CN1652004A - 液晶显示器的tft阵列基板、液晶显示面板及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
一种液晶显示器的薄膜晶体管TFT阵列基板，包括一基板；一栅极位于基板上；一栅极介电层覆盖基板与门(栅)极；一半导体层位于栅极介电层上，且半导体层包括一沟道；一源极电连接沟道一侧的部分半导体层；一漏极电连接沟道另一侧的部分半导体层，且漏极在正投影面不和栅极重叠。本发明所提供的TFT结构具有较小的耦合电容(Cgd)，可改善公知技术的馈通效应(feed through effect)问题；此外，本发明另提供一遮光层可减少此种结构的因光照所产生漏电的问题。
Description
技术领域
本发明涉及液晶显示器及其制作方法，特别涉及液晶显示器的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor)及其制作方法。
背景技术
液晶显示器(LCD：liquid crystal display)是目前平面显示器发展的主流，其显示原理是利用液晶分子所具有的介电各向异性及导电各向异性，在外加电场时使液晶分子的排列状态转换，造成液晶薄膜产生各种光电效应。液晶显示器的面板结构一般为由两片基板叠合而成，中间留有一定距离的空隙用以灌注液晶，而在上下两基板上分别形成有对应电极，用以控制液晶分子的转向及排列。如图1所示为现有技术中薄膜晶体管结构的平面图。液晶显示器使用薄膜晶体管做为控制开关，其中栅极102在正投影面重叠于源极106和漏极104。但因为薄膜晶体管的栅极102和漏极104端存在一耦合电容(以下可称为Cgd)，栅极102关闭时会通过耦合电容将像素电位下拉，此称为馈通效应(feed through effect)。
一般来说，耦合电容愈大，馈通效应(feed through effect)就愈严重。以往，使用增大储存电容Cst以改善馈通效应，但是储存电容Cst的增大，会导致开口率减小。此外，当发生曝光偏移或刻蚀不均的情形时，会造成耦合电容Cgd均匀性不佳，而在掩膜接合处造成不均匀现象shot mura，或产生闪烁(flicker)现象。减少耦合电容Cgd可以改善上述缺点，此外较小的耦合电容Cgd，由于耦合电容Cgd不均造成mura的情形也较轻微。
发明内容
因此，根据上述问题，本发明的目的在于提供一种TFT结构，可减少耦合电容Cgd，以改善馈通效应(feed through effect)或因Cgd过大造成的种种问题。
本发明提供一种液晶显示器的TFT阵列基板。包括：一基板；一栅极位于该基板上；一栅极介电层覆盖基板与门极(栅极)；一半导体层位于栅极介电层上，且半导体层包括一沟道；一源极电连接沟道一侧的部分半导体层；一漏极电连接沟道另一侧的部分半导体层，且漏极在正投影面不和栅极重叠。
本发明提供一种液晶显示器的TFT阵列基板的制作方法。首先，提供一基板，形成一栅极于基板上；形成一栅极介电层覆盖基板与门极(栅极)；形成一导电层(遮光材料层)于栅极介电层表面或上方；移除栅极上方的导电层，以形成一开口暴露栅极介电层；形成一半导体层于导电层上，并填入开口，其中半导体层包括一沟道；形成一掺杂半导体层于半导体层上；图形化掺杂半导体层及半导体层，以使掺杂半导体层和半导体层在正投影面至少一侧突出于栅极；以掺杂半导体层为掩膜，刻蚀导电层，以形成一遮光层于半导体层中以遮挡部分半导体层；形成一源极，电连接沟道一侧的部分半导体层；形成一漏极，电连接沟道另一侧的部分半导体层，其中漏极在正投影面不和栅极重叠。
本发明提供一种液晶显示面板，该面板包括：
一第一基板；
一第二基板相对于该第一基板；
一薄膜晶体管设置于所述第一基板上，该薄膜晶体管包括：
一栅极，位于所述第一基板上；
一栅极介电层，覆盖该基板及所述栅极；
一半导体层，位于所述栅极介电层上，该半导体层包括一沟道；
一源极，电连接所述沟道一侧的部分半导体层；
一漏极，电连接所述沟道另一侧的部分半导体层，且该漏极在正投影面不和该栅极重叠；及
一液晶层夹于所述第一基板和第二基板间。
本发明的有益效果在于，本发明提供的TFT阵列基板，其栅极和漏极不互相重叠，具有较小的耦合电容(Cgd)，可改善现有技术中馈通效应(feed througheffect)的问题。此外，本发明另提供一遮光层可减少此种结构因光照所产生的漏电的问题。
附图说明
图1为现有技术中薄膜晶体管结构的平面图；
图2A为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图；
图2B为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部仰视图；
图2C为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部后视图；
图3A至图3L为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的流程示意图；
图4为现有技术中TFT结构和本发明一实施例TFT结构的偏压和耦合电容Cgd关系图；
图5为本发明一实施例有遮光层的TFT结构和无遮光层的TFT结构的偏压和关闭状态电流关系图；
图6A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图；
图6B为沿图6A中6B-6B’的剖面图；
图7A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图；
图7B为沿图7A中7B-7B’的剖面图；
图8A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图；
图8B为沿图8A中8B-8B’的剖面图。
【符号说明】
栅极102； 漏极104；
源极106； 基板300；
栅极302； 储存电容下电极304；
接触金属垫306； 栅极介电层308；
光刻胶层310； 遮光材料层312；
半导体层314； 掺杂半导体层316；
遮光层318； 第三导电层320；
源极322； 漏极324；
储存电容326； 储存电容上电极328；
保护层330； 透明导电层332；
像素电极332a； 接触电极332b；
漏极602； 栅极604；
遮光层606； 半导体层608；
源极610； 漏极702；
栅极704； 遮光层706
半导体层708； 源极710；
沟道712； 栅极绝缘层714；
漏极802； 栅极804；
遮光层806； 半导体层808；
源极810； 沟道812；
栅极绝缘层814。
具体实施方式
以下将以实施例详细说明本发明。在图标或描述中，相似或相同的部分使用相同图号。在图标中，实施例的形状或是厚度可扩大，以简化或是方便标示。图标中组件的部分将以描述来说明，未绘示或描述的组件，为所属领域的技术人员公知的形式。此外，当叙述一层位于一基板或是另一层上时，此层可直接位于基板或是另一层上，或是其间也可以有中介层。
图2A为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图。图2B为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部仰视图。图3I为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的剖面图。请参照图2A、2B及3I，一栅极302位于一基板300上，且此栅极302可连接到一栅极线202。一栅极介电层308覆盖栅极302和基板300。一遮光层318位于栅极介电层308表面或上方，遮光层318和栅极介电层308可夹有一光刻胶层。在一实施例中，在基板300的正投影面上，遮光层318接触栅极302，以完全遮住半导体层314，防止漏电流发生。在另一实施例中，在基板300的正投影面上，遮光层318邻近于栅极302，且两者间具有一间隙d，如图2C所示。在一实施例中，半导体层314覆盖部分栅极介电层308和遮光层318。因为考虑到沟道，在正投影面方向，半导体层314至少需要突出于栅极302的一端。
由于半导体层314是光敏物质，其容易因照光后产生光电流(photo current)，造成TFT漏电流过大，所以本发明一实施例提出一TFT结构，其遮光层318位于突出的半导体层314中且邻接于栅极介电层308，以避免TFT漏电。一源极322位于半导体层314上方，且在基板300的正投影面上重叠部分栅极302。一漏极324位于半导体层314上方，而在基板300的正投影面上不重叠于栅极302。在一实施例中，在正投影面上，半导体层314仅在一端突出栅极302，而漏极324重叠半导体层314突出栅极302的部分，以减少因栅极和漏极的重叠面积，而减少耦合电容Cgd。在一实施例中，在背投影面上，栅极302和遮光层318完全遮盖半导体层314，以避免半导体层314因照光而产生漏电，如图2B所示。此外，源极322或漏极324和半导体层314间可夹有一掺杂半导体层316，以提供较低的接触电阻。
图3A至图3L为本发明一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的流程示意图。首先，请参照图3A，提供一基板300，例如玻璃基板。较佳者，基板300可为无碱玻璃基板或是低碱玻璃基板。然后，以一沉积方法形成一第一金属层(未绘示)于基板300上。导电层(第一金属层)可以为Ta、Mo、W、Ti、Cr、Al或其组合或其堆栈层。上述沉积一导电层的方法可以为一溅镀法(物理汽相沉积)(PVD：Physical Vapor Deposition)或离子增长型化学汽相沉积(PECVD：Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)。以公知的曝光及显影方法图形化基板上的第一金属层，以形成栅极302、储存电容下电极304和接触金属垫306。
请参照图3B，沉积一栅极介电层308于栅极302、储存电容下电极304、接触金属垫306和基板300上。此栅极介电层308可以为氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或其组合。接下来，如图3C所示，以一图布方法形成一光刻胶层310于栅极介电层308上。较佳者，光刻胶层310为负光阻，以使后续工序可由基板背面进行曝光定义组件。然后于光刻胶层310上沉积一遮光材料层312。遮光材料层312可以为Ta、Mo、W、Ti、Cr、Al或其组合或其堆栈层，且沉积遮光材料层312的较佳方法为一低温工序，例如：上述沉积一遮光材料层312的方法可以为一溅镀法(物理汽相沉积)(PVD：Physical Vapor Deposition)或离子增长型化学汽相沉积(PECVD：Plasma Enhancement Chemical Vapor Deposition)。
如图3D所示，以图形化后的导电层(栅极302、储存电容下电极304、接触金属垫306)为掩膜，从基板300背面进行曝光311，以自我对准(self-alignment)方式图形化光刻胶层310。其后，进行一剥离(lift-off)步骤。在此实施例中，由于光刻胶层310为一负光阻，可采用一显影方法移除图形化后导电层(栅极302、储存电容下电极304、接触金属垫306)上方未曝光的光刻胶层310，并且因为未曝光的光刻胶层310被移除，一并剥离光刻胶层310上的遮光材料层312，并图形化光刻胶层310和遮光材料层312，以在相对应栅极302、储存电容下电极304、接触金属垫306的上方形成相对应的开口。这样，可减少一掩膜，但本发明不限于此。本发明也可以不采用剥离(lift-off)的方法，而使用一般光刻及刻蚀的方法，图形化遮光材料层312。
如图3E所示，沉积一半导体层314于第二金属层(遮光材料层)312上，并填入上述的开口中，其开口分别对应于栅极302、储存电容下电极304和接触金属垫306。沉积一掺杂半导体层316于半导体层314上。在一实施例中，半导体层314可以为硅、锗、多晶硅或复晶硅所组成。另外，掺杂半导体层316可为在硅或锗半导体掺杂磷或砷，使其成为n+的半导体层，以提供后续金属层良好的接触。
如图3F所示，以公知的光刻和刻蚀方法图形化掺杂半导体316和半导体层314。在此步骤中移除栅极302上方及其相邻近区域及储存电容下电极304上方外的掺杂半导体316和半导体层314。特别是，在正投影面上，掺杂半导体316和半导体层314至少有一边突出于栅极302。在本实施例中，掺杂半导体层316和半导体层314在一边突出于栅极302，但本发明不限于此。如图3G所示，以图形化后掺杂半导体层316为掩膜，进行一各向异性刻蚀，刻蚀第二金属层(遮光材料层)312和其下的光刻胶层310。在此实施例中，位于半导体层314中的第二金属层(遮光材料层)供作遮光层318，以防止背光源照射到半导体层314，产生光电流，导致漏电。
接着，如图3H所示，毯覆性的沉积一第三导电层320于掺杂半导体316和栅极介电层308上。第三导电层320可以为Ta、Mo、W、Ti、Cr、Al或其组合或其堆栈层。然后，如图3I所示，以公知的光刻和刻蚀方法图形化第三导电层320和掺杂半导体层316，以在半导体层314上方形成源极322和漏极324，并在储存电容326上形成储存电容上电极328。特别是，在正投影面上，漏极324不重叠于栅极302，以减少耦合电容Cgd。在一实施例中，漏极324位于半导体层314突出栅极302的部分上方。
接着，如图3J所示，毯覆性的沉积一保护层330于源极322、漏极324、储存电容上电极328和栅极介电层308上。保护层330可由氮化硅或氮氧化硅所组成。之后，图形化保护层330及储存电容上电极328。特别是在储存电容326和接触垫306上方各形成相对应的开口。如图3K所示，毯覆性的沉积一透明导电层332于保护层320上，并填入上述开口中，以和储存电容上电极328及接触垫306电连接。透明导电层332可以是IT0(铟锡氧化膜)所组成。如图3L所示，图形化透明导电层332以形成像素电极332a连接于储存电容326，及接触电极332b连接接触垫306。
图4为现有技术中TFT结构和本发明一实施例TFT结构(图2A的TFT结构)的偏压和耦合电容Cgd关系图。如图4所示，本发明一实施例结构402的耦合电容Cgd比现有技术低约80％。图5为本发明一实施例有遮光层的TFT结构406和无遮光层408的TFT结构的偏压和关闭状态电流关系图。如图5所示，在Vds为10V时，有遮光层的TFT结构406确实可有效降低本发明实施例TFT的漏电流。
图6A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图。图6B为沿图6A中6B-6B’的剖面图。本发明此实施例相似于图2A的实施例，即在正投影面上漏极602不和栅极604重叠。且一遮光层606位于一半导体层608中，以减少漏电流。其不同之处为，源极610为一半弧形围绕漏极602，且两者相距一固定间距。半导体层608位于源极610和漏极602下方，且其部分区域可在正投影面和源极610、漏极602重叠。位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层608为TFT的沟道612。栅极604位于源极610、漏极602和半导体层608下方的栅极绝缘层614中，且邻接于一基板600。特别注意的是，在正投影面栅极604和漏极602不互相重叠。
图7A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图。图7B为沿图7A中7B-7B’的剖面图。本发明此实施例相似于图2A的实施例，即在正投影面上漏极702不和栅极704重叠。且一遮光层706位于一半导体层708中，以减少漏电流。其不同之处为，在此实施例中漏极702为一L形，且源极710为一倒L形，且两者相距一固定间距。半导体层708位于源极710和漏极702下方，且其部分区域可在正投影面和源极710、漏极702重叠。位于源极710和漏极702间半导体层708的间隙为TFT的沟道712。栅极704位于源极710、漏极702和半导体层708下方的栅极绝缘层714中，且邻接于一基板700。特别注意的是，在正投影面栅极704和漏极702不互相重叠。
图8A为本发明另一实施例薄膜晶体管TFT阵列基板的局部俯视图。图8B为沿图8A中8B-8B’的剖面图。本发明此实施例相似于图2A的实施例，即在正投影面上漏极802不和栅极804重叠。且一遮光层806位于一半导体层中，以减少漏电流。其不同之处为，在此实施例中漏极802为一矩形，且源极810为一勾形，且两者相距一固定间距。半导体层808位于源极810和漏极802下方，且其部分区域可在正投影面和源极810、漏极802重叠。位于源极802和漏极810间的间隙的部分半导体层为TFT的沟道812。栅极804位于源极810、漏极802和半导体层808下方的栅极绝缘层814中，且邻接于一基板800。特别注意的是，在正投影面栅极804和漏极802不互相重叠。
此外，上述实施例所形成的TFT阵列基板为一液晶显示面板的一部分。液晶显示器还包括有一上基板相对于TFT阵列基板。在一实施例中，上基板可以为彩色滤光片基板。在TFT阵列基板(在此可称为下基板)和上基板间可夹有一液晶层。此部分为本领域技术人员公知，为简化，其并未绘示于图中。
本发明实施例提供的TFT结构，其栅极和漏极不互相重叠，因此本发明所提供的TFT结构具有较小的耦合电容(Cgd)，可改善公知技术的馈通效应(feedthrough effect)问题。此外，本发明另提供一遮光层可减少此种结构的因光照所产生漏电的问题。
上述实施例仅用于说明本发明，而并非用于限定本发明。
Claims (19)
1.一种液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于包括：
一基板；
一栅极，位于该基板上；
一栅极介电层，覆盖所述基板及所述栅极；
一半导体层，位于所述栅极介电层上，该半导体层包括一沟道；
一源极，电连接所述沟道一侧的部分半导体层；及
一漏极，电连接所述沟道另一侧的部分半导体层，且该漏极在正投影面不和所述栅极重叠。
2.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，还包括一遮光层，位于所述半导体层中，且邻接所述栅极介电层，该遮光层遮住所述半导体层在正投影面和所述栅极重叠以外的区域。
3.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层由不透明金属组成。
4.如权利要求2所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，所述遮光层和所述栅极介电层间还夹有一光刻胶层。
5.如权利要求4所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，所述光刻胶层由负光阻材料组成。
6.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，所述半导体层在正投影面一侧突出于所述栅极，且所述漏极重叠所述半导体层突出栅极的部分。
7.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，
所述源极为半弧形，围绕所述漏极，且两者相距一固定间距；
所述半导体层位于所述源极和所述漏极下方，且其部分区域在正投影面和所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
8.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，
所述漏极为L型；
所述源极为倒L型，且两者相距一固定间隙；
所述半导体层位于所述源极和所述漏极下方，且其部分区域在正投影面和所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
9.如权利要求1所述的液晶显示器的TFT阵列基板，其特征在于，
所述漏极为矩型；
所述源极为勾型，且该源极的一部分和所述漏极相距一固定间隙；
所述半导体层位于所述源极和所述漏极下方，且其部分区域在正投影面和部分所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
10.一种液晶显示器的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于包括：
提供一基板；
形成一栅极于该基板上；
形成一栅极介电层覆盖所述基板及栅极；
形成一遮光材料层于所述栅极介电层表面或上方；
移除所述栅极上方的遮光材料层，以形成一开口暴露所述栅极介电层；
形成一半导体层于该遮光材料层上，并填入所述开口，该半导体层包括一沟道；
形成一掺杂半导体层于该半导体层上；
图形化所述掺杂半导体层及所述半导体层，以使所述掺杂半导体层和半导体层在正投影面至少一侧突出于所述栅极；
以所述掺杂半导体层为掩膜，刻蚀所述遮光材料层，以遮挡部分所述半导体层；
形成一源极，电连接所述沟道一侧的部分所述半导体层；及
形成一漏极，电连接该沟道另一侧的部分所述半导体层，其中所述漏极在正投影面不和所述栅极重叠。
11.如权利要求10所述的液晶显示器的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述遮光材料层前，还包括形成一光刻胶层于所述栅极介电层上。
12.如权利要求11所述的液晶显示器的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，移除所述栅极上方的所述遮光材料层包括下列步骤：
以所述栅极为掩膜，从所述基板的背面曝光所述光刻胶层；及
移除未被曝光的所述光刻胶层，同时剥离未被曝光的所述光刻胶层上的所述遮光材料层。
13.如权利要求12所述的液晶显示器的TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光刻胶层为负光阻，且移除未被曝光的所述光刻胶层为一显影步骤。
14.一种液晶显示面板，其特征在于包括：
一第一基板；
一第二基板相对于该第一基板；
一薄膜晶体管设置于所述第一基板上，该薄膜晶体管包括：
一栅极，位于所述第一基板上；
一栅极介电层，覆盖该基板及所述栅极；
一半导体层，位于所述栅极介电层上，该半导体层包括一沟道；
一源极，电连接所述沟道一侧的部分半导体层；
一漏极，电连接所述沟道另一侧的部分半导体层，且该漏极在正投影面不和该栅极重叠；及
一液晶层夹于所述第一基板和第二基板间。
15.如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，还包括一遮光层，位于所述半导体层中，且邻接所述栅极介电层，该遮光层遮住所述半导体层在正投影面和所述栅极重叠以外的区域。
16.如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，所述半导体层在正投影面一侧突出于所述栅极，且所述漏极电连接该半导体层突出栅极的部分。
17.如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述源极为半弧形，围绕所述漏极，且两者相距一固定间距；
所述半导体层位于所述源极和漏极下方，且其部分区域在正投影面和所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
18.如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述漏极为L型；
所述源极为倒L型，且该源极和漏极相距一固定间隙；
所述半导体层位于所述源极和漏极下方，且其部分区域在正投影面和所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
19.如权利要求14所述的液晶显示面板，其特征在于，
所述漏极为矩型；
所述源极为勾型，且该源极的一部分和漏极相距一固定间隙；
所述半导体层位于所述源极和漏极下方，且其部分区域在正投影面和部分所述源极、漏极重叠；及
位于源极和漏极间的间隙之间的半导体层为所述薄膜晶体管TFT的所述沟道。
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Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101872773A (zh) * | 2010-06-28 | 2010-10-27 | 信利半导体有限公司 | 一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法 |
| CN103035734A (zh) * | 2011-10-07 | 2013-04-10 | 元太科技工业股份有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管 |
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| US9825140B2 (en) | 2011-10-07 | 2017-11-21 | E Ink Holdings Inc. | Metal oxide thin film transistor |
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| CN106449656A (zh) * | 2016-10-26 | 2017-02-22 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板及其制作方法、显示面板和显示装置 |
| CN109671723A (zh) * | 2018-12-20 | 2019-04-23 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种tft阵列基板 |
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