RU2586937C1 - Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку - Google Patents

Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку Download PDF

Info

Publication number
RU2586937C1
RU2586937C1 RU2014147399/02A RU2014147399A RU2586937C1 RU 2586937 C1 RU2586937 C1 RU 2586937C1 RU 2014147399/02 A RU2014147399/02 A RU 2014147399/02A RU 2014147399 A RU2014147399 A RU 2014147399A RU 2586937 C1 RU2586937 C1 RU 2586937C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
substrate
vacuum
mask
technological
vacuum chamber
Prior art date
Application number
RU2014147399/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Рэм Васильевич Кудрявцев
Денис Юрьевич Сидоров
Светлана Викторовна Юркова
Амир Энверович Алямов
Валерий Григорьевич Эдвабник
Владимир Борисович Цай
Любовь Васильевна Григорьева
Original Assignee
ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов" filed Critical ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов"
Priority to RU2014147399/02A priority Critical patent/RU2586937C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2586937C1 publication Critical patent/RU2586937C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

Изобретение относится к способу напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку и может быть использовано в микроэлектронике. Подложку устанавливают на первую маску в первой рабочей зоне. Создают и поддерживают необходимый вакуум, по меньшей мере, в двух рабочих камерах и в сообщающейся с ними через соответствующие вакуумные затворы транспортной зоне. После напыления подложки в первой рабочей камере, с сохранением вакуума, посредством манипулятора отделяют подложку от первой маски. Перемещают подложку из первой рабочей камеры через транспортную зону во вторую рабочую камеру. Устанавливают подложку на вторую маску. Затем производят второе напыление подложки через вторую маску. В результате получают топологический тонкопленочный рисунок высокого качества. 3 ил.

Description

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для формирования на подложке топологического тонкопленочного металлического рисунка гибридной микросхемы, напыляемого в вакууме через маску.
Известен способ напыления в вакууме через маску тонких слоев многослойных изделий, реализованный в устройстве по патенту РФ №2063473 от 10.07.1996. Недостатком известного способа является низкая производительность из-за необходимости разгерметизации вакуумного объема для смены маски.
Наиболее близким аналогом, принятым за прототип предлагаемого способа, является способ напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку, прижатую к маске, реализованный в устройстве по патенту РФ №2432417 от 27.10.2011 г.
Недостатком прототипа также является низкая производительность процесса напыления из-за необходимости разгерметизации вакуумного объема для смены маски. Объясняется это следующим. Топологический тонкопленочный металлический рисунок гибридной микросхемы содержит пересекающиеся элементы из разных металлов, напыляемые на подложку, например, поликоровую. Следовательно, необходимо после напыления в вакууме через прецизионно изготовленную маску первого топологического рисунка остановить процесс, разгерметизировать установку вакуумного напыления, заменить маску и провести второе напыление другим металлом через вторую маску. Следует отметить, как первый, так и второй рисунок топологии может состоять из нескольких слоев различных металлов. Таким образом, для смены маски требуется большое время:
- на разгерметизацию вакуумной установки;
- на повторный вывод вакуумной установки на режим напыления (откачка атмосферного воздуха до нужного давления, подогрев подложки и т.д.).
Другим недостатком является то, что во время смены маски изготавливаемое изделие находится вне вакуумной установки, где на нее неизбежно влияет окружающая ее воздушная среда (влажность, мелкие пылинки и т.п.), что снижает качество напыляемого слоя.
Задача изобретения - обеспечить в способе напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку возможность смены масок в условиях вакуума.
Технический результат - существенное (скачкообразное) повышение производительности способа напыления и качества напыляемого рисунка.
Сущность изобретения заключается в следующем. Предлагается способ напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку, которую устанавливают на первую маску в первой рабочей зоне.
Отличительными признаками способа являются то, что создают и поддерживают необходимый вакуум, по меньшей мере, в двух рабочих зонах и в сообщающейся с ними через соответствующие вакуумные затворы транспортной зоне, а после напыления подложки в первой рабочей зоне, с сохранением вакуума, посредством манипулятора отделяют подложку от первой маски, перемещают подложку из первой рабочей зоны, через транспортную зону, во вторую рабочую зону, устанавливают подложку на вторую маску, затем производят второе напыление подложки через вторую маску, причем перед напылением подложки в рабочей зоне перекрывают ее сообщение с транспортной зоной посредством соответствующего вакуумного затвора и устанавливают в упомянутой рабочей зоне дополнительно необходимый уровень разрежения воздуха.
Кроме того, перед установкой в первой рабочей зоне напыленную подложку размещают в загрузочно-разгрузочной зоне, сообщающейся с транспортной зоной через соответствующий вакуумный затвор, создают в загрузочно-разгрузочной зоне вакуум, открывают в вакууме сообщение между транспортной зоной и загрузочно-разгрузочной зоной на время извлечения из нее подложки, которую в вакууме, посредством манипулятора перемещают в первую рабочую зону, а после окончания напыления подложки во второй рабочей зоне открывают в вакууме сообщение из второй рабочей зоны через транспортную зону в загрузочно-разгрузочную зону, посредством манипулятора отделяют подложку от второй маски и перемещают ее из второй рабочей зоны в загрузочно-разгрузочную зону, закрывают сообщение между транспортной зоной и загрузочно-разгрузочной зоной, сбрасывают вакуум в загрузочно-разгрузочной зоне и извлекают из нее готовую напыленную подложку.
Изобретательский уровень предлагаемого решения состоит в качественно новом способе напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку через маски, сменяемые в условиях вакуума, то есть без необходимости операции сбрасывания вакуума. Такое техническое решение обеспечивает скачкообразное повышение производительности указанного способа напыления.
Сущность изобретения поясняется чертежами.
На фиг. 1 показана схема устройства, осуществляющего способ напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку, вид сверху.
На фиг. 2 показана схема взаимного расположения подложкодержателя, подложки и маски.
На фиг. 3 показана схема установки подложкодержателя с подложкой на маску.
Установка содержит (фиг. 1), по крайней мере, две технологические вакуумные камеры 1 и 2 для напыления, ограничивающие рабочие зоны напыления. Технологические вакуумные камеры 1 и 2 соединены через вакуумные затворы (например, пневмозатворы ДУ300) 4 и 5 с транспортной вакуумной камерой 3, ограничивающей транспортную зону. Таким образом, технологические вакуумные камеры 1 и 2 могут сообщаться между собой через транспортную вакуумную камеру 3. К транспортной вакуумной камере 3 через вакуумный затвор 6 может быть подсоединена шлюзовая вакуумная камера загрузки-выгрузки 7. В технологических вакуумных камерах 1 и 2 расположены маскодержатели 13, например, в виде карусельных устройств с масками 8 (фиг. 2), источники испарения металлов (не показаны) и т.д. Технологические вакуумные камеры 1 и 2 имеют технологические двери 9 и 19 для технического обслуживания и ввода расходных материалов - напыляемых металлов. Через технологические двери 9 и 19 могут осуществляться загрузка и выгрузка подложек 12 в подложкодержателях 11 (фиг. 2).
В транспортной вакуумной камере 3 расположен роботизированный захват -манипулятор 10, например, автоматизированная транспортная система перемещения подложкодержателей (манипулятор производства UHV Design, Великобритания).
В шлюзовой вакуумной камере загрузки-выгрузки 7 в общем случае расположены подложкодержатели 11 как с ненапыленными, так и с напыленными подложками 12.
Перед напылением (фиг. 2) в рабочей камере 1 или 2 подложкодержатель 11 с подложкой 12 плотно прижат к маске 8 (подложка 12 может быть одна или несколько, в зависимости от конструкции подложкодержателя и производительности камеры).
Прецизионное позиционирование (фиг. 2 и 3) подложки 12 в подложкодержателе 11 относительно рисунка топологии на маске 8, изготовленной из тонкого магнитного материала, обеспечивается с помощью изготовленных с высокой точностью направляющих элементов 14, например, в виде стержней и конусов, смонтированных на маскодержателе 13. Плотный прижим маски 8 к подложке 12 в подложкодержателе 11 обеспечивается с помощью электромагнитов 15, которые установлены по периметру и в центре подложкодержателя 11. Питание на электромагниты 15 подается через ось вращения 16 подложкодержателя 11 в технологической вакуумной камере 1 и 2. Подложки 12 в подложкодержателе 11 устанавливаются через термокомпенсирующие пружины 17, чтобы избежать повреждения вовремя их термического расширения при предварительном прогреве. Подложки 12 подпружинены с нерабочей стороны и удерживаются, например, «лапками» (не показано) с рабочей стороны для того, чтобы обеспечивалось их выступание из подложкодержателя 11. Это необходимо для плотного прижима к ним маски 12. Подложкодержатель 11 имеет в верхней части выступающую деталь 18, за которую происходит его захват манипулятором 10 для перемещения между камерами.
Работа устройства без использования шлюзовой вакуумной камеры загрузки-выгрузки 7 происходит следующим образом. Через технологическую дверь 9 технологической вакуумной камеры 1 на маскодержатель 13 с предварительно установленной маской 8 устанавливается подложкодержатель 11 с установленной в него подложкой 12.
Далее технологическую дверь 9 технологической вакуумной камеры 1 и вакуумные затворы 4 и 5 герметично закрывают. В технологической вакуумной камере 1, технологической вакуумной камере 2 и транспортной вакуумной камере 3 создают необходимый вакуум, после чего производят напыление на подложке 12 первого рисунка через первую маску 8.
После окончания напыления в технологической вакуумной камере 1 первого рисунка открывают вакуумные затворы 4 и 5.
Подложкодержатель 11 с подложкой 12 с помощью манипулятора 10 отсоединяют от маски 8 и переносят через открытый вакуумный затвор 4, транспортную вакуумную камеру 3, открытый вакуумный затвор 5 в технологическую вакуумную камеру 2.
Вакуумный затвор 4 закрывают, сбрасывают вакуум в технологической вакуумной камере 1, после чего в нее снова загружают через технологическую дверь 9 следующий подложкодержатель 11 с подложкой 12, подлежащей напылению, закрывают технологическую дверь 9, создают в технологической вакуумной камере 1 необходимый вакуум и производят очередное напыление. В это же время в технологической вакуумной камере 2, подложку 12 в подложкодержателе 11 позиционируют относительно второй маски 8 с помощью направляющих элементов 14, после чего прижимают к ней с помощью электромагнитов 15. Закрывают вакуумный затвор 5. В технологической вакуумной камере 2 производят второе напыление подложки 12 через вторую маску 8. После напыления в технологической вакуумной камере 2 сбрасывают вакуум и через технологическую дверь 19 извлекают готовую, напыленную последовательно через две разные маски подложку. Затем технологическую дверь 19 закрывают и создают необходимый вакуум в технологической вакуумной камере 2, после чего она снова готова к приему прошедших первое напыление через первые маски 8 подложек из технологической вакуумной камеры 1.
С целью дальнейшего увеличения производительности способа напыления и повышения качества напыления подложек процесс загрузки и выгрузки возможно реализовать без необходимости разгерметизации вакуумного пространства технологических вакуумных камер 1 и 2. Это достигается путем подсоединения к транспортной вакуумной камере 3, через вауумный затвор 6, шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 (фиг. 1). Через открытую технологическую дверь 20 шлюзовой загрузочно-разгрузочной камеры 7 устанавливают первый подложкодержатель 11 с первой подложкой 12, затем технологическую дверь 20 шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 закрывают, после чего в ней создают форвакуум. Одновременно с этим или заранее в технологической вакуумной камере 1, технологической вакуумной камере 2 и транспортной вакуумной камере 3 отдельно в каждой, так как технологическая вакуумная камера 1 и 2 предварительно перекрываются от транспортной вакуумной камеры 3 вакуумными затворами 4 и 5, создается высокий вакуум общим форвакуумным и отдельными высоковакуумными насосами (не показаны). Далее вакуумный затвор 6 шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 открывают и манипулятор 10 перемещает в вакууме первый подложкодержатель 11 с первой подложкой 12 в транспортную вакуумную камеру 3, после чего вакуумный затвор 6 перекрывают, в шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камере 7 сбрасывают вакуум, затем в загрузочно-разгрузочной камере 7 открывают технологическую дверь 20 для загрузки второго подложкодержателя 11 со второй подложкой 12. Одновременно с этим вакуумный затвор 4 между транспортной вакуумной камерой 3 и технологической вакуумной камерой 1 открывают, манипулятор 10 перемещает первый подложкодержатель 11 с первой подложкой 12 в технологическую вакуумную камеру 1 и возвращается в исходное положение - в транспортную вакуумную камеру 3. В технологической вакуумной камере 1 первая подложка 12 в первом подложкодержателе 11 позиционируется с помощью направляющих элементов 14 с первой маской 8, а затем фиксируется и прижимается к первой маске 8 с помощью электромагнитов 15, далее технологическая вакуумная камера 1 перекрывается от транспортной вакуумной камеры 3 вакуумным затвором 4, в технологической вакуумной камере 1 создают необходимый для напыления высокий вакуум и производят напыление первой подложки 12 через первую маску 8. После напыления первой подложки 12 через первую маску 8 в первой технологической вакуумной камере 1 манипулятор 10 отделяет первый подложкодержатель 11 с первой подложкой 12 от первой маски 8 и перемещает его через открывшиеся вакуумные затворы 4 и 5 из технологической вакуумной камеры 1 через транспортную вакуумную камеру 3 в технологическую вакуумную камеру 2, где операция напыления подложки повторяется, но уже через вторую маску 8, по рисунку, отличным от первой. Во время процесса напыления в технологической вакуумной камере 2 манипулятор 10, находящийся на тот момент в исходном положении (исходное положение - это любое положение в транспортной вакуумной камере 3 без подложкодержателя 11), забирает уже загруженный второй подложкодержатель 11 со второй подложкой 12 из шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 и переносит его в технологическую вакуумную камеру 1, где происходят совмещение второй подложки 12 с помощью направляющих элементов 14 с первой маской 8 и прижим с помощью электромагнитов 15, а затем напыление на вторую подложку 12 тонкой пленки металла через первую маску 8. Таким образом, в данный момент в установке находятся в работе одновременно две подложки 12.
После окончания процесса напыления в технологической вакуумной камере 2 манипулятор 10, через открывшиеся вакуумные затворы 5 и 6 технологической вакуумной камеры 2 и шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7, перемещает первый подложкодержатель 11 с напыленной через вторую маску 8 первой подложкой 12 в шлюзовую загрузочно-разгрузочную вакуумную камеру 7. Затем вакуумный затвор 6 закрывают и в шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камере 7 сбрасывают вакуум. Далее оператор забирает из шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 первый подложкодержатель 11 с готовой напыленной первой подложкой 12 и размещает очередной подложкодержатель 11 с очередной ненапыленной подложкой 12.
После этого манипулятор 10 перемещает из технологической вакуумной камеры 1 второй подложкодержатель 11 со второй подложкой 12, на которую нанесен первый топологический рисунок, с помощью первой маски 8, через вакуумные затворы 4 и 5 и транспортную вакуумную камеру 3 в технологическую вакуумную камеру 2, где второй подложкодержатель 11 со второй подложкой 12 позиционируется со второй маской 8 по направляющим элементам 14. Вторая подложка 12 прижимаются ко второй маске 8 с помощью электромагнитов 15. Далее, вакуумный затвор 5 перекрывают и производят напыление на второй подложке 12 второго топологического рисунка через вторую маску 8 во второй технологической вакуумной камере 2. Одновременно с этим манипулятор 10 забирает из шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 третий подложкодержатель 11 с еще не напыленной третьей подложкой 12 и переносит его в технологическую вакуумную камеру 1, где третья подложка 12 позиционируется по направляющим 14 и прижимается с помощью электромагнитов 15 к первой маске 8, аналогично описанному ранее, после чего происходит очередное напыление в технологической вакуумной камере 1.
Таким образом, оператор, забирая подложкодержатель 11 с напыленной подложкой из шлюзовой загрузочно-разгрузочной вакуумной камеры 7 через технологическую дверь 20, устанавливает на его место следующий подложкодержатель 11 с подложкой 12, и цикл повторяется.
Следует отметить, что в данном конвейерном принципе работы имеет место некоторая потеря высокого вакуума через шлюзовую загрузочно-разгрузочную вакуумную камеру 7 во время загрузки и выгрузки подложкодержателя 11 с подложкой 12. Поэтому во время работы в технологических вакуумных камерах 1 и 2 и транспортной вакуумной камере 3 давление постоянно контролируется и откачивается по мере необходимости. Кроме того, во время производства периодически заканчивается испаряемый металл в технологических вакуумных камерах 1 и 2. В этом случае материал добавляют через технологические двери 9 и 19 технологических вакуумных камер 1 и 2, предварительно закрыв соответствующие вакуумные затворы и сбросив вакуум.

Claims (1)

  1. Способ напыления в вакууме топологического тонкопленочного рисунка гибридной микросхемы на подложку, включающий перемещение подложки в вакууме из первой камеры во вторую камеру, в которых производят их напыление, отличающийся тем, что перед созданием вакуума предварительно размещают в первой и второй камерах соответственно первую и вторую маски с разными рисунками топологии, в вакууме перемещают с помощью манипулятора подложку в первую камеру, в которой устанавливают ее на первую маску, производят через нее напыление первого топологического рисунка, затем с помощью манипулятора отсоединяют подложку с нанесенным первым топологическим рисунком от первой маски и перемещают во вторую камеру, в которой устанавливают ее на вторую маску и производят через нее напыление второго топологического рисунка поверх первого.
RU2014147399/02A 2014-11-25 2014-11-25 Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку RU2586937C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014147399/02A RU2586937C1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014147399/02A RU2586937C1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2586937C1 true RU2586937C1 (ru) 2016-06-10

Family

ID=56115702

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014147399/02A RU2586937C1 (ru) 2014-11-25 2014-11-25 Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2586937C1 (ru)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA034967B1 (ru) * 2018-05-04 2020-04-13 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Технологическая линия для формирования тонкопленочных покрытий в вакууме (варианты)
RU2787908C1 (ru) * 2022-02-28 2023-01-13 Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3656454A (en) * 1970-11-23 1972-04-18 Air Reduction Vacuum coating apparatus
JP2004022154A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Tdk Corp 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
RU2297988C1 (ru) * 2005-11-16 2007-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет Способ и устройство для нанесения многослойных покрытий на листовое стекло
RU2432417C1 (ru) * 2010-04-27 2011-10-27 Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" Устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий
RU2507308C1 (ru) * 2012-07-19 2014-02-20 Айрат Хамитович Хисамов Способ нанесения тонкопленочных покрытий и технологическая линия для его осуществления

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3656454A (en) * 1970-11-23 1972-04-18 Air Reduction Vacuum coating apparatus
JP2004022154A (ja) * 2002-06-20 2004-01-22 Tdk Corp 円板状基板用成膜装置に対する基板の受け渡し方法、当該方法に用いられる基板受け渡し機構および基板ホルダ、および当該方法を用いたディスク状記録媒体の製造方法
RU2297988C1 (ru) * 2005-11-16 2007-04-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет Способ и устройство для нанесения многослойных покрытий на листовое стекло
RU2432417C1 (ru) * 2010-04-27 2011-10-27 Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" Устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий
RU2507308C1 (ru) * 2012-07-19 2014-02-20 Айрат Хамитович Хисамов Способ нанесения тонкопленочных покрытий и технологическая линия для его осуществления

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EA034967B1 (ru) * 2018-05-04 2020-04-13 Общество С Ограниченной Ответственностью "Изовак Технологии" Технологическая линия для формирования тонкопленочных покрытий в вакууме (варианты)
US11732349B2 (en) 2018-05-04 2023-08-22 OOO IZOVAK Tehnologii In-line coater for vacuum deposition of thin film coatings
RU2787908C1 (ru) * 2022-02-28 2023-01-13 Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП") Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI452166B (zh) 用於沉積有機材料之設備和其沉積方法
KR102106414B1 (ko) 증착 챔버, 이를 포함하는 증착 시스템 및 유기 발광 표시장치 제조방법
EP2248595A1 (en) Apparatus for depositing organic material and depositing method thereof
TWI558835B (zh) Continuous physical vacuum coating equipment
KR102366749B1 (ko) Oled 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치
WO2018197305A3 (en) TEMPORARY MAGNET MULTILAYER DEPOSITION APPARATUS, MANUFACTURING METHODS AND MAGNETIC MULTILAYER
KR101119790B1 (ko) 유기 el 디바이스 제조 장치 및 유기 el 디바이스 제조 방법 및 성막 장치 및 성막 방법
RU2586937C1 (ru) Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку
JP2014007387A5 (ja) 成膜装置
KR102109034B1 (ko) 마스크 제조 방법
EP3061127A1 (de) Multimagnetronanordnung
JP2017220410A5 (ru)
RU2590747C2 (ru) Установка для напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку
JP2016104475A (ja) 基板を被覆する方法および被覆装置
SG11201901034XA (en) Substrate processing apparatus, metal member, and method of manufacturing semiconductor device
KR20090108497A (ko) 증착 장치
TWI692137B (zh) 連續式製造系統、連續式製造方法、有機膜裝置、施體基板組
KR102334409B1 (ko) 마스크 스택 및 그 제어방법
CN107429396B (zh) 用于使基底表面经受连续表面反应的装置
KR101859849B1 (ko) 마스크 스토커를 구비한 대면적 기판용 클러스터 시스템
KR102134438B1 (ko) 기판처리장치, 이를 가지는 기판처리설비, 그리고 기판처리방법
JP2020063465A5 (ja) 成膜装置、製造システム、有機elパネルの製造システム、成膜方法、及び有機el素子の製造方法
JP2016008321A (ja) コーティング膜付き切削工具の成膜装置、切削工具用コーティング膜の成膜方法
WO2012127981A1 (ja) 蒸着装置並びに蒸着方法
KR101972210B1 (ko) 사분할 챔버 기반의 증착 장치, 다중분할 챔버 기반의 증착 시스템, 그리고 이를 이용한 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MZ4A Patent is void

Effective date: 20220218