CN1685776A - 高频层叠构件及其制造方法 - Google Patents

高频层叠构件及其制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1685776A
CN1685776A CNA2003801001482A CN200380100148A CN1685776A CN 1685776 A CN1685776 A CN 1685776A CN A2003801001482 A CNA2003801001482 A CN A2003801001482A CN 200380100148 A CN200380100148 A CN 200380100148A CN 1685776 A CN1685776 A CN 1685776A
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
dielectric
high frequency
hole
laminate component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2003801001482A
Other languages
English (en)
Inventor
栉谷洋
龟山一郎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1685776A publication Critical patent/CN1685776A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01P—WAVEGUIDES; RESONATORS, LINES, OR OTHER DEVICES OF THE WAVEGUIDE TYPE
    • H01P1/00—Auxiliary devices
    • H01P1/04—Fixed joints
    • H01P1/047—Strip line joints
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0213—Electrical arrangements not otherwise provided for
    • H05K1/0237—High frequency adaptations
    • H05K1/024—Dielectric details, e.g. changing the dielectric material around a transmission line
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K3/4038—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections
    • H05K3/4053—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques
    • H05K3/4061—Through-connections; Vertical interconnect access [VIA] connections by thick-film techniques for via connections in inorganic insulating substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/34—Special means for preventing or reducing unwanted electric or magnetic effects, e.g. no-load losses, reactive currents, harmonics, oscillations, leakage fields
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2223/00—Details relating to semiconductor or other solid state devices covered by the group H01L23/00
    • H01L2223/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for
    • H01L2223/64—Impedance arrangements
    • H01L2223/66—High-frequency adaptations
    • H01L2223/6605—High-frequency electrical connections
    • H01L2223/6616—Vertical connections, e.g. vias
    • H01L2223/6622—Coaxial feed-throughs in active or passive substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0183—Dielectric layers
    • H05K2201/0187—Dielectric layers with regions of different dielectrics in the same layer, e.g. in a printed capacitor for locally changing the dielectric properties
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/09581—Applying an insulating coating on the walls of holes
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
    • H05K2201/096—Vertically aligned vias, holes or stacked vias
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09827—Tapered, e.g. tapered hole, via or groove
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
    • H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
    • H05K3/0026—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation
    • H05K3/0029—Etching of the substrate by chemical or physical means by laser ablation of inorganic insulating material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
    • H05K3/4611—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards
    • H05K3/4626—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials
    • H05K3/4629—Manufacturing multilayer circuits by laminating two or more circuit boards characterised by the insulating layers or materials laminating inorganic sheets comprising printed circuits, e.g. green ceramic sheets
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Waveguides (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明涉及在无线通信机等的高频装置中使用的高频层叠构件及其制造方法，其目的在于实现高频层叠构件的小型化。为了实现该目的，在本高频层叠构件中，在电介质中形成的通孔电极(3)的周围形成其介电常数比其它的电介质部分的介电常数低的电介质层(4)。通过设置低介电常数的电介质层(4)，由于可抑制通孔电极(3)与在其周边存在的电路电极(22)的导电性的干扰，故与以往相比可更接近地配置电路电极和通孔电极，可实现高频层叠构件的小型化。

Description

高频层叠构件及其制造方法
技术领域
本发明涉及在无线通信机等的高频装置中使用的高频层叠构件及其制造方法。
背景技术
一般来说，对于在高频滤波器或高频开关等的高频装置中使用的高频构件来说，在由电介质材料构成的多层基板的层间配置多个电路电极，通过用通孔电极连接这些多个电路电极，形成了规定的高频电路。
而且，在形成这样的高频层叠构件时，在处于未烧结状态的电介质片上形成了规定的电路电极或通孔电极后，将多个电介质片堆积起来进行烧结。
再有，作为该技术领域中的现有技术文献信息，已知有特开平9-214274号公报等。
近年来，对于这样的高频层叠构件实现进一步的小型化的要求越来越迫切。
发明内容
本发明的高频层叠构件，以在多层基板的内部通孔电极的周围的电介质具有比其它的部分的电介质的介电常数低的介电常数为特长，利用上述结构可抑制在周边存在的电路电极与通孔电极的电干扰，通过与以往相比更接近地配置电路电极和通孔电极，可实现高频层叠构件的小型化。
此外，在本发明的高频层叠构件的制造方法中，特别是使用在电介质材料中含有玻璃成分的低温烧结材料作为形成电介质层的电介质片，同时通过在形成贯通孔的开孔工序中使用激光来进行，在贯通孔的内周面部分上使上述玻璃成分析出。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的高频层叠构件的剖面图。
图2是示出在本发明的一实施方式的高频层叠构件中的通孔电极部分的主要部分剖面图。
图3是示出在本发明的一实施方式的高频层叠构件的开孔工序的概略图。
具体实施方式
在形成高频层叠构件的情况下，由于在介电常数为恒定的多层基板内混合地存在在水平面内形成的电路电极和在上下方向上形成的通孔电极，故通孔电极与电路电极容易发生干扰。通常，为了抑制没有直接连接的电路电极与通孔电极的相互干扰，必须将这两者配置得彼此相距较远，而在本发明的高频层叠构件中，通过使通孔电极的周围的电介质(第一电介质层)的介电常数比其它的电介质部分的介电常数低，可实现高频层叠构件的小型化。
以下，使用附图说明本发明的一实施方式。
(发明的实施方式)
图1是说明在高频滤波器或高频开关等的高频装置中使用的高频层叠构件的剖面图，在由电介质10构成的多层基板100的内部适当地设置了形成规定的高频电路的电路电极21、22、23和结合电路电极21与23的通孔电极3。
接着，说明这样的高频层叠构件的制造方法。最初，在形成多层基板100的电介质层(第二电介质层)11的电介质片的规定的位置上设置并形成了通孔电极3用的贯通孔。其次，在该贯通孔中充填电极膏，此外，在电介质层11上适当地印刷电路电极21、22、23。再者，按规定的层数堆积形成了电路电极21、22、23或通孔电极3的电介质片以形成层叠体。最后，通过对该层叠体10进行烧结，完成高频层叠构件。
通过使用在陶瓷原料中含有低熔点玻璃的材料作为形成电介质层11的电介质片的材料，可进行电介质片与电极膏的同时烧结。
在本发明的制造方法中，特别是为了对电介质片形成通孔电极3，在必要的开孔处理中使用激光。通过以这种方式使用激光形成贯通孔，在所形成的贯通孔的内周面上析出在电介质片中含有的玻璃成分，在通孔电极3的周围形成玻璃的层。
如果具体地说明，则由于形成电介质片的材料是在介电常数约为10的电介质材料中含有介电常数约为5的玻璃的材料，故经烧结作成的电介质片的介电常数约为7。与此不同，在用激光进行了开孔的通孔电极3的附近部分处以规定的厚度形成用介电常数约为5的玻璃形成的低介电常数层(第一电介质层)4。
其结果，在多层基板100中在上下方向上延伸的通孔电极3成为其周围被低介电常数层4包围的结构。作为其效果，对于电介质层11来说，在水平面内以2维方式被形成，可抑制容易与通孔电极3导电性地耦合的电路电极22与通孔电极3的相互干扰。根据该效果，由于与以往相比能更接近地配置电路电极22和通孔电极3，故可实现高频层叠构件的小型化。
再有，作为在开孔工序中使用的激光的种类，最好使用输出功率大的二氧化碳气体激光。通过使用输出功率大的激光，可增加玻璃析出量，可增加低介电常数层4的厚度。
另一方面，在这样的高频层叠构件中，根据近年来的频带区域的进一步的高频带化及高频构件的进一步的小型化的进展，以往单单作为连接用的电极使用的通孔电极3也作为电感来利用。因此，在形成电感的基础上使通孔电极3高阻抗化是不可缺少的。
即，通过用低介电常数层4包围通孔电极3而实现高阻抗化，可抑制作为在多层基板100内形成的电路电极21、22或23的一个电极的接地电极与通孔电极3的导电性的耦合。由此，可将通孔电极3作为电感有效地利用。
再者，在本发明的实施方式中说明的高频层叠构件中，在多层的电介质层11间形成的通孔电极3在厚度方向上不具有一样的直径，作为其结果，在电介质层11间的通孔电极的连接部分处使上下的电极的直径的宽度不同。如果使用放大了贯通孔的部分的图2具体地说明，则将在电介质层111和112中形成的贯通孔加工成从厚度方向的上方起朝向下方直径变细。其结果，在接合在二个贯通孔中充填导电体而分别制作的通孔电极31与32的部分处，通孔电极31的直径为D1，另一方面，通孔电极32的直径为D2，D2比D1大。通孔电极31和32分别被低介电常数层41和42所包围。
通过这样做，由于在一系列的通孔电极3的内部感应起阻抗变动的SIR(步进阻抗谐振器)效应，故可对通孔电极3赋予更大的电感，
此外，作为如上所述那样在通孔电极3的连接部分处作成上下不同的贯通孔的方法，如用图3的虚线所示，在电介质片的开孔工序中可使用收敛的激光的射出光线5。利用图3中示出的方法，即使不使用特殊的加工法，也能容易地形成相对于电介质片6具有锥形的贯通孔7。
即，在横跨多个电介质层形成的通孔电极的情况下，通过使各电介质层间的接合部分的阻抗不同，可进一步增加由通孔电极本身形成的阻抗，其结果，可实现高频层叠构件的小型化。
再有，在上述的一实施方式的高频层叠构件中，是利用在多层基板100内设置的电路电极21、22形成了全部的高频电路的结构，但根据高频电路的种类，即使是在多层基板100上安装二极管或FET等的有源构件的结构，也能起到同样的效果。
                     产业上利用的可能性
如上所述，按照本发明，通过特别是在多层基板的内部将通孔电极的附近部分的介电常数设定得比其它的部分的介电常数低，可抑制与在周边存在的电路电极的干扰，由于与以往相比可更接近地配置电路电极和通孔电极，故可提供小型化了的高频层叠构件。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.(修改后)一种高频层叠构件，由2个以上的电路电极层、包围上述电路电极层的电介质、贯通上述电介质的贯通孔和被充填在上述贯通孔中的导电体构成，具有连接上述电路电极层的通孔电极，其特征在于：
在上述通孔电极的周围具有其介电常数比上述电介质的介电常数低的第一电介质层，并且上述电介质由多个第二电介质层构成，
横跨多个上述第二电介质层形成的上述通孔电极，在上述多个第二电介质层的接合部分处具有不同的阻抗。
2.(删除)
3.(修改后)如权利要求1中所述的高频层叠构件，其特征在于：
上述第二电介质层具有第一表面和第二表面，
在上述第二电介质层中形成的贯通孔，在上述第一表面和上述第二表面处具有不同的开口直径。
4.(修改后)一种高频层叠构件，由2个以上的电路电极层、包围上述电路电极层的电介质、贯通上述电介质的贯通孔和被充填在上述贯通孔中的导电体构成，具有连接上述电路电极层的通孔电极，其特征在于：
在上述通孔电极的周围具有其介电常数比上述电介质的介电常数低的第一电介质层，并且上述电介质由多个第二电介质层构成，
横跨多个上述第二电介质层形成的上述通孔电极，在上述多个第二电介质层的接合部分处具有不同的阻抗，并且上述第二电介质层是在电介质材料中含有玻璃成分的低温烧结材料。
5.(删除)
6.一种高频层叠构件的制造方法，具备下述工序：
在电介质片中形成贯通孔的开孔工序；
在上述电介质片上形成规定的电路电极的印刷工序；以及
上述电介质片的层叠工序，其特征在于：
上述电介质片是在电介质材料中含有玻璃成分的低温烧结材料，
上述开孔工序通过使用激光进行开孔，在上述贯通孔的内周面部分上使上述玻璃成分析出。
7.如权利要求6中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述激光是二氧化碳气体激光。
8.如权利要求6中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述开孔工序是使用收敛的激光进行的工序，使上述贯通孔在上述电介质片的第一表面上具有第一开口部，在上述电介质片的第二表面上具有第二开口部，并且使上述第一开口部和上述第二开口部的开口直径不同。
9.如权利要求8中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述层叠工序对邻接的上述电介质片的上述第一开口部与上述第二开口部进行接合。

Claims (9)

1.一种高频层叠构件，由2个以上的电路电极层、包围上述电路电极层的电介质、贯通上述电介质的贯通孔和被充填在上述贯通孔中的导电体构成，具有连接上述电路电极层的通孔电极，其特征在于：
在上述通孔电极的周围具有其介电常数比上述电介质的介电常数低的第一电介质层。
2.如权利要求1中所述的高频层叠构件，其特征在于：
上述电介质由多个第二电介质层的层叠体构成，
横跨多个上述第二电介质层形成的上述通孔电极，在上述多个第二电介质层的接合部分处具有不同的阻抗。
3.如权利要求2中所述的高频层叠构件，其特征在于：
上述第二电介质层具有第一表面和第二表面，
在上述第二电介质层中形成的贯通孔，在上述第一表面和上述第二表面处具有不同的开口直径。
4.如权利要求1中所述的高频层叠构件，其特征在于：
上述贯通孔具有在厚度方向上变化的内径。
5.如权利要求1中所述的高频层叠构件，其特征在于：
上述电介质是在电介质材料中含有玻璃成分的低温烧结材料。
6.一种高频层叠构件的制造方法，具备下述工序：
在电介质片中形成贯通孔的开孔工序；
在上述电介质片上形成规定的电路电极的印刷工序；以及
上述电介质片的层叠工序，其特征在于：
上述电介质片是在电介质材料中含有玻璃成分的低温烧结材料，
上述开孔工序通过使用激光进行开孔，在上述贯通孔的内周面部分上使上述玻璃成分析出。
7.如权利要求6中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述激光是二氧化碳气体激光。
8.如权利要求6中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述开孔工序是使用收敛的激光进行的工序，使上述贯通孔在上述电介质片的第一表面上具有第一开口部，在上述电介质片的第二表面上具有第二开口部，并且使上述第一开口部和上述第二开口部的开口直径不同。
9.如权利要求8中所述的高频层叠构件的制造方法，其特征在于：
上述层叠工序对邻接的上述电介质片的上述第一开口部与上述第二开口部进行接合。
CNA2003801001482A 2003-01-14 2003-12-22 高频层叠构件及其制造方法 Pending CN1685776A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP005675/2003 2003-01-14
JP2003005675A JP4059085B2 (ja) 2003-01-14 2003-01-14 高周波積層部品およびその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1685776A true CN1685776A (zh) 2005-10-19

Family

ID=32709028

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2003801001482A Pending CN1685776A (zh) 2003-01-14 2003-12-22 高频层叠构件及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US7297878B2 (zh)
EP (1) EP1473979A4 (zh)
JP (1) JP4059085B2 (zh)
CN (1) CN1685776A (zh)
WO (1) WO2004064466A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104025463A (zh) * 2012-02-01 2014-09-03 株式会社村田制作所 天线装置及无线通信装置

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7470863B2 (en) * 2006-01-24 2008-12-30 International Business Machines Corporation Microelectronic device with mixed dielectric
JP4992345B2 (ja) * 2006-08-31 2012-08-08 パナソニック株式会社 伝送線路型共振器と、これを用いた高周波フィルタ、高周波モジュールおよび無線機器
US7911802B2 (en) * 2007-04-06 2011-03-22 Ibiden Co., Ltd. Interposer, a method for manufacturing the same and an electronic circuit package
CN102484950B (zh) * 2009-08-24 2014-12-31 株式会社村田制作所 树脂多层基板以及该树脂多层基板的制造方法
US8542494B2 (en) 2010-04-29 2013-09-24 International Business Machines Corporation Circuit board having holes to increase resonant frequency of via stubs
TWI565378B (zh) * 2012-12-31 2017-01-01 三星電機股份有限公司 電路板及其製造方法
US9807867B2 (en) 2016-02-04 2017-10-31 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Interconnect structure and method of manufacturing the same
US11289814B2 (en) 2017-11-10 2022-03-29 Raytheon Company Spiral antenna and related fabrication techniques
US10813210B2 (en) 2017-11-10 2020-10-20 Raytheon Company Radio frequency circuit comprising at least one substrate with a conductively filled trench therein for electrically isolating a first circuit portion from a second circuit portion
US20190150296A1 (en) * 2017-11-10 2019-05-16 Raytheon Company Additive manufacturing technology microwave vertical launch
EP3707774A1 (en) 2017-11-10 2020-09-16 Raytheon Company Millimeter wave transmission line architecture
CN111602299B (zh) 2017-11-10 2023-04-14 雷神公司 增材制造技术(amt)薄型辐射器
EP3760015B1 (en) 2018-02-28 2023-09-27 Raytheon Company Additive manufacturing technology (amt) low profile signal divider
AU2019228500B2 (en) 2018-02-28 2023-07-20 Raytheon Company Snap-RF interconnections

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4544577A (en) * 1984-04-26 1985-10-01 E. F. Johnson Company Process for metallization of dielectric substrate through holes
US4759965A (en) * 1985-08-06 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Ceramic, preparation thereof and electronic circuit substrate by use thereof
JPS6366993A (ja) * 1986-09-08 1988-03-25 日本電気株式会社 多層配線基板
JP3167141B2 (ja) * 1991-04-16 2001-05-21 日本特殊陶業株式会社 集積回路用パッケージ
US5231751A (en) * 1991-10-29 1993-08-03 International Business Machines Corporation Process for thin film interconnect
JPH0697671A (ja) 1992-09-14 1994-04-08 Toshiba Corp 回路基板
US5454161A (en) * 1993-04-29 1995-10-03 Fujitsu Limited Through hole interconnect substrate fabrication process
JP2570617B2 (ja) 1994-05-13 1997-01-08 日本電気株式会社 多層配線セラミック基板のビア構造及びその製造方法
US6103992A (en) * 1996-11-08 2000-08-15 W. L. Gore & Associates, Inc. Multiple frequency processing to minimize manufacturing variability of high aspect ratio micro through-vias
JP4067604B2 (ja) 1997-08-20 2008-03-26 松下電器産業株式会社 回路形成基板および回路形成基板の製造方法
US6072690A (en) * 1998-01-15 2000-06-06 International Business Machines Corporation High k dielectric capacitor with low k sheathed signal vias
US6187418B1 (en) * 1999-07-19 2001-02-13 International Business Machines Corporation Multilayer ceramic substrate with anchored pad
JP3951091B2 (ja) * 2000-08-04 2007-08-01 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2002353588A (ja) * 2001-05-29 2002-12-06 Mitsubishi Electric Corp 配線基板及び配線基板の製造方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104025463A (zh) * 2012-02-01 2014-09-03 株式会社村田制作所 天线装置及无线通信装置
CN104025463B (zh) * 2012-02-01 2016-01-20 株式会社村田制作所 天线装置及无线通信装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP4059085B2 (ja) 2008-03-12
US20050012566A1 (en) 2005-01-20
EP1473979A4 (en) 2006-04-26
WO2004064466A1 (ja) 2004-07-29
JP2004221235A (ja) 2004-08-05
EP1473979A1 (en) 2004-11-03
US7297878B2 (en) 2007-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1685776A (zh) 高频层叠构件及其制造方法
CN1258939C (zh) 分波器、通信装置
US7394645B2 (en) Multilayer capacitor
CN100437986C (zh) 复合电子部件
US10141124B2 (en) Electronic component fabrication method using removable spacers
JP2001189605A (ja) セラミック積層ｒｆデバイス
JP2008252797A (ja) 誘電体共振器、誘電体フィルタ及びその特性調整方法
TWI553829B (zh) 一種具有貫穿孔電感的高頻元件
JP2001211097A (ja) マルチバンド用高周波スイッチモジュール
US20150221440A1 (en) Multilayer capacitor and method of manufacturing the same
CN1192062A (zh) 介质谐振器装置和高频组件
WO1992014275A1 (en) Dielectric filter
EP3098900B1 (en) Passive component
CN210328202U (zh) 复合部件内置电路基板
TWI539653B (zh) 雙工器
JPH10163708A (ja) 有極型誘電体フィルタ及びこれを用いた誘電体デュプレクサ
JP2003124725A (ja) チップアンテナ装置およびチップアンテナの実装構造
JP3955212B2 (ja) 積層型誘電体フィルタ
CN1591966A (zh) 双端口隔离器及其特性调节法和通信设备
JPH11191702A (ja) 積層型誘電体フィルタ
JPH05152803A (ja) 誘電体フイルタ
JP2710904B2 (ja) 積層型誘電体フィルタ
JPH06291520A (ja) 高周波多層集積回路
JPH06291521A (ja) 高周波多層集積回路
KR100537740B1 (ko) 유전체기판 적층형 전압제어발진기

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication