CN1638134A - 固态图像拾取装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种固态图象拾取装置(10)，其具有这样的配置，第二导电型半导体区(14)形成在光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区(13)的表面上，由绝缘层形成的浅槽隔离层(20)埋入到形成在半导体衬底(11)上的沟道中，浅槽隔离层(20)由上宽部分(21)和下窄部分(22)组成，第二导电型半导体区(23)形成在浅槽隔离层(20)的下窄部分(22)的周围。固态图象拾取装置可以抑制暗电流和白点的出现，可以产生高质量的图象，并且可以充分地维持可由光接收传感器部分处理的足够大的电荷量。
Description
技术领域
本发明涉及一种固态图像拾取装置。
背景技术
随着固态图像拾取装置的象素单元变得越来越超微型化，尤其在CMOS(互补型金属氧化物半导体)传感器(CMOS型固态图像拾取装置)中，频繁地观察到象素部分还用作结构类似于周边电路部分的沟道元件隔离结构(所谓的STI：浅槽隔离)。
另外，光接收部分利用掩埋型光电二极管结构减少暗电流也变得很常见。
然后，当象素部分利用上述的浅槽隔离结构时，因为从光接收传感器部分延伸的耗尽层到达浅槽隔离层的侧壁，所以引起这样的问题，即在此浅槽隔离层侧表面的SiO2/Si交界面处产生暗电流。为此，需要抑制浅槽隔离层侧表面上暗电流的发生。
另外，甚至当象素部分不利用浅槽隔离结构时，为了提高固态图像拾取装置的灵敏度，也已经要求尽可能地减少象素部分中暗电流的发生。
因此，在通过LOCOS(硅的局部氧化)法实现的浅槽隔离结构中，到目前为止已经认为要减少象素部分中的暗电流。
例如，提出这样一种方法，其中，P+区形成在LOCOS沟道隔离层之下或附近，而在光电转换部分内的N层形成得比LOCOS沟道隔离层更深，由此减少暗电流(参见印证的专利1)。
此外，提出了这样一种方法，由LOCOS沟道隔离层形成周边电路部分，在象素部分的晶体管和光接收部分周围不形成LOCOS沟道隔离层，但在沟道隔离区的P+区上形成多晶氧化硅薄膜，由此减小应力并减少暗电流(参见引证的专利2)。
[引证的专利1]日本公开的专利申请的政府公报No.11-308507
[引证的专利2]日本公开的专利申请的政府公报No.11-312731
于是，当象素部分利用浅槽隔离层结构时，为了抑制浅槽隔离层侧表面上暗电流的发生，在浅槽隔离层周围形成P+区足矣。
图1表示根据现有技术利用浅槽隔离层结构和掩埋型光电二极管结构的CMOS(互补型金属氧化物半导体)型固态图像拾取装置的截面图。
图1中由附图标记50表示的固态图像拾取装置包括衬底51，其上形成P型半导体阱区52。在此半导体阱区52上形成用作光接收传感器部分的电荷积累区的N型半导体区53和N-浮置扩散区56。
另外，在N型半导体区53上的衬底51的表面附近形成P型(P+)正电荷积累区54。
这些P型半导体阱区52、N型半导体阱区53和P型正电荷积累区54构成所谓的掩埋型光电二极管结构。
另外，还形成由绝缘层(如氧化硅层、氮化硅层或氧化硅层和氮化硅层形成的多层)构成的浅槽隔离层60，用于电绝缘晶体管与光接收传感器部分的光电二极管。光接收传感器部分的光电二极管和诸如晶体管的源极/漏极区的区域形成在此浅槽隔离层60中的衬底51的附近。
正电荷积累区54临近此浅槽隔离层60形成，并且形成得比N型半导体区53宽。
在衬底51的表面上形成栅极绝缘膜57，并且在此栅极绝缘膜57上形成读取栅电极58和复位栅电极59。
读取栅电极58、栅极绝缘膜57、光接收传感器部分的N型半导体区53和浮置扩散区56构成读取晶体管。此读取晶体管的通道部分、即浮置扩散区56和N型半导体区53之间的空间形成为读取区55。
另外，根据需要，在之上形成诸如彩色滤光片或芯片上透镜等组件，由此构成固态图像拾取装置50。
然后，在此固态图像拾取装置50中，在浅槽隔离层60的周围(侧壁及下方)形成P型(P+)半导体区61。此P型半导体区61可以减少浅槽隔离层60周围产生的暗电流。
但是，要充分地抑制浅槽隔离层60周围暗电流的产生，应该形成较厚的P型半导体区60，或是应该增加P型半导体区61的P型杂质的浓度。
当形成的P型半导体区61较厚时，减小光接收传感器部分N型半导体区53的面积，使得被积累的信号电荷量(要处理的电荷量)也减少。因此，保持所需的动态范围变得困难。
另外，当P型半导体区61的P型杂质浓度增大时，因为P型半导体区61的P型杂质变得易于扩散，所以P型杂质易于扩散到光接收传感器部分一侧。结果，不可避免地减少可以积累在光接收传感器部分的N型半导体区53内的信号电荷量(要处理的电荷量)。
另外，此固态图像拾取装置50具有这样的结构，如图1中所示，在浅槽隔离层60之上形成互连的接触孔。
即，在浅槽隔离层60之上经栅极绝缘膜57形成接触部分栅电极62，并且此栅电极62经连结上、下金属互连64的过孔互连(viainterconnection)63连结到第一和第二层的金属互连60。
因为此固态图像拾取装置50具有这样的结构，即如上所述，互连64的接触孔形成在浅槽隔离层60之上，所以，从互连64和接触孔的图案规则的观点出发来限制固态图像拾取装置50。另外，考虑到制造过程的容限，需要维持大于浅槽隔离层60的一定宽度的宽度。
因此，经常看到不能确定浅槽隔离层60的宽度，并因此很难使装置小型化。
但是，如果浅槽隔离层60的宽度增大，则在此情况下光接收传感器部分的N型半导体区53的面积减小，并且可以积累的信号电荷量(要处理的电荷量)也减少。
近年来，在固态图像拾取装置的象素数量增加并且固态图像拾取装置日益微型化，或是固态图像拾取装置的功耗日益减小的同时，象素单元和围绕的晶体管也被微型化，因此，利用浅槽隔离层作为晶体管的装置隔离结构等也变得很常见。
另一方面，为了维持S/N(信噪比)和足以与相机一样高的灵敏度特性，需要固态图像拾取装置进一步减小暗电流。
因此，到目前为止一直利用可以抑制暗电流的掩埋型光电二极管结构作为光接收传感器部分的结构。
但是，如上所述，当掩埋型光电二极管和浅槽隔离层合并时，出现这样的问题，即应该抑制浅槽隔离层侧壁中暗电流的发生。当在浅槽隔离层的侧壁上形成P型半导体区作为抑制暗电流发生的对策时，产生这样的副效应，即由电荷积累区处理的电荷量不可避免地减少。
发明内容
鉴于上述方面，本发明的目的在于提供一种能够抑制暗电流或白点的发生的固态图像拾取装置。
本发明的另一目的在于提供一种能够产生高质量图像的固态图像拾取装置。
本发明的再一目的在于提供一种可以维持可由光接收传感器部分处理的足够大的电荷量的固态图像拾取装置。
本发明的另一个目的在于提供一种这样的固态图像拾取装置，其既是一种形成为一个芯片的固态图像拾取装置，也是一种形成为一组多个芯片的模块式固态图像拾取装置，可以产生宽动态范围的高质量图像输出信号，并且可以提高安置模块的电子装置的性能。
根据本发明的一个方面，提供了一种固态图像拾取装置，其由传感器部分和隔离部分组成，其中传感器部分包括第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区，隔离部分设置在形成于半导体衬底上的沟道内，其中隔离部分由上宽区和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在隔离部分的下窄部分周围。
在固态图像拾取装置中，上宽部分包括第一扩散区，下窄部分包括不同于第一扩散区的第二扩散区，第一和第二扩散区在各自的端部彼此重叠。
根据本发明的另一方面，提供了一种模块式固态图像拾取装置，其由包括多个象素的图像拾取区组成，每个图像拾取区包括由第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区组成的传感器部分和用于将入射光引入到图像拾取区中的光学系统，其中象素包括与传感器部分相邻的隔离部分，隔离部分由上宽部分和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在下窄部分周围。
在模块式固态图像拾取装置中，上宽部分包括第一扩散区，而下窄部分包括不同于第一扩散区的第二扩散区，并且第一和第二扩散区在它们各自的端部彼此重叠。
结果，因为浅槽隔离层包括下窄部分，并且与现有技术中单个的浅槽隔离层结构相比，其位于光接收传感器部分之后，光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区的面积可以增大，从而增加可由光接收传感器部分处理的电荷量。
另外，可以通过形成在浅槽隔离层下窄部分周围的第二导电型半导体区减少浅槽隔离层下部的侧壁产生的暗电流。特别是，从光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区向横向延伸的耗尽层被第二导电型半导体区阻挡，由此可以防止耗尽层到达浅槽隔离层的侧壁。结果，可以抑制暗电流和白点的发生。
如上所述，根据本发明，因为与现有技术中单沟道隔离层结构相比可以增大光接收传感器部分的光电二极管的电荷积累区的面积，所以可以增加可积累的信号电荷量(要处理的电荷)。结果，可以获得具有大动态范围的固态图像拾取装置。
另外，根据本发明，因为暗电流和白点的出现可以通过形成在浅槽隔离层下窄部分周围的第二导电型半导体区抑制，且不会压制要处理的电荷量特性，所以可以实现高S/N(信噪比)的固态图像拾取装置，并且可以产生高质量的图像输出。
因此，根据本发明，可以实现这样的固态图像拾取装置，即暗电流和白点的产生得到抑制，可以获得高图像质量的图像输出，并且可以维持由光接收传感器部分处理的足够大量的电荷。
另外，根据本发明，当固态图像拾取装置为模块式固态图像拾取装置时，可以获得较宽动态范围的高质量的输出图像信号，并且可以提高其上安装模块的电子装置的性能。
附图说明
图1是根据现有技术利用浅槽隔离层结构和掩埋型光电二极管结构的CMOS(互补型金属氧化物半导体)型固态图像拾取装置的截面图；
图2表示根据本发明实施例的固态图像拾取装置的布局截面图；
图3A～3M分别表示图2中所示固态图像拾取装置的制造过程的流程图；
图4表示根据本发明另一实施例的模块式固态图像拾取装置的布局简图。
具体实施方式
下面参考附图描述本发明。
图2表示根据本发明实施例的固态图像拾取装置的布局截面图。图2表示一个象素单元的截面图。在此实施例中本发明应用到CMOS传感器(CMOS型固态图像拾取装置)中。
如图2所示，在衬底11上形成P型半导体阱区12，并在此P型半导体阱区12上形成用作光接收传感器部分的电荷积累区的N型半导体区13和N+浮置扩散区16。
另外，在N型半导体区13上衬底11的表面附近形成P型(P+)正电荷积累区14。
这些P型半导体阱区12、N型半导体阱区13和P型正电荷积累区14构成所谓的掩埋型光电二极管结构。
另外，还形成由绝缘层(例如，氧化硅层，氮化硅层，或由氧化硅层和氮化硅层形成的多层)制成的浅槽隔离层20，用于电绝缘晶体管与光接收传感器部分的光电二极管。在此浅槽隔离层20中，光接收传感器部分的光电二极管和诸如晶体管的源极/漏极的区域形成得接近衬底11的表面。
浅槽隔离层20通过用绝缘层填充形成在衬底11上的沟道而形成。
在衬底11的表面上形成栅极绝缘层17，并且在此栅极绝缘膜17上形成读取栅电极18和复位栅电极19。
读取栅电极18、栅极绝缘膜17、光接收传感器部分的N型半导体区13和浮置扩散区16构成读取晶体管。此读取晶体管的通道部分、即浮置扩散区16和N型半导体区13之间的空间形成为读取区。
存在这样一种结构，通过该结构在浅槽隔离层20之上形成互连接触孔。
更具体地说，在浅槽隔离层20之上经栅极绝缘膜17形成接触部分栅电极24，并且此栅电极24经用于连结上、下金属互连26的过孔互连25连结到第一和第二层的金属互连26。
另外，根据需要，在之上设置诸如彩色滤光片和芯片透镜的组件，由此构成固态图像拾取装置10。
特别是在此实施例中，由绝缘层形成的浅槽隔离层20由上(接近表面)宽部分21和下窄部分22组成。浅槽隔离层20包括这些宽、窄部分21和22，并且因此形成为横截面为T形的浅槽隔离层20。
另外，P型(P+)半导体区23形成在浅槽隔离层20的周围(侧壁和下方)。
然后，邻近浅槽隔离层20上宽部分21形成光接收传感器部分的正电荷积累区14，并且在比浅槽隔离区20的上宽部分21更深的位置处形成用作电荷积累区的N型半导体区13。
因为如上所述地构成浅槽隔离层20，所以表面较宽部分21可以满足接触栅电极24、金属互连26和接触孔的图案规则，可以维持制造过程中的失准容限。
更具体地说，因为接触部分栅电极24由多晶硅电极层或钨基电极层或钼基电极层形成，并且此栅电极24和金属互连26在浅槽隔离层20上彼此接触，从包括上层金属互连的轮廓限定来决定浅槽隔离层20的上宽部分21的宽度。例如，当使用0.18μm代MOS(金属氧化物半导体)晶体管时，浅槽隔离层20的上宽部分21的宽度需要约为0.4μm
另外，形成在浅槽隔离层20周围的P型半导体区23可以防止从光电二极管的N型半导体区23延伸的耗尽层到达浅槽隔离层20的侧壁，由此抑制产生在浅槽隔离层20侧壁的分界面(绝缘层/硅界面)上的暗电流。
因此，以允许从N型半导体区13延伸的耗尽层保留在此P型半导体区23中的方式设置P型半导体区23的杂质浓度和宽度。
然后，与图1中所示的现有技术中的结构相比，在本实施例的情况下，因为浅槽隔离层20的下窄部分21的宽度增大，所以可以通过增大P型半导体区23的宽度来加宽N型半导体区13。当N型半导体区13如上所述地加宽时，积累在光接收传感器部分中的电荷量也可以增加。
虽然从加工的观点来看浅槽隔离层20的上宽部分21的深度不受限制，但考虑到暗电流和要处理的电荷量，应在比光接收传感器部分的掩埋型光电二极管的N型半导体区13更浅的位置形成浅槽隔离层20的上宽部分21。
另外，不确定浅槽隔离层20的上宽部分21和下窄部分22之间的位置关系，使得下窄部分22不需要位于上宽部分21的中心位置，但从围绕浅槽隔离层20的P型半导体区24的暗电流和由光接收传感器部分要处理的电荷量的角度看，优选地浅槽隔离层20的N型半导体区13和下窄部分22之间的距离应增大。如图2所示，下窄部分22朝着光接收传感器部分的相对侧轻微移位。
因此，例如，下窄部分21可以形成在上宽部分21的光接收传感器部分相对侧的端部边缘之下，使得浅槽隔离层20可以具有L形的横截面。
但是，从形成浅槽隔离层20时把掩埋型光电二极管的N型半导体区13埋入到绝缘层(如氧化膜)中的掩埋过程的观点出发，优选下窄部分22不在横向上从浅槽隔离层20的上宽部分21延伸。
为了降低读取电压，掩埋型光电二极管的N型半导体区13可以相对于正电荷积累区14向读取栅电极18一侧移位。
另外，因为从增加要处理的电荷量的角度出发希望N型半导体区13的面积尽可能地增大，所以N型半导体区13的浅槽隔离层20一侧可以形成为与包围浅槽隔离层20的下窄部分22的P型半导体区13相邻接。
因此，在光接收传感器部分的掩埋型光电二极管中，N型半导体区13和正电荷积累区14的位置不必变得与图2中所示的一样。
根据本实施例固态图像拾取装置10的配置，通过在形成于衬底上的沟道中填充绝缘层(氧化膜等)而形成的浅槽隔离层20由上宽部分21和下窄部分22组成。然后，在狭窄部分22周围形成P型半导体区23。
更具体的说，因为固态图象拾取装置10具有这样的配置，即浅槽隔离层20的下窄部分22的宽度形成为比现有技术中单沟道隔离层结构的窄，所以包围浅槽隔离层20的下窄部分22的P型半导体区23位于比光接收传感器部分的掩埋型光电二极管13、14的深的位置。
为此，因为掩埋型光电二极管的N型半导体区13的面积可以比现有技术中单浅槽隔离层结构的大，所以要处理的电荷量也可以增大。
因此，可以构成具有较大动态范围的固态图象拾取装置10。
另外，因为浅槽隔离层20具有这样的配置，即下窄部分22的宽度做得较窄，浅槽隔离层20的下窄部分22可以被具有足够厚度和足够高的杂质浓度的P型半导体区23覆盖，由此可以降低从浅槽隔离层20的狭窄部分22的侧壁产生的暗电流。
特别是，因为从光接收传感器部分的N型半导体区13延伸到横向的耗尽层被此P型半导体区23阻挡，所以可以防止耗尽层到达浅槽隔离层20的侧壁，由此可以抑制暗电流和白点的出现。
因此，可以实现一种能够产生高质量图象输出的具有高S/N的固态图象拾取装置10。
根据本实施例的固态图象拾取装置10例如可以如下制造。
除浅槽隔离层部分以外的其它部分可以通过公知的方法形成，接近浅槽隔离层部分的部分将如下形成。
首先，如图3A所示，在硅晶片制成的衬底的表面(图2中所示P型半导体阱区12的表面)上依次沉积SiO2膜和氮化硅膜32。氮化硅膜32形成为衬底30的硅晶片的蚀刻掩模，并且还形成为在通过CMP(化学机械抛光)法抛光表面的过程中保护活性区。形成SiO2膜以在释放硅膜32的过程中保护底层。SiO2膜的膜厚度例如选为10nm。氮化硅膜32的膜厚度例如在100～200nm的范围内选择。
接下来，在表面之上形成抗蚀剂，并通过曝光和显影形成用于覆盖除浅槽隔离层部分以外的其它部分的抗蚀剂掩模33。然后，如图3B所示，氮化硅膜32和SiO2膜以此顺序利用此抗蚀剂掩模33蚀刻。
接下来，解除抗蚀剂掩模33，并且如图3C所示，利用氮化硅膜32作为掩模蚀刻其中形成了浅槽隔离层20的宽部分21的区域的衬底(硅衬底)30。届时，蚀刻的深度选择得例如基本上与掩埋型光电二极管的正电荷积累区的厚度相同，例如大约100nm的深度。
接下来，在表面之上形成抗蚀剂，并且如图3D所示，通过曝光和显影形成与浅槽隔离层20的下窄部分22一起使用的抗蚀剂掩模34。
随后，如图3E所示，通过利用抗蚀剂掩模34蚀刻其中形成了浅槽隔离层20的下窄部分22的区域中的衬底(硅衬底)30。
此时，蚀刻的深度在20～30nm的范围内选择。由此形成截面形状为T形的隔离部分(沟道)，之后去除抗蚀剂掩模34。
接下来，如图3F所示，在凹槽(沟道)的侧壁和底面上通过热氧化形成膜厚度约为10nm的氧化硅膜35。
接下来，如图3G所示，通过高密度等离子增强的CVD(化学气相沉积)法在表面上沉积厚的氧化硅膜36。
接下来，如图3H所示，通过CMP法平面化表面，并从氮化硅膜32上去除氧化硅膜36，由此导致氧化硅膜36留在凹槽(沟道)内。
接下来，如图3I所示，利用合适的材料如热磷酸通过湿蚀刻过程去除氮化硅膜32。
接下来，如图3J所示，去除SiO2膜以暴露活性区的硅。
接下来，如图3K所示，形成栅极绝缘膜17和用作牺牲氧化膜的氧化硅膜37。例如，栅极绝缘膜17和氧化硅膜37通过由此曝光的硅30的热氧化过程形成。由厚的氧化硅膜36形成具有T形横截面的浅槽隔离层20。
接下来，形成P型半导体区23，从而如图3L所示通过植入P型杂质离子覆盖浅槽隔离层20的下窄部分22。
在执行未示出的栅电极形成过程等之后，通过如图3M所示的离子植入过程依次形成掩埋型光电二极管的N型半导体区(电荷积累区)13和P型正电荷积累区14。
虽然光接收传感器部分的电荷积累区是N型半导体区，并且P型正电荷积累区形成在此N型半导体区的表面上，由此形成如本发明实施例中上面所述的掩埋型光电二极管，但本发明不限于此，也可以应用到反向导电型固态图象拾取装置(reverse conductivity type solid-state image pickup device)中。
在反向导电型固态图象拾取装置的情形中，在P型电荷积累区的表面上形成N型半导体区(负电荷积累区)并由此构成掩埋型光电二极管结构。另外，在浅槽隔离层的周围形成N型半导体区以减少暗电流。
虽然在上述实施例中，本发明应用到CMOS型固态图象拾取装置，但本发明不限于此，它也可以应用到其它配置的固态图象拾取装置，如CCD(电荷耦合器件)固态图象拾取装置。
当本发明应用到CCD固态图象拾取装置时，例如可以在用作所谓的通道止挡区的部分处形成具有包含浅宽部分(shallow wide portion)和深窄部分(deep wide portion)的配置的浅槽隔离层，并且至少可以在浅槽隔离层的深窄部分周围形成防止暗电流的第二半导体型半导体区。
另外，根据本发明的固态图象拾取设备(装置)既可以是形成为一个芯片的固态图象拾取装置，也可以是形成为一组多个芯片的模块式固态图象拾取设备。图4是模块式固态图象拾取装置的一个实例的简图。如图4所示，当根据本发明的固态图象拾取设备(装置)是形成为一组多个芯片的模块式固态图象拾取设备时，此模块式固态图象拾取设备130由用于摄取画面的传感器芯片100、数字信号处理芯片110和光学系统120组成。当根据本发明的固态图象拾取设备是模块式固态图象拾取设备时，此固态图象拾取设备可以产生较宽动态范围的高质量输出信号，并且可以提高其上安置有模块的电子装置的性能。
根据本发明，提供了一种这样的固态图象拾取装置，其由包含第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区的传感器部分和设置在形成于半导体衬底上的沟道内的隔离部分组成，其中浅槽隔离区由上宽部分和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在下窄部分周围。
根据本发明，在固态图象拾取装置中，上宽部分包括第一扩散区，狭窄部分包括不同于第一扩散区的第二扩散区，第一和第二扩散区在各自的端部相互重叠。
另外，根据本发明，提供了一种模块式固态图象拾取中，其由包括多个象素的图象拾取区组成，每个图象拾取区包括由第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区组成的传感器部分和用于将入射光引入到图像拾取区中的光学系统，其中象素包括与传感器部分相邻的隔离部分，隔离部分由上宽部分和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在下窄部分周围。
根据本发明，在模块式固态图像拾取装置中，上宽部分包括第一扩散区，而下窄部分包括不同于第一扩散区的第二扩散区，并且第一和第二扩散区在它们相应的端部彼此重叠。
结果，因为浅槽隔离层包括下窄部分，并且与现有技术中单个的浅槽隔离层结构相比，其位于光接收传感器部分之后，光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区的面积可以增大，从而增加可由光接收传感器部分处理的电荷量。
另外，可以通过形成在浅槽隔离层下窄部分周围的第二导电型半导体区减少从浅槽隔离层下部的侧壁产生的暗电流。特别是，从光接收传感器部分的第一导电型电荷积累区向横向延伸的耗尽层被第二导电型半导体区阻挡，由此可以防止耗尽层到达浅槽隔离层的侧壁。结果，可以抑制暗电流和白点的发生。
如上所述，根据本发明，因为与现有技术中单沟道隔离层结构相比，可以增大光接收传感器部分的光电二极管的电荷积累区的面积，所以可以增加可积累的信号电荷量(要处理的电荷)。结果，可以获得大动态范围的固态图象拾取装置。
另外，根据本发明，因为暗电流和白点的出现可以通过形成在浅槽隔离层下窄部分周围的第二导电型半导体区抑制，不会压制要处理的电荷量特性，所以可以实现高S/N(信噪比)的固态图像拾取装置，并且可以产生高质量的图像输出。
因此，根据本发明，可以实现这样的固态图像拾取装置，即暗电流和白点的产生得到抑制，可以获得高图像质量的图像输出，并且可以维持由光接收传感器部分处理的足够大量的电荷。
另外，根据本发明，当固态图像拾取装置为模块式固态图像拾取装置时，可以获得较宽动态范围的高质量的输出图像信号，并且可以提高其上安装该模块的电子装置的性能。
虽然以上已经参考附图描述了本发明的优选实施例，但应该理解，本发明不限于这些具体的实施例，本领域的技术人员在不脱离本发明由所附的权利要求限定的本发明实质和范围的前提下可以对本发明进行各种变化和改型。
Claims (4)
1.一种固态图像拾取装置，包括：
传感器部分，其包括第一导电型电荷积累区和形成在第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区；和
隔离部分，其设置在形成于半导体衬底上的沟道内，其中，所述隔离部分由上宽部分和下窄部分组成，第二导电型半导体区形成在所述隔离部分的所述下窄部分周围。
2.如权利要求1所述的固态图象拾取装置，其中，所述上宽部分包括第一扩散区，所述下窄部分包括不同于所述第一扩散区的第二扩散区，且所述第一和第二扩散区在它们相应的端部处彼此重叠。
3.一种模块式固态图像拾取装置，包括：
包括多个象素的图像拾取区，每个图像拾取区包括由第一导电型电荷积累区和形成在所述第一导电型电荷积累区之上的第二导电型半导体区组成的传感器部分；和
用于将入射光引入到图像拾取区中的光学系统，其中，所述象素包括与所述传感器部分相邻的隔离部分，所述隔离部分由上宽部分和下窄部分组成，且第二导电型半导体区形成在所述隔离部分的所述下窄部分周围。
4.如权利要求3所述的模块式固态图象拾取装置，其中，所述上宽部分包括第一扩散区，所述下窄部分包括不同于所述第一扩散区的第二扩散区，并且所述第一和第二扩散区在它们相应的端部彼此重叠。
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