CN1637861A

CN1637861A - 盘片驱动器中控制磁头卸载操作的装置和方法

Info

Publication number: CN1637861A
Application number: CNA2004100821052A
Authority: CN
Inventors: 细川浩司
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2003-12-15
Filing date: 2004-12-15
Publication date: 2005-07-13
Also published as: US7046475B2; JP2005174511A; SG113001A1; US20050128633A1

Abstract

在磁头卸载操作(S23)之前，搜索控制器件(21)把磁头移动到盘片的记录表面上的特定磁道。速度反馈控制器件(21)以预定的采样间隔检测所述磁头的移动速度(S26)，然后根据所述检测出的速度进行速度反馈控制(S28、S29)。所述速度反馈控制进行预定的次数(S24、S25)。通过以所述采样间隔对检测出的所述速度进行积分，估计器件(21)估算在所述速度反馈控制进行所述预定的次数时所述磁头已经移动的所述距离(S27、S31)。磁头卸载操作判断器件(21)根据所述估计出的磁头移动距离，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成(S32、S33、S34)。

Description

盘片驱动器中控制磁头卸载操作的装置和方法

技术领域

本发明涉及一种盘片驱动器，它具有一个磁头，读取写在盘片的记录表面上的数据。确切地说，本发明涉及一种装置和方法，用于控制盘片驱动器中的磁头卸载操作，所述装置和方法适于在位于离开所述盘片的所述记录表面的特定退回区域中，检测所述磁头在卸载中的误差。

背景技术

近来的盘片驱动器，例如硬盘驱动器，通常包括一个斜坡装置(ramp)。所述斜坡装置提供了一个退回区域，所述磁头退回(停泊)到该处。所述退回区域部分地用作限位块，它把所述磁头锁定在所述退回区域中，所述磁头退回到所述退回区域。所述限位块的位置构成了所述退回区域的终端位置。所述斜坡装置位于离开所述盘片的记录表面。所述磁头由一种悬挂支持。所述悬挂形成在一个传动机构的尖端。所述传动机构径向移过所述盘片。所述传动机构包括一台音圈电机(VCM)，它驱动所述传动机构。在所述悬挂的尖端形成了一个薄片。实际上，是所述薄片退回到所述斜坡装置的所述退回区域，并由所述限位块把它锁定在该处。不过为了简单起见，通常的描述是所述磁头退回到所述斜坡装置或者所述磁头由所述限位块锁定。

把所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域的操作称为“卸载”(磁头卸载)。反之，把所述磁头移至所述盘片的所述记录表面的操作称为“加载”(磁头加载)。在所述盘片的所述记录表面上形成了众多的同心磁道。另外，以规则的间隔离散地在每条磁道中预写(嵌入)了伺服信息。所述伺服信息包含着位置信息(柱面代码)，表明了其中写着所述伺服信息的所述盘片上柱面(磁道)的所述位置。

在所述磁头的加载/卸载期间，所述磁头可能不在所述盘片的所述记录表面上。在这种状态下，所述磁头就无法读取所述盘片上的所述伺服信息。在这种情况下，所述硬盘驱动器就无法根据所述伺服信息中包含的所述位置信息来检测所述磁头的位置。结果，所述硬盘也无法检测所述磁头的移动速度(磁头速度)。不过，所述磁头移动时所述音圈电机中产生的反电动势电压(反EMF电压)表示了所述磁头的速度(所述传动机构的所述速度)。日本专利申请公开号2001-307451公开了一种技术，通过速度控制来执行加载/卸载操作(这种技术后文中将称为“常规技术”)。例如利用这种常规技术，在磁头卸载操作中，根据所述音圈电机的所述反EMF电压来计算所述磁头速度。然后进行反馈控制，使检测的所述磁头速度适当。同时根据所述磁头速度检测(计算)所述磁头已经移动的距离。在磁头卸载操作中，所述磁头必须可靠地到达所述限位块位置。因此，根据检测出的所述磁头移动距离来判断所述磁头是否已经到达所述限位块位置(所述退回区域的所述终端位置)。

不过，如果所述速度没有正确检测出，因此检测出的所述速度与实际速度不同，那么所述磁头移动距离也与实际距离不同。在这种情况下，就不可能正确地判断所述磁头是否已经到达所述斜坡装置的所述退回区域的所述终端位置。那么，即使所述磁头尚未实际到达所述退回区域的所述终端位置，可能也会错误地判定所述磁头已经到达所述终端位置。如果按照这种错误的判断所述磁头卸载操作已经完成，并且如果例如所述硬盘驱动器随后受到外部冲击或振动，那么所述磁头可能落在所述盘片的所述记录表面上。一般来说，为了把所述磁头盘片驱动器(盘片驱动器)转移到一种不工作状态，执行所述磁头卸载操作。那么，如果在所述磁头卸载操作已经完成之后的指定时间内主机没有提供任何命令，所述盘片的旋转往往会停止。如果在所述盘片的旋转保持停止时所述磁头处于所述盘片的所述记录表面上，所述磁头就会粘住所述盘片。

发明内容

本发明的一个目的是在所述磁头卸载操作期间防止错误地判定磁头已经到达斜坡装置的退回区域。

根据本发明的一个实施例，提供了一种盘片驱动器，具有读取写在盘片的记录表面上的数据的磁头。所述盘片驱动器包括一个传动机构、一个斜坡装置、一个速度检测器、一个搜索控制器件、一个速度反馈控制器件、一个估计器件以及一个磁头卸载操作判断器件。所述传动机构支持着所述磁头，使得所述磁头可以在所述盘片的半径方向移动。所述斜坡装置位于离开所述盘片的所述记录表面。所述斜坡装置具有一个退回区域，所述磁头退回到该处。所述速度检测器以预定的采样间隔检测所述磁头的移动速度。在把所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域的磁头卸载操作之前，所述搜索控制器件把所述磁头移动到所述盘片的所述记录表面上的一个特定半径位置。所述速度反馈控制器件根据所述速度检测器检测出的所述磁头的移动速度，对所述磁头卸载操作进行速度反馈控制。为了使所述磁头的移动速度等于一个目标值，进行所述速度反馈控制。按照预先指定的次数进行所述速度反馈控制，以满足使所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域的需要。所述估计器件估计所述磁头的移动距离。所述估计器件通过对所述速度检测器检测出的所述速度进行积分，计算所述磁头的估计的移动距离。根据所述估计器件在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后估计出的所述磁头的移动距离，所述磁头卸载操作判断器件判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

附图简要说明

在说明书中加入并构成其一部分的附图，展示了本发明的若干实施例，并且连同上面给出的一般说明和下面给出的若干实施例的详细说明，用于讲解本发明的原理。

图1是一幅框图，显示了根据本发明一个实施例的硬盘驱动器的结构；

图2是图1所示斜坡装置16的一幅剖面图，沿着盘片11的半径方向截取；

图3是一幅流程图，显示了测量磁头移动距离DA的过程，所述过程根据这个实施例应用；

图4是一幅流程图，显示了根据这个实施例应用的磁头卸载控制过程；

图5是一幅示意图，显示了磁头位置与磁头速度变化和VCM电流二者之间的关系，如果根据这个实施例判定所述磁头卸载操作已经成功就会观测到所述关系；

图6是一幅示意图，显示了所述磁头位置与磁头速度变化和VCM电流二者之间的关系，如果根据这个实施例判定所述磁头卸载操作已经失败就会观测到所述关系；

图7是一幅示意图，显示了如何在一个RAM 212中提供根据这个实施例的一种修改而应用的最低磁头速度寄存器212b；

图8A和图8B是两幅流程图，显示了根据这种修改应用的磁头卸载控制过程；

图9是一幅示意图，显示了磁头位置与磁头速度变化和VCM电流二者之间的关系，在根据这种修改判定所述磁头卸载操作已经成功的不寻常情况下就会观测到所述关系。

具体实施方式

现在将参考附图，介绍本发明应用于硬盘驱动器的一个实施例。

图1是一幅框图，显示了根据本发明一个实施例的硬盘驱动器(HDD)的结构。在图1中，盘片(盘片)11具有两个盘片表面：盘片上表面和盘片下表面。所述盘片11的这两个盘片表面中至少一个用作记录表面，数据以磁方式记录其上。磁头12位于与所述盘片11的所述记录表面相关联。所述磁头12用于从所述盘片11读取数据以及向其写入数据。在图1所示的结构中假设所述硬盘驱动器包括单片盘片11。不过，所述驱动器也可以具有多片盘片11，一片叠在另一片之上。

在所述盘片11的所述记录表面上形成了众多的同心磁道110。另外，以规则的间隔离散地在每条磁道110中预写(预嵌)了伺服信息。所述伺服信息包含着把所述磁头12定位在目标磁道所需的位置信息。所述位置消息包含着柱面代码，表明其中写着所述伺服信息的所述盘片11上的柱面(磁道)。

所述盘片11由主轴电机(SPM)13高速旋转。所述磁头12安装在传动机构(支架)14上。更确切地说，所述磁头12安装在从所述传动机构14的动臂140延伸的悬挂141上。随着所述传动机构14的旋转，所述磁头12在所述盘片11的半径方向移动。由此，所述磁头12定位在所述目标磁道上。所述传动机构14包括音圈电机(VCM)15，用作所述传动机构14的驱动源。所述传动机构14由所述VCM 15驱动。

在所述传动机构14的几乎中心部位形成了一个通孔。一根枢轴142安装在所述传动机构14的所述通孔中。所述传动机构14受到支持，可以围绕所述枢轴142旋转。这就使得所述磁头12在随着所述动臂140和悬挂141整体旋转时能够在所述盘片11的半径方向上移动。所述传动机构14具有一个支持框架143，在与所述动臂141延伸方向相反的方向延伸。一个音圈150整体嵌入在所述支持框架143中。所述音圈150位于一个上磁轭和一个下磁轭之间。所述音圈150与这两个磁轭和固定在所述下磁轭上的一个永久磁体一起构成了所述VCM15。

所述盘片11具有一个内缘和一个外缘。一个斜坡装置16的位置离开所述盘片11的所述记录表面，例如接近所述盘片11的所述外缘之处。所述斜坡装置16的位置也可以接近所述盘片11的所述内缘之处。所述斜坡装置16用于在所述HDD处于节电模式时，使所述磁头退回到位于离开所述盘片11的所述记录表面的一个区域，并使所述磁头保持在这个区域。不过实际上，是一个薄片144而不是所述磁头12位于所述斜坡装置16上。因此，所述斜坡装置16位于所述薄片144移动路径的一个预定位置。注意，为了避免复杂的表述，可以使用表述“所述磁头12卸载在所述斜坡装置16上”。反之，在所述HDD处于读/写模式下时，所述磁头12出现在所述盘片11上。所述读/写模式一种非节电模式，可以立即从所述盘片11读取数据或者立即写入。根据HDD的类型，可以按照节省功耗的级别定义多种节电模式。所述多种节电模式可以包括所述磁头位于所述盘片11上的一种。因此在本实施例中，把所述磁头12退回所述斜坡装置16的节电模式称为特定的不工作模式。

图2是所述斜坡装置16的一幅剖面图，沿着盘片11的半径方向截取。在所述斜坡装置16的一个部分形成了一个凹进的停泊部位161，它更加远离所述盘片11。所述停泊部位161用作退回区域，把所述薄片144停泊(退回)其中。所述停泊部位161更加远离所述盘片11的侧壁用作限位块162，在磁头卸载操作期间它使所述薄片144停止(锁定)。所述停泊部位161更加靠近所述盘片11的侧壁用作倾斜表面163，在磁头加载期间它使所述薄片144能够从所述停泊部位161平滑地脱离。所述斜坡装置161更加靠近所述盘片11的表面用作倾斜表面164，在磁头卸载期间它引导所述薄片144从所述盘片11到所述斜坡装置16。

图1所示的HDD具有一个锁定机构(未显示)。所述锁定机构用于在磁头卸载期间，当所述磁头12(薄片144)到达所述斜坡装置16的所述停泊部位161时，使用例如磁吸引力锁定所述传动机构14。所述锁定机构由一个磁体和一个磁元件组成，所述磁体由所述HDD的外壳支持，所述磁元件包括例如金属并被固定在所述传动机构14的所述支持框架143最接近所述盘片11的一端。

所述SPM 13和VCM 15由驱动器IC 17提供的各自的驱动电流(SPM电流和VCM电流)驱动。所述驱动器IC 17包括一个SPM驱动器171、一个VCM驱动器172以及一个反EMF电压检测器173。所述SPM驱动器171向所述SPM 13提供SPM电流，对应于后面介绍的CPU 21提供的控制量。所述VCM驱动器172向所述VCM 15提供VCM电流，对应于CPU 21提供的控制量。所述反EMF电压检测器173检测所述VCM 15产生的反EMF电压(反EMF)。

所述磁头12连接到磁头IC(磁头放大器电路)18。所述磁头IC18包括一个读出放大器和一个写入放大器，前者用于放大所述磁头12读出的读出信号，后者用于把写入数据转换为写入电流。所述磁头IC18连接到读/写IC(读/写通道)19。所述读/写IC 19是一个信号处理器件，用于执行多种信号处理，比如读出信号的模数转换、写入数据的编码、读出数据的解码等。

所述读/写IC 19连接到盘片控制器(HDC)20和所述CPU 21。所述HDC 20连接到主机(主机系统)和所述CPU 21。所述主机是一台数字装置，比如个人电脑，它使用图1所示的HDD。所述HDC 20具有接口控制功能，控制着由所述主机传递之命令(读/写命令等)的接收，而且控制着所述主机和所述HDC 20之间的数据传递。所述HDC20也具有盘片控制功能，控制着所述盘片11和所述HDC 20之间的数据传递。

所述CPU 21是图1所示HDD的主控制器。所述CPU 21包括闪速只读存储器(FROM)211和随机存储器(RAM)212。所述FROM211是可重写的非易失性存储器，其中预先存储着由所述CPU 21执行的控制程序211a。所述控制程序211a包含着磁头卸载控制例程211b和磁头移动距离测量例程211c。所述磁头卸载控制例程211b是一个处理例程，用于控制把位于所述盘片11的所述记录表面上的所述磁头12卸载到所述斜坡装置16的磁头卸载操作。所述磁头移动距离测量例程211c是一个处理例程，用于在磁头卸载操作期间测量所述磁头的移动距离。所述FROM 211的一个存储区域部分地用作磁头移动距离保存区域211d，其中保存着根据所述磁头移动距离测量例程211c测量出的磁头移动参考距离DA。所述RAM 212的一个存储区域部分地用作所述CPU 21的工作区域。另外，所述RAM 212的所述存储区域包括积分值寄存器212a，它保存着所述磁头12的所述移动速度(磁头速度)的暂时积分值。

现在将以所述磁头移动距离的测量和所述磁头卸载控制(正常的磁头卸载控制)为例，顺序地介绍图1所示HDD执行的操作。首先将参考图3中的流程图，介绍所述磁头移动距离DA的测量过程。在所述HDD制造时执行的检查步骤期间，根据所述控制程序211a的所述磁头移动距离测量例程211c，执行这个过程。所述控制程序211a存储在所述FROM 211中。当所述磁头12从所述盘片11上一条特定的磁道卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161时，在这个过程期间测量出的所述磁头移动距离DA用作所述磁头移动距离的一种参考(参考移动距离)。

首先，所述CPU 21为所述磁头12(传动机构14)设定一个目标速度(步骤S0)。测量所述磁头移动距离的所述过程必须确保所述薄片144(磁头12)到达所述斜坡装置16的所述限位块162。因此，所述目标速度Vt设定在大于正常值Vt0的数值Vt1，以便防止所述磁头12停止在所述倾斜表面164上。另外，所述CUP 21把所述RAM 212中的所述积分值寄存器212a清除至“0”(步骤S1)。

然后，所述CPU 21把一个计数器C设定在初始值“1”(步骤S2)。所述计数器C用于管理所述磁头12卸载到所述斜坡装置16上时磁头卸载控制所需的次数(采样次数的数目)，以便测量所述磁头移动距离。然后，所述CPU 21控制一个搜索操作，把所述磁头12移动到所述盘片11上的所述特定磁道，即进行所谓的搜索控制(步骤S3)。根据所述磁头12从所述盘片11读取的伺服信息中包含的位置信息，进行所述搜索控制。注意，所述特定磁道是所述斜坡装置16附近的一个预定磁道，即位于所述盘片11的所述外缘侧上一个预定半径位置的一条磁道。所述特定磁道与后面介绍的磁头卸载控制(正常磁头卸载控制)开始时进行的搜索控制所用的目标磁道相同。

因此在本实施例中，在所述磁头移动距离的测量过程期间进行的所述磁头卸载控制开始时，步骤S3中的处理把所述磁头12移动到所述盘片11上的所述特定磁道。因此，在磁头卸载操作期间所述磁头12的所述移动距离是固定的。这里假设以规则的采样间隔进行反馈控制(速度反馈控制)，以便以所述目标速度Vt把所述磁头12从所述特定磁道卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161。在这种情况下，在预定数目C0±ΔC(ΔC是一个差值)的采样次数反馈控制之后，就期望所述磁头12到达所述斜坡装置16的所述限位块162。因此在本实施例中，考虑到所述差值ΔC，采样次数的所述数目C0±ΔC用作把所述磁头12从所述特定磁道移动到所述斜坡装置16的所述限位块162所需次数的指定数目Cref。

然后，所述CPU 21判断所述计数器C中的数值(即采样次数的所述数目C)是否超过次数的所述指定数目Cref(＝C0±ΔC)。为了判断所述磁头卸载操作是已完成还是继续(进行)，执行步骤S4。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，所述CPU 21就等待一个采样周期(步骤S5)，以便继续(进行)所述磁头卸载控制(所述磁头卸载控制所用的速度反馈控制)。然后，所述CPU 21检测所述磁头12(传动机构14)的所述移动速度(磁头速度)V(步骤S6)。通过把所述反EMF电压检测器173检测出的所述VCM 15的所述反EMF电压转换为所述磁头12的所述速度，就检测出了所述磁头速度V。

所述CPU 21判断检测出的所述磁头速度V是否为零，或者指明所述VCM电流所用的所述控制量具有最大值，或者这两个条件都没有满足(步骤S7)。如果检测出的所述磁头速度V不是零，而且所述控制量不具有最大值，所述CPU 21就计算所述磁头卸载操作的起点和当前采样时间之间所述磁头速度的暂时积分值(步骤S8)。在步骤S8中，当前检测出之所述磁头速度的所述暂时积分值增加到直至上次采样时间对所述磁头速度进行积分得出的所述暂时积分值中，以便计算所述磁头卸载操作的起点和当前采样时间之间对所述磁头速度进行积分得出的暂时积分值。所述磁头速度的所述暂时积分值存储在所述RAM 212中提供的所述积分值寄存器212a中。在第一次采样时，初始值零用作直至上次采样时间对所述磁头速度进行积分得出的所述暂时积分值。因此，在开始所述磁头移动距离的测量过程时，所述CPU21在步骤S1中把所述积分值寄存器212a清除为“0”。

执行了步骤S8之后，所述CPU 21就进至步骤S9。反之，如果检测出的所述磁头速度V是零或者所述控制量具有最大值，所述CPU21就判定所述磁头12已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162(步骤S7)。在这种情况下，所述CPU 21就跳至步骤S8以便进至步骤S9。根据步骤S7中的所述判断结果跳过步骤S8的效果将给出说明。首先，取决于所述反EMF电压检测器173的检测准确度，即使所述磁头12已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162，检测出的所述磁头速度V也可能不为零。在这种情况下，执行步骤S8对所述磁头速度V进行积分时，就会测量出错误的磁头移动距离。另一方面，一旦所述磁头12到达所述斜坡装置16的所述限位块162并停止，所述控制量就增加到最大值以便把所述磁头速度V保持在所述目标值。因此在本实施例中，即使所述磁头速度V不为零，所述磁头12也视为已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162。在这种情况下，也可能通过跳过步骤S8来估量出错误的磁头移动距离。

在步骤S9中，所述CPU 21根据所述磁头速度V和所述目标值Vt(＝Vt1)之间的差值，计算(确定)向所述VCM驱动器172提供的所述控制量(步骤S9)。所述控制量具有一个所需值，通过公知的比例积分(PI)控制，使所述磁头速度V等于所述目标值Vt。所述CPU 21向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量。所述CPU21由此使所述VCM驱动器172向所述VCM 15输出所述控制量对应的一个VCM电流(步骤S10)。

所述CPU 21在步骤S9中向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量之后，把所述计数器C增加1(步骤S11)。然后所述CPU21返回步骤S4中的处理。在步骤S4中，所述CPU 21判断所述计数器C中的数值(即采样次数的所述数目C)是否超过次数的所述指定数目Cref。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，所述CPU 21就如同上述过程进至步骤S5中的处理。反之，如果作为重复进行所述步骤S5和S11之间所述处理的结果，采样次数的所述数目C超过了所述指定的数值Cref，所述CPU 21就判定所述磁头12应当已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162。在这种情况下，所述CPU 21就完成所述磁头卸载操作，以便进至步骤S12中的处理。

在步骤S12中，所述CPU 21确定所述RAM 212的所述积分值寄存器212a中存储的所述磁头速度的所述暂时积分值为所述磁头移动距离(参考磁头移动距离)DA。确定的所述磁头移动距离DA表示了从所述特定磁道到所述斜坡装置16的所述限位块162的距离。所述CPU 21把确定的所述磁头移动距离中的信息保存在FROM 211的所述磁头移动距离保存区域211d(步骤S13)。

现在将参考图4中的流程图，介绍所述正常的磁头卸载控制。当图1所示的HDD设定在一种特定的不工作模式下时，就进行所述正常的磁头卸载控制，以便把所述磁头12卸载到所述斜坡装置16上。所述CPU 21按照所述控制FROM 211中存储的所述控制程序211a的所述磁头卸载控制例程211b，进行所述磁头卸载控制，正如下面的介绍。

首先，所述CPU 21为所述磁头12(传动机构14)设定目标速度Vt(步骤S20)。与所述磁头移动距离的测量过程期间进行的磁头卸载控制不同，所述正常的磁头卸载控制频繁地进行。所以，每次进行所述磁头卸载控制时，优选情况下把所述目标速度Vt设定在一个更小的数值Vt0(Vt0＜Vt1)，以便防止所述磁头12高速撞击所述斜坡装置16的所述限位块162。然后，如同在所述磁头移动距离测量过程的情况下，所述CPU 21把RAM 212中的所述积分值寄存器212a清除为“0”(步骤S21)。所述CPU 21也把所述计数器C设定在初始值“1”(步骤S22)。然后，所述CPU 21进行搜索操作，把所述磁头12移动到所述盘片11上的所述特定磁道(步骤S23)。

然后，所述CPU 21判断所述计数器C中的所述数值(采样次数的所述数目C)是否超过所述指定的数值Cref(步骤S24)。为了判断所述磁头卸载操作是已完成还是继续(进行)，执行步骤S24。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，如同在这个实例的情况下，所述CPU 21就等待预先指定的一个采样周期(步骤S25)，以便继续(进行)所述磁头卸载控制。然后，所述CPU 21根据所述反EMF电压检测器173检测出的所述VCM 15的所述反EMF电压，检测所述磁头速度V(步骤S26)。

所述CPU 21对检测出的所述磁头速度V进行积分，以便计算所述磁头卸载操作的起点和当前采样时间之间所述磁头速度的暂时积分值(步骤S27)。所述磁头速度的这个暂时积分值存储在所述RAM 212中的所述积分值寄存器212a中。然后，所述CPU 21根据所述磁头速度V和所述目标值Vt(＝Vt0)之间的差值，计算(确定)向所述VCM驱动器172提供的所述控制量(步骤S28)。所述CPU 21向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量。所述CPU 21由此使所述VCM驱动器172向所述VCM 15输出所述控制量对应的一个VCM电流(步骤S29)。

所述CPU 21在步骤S28中向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量之后，把所述计数器C增加1(步骤S30)。然后所述CPU 21返回步骤S24中的处理。在步骤S24中，所述CPU 21判断所述计数器C中的数值(即采样次数的所述数目C)是否超过次数的所述指定数目Cref。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，所述CPU 21就如同上述过程进至步骤S25中的处理。反之，如果作为重复进行所述步骤S25和S30之间所述处理的结果，采样次数的所述数目C超过了所述指定的数值Cref，所述CPU 21就判定所述磁头12应当已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162。在这种情况下，所述CPU 21就完成所述磁头卸载操作，以便进至步骤S31中的处理。

在步骤S31中，所述CPU 21确定所述RAM 212的所述积分值寄存器212a中存储的所述磁头速度的所述暂时积分值为所述当前磁头移动距离DB。所述CPU 21根据所述当前磁头移动距离DB和(所述FROM 211的所述磁头移动距离保存区域211d中保存的所述信息表明的)所述参考磁头移动距离DA，计算|DA-DB|。所述数值|DA-DB|表示所述磁头移动距离DA和所述磁头移动距离DB之间差值的绝对值。然后所述CPU 21判断所述数值|DA-DB|是否小于目前的差值ΔD(步骤S32)。换言之，所述CPU 21判断所述当前磁头移动距离DB是否在所述数值ΔD之内等于所述参考磁头移动距离DA。注意，所述磁头移动距离DB，即所述磁头速度的所述暂时积分值，表示在所述当前磁头卸载控制期间估算的所述磁头12的移动距离。所以，如果进行磁头卸载控制的次数等于把所述磁头12可靠地卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161中所需的采样次数的所述数目C而且所述磁头12(薄片144)已经正确地到达所述停泊部位161的所述限位块162，|DA-DB|＜ΔD就应当成立。如同C＜Cref，所述关系|DA-DB|＜ΔD是判定磁头卸载完成所用的一种条件。

因此，如果所述数值|DA-DB|小于所述差值ΔD(步骤S32)，所述CPU 21就判定所述磁头卸载操作已经成功，即所述磁头12已经可靠地卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161中(步骤S33)。反之，如果所述数值|DA-DB|至少是所述差值ΔD(步骤S32)，所述CPU21就判定所述磁头卸载操作很可能已经失败，即所述磁头12不太可能卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161中(步骤S34)。当例如所述磁头12(薄片144)停止在所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上时，就会发生这种失败。当由于所述反EMF电压检测器173中的缺陷而无法正确地检测所述磁头速度时，以及当所述磁头速度的所述暂时积分值因此不表示正确的磁头移动距离DB时，也会发生这种失败。在这种情况下，即使进行磁头卸载控制的次数等于把所述磁头12可靠地卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161中所需的采样次数的所述数目C，所述数值|DA-DB|也可能至少是所述差值ΔD。如果所述磁头卸载操作失败了，所述CPU 21就执行一个错误处理，例如重试一次磁头卸载操作。

可以继续所述磁头卸载操作，直至所述关系|DA-DB|＜ΔD成立。在这种情况下，当所述关系|DA-DB|＜ΔD成立时，如果采样次数的所述数目C在所述C0±ΔC的范围之内，就能够判定所述磁头卸载操作成功了。不过，利用这种方法，一旦所述磁头12(薄片144)停止在所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上，就会永远进行所述磁头卸载控制。

[改进]

现在将介绍上述实施例的一项改进的形式。这项改进的特征在于，利用由所述反EMF电压检测器173检测出的所述反EMF电压确定的磁头速度中的变化来判断磁头卸载操作中的失败(错误)(错误判断)。在根据本修改而应用的一种磁头卸载操作中，所述磁头12的所述目标速度Vt设定在所述数值Vt0，如同在上述实施例中。所述磁头卸载操作包括一个步骤，其中所述磁头12(薄片144)到达并接触所述斜坡装置16(确切地说，所述磁头12爬上所述斜坡装置16的所述倾斜表面164)。在这个步骤中，所述磁头速度V暂时下降。

图5显示了所述磁头位置与所述磁头速度变化和VCM电流二者之间的所述关系，如果磁头卸载操作正确地进行就会观测到所述关系。如图5所示，在所述磁头卸载操作开始时间t1之后，立即产生了一个大的VCM电流，因为在所述磁头速度V和所述目标速度Vt之间有一个大的差值。随后，当所述磁头速度V变得几乎等于所述目标速度Vt时，所述VCM电流就减小了。然后在时间t2，所述磁头12到达所述斜坡装置16，然后开始爬升所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。所述磁头速度V由此下降，使所述VCM电流增大。随后，所述磁头12结束爬升所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。所述磁头速度V由此恢复到所述目标速度Vt，即所述磁头12重新加速。那么所述VCM电流减小。然后在时间t3，所述磁头12到达所述斜坡装置16的所述限位块162。那么所述磁头速度V变为零。在所述磁头速度V为零时，所述VCM电流变为最大。

根据本实施例的所述改进的形式，利用磁头速度V中的变化来判断磁头卸载操作是否已经失败。首先，如同在图5所示实例的情况下，如果在所述磁头速度V已经下降之后所述磁头12重新加速，就估计它已经完全爬上了所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。然后假设在这种情况下磁头卸载控制(所述磁头解锁控制所用的速度反馈控制)已经进行的次数等于把所述磁头12可靠地卸载到所述斜坡装置16的所述停泊部位161中所需的采样次数的所述数目C。在这种情况下，期望所述磁头12已经到达所述斜坡装置16的所述停泊部位161。结果就能够判定所述磁头卸载操作已经成功。反之，如果即使在所述磁头速度V已经下降之后所述磁头12仍然不断地减速，就估计它停止在所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上。在这种情况下，就能够判定所述磁头卸载操作已经失败。

图6显示了所述磁头位置与所述磁头速度变化和VCM电流二者之间的关系，如果磁头卸载操作已经失败就会观测到所述关系。图6显示出，在所述磁头12到达所述斜坡装置16的时间t12之后，它未能完全爬上所述斜坡装置16的所述倾斜表面164，并且停止在所述倾斜表面164上。在图6所示的实例中，在所述时间t12，所述磁头速度V下降使所述VCM电流增大。然后，当所述磁头12停止在所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上使所述磁头速度为零时，所述VCM电流变为最大。

在本实施例的所述改进的形式中，利用磁头卸载期间检测出的最低磁头速度Vmin来判断磁头卸载操作是否已经失败。因此，所述RAM 212的一个存储区域用作最低磁头速度寄存器212b，如图7所示。所述寄存器212b用于存储所述最低磁头速度Vmin的信息。

现在将参考图8A和图8B中的流程图，对于根据本实施例的所述改进的形式，采取例如利用磁头速度V中变化来判断磁头卸载操作是否已经失败的所述磁头卸载控制的所述HDD的操作给出说明。首先，所述CPU 21为所述磁头12(传动机构14)设定目标速度Vt(步骤S40)。注意，所述目标速度Vt设定在所述数值Vt0。所述CPU 21初始化所述RAM 212中的所述最低磁头速度寄存器212b(步骤S41)。注意，对于所述最低磁头速度寄存器212b设定了最大值(所有位均为“1”)。

然后，所述CPU 21把一个旗标F设定为F0，把所述计数器C设定在初始值“1”(步骤S42和S43)。所述旗标F表明在磁头卸载期间所述磁头12的状态。所述旗标F具有五种状态F0、F1、F2、F3和F4。F0表示的状态为自从磁头卸载操作开始后所述磁头12的所述磁头速度V尚未达到所述目标速度Vt。F1表示的状态为所述磁头12的所述磁头速度V已经达到所述目标速度Vt但是尚未到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。F2表示的状态为所述磁头已经到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164并已经减速但是尚未重新加速。F3表示的状态为所述磁头12已经重新加速，其速度恢复到所述目标速度Vt。F4表示的状态为所述磁头已经到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164并已经重新加速但是尚未恢复到所述目标速度Vt。

在执行了步骤S42和S43之后，所述CPU 21进行搜索操作，把所述磁头12移动到所述盘片11上的所述特定磁道(步骤S44)。然后，所述CPU 21判断所述计数器C中的所述数值(采样次数的所述数目C)是否超过所述指定的数值Cref(步骤S45)。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，如同在这个实例的情况下，所述CPU 21就等待预先指定的一个采样周期(步骤S46)，以便继续(进行)所述磁头卸载控制。然后，所述CPU 21根据所述反EMF电压检测器173检测出的所述VCM 15的所述反EMF电压，检测所述磁头速度V(步骤S47)。

所述CPU 21判断所述磁头速度V是否已经达到所述目标速度Vt(步骤S48)。进行这项判断是根据所述磁头速度V是否在所述目标速度的范围Vt±ΔV(ΔV是一个差值)之内。如果所述磁头速度V尚未达到所述目标速度Vt，所述CPU 21就判断所述旗标F的所述状态是否为F1或F2(步骤S49或S50)。在这个实例中，所述旗标F是F0。如果所述旗标F的所述状态因此既非F1亦非F2，所述CPU 21就根据检测出的所述磁头速度V和所述目标值Vt(＝Vt0)之间的差值，计算向所述VCM驱动器172提供的所述控制量(步骤S51)。所述CPU 21向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量。所述CPU 21由此使所述VCM驱动器172向所述VCM 15输出所述控制量对应的一个VCM电流(步骤S52)。

所述CPU 21在步骤S51中向所述VCM驱动器172提供计算出的所述控制量之后，把所述计数器C增加1(步骤S53)。然后所述CPU 21返回步骤S45中的处理。在步骤S45中，所述CPU 21判断所述计数器C中的数值(即采样次数的所述数目C)是否超过次数的所述指定数目Cref。如果采样次数的所述数目C至多是所述指定的数值Cref，所述CPU21就在一个采样周期之后如同在上述过程的情况下检测所述磁头速度V(步骤S46或S47)。

假设检测出的所述磁头速度V此时达到了所述目标速度Vt。如果所述磁头速度V已经达到了所述目标速度Vt(步骤S48)，所述CPU 21就判断所述旗标F的所述状态是否为F0(步骤S54)。如果F＝F0，所述CPU 21就判定自从所述磁头卸载开始后所述磁头12的所述磁头速度V第一次刚刚达到所述目标速度Vt而且所述磁头12尚未到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。在这种情况下，所述CPU21就把所述旗标F的所述状态从F0改变为F1(步骤S55)，然后进至步骤S51中的处理。

假设所述磁头12随后到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164。那么，所述磁头12的所述磁头速度V就下降到低于所述目标速度Vt，如图5或图6所示。在这种情况下，所述CPU 21就判定所述磁头速度V尚未达到所述目标速度Vt(步骤S48)。然后所述CPU 21进至步骤S49中的处理。在步骤S49中，所述CPU 21判断所述旗标F的所述状态是否为F1。如果如同在这个实例的情况下F＝F1，所述CPU21就判定所述磁头速度V低于所述最低磁头速度寄存器212b指明的所述最低磁头速度Vmin(步骤S56)。

如果V＜Vmin，所述CPU 21就把所述寄存器212b的所述内容更新为当前磁头速度V的数值(步骤S57)。然后所述CPU 21判断所述更新后寄存器212b指明的所述最低磁头速度Vmin(即当前磁头速度V)是否低于减速级别Vd(步骤S58)。所述减速级别Vd设定如下：

Vd＝(1-α)Vt (1)式中α是小于1的正值(0＜α＜1)，例如0.1。也就是所述减速级别Vd设定为比所述目标速度Vt小指定数值的一个数值。

如果所述速度Vmin低于所述级别Vd(步骤S58)，所述CPU 21就判定所述磁头12已经到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164(步骤S59)。在这种情况下，所述CPU 21就把所述旗标F的所述状态从F1改变为F2(步骤S60)。然后所述CPU 21进至步骤S51中的处理。反之，如果所述速度Vmin至少是所述级别Vd(步骤S58)，所述CPU 21就跳过所述步骤S59和S60，进至步骤S51中的处理。如果所述当前磁头速度V至少是所述当前寄存器212b指明的所述最低磁头速度Vmin(步骤S56)，所述CPU 21也进至步骤S51中的处理。

一旦所述磁头12到达了所述斜坡装置16的所述倾斜表面164，如果处于正常状态下它就重新加速，如图5所示。然后，所述磁头12恢复到所述目标速度Vt，然后被所述斜坡装置16的所述限位块162阻止。然后，根据本项修改，为了判断这种状态为所述磁头卸载操作成功，在已经判定所述磁头12到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164(即所述旗标F的所述状态已经从F1改变为F2)之后，执行下面介绍的过程。

首先，如果在步骤S47中检测出的所述磁头速度V已经达到所述目标速度Vt(步骤S48)，所述CPU 21就判断所述旗标F的所述状态是否为F0(步骤S54)。在这种情况下，所述旗标F的所述状态是F2而不是F0。那么，所述CPU 21就从步骤S54进至步骤S61中的处理。在步骤S61中，所述CPU 21判断所述旗标F的所述状态是否为F2或F4。如果如同在这个实例的情况下F＝F2，所述CPU 21就判定所述磁头12已经到达了所述斜坡装置16的所述倾斜表面164并已经减速，然后重新加速恢复到所述目标速度Vt(步骤S62)。如果F＝F4，所述CPU 21也判定所述磁头12已经重新加速恢复到所述目标速度Vt(步骤S62)。判定了所述磁头12已经重新加速恢复到所述目标速度Vt之后，所述CPU 21就把所述旗标F的所述状态改变为F3(步骤S63)。然后所述CPU 21进至步骤S51中的处理。反之，如果所述旗标F的所述状态既非F2亦非F4，所述CPU 21就跳过所述步骤S62和S63，进至步骤S51。

另一方面，如同在图6所示实例的情况下，所述磁头12在停止在所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上之后可能变得不可移动。在这种情况下，所述CPU 21必须判定所述磁头卸载操作已经失败。另外，所述磁头12在到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164之后，或许无论怎样重新加速也不能恢复到所述目标速度Vt。这个实例显示在图9中。如果在所述磁头12从所述斜坡装置16的所述倾斜表面164移动到所述停泊部位161时，对所述传动机构14施加了高扭矩，或者如果所述反馈控制中的控制增益低，就可能会发生比如图9所示的状态。假若例如大的摩擦力作用在所述磁头12(薄片144)和所述斜坡装置16的所述倾斜表面164之间，对所述传动机构14施加的扭矩就会增大。如果所述磁头12重新加速，即使它不能达到所述目标速度Vt，所述磁头12一般也会到达所述斜坡装置16的所述限位块162，如同在图9所示实例的情况下。这必须判定为所述磁头卸载操作成功。

因此，根据这项修改，作为所述磁头12已经到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164的判断结果，在所述旗标F的所述状态已经从F1改变为F2之后，如果所述磁头12不能达到所述目标速度Vt，就执行下面介绍的过程。首先，如果在步骤S47中检测出的所述磁头速度V尚未达到所述目标速度Vt(步骤S48)，所述CPU 21就判断所述旗标F的所述状态是否为F1(步骤S49)。在这种情况下，所述旗标F的所述状态是F2而不是F1。那么，所述CPU 21就从步骤S49进至步骤S50中的处理。在步骤S50中，所述CPU 21判断所述旗标F的所述状态是否为F2。

如果如同在这个实例的情况下F＝F2，所述CPU 21就判定所述磁头速度V超过了重新加速级别Va(步骤S64)。所述重新加速级别Va至少是根据所述目标速度Vt确定的。在这种情况下，所述重新加速级别Va设定如下：

Va＝Vmin+β(Vt-Vmin) (2)式中β是小于1的正值(0＜β＜1)，例如0.8。也就是，所述重新加速级别Va设定为比所述磁头12判定为到达所述斜坡装置16的所述倾斜表面164时获得的所述磁头速度(最低磁头速度)Vmin高的一个速度，高出的程度是所述目标速度Vt和所述最低磁头速度Vmin之间差值的一个指定分数。所述重新加速级别Va可以设定为比所述目标速度Vt小指定数值的一个数值。

如果所述磁头速度V超过了所述重新加速级别Va(步骤S64)，所述CPU 21就判定所述磁头12尚未恢复到所述目标速度Vt但是已经加速(步骤S65)。在这种情况下，所述CPU 21就把所述旗标F的所述状态从F2改变为F4(步骤S66)。然后所述CPU 21进至步骤S51中的处理。反之，如果所述磁头速度V不超过所述重新加速级别Va(步骤S64)，所述CPU 21就跳过所述步骤S65和S66，进至步骤S51中的处理。然后假设在步骤S66中所述旗标F的所述状态已经改变为F4之后，所述磁头速度V就达到了所述目标速度Vt。在这种情况下，所述CPU 21通过步骤S48、S54、S61和S62进至步骤S63中的处理，把所述旗标F的所述状态从F4改变为F3。

然后假设作为重复地进行使所述磁头12的所述磁头速度V等于所述目标速度Vt所用之所述反馈控制的结果，采样次数的所述数目C超过了所述指定的数值Cref。如果采样次数的所述数目C超过了所述指定的数值Cref(步骤S45)，所述CPU 21就判定所述磁头12应当已经到达所述斜坡装置16的所述限位块162，如同在上述实施例的情况下。在这种情况下，所述CPU 21就完成所述磁头卸载操作，以便进至步骤S67中的处理。在步骤S67中，所述CPU 21检验所述旗标F的所述状态，以便判断所述旗标F的所述状态是否为F3或F4。首先，假设所述CPU 21判定了所述旗标F的所述状态为F3或F4。确切地说，假设所述磁头12已经到达了所述斜坡装置16的所述倾斜表面164并已经减速，然后重新加速。在这种情况下，所述CPU 21就判定磁头卸载完成的判断条件已经满足。所述CPU 21因此判定所述磁头卸载操作已经成功(步骤S68)。反之，假设所述旗标G的所述状态判定为既非F3亦非F4。在这种情况下，所述CPU 21就判定所述磁头卸载操作已经失败(步骤S69)。然后，所述CPU 21就执行一个错误处理，例如重试一次磁头卸载操作。

下面介绍的第一个或第二个条件可以用于在步骤S48中判断所述磁头速度V是否已经达到了所述目标速度Vt。第一个条件是所述磁头速度V连续地落入所述目标值的所述范围Vt±ΔV达到采样次数的预先指定的数目。第二个条件是从所述预先指定数目的最近采样确定的平均磁头速度落入所述目标值的所述范围Vt±ΔV。这也适用于在步骤S56中的所述判断条件：所述磁头速度V低于所述最低磁头速度寄存器212b指明的所述最低磁头速度Vmin。它也适用于在步骤S58中的所述判断条件：所述最低磁头速度Vmin低于所述减速级别Vd。它进一步适用于在步骤S64中的所述判断条件：所述磁头速度V超过所述重新加速级别Va。

在上述改进的形式中，当采样次数的所述数目C超过了所述指定的数值Cref时，如果所述旗标F的所述状态为F4，在下一次磁头卸载控制(所述磁头卸载控制所用的速度反馈控制)中的所述控制增益就可以提高。此外，也可能组合根据上述实施例应用的、利用所述磁头移动距离对磁头卸载完成的所述判断以及根据上述修改应用的、利用所述斜坡装置16的所述倾斜表面164上磁头速度中的变化对磁头卸载完成的所述判断。也就是，如果由采样次数的所述数目C、所述磁头移动距离以及所述旗标F的所述状态，对磁头卸载完成的所述判断条件都满足，所述磁头卸载操作就能够判定为已经成功。在这种情况下，与上述实施例及其修改相比，对所述磁头卸载操作的所述判断就能够更加可靠。

在上述实施例及其修改中，本发明应用于硬盘驱动器(HDD)。不过，本发明也可应用于硬盘驱动器以外的盘片驱动器，比如磁光盘驱动器，只要所述驱动器采用所述磁头卸载控制，把位于所述盘片的所述记录表面上的所述磁头卸载到位于离开所述记录表面的一个位置。

对于本领域的技术人员，不难设想出其他的优点和修改。所以，从广义上来说，本发明并不限于本文所示和介绍的特定细节和代表性实施例。因此，对于附带的权利要求书及其相当内容定义的一般发明概念，在不脱离其实质和范围的情况下，可以作出多种修改。

Claims

1.一种盘片驱动器，具有读取写在盘片的记录表面上的数据的磁头，所述盘片驱动器的特征在于包括：

传动机构，支持着所述磁头，使得所述磁头可以在所述盘片的半径方向移动；

斜坡装置，其位置离开所述盘片的所述记录表面而且具有退回区域，所述磁头退回到该处；

速度检测器，被配置为以预定的采样间隔检测所述磁头的移动速度；

搜索控制器件，被配置为在把所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域的磁头卸载操作之前，把所述磁头移动到所述盘片的所述记录表面上的特定半径位置；

速度反馈控制器件，被配置为根据所述速度检测器检测出的所述磁头的移动速度，对所述磁头卸载操作进行速度反馈控制，进行所述速度反馈控制是为了使所述磁头的移动速度等于目标值，而且所述速度反馈控制进行将所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域所需要的预先指定的次数；

估计器件，被配置为估计所述磁头的移动距离，所述估计器件通过对所述速度检测器检测出的所述磁头的移动速度进行积分，计算所述磁头的估计的移动距离；以及

磁头卸载操作判断器件，被配置为根据所述估计器件在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后估计出的所述磁头的移动距离，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

2.根据权利要求1的盘片驱动器，其特征在于进一步包括：

测量器件，被配置为预先测量把所述磁头从所述特定半径方向退回到所述斜坡装置的所述退回位置所需的所述磁头的移动距离，作为参考移动距离；以及

非易失性存储器件，它保存着所述测量器件测量出的所述参考移动距离，

并且所述磁头卸载操作判断器件根据所述估计器件估计出的所述移动距离以及所述存储器件保存的所述参考移动距离，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

3.根据权利要求2的盘片驱动器，其特征在于所述测量器件包括：

控制器件，它使所述速度反馈控制器件在高于正常的磁头卸载操作所用的速度反馈控制速度的目标速度进行速度反馈控制；以及

参考移动距离判断器件，它被配置为在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后，判断所述估计装置估计出的所述移动距离为所述参考移动距离。

4.根据权利要求1的盘片驱动器，其特征在于进一步包括：

速度变化判断器件，它判断所述速度检测器检测出的所述磁头的移动速度中变化的状态；以及

重新加速判断器件，它根据所述速度变化判断器件进行的所述判断的结果，判断所述磁头是否已经到达所述斜坡装置并已经减速然后重新加速；

并且其中所述磁头卸载操作判断器件根据在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后所述估计器件估计出的所述移动距离，以及所述重新加速判断器件进行的所述判断的结果，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

5.根据权利要求4的盘片驱动器，其特征在于：

所述速度变化判断器件判断所述移动速度中变化的状态是第一速度变化状态还是第二速度变化状态，在所述第一速度变化状态中，在达到所述目标速度之后，所述磁头到达所述斜坡装置并减速然后重新加速恢复到所述目标速度，在所述第二速度变化状态中，在达到所述目标速度之后，所述磁头到达所述斜坡装置并减速然后不重新加速；

如果所述速度变化判断器件判断是所述第一速度变化状态，所述重新加速判断器件就判定所述磁头已经重新加速，如果所述速度变化判断器件判断是所述第二速度变化状态，所述重新加速判断器件就判定所述磁头没有重新加速；以及

如果所述重新加速判断器件判定所述磁头没有重新加速，所述磁头卸载操作判断器件就判定所述磁头卸载操作中出现错误。

6.根据权利要求5的盘片驱动器，其特征在于：

所述速度变化判断器件包括旗标操作器件，它操作指明所述移动速度中变化的状态的旗标，所述旗标具有初始状态、第一旗标状态、第二旗标状态或第三旗标状态，所述第一旗标状态表明所述磁头已经达到所述目标速度但是尚未到达所述斜坡装置的状态，所述第二旗标状态表明所述磁头已经到达并已经减速但是尚未重新加速的状态，所述第三旗标状态表明所述磁头已经重新加速以恢复到所述目标速度的状态；

如果所述磁头达到了所述目标速度，当所述旗标具有所述初始状态时，所述旗标操作器件就把所述旗标改变为所述第一旗标状态，当所述旗标具有所述第二状态时就改变为所述第三旗标状态，而且当所述旗标具有所述第一旗标状态时，如果所述磁头从所述目标速度减速了预定级别，所述旗标操作器件就把所述旗标改变为所述第二旗标状态；以及

在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后，如果所述旗标具有所述第二旗标状态，所述速度变化判断器件就判断是所述第二速度变化状态，如果所述旗标具有所述第三旗标状态，就判断是所述第一速度变化状态。

7.根据权利要求4的盘片驱动器，其特征在于：

所述速度变化判断器件判断所述移动速度中变化的状态是第一速度变化状态，其中在达到所述目标速度之后，所述磁头到达所述斜坡装置并减速然后重新加速以恢复到所述目标速度，还是第二速度变化状态，其中在达到所述目标速度之后，所述磁头到达所述斜坡装置并减速然后不重新加速，还是第三速度变化状态，其中在达到所述目标速度之后，所述磁头到达所述斜坡装置并减速然后重新加速但是不恢复到所述目标速度；

如果所述速度变化判断器件判断是所述第一种或第三速度变化状态，所述重新加速判断器件就判定所述磁头已经重新加速，如果所述速度变化判断器件判断是所述第二速度变化状态，所述重新加速判断器件就判定所述磁头没有重新加速；以及

8.根据权利要求7的盘片驱动器，其特征在于：

所述速度变化判断器件包括旗标操作器件，它操作指明所述移动速度中变化的状态的旗标，所述旗标具有初始状态、第一旗标状态、第二旗标状态、第三旗标状态或第四旗标状态，所述第一旗标状态表明所述磁头已经达到所述目标速度但是尚未到达所述斜坡装置的状态，所述第二旗标状态表明所述磁头已经到达所述斜坡装置并已经减速但是尚未重新加速的状态，所述第三旗标状态表明所述磁头已经重新加速以恢复到所述目标速度的状态，所述第四旗标状态表明所述磁头已经重新加速但是尚未恢复到所述目标速度的状态；

如果所述磁头达到了所述目标速度，当所述旗标具有所述初始状态时，所述旗标操作器件就把所述旗标改变为所述第一旗标状态，当所述旗标具有所述第二状态时就改变为所述第三旗标状态，而且当所述旗标具有所述第一状态时，如果所述磁头从所述目标速度减速了预定级别，所述旗标操作器件就把所述旗标改变为所述第二旗标状态，并且当所述旗标具有所述第二期标状态时，如果所述磁头减速，所述旗标操作器件就把所述旗标改变为所述第四旗标状态；以及

在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后，如果所述旗标具有所述第二旗标状态，所述速度变化判断器件就判定是所述第二速度变化状态，如果所述旗标具有所述第三旗标状态，就判定是所述第一速度变化状态，如果所述旗标具有所述第四旗标状态，就判定是所述第三速度变化状态。

9.一种盘片驱动器，具有读取写在盘片的记录表面上的数据的磁头，所述盘片驱动器的特征在于包括：

斜坡装置，位于离开所述盘片的所述记录表面而且具有退回区域，所述磁头退回到该处；

速度变化判断器件，它判断所述速度检测器检测出的所述磁头的移动速度中变化的状态；

重新加速判断器件，用于在所述速度反馈控制已经进行了所述预定的次数之后，根据所述速度变化判断器件进行的所述判断的结果，判断所述磁头是否已经到达所述斜坡装置并已经减速然后重新加速；以及

磁头卸载操作判断器件，它根据所述重新加速判断器件进行的所述判断的结果，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

10.一种控制磁头卸载操作的方法，所述磁头卸载操作把位于盘片的记录表面上的磁头退回到位于离开所述盘片的所述记录表面的斜坡装置的退回区域，所述方法的特征在于包括：

在所述磁头卸载操作之前，把所述磁头移动到所述盘片的所述记录表面上的特定半径位置；

在把移动到所述特定半径位置的所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域的所述磁头卸载操作期间，以预定的采样间隔检测所述磁头的移动速度；

根据所述检测出的磁头的移动速度，以所述采样间隔对所述磁头卸载操作进行速度反馈控制，进行所述速度反馈控制是为了使所述磁头的移动速度等于目标值，而且所述速度反馈控制进行将所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域所需要的预先指定的次数；

估计所述磁头的移动距离，通过以所述采样间隔对检测出的所述速度进行积分，计算所述磁头的估计的移动距离；以及

在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后，根据估计出的所述磁头的移动距离，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

11.根据权利要求10的方法，其特征在于进一步包括：

以所述采样间隔判断所述速度检测器以所述采样间隔检测出的所述磁头的移动速度中变化的状态；

在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后，根据判断出的所述移动速度中变化的状态，判断所述磁头是否已经到达所述斜坡装置并已经减速然后重新加速；以及

根据在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后估计出的所述移动距离，以及对所述重新加速进行的所述判断的结果，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。

12.一种控制磁头卸载操作的方法，所述磁头卸载操作把位于盘片的记录表面上的磁头退回到位于离开所述盘片的所述记录表面的斜坡装置的退回区域，所述方法的特征在于包括：

根据所述磁头的检测出的移动速度，以所述采样间隔对所述磁头卸载操作进行速度反馈控制，进行所述速度反馈控制是为了使所述磁头的移动速度等于目标值，而且所述速度反馈控制进行将所述磁头退回到所述斜坡装置的所述退回区域所需要的预先指定的次数；

根据在所述速度反馈控制已经进行了所述预先指定的次数之后判断出的所述移动速度中变化的状态的结果，判断所述磁头是否已经到达所述斜坡装置并已经减速然后重新加速；以及

根据所述磁头是否已经到达所述斜坡装置并已经减速然后加速的判断结果，判断所述磁头卸载操作是否已经正确地完成。