KR102366749B1 - Oled 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치 - Google Patents

Oled 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 oled 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치 Download PDF

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슈테판 캘러
이재원
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어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
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Abstract

본 개시내용은, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법(100)을 제공한다. 방법(100)은, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정을 수행하는 단계, 및 원격 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마 세정을 수행하는 단계를 포함한다.

Description

OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치{METHOD FOR CLEANING A VACUUM SYSTEM USED IN THE MANUFACTURE OF OLED DEVICES, METHOD FOR VACUUM DEPOSITION ON A SUBSTRATE TO MANUFACTURE OLED DEVICES, AND APPARATUS FOR VACUUM DEPOSITION ON A SUBSTRATE TO MANUFACTURE OLED DEVICES}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은, 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 기판 상의 진공 증착을 위한 장치에 관한 것이다. 본 개시내용의 실시예들은 특히, OLED(organic light-emitting diode) 디바이스들의 제조에서 사용되는 방법들 및 장치들에 관한 것이다.
[0002] 기판 상의 층 증착을 위한 기법들은, 예컨대, 열 증발, 물리 기상 증착(PVD; physical vapor deposition), 및 화학 기상 증착(CVD; chemical vapor deposition)을 포함한다. 코팅된 기판들은, 여러 응용들 및 여러 기술 분야들에서 사용될 수 있다. 예를 들면, 코팅된 기판들은, OLED(organic light emitting diode) 디바이스들의 분야에서 사용될 수 있다. OLED들은, 정보를 디스플레이하기 위한 텔레비전 스크린들, 컴퓨터 모니터들, 모바일 폰들, 다른 핸드-헬드(hand-held) 디바이스들 등의 제조에 사용될 수 있다. OLED 디바이스, 이를테면 OLED 디스플레이는, 2개의 전극들 사이에 놓인 유기 재료의 하나 이상의 층들을 포함할 수 있으며, 이들 모두가 기판 상에 증착된다.
[0003] OLED 디바이스들은, 예컨대, 프로세싱 장치의 진공 챔버에서 증발되는 여러 유기 재료들의 스택(stack)을 포함할 수 있다. 유기 재료들은, 증발 소스들을 사용하여 섀도우 마스크(shadow mask)들을 통해 기판 상에 차례로(in a subsequent manner) 증착된다. 진공 챔버 내부의 진공 상태들은, 증착되는 재료 층들 및 이러한 재료 층들을 사용하여 제조되는 OLED 디바이스들의 품질에 있어 매우 중대하다.
[0004] 따라서, 진공 챔버 내부의 진공 상태들을 개선할 수 있는 방법 및 장치에 대한 필요성이 존재한다. 본 개시내용은 특히, 기판 상에 증착되는 유기 재료의 층들의 품질이 개선될 수 있도록 진공 상태들을 개선하는 것을 목적으로 한다.
[0005] 위의 관점에서, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법, 및 OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치가 제공된다. 본 개시내용의 추가적인 양상들, 이익들, 및 특징들은, 청구항들, 상세한 설명, 및 첨부된 도면들로부터 명백하다.
[0006] 본 개시내용의 일 양상에 따르면, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정(pre-cleaning)을 수행하는 단계, 및 원격 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
[0007] 본 개시내용의 다른 양상에 따르면, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법이 제공된다. 방법은, 원격 플라즈마 소스를 사용하여, 최종 세정 절차로서, 진공 시스템의 적어도 부분의 플라즈마 세정을 수행하는 단계를 포함한다.
[0008] 본 개시내용의 또 다른 양상에 따르면, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법이 제공된다. 방법은, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정을 수행하는 단계, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위해, 원격 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마 세정을 수행하는 단계, 및 기판 상에 유기 재료의 하나 이상의 층들을 증착하는 단계를 포함한다.
[0009] 본 개시내용의 추가적인 양상에 따르면, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치가 제공된다. 장치는, 진공 챔버, 진공 챔버에 연결되는 원격 플라즈마 소스, 및 최종 세정 절차로서 플라즈마 세정을 수행하도록 원격 플라즈마 소스에 연결되는 제어기를 포함한다.
[0010] 실시예들은 또한 개시된 방법들을 수행하기 위한 장치들에 관한 것이며, 각각의 설명된 방법 양상을 수행하기 위한 장치 부분들을 포함한다. 이러한 방법 양상들은, 하드웨어 컴포넌트들에 의해, 적절한 소프트웨어에 의해 프로그래밍된 컴퓨터에 의해, 이들 둘의 임의의 결합에 의해, 또는 임의의 다른 방식으로 수행될 수 있다. 게다가, 본 개시내용에 따른 실시예들은 또한, 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들에 관한 것이다. 설명되는 장치를 동작시키기 위한 방법들은 장치의 모든 각각의 기능을 수행하기 위한 방법 양상들을 포함한다.
본 개시내용의 일 실시예에 따르면, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치로서, 상기 진공 시스템의 진공 챔버로부터 분리된 원격(remote) 챔버; 상기 원격 챔버를 상기 진공 시스템의 상기 진공 챔버에 연결하기 위한 연결 유닛(unit); 상기 원격 챔버에서 반응 가스들을 활성화하는 것에 의해 플라즈마를 생성하기 위한 가스 활성화 유닛; 및 상기 진공 시스템의 적어도 일부의 플라즈마 세정을 위해 상기 진공 챔버에 플라즈마를 공급하기 위한 공급 유닛을 포함하고, 상기 플라즈마 세정은 상기 진공 시스템을 동작시키기 전의 최종 세정 절차인, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치가 제공된다.
실시예들에서, 상기 장치는 원격 플라즈마 소스일 수 있다.
실시예들에서, 상기 연결 유닛은 플랜지(flange)일 수 있다.
실시예들에서, 상기 반응 가스들은 순수 산소, 또는 아르곤을 갖는 산소 혼합물들일 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은 10-5 mbar 내지 10-8 mbar의 진공 압력 하에서 수행될 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은 진공 챔버의 세정을 포함할 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은, 증착 프로세스 동안 사용되는 하나 이상의 마스크(mask) 디바이스들의 세정을 포함할 수 있다.
본 개시내용의 다른 실시예에 따르면, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기로서, 상기 제어기는 컴퓨터 프로그램을 포함하며, 상기 컴퓨터 프로그램은, 상기 진공 시스템의 적어도 일부의 예비-세정(pre-cleaning)의 완료를 확인하는 단계; 상기 진공 시스템에서 진공 챔버의 압력을 감소시키기 위해 진공 펌프들 중 적어도 하나를 제어하는 단계; 원격 플라즈마를 생성하도록 상기 원격 플라즈마 소스에 지시하는 단계; 상기 진공 시스템의 상기 일부의 플라즈마 세정을 위해 상기 진공 시스템의 상기 진공 챔버에 원격 플라즈마를 공급하도록 진공 시스템의 공급 유닛에 지시하는 단계; 및 상기 플라즈마 세정의 완료를 확인하는 단계를 포함하는 단계들을 수행하고, 상기 플라즈마 세정은 상기 진공 시스템을 동작시키기 전의 최종 세정 절차인, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기가 제공된다.
실시예들에서, 상기 예비-세정은 대기 하에서 수행되고 상기 플라즈마 세정은 진공 하에서 수행될 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은 아르곤을 갖는 산소 혼합물들의 플라즈마를 사용할 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은 10-5 mbar 내지 10-8 mbar의 진공 압력 하에서 수행될 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은 진공 챔버의 세정을 포함할 수 있다.
실시예들에서, 상기 플라즈마 세정은, 증착 프로세스 동안 사용되는 하나 이상의 마스크 디바이스들의 세정을 포함할 수 있다.
[0011] 본 개시내용의 상기 열거된 특징들이 상세하게 이해될 수 있는 방식으로, 위에서 간략히 요약된 본 개시내용의 보다 구체적인 설명이 실시예들을 참조하여 이루어질 수 있다. 첨부된 도면들은 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이고, 하기에서 설명된다:
도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 2는 본원에 설명된 실시예들에 따른, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법의 흐름도를 도시한다.
도 3은 본원에 설명된 실시예들에 따른, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치의 개략도를 도시한다.
도 4는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 유기 재료들을 갖는 디바이스들의 제조를 위한 시스템의 개략도를 도시한다.
[0012] 이제, 본 개시내용의 다양한 실시예들이 상세히 참조될 것이며, 다양한 실시예들의 하나 이상의 예들이 도면들에 예시된다. 도면들의 다음의 설명 내에서, 동일한 참조 번호들은 동일한 컴포넌트들을 지칭한다. 일반적으로, 개별적인 실시예들에 관한 차이들만이 설명된다. 각각의 예는 본 개시내용의 설명으로 제공되고, 본 개시내용의 제한으로서 의도되지 않는다. 추가적으로, 일 실시예의 일부로서 예시되거나 또는 설명되는 특징들은, 더 추가적인 실시예를 산출하기 위해, 다른 실시예들에 대해 또는 다른 실시예들과 함께 사용될 수 있다. 설명은 그러한 수정들 및 변형들을 포함하는 것으로 의도된다.
[0013] 진공 챔버 내부의 진공 상태들은, 기판 상에 증착되는 재료 층들의 품질에 있어 매우 중대할 수 있다. 특히, OLED 대량 생산을 위해서는, 모든 진공 컴포넌트들의 청결(cleanliness)이 필수적이다. 전기-연마된(electro-polished) 표면들조차도, OLED 디바이스 제조에 대해서는 여전히 너무 더러울 수 있다. 본 개시내용은, 진공 시스템에 대한 예비-세정 절차 이후, 예컨대 최종 세정 절차로서, 원격 플라즈마 소스를 사용한다. 플라즈마 세정은, 진공 챔버 및/또는 진공 시스템의 부품들 또는 컴포넌트들을 처리하는 데 사용될 수 있다. 일 예로서, 플라즈마 세정은, 청결 레벨들을 개선하기 위해 프로세스 개시 전에 또는 생산을 시작하기 전에 진공에서 수행될 수 있다. 처리는, 예컨대, 순수 산소, 또는 질소 또는 아르곤을 갖는 산소 혼합물들의 원격 플라즈마로 특정 시간 동안 수행될 수 있다. 청결 레벨들이 상당히 향상될 수 있고, 기판 상에 증착되는 층들의 품질이 개선될 수 있다.
[0014] 도 1은 본원에 설명된 실시예들에 따른, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법(100)의 흐름도를 도시한다.
[0015] 방법(100)은, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정을 수행하는 단계(블록 110), 및 원격 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마 세정을 수행하는 단계(블록 120)를 포함한다. 플라즈마 세정은, 예컨대, 기판 상에 하나 이상의 유기 재료들의 층들을 증착하기 위해 진공 시스템을 동작시키기 전의 최종 세정 절차일 수 있다. "최종"이라는 용어는, 플라즈마 세정 이후에 어떠한 추가적인 세정 절차들도 수행되지 않는다는 의미로 이해되어야 한다.
[0016] 원격 플라즈마 소스에서, 가스는 통상적으로, 세정 처리가 수행될 진공 챔버로부터 떨어져 있는 원격 챔버에서 활성화된다. 그러한 활성화는, 예컨대, 원격 플라즈마 소스에서 수행될 수 있다. 본 개시내용의 실시예들에서 사용되는 원격 플라즈마들의 예들은, 순수 산소, 또는 질소 또는 아르곤을 갖는 산소 혼합물들의 원격 플라즈마들을 포함하지만 이들로 제한되지 않는다.
[0017] 최종 세정 절차로서의 플라즈마 세정은, 진공 시스템의 청결 레벨을 상당히 개선할 수 있다. 본 발명자들은, 표준 가스 크로마토그래피 - 질량 분석법(GCMS; gas chromatography - mass spectrometry) 절차를 사용하여 측정될 때, 최종 세정 절차로서의 플라즈마 세정이, 10-9 grams/cm2 미만의 범위 내에 있는 세정된 아이템들의 청결 레벨을 제공할 수 있다는 것을 발견하였다. 따라서, 진공 상태들, 및 그에 따른, 기판 상에 증착되는 유기 재료의 층들의 품질이 개선될 수 있다.
[0018] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 플라즈마 세정은 미리결정된 시간 기간 동안 수행될 수 있다. 미리결정된 시간 기간은, 10-8 grams/cm2 또는 그 미만, 구체적으로는 10-9 grams/cm2 또는 그 미만, 그리고 더 구체적으로는 10-10 grams/cm2 또는 그 미만의 청결 레벨(표준 GCMS 절차를 사용하여 측정됨)이 제공되도록 선택될 수 있다. 청결 레벨은, 세정될 진공 시스템의 부분의 표면 영역(이를테면, 진공 시스템의 진공 챔버의 내측 챔버 벽들의 표면)의 cm2 당 하나 이상의 선택된 오염물들의 gram으로서 정의될 수 있다.
[0019] 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정, 및 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한, 원격 플라즈마 소스를 사용하는 플라즈마 세정은, 진공 시스템의 다양한 컴포넌트들에 대해 사용될 수 있다. 일부 구현들에서, 예비-세정 및 플라즈마 세정은 각각 진공 챔버의 세정을 포함한다. 일 예로서, 예비-세정 및 플라즈마 세정은 각각 진공 챔버의 하나 이상의 내측 벽들의 세정을 포함한다. 하나 이상의 내측 벽들은, 예컨대 습식 화학적 세정 프로세스를 사용하여 예비-세정될 수 있고, 그런 다음, 청결 레벨을 개선하기 위해 플라즈마-세정될 수 있다.
[0020] 부가적으로 또는 대안적으로, 예비-세정 및 플라즈마 세정은 각각 진공 시스템의 진공 챔버 내부의 하나 이상의 컴포넌트들의 세정을 포함한다. 하나 이상의 컴포넌트들은, 기계적 컴포넌트들, 이동식 컴포넌트들, 드라이브(drive)들, 밸브들, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 일 예로서, 기계적 컴포넌트들은, 진공 시스템을 동작시키기 위해 사용되는, 진공 챔버 내부에 제공되는 임의의 컴포넌트들, 이를테면 이동식 컴포넌트들일 수 있다. 예시적인 이동식 컴포넌트는, 밸브, 이를테면 게이트 밸브를 포함하지만 이에 제한되지 않는다. 드라이브들은, 진공 시스템에서 기판들 및/또는 캐리어(carrier)들의 운반에 사용되는 드라이브들, 기판 및/또는 마스크 정렬을 위한 드라이브들 또는 액추에이터(actuator)들, 인접한 진공 영역들 또는 챔버들을 분리하는 밸브들(이를테면, 게이트 밸브들)을 위한 드라이브들 등을 포함할 수 있다.
[0021] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 예비-세정 및 플라즈마 세정은 각각, 증착 프로세스 동안 사용되는 하나 이상의 마스크 디바이스들, 이를테면 섀도우 마스크들의 세정을 포함한다. 특히, 마스크들은, 마스크들이 생산 프로세스에서 사용되기 전에 원격 플라즈마로 처리될 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 이상의 마스크 디바이스들은, 로드 록(load lock) 챔버 또는 이러한 목적에 전용인 챔버(이를테면, 세정 챔버)에서 특정 시간 동안 플라즈마-세정될 수 있다. 예비-세정 및 플라즈마 세정은, 동일한 위치(이를테면, 로드 록 챔버 또는 세정 챔버)에 있는 하나 이상의 마스크 디바이스들에 대해 수행될 수 있다. 다른 예에서, 예비-세정 및 플라즈마 세정은 상이한 위치들에서 수행될 수 있다. 일 예로서, 예비-세정은 진공 시스템 외부에서 수행될 수 있다. 예비-세정 이후, 하나 이상의 마스크 디바이스들은 예컨대 로드 록 챔버 또는 세정 챔버 내로 이동될 수 있고, 원격 플라즈마 소스를 사용하는 플라즈마 세정이 수행될 수 있다.
[0022] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 방법(100)은, 진공 시스템, 또는 진공 시스템의 부분들의 유지보수(maintenance) 절차 이후에 수행된다. 특히, 유지보수 이후의 습식 세정은, OLED 대량 생산을 위한 적절한 청결 레벨들을 달성하기에 충분하지 않을 수 있다. 제1 세정 절차(즉, 예비-세정) 이후의 제2 세정 절차(즉, 플라즈마 세정)는, 증착 프로세스(이를테면, 열 증발 프로세스) 동안 증착되는 유기 재료들의 층들의 품질을 개선할 수 있는 청결 레벨들을 보장할 수 있다.
[0023] "유지보수 절차"라는 용어는, 진공 시스템이 다양한 태스크(task)들을 수행할 수 있게 하기 위해 동작되지 않는다는 의미, 이를테면 진공 시스템, 또는 진공 시스템의 부분들의 정비 및/또는 초기 설치로 이해될 수 있다. 유지보수 절차는, 주기적으로, 예컨대 미리결정된 정비 간격들로 수행될 수 있다. 방법(100)은, 유지보수 절차의 완료 이후의, 진공 시스템, 또는 진공 시스템의 부분들의 기본 세정을 위한 방법일 수 있다.
[0024] 일부 구현들에서, 플라즈마 세정은, 로드 록 챔버, 세정 챔버, 진공 증착 챔버, 진공 프로세싱 챔버, 이송 챔버, 라우팅 모듈(routing module), 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택되는, 진공 시스템의 하나 이상의 (진공) 챔버들에서 수행된다. 예비-세정은, 플라즈마 세정이 수행되는 챔버와 동일한 챔버에서 수행될 수 있다. 대안적으로, 예비-세정은, 상이한 위치들, 이를테면, 상이한 챔버 또는 진공 시스템의 외부에서 수행될 수 있다. 일부 실시예들에 따르면, 예비-세정은 대기(atmosphere) 하에서 수행되고 그리고 플라즈마 세정은 진공 하에서 수행된다.
[0025] 본원에 설명된 다른 실시예들과 결합될 수 있는 일부 실시예들에 따르면, 진공 챔버 내의 압력은, 플라즈마 세정 프로세스의 경우, 10 mbar 또는 그 미만, 구체적으로는 10-1 mbar 또는 그 미만, 그리고 더 구체적으로는 10-2 mbar또는 그 미만으로 감소된다. 압력은, 예비-세정 이후에 기술적 진공을 설정하도록 감소될 수 있다. 일 예로서, 진공 챔버 내의 압력은, 10-2 mbar 내지 10 mbar의 범위, 구체적으로는 10-1 mbar 내지 2 mbar의 범위, 그리고 더 구체적으로는 10-1 mbar and 1.5 mbar의 범위 내에 있을 수 있다. 진공 챔버 내부에 기술적 진공을 생성하기 위한, 진공 챔버에 연결되는 하나 이상의 진공 펌프들, 이를테면 터보(turbo) 펌프들 및/또는 크라이오 펌프(cryo-pump)들이 제공될 수 있다.
[0026] 방법(100)은 예비-세정을 포함하며, 예비-세정은, 하나 이상의 예비-세정 절차들을 포함할 수 있다. 예비-세정은, 진공 챔버 내의 압력이 플라즈마 세정을 수행하도록 감소되기 전에 수행될 수 있다. 하나 이상의 예비-세정 절차들은, 예컨대, 습식 화학적 세정 프로세스를 포함할 수 있다.
[0027] 다음에서, 원격 플라즈마 소스를 사용하는 본 개시내용에 따른 방법이 설명된다. 첫째로, 진공 시스템, 또는 진공 시스템의 부분(들)이, 예컨대 습식 화학적 세정을 사용하여 예비-세정될 수 있다. 그런 다음, 예컨대, 약 0.1 내지 약 5 mbar의 진공 압력이 펌핑에 의해 진공 챔버 내부에 설정된다. 그 후, 개선된 청결 레벨을 제공하기 위해, 원격 플라즈마 소스가 시작되고 플라즈마 세정이 수행된다.
[0028] 도 2는, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 방법(200)의 흐름도를 도시한다. 방법(200)은, 본 개시내용에 따른, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법의 양상들을 포함할 수 있다.
[0029] 방법(200)은, 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위한 예비-세정을 수행하는 단계(블록 110), 진공 시스템의 적어도 부분을 세정하기 위해, 원격 플라즈마 소스를 사용하여 플라즈마 세정을 수행하는 단계(블록 120), 및 기판 상에 유기 재료의 하나 이상의 층들을 증착하는 단계(블록 230)를 포함한다.
[0030] 최종 세정 절차로서의 플라즈마 세정은, 진공 시스템의 청결 레벨을 상당히 개선할 수 있다. 최종 세정 절차로서의 플라즈마 세정은, 표준 가스 크로마토그래피 - 질량 분석법(GCMS) 절차를 사용하여 측정될 때, 10-9 grams/cm2 미만의 범위 내에 있는 세정된 아이템들의 청결 레벨을 제공할 수 있다. 따라서, 진공 상태들, 및 그에 따른, 기판 상에 증착되는 유기 재료의 층들의 품질이 개선될 수 있다.
[0031] 도 3은 본원에 설명된 실시예들에 따른, OLED 디바이스들을 제조하기 위한 기판 상의 진공 증착을 위한 장치(300)를 도시한다.
[0032] 장치(300)는, 진공 챔버(310), 진공 챔버(310)에 연결되는 원격 플라즈마 소스(320), 및 최종 세정 절차로서 플라즈마 세정을 수행하도록 원격 플라즈마 소스(320)에 연결되는 제어기(330)를 포함한다. 특히, 제어기(330)는, 본 개시내용의, OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위한 방법을 구현하도록 구성될 수 있다.
[0033] 진공 챔버(310)는, 로드 록 챔버, 세정 챔버, 진공 증착 챔버, 진공 프로세싱 챔버, 이송 챔버, 라우팅 모듈, 및 이들의 임의의 조합으로 이루어진 그룹으로부터 선택될 수 있다. 일 예로서, 진공 챔버(310)는, 기판 상의 유기 재료의 증착에 사용되는 진공 프로세싱 챔버일 수 있다.
[0034] 하나 이상의 진공 펌프들(340), 이를테면 터보 펌프들 및/또는 크라이오 펌프들이, 진공 챔버(310) 내부에 기술적 진공을 생성하기 위해, 예컨대 하나 이상의 튜브들(이를테면, 벨로우(bellow) 튜브들)을 통해 진공 챔버(310)에 연결될 수 있다. 제어기(330)는 추가로, 예컨대 플라즈마 세정 절차 이전에, 진공 챔버(310) 내의 압력을 감소시키게 하나 이상의 진공 펌프들(340)을 제어하도록 구성될 수 있다.
[0035] 본 개시내용 전체에 걸쳐 사용되는 바와 같은 "진공"이라는 용어는, 예컨대 10 mbar 미만의 진공 압력을 갖는 기술적 진공의 의미로 이해될 수 있다. 진공 챔버 내의 압력은, 10-5 mbar 내지 약 10-8 mbar, 구체적으로는 10-5 mbar 내지 10-7 mbar, 그리고 더 구체적으로는 약 10-6 mbar 내지 약 10-7 mbar일 수 있다.
[0036] 원격 플라즈마 소스(320)는, 가스 주입 포인트(322)에서 진공 챔버(310)에 연결된다. 일 예로서, 원격 플라즈마 소스(320)는, 예컨대 플랜지(flange)를 사용하여, 진공 기밀식으로(vacuum tightly) 진공 챔버(310)에 연결될 수 있다. 일부 구현들에서, 가스 유입 매니폴드(gas inlet manifold), 이를테면 샤워헤드(showerhead)가 가스 주입 포인트(322)에, 예컨대 진공 챔버(310) 내부에서 제공될 수 있다. 가스 유입 매니폴드는, 진공 챔버(310) 내부에 (반응성) 가스를 고르게 분배하도록 구성될 수 있다. 가스 유입 매니폴드는, 진공 챔버(310) 내부에서의 균일한 세정 프로세스를 제공할 수 있다.
[0037] 일부 실시예들에 따르면, 장치(300)는, 내부에 유기 재료들을 갖는 디바이스들(이를테면, OLED 디바이스들)의 제조를 위한 진공 프로세싱 시스템에 포함될 수 있다. 일 예로서, 장치(300)는, 기판 상의 하나 이상의 유기 재료들의 증착을 위해 구성되는 진공 챔버에서, 하나 이상의 재료 증착 소스들(이를테면, 증발 소스들)을 포함할 수 있다.
[0038] 진공 프로세싱 시스템, 및 특히, 장치는, 진공 챔버(310)에서의 캐리어(이를테면, 기판 캐리어 및/또는 마스크 캐리어(360))의 무접촉 운반을 위해 구성되는 운반 어레인지먼트(arrangement)(350)를 포함할 수 있다. 일 예로서, 마스크(20)의 플라즈마 세정은, 진공 프로세싱 챔버 또는 별개의 세정 챔버일 수 있는 진공 챔버(310) 내에 마스크 캐리어(360)에 의해 마스크(20)가 홀딩(hold)된 채로 수행될 수 있다.
[0039] 일부 구현들에서, 진공 프로세싱 시스템은, 진공 챔버(310) 내에, 하나 이상의 재료 증착 소스들(도시되지 않음), 이를테면 하나 이상의 증발 소스들을 포함한다. 진공 프로세싱 시스템은, 예컨대, OLED 디바이스들의 제조를 위한 유기 재료의 증발을 위해 구성될 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 이상의 재료 증착 소스들은, 증발 소스들, 및 특히, OLED 디바이스의 층을 형성하기 위해 기판 상에 하나 이상의 유기 재료들을 증착하기 위한 증발 소스들일 수 있다. 예컨대 층 증착 프로세스 동안 기판(10)을 지지하도록 추가적으로 구성될 수 있는 마스크 캐리어(360)는, 진공 챔버(310) 내로 그리고 진공 챔버(310)를 통해 운반될 수 있으며, 특히, 증착 영역을 통해 운반 경로(이를테면, 선형 운반 경로)를 따라 운반될 수 있다.
[0040] 도 3에 표시된 바와 같이, 진공 챔버(310)에 인접하게 추가적인 챔버들이 제공될 수 있다. 진공 챔버(310)는 밸브 하우징(housing)(304) 및 밸브 유닛(306)을 갖는 밸브에 의해 인접한 챔버들로부터 분리될 수 있다. 상부에 마스크(20) 및/또는 기판이 있는 캐리어가 화살표에 의해 표시된 바와 같이 진공 챔버(310) 내로 삽입된 후, 밸브 유닛(306)이 폐쇄될 수 있다. 진공 챔버(310) 내의 대기는, 예컨대 플라즈마 세정 이전에, 예를 들어, 진공 챔버(310)에 연결되는 진공 펌프들을 통해 기술적 진공을 생성함으로써 개별적으로 제어될 수 있다.
[0041] 일부 구현들에서, 진공 프로세싱 시스템은, 진공 챔버(310)를 통해 연장되는 하나 이상의 운반 경로들을 포함할 수 있다. 캐리어는, 하나 이상의 운반 경로들을 따르는, 예컨대, 하나 이상의 재료 증착 소스들을 지나는 운반을 위해 구성될 수 있다. 하나의 운반 경로가 화살표에 의해 예시적으로 표시되지만, 본 개시내용은 그에 제한되지 않으며, 2개 이상의 운반 경로들이 제공될 수 있음이 이해되어야 한다. 일 예로서, 개개의 캐리어들의 운반을 위해, 적어도 2개의 운반 경로들이 실질적으로 서로 평행하게 배열될 수 있다. 하나 이상의 재료 증착 소스들이 2개의 운반 경로들 사이에 배열될 수 있다.
[0042] 운반 어레인지먼트(350)는, 예컨대, 운반 방향으로의 하나 이상의 운반 경로들을 따르는, 진공 챔버(310)에서의 캐리어(이를테면, 마스크 캐리어(360))의 무접촉 부양 및/또는 무접촉 운반을 위해 구성될 수 있다. 캐리어의 무접촉 부양 및/또는 운반은, 예컨대 가이드 레일들과의 기계적 접촉으로 인한 입자들이 운반 동안 생성되지 않는다는 점에서 유익하다. 무접촉 부양 및/또는 운반을 사용할 때 입자 생성이 최소화되므로, 기판 상에 증착되는 층들의 개선된 순도 및 균일성이 제공될 수 있다.
[0043] 도 4는 본원에 설명된 실시예들에 따른, 유기 재료들을 갖는 디바이스들의 제조를 위한 시스템(400)의 개략도를 도시한다. 시스템(400)은, 본원에 설명된 실시예들에 따른 방법들 및 장치를 사용하여 세정될 수 있다.
[0044] 시스템(400)은, 2개 이상의 프로세싱 영역들, 및 기판(10)(및 선택적으로는 마스크)을 지지하는 캐리어(401)를 2개 이상의 프로세싱 영역들로 순차적으로 운반하도록 구성되는 운반 어레인지먼트(460)를 포함한다. 일 예로서, 운반 어레인지먼트(460)는, 기판 프로세싱을 위해, 2개 이상의 프로세싱 영역들을 통해 운반 방향(2)을 따라 캐리어(401)를 운반하도록 구성될 수 있다. 다시 말해서, 다수의 프로세싱 영역들을 통한 기판(10)의 운반에 대해 동일한 캐리어가 사용된다. 특히, 기판(10)은, 일 프로세싱 영역에서의 기판 프로세싱과 후속 프로세싱 영역에서의 기판 프로세싱 사이에서 캐리어(401)로부터 제거되지 않는데, 즉, 기판은, 2개 이상의 기판 프로세싱 절차들 동안 동일한 캐리어 상에 머무른다.
[0045] 도 4에 예시적으로 예시된 바와 같이, 2개 이상의 프로세싱 영역들은, 제1 증착 영역(408) 및 제2 증착 영역(412)을 포함할 수 있다. 선택적으로, 제1 증착 영역(408)과 제2 증착 영역(412) 사이에 이송 영역(410)이 제공될 수 있다. 하나의 진공 챔버에서 복수의 영역들, 이를테면 2개 이상의 프로세싱 영역들 및 이송 영역이 제공될 수 있다. 대안적으로, 복수의 영역들은, 서로 연결되는 상이한 진공 챔버들에서 제공될 수 있다. 일 예로서, 각각의 진공 챔버는 하나의 영역을 제공할 수 있다. 구체적으로, 제1 진공 챔버는 제1 증착 영역(408)을 제공할 수 있고, 제2 진공 챔버는 이송 영역(410)을 제공할 수 있고, 그리고 제3 진공 챔버는 제2 증착 영역(412)을 제공할 수 있다. 일부 구현들에서, 제1 진공 챔버 및 제3 진공 챔버는 "증착 챔버들"로 지칭될 수 있다. 제2 진공 챔버는 "프로세싱 챔버"로 지칭될 수 있다. 추가적인 진공 챔버들 또는 영역들이 도 4의 예에 도시된 영역들에 인접하게 제공될 수 있다.
[0046] 진공 챔버들 또는 영역들은, 밸브 하우징(404) 및 밸브 유닛(405)을 갖는 밸브에 의해 인접한 영역들로부터 분리될 수 있다. 상부에 기판(10)이 있는 캐리어(401)가 영역(이를테면, 제2 증착 영역(412)) 내로 삽입된 후, 밸브 유닛(405)이 폐쇄될 수 있다. 영역들 내의 대기는, 예컨대 영역들에 연결되는 진공 펌프들을 통해 기술적 진공을 생성함으로써 그리고/또는 예컨대 제1 증착 영역(408) 및/또는 제2 증착 영역(412)에 하나 이상의 프로세스 가스들을 삽입함으로써 개별적으로 제어될 수 있다. 상부에 기판(10)을 갖는 캐리어(401)를 영역들 내로, 영역들을 통해, 그리고 영역들 밖으로 운반하기 위해, 운반 경로, 이를테면 선형 운반 경로가 제공될 수 있다. 운반 경로는, 적어도 부분적으로, 2개 이상의 프로세싱 영역들, 이를테면, 제1 증착 영역(408) 및 제2 증착 영역(412)을 통해, 그리고 선택적으로는 이송 영역(410)을 통해 연장될 수 있다.
[0047] 시스템(400)은 이송 영역(410)을 포함할 수 있다. 일부 실시예들에서, 이송 영역(410)은 생략될 수 있다. 이송 영역(410)은, 회전 모듈, 트랜싯(transit) 모듈, 또는 이들의 조합에 의해 제공될 수 있다. 도 4는, 회전 모듈 및 트랜싯 모듈의 조합을 예시한다. 회전 모듈에서, 트랙(track) 어레인지먼트 및 그 상부에 배열되는 캐리어(들)가 회전 축, 이를테면 수직 회전 축을 중심으로 회전될 수 있다. 일 예로서, 캐리어(들)는, 시스템(400)의 좌측으로부터 시스템(400)의 우측으로 이송될 수 있거나, 그 반대가 또한 가능하다. 트랜싯 모듈은, 캐리어(들)가 상이한 방향들(예컨대, 서로 수직인 방향들)로 트랜싯 모듈을 통해 이송될 수 있도록 교차(crossing) 트랙들을 포함할 수 있다.
[0048] 증착 영역들, 이를테면 제1 증착 영역(408) 및 제2 증착 영역(412) 내에, 하나 이상의 증착 소스들이 제공될 수 있다. 일 예로서, 제1 증착 소스(430)는 제1 증착 영역(408) 내에 제공될 수 있다. 제2 증착 소스(450)는 제2 증착 영역(412) 내에 제공될 수 있다. 하나 이상의 증착 소스들은, OLED 디바이스에 대한 유기 층 스택을 형성하기 위해 기판(10) 상에 하나 이상의 유기 층들을 증착하도록 구성되는 증발 소스들일 수 있다.
[0049] 본원에 설명된 시스템들은, 예컨대 OLED 디스플레이 제조를 위한 대면적 기판들 상의 증발을 위해 활용될 수 있다. 구체적으로, 본원에 설명된 실시예들에 따른 시스템들이 제공되는 기판들은 대면적 기판들이다. 예컨대, 대면적 기판 또는 캐리어는, 약 0.67 m2(0.73 x 0.92 m)의 표면적에 대응하는 GEN 4.5, 약 1.4 m2(1.1 m x 1.3 m)의 표면적에 대응하는 GEN 5, 약 4.29 m2(1.95 m x 2.2 m)의 표면적에 대응하는 GEN 7.5, 약 5.7 m2(2.2 m x 2.5 m)의 표면적에 대응하는 GEN 8.5, 또는 심지어, 약 8.7 m2(2.85 m x 3.05 m)의 표면적에 대응하는 GEN 10일 수 있다. GEN 11 및 GEN 12와 같은 훨씬 더 큰 세대(generation)들 및 대응하는 표면적들이 유사하게 구현될 수 있다. GEN 세대들의 절반 사이즈들이 또한, OLED 디스플레이 제조에서 제공될 수 있다.
[0050] 본 개시내용은, 진공 시스템에 대한 예비-세정 절차 이후, 예컨대 진공 시스템에 대한 최종 세정 절차로서, 원격 플라즈마 소스를 사용한다. 플라즈마 세정은, 진공 챔버 및/또는 진공 시스템의 부품들 또는 컴포넌트들을 처리하는 데 사용될 수 있다. 일 예로서, 플라즈마 세정은, 청결 레벨들을 개선하기 위해 프로세스 개시 전에 또는 생산을 시작하기 전에 진공에서 수행될 수 있다. 처리는, 예컨대, 순수 산소, 또는 질소 또는 아르곤을 갖는 산소 혼합물들의 원격 플라즈마로 특정 시간 동안 수행될 수 있다. 청결 레벨들이 상당히 향상될 수 있고, 기판 상에 증착되는 층들의 품질이 개선될 수 있다.
[0051] 전술한 내용이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있으며, 본 개시내용의 범위는 하기의 청구항들에 의해 결정된다.

Claims (15)

  1. OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치로서,
    상기 진공 시스템의 진공 챔버로부터 분리된 원격(remote) 챔버;
    상기 원격 챔버를 상기 진공 시스템의 상기 진공 챔버에 연결하기 위한 연결 유닛(unit);
    상기 원격 챔버에서 반응 가스들을 활성화하는 것에 의해 플라즈마를 생성하기 위한 가스 활성화 유닛; 및
    상기 진공 시스템의 적어도 일부의 플라즈마 세정을 위해 상기 진공 챔버에 플라즈마를 공급하기 위한 공급 유닛을 포함하고,
    상기 플라즈마 세정은 상기 진공 시스템을 동작시키기 전의 최종 세정 절차이고,
    상기 공급 유닛은 상기 진공 시스템의 적어도 일부의 예비-세정(pre-cleaning)의 완료 이후에 상기 진공 챔버에 플라즈마를 공급하도록 제어되는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 장치는 원격 플라즈마 소스인,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 연결 유닛은 플랜지(flange)인,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 반응 가스들은 순수 산소, 또는 아르곤을 갖는 산소 혼합물들인,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  5. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은 10-5 mbar 내지 10-8 mbar의 진공 압력 하에서 수행되는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  6. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은 진공 챔버의 세정을 포함하는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은, 증착 프로세스 동안 사용되는 하나 이상의 마스크(mask) 디바이스들의 세정을 포함하는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 플라즈마를 생성하기 위한 장치.
  8. OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기로서, 상기 제어기는 컴퓨터 프로그램을 포함하며, 상기 컴퓨터 프로그램은,
    상기 진공 시스템의 적어도 일부의 예비-세정의 완료를 확인하는 단계;
    상기 진공 시스템에서 진공 챔버의 압력을 감소시키기 위해 진공 펌프들 중 적어도 하나를 제어하는 단계;
    원격 플라즈마를 생성하도록 상기 원격 플라즈마 소스에 지시하는 단계;
    상기 진공 시스템의 상기 일부의 플라즈마 세정을 위해 상기 진공 시스템의 상기 진공 챔버에 원격 플라즈마를 공급하도록 진공 시스템의 공급 유닛에 지시하는 단계; 및
    상기 플라즈마 세정의 완료를 확인하는 단계를 포함하는 단계들을 수행하고,
    상기 플라즈마 세정은 상기 진공 시스템을 동작시키기 전의 최종 세정 절차이고,
    상기 공급 유닛은 상기 진공 시스템의 적어도 일부의 예비-세정의 완료 이후에 상기 진공 챔버에 플라즈마를 공급하도록 제어되는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 예비-세정은 대기 하에서 수행되고 상기 플라즈마 세정은 진공 하에서 수행되는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
  10. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은 아르곤을 갖는 산소 혼합물들의 플라즈마를 사용하는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
  11. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은 10-5 mbar 내지 10-8 mbar의 진공 압력 하에서 수행되는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
  12. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은 진공 챔버의 세정을 포함하는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
  13. 제8항 또는 제9항에 있어서,
    상기 플라즈마 세정은, 증착 프로세스 동안 사용되는 하나 이상의 마스크 디바이스들의 세정을 포함하는,
    OLED 디바이스들의 제조에서 사용되는 진공 시스템을 세정하기 위해 원격 플라즈마 소스를 제어하기 위한 제어기.
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102018220677A1 (de) * 2018-11-30 2020-06-04 Siemens Aktiengesellschaft Vorrichtung zum Beschichten eines Bauelements sowie Reinigungseinrichtung und Verfahren zum Reinigen einer Beschichtungseinrichtung zum Beschichten wenigstens eines Bauelements
CN112867574A (zh) 2019-01-30 2021-05-28 应用材料公司 用于清洁真空系统的方法、用于真空处理基板的方法、及用于真空处理基板的设备
KR20210121131A (ko) * 2019-01-30 2021-10-07 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진공 시스템을 세정하기 위한 방법, 기판의 진공 프로세싱을 위한 방법, 및 기판을 진공 프로세싱하기 위한 장치
CN113412166B (zh) * 2019-02-12 2024-02-20 应用材料公司 用于清洁真空腔室的方法、用于真空处理基板的方法以及用于真空处理基板的设备
CN110184571A (zh) * 2019-05-07 2019-08-30 天津君盛天成科技发展有限公司 高功率脉冲涂装方法
WO2021096115A1 (ko) * 2019-11-11 2021-05-20 (주)더숨 Oled 제조용 마스크 및 oled 제조 방법
WO2021240210A1 (en) * 2020-05-26 2021-12-02 Applied Materials, Inc. Method for cleaning a vacuum chamber, method for vacuum processing of a substrate, and apparatuses for vacuum processing a substrate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002100624A (ja) * 2000-04-21 2002-04-05 Applied Materials Inc 希釈した遠隔プラズマ洗浄
US20090056743A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Soo Young Choi Method of cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02308534A (ja) 1989-05-24 1990-12-21 Toshiba Corp 半導体基板の薄膜形成装置
JP2644912B2 (ja) * 1990-08-29 1997-08-25 株式会社日立製作所 真空処理装置及びその運転方法
EP1081751A3 (en) * 1999-09-02 2003-03-19 Applied Materials, Inc. Methods of pre-cleaning dielectric layers of substrates
US6835278B2 (en) * 2000-07-07 2004-12-28 Mattson Technology Inc. Systems and methods for remote plasma clean
JP2003197605A (ja) 2001-12-28 2003-07-11 Shibaura Mechatronics Corp ドライエッチング装置およびそのドライクリーニング方法
US8900366B2 (en) * 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2004146184A (ja) * 2002-10-24 2004-05-20 Konica Minolta Holdings Inc 有機ｅｌ素子の製造装置
KR20040073777A (ko) 2003-02-14 2004-08-21 주식회사 세실플라즈마 플라즈마 세정장치 및 이를 이용한 연속적 플라즈마세정방법
CN100403556C (zh) * 2003-04-01 2008-07-16 友达光电股份有限公司 有机发光二极管面板的制作方法
JP2005043052A (ja) 2003-07-22 2005-02-17 Hitachi High-Technologies Corp 異物検出方法、処理装置および異物管理システム
US20060105114A1 (en) 2004-11-16 2006-05-18 White John M Multi-layer high quality gate dielectric for low-temperature poly-silicon TFTs
US20060289397A1 (en) * 2005-05-16 2006-12-28 Imad Mahawili Arc plasma jet and method of use for chemical scrubbing system
JP2009543355A (ja) * 2006-07-03 2009-12-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 進歩型フロントエンド処理のためのクラスターツール
JP5043394B2 (ja) 2006-09-29 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 蒸着装置およびその運転方法
EP1998389B1 (en) * 2007-05-31 2018-01-31 Applied Materials, Inc. Method of cleaning a patterning device, method of depositing a layer system on a substrate, system for cleaning a patterning device, and coating system for depositing a layer system on a substrate
KR101440282B1 (ko) 2007-07-11 2014-09-17 주성엔지니어링(주) 플라즈마 세정 방법
US7678715B2 (en) 2007-12-21 2010-03-16 Applied Materials, Inc. Low wet etch rate silicon nitride film
DE112009003614T5 (de) 2008-11-14 2013-01-24 Tokyo Electron Ltd. Substratbearbeitungssystem
JP2010153088A (ja) * 2008-12-24 2010-07-08 Hitachi High-Technologies Corp 有機ｅｌ用マスククリーニング装置、有機ｅｌディスプレイの製造装置、有機ｅｌディスプレイおよび有機ｅｌ用マスククリーニング方法
KR20120090996A (ko) * 2009-08-27 2012-08-17 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인-시튜 챔버 세정 후 프로세스 챔버의 제염 방법
US20110220148A1 (en) * 2010-03-12 2011-09-15 Tokyo Electron Limited Method for performing preventative maintenance in a substrate processing system
KR20130057794A (ko) * 2011-11-24 2013-06-03 삼성디스플레이 주식회사 증착용 마스크 및 증착용 마스크의 제조 방법
CN105009319B (zh) 2013-03-04 2017-09-05 应用材料公司 用于oled薄膜封装的含氟等离子体聚合的hmdso
US9142393B2 (en) * 2013-05-23 2015-09-22 Asm Ip Holding B.V. Method for cleaning reaction chamber using pre-cleaning process
KR20160006073A (ko) * 2014-07-08 2016-01-18 주식회사 코디에스 마스크 세정 장치 및 마스크 세정 방법
KR20160123575A (ko) * 2015-04-16 2016-10-26 삼성전자주식회사 전자 소자 제조 장치와 세정 방법 및 이를 이용한 전자 소자의 제조 방법
KR20170022310A (ko) * 2015-08-20 2017-03-02 (주) 주원테크 Ｌｅｄ 패키지 공정용 보이드 제거 및 플라즈마 세정 복합 장치

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002100624A (ja) * 2000-04-21 2002-04-05 Applied Materials Inc 希釈した遠隔プラズマ洗浄
US20090056743A1 (en) * 2007-08-31 2009-03-05 Soo Young Choi Method of cleaning plasma enhanced chemical vapor deposition chamber

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