CN1620691A - 高储存密度光学记录材料 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及包括基材、记录层和反射层的光学记录介质，其中所述记录层包括式(I)、(II)、(III)、(IV)、(V)的化合物或其互变异构体或其盐。其中各取代基的精确定义参见说明书。具体在350nm至500nm的波长范围内例如用蓝色激光进行记录和读出。记录和读出的质量优异并且具有高的储存密度。此外，还要求保护在380nm至440nm的范围内进行记录和读出的光学记录介质，该介质包括在300nm至400nm的波长范围具有最大吸收的化合物和式(IX)的化合物。

Description

高储存密度光学记录材料
本发明涉及具有优异记录和读出质量，特别是在350nm至500nm的波长范围内具有优异记录和读出质量的新型光学记录材料。在该波长范围内可非常有利地进行记录和读出，并且获得的储存密度比已知材料的高得多。此外，即使是在苛刻的条件下，例如暴露在阳光或荧光灯，受热和/或高湿度环境下，本发明的材料在记录前后也具有非常好的储存性能。此外，它们制造简单并且用常规涂布法如旋转涂布制造时具有良好的再现性。许多用于本发明材料的化合物还不含重金属，因此显然有利于对金属反射层的金属如白金、银或铝进行回收利用。
J.Inf.Recording，25期，69-86页[2000年]公开了具有下式的步花青染料：
Figure A0380248100061
该染料可由具有下式的原料制备：
其中，例如R2＝Hex并且可用于光致发光和光致折变应用的复合塑料。根据该公开文献，五元环上的位阻3，3-二甲基亚甲基在防止结晶和制备无定形玻璃态方面特别重要；但是，在电光应用方面，该染料不能适用已知的设计原理。
JP-A-10/273484公开了包括具有下式的偶氮甲碱金属螯合物的光学记录介质：
Figure A0380248100071
例如包括在488nm处具有最大吸收λmax的下式的化合物的介质：
Figure A0380248100072
这类介质在635nm进行记录。
JP-A-11/334204公开了包括具有以下基础结构式的单偶氮化合物的光学记录介质：
例如在439nm处具有最大吸收λmax的下式的化合物：
Figure A0380248100074
这类介质在488nm处进行记录。该波长仍然比所需的长；此外，这类光学介质灵敏度低并且它们较长波长吸收峰(flank)不够窄，因而不能满足高品质记录的要求。
JP-A-2000/163799描述了包括下式的巴比妥酸衍生物的光学记录介质：
例如包括在339.5nm处具有最大吸收λmax的下式的化合物的介质：
这类介质在420nm处进行记录。但是，这类光学介质同样灵敏度低并且它们较长波长吸收峰不够窄，因而实际应用不能令人满意。
EP-A-1 083 555描述了包括下式化合物的光学记录介质：
例如下式的化合物：
这类介质在550nm或更短波长处进行记录，但是这些化合物同样不能完全令人满意。
WO-01/75873公开了在360至460nm处进行记录的光学记录介质，但是没有提供任何应用实施例。在所列的众多化合物中还包括下式的化合物：
Figure A0380248100084
因此，已知的光学记录介质仅能部分满足高的要求或者不能完全令人满意地同时满足所有要求。
Jp-A-11/34500公开了包含以下杂环化合物的金属络合物染料在光学记录材料上的用途，但是该杂环化合物在高于500nm的最大吸收λmax非常低：
Figure A0380248100091
本发明研究针对具有高信息密度和高数据可靠性的光学记录介质。这种记录介质应该牢固、耐用并且使用简单。此外，它在大规模生产时应成本低，所需设备应尽可能小和便宜，并尽量不包括对环境有害的物质如挥发性物质或有毒金属，或者至少能轻易地处理这类对环境有害的物质。
因此，本发明涉及一种光学记录介质，所述光学记录介质包括基材、记录层和反射层，其中所述记录层包括下式的化合物或其互变异构体或盐，如果需要，可为带抗衡离子的中和盐的离子化形式：
其中
R1为氢或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R2和R3各自独立地为氢、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R3可连接至R2上形成5元或6元环；
R4为氢或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R4可连接至R3上形成5元或6元环；
R5为R6H、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R5可连接至R4上形成5元或6元环；
R6为选自以下的基团：-N＝N-、-O-、-S-、-SO2-、-CH＝N-和
Figure A0380248100111
C1-C24亚烷基、C1-C4亚烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4亚烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24亚烯基、C3-C24亚环烷基、C3-C24亚环烯基、C6-C12芳基、C4-C12亚杂芳基和C7-C12亚芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；或者为多个这类基团的序列；
R7以及在适当地方出现的彼此不同的多个R7基团为卤素、OH、O-R8、O-CO-R8、S-R8、NH2、NH-R8、NR9R10、NR8-CO-R9、NR9COOR8、CHO、羧基、氨基甲酰基、脲基、NR9-CO-NHR10、磷酸根合(phosphato)、P9R10、POR8OR9、P(＝O)OR8OR9、OPR8R9、OPR8OR9、OP(＝O)R8OR9、OP(＝O)OR8OR9、OPO3R8、硫酸根合、磺基、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10，或者为C1-C12烷基，其中所述烷基为非取代的或者由羟基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或卤素单取代或多取代；
R8、R9和R10各自独立地为C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基；或者
R9和R10与其共有的氮结合在一起为非取代的或者被C1-C4烷基单取代或四取代的吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉；
m为1至10的数；并且
M为氢或碱金属、碱土金属或过渡金属，它们可具有或可不具有一个或多个配位体。
当R5为C6-C12芳基时，1个或2个R7基团特别优选处于邻位；处于邻位的R7基团特别优选为卤素、CHO、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN或C1-C12烷基，更优选为卤素如氟、氯或溴，或非取代的或者由羟基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或卤素单取代或多取代的C1-C12烷基。
当式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物为盐时，所述抗衡离子最好为能化学计量地平衡电荷的无机、有机或有机金属抗衡离子，例如无机酸的阴离子，例如醇根、酚根、羧酸根、磺酸根或膦酸根；有机酸的共轭碱或有机金属络合物的阴离子，例如氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、高氯酸根、高碘酸根、氰化物、氰酸根、异氰酸根、硫氰酸根、异硫氰酸根、叠氮酸根、硝酸根、1/2碳酸根、碳酸氢根、C1-C4烷基硫酸根、1/2硫酸根、硫酸氢根、一碱金属硫酸根(monoalkali metal sulfate)、甲烷磺酸根、三氟甲烷磺酸根、甲苯磺酸根、1/3磷酸氢根、1/2一碱金属磷酸根(1/2monoalkali metalphosphate)、二碱金属磷酸根(dialkali metal phosphate)、1/2磷酸氢根、磷酸二氢根、六氟合磷酸根、六氟合锑酸根、1/2 C1-C4烷烃膦酸根、C1-C4烷烃-C1-C12烷基膦酸根、二-C1-C4烷基次膦酸根、四苯基硼酸根、四氟硼酸根、苯磺酸根、对-氯苯磺酸根、对-硝基苯磺酸根、苯甲酸根、乙酸根、三氟乙酸根、七氟丁酸根、1/2草酸根或另一种羧酸根、醇根、酚根(例如苯酚根)或带负电荷的金属络合物，或阳离子，例如H+、Li+、K+、Na+、Mg+2、Ca+2、Sr+2、Al+3或伯、仲、叔、季铵根，例如[NR11R12R13R14]+，其中各自独立于R1至R4的R11至R14可为其它的R1至R4基团，优选为氢或C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C7-C24芳烷基或C6-C10芳基，其中每个基团可为非取代的或被羟基取代并且任选被以下基团间隔一次或多次：氧、铵或鏻阳离子，例如铵、甲基铵、乙基铵、异丙基铵、十五烷基铵、二环己基铵、四甲基铵、四乙基铵、四丁基铵、苄基三甲基铵、苄基三乙基铵、甲基三辛基铵、三(十二烷基)甲基铵、四丁基鏻、四苯基鏻、丁基三苯基鏻或乙基三苯基鏻。
本领域已知也可用抗衡离子影响溶解性。例如可通过选择四-正丁基铵或Primene81-R(Rohm&Haas)作为抗衡离子提高在低和中极性溶剂(例如醚、醇或酮)中的溶解性，并且可通过选择三-2-羟乙基铵作为抗衡离子提高在非常高极性溶剂和亲水溶剂中的溶解性。
酚根或羧酸根为例如C1-C12-烷基化的，特别是叔-C4-C8-烷基化的酚类或苯甲酸的阴离子，例如：
或
本领域技术人员容易认识到也可使用其熟悉的其它抗衡离子。带多电荷的抗衡离子可中和大量单电荷阳离子或阴离子或一个带多电荷的阳离子或阴离子，根据情况不同也可能形成如二聚物。
金属M可为，例如Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+、Al3+、Ce3+、Cu+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Fe3+、Co2+、Co3+、Co4+、Zn2+、Pt2+、Pd2+、Sn2+、Sn4+、La3+、Ag+、Au+、Au3+、Mn+、Mn2+、Ru2+、Ru3+、Os3+、Os3+、Si4+、Ti4+或V5+。M优选Cu2+、Ni2+和Co3+，并且M为氢也特别有益。
当M为金属时，应理解也可存在一种或多种其它配位体，例如水、氨或任何伯、仲或叔胺、醇、醚、硫醇、硫醇、杂环配体(如吡咯、咪唑、吡唑、吡啶、吡嗪、嘧啶、哒嗪、吲哚、异吲哚、中氮茚、吲唑、嘌呤、喹嗪、喹啉、异喹啉、1，8-萘啶、2，3-二氮杂萘、喹喔啉、喹唑啉、噌啉、喋啶、咔唑、β-咔啉、吖啶、菲啶、萘嵌间二氮杂苯、1，7-菲咯啉、吩嗪、吩砒嗪、吩噻嗪、吩噁嗪、噁唑、异噁唑、膦杂吲哚、噻唑、异噻唑、呋咱、吡咯烷、哌啶、2-吡咯啉、3-吡咯啉、咪唑烷、2-咪唑啉、4-咪唑啉、吡唑烷、2-吡唑啉、3-吡唑啉、哌嗪、二氢吲哚、异二氢吲哚、奎宁环、吗啉、1，2，3-三唑、1，2，4-三唑、苯并三唑、膦杂喹啉和膦杂二氢茚，其中这些杂环配位体可为非取代或可被取代)或者任何其它需要的溶剂，所述配位体可为中性形式或单-或多-脱质子形式。成键性质根据配位体和金属而改变，如Fe(III)Cl、Ti(IV)O和V(V)O中的情况。适用于该目的的金属也可存在代替配位体的共价取代基，例如硅烷中C1-C24烷基、C6-C12芳基或C7-C12芳烷基的情况。
卤素为氯、溴、氟或碘，优选氟或氯，特别优选在烷基上的氟(例如三氟甲基、α，α，α-三氟乙基或全氟烷基如七氟丙基)和在芳基、杂芳基或芳烷基的芳基部分上的氯。
烷基或链烯基(如C1-C20烷基或C2-C20链烯基)可为直链或支化的基团。环烷基或环烯基可为直链或支化的、单环或多环基团。因此，C1-C24烷基可为，例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2，2-二甲基丙基、正己基、庚基、正辛基、1，1，3，3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。
取代烷基为例如被卤素、羟基或烷氧基取代的烷基；可特别提及的是三氟甲基和3-异丙氧基-丙基及其同源基团。
因此，C3-C24环烷基可为，例如环丙基、环丙基甲基、环丁基、环戊基、环己基、环己基甲基、三甲基环己基、苧基、降冰片基、龙脑基、降蒈烷基(norcaryl)、蒈烷基、薄荷基、降蒎基(norpinyl)、pinyl、1-金刚烷基(1-adamantyl)、2-金刚烷基(2-adamantyl)、5α-gonyl、5ζ-孕甾基(5ζ-pregnyl)、(+)-1，3，3-三甲基双环[2.2.1]庚基(葑基)或其旋光异构体(当存在时)。
C2-C20链烯基和C3-C20环烯基分别为C2-C20烷基和C3-C20环烷基，其中每个可为单-或多-不饱和的并且其中两个或多个双键可任选为隔开的或共轭的。因此，C2-C24链烯基为，例如乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1，3-丁二烯-2-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1，4-戊二烯-3-基，或者己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十二烯基、十四烯基、十六烯基、十八烯基、二十烯基、二十一烯基、二十二烯基、二十四烯基、己二烯基、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二碳二烯基、十四碳二烯基、十六碳二烯基、十八碳二烯基或二十碳二烯基的任何异构体。C3-C24环烯基为，例如2-环丁烯-1-基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、3-环己烯-1-基、2，4-环己二烯-1-基、1-对薄荷烯-8-基、4(10)-苧烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2，5-降冰片二烯-1-基、7，7-二甲基-2，4-降蒈二烯-3-基或莰烯基。
C7-C18芳烷基为，例如苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α，α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω-苯基-辛基、ω-苯基-十二基或3-甲基-5-(1’，1’，3’，3’-四甲基丁基)-苄基。此外，C7-C24芳烷基也可为，例如2，4，6-三-叔丁基苄基或1-(3，5-二苄基苯基)-3-甲基-2-丙基。当C7-C18芳烷基为被取代的基团时，可在芳烷基的烷基部分或芳基部分进行取代，优选后者。
C6-C14芳基为，例如苯基、萘基、联苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三联苯基。
C4-C12杂芳基为具有4n+2个共轭π-电子的不饱和或芳族自由基，例如2-噻吩基、2-呋喃基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、异噻唑基、三唑基或任何其它适合的环体系(包括噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、异噻唑、三唑、吡啶和苯环，这些环体系为非取代的或由1至6个乙基、甲基、亚乙基和/或亚甲基取代)。
此外，芳基和芳烷基也可为与金属键合的芳基，例如为本领域已知的过渡金属的茂金属形式，更优选为：
Figure A0380248100161
或
优选式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1为非取代的或单取代的C1-C12烷基，R2为COOR8、CONR9R10或者优选为CN，R3为氢或者优选为C1-C4烷基，R4为C1-C4烷基或者优选为氢，和/或R5为非取代或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代的C6-C12芳基。特别优选式(I)、(II)、(III)或(V)的化合物，其中R1为C1-C4烷基，特别是甲基或乙基，R2为CN，R3为甲基和R4为氢。更特别优选式(I)或(II)的化合物，特别是以下各式的化合物：
或
其中M’为过渡金属。
当R6为多个基团时，其个数优选为2或3，直接键合的基团优选彼此不同。
所述记录层优选包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物或这些化合物的混合物作为主成份，例如占至少20％重量，优选占至少50％重量，更优选占至少80％重量。还可包括常规组分，例如其它生色团(例如在300至1000nm具有最大吸收的那些基团)、稳定剂、自由基捕获剂(例如捕捉1O2)、发光猝灭剂、降低熔点剂、分解加速剂或任何其它在光学记录介质中描述的添加剂。
当所述记录层包括其它生色团时，这些生色团原则上可为任何能在记录期间被激光辐射分解或改性的染料，或者对激光辐射呈惰性的染料。当所述其它生色团被激光辐射分解或改性时，可通过吸收激光辐射直接发生或者通过如热分解本发明式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物间接诱导发生。
应理解其它生色团或着色稳定剂可影响记录层的光学性能。因此在使用其它生色团或着色稳定剂时，优选使其光学性能尽可能与式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的相同或不相同，否则保持其它生色团的含量在较低的水平。
其它生色团的例子有UV吸收剂(使式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料的吸收峰向蓝移)或着色稳定剂(使式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料的吸收峰向红移)，并且最大吸收位于例如NIR或IR区。也可加入其它染料用于彩色标记鉴别、色掩蔽(“金刚染料”)或提高记录层外观的美感。
当使用与式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物具有尽可能相同光学性能的其它生色团时，优选这些生色团应在最长波长吸收峰范围内。优选其它生色团和式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的转折点波长最大为40nm，特别优选20nm。在这种情况下，其它生色团对激光辐射表现出与式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物相似的行为，因此可使用可被式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物协同增强或提高的已知记录组合物作为其它生色团。
当使用具有与式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物尽可能不同的光学性能的其它生色团或着色稳定剂时，它们的最大吸收波长相对于式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)染料最好是向蓝移或红移。在这种情况下，所述最大吸收波长优选分别为至少50nm，特别优选为至少100nm。
当加入另一种染料以改进式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的光学性能时，其用量取决于需达到的光学性能。本领域技术人员可几乎没有困难地改变其它染料与式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物的比例，直到获得需要的结果。
当生色团或着色稳定剂用作其它目的时，其用量优选非常低，这样它们对记录层在350至450nm范围的总吸收的贡献最大为20％，优选最大为10％。在这种情况下，其它的染料或稳定剂基于记录层的用量最好为50％重量，优选最大为10％重量。
但是，特别优选不加入其它的生色团，除非这种生色团是着色稳定剂。
除式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物外，可用于记录层的其它生色团的例子有花青和花青金属络合物(US 5 958 650)、苯乙烯基化合物(US-6 103 331)、氧杂菁染料(EP-A-833 314)、偶氮染料和偶氮金属络合物(JP-A-11/028865)、酞菁(EP-A-232 427、  EP-A-337 209、EP-A-373 643、EP-A-463 550、EP-A-492 508、EP-A-509 423、EP-A-511 590、EP-A-513 370、EP-A-514 799、EP-A-518 213、EP-A-519 419、EP-A-519 423、EP-A-575 816、EP-A-600 427、EP-A-676 751、EP-A-712 904、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)、卟啉、dipyrromethene染料及其金属螯合化合物(EP-A-822 544、EP-A-903733)、呫吨染料及其金属络合物盐(US-5 851 621)或方酸化合物(EP-A-568 877)，还有噁嗪、二噁嗪、二氮杂苯乙烯基、甲、蒽醌或吩噻嗪或其它紫菜嗪(EP-A-822 546、US-5 998 093、JP-A-2001/277723)；所列物质并非穷举并且本领域技术人员会理解还包括如在CH 2001519/01或CH 2001 2102/01中公开的已知染料。
当所述记录层包括其它生色团时，应优选这些生色团的用量很低，使得其在整个固体层的最长波长吸收峰的转折点的波长处的吸收占整个固体层中式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的纯化合物在相同波长下吸收的分数最好不大于1/3，优选不大于1/5，更优选不大于1/10。所述最大吸收优选大于425nm，特别优选大于500nm。
稳定剂或发光猝灭剂的例子有含N-或S-的烯醇化物、酚盐、双酚盐、硫醇盐或双硫醇盐的金属络合物；或者偶氮、偶氮甲碱或甲染料的金属络合物，如Irgalan Bordeaux EL(Ciba SpecialtyChemicals Inc.)、Cibafast N(Ciba Speciaty Chemicals Inc.)或类似的化合物；位阻酚及其衍生物(也任选作抗衡离子X)，如Cibafast AO；邻羟基苯基-三唑或三嗪或其它UV吸收剂，例如Cibafast W或Cibafast P；或位阻胺(TEMPO或HALS，也就是硝基氧或NOR-HALS，同样可任选作抗衡离子X)；以及作为阳离子的二亚铵、ParaquatTM或OrthoquatTM盐，例如KayasorbIRG 022或KayasorbIRG040。Irgalan和Cibafast是Ciba Specialty Chemicals公司的商标，Kayasorb是Nippon Kayaku有限公司的商标。
许多这类结构是已知的，其中一些也与光学记录介质有关，例如US-5 219 707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604中的结构。它们也可为，例如任何所需的阳离子(例如在US-5 851 621或US-6 228 911中公开的阳离子)与金属络合物阴离子的盐。
CH 2001 519/01或CH 2001 2102/01中公开的中性金属络合物也适用，并且这些也通过引用结合到本文中。
可提及的这类金属络合物添加剂的具体例子有铜的络合物，由下式的化合物举例说明：
或
Figure A0380248100193
还可具体提及的有双酚根合镍，例如下式的化合物所示：
Figure A0380248100201
作为本发明式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)化合物，以及在380nm至440nm进行写和读的光学介质中的任何其它染料也通用的添加剂，特别优选下文的抗衡离子形式或盐形式的式(IX)的偶氮金属络合物阴离子，所述阴离子在接近405至410nm处具有最小吸收。
因此，本发明也涉及包括基材、记录层和反射层的光学记录介质，其中所述光学记录介质适合在380至440nm的波长范围进行记录和读出，所述记录层包括在380至440nm的波长范围具有最大吸收的化合物以及式(IX)的化合物
Figure A0380248100202
所述化合物可为非取代或取代和/或可为异构体形式。
式(IX)中最好存在其它取代基和/或异构现象，条件是所讨论的化合物具有等效的光学性能，例如其在二甲基甲酰胺中的最大吸收λmax与式(IX)的化合物的最大吸收λmax的差最大为±10nm，优选最大为±5nm。然而，所述化合物更优选为式(IX)的化合物。
本领域技术人员可从其它光学信息介质了解，或者易于认识到添加剂的浓度具体需与其使用目的良好对应。基于式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的记录剂计算，添加剂的合适浓度为例如0.001至1000％重量，优选1至50％重量。
本发明的光学记录材料显示出固态无定形记录层的优异光谱性能。由于这种固体材料具有低得令人惊奇的在固体材料中积聚的趋势，所以吸收谱带窄且强，在长波长一侧的陡度特别大。意外且非常有利地是，该材料没有形成或者仅形成了可忽略程度的二聚体。所述层在未写入状态时在写和读波长区域的反射率很高。
由于具有这些优异的涂层性能，因此可得到具有高敏感度、高再现性和凹坑(pit)的几何边界非常精确的快速光学记录材料，其折射率和反射率经过充分改性，致使对比度很高。凹坑的长度和间距(“跳动”)的容许误差非常小。由于较细的记录光道具有较窄的光道间隔(“螺距”)，结果储存密度很高。此外，记录的数据可以令人惊奇的低错误率进行读出，致使更正错误仅需要少量储存空间。
由于溶解性优异(即使在非极性溶剂中也是如此)，因此也可使用高浓度溶液而不会例如在储存期间出现不符合需要的沉淀，这样旋转涂布过程中存在的问题大部分被消除了。
可在相同波长下进行记录和读出。最好使用具有单激光源的简单透镜，其中激光的波长范围最好为350至500nm，尤其可高达480nm，优选370至450nm。特别优选波长在370至390nm的UV区，尤其是接近380nm，或者在390至430nm的可见光区边缘，尤其是接近405±5nm。在配有高倍数字光圈透镜的小型蓝色或紫色激光二极管(例如nichia GaN 405nm)的能力范围内，由于所述凹坑非常小并且光道非常窄，因此在120mm的光盘上每个记录层可达到接近20至25Gb的存储容量。在380nm处，也可使用铟-掺杂的UV-VCSEL(Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser)；这种激光源为现有的主型号[Jung Han等，参见MRS Intemet J.Nitride Semicond.Res.5S1，W6.2(2000)]。此外，通过转换更长波长的激光源(例如700至1000nm波长范围的激光源)的二次谐波振荡来产生350至500nm的波长也是已知的。
因此，本发明也涉及了记录或读出数据的方法，所述方法包括在350至550nm的波长下从本发明的光学记录介质上记录或读出数据。
所述记录介质基于已知记录介质的结构并且可由例如以下几部分构成：透明基材；记录层，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物中的至少一种；反射层；和覆盖层，其中写和读透过基材进行。
适合的基材包括，例如玻璃、矿物、陶瓷和热固性或热塑性塑料。优选的载体为玻璃和均聚塑料或共聚塑料。适合的塑料包括，例如热塑性聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏二氟乙烯、聚酰亚胺、热固性聚酯和环氧树脂。特别优选聚碳酸酯基材，所述基材可通过如注射成型的方法制备。所述基材可为单一的形式或者也可包括常规添加剂，例如UV吸收剂或染料，如JP-A-04/167239提出的适用于记录层的光稳定作用的UV吸收剂或染料。对于后一种情况，加入到承载基材中的染料最好在写入波长(激光的发射波长)的范围内，不显示吸收或者至多有少量吸收，优选最高可达接近20％的激光聚焦到所述记录层上。
有利的是，当所述基材至少在350至500nm的一部分范围内为透明时，至少在其上写或读入射波长的80％的光可以透过。所述基材最好具有10μm至2mm，优选100至1200μm，更优选600至1100μm的厚度，同时优选在涂覆层一侧具有螺旋形导向槽(光道)，槽深为10至200nm，优选80至150nm，槽宽为100至400nm，优选150至250nm，并且2个旋转光道的间距为200至600nm，优选350至450nm。已知凹槽的各种截面形状，例如矩形、梯形或V-形。另外，与为人熟知的CD-R和DVD-R介质类似，所述导向槽要经受小周期或准周期的横向偏转(“摇摆”)，使转速和读头的绝对定位同步(“吸合(pick-up)”)。可通过在相邻槽之间作记号(“预-烧蚀凹坑”)以代替或增补偏转的功能。
如通过旋转涂布溶液来施涂所述记录组合物，试图提供尽可能为非晶态的涂层，其在表面(“凸区”)上的厚度最好为0至40nm，优选1至20nm，更优选2至10nm，并且其在凹坑中的厚度(取决于凹坑的几何形状)最好为20至150nm，优选50至120nm，更优选60至100nm。
适用于反射层的反射材料优选为易于反射用于记录和读出的激光辐射的金属，例如化学元素周期表的第三、第四和第五主族和副族的金属。以下金属特别适用：Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt和镧系金属Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu及其合金。
由于有高反射率并且易于制备，因此特别优选铝、银、金或其合金的反射层，出于对经济和生态的考虑，更优选铝反射层。反射层的厚度最好为5至200nm，优选10至100nm，更优选40至60nm，但是也可使用较厚的如1μm或更厚的反射层。
适合的覆盖层材料主要为塑料，该覆盖层是一层直接或在增粘剂的辅助下涂到反射层上的薄层。最好选择对机械和热稳定的塑料，其具有优良的可修改(例如写入)的表面性能。所述塑料可为热固性或热塑性塑料。如果是直接涂覆的覆盖层，优选辐射固化(例如使用UV辐射固化)的涂料，这样生产特别简单和经济。已知大量的辐射固化材料。辐射固化单体和低聚物的例子包括：丙烯酸和甲基丙烯酸的二元醇酯、三元醇酯和四元醇酯，芳族四元羧酸和芳族二元胺的聚酰亚胺(在至少两个与氨基相邻的位置具有C1-C4烷基)，和具有二烷基顺丁烯二酰亚氨基(如二甲基顺丁烯二酰亚氨基)的低聚物。作为用增粘剂涂覆的覆盖层，优选使用与底层相同的材料，特别优选聚碳酸酯。所述增粘剂同样优选辐射固化单体和低聚物。可用包括记录层和反射层的第二种基材代替用增粘剂涂覆的覆盖层，这样记录介质的两侧都可使用。优选在反射面上直接通过增粘剂或中间层将两部分彼此结合在一起以形成对称结构。
在这种结构形式中，覆盖层或覆盖材料本身的光学性能除了用于固化(例如，可通过UV辐射适当地实施)外，基本上没有其它作用。覆盖层的主要作用是确保整个记录介质的机械性能和薄反射层的机械性能(如果有必要)。当所述记录介质足够稳定，例如存在厚反射层时，甚至可完全省去覆盖层。覆盖层的厚度取决于整个记录介质的厚度(优选最厚约为2mm)。所述覆盖层的厚度优选为10μm至1mm。
本发明的记录介质也可有附加层，例如干扰层或屏蔽层。记录介质也可由许多层(例如二至十层)记录层构成。本领域技术人员熟知这类材料的结构和用途。在适当时，优选在记录层和反射层之间和/或在记录层和基材之间设置干扰层，所述干扰层由例如EP-A-0 353393中描述的TiO2、Si3N4、ZnS或硅树脂组成。
本发明的记录介质可根据本领域已知的方法制备，可根据使用的材料和它们的操作模式而所用各种涂布方法。
适用的涂布方法包括例如浸涂、浇涂、刷涂、刮涂和旋转-倾注涂布以及汽相淀积法(在高真空下实施)。例如，当使用浇涂法时，通常使用在有机溶剂中的溶液。当使用溶剂时，必须确保所用载体对这些溶剂不敏感。例如在EP.A-0 401 791中描述了适合的涂布方法和溶剂。
优选通过旋转涂布染料溶液来施涂记录层，已证明特别适合的溶剂有醇类(例如2-甲氧基乙醇、异丙醇或正丁醇)、羟基酮(例如双丙酮醇或3-羟基-3-甲基-2-丁酮)、羟基酯(例如乳酸甲酯或异丁酸甲酯)，或者优选氟化醇(例如2，2，2-三氟乙醇或2，2，3，3-四氟-1-丙醇)及其混合物。在例如EP A-0 483 387中描述了其它适合的溶剂。
优选通过在真空中原子化(溅射)或通过汽相淀积来镀金属反射层。这些技术是已知的并且在专业书籍中有描述(例如J.L.Vossen和W.Kern，″Thin Film Processes(薄膜加工)″，Academic Press，1978)。该方法可有利地连续实施，并且可获得反射率优良以及粘合水平高的金属反射层。
所述记录按照已知的方法实施，即通过已调的、聚焦的激光束在恒定或可变速率下在记录层的表面写出固定或可变长度的凹坑(标记)。根据本领域已知的方法读取信息，即通过记录在使用激光辐射记录反射中的变化，如″CD-Player and R-DAT Recorder″中所述(ClausBiaesch-Wiepke，Vogel Buchverlag，Würzburg 1992)。其中的要求为本领域技术人员所熟知。
本发明的包含信息的介质特别可为WORM型光学信息材料。它可例如类似于CD-R(可记录压缩盘)或DVD-R(可记录数字视频盘)用于计算机中，并且也可用作身份证和安全卡的储存材料或者用于制造衍射光学元件如全息图。
但是，与CD-R或DVD-R相比，这种结构以薄得多的基材为原材料，使得制造工艺更需要技巧。为了制造具有高储存密度和较小凹坑的记录介质，现已证明需要精确聚焦。
因此，在反向层结构中，层的顺序优选为基材、反射层、记录层和覆盖层。因此，优选记录层位于反射层和覆盖层之间。记录和读出没有透过基材，但是要透过覆盖层。因此，覆盖层和基材各自的作用(具体指几何和光学性能)与先前描述的结构相比是相反的。在Proceedings SPIE-Int.Soc.Opt.Eng.1999，第3864页的有关采用蓝色GaN激光二极管的数视频记录技术中描述了许多相关设计装置。
现在发现反向层结构对记录基材的要求要高得多，但令人惊奇地是使用本发明的化合物可很好地满足这些要求。因此，可以在不明显改变固体记录层的情况下，在其上涂覆薄覆盖层，以保护其下所述记录物质不受摩擦、光氧化、指印、湿气和其它环境作用的影响。
特别优选在固体记录层和/或承载材料和光学记录层之间涂覆其它的金属、交联的有机金属或介电无机材料或介电有机材料的薄隔离层，厚度为例如0.001至10μm，优选0.005至1μm，更优选0.01至0.1μm。为获得高水平的反射率，金属隔离层最好应具有最大0.03μm的厚度。
交联的有机金属或介电无机层为本领域所熟知，它们包括如氧化物、水合氧化物或卤化物(尤其是氟化物)、电负性为1至2的金属(例如氧化态为II至V的铝、锌、锆、钛、铬、铁、钴、镍并且更优选硅，如CaF2、Fe2O3、CoO、CoTiO3、Cr2O3、Fe2TiO5或SiO2)。它们可根据已知的方法或类似的方法使用，例如通过阴极金属喷镀、气相淀积、化学气相淀积，或者对于某些层来说，也可通过用于该目的的湿法化学方法使用(例如在WO 93/08237和文中提及的其它参考文献中有描述)。本领域技术人员熟知用于气相淀积、阴极金属喷镀和化学气相淀积的通用方法。这些方法可有利地在真空下实施，涂覆期间的压力为10-8至10-1Pa。除二氧化硅外的金属氧化物优选在约10-3至2.10-2Pa的压力下气相淀积。
介电有机材料是已知的；例如它们可为聚合物。
应理解本领域技术人员也可使用其它熟知的涂覆技术。例如，可通过溶液/凝胶技术制备涂覆材料(见JP-A-07/207186、JP-A-08/175823、JP-A-09/239311和JP-A-10/204296)并且也可通过热分解SiH4来制备二氧化硅涂覆材料。
二氧化硅可有利地通过在氧气存在下的气相淀积来涂覆。至于气相淀积，是将硅(不必是纯净的)在减压和存在气态(分子)氧(也不必是纯净的)下靠近基材，通过感应或使用电子枪的方法加热至高温(例如500℃至2000℃)进行涂覆。根据氧的相对摩尔浓度，形成了程度更高或更低的黄色至深灰色的低氧化态的硅氧化物或者优选的无色二氧化硅。
特别地，在基于金属合金的可擦写光学记录介质(CD-RW)中的与隔离层相同或类似的各层上可使用如由SiO2和ZnS的混合物构成的物质。这样可加速发展并且不需要对涂覆过程再投资。
在进一步涂覆之前用增粘剂(例如J.Amer.Chem.Soc.104，2031-4(1982)和Chemistry of Materials 2/2，399-402(1997)中提及的N-(3-(三甲氧基甲硅烷基)-丙基)吡咯)、钛或锆盐(例如Ti(OiPr)4或Zr(acac)4)和/和酸或碱(例如氨或伯胺、仲胺或叔胺)处理记录层可证明是有利的。优选同时使用
Figure A0380248100271
的胺(其中R15为氢或R18；R16和R17各自独立地为R18；而R18为[-1，2-C2-C3亚烷基-T-]n-H，其中T为O或NH并且n为1至3的数)和
Figure A0380248100272
或 的有机金属化合物(其中R19至R21为C1-C4烷基)。在这种情况下，优选胺与有机金属化合物的摩尔比为10∶1至1000∶1，温度为-20至150℃(优选20至80℃)，并且处理时间为1/4小时至100小时，特别优选胺与有机金属化合物的摩尔比为5∶1至250∶1，温度为50至80℃并且处理时间为1小时至10小时。
如果有必要，在承载材料和金属反射层之间或者在金属反射层和光学记录层之间可涂覆相同厚度的这种涂覆材料。在一些情况下，例如当银反射层与含硫添加剂一起用于记录层时，将会是有利的。
也可用聚合物层代替无机或交联的有机金属层或者额外使用聚合物层，可通过聚合(特别是通过光聚合)或者通过层压来涂覆聚合物层。
通过聚合或层压，在无机或交联的有机金属层上覆盖具有上述厚度和光学性能的覆盖层特别有利。
因此，本发明也涉及包括排列如下的各种物质的光学记录介质：
(a)承载材料，由反射金属组成或者优选由含有反射金属层的聚合物组成；
(b)光学记录层，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物；
(c)隔离层，由金属、交联的有机金属或介电的无机或有机材料组成；知
(d)覆盖层。
根据本发明使用的大部分化合物是已知的或者可根据已知方法由已知化合物制得，例如在Liebigs Ann.Chem 647，11(1961)、LiebigsAnn.Chem 663，96(1963)、Chimia 20，318-323(1966)、J.Indian Chem.Soc. 47/12，1121-1128(1970)、US-3 850 645、Liebigs Ann.Chem 1975，373-386(1975)、Bull.Chem.Soc.Japan  51/2，535-539(1978)或Helv.Chem.Acta  67/3，770-773(1984)中公开或提及的方法制得。
但是，也可根据本领域已知的方法或类似的方法来制备可根据本发明而用于光学记录介质中的新化合物。
因此，本发明也涉及除已知化合物外的式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物。
以下实施例举例说明本发明，但并非限制其范围。除非另外说明外，否则“％”总是表示％重量。
实施例1：
将3.00 gN-乙基-3-氰基-4-甲基-5-(亚甲基-二甲氨基)-6-羟基-2-吡啶酮与2.28g 2，6-二异丙基苯胺在100ml乙醇中一起搅拌并且加热回流2小时。通过蒸发将黄绿色溶液浓缩至约1/3，在冷却之后，抽吸滤出沉淀物，用甲醇洗涤两次(每次20ml)，并且在60℃/1.2·104Pa下干燥。
得到3.41g淡黄色的产物：
Figure A0380248100281
吸收：λmax(DMF＝二甲基甲酰胺)＝367.6nm；ε＝42238。
实施例2：
将4.00g N-乙基-3-氰基-4-甲基-6-羟基-2-吡啶酮与3.33g原甲酸三乙酯、3.77g 2-甲氧基-4-硝基苯胺和100ml乙酸(100％)一起搅拌并且在回流下沸腾，然后保持2.5小时。冷却后，抽吸滤出沉淀物，用乙醇洗涤并且在60℃/1.2·104Pa下干燥。
得到5.40g黄色产物：
吸收：λmax(DMF)＝439nm；ε＝50363。
实施例3-50：
与实施例1和2类似，以良好的收率和良好的纯度得到以下化合物(各实施例的光学数据在DMF中获得)：
Figure A0380248100321
Figure A0380248100341
Figure A0380248100361
实施例51-53：
将1.56mmol实施例1的化合物溶于50ml二甲基甲酰胺中，加入0.78mmol乙酸酮(II)。在50℃下搅拌所述溶液4小时，然后冷却。用水沉淀产物。类似地，通过用实施例30和48的化合物代替实施例1的化合物进行处理，以良好的收率和良好的纯度得到式(IV)的化合物(各实施例的光学数据在DMF中获得)：
对照实施例1-3：
与本发明的实施例类似，可得到以下对应于JP-A-11/34500的实施例26和27的化合物(各实施例的光学数据在DMF中获得)：
实施例54-56：
除了用0.78mmol乙酸镍(II)代替乙酸铜(II)之外，该方法与实施例51-53类似。
实施例57-59：
除了用0.52mmol乙酸钴(II)代替乙酸铜(II)以及随后用空气流经所述溶液之外，该方法与实施例51-53类似。得到式(V)的化合物，其中M为钴(III)。
实施例60：
将1.5％实施例1的化合物溶于2，2，3，3-四氟-1-丙醇中，用0.2mm聚四氟乙烯的过滤器过滤所述溶液。然后，通过旋转涂布法以250转/分钟的转速将所述染料溶液涂到0.6mm厚的开槽聚碳酸酯盘上(直径120mm，凹槽间距0.74μm，凹槽深度170nm，凹槽宽度340nm)，将转速增大至1500转/分钟，使得过剩溶液被甩掉并形成均匀的固态层。在干燥后，所述固态层在368nm处具有0.68的吸收。在真空涂布装置(TwisterTM，Balzers Unaxis)中，涂覆65nm厚的银反射层。然后通过旋转涂布涂上一层5μm厚的可UV固化的光聚合物(DSM 650-020)并且用UV光交联。反射层在405nm处的反射率为49％。使用脉冲染料激光器(脉冲长度为15ns)，用0.5kJ/m2的能量密度，在405nm处在记录层上烧蚀出凹坑，导致烧蚀部位的反射率由49％变成22％。
实施例 61-118：
除了用实施例2至59的化合物代替实施例1的化合物之外，所述方法与实施例60类似。

Claims (10)

1.一种光学记录介质，所述光学记录介质包括基材、记录层和反射层，其中所述记录层包括下式的化合物或其互变异构体或盐，如果需要，可为带抗衡离子的中和盐的离子化形式：
或
其中
R1为氢或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R2和R3各自独立地为氢、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R3可连接至R2上形成5元或6元环；
R4为氢或C1-C24烷基、C1-C4烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24链烯基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R4可连接至R3上形成5元或6元环；
R5为R6H、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；
R5可连接至R4上形成5元或6元环；
R6为选自以下的基团：-N＝N-、-O-、-S-、-SO2-、-CH＝N-和C1-C24亚烷基、C1-C4亚烷基-[O-C2-C4亚烷基]m、C1-C4亚烷基-[NH-C2-C4亚烷基]m、C2-C24亚烯基、C3-C24亚环烷基、C3-C24亚环烯基、C6-C12芳基、C4-C12亚杂芳基和C7-C12亚芳烷基，其中每个基团是非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代；或者为多个这类基团的序列；
R7以及在适当地方出现的彼此不同的多个R7基团为卤素、OH、O-R8、O-CO-R8、S-R8、NH2、NH-R8、NR9R10、NR8-CO-R9、NR9COOR8、CHO、羧基、氨基甲酰基、脲基、NR9CO-NHR10、磷酸根合、PR9R10、POR8OR9、P(＝O)OR8OR9、OPR8R9、OPR8OR9、OP(＝O)R8OR9、OP(＝O)OR8OR9、OPO3R8、硫酸根合、磺基、NO2、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8或SO2NR9R10，或者为C1-C12烷基，其中所述烷基为非取代的或者由羟基、CO-R8、COOH、COOR8、CONR9R10或卤素单取代或多取代；
R8、R9和R10各自独立地为C1-C12烷基、C2-C12链烯基、C6-C12芳基、C4-C12杂芳基或C7-C12芳烷基；或者
R9和R10与其共有的氮结合在一起为非取代的或者被C1-C4烷基单取代或四取代的吡咯烷、哌啶、哌嗪或吗啉；
m为1至10的数；并且
M为氢或碱金属、碱土金属或过渡金属，它们可具有或可不具有一个或多个配位体。
2.权利要求1的光学记录介质，所述光学记录介质包含式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1为非取代的或单取代的C1-C12烷基，R2为COOR8、CONR9R10或CN，R3为氢或C1-C4烷基，R4为C1-C4烷基或氢和/或R5为非取代的或由一个或多个任选相同或不同的R7基团取代的C6-C12芳基。
3.权利要求1或权利要求2的光学记录介质，所述光学记录介质包含式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物，其中R1为C1-C4烷基，R2为CN，R3为甲基并且R4为氢。
4.权利要求1、2或3的光学记录介质，其中所述反射层由铝、银、金或其合金组成。
5.一种记录或读出数据的方法，所述方法包括在350至500nm的波长范围内在权利要求1的光学记录介质上记录或读出数据。
6.一种光学记录介质，所述光学记录介质包括排列如下的物质：
(a)承载材料，由反射金属组成或者优选由含有反射金属层的聚合物组成；
(b)光学记录层，包括式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物；
(c)隔离层，由金属、交联的有机金属或介电的无机或有机材料组成；和
(d)覆盖层。
7.一种记录或读出数据的方法，所述方法包括在350至500nm的波长范围内在权利要求6的光学记录介质上记录或读出数据。
8.一种式(I)、(II)、(III)、(Ⅳ)或(V)的化合物，优选式(I)或(II)的化合物，但不包括在本申请的优先权日前已知的化合物。
9.权利要求1的式(I)、(II)、(III)、(IV)或(V)的化合物在用于信息的光学储存中的用途。
10.一种光学记录介质，所述光学记录介质包括基材、记录层和反射层，其中所述光学记录介质适合在380至440nm的波长范围进行记录和读出并且所述记录层包括在300至400nm的波长范围具有最大吸收的化合物以及下式的化合物：
Figure A038024810005C1
其中该化合物可为非取代或取代和/或可为异构形式。
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