RU2787908C1 - Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме - Google Patents
Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме Download PDFInfo
- Publication number
- RU2787908C1 RU2787908C1 RU2022105449A RU2022105449A RU2787908C1 RU 2787908 C1 RU2787908 C1 RU 2787908C1 RU 2022105449 A RU2022105449 A RU 2022105449A RU 2022105449 A RU2022105449 A RU 2022105449A RU 2787908 C1 RU2787908 C1 RU 2787908C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mask
- substrate
- ferromagnetic material
- bimetallic
- configuration
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 77
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 claims abstract description 26
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 22
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 10
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 7
- 230000005291 magnetic Effects 0.000 claims abstract description 6
- 229910000906 Bronze Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 239000010974 bronze Substances 0.000 claims abstract description 4
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium(0) Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 4
- 238000005507 spraying Methods 0.000 abstract description 5
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 abstract description 4
- 230000003993 interaction Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 26
- 230000005294 ferromagnetic Effects 0.000 description 10
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective Effects 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminum Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002889 diamagnetic material Substances 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011888 foil Substances 0.000 description 1
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003999 initiator Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010970 precious metal Substances 0.000 description 1
- 230000002393 scratching Effects 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
Images
Abstract
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме. Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме, включает маску из ферромагнитного материала, расположенную с лицевой стороны подложки, и магниты в виде полос с чередующимися полюсами и с плоской верхней поверхностью, расположенные с противоположной по отношению к упомянутой маске тыльной стороны подложки, корпус с плоской верхней поверхностью и плоским гнездом для подложки, и с выступами на его плоской верхней поверхности. Между маской из ферромагнитного материала и лицевой поверхностью подложки расположена биметаллическая маска из бериллиевой бронзы с нанесенным слоем никеля. В упомянутом корпусе, биметаллической маске и маске из ферромагнитного материала выполнены посадочные отверстия по две штуки с каждой стороны подложки, каждое из которых заходит на 0,4-0,5 диаметра на плоскость подложки. Биметаллическая маска и маска из ферромагнитного материала прижаты к подложке прижимной рамкой из ферромагнитного материала, имеющей отверстия для ее фиксации на выступах на упомянутом корпусе. Обеспечивается увеличение точности получения конфигурации слоев при напылении через маску, а также устранение взаимодействия поля постоянных магнитов, расположенных на тыльной стороне подложки, с магнитным полем магнетронных источников распыления материалов. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Description
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме.
В ряде случаев получение заданной конфигурации пленок, напыляемых в вакууме, производят при помощи свободных масок. Так, например, для создания заданной конфигурации многослойных энергетических пленок типа CuO/Al используют маски из кремния [1]. Использование жидкостной фотолитографии для получения заданной конфигурации таких пленок недопустимо из-за снижения энергетических параметров (теплоты реакции, скорости распространения фронта горения и т.п.). Необходимо использовать свободные маски для напыления таких пленок. Причем конфигурация получаемых пленок должна с высокой точностью соответствовать конфигурации слоев, наносимых ранее до нанесения многослойных энергетических пленок (например, проводников и контактных площадок, сформированных методами фотолитографии). Для обеспечения плотного прижатия маски к подложке с целью недопущения так называемых «подпылов», используют устройства с ферромагнитными масками.
Известно устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке [2]-аналог, наносимой на подложку, содержащее металлическую маску из ферромагнитного материала, размещенную на лицевой стороне подложки, и магнит, расположенный с противоположной по отношению к маске стороны подложки, удерживающий и прижимающий маску к подложке. Для защиты тыльной стороны подложки от механических повреждений между плоскостью магнита и подложкой введена прокладка из диамагнитного материала.
Недостатками данного устройства являются: 1 - недостаточно высокая точность получения заданной конфигурации пленок вследствие применения толстых (0,1 мм и выше) ферромагнитных масок; 2 - трудности с совмещением рисунков слоев, полученных методами фотолитографии, с рисунками слоя, полученного через ферромагнитную маску (отсутствуют элементы коррекции относительного расположения маски и подложки). Точность совмещения слоев зависит от технологических допусков изготовления ферромагнитных масок и точности изготовления гнезда для установки подложки, и установочных штифтов (выступов) для крепления маски; 3 - материал ферромагнитной маски из никельсодержащего сплава (29НК) не позволяет производить химическую очистку от осаждаемых пленок (например, Ni/Al) после нескольких циклов напыления, так как химические травители будут воздействовать и на материал масок.
Признаки аналога, общие с предлагаемым устройством для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме, это применение маски, расположенной на лицевой стороне подложки и применение магнитов, расположенных с тыльной стороны подложки.
Известно устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий [3] - прототип, в котором используется маска из ферромагнитного материала, расположенная с лицевой стороны подложки, и магнит с плоской поверхностью, расположенный с противоположной к маске стороны подложки. Кроме того, устройство содержит прижимные винты, фиксирующие положение подложки в гнезде и выступы на плоской верхней поверхности, фиксирующие положение маски, снабженной посадочными отверстиями под вышеупомянутые выступы.
Недостатками такого устройства являются: п.п. 1-3, перечисленные в аналоге [2], а также то, что поле постоянных магнитов может взаимодействовать с полем постоянных магнитов, расположенных в конструкции распыляемых мишеней, при использовании метода магнетронного распыления материалов для получения многослойных энергетических пленок. Это взаимодействие может привести к реакции (вспышке) осаждаемых пленок на поверхности подложек.
Признаки прототипа, общие с предлагаемым устройством для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме, применение маски, расположенной на лицевой стороне подложки и применение магнитов, расположенных с тыльной стороны подложки, и корпуса с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение подложки.
Технический результат, достигаемый в предложенном устройстве, заключается в:
1 - увеличении точности совмещения конфигурации слоев, полученных методами фотолитографии и методами напыления через маску;
2 - увеличении точности получения конфигурации слоев при напылении через маски;
3 - возможности химической очистки маски от напыляемых слоев;
4 - устранении взаимодействия поля постоянных магнитов, расположенных на тыльной стороне подложки, с магнитным полем магнетронных источников распыления материалов.
Достигается это тем, что в устройстве, содержащем маску, расположенную с лицевой стороны подложки, и корпус с посадочными гнездами, в которых фиксируется положение подложки, магнитами, расположенными в корпусе со стороны тыльной поверхности подложки, маска выполнена в виде биметаллической маски (например, основа- фольга из бериллиевой бронзы, толщиной 0,1 мм, покрытая с одной стороны тонким слоем никеля, толщиной 5-10 мкм). Такая конструкция маски широко используется в технологии изготовления микросхем. Тонкий слой никеля позволяет получить высокую точность напыляемых через маску слоев материалов. Для прижатия биметаллической маски к подложке используется дополнительная маска из ферромагнитного материала (никель, ковар и т.п) толщиной 0,1 мм с конфигурацией отверстий и линий, превышающей конфигурацию отверстий и линий на биметаллической маске на величину не менее 0,1 мм. Ферромагнитная маска благодаря своей гибкости позволяет плотно прижимать биметаллическую маску к поверхности подложки, тем самым не допускать «подпыла» материала.
Корпус устройства изготавливается из ферромагнитного материала, в котором выполняются углубления для плоских магнитов, которые монтируются в виде полос с чередующимися полюсами. Такая конструкция корпуса из ферромагнитного материала позволяет быстро крепить устройство на вертикальных подложкодержателях, оборудованных встроенными магнитами
Биметаллическая маска и маска из ферромагнитного материала покрываются с двух сторон пленкой материала, не реагирующей с химическими травителями, используемыми для очистки масок от напыляемых слоев. Для напыляемых многослойных пленок типа CuO/Al, Ni/Al целесообразно использовать защитные пленки из титана и тантала, которые не взаимодействуют с химическими травителями никеля и алюминия. Возможно использование защитных пленок из драгоценных металлов: платины, золота, палладия и т.п.
На подложке 60×48×0,5 мм может размешаться до 200-400 модулей со структурой резистивный мостик, контактные площадки к резистивному мостику, многослойная энергетическая пленка типа CuO/Al. Конфигурация резистивного мостика и контактных площадок выполняются методами фотолитографии, а конфигурация пленки CuO/Al напылением слоев через ферромагнитную маску. Модули на подложке группируются на области (оптимальное число 6 областей), разделенные перемычками, под которыми с тыльной стороны подложки размещены магниты. Для устранения влияния магнитного поля предусмотрена дополнительная прижимная рамка, толщиной (0,2-0,3) мм. Конфигурация прижимной рамки повторяет конфигурацию областей на подложке и конфигурацию перемычек. Такая толщина (0,2-0.3) мм достаточна для замыкания магнитного поля, проникающего через маски. Увеличение толщины приводит к увеличению габаритов устройства, а уменьшение толщины менее 0,2 мм не полностью устраняет влияние магнитного поля. Прижимная рамка позволяет увеличить усилие прижатия биметаллической и ферромагнитной масок к поверхности подложек и не допустить их сдвига в процессе напыления пленок в вакууме.
Для точного совмещения слоев на подложке предусмотрены отверстия в корпусе и маске по 2 шт с каждой стороны подложки и заходящие на (0,4-0,5) диаметра отверстия на проекцию края подложки. При помощи конусных игл, вставляемых в отверстия, производится сдвиг подложки в двух перпендикулярных направлениях; при этом производится визуальное совмещение (под микроскопом) слоев материалов, нанесенных на подложку с конфигурацией, выполненной фотолитографическими методами, с реперными знаками на биметаллической маске. Диаметр конусных игл зависит от диаметра отверстий в маске и выполняется с возможностью свободного перемещения в этих отверстиях (обычно диаметр конусной иглы на (0,1-0,2) мм меньше диаметра отверстия в маске). После выполнения операции совмещения на выступы (штифты) помещается прижимная рамка, которая фиксирует положение масок на подложке. Диаметр отверстий составляет (2-3) мм, что наиболее удобно для проведения операции по сдвигу подложки. При диаметре менее 2 мм уменьшается область перемещения подложки, а при диаметре более 3 мм увеличиваются габариты устройства, что в ряде случаев неприемлемо. Посадочное место (длина и ширина) под подложку выполняется на (0,1-0,2) мм больше, чем возможные допуски на размеры используемых подложек. Такой допуск позволяет при помощи конусных игл производить совмещение слоев с точностью ±20 мкм, что достаточно для изготовления микроэлектронных модулей с применением многослойных энергетических пленок толщиной до (10-20) мкм. Посадочное место под подложку по глубине выполняется также на (0.1-0,2) мм меньше, чем допуск на толщину подложки. Это делается для того, чтобы ферромагнитная маска, располагаемая на лицевой поверхности подложки, плотно прилегала к поверхности подложки без возможных зазоров из-за допусков по толщине на подложки. Между тыльной стороной подложки и поверхностью магнитов, размещенных в корпусе устройства, предусматривается зазор (0,1-0,2) мм, что устраняет причину царапания поверхности подложки, от соприкосновения с магнитами, при ее перемещении.
Размеры элементов (отверстия круглые, прямоугольные, квадратные и т.п.) в ферромагнитной маске, располагаемой на биметаллической маске выполнены не менее чем на 0,1 мм больше размеров элементов в биметаллической маске, тем самым устраняется эффект экранирования при напылении пленок.
Сущность изобретения поясняется чертежами, где на фиг. 1 показана конструкция устройства для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме; на фиг. 2 - конструкция биметаллической маски; на фиг. 3 - конструкция дополнительной маски из ферромагнитного материала; на фиг. 4 - конструкция прижимной рамки с расположением магнитов под тыльной стороной подложки.
Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме (фиг. 1 а, б) включает корпус 1 из ферромагнитного материала, выступы (штифты) 2 для крепления бимметалличекой маски 3, дополнительной прижимной маски из ферромагнитного материала 4, прижимную рамку 5, конусную иглу 6, посадочные отверстия 9, магниты 8, расположенные под тыльной стороной подложки 7 (не входит в состав устройства-показана для наглядности устройства) с зазором 10 (0,1-02) мм между подложкой 7 и магнитами 8. Для наглядности детали 3, 4 и 5 на фиг. 1 показаны разъединенными от устройства.
На фиг. 2 (а, б) показана конструкция биметаллической маски. Здесь: 3 - основа биметаллической маски из бериллиевой бронзы; 12 - тонкий слой никеля, определяющий точность формирования конфигурации напыляемой пленки; 13 - области, где размещаются модули на подложке; 14 - перемычки между областями; 15 - реперные знаки для совмещения слоев на подложке; 16 - отверстия в маске для установки на штифты 2 (фиг. 1); а - зазор между окном в слое никеля и окном в основе маски.
На фиг. 3 показана конструкция прижимной маски из ферромагнитного материала. Здесь: 4 - основа маски из ферромагнитного материала (никель, ковар, сплав 29НК и т.п.); 13 - окна в маске; 14 - перемычки между областями; 15 - реперные знаки для совмещения слоев на подложке; 16 - отверстия в маске для установки на штифты 2 (см. фиг. 1). Размеры и местоположения элементов 13, 14, 15 и 16 соответствуют данным на фиг. 2.
На фиг.4 показана конструкция прижимной рамки. Здесь: 5 - основа прижимной рамки из ферромагнитного материала; 8 - расположение магнитов под тыльной стороной подложки (см. фиг. 1) и напротив перемычек 14; 13 - окна в рамке; 16 - отверстия в рамке для установки на штифты 2 (см. фиг. 1).
Для проверки правильности принятых решений было изготовлено и опробовано в работе устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме. Толщина устройства с подложками из ситалла с размерами 60x48x0,6 мм составила 2,5 мм. Размеры устройства в плане составили 110x70 мм. В устройстве применены магниты размером 10x5x1 мм. После напыления через биметаллическую маску было отмечено хорошее совмещение рисунков слоев без «подпылов».
Источники информации 1. Kaili Zhang, Carole Rossi, Marine Petrantoni, and Nicolas Mauran. A Nano Initiator Realized by Integrating Al/CuO-Based Nanoenergetic Materials With a Au/Pt/Cr Microheater. JOURNAL OF MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS, VOL. 17, NO. 4, AUGUST 2008.
2. Патент РФ №2063473. Устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке. Опубл. 10.07.1996 г.
3. Патент РФ №2432417. Устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий. Опубл. 27.10.2011 г.
Claims (7)
1. Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме, включающее маску из ферромагнитного материала, расположенную с лицевой стороны подложки, и магниты в виде полос с чередующимися полюсами и с плоской верхней поверхностью, расположенные с противоположной по отношению к упомянутой маске тыльной стороны подложки, корпус с плоской верхней поверхностью и плоским гнездом для подложки, и с выступами на его плоской верхней поверхности для фиксации положения маски из ферромагнитного материала, имеющей посадочные отверстия под вышеупомянутые выступы, отличающееся тем, что между маской из ферромагнитного материала и лицевой поверхностью подложки расположена биметаллическая маска из бериллиевой бронзы с нанесенным слоем никеля, при этом в упомянутом корпусе, в биметаллической маске и в маске из ферромагнитного материала выполнены посадочные отверстия по две штуки с каждой стороны подложки, каждое из которых заходит на 0,4-0,5 диаметра на плоскость подложки, при этом биметаллическая маска и маска из ферромагнитного материала прижаты к подложке прижимной рамкой из ферромагнитного материала, имеющей отверстия для ее фиксации на выступах на упомянутом корпусе.
2. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что биметаллическая маска и маска из ферромагнитного материала имеют с двух сторон покрытия из пленки материала, не реагирующего с химическими травителями, используемыми для очистки масок от напыляемых слоев.
3. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что на биметаллической маске, маске из ферромагнитного материала и прижимной рамке выполнены окна, разделенные перемычками, под которыми с упомянутой тыльной стороны подложки в корпусе устройства размещены магниты.
4. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что посадочное место по длине и ширине под подложку выполнено на 0,1-0,2 мм больше, а посадочное место под подложку по глубине выполнено на 0,1-0,2 мм меньше, чем возможные допуски на размеры используемых подложек.
5. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что между тыльной стороной подложки и поверхностью упомянутых магнитов, размещенных в указанном корпусе устройства, выполнен зазор 0,1-0,2 мм.
6. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что отверстия по две штуки с каждой стороны подложки предназначены для перемещения подложки с прижатой к ней биметаллической маской и маской из ферромагнитного материала при помощи конусной иглы с диаметром конусной иглы на 0,1-0,2 мм меньшим диаметра отверстий.
7. Устройство по п. 1, отличающееся тем, что толщина прижимной рамки составляет 0,2-0,3 мм.
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2787908C1 true RU2787908C1 (ru) | 2023-01-13 |
Family
ID=
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
| RU2063473C1 (ru) * | 1994-06-06 | 1996-07-10 | Акционерное общество открытого типа "Рефлектор" | Устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке |
| RU2432417C1 (ru) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" | Устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий |
| RU2586937C1 (ru) * | 2014-11-25 | 2016-06-10 | ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов" | Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку |
| RU2653897C2 (ru) * | 2016-10-18 | 2018-05-15 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя |
| US20190036025A1 (en) * | 2016-01-26 | 2019-01-31 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition mask, method of manufacturing the same and method of manufacturing organic light emitting diode using the vapor deposition mask |
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4022928A (en) * | 1975-05-22 | 1977-05-10 | Piwcyzk Bernhard P | Vacuum deposition methods and masking structure |
| RU2063473C1 (ru) * | 1994-06-06 | 1996-07-10 | Акционерное общество открытого типа "Рефлектор" | Устройство для формирования топологического рисунка в тонкой пленке |
| RU2432417C1 (ru) * | 2010-04-27 | 2011-10-27 | Открытое акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт "ЦИКЛОН" | Устройство для напыления в вакууме тонких слоев многослойных изделий |
| RU2586937C1 (ru) * | 2014-11-25 | 2016-06-10 | ОАО "Научно-исследовательский институт электронных приборов" | Способ напыления в вакууме топологического тонкоплёночного рисунка гибридной микросхемы на подложку |
| US20190036025A1 (en) * | 2016-01-26 | 2019-01-31 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Vapor deposition mask, method of manufacturing the same and method of manufacturing organic light emitting diode using the vapor deposition mask |
| RU2653897C2 (ru) * | 2016-10-18 | 2018-05-15 | Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн") | Устройство для напыления просветляющего покрытия фотопреобразователя |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5989994A (en) | Method for producing contact structures | |
| US8839512B2 (en) | Oblique parts or surfaces | |
| US7811427B2 (en) | Monolithic structures including alignment and/or retention fixtures for accepting components | |
| KR100449308B1 (ko) | 콘택트 구조물을 제조하는 방법 | |
| JP2008274373A (ja) | 蒸着用マスク | |
| KR100743945B1 (ko) | 성막 장치 및 성막 방법 | |
| Burger et al. | High-resolution shadow-mask patterning in deep holes and its application to an electrical wafer feed-through | |
| EP0364747A1 (en) | Reusable evaporation fixture | |
| JP2008151573A (ja) | 電気的接続装置およびその製造方法 | |
| JP2007171139A (ja) | プローブ保持構造およびバネ型プローブ | |
| JPH04233294A (ja) | 基板とユニットとを有する装置 | |
| RU2787908C1 (ru) | Устройство для формирования конфигурации пленок, напыляемых в вакууме | |
| KR20000062849A (ko) | 기판 지지 척위로 웨이퍼 스페이싱 마스크를 제조하는장치 및 방법 | |
| KR20120112615A (ko) | 액침 부재, 액침 부재의 제조 방법, 노광 장치, 및 디바이스 제조 방법 | |
| US6331449B1 (en) | Method of forming a dicing area of a semicondutor substrate | |
| JP2001050981A (ja) | 鍔付きプローブ、鍔付きプローブの製造方法及びプローブカード | |
| US8240650B2 (en) | Chuck with triaxial construction | |
| KR20010051524A (ko) | Ｋｏｈ 엣칭제에 의한 기질 엣칭동안 반도체 기질상에형성된 구조물 표면보호를 위한 금속필름 | |
| EP0593199B1 (en) | Method and apparatus for fabricating a metal interconnection pattern for an integrated circuit module | |
| JPH02151017A (ja) | 露光装置 | |
| US20060238286A1 (en) | Carrier device for magnetizable substrate | |
| JP2002005958A (ja) | プローブカード用測定針、プローブカード及び測定針形成方法 | |
| CN115497819A (zh) | 三维电极的制备方法 | |
| US20110274830A1 (en) | Method for producing a flexible circuit configuration | |
| CN115701841A (zh) | 光学镜片镀膜方法 |