦化工艺。此外，在平坦化导体412a和412b之后，通过镀金工艺在其上平面上形成镀金层，由此可以提高导体的导电性。

此外，在采用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成导体412a和412b的情况下，之前进行的形成种子层408a和408b的工艺是不必要的。

接着，如图13b(j)所示，通过采用光刻工艺形成第三光刻胶图案414，以开启牺牲衬底400的上平面A上的中央部分。

接着，如图13b(k)所示，利用各向异性的干蚀刻工艺来蚀刻用第三光刻胶图案414开启的区域。此处，该蚀刻直到进行到包括形成有导体412a的部分的整个牺牲层的一半厚度，由此形成第一沟道416。

接着，如图13c(l)所示，在将用作电介质的热固性环氧树脂420施加到第一沟道416中之后，且在环氧树脂420固化之前，将用来支撑的陶瓷板418附着在其上部上。由于陶瓷板418由硬质材料制成，故陶瓷板418具有防止探针在施加在探针上一定的外力下变形的支撑组件的功能，以及维持所得探针形状的功能。

当形成环氧树脂420和陶瓷板418的工艺完成时，牺牲衬底400的上平面A上的工艺即完成。

以下，将描述牺牲衬底400的下平面B上的剩余工艺。

接着，如图13c(m)所示，通过采用光刻工艺形成第四光刻胶图案424，以开启牺牲衬底400的下平面B上的中央部分。

接着，如图13c(n)所示，利用各向异性的干蚀刻工艺来蚀刻用第四光刻胶图案424开启的区域。此处，该蚀刻直到进行到包括形成有导体412b的部分的整个牺牲层的一半厚度，由此形成暴露环氧树脂420的第二沟道426。

接着如图13d(o)所示，将用作电介质的热固性环氧树脂428施加到第二沟道426中。接着，图中未示出，将由硬质材料制成的陶瓷板也附着在牺牲衬底400的下平面B中的环氧树脂428的下部上、类似于其上平面A。

此外，如图13d(p)所示，利用预定化学试剂同时除去牺牲衬底400上下平面上的光刻胶图案414和424，然后利用化学试剂如氢氧化钾(KOH)和TMAH(四甲基氢氧化铵)选择性蚀刻残余的牺牲衬底400。

结果，根据MEMS工艺完成以交替方式配置上下导体412a和412b的用来测试平板显示器的探针。

另一方面，用来形成图13b(k)和(n)所示的沟道416和426的各向异性干蚀刻工艺是使用以特定比例混合SF₆、C₄F₈和O₂气体的混合气的干蚀刻工艺。更具体地，第二蚀刻工艺是使用作为源自深沟道蚀刻法的RIE(反应离子蚀刻)工艺的所谓Bosh工艺来进行。

在完成在牺牲衬底400的上下平面A和B上进行的所有工艺之后，切割牺牲衬底400，从而形成在牺牲衬底400上平面上的多个导体可被分割成包括预定导体数量的预定单元的探针组。

换言之，如图25所示，切割牺牲衬底400以使每个探针组可包括12个导体，而后形成探针。

具体来说，形成在上平面A上的每个导体都要比形成在下平面B上的导体更为向外突出，并且向外突出部分的长度均相同。由此，由前述方法制造的探针具有利于探针操作的优点，因为施加到上下探针的压力是相同的。

根据前述方法制造的的探针具有如图14所示的形状。

图14是说明由图13所示的工艺制造且使用单牺牲衬底的探针的透视图。

如图14所示，导体360a和360b分别以相应的预定间隔平行配置在牺牲衬底的上下平面上。导体360a和360b通过将导电材料埋入第一沟道中而形成，该沟道利用光刻工艺和蚀刻工艺形成硅牺牲衬底的上下平面上。此外，每个导电层均为由具有比导体自身材料更高的电导率的材料制成的薄膜，将该导电膜提供在每个导体360a和360b的一个平面上，从而提高导体360a和360b的电导率。

此外，电介质362a和362b形成在探针的上和下平面上。电介质362a和362b通过将电介质材料施加到通过蚀刻工艺形成在牺牲衬底两平面上的第二沟道中而形成。在此，电介质材料优选环氧树脂。

最后，在探针中提供有支撑组件364。支撑组件364形成在电介质362a和362b的至少一个外侧平面上。支撑组件364优选由硬质材料制成。该硬质材料优选通过将陶瓷板附着在电介质362a和362b上而形成。

(实施方案2-6)

如图15a(a)所示，将两面抛光的平坦硅(Si)晶片制成牺牲衬底450。牺牲衬底450具有通过研磨工艺或抛光工艺获得的400-500μm的厚度。

接着，如图15a(b)所示，利用溅射工艺在牺牲衬底450的整个上平面A上形成第一种子层452。在此，种子层由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底450和铜层之间的粘接性能。

接着，如图15a(c)所示，利用光刻工艺形成第一光刻胶图案454，以开启牺牲衬底450的上平面A上的将形成导体的区域。

接着，如图15a(d)所示，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)形成第一导体456。

接着，如图15a(e)所示，第一导体456的上平面通过除去其上平面的不平整部分来进行平坦化。该平坦化工艺利用CMP(化学机械抛光)法、研磨法、磨片(lapping)法和抛光法等进行。

然而，在形成第一导体456的理想镀覆工艺期间，在第一导体456仅形成在用第一光刻胶图案454开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第一导体456的情况下，之前进行的形成第一种子层452的工艺可以省略。

而后，如图15a(e)所示，在第一导体456的上部上进行镀金工艺，由此形成第一镀金层458。该工艺的目的是提高探针的电导率。

接着，如图15a(f)所示，利用湿蚀刻工艺除去第一光刻胶图案454。在此，也除去第一种子层452的暴露部分。

接着，如图15a(g)所示，通过光刻工艺形成第二光刻胶图案460，以开启第一导体456的预定部分。

接着，如图15a(h)所示，将具有胶粘剂功能的热固性环氧树脂462施加到第一导体456的利用第二光刻胶图案460所开启的部分上。

接着，如图15a(i)所示，在环氧树脂固化之前，将陶瓷板464附着到环氧树脂462的上部上。

接着，如图15b(j)所示，利用研磨工艺平坦化陶瓷板464的上平面。在此，该平坦化工艺可以与第一实施方案相同。当完成平坦化工艺时，就完成了牺牲衬底450的上平面A上的工艺。

以下，将描述牺牲衬底450的下平面b上的工艺。

首先，如图15b(k)所示，将牺牲衬底450正面朝下。

接着，如图15b(l)所示，通过研磨工艺将牺牲衬底450的下平面B除去直到牺牲衬底450的初始深度的一半。由此，在研磨工艺之后，残余牺牲衬底的深度为约240-250μm。

接着，如图15b(m)所示，通过利用光刻工艺形成第三光刻胶图案466，以开启牺牲衬底450的下平面B上的将形成电介质的部分。

接着，如图15b(n)所示，利用各向异性干蚀刻工艺除去用第三光刻胶图案466开启的牺牲衬底450的预定部分，由此，形成沟道467。同时，也除去种子层452.

接着，如图15b(o-1)所示，将用作电介质的热固性环氧树脂468施加到沟道467中。

而后，如图15b(p-1)所示，利用研磨工艺平坦化环氧树脂468的上平面。

接着，如图15b(q-1)所示，通过湿蚀刻工艺除去第二光刻胶图案460和第三光刻胶图案466，并且利用KOH的湿蚀刻工艺除去牺牲衬底450的残余部分，由此完成根据本发明的单层探针。

在此，导体可形成为具有相同长度的从陶瓷板464中央向两侧突出的部分。

以下，将描述根据本发明制造双层探针的方法。

接着，如图15c(o-2)所示，在图15b(n)的工艺完成的状态下，在将作为电介质和胶粘剂的环氧树脂472施加到沟道467中之后，且在环氧树脂470固化之前，附着陶瓷板472。虽然附着的陶瓷板具有类似于沟道467的形状的长方体形状，但是其可以是具有平行四边形形状的陶瓷板810，其中其两端811和812如图21a所示倾斜，或是具有阶梯形状的陶瓷板820，其中其两端821和822是如图21b所示的阶梯状。结果，在制成的探针中，导体的向外突出部分具有相同的长度，从而在探针操作期间可以在所有探针上施加相同的压力。

接着，如图15c(p-2)所示，陶瓷板472的上平面通过研磨工艺平坦化。在此，该平坦化工艺可以与第一实施方案的相同。

接着，如图15d(q-2)所示，当平坦化牺牲衬底450的下平面B时，在牺牲衬底450的整个下平面B上形成用于导体形成镀覆工艺的第二种子层474。在此，种子层由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底450和铜层之间的粘接性能。

接着，如图15d(q-2)所示，当形成第二种子层474时，通过光刻工艺形成第四光刻胶图案478，以开启在牺牲衬底450的下平面B上的将形成导体的部分。

接着，如图15d(r-2)所示，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)形成第二导体478。

接着，如图15d(s-2)所示，第二导体478的上平面通过除去其上平面的不平整部分来平坦化。在此，该平坦化工艺利用与第一实施方案相同的方法进行。然而，在形成第二导体478的理想镀覆工艺期间，在第二导体478仅形成在用第四光刻胶图案476开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第二导体478的情况下，之前进行的形成第二种子层474的工艺可以省略。而后，在第二导体478的上部上进行镀金工艺，由此形成第二镀金层480。该工艺的目的是提高探针的电导率。

接着，如图15d(t-2)所示，利用湿蚀刻工艺除去第四光刻胶图案476。同时，也除去第二种子层474从导体478向外突出的部分。接着，利用光刻工艺形成第五光刻胶图案482，以开启第二导体478的将形成支撑组件的预定部分。

接着，如图15d(u-2)所示，将热固性环氧树脂484施加到第二导体478的利用第五光刻胶图案482所开启的部分上。

而后，如图15e(v-2)所示，利用研磨工艺将所施加的环氧树脂484的上平面平坦化。在此，该平坦化工艺与第一实施方案的相同。

接着，如图15e(w-2)所示，利用湿蚀刻工艺除去第五和第二光刻胶图案482和460。

最后，如图15e(x-2)所示，利用KOH的湿蚀刻工艺除去硅牺牲衬底450的残余部分。

根据前述方法制造的探针具有如图16所示的形状。

图16为说明使用单牺牲衬底、由示于图15中的工艺所制造的探针的结构。

根据图15中的工艺制造的探针包括在中央部分的电介质370，如图16所示。电介质370通过将环氧树脂370a和陶瓷板370b相附着而形成。换言之，利用蚀刻工艺在牺牲衬底的预定部分形成沟道，将环氧树脂370a施加到沟道中，并且在环氧树脂370a固化之前将陶瓷板370b插入且附着，由此形成电介质370。在此，环氧树脂370a被用作胶粘剂。

此外，将导体372a和372b以预定间距平行配置在电介质570的上下平面上。利用光刻工艺在牺牲衬底的上下平面上的预定部分形成第一保护膜图案，然后将导电材料沉积到利用第一保护膜图案开启的区域上，由此形成导体372a和372b。在此，在通过电镀法形成导电材料的情况下，预先在牺牲衬底的上下平面上形成种子层。

此外，每个导电层374a和374b均由具有比导体本身材料更高的电导率的材料制成，将导电层374a和374b提供在每个导体372a和372b的一个平面上，以提高导体的电导率。在此，导电材料优选为金(Au)。

最后，通过在电介质上下平面上形成支撑组件376a和376b来保护和固定导体372a和372b。所述支撑组件376a和376b优选由环氧树脂和由环氧树脂附着和固定的陶瓷所组成。附图标记378指支撑板。

(实施方案2-7)

如图17a(a)所示，将两面抛光的硅晶片制成牺牲衬底550。利用研磨工艺或抛光工艺使牺牲衬底550具有400-500μm的厚度。

接着，如图17a(b)所示，利用光刻工艺形成第一光刻胶图案552，以开启牺牲衬底550将形成电介质的部分。

接着，如图17a(c)所示，通过利用第一光刻胶图案552来蚀刻牺牲衬底550上平面A直到预定深度以形成沟道551。在此，蚀刻深度范围为240-250μm，略深于待形成的电介质的厚度，即240μm。

接着，如图17a(d)所示，在将功能为电介质和胶粘剂的环氧树脂554施加到沟道551中之后，且在环氧树脂554固化之前，附着陶瓷板556。虽然所附着的陶瓷板具有类似于沟道551形状的长方体形状，但可以是具有平行四边形形状的陶瓷板820，其中两端811和812倾斜如图21a所示，或具有阶梯形状且两端821和822为阶梯状的陶瓷板820。结果，在制成的探针中，导体向外突出部分具有相同长度，从而在探针操作期间可以施加相同的压力到所有探针上。

而后，如图17a(e)所示，利用研磨工艺平坦化陶瓷板556的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案相同。在将陶瓷板上平面平坦化时，利用溅射工艺在牺牲衬底550的全部上平面A上形成用于导体形成镀覆工艺的第一种子层558。

在此，种子层由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底550和铜层之间的粘接性能。

接着，如图17a(f)所示，利用光刻工艺形成第二光刻胶图案560，以开启牺牲衬底550上平面A上将形成导体的预定部分。

接着，如图17a(g)所示，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成第一导体562。

接着，如图17a(h)所示，通过除去第一导体562上平面的不平整部分或过度形成部分来平坦化第一导体562的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。

然而，在形成第一导体562的理想镀覆工艺期间，在该导体仅形成在第二光刻胶图案560开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第一导体562的情况下，形成第一种子层558的工艺可以省略。

而后，如图17a(i)所示，在第一导体562的上部上进行镀金工艺，由此形成第一镀金层564。该工艺的目的是提高探针的电导率。

接着，如图17b(j)所示，形成第一保护膜566以保护形成在牺牲衬底550上平面A上的第一导体562和第一镀金层564。在此，以胶带或光刻胶作为保护膜。

结果，牺牲衬底550上平面A上的工艺完成，并开始其下平面B上的工艺。

首先，如图17b(k)所示，将牺牲衬底550正面朝下，而后利用研磨工艺或抛光工艺研磨牺牲衬底550的下平面B。研磨牺牲衬底550直至可以暴露出陶瓷板556的厚度。

接着，如图17b(l)所示，在牺牲衬底550的全部下平面B上形成用于导体形成镀覆工艺的第二种子层568。然后，利于光刻工艺形成第三光刻胶图案570以开启牺牲衬底550下平面B上的将形成导体的预定部分。

接着，如图17b(m)所示，在利用第三光刻胶图案570开启的部分上形成第二导体572。

接着，如图17b(n)所示，如果第二导体572的上平面不平整，则在其上平面进行平坦化工艺。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。

然而，在形成第二导体572的理想镀覆工艺期间，在第二导体572仅形成在用第二光刻胶图案570开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第二导体572的情况下，由于不需要种子层，所以之前进行的形成第二种子层568的工艺可以省略。

而后，如图17b(o)所示，在第二导体572的上部上进行镀金工艺，由此形成第二镀金层574。该工艺的目的是提高探针的电导率。接着，利用湿蚀刻工艺除去形成在牺牲衬底550上平面A上的第一保护膜，并且同时除去第二和第三光刻胶图案560和570。在此，第二种子层568的暴露部分也被除去。

而后，如图17c(p)所示，在牺牲衬底550上平面A上形成第二保护膜以保护上平面A。接着，利用光刻工艺形成第四光刻胶图案578以开启第二导体572上将形成支撑组件的预定部分。

接着，如图17c(q)所示，将热固性环氧树脂580施加到利用第四光刻胶图案578所开启的部分上。

而后，如图17c(r)所示，利用研磨工艺平坦化环氧树脂580的上平面。该平坦化工艺与第一实施方案的相同。

接着，如图17c(s)所示，除去牺牲衬底550上平面A上的第二保护膜576。接着，形成第五光刻胶图案582以开启第一导体562上将形成支撑组件的预定部分。

接着，如图17c(t)所示，将热固性环氧树脂584施加到利用第五光刻胶图案582所开启的部分上，而后利用研磨工艺平坦化环氧树脂584的上平面。

最后，如图17c(u)所示，利用湿蚀刻工艺同时除去第四和第五光刻胶图案578和582，并且脱使用KOH的湿蚀刻工艺选择性除去第一和第二导体562和572之间的牺牲衬底550的残余部分。

当除去牺牲衬底550时，就完成了本发明的探针。

(实施方案2-8)

如图18a(a)所示，将两面抛光的硅晶片制成牺牲衬底650。利用研磨工艺或抛光工艺使牺牲衬底650具有240μm的厚度。

接着，如图18a(b)所示，将牺牲衬底650的下平面B与胶带相附着以防止污染，或涂覆涂料652如光刻胶。

接着，如图18a(c)所示，利用切片工艺沿切割部分653以预定形状切割牺牲衬底650的中央部分。

接着，如图18a(d)所示，将具有预定形状的牺牲衬底区块654，即由切片工艺制成的中央硅区块从牺牲衬底650中除去。结果，在牺牲衬底650的中央部分形成沟道655。

接着，如图18a(e)所示，将用作电介质的陶瓷板656插入到沟道655中，而后，施加环氧树脂658以埋入到陶瓷板656和牺牲衬底650之间的间隙中。在此，环氧树脂具有粘接陶瓷板656和牺牲衬底650的功能。

接着，如图18a(f)所示，平坦化牺牲衬底650的上平面A。

接着，如图18a(g)所示，除去形成在牺牲衬底650下平面B上的涂料652，且如同其上平面A一样平坦化牺牲衬底650的下平面B。

接着，如图18a(h)所示，在牺牲衬底650的整个下平面B上形成用于导体形成镀覆工艺的第一种子层660和662。

在此，第一种子层660和662由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底650和铜层之间的粘接性能。

接着，如图18a(i)所示，在牺牲衬底650的下平面B上形成保护种子层662的第一保护膜667，并且利用光刻工艺在牺牲衬底650的上平面A上形成第一光刻胶图案664，以开启牺牲衬底650的将形成导体的预定部分。

接着，如图18a(j)所示，在利用第一光刻胶图案664所开启的部分上形成第一导体666。在此，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成第一导体666。

接着，如图18b(k)所示，通过除去第一导体666上平面的不平整部分来平坦化第一导体666的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。

然而，在形成第一导体666的理想镀覆工艺期间，在第一导体666仅形成在用第一光刻胶图案664开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

而后，在第一导体666的整个上部上进行镀金工艺，由此形成第一镀金层668。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第一导体666的情况下，由于不需要种子层，所以形成第一种子层660的工艺可以省略。

接着，如图18b(l)所示，利用胶带或光刻胶来形成用来保护形成第一导体666的牺牲衬底650的上平面A的第二保护膜670。当第二保护膜670形成完毕时，就完成了牺牲衬底650的上平面A上的工艺。而后，将牺牲衬底正面朝下，除去保护牺牲衬底650下平面B的保护膜667。

以下，将描述牺牲衬底650的下平面B上的工艺。

接着，如图18b(m)所示，利用光刻工艺形成第二光刻胶图案672以开启牺牲衬底650下平面B上将形成导体的预定部分。

接着，如图18b(n)所示，在利用第二光刻胶图案672所开启的部分来形成第二导体674。在此，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成第二导体674。

接着，如图18b(o)所示，通过除去第二导体674上平面的不平整部分来平坦化第二导体674的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。在该平坦化工艺完成之后，在第二导体674的整个上部上进行镀金工艺，由此形成第二镀金层676。

然而，在形成第二导体674的理想镀覆工艺期间，在该导体仅形成在用第二光刻胶图案672开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第二导体674的情况下，由于不需要种子层，所以之前形成种子层662的工艺可以省略。

接着，如图18b(p)所示，利用湿蚀刻工艺除去第二光刻胶图案672。在此，也除去第二种子层662的暴露部分。此外，也可以同时除去由第二保护膜670所保护的第一光刻胶图案664。

接着，如图18b(q)所示，利用光刻工艺形成第三光刻胶图案678以开启第二导体674上将形成支撑组件的预定部分。

接着，如图18c(r)所示，将环氧树脂680施加到利用第三光刻胶图案678作为模的第二导体674的开启部分。

接着，如图18c(s)所示，利用研磨工艺平坦化环氧树脂680的上平面。

接着，如图18c(t)所示，除去形成在牺牲衬底650上平面A上的第二保护膜670。接着，利用湿蚀刻工艺除去第一光刻胶图案664，同时除去种子层660的暴露部分。

接着，如图18c(u)所示，利用光刻工艺形成第四光刻胶图案682以开启第一导体666上将形成支撑组件的预定部分。接着，将环氧树脂684施加到利用第四光刻胶图案682的导体666的开启部分上。而后，利用研磨工艺平坦化环氧树脂684的上平面。

接着，如图18c(v)所示，利用湿蚀刻工艺同时除去第三和第四光刻胶图案678和682，而且还利用KOH的湿蚀刻工艺除去牺牲衬底650的残余部分。

接着，如图18c(w)所示，当除去环氧树脂658时，就完成了本发明的探针。

(实施方案2-9)

如图19a(a)所示，将两面抛光的陶瓷板制成牺牲衬底750。利用研磨工艺或抛光工艺使牺牲衬底750的厚度为400-500μm。

接着，如图19a(b)所示，利用切片工艺在牺牲衬底750的上平面A上形成两个沟道752。

接着，如图19a(c)所示，在形成沟道752的牺牲衬底750的上平面A和所述沟道上形成用于镀铜结构形成的镀覆工艺的第一种子层754，曲折镀铜结构被用作沟道埋入材料。在此，第一种子层754由钛层和铜层构成，

接着，如图19a(d)所示，利用光刻工艺形成第一光刻胶图案756以开启在牺牲衬底750的上平面A上将形成沟道752的预定部分。

接着，如图19a(e)所示，利用镀覆工艺在用第一光刻胶图案756所开启的沟道上形成作为沟道埋入材料的镀铜结构758。

接着，如图19a(f)所示，除去第一光刻胶图案756和从牺牲衬底750向上突出的镀铜结构758，由此平坦化牺牲衬底750的上平面A。进行该平坦化工艺直至牺牲衬底750上平面A的表面与镀铜结构758相互邻接为止。

接着，如图19a(g)所示，在牺牲衬底750的上平面A上形成用于导体形成镀覆工艺的第二种子层760。在此，第二种子层760由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底750和铜层之间的粘接性能。

接着，如图19b(h)所示，利用光刻工艺形成第二光刻胶图案762以开启牺牲衬底750上将形成导体的部分。

接着，如图19b(i)所示，在利用第二光刻胶图案762所开启部分上形成第一导体764。在此，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成第一导体764。

接着，如图19b(j)所示，通过除去第一导体764的上平面的不平整部分来平坦化第一导体764的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。

然而，在形成第一导体764的理想镀覆工艺期间，在该导体仅形成在用第二光刻胶图案762开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第一导体764的情况下，由于不需要种子层，所以之前形成第二种子层760的工艺可以省略。

而后，如图19b(k)所示，在第一导体764的整个上部上进行镀金工艺，由此形成第一镀金层766。

接着，如图19b(l)所示，形成用来保护形成在牺牲衬底750的上平面A上的导体764和第一镀金层766的保护膜768。

完成前述工艺，就完成了牺牲衬底750的上平面A上的工艺。

以下，将描述牺牲衬底750的下平面B上的工艺。

首先，如图19b(m)所示，通过研磨工艺研磨牺牲衬底750直至可以暴露出牺牲衬底750的下平面B和镀铜结构758的下平面的程度。

接着，如图19b(n)所示，在牺牲衬底750的整个下平面上形成用于导体形成镀覆工艺的第三种子层770。在此，第三种子层770由厚度为500的钛层和厚度为5,000的铜层构成。铜层的主要功能为在后续镀覆工艺中的种子层。提供钛层是为了增加牺牲衬底750和铜层之间的粘接性能。接着，利用光刻工艺形成第三光刻胶图案772以开启牺牲衬底750上将形成导体的部分。

接着，如图19c(o)所示，在利用第三光刻胶图案772所开启的部分上形成第二导体774。在此，通过以电镀方法沉积导电材料如镍(Ni)或镍合金(Ni-Co，Ni-W-Co)来形成第二导体774。

接着，如图19c(p)所示，通过除去第二导体774的上平面的不平整部分来平坦化第二导体774的上平面。在此，该平坦化工艺与第一实施方案所公开的方法相同。完成该平坦化工艺之后，在第二导体774的整个上部上进行镀金工艺，由此形成第二镀金层776。

然而，在形成第二导体774的理想镀覆工艺期间，在该导体仅形成在用第三光刻胶图案772开启的部分内的情况下，可以省略平坦化工艺。

此外，在使用PVD(物理气相沉积)法和CVD(化学气相沉积)法而不是镀覆工艺来形成第二导体774的情况下，由于不需要种子层，所以之前形成第三种子层770的工艺可以省略。

接着，如图19c(q)所示，除去保护膜768，并且利用湿蚀刻工艺同时除去第二和第三光刻胶图案762和772。在此，也除去第二和第三种子层760和770的暴露部分。

接着，如图19c(r)所示，利用光刻工艺形成第四和第五光刻胶图案778和780以开启第一和第二导体764和774上将形成支撑组件的预定部分。

接着，如图19c(s)所示，将热固性环氧树脂782施加到第二导体上利用第四光刻胶图案778所开启的部分上。

而后，如图19d(t)所示，利用研磨工艺平坦化环氧树脂782的上平面。

接着，如图19d(u)所示，利用相同的工艺在牺牲衬底750的上平面上形成环氧树脂层784。接着，如图19d(v)所示，利用研磨工艺平坦化环氧树脂784的上平面。

接着，如图19d(w)所示，利用湿蚀刻工艺同时除去残留在牺牲衬底750的上下平面上的第四和第五光刻胶图案778和780。

最后，通过在残余牺牲衬底750上施加外力来除去牺牲衬底750，并且通过选择性蚀刻来除去沟道埋入材料758，由此完成了本发明的探针。

另一方面，图20示出根据图17、18和19所示方法制造的探针的结构。

图20使说明根据本发明的实施方案利用单牺牲衬底制造形成的探针的透视图。

如图20所示，在探针中央部分提供有电介质380，并且在电介质380的上下平面上以对应间隔分别配置导体382a和382b。此外，将支撑组件384a和384b分别附着在配置导体382a和382b的电介质380的上下平面上。此外，每一个均由比导体本身材料的电导率高的材料制成的薄层386a和386b被提供在导体382a和382b的各外平面上。

在牺牲衬底的预定部分上形成用来形成电介质的沟道，然后将电介质材料埋入沟道，由此形成电介质380。电介质材料优选陶瓷。电介质两端的界面可具有阶差形状或倾斜形状。利用光刻工艺在电介质380的两平面上形成第一光刻胶图案，然后通过在利用第一光刻胶图案所开启的区域上沉积导电材料来形成导体382a和382b。此外，利用光刻工艺在形成导体382a和382b的牺牲衬底的两平面上形成第二保护膜，然后将支撑材料埋入利用第二保护膜所开启的区域中，由此形成支撑组件384a和384b。

此外，根据实施方案2-6制造的采用单牺牲衬底的探针具有与图325的探针相同的结构。由此，省略对该探针结构的具体描述。

图21a是说明用于本发明的具有平行四边形形状的陶瓷板的透视图和截面图，图21b是说明用于本发明的陶瓷板的透视图和截面图。这些形状可以适用于本发明的所有实施方案。

(探针组的第一实施方案)

图22a是阐释包括前述根据本发明用来测试平板显示器的探针的第一探针组的透视图，图22b是其截面图。在此，省略对前述探针片的具体结构及其制造方法的描述。

参照图22a和22b，在根据本发明的第一实施方案的探针组中，多个单元结构被附着和固定在透明膜901上的探针被固定在探针区块904的下部上。在此，每个单元结构包括具有检测尖端902和连接尖端903的束元件900(未示出)。

利用双面胶带或胶粘剂将探针和探针区块904相互附着。探针区块904由透明材料如丙烯酸树脂(acryl)制成以保证其透明度。

此外，在探针区块904上方提供第一界面板，相互间通过锚闩904的接合而固定。将第二界面板910和探针固定器912顺序提供在第一界面板908上方，且相互间也通过锚闩914的接合而固定。

此外，将第一和第二界面板908和910用固定栓907接合以进一步增加两者之间的接合力。也将第二界面板910和探针固定器912用固定栓911接合以进一步增加两者之间的接合力。

提供在探针片的束元件900的一个末端部的连接尖端(未示出)通过引导膜930被连接到提供在TCP(带载封装)上的图案上。

更具体地，通过在第一界面板908的下部上配置形成由连接尖端的探针来构建结构，而后用固定组件922和锚闩924来接合探针和第一界面板。

更具体地，将由绝缘陶瓷材料制成的上封闭附着组件926和下封闭附着组件928分别插入到探针和第一界面板908之间和TCP932和固定组件922之间。此外，连接尖端902b和TCP932通过位于上下封闭附着组件926和928之间的引导膜930而相互连接。

此外，在固定组件922的下部进一步提供挤压锚闩929，从而利用锚闩929的旋转挤压通过引导膜930使探针的连接尖端902b和TCP932可以更紧密地相互连接。

此外，利用锚闩920将探针固定器912和操纵器916相互接合。连接到操纵器916的探针固定器912可以通过测试过程中的向上向下的物理力F而上下移动。

更具体地，利用导轨918将探针固定器912的一侧和操纵器的一侧相互接合，以使第一界面板908、第二界面板910与探针固定器912相连接，并且探针区块904可以通过测试过程中的向上向下的物理力F而上下移动。

尤其是，将具有预定弹力的弹簧921提供在连接探针固定器912和操纵器916的固定组件920周围，以使第一界面板908、第二界面板910与探针固定器912相连接，并且使通过测试过程中的向上向下的物理力F而上下移动的探针区块904可以利用弹簧921的弹力回复到其初始位置。

在另一实施方案中，如图23所示，省略了前述提供在第一界面板908的下部上的固定组件。此外，将没有连接尖端的探针束元件和TCP932配置在各向异性导电膜(ACF)935上且利用加压工艺和加热工艺使其相互连接。

因此，在将由一系列制造平板显示器工艺得到的平板显示器安装在探测设备上之后，通过移动具有移动装置的探针区块904和在平板显示器的垫电极上施加预定物理力来在平板显示器上进行电子测试过程。

此时，将位于探针区块904上的检测尖端902与平板显示器的垫电极相接触。将输入探测设备的电子信号通过TCP932、探针束元件和检测尖端902施加到平板显示器的电极垫上。

(探针组的第二实施方案)

图24a是阐释包括前述根据本发明用来测试平板显示器的探针的第二探针组的透视图，图24b是其截面图。在此，省略对前述探针片的具体结构及其制造方法的描述。

参照图24a和24b，在根据本发明的第二实施方案的探针组中，将由金属如不锈钢制成的具有高弹性的金属板被用来替代由第一探针组中的第一界面板908下部处的透明材料制成的探针区块。该金属板936利用锚闩903固定在第一界面板908的下部，且利用胶粘剂通过高弹性橡胶938将探针固定在金属板936的下部。

因此，在具有位于第一界面板908的下部处的弹性金属板936和橡胶938的第二探针组中，通过在平板显示器的电极垫上施加预定物理力F来进行电子测试过程，可以增加弹性。

(探针组的第三实施方案)

图25是阐释包括前述根据本发明用来测试平板显示器的探针的第二探针组的透视图，图26是其截面图。

参照图25和26，在根据本发明的第三实施方案的探针组中，以堆叠结构提供多层探针。如上所述，多层探针包括交替堆叠而不相互重叠的上探针的导体960和下探针的导体950。上探针的每个导体960的一个末端部分比下探针的每个导体950更向外突出，并且上下导体的外露部分长度相同，从而具有相同的电气和物理性能以及传导性。

将堆叠结构的探针利用附着固定装置如锚闩相互固定在探针区块955的倾斜平面上。探针区块955可由透明材料如丙烯酸树脂制成以保证其透明度。

将第一界面板965和探针970用固定栓967接合以进一步提高两者之间的接合力。

此外，也通过固定双967的接合将第二界面板975固定在第一界面板965的下平面上的探针区块955的背侧。将TCP972附着和固定在第二界面板975的下平面上。

对于附着和固定在探针区块955的倾斜平面上的多层探针的TCP972和导体950与960之间的连接，通过形成在引导膜974上的孔(未由附图标记指出)的导引，将多层探针的每个导体950和960的一个末端连接到提供在TCP972上的对应图案。

此外，利用锚闩982将探针固定器970和操纵器980相互接合。连接到操纵器980的探针固定器可通过测试过程中的向上向下的物理力F而上下移动。

尤其是，将具有预定弹力的弹簧986提供在连接探针固定器970和操纵器980的固定组件982周围，以使第一界面板965与探针固定器970相连接，并且使通过测试过程中的向上向下的物理力F而上下移动的探针区块955可以利用弹簧986的弹力回复到其初始位置。

因此，在将由一系列制造平板显示器工艺得到的平板显示器安装在探测设备上之后，通过移动具有移动装置的探针区块955和在平板显示器的垫电极上施加预定物理力来在平板显示器上进行电子测试过程。

此时，将位于探针区块955下部的针950和960与平板显示器的垫电极相连接。将输入探测设备的电子信号通过TCP972、探针束元件和针950和960施加到平板显示器的电极垫上。

工业可行性

根据本发明，利用切片工艺和附着针型导体的工艺易于在由硬质材料制成的支撑板上制造探针，因而优点在于可以减少制造探针的工艺时间，并相应地提高生产率。

此外，根据本发明，可以除去用环氧树脂粘接多个导体的工艺并且利用光对齐器可以防止由于粘结工艺中的热膨胀系数的差异和现有技术中的手工操作所导致的探针不对齐，因而优点在于可以更高的精确度来对齐探针。

此外，不同于现有技术的工艺，根据本发明可以使用单牺牲衬底，可以减少高难度工艺的数量，并且由于减少了工艺和提高了精确度导致可以提高成品率，因而优点在于可以降低探针的生产价格和提高工艺成品率以及生产率。

虽然已经详细描述了本发明及其优点，应该理解不仅限于前述实施方案和附图，还应理解在不背离由所附权利要求书所限定的本发明的实质和范围下，本领域技术人员可以作出各种改变、替代和替换。

Claims (79)

1.一种用来测试平板显示器的探针，包括：

板状电介质；

平行提供的多个导体；和

提供在所述电介质的上下平面的至少一个平面上的第一沟道，用来以预定排列将多个导体固定在所述电介质中。

2.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，

其中将具有预定面积的第一和第二突出区域提供在所述电介质的一个平面的两个末端部，并且将中央沟槽提供在所述一个平面上；和

 其中在第一和第二突出区域上的第一沟道与所述中央沟槽相连接。

3.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，

其中提供次级探针以与所述探针重叠；和

其中相互平行配置所述重叠探针的导体。

4.根据权利要求2的用来测试平板显示器的探针，其中利用切片工艺来形成所述中央沟槽。

5.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，其中所述导体具有尖锐末端。

6.根据权利要求2的用来测试平板显示器的探针，其中形成在第一突出区域上的第一沟道的间隔不同于形成在第二突出区域上的第一沟道的间隔。

7.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，其中所述电介质由陶瓷材料制成。

8.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，其中所述探针还包括堆叠在所述电介质的上平面或下平面上的支撑组件，以将导体固定在所述电介质上的第一沟道中。

9.根据权利要求1的用来测试平板显示器的探针，其中利用光刻工艺和第一与第二蚀刻工艺来形成第一沟道。

10.根据权利要求9的用来测试平板显示器的探针，

其中经历过第一蚀刻工艺的每个第一沟道均具有截棱锥或截圆锥形状；和

其中，通过第二蚀刻工艺进一步蚀刻具有截棱锥或截圆锥形状的每个第一沟道直至预定深度并且每个第一沟道的底部均经历圆化工艺。

11.一种用来测试平板显示器的探针，包括以预定间隔分别配置和固定在薄膜下部上的多个单元接触组件，其中所述薄膜具有预定尺寸，每个所述单元接触组件包括杆状的束元件，并且其中以集成方式在所述束元件的一端提供检测尖端。

12.根据权利要求11的用来测试平板显示器的探针，其中在所述束元件的另一端提供连接尖端。

13.根据权利要求12的用来测试平板显示器的探针，其中所述薄膜由环氧树脂或聚对二甲苯制成。

14.一种用来测试平板显示器的探针，包括：

牺牲衬底；

利用光刻工艺和蚀刻工艺形成的第一沟道；

利用导电膜形成工艺配置在牺牲衬底上第一沟道中的具有预定间隔的导体；

形成在所述导体上方的第一电介质；

利用光刻工艺和蚀刻工艺形成，以在牺牲衬底下平面上暴露所述导体的第二沟道；

通过将电介质材料埋入第三沟道中所形成的第二电介质。

15.根据权利要求14的用来测试平板显示器的探针，其中所述第一电介质由环氧树脂制成。

16.根据权利要求14的用来测试平板显示器的探针，其中所述第二电介质是与环氧树脂相附着的陶瓷板。

17.一种利用单牺牲衬底形成的探针，包括：

板状电介质；和

位于由光刻工艺和蚀刻工艺形成的沟道处的多个导体，其中将导电材料埋入所述沟道中，其中以预定间隔将所述多个导体配置在电介质的上下平面上，并且其中形成在上平面上的导体和形成在下平面上的导体是平行配置的。

18.根据权利要求17的利用单牺牲衬底形成的探针，其中所述探针还包括堆叠在电介质上平面或下平面上来固定导体位置的板状支撑组件。

19.根据权利要求17的利用单牺牲衬底形成的探针，其中所述多个导体具有相同的长度。

20.根据权利要求19的利用单牺牲衬底形成的探针，其中形成在电介质上平面上的具有相同长度的导体朝所述电介质的一侧移动预定距离，由此形成在电介质上平面上的每个导体比形成在电介质下平面上的每个导体具有更突出的一个末端和更内凹的另一末端。

21.根据权利要求17的利用单牺牲衬底形成的探针，其中电介质的两个末端具有阶差形状，由此形成在电介质的上下平面上的导体从电介质向外突出相同长度。

22.根据权利要求17的利用单牺牲衬底形成的探针，其中电介质的两个末端具有倾斜形状，由此形成在电介质的上下平面上的导体从电介质向外突出相同长度。

23.根据权利要求17的利用单牺牲衬底形成的探针，其中形成在所述电介质上平面上的每个导体均配置在形成在电介质下平面上的两个相邻导体之间。

24.一种利用单牺牲衬底形成的探针，包括：

板状第一电介质；

堆叠在第一电介质上部的第二电介质，其中形成阶差；

以预定间隔提供以穿过第一和第二电介质的多个导体；和

通过利用预定镀覆方法在每个导体的一个平面上堆叠导电材料来形成的导电层。

25.根据权利要求24的利用单牺牲衬底形成的探针，其中所述探针还包括堆叠在第一电介质上平面和第二电介质下平面的至少一个平面上的支撑组件。

26.一种利用单牺牲衬底形成的探针，包括：

通过在环氧树脂上下平面上堆叠陶瓷板形成的电介质；

以预定间隔形成在所述电介质上下平面上的多个导体；

利用预定镀覆方法堆叠在每个导体的一个平面上的导电层；和

堆叠在所述电介质的上下平面上来固定所述导体位置的支撑组件。

27.一种利用单牺牲衬底形成的探针，包括：

板状电介质；

以预定间隔形成在所述电介质上下平面上的多个导体；

利用预定镀覆方法堆叠在每个导体的一个平面上的导电层；和

堆叠在所述电介质的上下平面上来固定所述导体位置的支撑组件。

28.一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括以下步骤：

在电介质的上下平面的至少一个平面上形成第一沟道，从而以预定排列将多个导体固定在所述电介质上的第一沟道形成步骤；

在电介质的上或下平面上堆叠支撑组件，从而将导体固定在所述电介质上的第一沟道中的支撑组件形成步骤。

29.根据权利要求28的制造用来测试平板显示器的探针的方法，

其中所述方法还包括在电介质的中央区域上形成中央沟槽，从而在电介质的两侧部分形成第一突出区域和第二突出区域，且所述第一和第二突出区域具有预定面积的中央沟槽形成步骤；和

其中位于所述第一和第二突出区域上的第一沟道与中央沟槽相连接。

30.根据权利要求28的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中将次级探针堆叠在所述探针上，并且其中次级探针的导体和所述探针的导体平行配置。

31.根据权利要求29的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中第一沟道和中央沟槽是利用切片工艺形成的。

32.根据权利要求29的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中形成在第一突出区域的第一沟道的间隔不同于形成在第二突出区域的第一沟道的间隔。

33.根据权利要求28的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在所述电介质的上或下平面上形成支撑组件以将导体固定在所述电介质上的第一沟道中。

34.一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括以下步骤：

利用光刻工艺和导电膜形成工艺在具有预定厚度的单牺牲衬底的上下平面的至少一个平面上形成具有预定厚度的光刻胶图案，从而形成导体的导体形成步骤；

利用光刻法形成开启每个导体的中央部分的光刻胶图案，并且在每个导体所开启的中央部分上形成电介质的电介质形成步骤；

利用光刻工艺和蚀刻工艺形成沟道以暴露每个导体下平面的的沟道形成步骤；

通过将支撑材料埋入沟道中来形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和

除去牺牲衬底的结束步骤。

35.根据权利要求34的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在导体形成步骤之前，所述方法还包括在牺牲衬底的上部形成种子层的种子层形成步骤。

36.根据权利要求34的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在导体形成步骤中，同时形成导体和对齐键，所述对齐键以预定距离与导体分隔。

37.根据权利要求34的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在导体形成步骤中，在导体形成之前，在牺牲衬底的上部形成种子层。

38.根据权利要求34的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在电介质形成步骤和支撑组件形成步骤中，在形成电介质和支撑组件之后，研磨所述电介质和支撑组件。

39.一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括以下步骤：

利用光刻工艺和第一与第二蚀刻工艺形成具有经过圆化工艺的底部的第一沟道的第一沟道形成步骤；

利用光刻工艺开启包括第一沟道的中央部分，然后将导电材料埋入所述开启区域中，从而形成导体的导体形成步骤；

利用光刻工艺和电介质膜形成工艺在每个导体的上部形成电介质的电介质形成步骤；和

除去牺牲衬底的结束步骤。

40.根据权利要求39的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中在第一沟道形成步骤之后且在导体形成步骤之前，所述方法还包括形成种子层的种子层形成步骤。

41.根据权利要求37的制造用来测试平板显示器的探针的方法，

其中每个经过第一蚀刻工艺的第一沟道均具有截棱锥或截圆锥形状；

其中通过第二蚀刻工艺进一步蚀刻具有截棱锥或截圆锥形状的每个第一沟道直至预定深度，并且使每个第一沟道的底部经历圆化工艺。

42.一种制造用来测试平板显示器的探针的方法，包括以下步骤：

在牺牲衬底上形成第一保护膜图案，从而限定将要形成多个单元接触组件的尖端处的区域；

通过将第一保护膜图案用作蚀刻掩模进行蚀刻工艺从而在牺牲衬底上形成沟道；

除去第一保护膜图案；

在牺牲衬底上除去第一保护膜处形成第二保护膜图案，从而限定将要形成单元接触组件的束元件处的区域；

通过在牺牲衬底上形成第二保护膜图案处形成金属膜来形成单元接触组件的束元件；

通过除去第二保护膜图案开启单元接触组件的束元件；

在开启单元接触组件的束元件处以预定尺寸切割牺牲衬底；

将具有预定尺寸的薄膜定位在经切割的牺牲衬底上，并且将单元接触组件的束元件附着和固定在薄膜的下部上；和

通过除去附着和固定薄膜的牺牲衬底来开启单元接触组件的尖端。

43.根据权利要求42的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中形成第一和第二保护膜图案的步骤是：

在牺牲衬底上涂覆光刻胶的步骤；和

曝光和显影所述光刻胶的步骤。

44.根据权利要求42的制造用来测试平板显示器的探针的方法，其中所述薄膜由环氧树脂或聚对二甲苯制成。

45.一种利用单牺牲衬底制造探针的方法，包括：

利用光刻工艺和蚀刻工艺在单牺牲衬底的上下平面上形成第一沟道的第一沟道形成步骤，其中所述单牺牲衬底具有预定厚度；

通过将导电材料埋入第一沟道中形成导体的导体形成步骤；

利用光刻工艺和蚀刻工艺在所述导体的下部形成第二沟道的第二沟道形成步骤；

通过将电介质材料埋入第二沟道中形成电介质的电介质形成步骤；

在牺牲衬底的上下平面的至少一个平面上形成电介质处形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和

除去牺牲衬底的结束步骤。

46.根据权利要求45的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述牺牲衬底是硅晶片。

47.根据权利要求45的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将环氧树脂施加到沟道中并且随后在环氧树脂固化之前将陶瓷板插入和附着在第一沟道中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到沟道中的尺寸。

48.根据权利要求45的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将陶瓷板插入到沟道中并随后将环氧树脂施加和附着在所述沟道和所述陶瓷板之间形成的间隙中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到沟道中的尺寸。

49.根据权利要求45的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在导体形成步骤中，通过在牺牲衬底的上方形成种子层和随后进行电镀工艺来形成导体。

50.根据权利要求45的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述方法还包括通过利用镀覆工艺在导体的上平面上堆叠导电材料来形成导电层的导电层形成步骤。

51.一种利用单牺牲衬底制造探针的方法，包括：

在单牺牲衬底上方形成第一保护膜的第一保护膜形成步骤，其中所述单牺牲衬底具有预定厚度，其中第一保护膜图案被用来形成导体；

通过将导电材料埋入第一保护膜图案中来形成上导体的上导体形成步骤；

在牺牲衬底上形成导体处形成第二保护膜的第二保护膜形成步骤，其中第二保护膜被用来形成支撑组件；

在第二保护膜图案中形成上支撑组件的上支撑形成步骤；

利用光刻工艺和蚀刻工艺在牺牲衬底的下平面上形成暴露上导体的沟道的沟道形成步骤；

通过将电介质材料埋入所述沟道中来形成电介质的电介质形成步骤；和

除去牺牲衬底的步骤。

52.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，

其中在移除牺牲衬底的步骤之前，所述方法还包括通过在形成在电介质形成步骤中的电介质上方形成第三保护膜图案和随后将导电材料埋入第三保护膜图案中来形成下导体的下导体形成步骤；和

其中在下导体形成步骤之后，所述方法还包括在下导体上方形成第四保护膜图案并随后在第四保护膜图案中形成下支撑组件的下支撑组件形成步骤。

53.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述牺牲衬底是硅晶片。

54.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将环氧树脂施加到沟道中并且随后在环氧树脂固化之前将陶瓷板插入和附着在第一沟道中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到沟道中的尺寸。

55.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将陶瓷板插入到沟道中并随后将环氧树脂施加和附着在所述沟道和所述陶瓷板之间形成的间隙中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到沟道中的尺寸。

56.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在导体形成步骤中，通过在牺牲衬底的上方形成种子层和随后进行电镀工艺来形成导体。

57.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述方法还包括通过利用镀覆工艺在导体的上平面上堆叠导电材料来形成导电层的导电层形成步骤。

58.根据权利要求51的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在支撑组件形成步骤中，利用光刻工艺和蚀刻工艺形成沟道，随后将支撑材料施加到所述沟道中，从而形成支撑组件。

59.一种利用单牺牲衬底制造探针的方法，包括：

在单牺牲衬底的预定部位上形成第一沟道的第一沟道形成步骤，其中所述单牺牲衬底由预定材料制成并经历抛光工艺以具有预定厚度，其中所述沟道被用来形成电介质；

通过将电介质材料埋入第一沟道中以形成电介质的电介质形成步骤；

通过在所述牺牲衬底的上下平面上形成电介质处形成保护膜图案并随后将导电材料埋入保护膜图案中来形成导体的导体形成步骤；和

除去所述牺牲衬底的结束步骤。

60.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述牺牲衬底是硅晶片。

61.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中利用干蚀刻工艺形成第一沟道。

62.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中利用切片工艺形成第一沟道。

63.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将环氧树脂施加到第一沟道中并且随后在环氧树脂固化之前将陶瓷板插入和附着在第一沟道中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到第一沟道中的尺寸。

64.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述电介质的形成是通过将陶瓷板插入到第一沟道中并随后将环氧树脂施加和附着在所述第一沟道和所述陶瓷板之间形成的间隙中来进行的，其中所述陶瓷板预制成适合插入到第一沟道中的尺寸。

65.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在导体形成步骤中，通过在牺牲衬底的上方形成种子层和随后进行电镀工艺来形成导体。

66.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述方法还包括在牺牲衬底的上下平面的一个平面上形成支撑组件的支撑组件形成步骤。

67.根据权利要求66的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在支撑组件形成步骤中，施加环氧树脂，并随后将陶瓷板附着在所述环氧树脂的上平面上。

68.根据权利要求66的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在支撑组件形成步骤中，利用光刻工艺形成沟道，并随后将支撑材料施加到所述沟道中，从而形成支撑组件。

69.根据权利要求59的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述方法还包括通过利用镀覆工艺在导体的上平面上堆叠导电材料来形成导电层的导电层形成步骤。

70.一种利用单牺牲衬底制造探针的方法，包括：

在单牺牲衬底上平面的预定区域上形成具有预定深度的沟道的沟道形成步骤；

在牺牲衬底上形成沟道处形成第一保护膜图案，从而开启所述沟道的第一保护膜图案形成步骤；

将沟道埋入材料埋入由第一保护膜图案所开启的沟道中的沟道埋入步骤，其中通过蚀刻工艺除去所述沟道埋入材料；

利用光刻工艺在牺牲衬底的上下平面上形成第二保护膜的第二保护膜图案形成步骤，其中第二保护膜图案被用来形成导体；

在由第二保护膜图案所限定的特定位置处形成导体的导体形成步骤；

在牺牲衬底的上下平面上形成导体处形成第三保护膜图案的第三保护膜图案形成步骤，其中第三保护膜图案被用来形成支撑组件；

在由第三保护膜图案所限定的特定位置处形成支撑组件的支撑组件形成步骤；和

除去由沟道埋入材料所分隔的部分牺牲衬底并随后除去沟道埋入材料的结束步骤。

71.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，在形成导体之前，所述方法还包括利用研磨工艺除去形成在牺牲衬底上平面上的保护膜图案和从牺牲衬底向上突出的沟道埋入材料的平坦化步骤。

72.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在第二保护膜图案形成步骤中，在牺牲衬底下平面上形成导体之前，所述方法还包括利用研磨工艺除去牺牲衬底以暴露电介质的平坦化步骤。

73.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述牺牲衬底由陶瓷材料制成。

74.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述沟道通过切片工艺形成。

75.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述沟道埋入材料通过电镀工艺形成。

76.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中导体形成步骤包括在形成导体之前在牺牲衬底的上下平面上形成种子层的种子层形成步骤。

77.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中所述方法还包括利用导电材料在各导体的上平面上堆叠导电层的导电层形成步骤。

78.根据权利要求77的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在导电层形成步骤中，通过溅射工艺将导电材料堆叠在导体的上平面上。

79.根据权利要求70的利用单牺牲衬底制造探针的方法，其中在结束步骤中，通过湿蚀刻工艺选择性除去所述沟道埋入材料。

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