CN1659933A - X射线装置 - Google Patents

Abstract

提供可以大幅度减小设置面积和尺寸减小、重量减轻的逆变器式X射线高压装置和用此装置的X射线装置。对半导体开关器件进行相移PWM控制，控制管电压，在它和直流成分检测电路通过设在高压变压器一次侧的电流检测器，检测逆变器电路输出的直流成分时，利用改变被输入到上述半导体开关器件的驱动电路中的上述相移PWM信号的占空系数，对此直流成分进行修正，把上述逆变器电路的输出电压改正为正负对称的波形，使高压变压器中的磁偏消失，可以减小高压变压器的尺寸，也可以省略DC/DC变换器。

Description

X射线装置

技术领域

本发明涉及用逆变器电路把直流电压变换成高频交流电压，把它输出的交流电压通过变压器施加到X射线管的逆变器式X射线高压装置和利用它的X射线装置。

背景技术

最近，从一般的X射线摄影装置到循环器X射线摄影装置、X射线CT装置广泛适用于医疗用X射线高压装置。对这些X射线高压装置的要求是可以稳定提供需要的管电压，在此基础上，最近为了提高管电压输出范围的宽度和设置的自由度，以可以应对各种各样装置，对减小设置面积和尺寸变小、重量减轻的要求越来越高。

例如特开平9-190898号公报公开了要得到用于管电压控制的宽范围输出而利用脉冲调制(脉冲宽度和相位位移)的逆变器式X射线高压装置。

根据特开平9-190898号公报的内容，利用管电压检测器进行管电压检测，把它与目标值输入到逆变器控制电路，求出逆变器电路的相位差和频率进行控制。可是，对于高压变压器铁心的磁偏和磁饱和要进行下述的增大铁心尺寸的处理。

在此，对铁心的磁偏和磁饱和与铁心尺寸有什么样的关系进行说明。一般，高压变压器在一次侧和二次侧的磁结合部位使用的磁性铁心超过最大磁通密度的话，达到磁通的饱和区域后失去其功能，此外，铁心的磁通密度达到饱和后，由于一次侧的电感急剧减小，要流过大的电流，不仅装置的控制性成为问题，而且在损失和安全方面存在有大的问题。具体说，磁偏稳定后励磁电流的范围向上述稳定方向扩展，因此一次电流增加，会出现产生过热或必须使开关元件的容量增加等不适宜的情况。此外，经过不能修正磁偏的时间后达到磁饱和。达到磁饱和后，也有时会导致一次侧的开关元件和高压变压器的线圈烧毁。

磁通密度取决于流经高压变压器的一次侧的电流的大小、频率、铁心的截面面积。一般为了要避免这样的磁饱和，使高压变压器的铁心截面面积加大。由于在高压变压器的一次侧电流的频率一定的情况下，电流值最大时磁通密度达到最大，所以设计成此时不达到铁心的铁心磁饱和区域。可是，在使用X射线管的负载变动范围大的逆变器式X射线高压装置中，即使流经高压变压器的一次侧的电流值小，也就是在磁通密度小的小负载条件使用的情况下，也有时在高压变压器中产生磁饱和。因此即使在小负载时也会有上述的截面面积不够的情况。

在特开平10-199696号公报中公开了为了满足对X射线高压装置的上述要求，对高压变压器的铁心的磁偏进行修正，避免铁心的磁偏稳定和磁饱和，把铁心尺寸压缩，进而使X射线高压装置变小。在此公开的发明中，上述管电压用DC/DC变换器进行控制，磁偏是改变脉冲宽度进行控制。可是，在特开平10-199696号公报中，由于改变开关元件的开关范围来控制磁偏，所以为了控制管电压要改变开关范围的话，不能控制磁偏。也就是为了控制管电压有必要通过DC/DC变换器。与此前的特开平9-190898号公报相比，仅仅是多了DC/DC变换器部分的电路单元。其结果，即使把铁心做小，仅用于控制管电压的DC/DC变换器部分会使其尺寸增加。结果不能达到为了提高设置自由度而缩小设置面积和使装置尺寸变小和重量减轻。另一方面，正如此前的特开平9-190898号公报已经说明的那样，由于不能控制磁偏，所以不能缩小铁心尺寸。因此，结果是不能达到为了提高设置的自由度而减小设置面积和尺寸变小、重量减轻。

在此，对即使在上述的小负载条件中使用的情况下，在高压变压器中产生磁饱和的情况再进行详细说明。这是半导体开关器件的逆变器输出电压脉冲宽度小、驱动时间短的情况。因半导体开关器件和驱动它的各种各样元件的波动，产生开关范围的波动，而此波动接近上述窄脉冲宽度的话，脉冲形状变得明显地正负不对称，容易引起铁心饱和。

为了避免高压变压器的磁饱和，可以考虑把逆变器电路的控制限定在逆变器输出电压脉冲宽度大、驱动信号长的范围。可是这种情况下，输出变化范围变窄，不适合于最近对高压装置要求的从最小到最大1000倍负载的控制。在这样负载变动范围宽的X射线高压装置中，即使不加大高压变压器的铁心，也希望在整个范围防止铁心的磁饱和。

在上述特开平9-190898号公报中，即使省略了上述特开平10-199696号公报中的DC/DC变换器使装置尺寸变小，由于不能控制磁偏的高压变压器的铁心尺寸增加，结果X射线高压装置的尺寸不变。

或者如上述特开平10-199696号公报那样，因DC/DC变换器的存在造成的尺寸增加，控制管电压，用逆变器电路改变脉冲控制磁偏，即使使高压变压器的铁心尺寸减小，结果X射线高压装置整体的尺寸不变。这样，关于X射线高压装置，要兼顾输出范围宽等的性能方面和缩小设置面积、尺寸减小、重量减轻两方面的课题遗留至今，尚未解决。

本发明的目的在于，得到兼顾输出范围宽等的性能方面和缩小设置面积、尺寸减小、重量减轻两方面的X射线高压装置。更具体地说其目的在于，提供省略用于进行管电压控制的DC/DC变换器，使装置尺寸变小，同时可以进行磁偏控制，可以使高压变压器的铁心尺寸变小的逆变器式X射线高压装置。此外，还在于，提供主要防止因开关元件特性波动产生的高压变压器的磁饱和，可以使高压变压器的铁心尺寸变小的逆变器式X射线高压装置。

发明内容

为了达到上述目的，本发明的逆变器式X射线高压装置具有：直流电源、具有多个半导体开关器件并与上述直流电源连接，把直流电压变换成交流电压的逆变器电路、把用于分别驱动上述多个半导体开关器件的多个驱动电路、一次线圈与此逆变器电路的输出侧连接的高压变压器、被连接在此高压变压器的二次线圈侧的X射线管，其特征在于，还设有控制上述逆变器电路输出电压用的检测控制装置和上述X射线管管电压用的检测控制装置，从上述2个检测控制装置的输出都被输入到上述驱动电路。

此外，本发明的特征在于，来自上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置的输出是在上述逆变器输出电压得到正负非对称的检测结果时，进行脉冲控制，使上述逆变器电路的输出电压变得正负对称的输出，来自上述X射线管管电压用的检测控制装置的输出是为了得到上述目标管电压对上述管电压进行脉冲控制的输出。

本发明的特征在于，上述半导体开关器件是从第1到第4的半导体开关器件，第1和第2开关器件与第3和第4开关器件分别与上述直流电源串联连接，而且第1和第2开关器件与第3和第4开关器件并联连接，当要消除上述输出电压的正负非对称时，利用脉冲控制上述第1和第2开关器件与上述第3和第4开关器件中至少一方的占空系数，使上述逆变器的输出电压为正负对称，上述管电压利用上述第1和第2开关器件与上述第3和第4开关器件之间相位的偏移进行脉冲控制。

此外本发明的特征在于，上述开关器件是IGBT、MOS-FET或双极晶体管。

本发明的特征在于，在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中，至少包括设在上述逆变器电路的输出侧的电流检测器或电压检测装置中的一个。

本发明的特征在于，在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中，至少包括直流成分检测电路或输出电压脉冲失衡检测器中的一个。

本发明的特征在于，作为包含在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中的电流检测器，使用RC滤波器、一级延迟滤波器、二级延迟滤波器或二次以上的高级延迟滤波器中的任一种滤波器。

本发明提供一种X射线CT装置具有：X射线源、与此X射线源相对配置的X射线检测器、保持X射线源和X射线检测器，在被检测体周围旋转驱动的旋转园板、基于上述X射线检测器检测的X射线强度，使此被检测体的断层图像成像的图像再构成装置、和用于向此X射线源提供管电流的具备上述功能的X射线高压装置。

此外本发明还提供一种X射线装置具有：X射线源、夹着被检测体与此X射线源相对置的X射线图像接收装置、和用于向此X射线源提供管电流的具备上述功能的X射线高压装置。

在本发明中搞清了，在磁通密度小的负载条件下产生的高压变压器的磁饱和，由于因逆变器电路的半导体开关器件特性的波动，造成逆变器电路输出电压不能完全正负对称，高压变压器的铁心产生磁偏，此磁偏由于铁心的磁滞特性而积蓄，最终达到铁心的磁饱和区域，由于设置了用于直接或间接检测逆变器电路输出侧逆变器电路的输出电压的正负非对称情况的检测器，设置了用于控制逆变器电路的修正装置，使至少在用此检测器检测时，逆变器电路的输出电压成为正负对称，可以对因构成逆变器电路的半导体开关器件特性波动造成的逆变器输出电压的正负非对称进行改正，可以抑制在小负载条件下变得显著的高压变压器的磁偏，防止高压变压器的磁饱和，可以实现尺寸减小。

此外，在本发明中搞清了，在磁通密度小的负载条件下产生的高压变压器的磁饱和，由于因逆变器电路的半导体开关器件特性的波动造成逆变器电路输出电压不能完全正负对称，高压变压器的铁心产生磁偏，此磁偏由于铁心的磁滞特性而积蓄，最终达到铁心的磁饱和区域，由于设置了用于检测逆变器电路输出侧逆变器电路的输出电压的正负非对称情况的检测器，设置了对给予逆变器电路的半导体开关器件的相移PWM信号加以修正的修正装置，使至少在用此检测器检测时逆变器电路的输出电压成为正负对称，利用用于现有管电压反馈控制电路的结构，可以修正相移PWM信号，以对因构成逆变器电路的半导体开关器件特性波动造成的逆变器输出电压的正负非对称进行改正，可以抑制在小负载条件下变得显著的高压变压器的磁偏，防止高压变压器的磁饱和，可以实现尺寸减小。

附图说明

图1为本发明一个实施方式的逆变器式X射线高压装置的结构框图。

图2为表示图1所示逆变器式X射线高压装置中直流成分检测电路的电路图。

图3为表示图1所示逆变器式X射线高压装置中逆变器输出电流等的特性图。

图4为本发明另一实施方式的逆变器式X射线高压装置结构框图。

图5为表示图1所示逆变器式X射线高压装置中各半导体开关器件中有特性波动时的动作特性图。

图6为表示图1所示逆变器式X射线高压装置中修正时的各半导体开关器件的动作特性图。

图7为本发明另一实施方式的逆变器式X射线高压装置结构框图。

图8为表示装有本发明的逆变器式X射线高压装置的X射线CT装置的图示。

图9为表示装有本发明的逆变器式X射线高压装置的X射线装置的图示。

实施发明的最佳方式

下面根据附图对本发明的实施方式进行详细说明。

图中，分别表示的是，1为商用电源、2为整流电路、3为平滑电容器、4为逆变器电路、5为高压变压器、6为高压整流器、7为管电压检测器、8为X射线管、9～12为半导体开关器件、17为直流成分检测电路、18为相移PWM信号电路、19为管电压反馈控制电路、22为电流检测器。

图1为表示本发明一个实施方式的逆变器式X射线高压装置的电路框图。在三相或单相的商用电源1上连接着整流电路2，在此整流电路2的输出侧连接着平滑电容器3。在此平滑电容器的正和负之间连接着全电桥结构的具有半导体开关器件9、10和半导体开关器件11、12的逆变器电路4，作为此半导体开关器件9～12可以使用IGBT、MOS-FET或双极晶体管等。把高压变压器5的一次侧连接在半导体开关器件9、10之间和半导体开关器件11、12之间。

在此高压变压器5的一次侧连接有电流检测器22，用此电流检测器22检测由半导体开关9～12构成的逆变器电路4的输出电流。此外，在高压变压器5的二次侧连接有高压整流器6，在高压整流  6的输出侧连接着管电压检测器7和X射线管8。

这样构成的X射线高压装置用逆变器电路4把从整流电路2来的直流电压变换成高频交流电压，把此输出的电压通过高压变压器5升压后，用高压整流器6进行整流，把直流电压提供给X射线管8，发射X射线。此时，用管电压检测器7检测施加在X射线管8上的电压，此检测出的管电压检测值21在管电压反馈控制电路19中与管电压目标值20进行比较运算，此后从相移PWM信号电路18发送相移PWM信号，使加在X射线管8上的电压为所希望的电压。利用驱动电路13～16把此信号作为驱动信号提供给各半导体开关器件9～12。

另一方面，在高压变压器5的一次侧设有可以检测直流成分的变流器(DC-CT)等的电流检测器22，设有用直流成分检测电路17检测在用此电流检测器22检测的逆变器电路4输出电流中包含直流成分时，对半导体开关器件的相移PWM信号加以修正的修正装置。此修正装置的构成，象后面详细叙述的那样，用检测逆变器电路4输出电流的直流成分的直流成分检测电路7检测出直流成分时，根据此直流成分输入到半导体开关器件9和半导体开关器件10的驱动电路13、14，对相移PWM信号加以修正。

在此，用图2所示的电路图，对从流经高压变压器5一次侧的逆变器电路4的输出电流取出直流成分的直流成分检测电路17进行说明。

使用此图(a)所示的RC滤波器、同图(b)所示的一级延迟滤波器、同图(c)所示的二级延迟滤波器或二级以上的多级延迟滤波器的话，得到平均的逆变器输出电流。此外此图(d)是检测逆变器电路4输出电流的最大值和最小值的图示，利用它们的差可以检测逆变器电路4的输出电流的偏置。直流成分检测电路17不限于这些示例，只要是从逆变器电路4输出电流取出直流成分的电路就可以。

用这样的直流成分检测电路17检测在逆变器电路4输出电流中的偏置，利用修正装置对控制半导体开关器件9～12的相移PWM信号加以修正，使此偏置消失。高压变压器5的铁心若磁饱和的话，如图3(a)所示，在磁饱和的同时逆变器电路4的输出电流的直流成分增加。使这种情况下的铁心的磁化特性成为此图(c)的话，例如，利用对上述的相移PWM信号加以修正，使在区域α中动作的成为在区域β进行动作。此修正例如使逆变器电路4左桥臂的半导体开关器件9、10的占空系数(Duty Factor)根据逆变器电路4的输出电流中的平均偏置改变。通过此修正，逆变器电路4的输出电流改正成此图(b)那样的稳定的波形。

如上所述，在使用X射线管8的负载变动范围大的逆变器式X射线高压装置中，知道即使在流经高压变压器5的一次侧的电流值小的情况下使用，也就是在磁通密度小的负载条件下使用的情况下，也有时在高压变压器5中产生磁饱和，这成为妨碍使高压变压器5尺寸减小的原因。而且，此现象在半导体开关器件9～12的驱动时间短的情况下，在各半导体开关器件9～12的特性波动造成的时间的长度相对于原来信号的长度的比率大的逆变器电路4的输出小的负载条件下显著。

下面，对控制半导体开关器件9～12的相移PWM信号进行修正的修正装置进行更具体地说明。如图5所示，在构成逆变器电路4的各半导体开关器件中，半导体开关器件9、10不同时为导通，使占空系数为50％进行动作，此外，半导体开关器件11、12也不同时为导通，使占空系数为50％进行动作。各半导体开关器件9～12是理想的完全相同特性的话，被控制成此图实线所示的导通、截止，逆变器电路4的输出电压以完全相同的脉冲宽度形成正负对称。

可是，如图5所示，因半导体开关器件的特性波动，在逆变器电路4的各半导体开关器件9～12中的半导体开关器件12的接通期间为用虚线表示的短的情况下，逆变器电路4的输出电压正负不对称，在负的一侧产生偏置。其结果如图3(a)所示，在逆变器电路4的输出电流中在负的一侧产生直流成分，产生铁心的磁偏。那么用电流检测器22和直流成分检测电路17检测出产生此磁偏的直流成分。

检测到直流成分的直流成分检测电路17根据此直流成分对输入到半导体开关器件9和半导体开关器件10的驱动电路13、14中的相移PWM信号加以修正。也就是如图6的虚线所示，根据检测到的直流成分，使半导体开关器件9的占空系数增加，与此相反使半导体开关器件10的占空系数减小。这样如图6虚线所示，逆变器输出电压被改正成正负对称的波形，使高压变压器5中的磁偏消失，可以防止产生磁饱和。

这样的逆变器式X射线高压装置，由于设置了控制逆变器电路4的修正装置，至少在用电流检测器22检测出直流成分时使其直流成分接近于零，所以可以防止高压变压器5中的磁饱和，特别是在负载变化范围大的逆变器式X射线高压变压器装置中，用于流经高压变压器5的一次侧的电流值小，也就是用于磁通密度小的负载条件下的情况下，而且半导体开关器件9～12的驱动时间短的情况下，可以防止在各半导体开关器件9～12的特性波动造成的时间的长度相对于原来信号的长度比率大的逆变器电路4的输出小的负载条件下变得显著的磁饱和。因此，使一次侧和二次侧的磁耦合保持良好，可以有效利用高压变压器5的功能，此外可以防止因磁饱和产生的逆变器电路4的输出电流的增加。

此外，由于在逆变器电路4输出侧设有检测它的输出电压正负非对称的电流检测器22，设置了对给予逆变器电路4的半导体开关器件9～12的相移PWM信号加以修正的修正装置，使至少在用此检测器22检测时逆变器电路4的输出电压成为正负对称，利用用于现有管电压反馈控制电路19的结构，可以修正相移PWM信号，以对因构成逆变器电路4的半导体开关器件9～12特性波动造成的逆变器输出电压的正负非对称进行修正，可以抑制在小负载条件下变得显著的高压变压器的磁偏，防止高压变压器的磁饱和，可以实现尺寸减小。

在上述的实施方式中，对逆变器电路4的左桥臂的半导体开关器件9、10进行相移PWM信号修正的情况进行了叙述，此修正也可以对逆变器电路4的右桥臂的半导体开关器件11、12进行，或分别对左右两桥臂进行。

图4为表示本发明另一实施方式的逆变器式X射线高压装置结构框图，与图1所示实施方式相同的部分标以相同标号，省略了详细说明。

在此实施方式中，由于是使用半桥式结构的逆变器电路4构成的，从图1所示的全桥式结构的逆变器电路4中除去半导体开关器件11、12，把高压变压器5的一次侧线圈连接在串联的平滑电容器3a、3b之间和半导体开关器件9、10之间。从设在高压变压器5的一次侧的电流检测器22检测直流成分的直流成分检测电路17，修正被输入到半导体开关器件9、10的驱动电路13、14中的相移PWM信号。

在使用这样的半桥式结构的逆变器电路4的情况下，也可以得到与前一实施方式情况几乎相同的效果。此外，也可以使用进行所谓的推挽结构的PWM控制的逆变器电路4，或为了检测逆变器电路4的输出电流，也可以用分路电阻代替变流器(DC-CT)，或可以使用检测包括所说的变压器磁通的直流成分的输出电流的电流检测器4。

图7为表示本发明另一个实施方式的逆变器式X射线高压装置结构框图，与图1所示实施方式相同的部分标以相同标号，省略了详细说明。

在此实施方式中，在逆变器电路4的输出侧，也就是高压变压器5的一次侧设有电压检测器23，把用此电压检测器23检测到的逆变器电路4的输出电压输入到输出电压脉冲失衡检测器24。此输出电压脉冲失衡检测器24检测有无图5所示的逆变器输出电压正侧和负侧的脉冲宽度的差。此外，用此输出电压脉冲失衡检测器24检测到脉冲宽度失衡时动作的修正装置与前一实施方式情况构成相同，此修正装置根据脉冲宽度失衡，修正被输入到半导体开关器件9、10的驱动电路13、14中的相移PWM信号，控制逆变器电路4，使逆变器输出电压正负对称。

在图1所示的实施方式中，图5所示的逆变器电路4的输出电压正侧和负侧的失衡，是用被设在它的输出侧的电流检测器22从在逆变器电路4的输出电流中显示的图3的直流部分进行检测的，与此相反，在此实施方式中，图5所示的逆变器电路4的输出电压正侧和负侧的失衡，是用被设在它的输出侧的电压检测器23从在逆变器电路4的输出电压的脉冲宽度进行检测的。用此实施方式也可以得到与图1所示实施方式的情况相同的效果。

由此说明可以看出，作为设置在高压变压器5一次侧的检测器，可以使用电流检测器22和电压检测器23中的任一种，也可以构成控制逆变器电路4的修正装置，直接或间接检测图5所示的逆变器电路4输出电压正侧和负侧的失衡，使在此检测时逆变器输出电压正负对称。

在上述的各实施方式中，利用修正装置分别修正相移PWM，使图3(a)所示的直流成分为零，或逆变器电路4的输出电压正侧和负侧的脉冲宽度差为零，也可以把不对高压变压器5中的磁偏产生恶劣影响的直流成分或脉冲幅度差设定为目标值，作为在此规定的目标值内对相移PWM信号进行修正的修正装置。

如以上说明的那样，采用本说明的逆变器式X射线高压装置的话，可以实现兼顾输出范围宽等的性能方面和缩小设置面积、尺寸减小、重量减轻两方面。此外虽然省略了用于控制管电压的DC/CT变流器而使装置尺寸减小，但是可以控制磁偏，使高压变压器的铁心尺寸减小。此外，可以防止因开关元件的特性波动产生的高压变压器的磁饱和，抑制在小负载条件下变得显著的高压变压器的磁偏，防止高压变压器的磁饱和，可以实现使高压变压器和使用它的逆变器式X射线高压装置的整体尺寸减小。

图8是关于X射线CT装置，说明用于实施本发明的最佳实施方式的图示。图中103为保持X射线源101和X射线检测器102，在被检测体104周围旋转驱动的旋转圆板。105为基于用上述X射线检测器102检测的X射线强度，使此被检测体的断层图像成像的图像再构成装置。100为向X射线源101提供管电流的逆变器式X射线高压装置，具有上述实施方式中说明的结构和功能。用这样构成的X射线CT装置可以得到使整体尺寸减小、不用选择设置场所的X射线CT装置。

图9是关于X射线装置说明用于实施本发明的最佳实施方式的图示。图中101为X射线源，106为X射线图像接收装置。100为向X射线源101提供管电流的逆变器式X射线高压装置，具有上述实施方式中说明的结构和功能。用这样构成的X射线装置可以得到使整体尺寸减小、不用选择设置场所的X射线装置。

Claims (9)

1.一种逆变器式X射线高压装置，具有：直流电源；逆变器电路，具有多个半导体开关器件，并与上述直流电源连接，把直流电压变换成交流电压；多个驱动电路，用于分别驱动上述多个半导体开关器件；高压变压器，一次线圈与此逆变器电路的输出侧连接；和X射线管，被连接在此高压变压器的二次线圈侧，其特征在于，

还设有控制上述逆变器电路输出电压用的检测控制装置和上述X射线管管电压用的检测控制装置，来自上述2个检测控制装置的输出都被输入到上述驱动电路。

2.如权利要求1所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

来自上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置的所述输出是在得到上述逆变器输出电压为正负非对称的检测结果时，进行脉冲控制，使上述逆变器电路的输出电压变得正负对称，来自上述X射线管管电压用的检测控制装置的输出是为了得到上述目标管电压而对上述管电压进行脉冲控制的。

3.如权利要求2所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

上述半导体开关器件是从第1到第4的半导体开关器件，第1和第2开关器件与第3和第4开关器件分别与上述直流电源串联连接，而且第1和第2开关器件与第3和第4开关器件并联连接，当要消除上述输出电压的正负非对称时，利用脉冲控制上述第1和第2开关器件与上述第3和第4开关器件中至少一方的占空系数，使上述逆变器的输出电压为正负对称，上述管电压利用上述第1和第2开关器件与上述第3和第4开关器件之间相位的偏移进行脉冲控制。

4.如权利要求1到3中任一项所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

上述开关器件是IGBT、MOS-FET或双极晶体管。

5.如权利要求1到4中任一项所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中，至少包括设在上述逆变器电路的输出侧的电流检测器或电压检测装置中的一个。

6.如权利要求1到5中任一项所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中，至少包括直流成分检测电路或输出电压脉冲失衡检测器中的一个。

7.如权利要求1到6中任一项所述的逆变器式X射线高压装置，其特征在于，

作为包含在上述逆变器电路输出电压控制用的检测控制装置中的电流检测器，使用RC滤波器、一级延迟滤波器、二级延迟滤波器或二次以上的高级延迟滤波器中的任一种滤波器。

8.一种X射线CT装置，具有X射线源；与此X射线源相对配置的X射线检测器；保持X射线源和X射线检测器，在被检测体周围旋转驱动的旋转园板；基于上述X射线检测器检测的X射线强度，使此被检测体的断层图像成像的图像再构成装置；和用于向此X射线源提供管电流的如权利要求1到3中任一项所述的X射线高压装置。

9.一种X射线装置，具有：X射线源；夹着被检测体并与此X射线源相对置的X射线图像接收装置；和用于向此X射线源提供管电流的如权利要求1到3中任一项所述的X射线高压装置。

Images