CN1662977A - 将基片传递给用于盘形基片的薄膜形成装置的方法 ,在该方法中使用的基片传递机构和基片托架 ,以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种基片传递方法，利用该方法可将一没有中心孔的盘形基片或类似物保持在空气中以便容易地输送给一溅射装置。在一盘形基片的任何一侧的中心部分处设有一突起部，并且通过使该基片与一外掩膜、一内掩膜和一内掩膜固定磁体成为一个整体来进行基片的输送等操作，其中该外掩膜覆盖该基片的外周向端部和中心部分，该内掩膜和内掩膜固定磁体固定在该基片上同时在它们之间保持该基片的中心。一传递机构利用磁力保持该外掩膜，然后在要将基片传递于其上的基片托架一侧上同时利用磁力保持该外掩膜，在基片传递过程中该传递机构一侧的磁力减小。

Description

将基片传递给用于盘形基片的 薄膜形成装置的方法、在该方法中使用的基片传递机构和基片托架， 以及使用该方法的盘形记录媒体制造方法

技术领域

本发明涉及一种用于在盘形基片上形成薄膜的薄膜形成装置。更具体地，本发明涉及一种将在该装置中使用的盘形基片传递给该装置的方法，以及一种在该方法中使用的机构。另外，本发明还涉及一种与该机构一起使用的所谓基片托架，以及一种通过使用该机构制造盘形记录媒体例如所谓光盘的盘形记录媒体制造方法。

技术背景

通过在盘形基片上形成各种类型的薄膜而制造的记录媒体，尤其是具有盘形形状的记录媒体的示例包括：包括CD盘片如CD、CD-R或CD-RW和DVD盘片的光盘如DVD-ROM或DVD-R的光盘；磁光盘如MO或MD；以及多种其它类型的盘片。这些盘片是例如通过多种方法如溅射法或旋涂法，在由聚碳酸酯材料制成的基片上层积薄膜来制造的。

通常，当这些盘片实际上用作记录媒体时，已经在用作这些盘片的基底材料的基片的中心部分内形成了一通孔以便于操纵盘片。在随后的薄膜形成步骤中，通常利用该中心孔来进行盘片的操纵操作，包括将基片输送到一薄膜形成装置或类似物或从其输送出基片、在该薄膜形成装置中对基片定位，以及类似操作。但是，在薄膜形成过程中，此中心孔的存在例如会使得基片上的薄膜厚度或薄膜分布减小。此问题的一种常用解决方法是，在形成薄膜时用一帽状件(cap)或类似物覆盖该中心孔，从而使该中心孔对薄膜形成过程的影响最小。

在制造DVD盘片期间，例如，通过旋涂法形成由紫外线固化树脂构成的薄膜，该薄膜是构成该盘片的薄膜之一。具体地，首先，将一基片安装在一可旋转的工作台上以使该基片的中心和该工作台的旋转中心重合。因此，该基片相对于该工作台的定位和固定通过这样的操作来完成，即，使用一穿过该中心孔的旋转轴，或将一相对于工作台的旋转中心同心地固定的帽状件放置在该盘片的中心孔之上。

然后，将树脂从该中心孔附近或帽状件的端部朝该盘片的外周向部分连续地逐滴滴在该旋转的盘片上。如此逐滴滴下的树脂因为盘片旋转所产生的离心力而散布，从而在该基片的表面上形成一树脂薄膜。应指出，这样得到的树脂薄膜此后经过例如紫外线照射的步骤，从而形成稳定的薄膜结构。

在这种情况下，必须在离开旋转中心的位置滴加树脂，从而产生(一定的)薄膜厚度分布。在这方面，目前常用于读取记录的红色激光具有较长的波长，从而将这种薄膜厚度分布保持在允许的范围内。但是，当不远的将来要使用短波长的蓝色激光以增加光盘的记录密度时，获得具有更均匀厚度的薄膜将成为必需。

作为解决上述问题的方法，即，作为减少在使用旋涂法的上述过程中产生的薄膜厚度分布(的问题)的方法，本发明的申请人已提出了一种制造工艺，该工艺使用其中心部分没有孔的基片。在此制造工艺中，在基片上形成各种类型的薄膜之后，在该基片的中心部分形成一通孔。

例如，用作反射膜或类似物的金属薄膜或类似物通过溅射法形成。在该制造工艺中，在一真空容器内将一盘形基片固定和保持在一靶的前面一侧。通常，向该靶施加一定的电压，从而在靶和基片之间产生放电，这样会产生等离子体。等离子体中的离子溅射在靶的表面上的靶的化学组成元素，且被溅射的粒子附着在基片表面上，从而使膜形成。

当通过上述溅射方法形成一金属薄膜时，来自等离子体的辐射热或离子的能量进入该基片，使得基片的温度升高。由于该温度升高基片会产生热膨胀或热变形。在薄膜形成过程中，通过一所谓的外掩膜将基片的外周向部分基本固定在适当位置。因此，该外掩膜可限制该基片的热膨胀等，该热膨胀等会造成(基片)翘曲，从而在该基片的中心部分产生最大的变形。

通常，该基片的背面与基片托架保持紧密接触，并且热量在一定程度上通过该基片托架释放，从而不会产生大量热聚积，并且该翘曲也不太可能成为问题。但是，根据薄膜形成条件，可能会有下述情况：即热量释放不能与热量产生同步，并且由于所产生的翘曲该基片的中心部分与保持该基片的基片托架分离，即与热量要传递于其上的托架分离。在此情况下，释放的热量减少，使得基片温度进一步升高，从而增大基片的变形。

克服这一问题的一种方法是提供一种用于将易于发生最大变形的该基片的中心部分强行推压在该基片托架上的机构。当使用在其中心部分具有一通孔的常规的基片时，通过使用覆盖该中心部分的一所谓内掩膜可以较容易地实施该方法。

为了提高通过旋涂法形成的薄膜厚度的均匀性，本发明的发明人已经设计并提出了一种新的基片夹持法，该方法用于将一中心部分没有通孔的基片夹持在一溅射装置内。此外，为了使一系列薄膜形成步骤自动化，本发明的发明人还提出了一种基片输送机构或类似机构，该机构不仅可对基片而且也可对覆盖该基片的外周向部分的外掩膜进行可靠的输送或类似操作。但是，如上所述，利用溅射装置并通过使用这种结构的薄膜形成工艺会涉及这样一个问题，即该基片的中心部分可能发生翘曲，因此必须解决该问题。

发明内容

根据本发明的一种基片传递方法是鉴于上述要求而设计的，因此本发明的一个目的是在输送基片期间可以可靠地保持外掩膜等和该基片之间的相对位置关系。此外，本发明的另一目的是为实施上述传递方法的薄膜形成装置例如溅射装置提供一种基片传递机构，以及一种使用该装置的盘形记录媒体制造方法。

为了实现上述目的，本发明提供一种用于将一盘形基片连同一内掩膜和一外掩膜一起传递给一基片托架的基片传递方法，该内掩膜具有磁性并适于覆盖该基片的中心表面部分，该外掩膜具有磁性并适于覆盖该基片的外周向表面部分，该方法的特征在于包括以下步骤：通过从一输送臂的一掩膜保持表面上的预定位置向该内掩膜和该外掩膜施加磁力而预先将该内掩膜和该外掩膜各自的表面固定和保持在该掩膜保持表面上，并将该基片放置在被保持在该掩膜保持表面上的该内掩膜和该外掩膜上；将一内掩膜固定磁体设置在该基片背面的基本中心部分处，并将该内掩膜和该内掩膜固定磁体固定在该基片上；使该基片托架与其上保持该内掩膜固定磁体、该内掩模、该外掩膜和该基片的该输送臂的掩膜保持表面相对；将该内掩膜固定磁体插入一设置在该基片托架的中心处的凹部中，并在几乎同时使设置在该基片托架内的磁体向该外掩膜施加磁力；减少该输送臂施加在该外掩膜上的磁力；并通过利用从该基片托架施加的磁力将该外掩模的背面固定和保持在该基片托架上而将该基片传递给该基片托架。

在上述基片传递方法中，优选地，通过设置在该外掩模内的掩模内基片保持装置将该基片固定在该外掩模上，并将该基片和该外掩模作为一个整体来进行该基片的传递。此外，优选地，将设置在该基片托架内的磁体设置在该基片托架的基本中心部分和其附近区域以及一基本对应于该外掩膜的位置。

此外，为了实现上述目的，本发明提供一种基片托架，该基片托架用于在一基本为盘形的基片上形成薄膜期间，保持该基片和一适于覆盖该基片的外周向表面部分的外掩膜，该基片托架包括：一适于接纳该基片的背面的基本为环形的基片接纳表面；一设置在该基片接纳表面的中心部分的基本为圆柱形的凹部；和一设置在该基片接纳表面的周向并相对于该基片接纳表面下凹的外掩膜接纳表面。

在上述基片托架中，优选地，一内掩膜固定磁体安装在该基本为圆柱形的凹部内，该内掩膜固定磁体固定在该基片上，同时与一具有磁性并适于覆盖该基片的中心表面部分的内掩膜一起将该基片夹在中间。此外，优选地，在该基本为圆柱形的凹部的底面上设置有一磁体。

此外，为了实现上述目的，本发明提供一种基片传递机构，该机构保持一基本为盘形的基片，一适于覆盖该基片的外周向部分的外掩膜，一适于覆盖该基片的中心部分的内掩膜，和一用于与该内掩膜一起将该基片夹在中间的内掩膜固定磁体，并将该基片、该内掩膜、该外掩膜和该内掩膜固定磁体传递给一基片保持机构，该基片传递机构包括：一用于支承该内掩膜的内掩膜接纳表面；一设置在该掩膜接纳表面下面并能够朝该内掩膜接纳表面移动和从该表面移开的用于内掩膜的磁体；一用于支承该外掩膜的外掩膜接纳表面；一设置在该掩膜接纳表面下面并能够朝该外掩膜接纳表面移动和从该表面移开的用于外掩膜的磁体，该基片传递机构的特征在于，通过利用该用于内掩膜的磁体施加的磁力将该内掩膜和该内掩膜固定磁体固定和保持在预定位置，和通过利用该外掩膜固定磁体施加的磁力将该外掩膜固定和保持在一预定位置，而将该基片保持在一预定位置，并且通过使该用于内掩膜的磁体和该用于外掩膜的磁体分别从该内掩膜接纳表面和该外掩膜接纳表面移开而进行该内掩膜、该内掩膜固定磁体和该外掩膜的传递。

在上述基片传递机构中，优选地该内掩膜接纳表面和该外掩膜接纳表面位于同一平面上。

此外，本发明提供一种使用一基本为盘形的基片的盘形记录媒体制造方法，该方法的特征在于包括以下步骤：利用磁力将一内掩膜、一内掩膜固定磁体和一外掩膜固定和保持在一基片输送臂的一掩膜保持表面上，并利用该外掩膜的背面支承该基片的一预定表面部分，其中该内掩膜适于覆盖该基片的中心表面部分，该内掩膜固定磁体适于与该内掩膜一起将该基片夹在中间，该外掩膜适于覆盖该基片的外周向部分；使一基片托架与其上保持该内掩模、该外掩膜和该基片的该输送臂的掩膜保持表面相对；从该基片托架向该内掩膜、该内掩膜固定磁体和该外掩膜施加磁力；减少从该输送臂施加在该内掩膜固定磁体和该外掩膜上的磁力；通过利用该基片托架施加的磁力将该外掩膜的背面固定和保持在该基片托架上而用该外掩膜和该基片托架将该基片夹在中间；将保持该基片、该内掩模、该内掩膜固定磁体和该外掩膜的基片托架输送到一薄膜形成装置中的一薄膜形成位置；并在该基片上形成薄膜。

在上述制造方法中，优选地，从该基片输送臂将该基片托架输送到该薄膜形成装置在这样的状态下进行，即该基片和一覆盖该基片的一膜形成表面的外周向端部的掩膜通过设置在该掩膜内的掩膜内基片固定装置成为一体。此外，优选地，该基片托架具有一用于接纳该内掩膜固定磁体的基本为圆柱形的凹部。此外，优选地，在该基本为圆柱形的凹部的底面上设置有另一个用于吸引该内掩膜固定磁体的磁体。

附图说明

图1涉及一种根据本发明的基片传递机构，其中示意性地示出保持一基片和一掩模的一基片托架的剖面结构。

图2示意性地示出作为根据本发明的基片传递机构的一空气侧输送臂的剖面结构。

图3示出一种根据本发明的基片传递方法。

图4示出该根据本发明的基片传递方法。

图5示出该根据本发明的基片传递方法。

图6示出该根据本发明的基片传递方法。

图7示意性示出该空气侧输送臂、一基片等的供给臂等的总体结构的剖面图。

具体实施方式

下文中将详细说明根据本发明的一基片托架、一基片传递机构等。图1是示出该基片托架，一外掩膜、一内掩膜和一内掩膜固定磁体的示意性剖视图，通过该传递机构该基片托架能与该基片保持在一起并在使用溅射装置或类似装置形成薄膜的过程中实际保持该基片。此外，图2是具有该基片传递机构的一空气侧输送臂的示意性剖面图，该基片传递机构基本上正对保持该基片的基片托架设置并且在该基片传递机构和该基片托架之间传递该掩膜。此外，图3至6是分别示出如何根据上述结构进行基片传递的示意性剖面图。此外，图7是一基片等的供给臂和一空气侧输送臂的示意性剖面图，其中示出如何在该基片等的供给臂和该空气侧输送臂之间输送基片，该供给臂将该基片、该外掩膜、该内掩膜和该内掩膜固定磁体从该空气侧输送臂输送给一基片传送平台(transfer stage)或类似物。

用在本发明中的一基片10形成为基本盘形的形状，并且在其膜形成表面的中心部分处形成有第一突起部9，在其膜形成表面的背面的中心部分处形成有第二突起部11。每个该突起部都基本为柱状，其轴心与基片的中心重合。由一溅射装置的一真空侧输送臂或类似物(未示出)保持的一基片托架21由一适于接纳基片背面的基本为环形的基片接纳部22，一设置在该基片托架外周向上并相对于该基片接纳部下凹的外掩模接纳部26，和一设置在该基片托架的中心部分以接纳一内掩膜固定磁体24的凹部23组成。

该内掩膜固定磁体24为圆柱形构造并具有一设置在基片背面侧上的开口24a和一设置在与该开口相对的一侧上的底部24b。该磁体24设有正对该基片背面侧的开口24a(构成)的端部，从而在该基片背面上的第二突起部11可安装在该开口24a中。此外，该底部24b形成一凸缘，该凸缘的直径大于该磁体24的圆柱形部分的外径。该凸缘被一磁体固定卡盘所夹持，从而可独立地传送该内掩膜固定磁体24，稍后将说明该磁体固定卡盘。

一内掩膜18为基本盘形的构造，其从与基片10的表面紧密接触的表面起始的高度随着逐渐靠近其端部而减小。该内掩膜18在与基片10紧密接触的其表面的中心设置有一接纳凹部19，该凹部接纳基片表面的第一突起部9。将该第一突起部9安装在该接收凹部19中可实现基片10和该内掩膜之间的定位。由磁性材料制成的内掩膜18固定在该基片10的一预定位置上，同时与该内掩膜固定磁体24一起从前侧和后侧将该基片夹在中间。通过如上所述用内掩膜18覆盖该基片10的表面的中心部分，可防止在溅射过程中热能进入该基片10的中心部分，从而减小热膨胀。

应指出，在此实施例中如图1所示，在基片背面上的第二突起部11的周向上设置有一环形凹槽12，该内掩膜固定磁体24的基片侧的端部可安装在该凹槽中，以使基片10和内掩膜固定磁体24之间的相对位置关系保持不变。即，内掩膜固定磁体24的高度可调节为，使得该内掩膜固定磁体24的基片侧的端部可安装在该环形凹槽12中，但不会到达设置在基片托架21中的凹部23的底面。

上述结构可使基片中心部分的厚度减小，从而产生如下效果：即该内掩膜固定磁体24施加在该内掩膜上的磁力更大，并且在热变形时作用在基片10的中心部分上的变形力减小。但是，如果通过该内掩膜18和该内掩膜固定磁体24可以充分抑制热能进入，并能可靠地抑制基片中心部分的翘曲，则不必须设置该环形凹槽12。

一外掩模15具有一环形的外掩模主体17和一外掩模凸缘部16，该外掩模主体的内径大于基片的外径，该外掩模凸缘部从该外掩模主体17的一个端面朝内周向一侧突出并适于覆盖基片10的外周向端部。此外，在该外掩膜主体17中设置有一掩膜内球塞27。该掩膜内球塞27朝向该环形外掩膜15的内周向表面设置，并作为和外掩模凸缘部16一起夹持基片10并相对于外掩膜15将该基片保持和固定在适当位置的基片保持装置。

外掩模凸缘部16的宽度必须可使得支承该凸缘部的外掩膜主体17和基片10之间的距离足以防止它们之间在通过溅射形成薄膜期间发生异常放电。另外，为了使其在膜形成期间对电场的影响最小，该外掩模凸缘部16具有一锥形部，当该锥形部接近该凸缘部的内周向端部时，该锥形部朝该凸缘部的另一端面倾斜。

此外，必须使该外掩模凸缘部16的内周向端部与基片10的表面之间具有一预定值的或者更小的微小间距，以防止在通过溅射形成薄膜期间在其间发生异常放电和接触。因此，在用外掩膜接纳部26支承该外掩膜15时，必须根据放电条件确定外掩膜主体17的厚度和外掩膜凸缘部16的厚度、支承外掩膜15的方法等，以满足上述要求。应指出，有关该掩膜凸缘部的构造的条件等也可应用于内掩膜18的外周向端部。

用作掩模内基片固定装置的掩模内球塞27通过一掩模内弹簧28朝外掩膜15推动基片10，以使基片10的中心与掩模15的中心重合。同时，该掩模内球塞27和外掩模凸缘部16一起将基片10的端部夹在中间，从而使掩模15和基片10之间的相对位置关系总是保持不变。

在本实施例中，通过由一位于该外掩模接纳部26中的外掩膜固定磁体(未示出)产生的磁力将外掩模15保持和固定成与该外掩模接纳部26紧密接触。通过利用上述磁体而使外掩模15保持与基片托架21紧密接触，使基片10的背面与一形成为基片接纳部22的基本为环形的平的表面保持紧密接触。应指出，外掩膜接纳部26包括一在其外周向附近形成的具有精确平面度的区域。该区域作为一外掩膜接纳表面26a，其相对于该外掩膜接纳部26的其它部分朝该外掩膜15一侧轻微地凸出，并且该外掩膜接纳表面26a实际支承该外掩膜15。这种构造可以用良好的精度将该外掩膜15保持在适当位置，同时减小需要高精度加工的区域。

如图2所示，一用作基片传递机构的空气侧输送臂30具有一基本为平面的掩膜接纳表面33，设置在该掩膜接纳表面下面并能够相对于该掩膜接纳表面移动的一用于内掩膜的磁体35和一用于外掩膜的磁体37，以及能够分别使该磁体35和37朝向或远离该掩膜接纳表面33移动的一用于该外掩膜的气缸36和一用于该内掩膜的气缸38。在本实施例中，当该内掩膜18和外掩膜15与该基片10结合成一体时，该内掩膜18和外掩膜15的上端面(与基片托架一侧相对的一侧)位于同一平面内。因此，通过保持该掩膜接纳表面33基本为平面，可以以一种稳定的方式保持该基片和类似物。

用于内掩膜的磁体35设置在一与掩膜接纳表面33的基本中心部分相对应的位置。通过以用于内掩膜的磁体35作为中心位置，该用于外掩膜的磁体37设置在一基本对应于该基本为环形的外掩膜15的外掩膜主体17的位置。应指出，该用于外掩膜的磁体37可相对于该作为中心的用于内掩膜的磁体35采取各种位置的设置，例如，将一对磁体37设置在对称位置、将多个磁体37呈放射性设置、或采用基本为环形的设置。

下面将说明用于将空气侧输送臂30保持的基片10传递到基片托架21的操作。应指出，在根据本发明传送基片10时，基片10和外掩模15具有的位置关系通过掩模内球塞27的作用确定，并且它们总是作为一个整体被传送。此外，预先相对于基片10将该内掩膜固定磁体24和该内掩膜18设置在预定位置，同时将基片夹在它们中间，并且，这些部件也与该基片10作为一个整体被传送。首先，如图3所示，未保持该基片和类似物的基片托架21和将外掩膜15保持在掩膜接纳表面33上的空气侧输送臂30设置成彼此正对。应指出，为了便于理解，附图中省略了支承该基片托架并将其输送到一真空装置中的真空侧输送臂。

在上述状态下，空气侧输送臂30靠近基片托架21，并停止在距该基片托架一预定距离处。这种状态如图4所示。此时，设置在该基片10背面的中心部分处的内掩膜固定磁体24插入位于该基片托架21的中心处的凹部23中，并且该内掩膜固定磁体24的一个端部安装在该凹部23中。

同样在此状态下，从外掩膜固定磁体(未示出)向该外掩膜15施加磁力。但是，该磁力被空气侧输送臂30中的用于外掩膜的磁体37施加在外掩膜15上的磁力所克服。因此，该外掩膜15保持在掩膜接纳表面33上。此外，由于该用于内掩膜的磁体35的作用，该内掩膜18和该内掩膜固定磁体24也被固定和保持在该掩膜接纳表面33上。

然后，如图5所示，分别通过用于内掩膜的气缸36和用于外掩膜的气缸38使用于内掩膜的磁体35和用于外掩膜的磁体37与基片接纳表面33基本上同时分离。通过这一操作，用于内掩膜的磁体35和用于外掩膜的磁体37分别施加在内掩膜18和外掩膜15上的磁力减小。在此状态下，该基片托架21的外掩膜固定磁体(未示出)施加的磁力将该外掩膜15保持在适当位置，同时该内掩膜18和该内掩膜固定磁体24保持将该基片夹在它们中间的状态。

该外掩膜固定磁体(未示出)设置在一基本对应于空气侧输送臂30的用于外掩膜的磁体37的位置。该内掩膜设置在其中由多个外掩膜固定磁体施加的磁力变得基本相等的位置。因此，即使先前由空气侧输送臂30施加的磁力保持在适当位置的这些掩膜现在由从基片托架2l一侧施加的磁力保持在适当位置，内掩膜15和外掩膜18的保持位置和姿态也基本上不会改变。

此后，如图6所示，空气侧输送臂30缩回，并且通过真空侧输送臂(未示出)将保持基片10和掩模15的基片托架21输送至溅射装置，从而执行膜形成过程。在膜形成过程之后，保持已进行膜形成过程的基片10的基片托架21返回到基片托架2l正对空气侧输送臂30的位置。然后，通过与上述基片10的传递相反的步骤进行将基片10等从真空侧输送臂到空气侧输送臂30的传递。

应指出，通过设置在空气侧输送臂30和基片传送平台(未示出)之间的一基片等的供给臂40将该基片10及其类似物提供给该空气侧输送臂30。在本发明中，必须相互独立地将该内掩膜和该内掩膜固定磁体24提供给该基片。因此，该基片等的供给臂也必须适于操纵该内掩膜固定磁体24。下面，将参照图7详细说明该基片等的供给臂。

图7是基片等的供给臂40的示意性剖面图并示出如何在这两个臂之间传递基片10，该供给臂将该基片10、外掩膜15、内掩膜18和内掩膜固定磁体24输送给该基片传送平台或类似物，以及该空气侧输送臂30。该基片等的供给臂40具有一基本为平面的供给臂内掩膜接纳表面43、一设置在该供给臂内掩膜接纳表面下面并能够相对于该供给臂内掩膜接纳表面移动的用于外掩膜的供给臂内磁体47，一能够使该磁体47朝该供给臂内掩膜接纳表面43移动和从该表面移开的供给臂内气缸48，和一能够夹持设置在基本该掩膜接纳表面43的中心处的内掩膜固定磁体的卡盘45。

即，该卡盘45设置在一对应于该掩膜接纳表面33的基本中心部分的位置。相对于作为中心位置的卡盘45，该用于外掩膜的供给臂内磁体47设置在一基本对应于该基本为环形的外掩膜15的外掩膜主体17的位置。应指出，该用于外掩膜的磁体47可相对于作为中心的卡盘45采取各种位置设置，例如，可在对称位置设置一对磁体、呈放射状设置多个磁体、或采用基本为环形的设置。

该卡盘45可通过一驱动机构(未示出)打开和关闭以夹持该内掩膜固定磁体。同时，该卡盘45能够独立于供给臂内气缸48或供给臂40与该空气侧输送臂相分离的运动，朝向该空气侧输送臂移动和从该空气侧输送臂移开。利用这种结构，可以用供给臂40单独提供或移开内掩膜固定磁体24。

使用如上所述构造的基片等的供给臂40，可按照内掩膜18、外掩膜15、由该外掩膜15保持的基片10和内掩膜固定磁体24的顺序，将基片10及其类似物提供给该空气侧输送臂30。此外，当从该空气侧输送臂30移开该基片10及其类似物时，该基片等的供给臂40执行与提供该基片10及其类似物相反的操作。

通过采用上述结构，即使在使用不具有中心孔的基片时，仍可以容易地和可靠地将基片10安装在基片托架21上，并将外掩膜15和内掩膜18接合在这些元件上。此外，可以容易地将该外掩膜的内周边端部和该基片表面之间的距离设定为一预定值，从而可减小异常放电或类似情况的发生。

尽管在本实施例中内掩膜18由单个磁性元件组成，但是内掩膜18在其内部也可包含一涂覆有树脂或类似物的磁性元件。此外，在此实施例中，内掩膜18和外掩膜15的上端面位于同一平面内，且掩膜接纳表面33由一平面组成。但是，也可使用以下这种构造，例如，掩膜接纳表面具有对应于各个掩膜的凹部，并且掩膜由这些凹部保持，从而可对掩膜更可靠地定位。可选择地，也可以使用以下这种构造，即内掩膜和外掩膜的上端面位于不同平面内，并且掩膜接纳表面由一内掩膜接纳表面和一外掩膜接纳表面组成，或者也可以设置对应于这些掩膜的凹部。

参照附图，凹部23形成为与该内掩膜固定磁体24的外周向保持足够的间距。但是，为了更有效地防止在膜形成期间基片的温度升高，希望使该间距最小以确保与基片背面紧密接触的面积较大。此外，可在该凹部的底面上设置另一个额外磁体，从而可朝该基片托架一侧吸引该内掩膜固定磁体和进而该内掩膜。这种结构可更有效地抑制该基片中心部分的变形。此外，尽管在此实施例中在掩膜接纳表面33的外周向附近形成确保其平面性的区域，但是形成该区域的位置并不限于该外周向的附近；可根据特定的加工或掩膜支承要求以任意方式形成该区域，或者根本不设置该区域。

此外，在附图中，用于内掩膜的磁体35和用于外掩膜的磁体37的外径设成相同的尺寸。但是，优选地，根据各个位置所需的磁力的大小适当地选择这些磁体的大小或种类。此外，可通过改变气缸相对于磁体的驱动范围来调节所需的磁力。此外，在此实施例中，为了便于操纵，简化装置结构等，使用仅控制在两个位置之间的气缸来驱动各个磁体。但是，当例如需要设定多个磁体停止位置以便可以逐步调节磁力时，还可使用例如一具有多个停止位置的气缸或一步进电机的驱动装置。

此外，在本实施例中，所使用的基片在其表面上具有突起部，并且在内掩膜上设有适于接纳这些突起部的接纳凹部。但是，当基片表面是平的时不需要设置这些凹部。此外，当例如在基片中心设置一定位凹部时，可在掩膜的背面上设置一与该凹部相对应的突起部，从而进行定位。此外，还可以使用一在其背面上没有突起部的基片，只要能一良好的精确度将该内掩膜和该内掩膜固定磁体固定在适当位置即可。

此外，在本实施例中，设置在掩模主体17中的掩模内球塞27以等间隔设置，以便该掩模内球塞27的作用方向与该环形掩模主体17的中心部分重合。但是，掩膜内球塞27的数目并没有具体限定，只要可将基片10固定和支承在该环形的基本中心处即可；例如，即使仅有一个球塞和定位突起部也可能足够。尽管(本实施例)使用球塞来固定和保持基片10在适当位置，但这并不应当被解释为限制性的；任何能够提供相同作用的结构均可使用。

尽管在上述说明中，溅射装置作为可应用本发明的一薄膜形成装置的示例，但本发明的应用不限于此；本发明还可应用于多种薄膜形成装置，如蒸发-沉积装置或CVD装置。此外，本发明并不限于用于光盘或类似物的制造；它还适用于包括在工艺的后面的阶段中除去其中心部分的步骤的任何盘状部件，例如硬盘的制造工艺。

通过实施本发明，可以稳定地使没有中心孔的盘形基片与托架紧密接触。因此，不仅在使用旋涂法的膜形成工艺中，而且在使用溅射法的膜形成工艺中，都能在没有中心孔的盘形基片上形成薄膜，从而可以获得具有较高的薄膜厚度均匀性和薄膜特性的薄膜。

此外，通过实施本发明，可以在空气中可靠地保持和输送基片，并可以安全地将基片传递到溅射装置或从溅射装置传递出该基片，从而有利于一系列膜形成步骤的自动化。此外，在将基片、内掩膜和外掩模传递到溅射装置或从溅射装置传递出的同时，固定这些元件之间的相对位置关系，从而可以容易地抑制由于掩膜造成的异常放电的发生，或者抑制掩模可能对膜厚度分布等的其它不利影响等。

Claims (12)

1.一种基片传递方法，该方法用于将一盘形基片连同一内掩膜和一外掩膜一起传递给一基片托架，该内掩膜具有磁性并适于覆盖该基片的中心表面部分，该外掩膜具有磁性并适于覆盖该基片的外周向表面部分，该方法包括：

通过从一输送臂的一掩膜保持表面上的预定位置向该内掩膜和该外掩膜施加磁力而预先将该内掩膜和该外掩膜各自的表面固定和保持在该掩膜保持表面上，并将该基片放置在被保持在该掩膜保持表面上的该内掩膜和该外掩膜上；

将一内掩膜固定磁体设置在该基片背面的基本中心部分处，并将该内掩膜和该内掩膜固定磁体固定在该基片上；

使该基片托架与其上保持该内掩膜固定磁体、该内掩模、该外掩膜和该基片的该输送臂的掩膜保持表面相对；

将该内掩膜固定磁体插入一设置在该基片托架的中心处的凹部中，并在几乎同时使设置在该基片托架内的磁体向该外掩膜施加磁力；

减少该输送臂施加在该外掩膜上的磁力；以及

通过利用从该基片托架施加的磁力将该外掩模的背面固定和保持在该基片托架上而将该基片传递给该基片托架。

2.一种根据权利要求1的基片传递方法，其特征在于，通过设置在该外掩模内的掩模内基片保持装置将该基片固定在该外掩模上，并将该基片和该外掩模作为一个整体来进行该基片的传递。

3.一种根据权利要求1的基片传递方法，其特征在于，将设置在该基片托架内的磁体设置在该基片托架的基本中心部分和其附近区域以及一基本对应于该外掩膜的位置。

4.一种基片托架，该托架用于在一基本为盘形的基片上形成薄膜期间保持该基片和一适于覆盖该基片的外周向表面部分的外掩膜，该基片托架包括：

一适于接纳该基片的背面的基本为环形的基片接纳表面；

一设置在该基片接纳表面的中心部分处的基本为圆柱形的凹部；以及

一设置在该基片接纳表面的周向并相对于该基片接纳表面下凹的外掩膜接纳表面。

5.一种根据权利要求4的基片托架，其特征在于，一内掩膜固定磁体安装在该基本为圆柱形的凹部内，该内掩膜固定磁体固定在该基片上，同时与一具有磁性并适于覆盖该基片的中心表面部分的内掩膜一起将该基片夹在中间。

6.一种根据权利要求5的基片托架，其特征在于，一磁体设置在该基本为圆柱形的凹部的底面上。

7.一种基片传递机构，该机构保持一基本为盘形的基片，一适于覆盖该基片的外周向部分的外掩膜，一适于覆盖该基片的中心部分的内掩膜，和一用于与该内掩膜一起将该基片夹在中间的内掩膜固定磁体，并将该基片、该内掩膜、该外掩膜和该内掩膜固定磁体传递给一基片保持机构，该基片传递机构包括：

一用于支承该内掩膜的内掩膜接纳表面；

一设置在该掩膜接纳表面下面并能够朝该内掩膜接纳表面移动和从该表面移开的用于内掩膜的磁体；

一用于支承该外掩膜的外掩膜接纳表面；

一设置在该掩膜接纳表面下面并能够朝该外掩膜接纳表面移动和从该表面移开的用于外掩膜的磁体，

其中，通过利用该用于内掩膜的磁体施加的磁力将该内掩膜和该内掩膜固定磁体固定和保持在预定位置，和通过利用该外掩膜固定磁体施加的磁力将该外掩膜固定和保持在一预定位置，而将该基片保持在一预定位置，并且通过使该用于内掩膜的磁体和该用于外掩膜的磁体分别从该内掩膜接纳表面和该外掩膜接纳表面移开而进行该内掩膜、该内掩膜固定磁体和该外掩膜的传递。

8.一种根据权利要求7的基片传递机构，其特征在于，该内掩膜接纳表面和该外掩膜接纳表面位于同一平面内。

9.一种使用一基本为盘形的基片的盘形记录媒体制造方法，包括：

利用磁力将一内掩膜、一内掩膜固定磁体和一外掩膜固定和保持在一基片输送臂的一掩膜保持表面上，并利用该外掩膜的背面支承该基片的一预定表面部分，其中该内掩膜适于覆盖该基片的中心表面部分，该内掩膜固定磁体适于与该内掩膜一起将该基片夹在中间，该外掩膜适于覆盖该基片的外周向部分；

使一基片托架与其上保持该内掩模、该外掩膜和该基片的该输送臂的掩膜保持表面相对；

从该基片托架向该内掩膜、该内掩膜固定磁体和该外掩膜施加磁力；

减少从该输送臂施加在该内掩膜固定磁体和该外掩膜上的磁力；

通过利用该基片托架施加的磁力将该外掩膜的背面固定和保持在该基片托架上而用该外掩膜和该基片托架将该基片夹在中间；

将保持该基片、该内掩模、该内掩膜固定磁体和该外掩膜的基片托架输送到一薄膜形成装置中的一薄膜形成位置；以及

在该基片上形成薄膜。

10.一种根据权利要求9的盘状记录媒体制造方法，其特征在于，从该基片输送臂将该基片托架输送到该薄膜形成装置在这样的状态下进行，即该基片和一覆盖该基片的一膜形成表面的外周向端部的掩膜通过设置在该掩膜内的掩膜内基片固定装置成为一体。

11.一种根据权利要求9的盘状记录媒体制造方法，其特征在于，该基片托架具有一用于接纳该内掩膜固定磁体的基本为圆柱形的凹部。

12.一种根据权利要求11的盘状记录媒体制造方法，其特征在于，在该基本为圆柱形的凹部的底面上设置有另一个用于吸引该内掩膜固定磁体的磁体。

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