TWI296802B - Optical recording materials having high storage density - Google Patents

Description

!296802 玖、發明說明

【發明所屬之技術領域】 發明領域 本發明係有關特別於350至500奈米波長具有絕佳記錄 /、口放σσ負之新穎光學3己錄材料。記錄及回放可極為有利 地於相同波長進行，比較已知材料可達成可察覺之更高儲 存逸、度。此外，根據本發明之材料於記錄前及後甚至於苛 刻條件下例如曝露於曰光或螢光燈、曝露於熱及/或高濕 度之下仍然具有極佳儲存性質。此外，使用常用塗覆方法 1〇例如旋塗法可簡單製造且有良好再現性。多種用於本發明 材料之化合物不含重金屬，因而有助於例如白金、銀或鋁 等金屬反射層的回收利用。 I：先前技術3 發明背景 15 資訊記錄期刊25，69-86 [2000]揭示下式部花青染料

’該化合物可由式 Ν 1 Ο R2

Ph_K

其中例如R2=Hex)起始物料製備，可用於發光及光折射等 用途之複合塑膠材料。根據該公開文獻，五員環之立體封 阻3,3-二甲基亞甲基用於防止結晶以及製造非晶形玻璃特 20別重要，但^用於光電用途時，無法應用已知之設計原理。 【發明内容】 發明概要 1296802 玖、發明說明 JP-A_1〇/273484說明包含式(^c、chn〇禹氮低 曱基金屬螯合物之光學記錄媒體，例如媒體包含式 O^、_y=\ ,c2h5 N 〇NH^N、C2H5化合物，具有吸收最大值；lmax於488奈 H3C h Ni++ 米，於該媒體於635奈米進行記錄。

JP-A-11/334204說明包含基本結構式

之單偶氮化合物之光學記錄媒體，例如式 H3C CN 化合物具有吸收最大值λ max於439 3H0广、CH3 奈米，於其上於488奈米進行記錄。該波長仍然高於所需 :此外，此種光學媒體之敏感度低，較高波長之吸收斜坡 10不夠陡峭，結果所得記錄就品質方面而言仍有高度需求。

JP-A-2000/163799 說明 之巴妥比酸衍生物之光

學記錄媒體，例如包含式

化合物具有吸收最大值λ maxM 12968〇2 玖、發明說明 439不米’於其上係於42〇奈米進行記錄。同樣地，該等光 予媒體之敏感度低，較高波長吸收斜坡不夠陡峭，因而實 際結果未臻滿意。 R° EP-A-1 083 555說明包含式 z1 c=l1—lH3-W化合物之 W R4 光學δ己錄媒體，例如式

化合物，於其上

於550奈米或更短波長進行記錄，但所得結果仍然未臻滿 意。 民14 N (CCV)化合物 R & ^216

WO-01/75873揭示用於360至46〇奈米範圍之光學記錄 媒體，但未提供任何實用實例。列舉之多種化合物也包括 Het—Y 10 式

因此已知化合物只能部分滿足高度需求或未能滿足全 部需求而同時有足夠滿意程度。 JP-A-11/34500揭示金屬錯合物染料用於光學記錄材料 ’包括下述雜環化合物，但其吸收最大值又max高於5〇〇奈 15 米，且吸收度極低：

1296802 玖、發明說明 本發明係針對具有高資訊密度及高記錄可靠度之光興 記錄媒體。該項記錄媒體強勁、耐用且使 間單。此外 要求篁產上價廉，製造成的裝置儘可能輕薄短小且價廉， 以及儘可能含少量環保有害物質，例如揮發性物質:有毒 5金屬，或至少容易廢棄處理該等環保有害物質。 毋 如此本發明係關於一種光學記錄媒體，包含一基材' -記錄層以及一反射層，其中該記錄層包含一種化：物'

R2

?1 (IV)或 k 10

R

(V)， -Μ 或其互變異構物或其鹽，若右％十〆 右有所需係呈游離形式 以抗衡離子中和之鹽形式，其中 Ri為氫或CrC24烷基、Cl-r m 1 C4燒基-[〇-c2-c4伸烷基 crc4 烷基-[NH-C2-C4·伸烷基]、 土 Jm C2-C24烯基、c”c24 基、c3-c24環埽基、c c芳 12方暴、C4_c12.芳基或c^c

10 15 1296802 玖、發明說明 烧基’其各自為未經取代基或經以一或多個視需要為相同 或相異之r7基團取代； R2及各自分別為氫、no2、CO-R8、COOH、coor8 、CONR9R10、CN、S03R84S02NR9R1()或 CrC24烷基、cr c4烧基-[〇-C2-C4伸烷基]m、C「C4烷基-[NH_C2-C4·伸烷基 、c2_c24烯基、C3-C24烧基、C3_c24環烯基、0：6-(：12芳 基、C^Cn雜芳基或c7-C12芳烷基，其各自為未經取代基 或經以一或多個視需要為相同或相異之r7基團取代； R3可鍵聯至R2而形成5-或6·員環； R4為氫或CrC24烷基、CVC4烷基-[o-c2-c4伸烷基]m、 CVC4燒基-[NH-c2-c4-伸烧基]m、c2-c24稀基、c3-c24環烷 基、c3-c24環烯基、c6-c12芳基、C4-C12雜芳基或(：7-(：12芳 烧基，其各自為未經取代基或經以一或多個視需要為相同 或相異之R7基團取代； R4可鍵聯至R3因而形成5-或6-員環； r5為R6H、c6-c12芳基、c4-c12雜芳基或c7-c12芳烷基 ’其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異 之R7基團取代； R5可鍵聯至R4因而形成5-或6-員環； R6為選自下列組成的組群之基團：-N=N_、-0-、-S- 、-S02-、-CH=N-及 、CrCM伸烷基、CrC4伸烷基- [〇_C2-C4伸烷基]m、伸烷基-[NH-C2_C4-伸烷基]m、 C2-C24伸烯基、C3-C24伸環烷基、C3-C24伸環烯基、C6-C12 1296802 玖、發明說明 芳基、c^c〗2伸雜芳基及c7_Cl2伸芳烷基，其各自為未經 取代基或經以一或多個視需要為相同或相異之化7基團取代 ，或為複數個此種基團序列； R7以及於適當時複數個r7基團，其各自分別為鹵原子 5 、OH、〇-Rs、〇-co-r8、s-r8、nh2、NH-R8、NR9R10、 、NR9COOR8、CHO、羧基、胺基甲醯基、脲 基、NR9-CO-NHR1Q、磷酸根、pr9r1g、p〇R8〇R9、 P(=0)0R80R9 ^ OPR8R9 > OPR8〇R9 > 〇P(=〇)R8〇R9 > 〇P(=0)OR8OR9、〇p〇3R8、硫酸根、磺基、N〇2、c〇-R8、 io COOH、COOR8、CONR9R10、CN、SO3R8^SO2NR9R10， 或為Ci-Cn烧基其為未經取代或經以經基、c〇_r8、COOH 、coor8、conr9r10或經以鹵原子一取代或多取代； R8、RAR1()各自分別為CrCu烷基、c2-C12烯基、CV Cu芳基、（VCu雜芳基或(：7-(：12芳烷基；或 15 R9及Rl〇連同公用氮為未經取代或為帶有c^-cu烷基一 取代至四取代之°比洛σ定、派σ定、派啡或嗎琳； m為1至10之數目；以及 Μ為氫或驗金屬、驗土金屬或過渡金屬其可帶有或未 帶有一或多個配位子。 當心為C6-Cl2芳基時，1或2個R?基特別係位於鄰位； 位於鄰位之r7基特別為_原子、Ch〇、n〇2、c〇_H8、 COOH、CONR9R1()、C_CrC12院基，特別 _ 原子（如氟、 氣或〉臭）或C 1 -C 1 2烧基其為未經取代或經以經基、、 COOH、COOR8、CONR9R10或以_原子一取代或多取代。 12 1296802 玖、發明說明 當式（I)、（II)、（III)、（IV)或（V)化合物為鹽時，抗衡 離子較佳為化學計算量平衡該電荷所需無機、有機或有機 金屬抗衡離子，例如無機酸陰離子（如醇酸根、盼酸根、 羧酸根、磺酸根或膦酸根）、有機酸或有機金屬錯合物陰 5 離子之共轭驗例如氟陰離子、氯陰離子、漠陰離子、碑陰 離子、過氯酸根、過碘酸根、氰陰離子、氰酸根、異氛酸 根、硫氰酸根、異硫氰酸根、疊氮化物磺酸根、1 /2碳酸 根、碳酸氫根、CrC4烷基硫酸根、1/2硫酸根、硫酸氫根 、一鹼金屬硫酸根、甲烷磺酸根、三氟甲烷確酸根、甲苯 10磺酸根、1/3磷酸根、1/2—鹼金屬磷酸根、二鹼金屬構酸 根、1/2磷酸氫根、磷酸二氫根 '六氟磷酸根、六氟銻酸 根、1/2 CVC4烷膦酸根、CrC4烷膦酸根、二_ Ci-CU烧基亞膦酸根、四苯基蝴酸根、四氟侧酸根、苯石黃 酸根、對氯苯磺酸根、對硝基苯磺酸根、苯甲酸根、乙酸 15 根、三氟乙酸根、七氟丁酸根、1/2草酸根或其它羧酸根、 醇酸根、酚酸根（例如酚酸根本身），或帶負電荷之金屬錯合 物，或陽離子例如H+、Li+、K+、Na+、Mg+2、Ca+2、Sr+2、 A1+3或第一、第二、第三或第四銨，例如|^尺111112尺13化14]+其 中Ru至Ru各自分別為Ri至&，可為其它心至以基團，較佳 2〇為H. CVCm烧基、C2-C24烯基、（^〜環烧基、c7-C24芳 烷基或C6-C1G芳基’其可為未經取代或經羥基取代，以及 視需要地由氧岔斷一或多次，或銨或鱗陽離子例如銨、甲 基銨、乙基銨、異丙基銨、五癸基銨、二環己基銨、四甲 基銨、四乙基銨、四丁基銨、苄基三曱基銨、节基三乙基 1296802 玖、發明說明 2甲基二辛基銨、三_十二烷基甲基銨、四丁基鱗、四 苯基鱗、丁基二笨基鱗或乙基三苯基鱗。 也可利用抗衡離子以已知方式影響溶解度。例如於低 或中度極f生之岭劑（如驗類、醇類或綱類）之溶解度可 i由I擇四正丁基錄或普利米（Phmene)8i_R(羅門哈斯公 司）作為抗衡離子而提高溶解度；於極性極高以及親水溶 Μ之/谷解度可藉由選擇參1經基乙基銨作為抗衡離子而提 馬〇 酚酸根或幾酸根例如為Ci_Ci2{化特別第三々c8_烧 10化酚及苯甲酸之陰離子例如

熟諳技藝人士 了解也可使用其它熟知之抗衡離子。多 價抗衡離子可中和複數個單鍵陽離子或陰離子；或中和一 個多價陽離子或陰離子，視情況而定也可形成二元體。 15 Μ為金屬例如 Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、心2+、Ba2+ 、Al3、Ce3+、Cu+、Cu2+、Ni2' pe2+、Fe3+、c〇2' c〇3+ 、Co4+、Zn2+、Pt2、Pd2、Sn2+、、La3、Ag+、 、Au3+、Mn+、Mn2+、Ru2+、RU3、〇s3+、〇s3' ^4+、

Ti4+、或V5+。較佳M為Cu2+、NP及Co>，氫也特別令人 感興趣。 當Μ為金屬時，須了解也可存在有一或多個額外配位 14 20 1296802 玖、發明說明 子例如水、氨或任何第一、第二或第三胺、醚、醚、硫 醇、疏基、雜環系配位子如吼π各、咪ϋ坐、吼唾、0比σ定、外匕 啡、嘧啶、嗒啡、吲哚、異吲哚、吲哚啡、吲唑、嗓呤、 嗜啉畊、喳啉、異喳啉、1，8-萘啶、酞啡、喳$琳、。奎唑 5 啉、噌啉、喋啶、卡巴唑、_卡巴啉、吖啶、菲啶、啪 σ定、1，7-菲琳、吩π井、吩納ϋ井（phenarsazine)、吩嗟。井、吩 4畊、噚唑、異噚唑、磷吲哚、噻唑、異噻唑、咬贊、吡 咯啶、哌啶、2-吡咯啉、3-吡咯啉、咪唑啶、2-咪唑啉、 4_咪唑啉、吡唑啶、2-吡唑啉、3-吡唑啉、哌啡、。引。朵 10 琳、異σ5Ι σ朵琳、奎諸環（quinuclidine)、嗎琳、ι，2,3-三 峻、1，2,4-二唾、笨并三唾、膦吲。朵琳及磷吲嗓琳，其可 未經取代或經取代、或任何其它期望溶劑可為中性形式或 一去質子化或多去質子化形式。鍵結特色係隨配位子及金 屬而異，例如Fe(III)a、Ti(IV)0及V(V)0。於適合用於該 15項用途之金屬，也可存在有共價取代基替代配位子，例如 於矽烷之例可存在有Cm烷基、C6_Ci2芳基或c7_Ci2芳烷 基。 素為氯、溴、氟或碘，較佳為氟或氯，特別為氟於 烷基（如三氟甲基、-三氟乙基或全氟化烷基如七氟 20丙基）以及氯於芳基、雜芳基或氯於芳烷基之芳基部分。 烧基或烯基如Ci-C2G烷基或c2-c2G烯基，可為直鏈或 分支。環烷基或環烯基可為直鏈或分支、單環或多環。如 此CrC24烷基可為甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基 、第二丁基、異丁基、第三丁基、甲基丁基、正戊基、 15 1296802 玖、發明說明 2·戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、庚基、正辛 基、1，1，3,3-四曱基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一 烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六 烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、廿烷基、廿一院 5 基、廿二烧基或廿四烧基。 經取代之烧基例如可經由鹵原子、經基或烧氧基取代 ;特別值得一提者為三氟甲基以及3-異丙氧基丙基也包括 其同系基團。

Cm環烧基例如為環丙基、環丙基甲基、環丁基、環 10戊基、環己基、環己基甲基、三甲基環己基、苦艾基、原 冰片基、冰片基、原石竹基、石竹基、薄荷基、原松基、 松基、1-金剛烧基、2-金剛烧基、5 α -促性腺激素基、5ξ_ 絨毛膜激素基、（+)-1，3,3-三曱基雙環[2·2·1]庚基（葑基）或 其光學異構物。 15 C2-2()烯基以及〇3_2()環烯基分別為C2-2〇烧基以及C3_2() 環烧基係各自為一-或多未飽和，以及其中兩個或兩個以 上之雙鍵可視需要為隔開或共軛。如此，C2·24烯基例如為 乙烯基、丙烯基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1·基 、1，3-丁二烯-2-基、2-戊烯小基、3-戊烯-2-基、2_甲基小 20 丁烯基、2-甲基-3_丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1·基、 1，4-戊烯-3-基，或己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十 二碳烯基、十四碳烯基、十六碳烯基、十八碳烯基、廿碳 稀基、廿一碳稀基、廿二碳婦基、廿四碳烯基、己二烯基 、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二碳二烯基、十四 16 1296802 玖、發明說明 碳二烯基、十六碳二烯基、十八碳二烯基或廿碳二烯基之 任一種異構物。C3_24環烯基例如為2-環丁烯基、環戊 烯-1-基、2-環己烯-1_基、3-環己烯-丨-基、2,4_環己二烯 基、1-對-薄荷烯-8-基、4(10)-苦艾烯-10-基、2_原冰片烯_ 5 1-基、2,5-原冰片一烯-1-基、7,7-二甲基_2,4-石竹二婦_3_ 基或樟腦烯基。 芳烷基例如為苄基、2-苄基-2-丙基、$ _笨基一 乙基、9_芴基、α，α·二甲基苄基、ω•笨基_ 丁基、〇_苯 基-辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基^-^^，。，。、四曱基 10 丁基）_苄基。此外，Cv-C24芳烷基也可為2,4,6-三-第三丁基 节基或1-(3,5-二苄基苯基）-3-甲基·2-丙基。當c7-C18芳燒 基為經取代時，取代可位於芳烷基之烷基部分或芳基部分 ’以位於芳基部分為較佳。 C^Cμ芳基例如為苯基、萘基、聯苯基、2-苟基、菲 15 基、总基或聯三苯基。 C4-Cu雜芳基為含4η+2共軛7Γ鍵之未飽和或芳香族自 由基’例如2-嗟吩基、2-呋喃基、2-吼唆基、2-嗟唾基、 2_ σ亏嗤基、2-咪σ坐基、異tj塞嗤基、三唾基或任何期望之環 系’該等環系包含噻吩環、呋喃環、吡啶環、嗟唑環、$ Ο Λ 唾環、咪唑環、異噻唑環、三唑環、σ比啶環及苯環，其為 未經取代或經以1至6個乙基、甲基、伸乙基及/或亞甲基 取代。 此外，芳基及芳烷基可為例如以過渡金屬之金屬茂形式 17 1296802 玖、發明說明

，鍵結至金屬之芳香族基，更特別或 較佳為式⑴、（II)、（III)、（IV)或（v)化合物，其中Ri 為未經取代或單一經取代之C1_C12烷基，以2為（:001^、 C〇NR9R1G或特別CN，I為氫或特別為Ci_C4烷基，心為 5 Ci—C4烷基或特別為氫，及/或R5為芳基其為未經取 代或經以一或多個視需要為相同或相異之I基團取代。特 佳為式⑴、（11)、（111)、（IV)或（V)化合物，其中心為^-^ 燒基特別甲基或乙基，R2為CN，R3為甲基以及R4為氫。 更特別為式（I)或（π)化合物，特別式

化合物，其中M，為過渡金屬 當尺6為複數基團序列時，其數目較佳為2或3個基團彼 此直接鍵結，且該等基團較佳為相異。 記錄層較佳包含式⑴、（„)、（m)、（Iv)或（v)化合物 15或此等化合物之混合物作為主要成分，例如至少20%重量 比，特別至少50%重量比，更特別至少8〇%重量比，此外 18 1296802 玖、發明說明 可含有習知成分例如其它產色基團（如具有吸收最大值於 300至1000奈米之產色基團）、安定劑、自由基捕捉劑（例如 h2)或發光淬熄劑、熔點下降劑、分解加速劑或任何其它 於光學§己錄媒體已經說明之添加劑。 5 當記錄層包其它產色基團時，此種產色基團原則上可 為任一種染料，可於記錄期間分解或藉雷射改性，或可對 雷射輻射呈惰性。當額外產色基團由雷射輻射分解或改性 時，可經由直接吸收雷射輻射進行，或可藉熱分解本發明 之式（I)、（II)、（III)、（IV)或（v)化合物而間接誘生。 10 須了解其它產色基團或著色安定劑可影響記錄層光學 性夤。因此較佳使用其它產色基團或著色安定劑，其光學 性λ儘可能符合或儘可能異於式⑴、（η)、（hi)、（iv)或 (V)化合物，或額外產色基團含量可維持低量。 例如為紫外光吸收劑，其為式（Ι)、（ΙΙ)、（111)、（IV)或 15 (V)染料之色高，或著色安定劑其為式（I)、（II)、（m)、 (IV)或（V)染料之色深’具有吸收最大值例如於NIr或伙範 圍。可添加其它染料用於作色碼標示、色彩遮蓋（「鑽石 染料」）或提升記錄層之外觀美感。 當額外產色基團有光學性質儘可能吻合式（Ι)、（π)、 20 (III)、（IV)或（V)化合物之光學性質之時，較佳係於最長波 長吸收斜坡之範圍。較佳額外產色基團之或式（Ι)、（11)、 (III)、（IV)或（V)之反相點波長最大值間隔40奈米，特別至 大間隔20奈米。該種情況下，其它產色基團及式（Ι)、（π) 、（III)、（IV)或（V)化合物之雷射輻射具有類似表現，因此 19 1296802 玖、發明說明 可使用其作用可藉式⑴、（11)、（III)、（IV)或（V)化合物來 同丨生i曰強或增内之已知記錄組成物作為額外產色基團。 *使用其光學性質係與式⑴、（n)、（m)、（IV)或（v) 化合物之光學性質不同的額外產色基團或著色安定劑時， 5軼佳具有吸收最大值相對於式⑴、（II)、（III)、（IV)或（V) 木料為色鬲遷移或色深遷移。該種情況下，吸收最大值較 佳至少間隔50奈米，特別至少間隔1〇〇奈米。 當添加另一種染料俾改性式⑴、（II)、（III)、（IV)或 (V)化合物之光學性質時，其添加量係依據欲達成之光學 10性質決定。熟諳技藝人士可毫無困難地變更額外染料對式 ⑴、（II)、（III)、（IV)或（V)化合物之比直到獲得滿意結果 為止。 當產色基團或著色安定劑用於其它用途時，其用量較 佳為小量，因而對光學層於250至450奈米之總吸收之貢獻 15 最大為20%，且較佳展大為1 〇%。此種例中，額外染料戈 女疋劑含里基於§己錄層較佳最面為5 〇 %重量比，及較佳最 高為10%重量比。 但特佳，除非該產色基團為未著色安定劑，否則未添 加額外產色基團。 20 除了式⑴、（Π)、（III)、（IV)或（V)化合物外，可用於 記錄層之額外產色基團例如為花青類及花青金屬錯合物 (US 5 958 650)、苯乙烯系化合物（US-6 103 331)、奥松醇 染料（oxonol dyes)(EP-A_833 3 H)、偶氮染料及偶氮金屬錯 合物（JP-A-11/028865)、酞花青類（EP-A-232 427、 20 1296802 玖、發明說明 337 209、EP-A-373 643、EP-A-463 550、EP-A-492 508、 EP-A-509 423、EP-A-511 590、EP-A-513 370、EP-A-514 799、EP-A-518 213、EP-A-519 419、EP-A-519 423、EP-A-575 816、EP-A-600 427、EP_A_676 75卜 EP-A-712 904 5 、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)、吡咯紫質 類、二吡咯低甲基染料及其金屬螯合化合物（EP-A-822 544 、EP-A-903 73 3)、黃素染料及其金屬錯合物鹽（US-5 851 621)或正交酸（quadratic acid)化合物（EP-A-568 877)、也包 括哼讲類、二α等啡類、二氮雜苯乙烯類、呋贊類、蒽醌類 10 或吩嗟畊類或其它紫菜啡類（p〇rphyrazine)(EP-A-822 546 、US-5 998 093、JP-A-2001/277723);此表並非排它性， 熟諳技藝人士將此表單解譯為包括其它染料例如CH 2001 519/01或CH 2001 2102/01揭示之染料。 當記錄層含有其它產色基團時，該等產色基團含量較 15 佳夠低，故其於固體層整體吸收最長波長斜坡之反相點波 長之吸收係於固體層全體式⑴、（II)、（III)、（IV)或（V)純 化合物於相同波長之吸收分數較佳不大於1/3，特佳不大 於1/5，更佳不大於1/10。吸收最大值較佳高於425奈米， 特別高於500奈米。 20 安定劑或發光淬熄劑例如為含N-或S-之烯醇酸鹽、酚 酸鹽、雙酚酸鹽、硫醇酸鹽或雙硫醇酸鹽之金屬錯合物， 或偶氮、偶氮低甲基或呋贊染料之金屬錯合物例如伊格蘭 波爾多（Irgalan Bordeaux)EL(汽巴特用化學品公司）、汽巴 費司（Cibafast)N(汽巴特用化學品公司）或類似化合物，封 21 1296802 玖、發明說明

阻酚類或其衍生物（視需要作為抗衡離子X)例如汽巴費司 AO、鄰-羥基苯基三唑類或鄰-羥基苯基三畊類或其它紫外 光吸收劑如汽巴費司W、汽巴費司P或封阻胺（天波 (TEMPO)或海斯（HALS)也呈氮氧化物或諾-海斯（NOR-5 HALS)視需要地也可作為抗衡離子X);也可使用二亞銨派 洛夸特（Paraquat)或歐梭夸特（Orthoquat)鹽例如卡亞索 (Kayasorb) IRG 022或卡亞索IRG 040作為陽離子。伊格蘭 及汽巴費司品牌係得自汽巴特用化學品公司，卡亞索品牌 係得自日本化藥公司。 10 其中多種結構式為已知，部分也已知可用於光學記錄 媒體例如參考 US-5 219 707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604。也可為例如金屬錯合物陰離 子與任何期望陽離子之鹽，例如US-5 851 621或US-6 228 911揭示之陽離子。 15 也希望為中性金屬錯合物，例如揭示於CH 2001

519/01或CH 2001 2102/01，該等參考文獻併述於此以供參 考。 值得一提之金屬錯合物添加劑特例為銅錯合物，例如式

也特別值得一提為雙酚酸鎳例如以式 22 1296802 玖、發明說明 h2N-c4h9

表示。 至於根據本發明之式（I)、（Π)、（III)、（IV)或（V)化合 物添加劑以及於380至440奈米寫入或回放之光學媒體之任 何其它染料，偏好使用下式（IX)偶氮金屬錯合陰離子，其 5具有吸收最小值於約405至410奈米，呈抗衡離子形式，或 呈鹽形式。 如此，本發明亦係關於一種光學記錄媒體，包含一基 材、一記錄層以及一反射層，其中該光學記錄媒體適合供 於380至440奈米波長範圍記錄或回放，以及該記錄層包含 10 一種具有吸收最大值於300至4〇〇奈米波長範圍之化合物以 及包含一種式

未經取代或經取代及/或可呈異構形式。 於式（IX)例中’較佳可存在有其它取代基及/或異構現 15象，但該等化合物具有相等化學性質，例如於二甲基甲醯 月女之吸收最大值又max與確切式（ιχ)化合物之吸收最大值入 max之差異至多±1〇奈米，且較佳至多±5奈米。但該化合物 23 1296802 玖、發明說明 更特別恰為式（IX)化合物。 熟諳技藝人士由其它光學資訊媒體已知或方便了解何 種濃度添加劑特別適合用於何種用途。適當添加劑濃度以 式（I)、（II)、（III)、（IV)或（V)記錄劑為基準，例如為〇〇〇1 5至10的％重量比，且較佳1至50%重量比。 根據本發明之光學記錄材料具有絕佳固體非晶形記錄 層之光譜性質。由於出乎意外地此等化合物於固體材料中 之附聚傾向低，故吸收帶窄而強，於長波長側陡山肖度特高 。出乎意外地且極佳未形成二元冑，或只形成至可忽略的 10程度》於寫人及讀取波長區該層之反射率於未被寫入狀態 時反射率高。 由於具有該等層絕佳性質，因此可進行快速光學記錄 ，有高度靈敏度、冑度再現性以及幾何極為精準的小坑穴 邊界。折射率及反射率實質經修改，結果獲得高對比度。 15小坑穴長度以及間隙間離公差（「抖動」）極小。如此由於 較薄記錄通道有較小軌線分隔（「間距」），結果可獲得高 儲存密度。此外，記錄資料之回放錯誤率極低，結果錯誤 的修正只占小量儲存空間。 由於溶解度極佳，即使於非極性溶劑之溶解度亦極佳 20 ，結果可使用高濃度溶液而無沉澱問題，例如於儲存期間 無沉澱問題，因而可免除旋塗等問題。 5己錄及回放可於相等波長進行。因此可使用帶有單一 雷射光源，較佳350至500奈米，特別至多480奈米，且較 佳370至450奈米之單純透鏡。波長更佳係於37〇至奈米 24 1296802 玫、發明說明 ，尤其約38〇奈米之紫外光範圍，特別於390至430奈米， 特別約405士5奈米之可見光範圍邊際。於帶有高數值孔徑 透鏡之輕薄短小藍或紫雷射二極體（例如尼巧（Nichia) GaN 405奈米）之範圍，小坑穴可極小，執線可極窄，因而於 5 120毫米光碟上每個記錄層可記錄約20至25 Gb。於380奈 米’可使用銦攙雜之UV-VCSELs(垂直腔穴表面發光雷射） ’此種雷射源存在呈原型機[jung Han等人，參考MRS網際 網路氮化物半導體研究期刊5S1，W6.2 (2000)]。此外也已 知利用較高波長之雷射光源（如700至1000奈米雷射光源）之 10 第二諧振轉化而產生350至500奈米波長。 如此本發明亦係關於一種記錄或回放資料之方法，包 S於350至500奈米波長記錄或回放資料於根據本發明之光 學g己錄媒體。 δ己錄媒體係基於已知記錄媒體結構’因此例如其組成 15 為一透明基材；一包含式（I)、（II)、（III)、（IV)或（V)化合 物中之至少一者之記錄層；一反射層；以及一蓋層，寫入 及讀取係透過該基材進行。 適當基材包括例如玻璃、礦物、陶变及熱固性或熱塑 性塑膠。較佳支承體為玻璃以及均聚物或共聚物塑膠。適 20 當塑膠例如包括熱塑性聚碳酸酯類、聚醯胺類、聚酯類、 聚丙烯酸類及聚甲基丙烯酸類、聚胺基甲酸酯類、聚烯類 、聚氣乙烯、聚偏氟乙烯、聚醯亞胺類、熱固性聚酯類及 環氧樹脂類。特別偏好聚碳酸酯基材，其可例如射出成型 製造。基材可呈純質形式，或包含習知添加劑，例如紫外 25 1296802 玖、發明說明 光吸收劑或染料，例如於JP-A-04/167239被提議用作為記 錄層之光安定作用。後述情況下，較佳添加至支承基材之 染料於寫入波長（雷射之發光波長）不具吸收或至多只有小 1吸收，車父佳至多占聚焦於記錄層上雷射光之約2〇0/〇。 5 較佳該種情況下，基材於350至500奈米範圍之至少部 分為透明，因此允許至少80%寫入或讀取波長光入射於其 上。基材厚度較佳為10微米至2毫米，特別1〇〇至12〇〇微米 ，更特別600至1100微米，較佳帶有螺旋形導槽（導執）於塗 覆側上，槽深10至200奈米，且較佳8〇至15〇奈米，槽寬 10 1〇0至40〇奈米，且較佳150至250奈米，以及2轉間之間距 為200至600奈米，且較佳35〇至45〇奈米。已知具有各種不 同截面形狀之溝槽，例如矩形、四邊形或v字形。類似已 知之CD-R及DVD-R媒體，導槽除了進行小量週期性或仿 週期性橫向偏轉（「晃動」）之外，導槽於允許轉速同步化以 15及讀取頭（「拾取」）的絕對定位。該功能也可藉田比鄰溝槽間 的記號（「前置小坑屑」）來替代偏轉進行或額外進行。 記錄組成物例如係經由旋塗溶液施用，意圖儘可能提 供非晶形之塗層，其於表面厚度（「陸地」）較佳為〇越奈 米，特別1至20奈米，更特別2至1〇奈米；塗層於溝槽厚度 2〇依據溝槽幾何而定較佳為跑㈣奈米，特別別至⑶奈米 ，更特別60至1〇〇奈米。 不 適當反射層用之反射材料特別為容易反射記錄或回放 使用之雷射輻射之金屬，例如化學元素週期表第三、第四 及第五主族及副族。下列金屬特別適合：Ah In、Sn、pb 26 ί2968〇2 玖、發明說明

Bi Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti 、&、Hf、V、Nb、Ta、Cr、M〇、W Fe、c〇、Ni Ru

Pd 0s、Ir、鑭系金屬 Ce、Pr、Nd、Pm、Sm s EU Gd、几、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 及 Lu，及其合金 、由於反射率南製造容易，故特別偏好製造銘、銀、金 或其合金之反射層；且為了經濟及生態等理由特別偏好使 用紹反射層厚度例如為5至2〇〇奈米，特別⑺至1⑼奈米 更特別4G至6G奈米，但較厚反射層亦屬可能，例如厚1 微米或以上。 蓋層之適當材料主要為塑膠，塑膠係以薄層施用於反 射層，可直接施用或借助於黏著促進劑而施用。較佳選用 可進行改丨生例如寫入之具有良好表面性質之機械以及熱安 疋性塑膠。塑膠可為熱固性或熱塑性。為了直接施用蓋層 ，較佳塗層經過輻射硬化（例如使用紫外線輻射硬化），此 5種製造程序特別簡單經濟。已知多種輻射可硬化材料。輻 射可硬化單體及寡聚物例如包括二醇、三醇及四醇之丙烯 酉欠S曰及甲基丙烯酸酯、芳香族四羧酸之聚醯亞胺，以及芳 香族二胺，其帶有Cl_C4烷基於胺基之至少兩個鄰位位置 以及有一烧基順丁稀二醯亞胺基（例如二甲基順丁稀 2〇二醯亞胺基）之寡聚物。用於利用黏著促進劑施用之蓋層 ，較佳使用基材層特別聚碳酸酯的相同材料。使用之黏著 促進劑同樣較佳為輻射可硬化單體及寡聚物。替代利用黏 著促進劑使用之該層，可使用包含記錄層及反射層之第二 基材’結果記錄媒體於兩面皆可播放。較佳為對稱性結構 27 1296802 玖、發明說明 ’其t二部分利用黏著促進劑直接地、或透過中間層而彼 此接合於反射層側上。 於该結構形式，該層本身或覆蓋材料之光學性質未扮 次任何角色，但於適當時例如可利用紫外光照射硬化。蓋 5層主要功能係確保記錄媒體整體的機械強度，以及若有所 $確保薄反射層之機械強度。當記錄媒體充分穩定，例如 田存在有厚反射層時，甚至可完全免除使用蓋層。蓋層厚 度係依據記錄媒體整體厚度而定，較佳至多約2毫米。蓋 層厚度較佳為1 〇微米至丨亳米。 10 根據本發明之記錄媒體也有額外層例如干涉層或阻擋 層。也可讓記錄媒體帶有複數（例#2至10)記錄層。此種材 料、、、口構及用途為熟諳技藝人士已知。若屬適當，較佳干涉 層設置於記錄層與反射層間及/或設置於記錄層與基材間 ’干涉層係由介電材料例如Ti〇2、Si3N4、ZnS或聚石夕氧樹 15脂製成，如ΕΡ-Α-0 353 393所述。 根據本發明之記錄媒體可根據已知方法製備，依據使 用之材料及其操作模式而定可使用多種塗覆方法。 適當塗覆方法例如包括浸塗、傾注塗覆、刷塗、刀塗 2 、及旋轉-傾注塗覆以及氣相沉積方法，塗覆法係於高度 2〇真空進行。例如當使用傾注塗覆法時，通常使用於有機溶 劑溶液。t使用溶劑時，須確保使㈣支承體對溶劑不敏 感。適當塗覆方法及溶劑例如述於EP A-0 401 791。 記錄層較佳係藉旋塗染料施用，證實特別適合之溶劑 為醇類如2_甲氧基乙醇、異丙醇或正丁醇；羥基酮類如二 28 1296802 玖、發明說明 ，ju㈡又 f m 或異丁酸甲醋或較佳氣化醇類如2,2,2_三敦乙醇或 2,2,3,3-四氟+丙醇及其混合物。其它適當溶劑例如述於 EP A-0 483 387 〇 5 |屬反射層較佳係藉霧化（濺鑛）或真空氣相沉積方法 施用。該等技術為已知且述於專業書籍（例如參考jl. Vossen及W. Kern，「薄膜方法」，學術出版社，i978年）。

該等程序較佳為連續進行，且達成金屬反射層之良好反射 性以及高度黏著。 10 記錄係根據已知方法進行，利用經過調節且經聚焦之 雷射束以恆定或可變速度於記錄層表面上導引寫入具有固 定或可改長度之小坑穴（記號）進行記錄。資訊之讀取係根 據已知方法進行，使用雷射輻射登入反射變化，例如述於

「CD播放器以及R-DAT記錄器」（Claus Biaesch-Wiepke， 15 V〇gd Buchverlag，Wiirzburg 1992)。該等要求為熟諳技藝 人士已知0 根據本發明之含資訊媒體特別為w〇RM型光學資訊材 料。例如可以類似CD-R(可錄式光碟）或d VD-R(可錄式多 媒體影音光碟）用於電腦，也可用作為身分證及保全卡之 20儲存材料，或用於製造繞射光學元件例如全像圖儲存材料。 但比較CD-R或DVD-R，此種結構係始於遠更薄的基 材，結果製造程序顯然相當棘手。為了製造有高儲存密度 以及相對地有小：t几穴之兄錄媒體’今日證實需要準確對焦。 如此以相反層結構為佳，該結構之層順序為基材、反 29 1296802 坎、發明說明 射層、記錄層及蓋層。如此記錄層係位在反射層與蓋層間 。兄錄與回放無需透過基材進行，反而係透過蓋層進行。 比較前述結構，蓋層及基材個別之角色等別個別之幾何及 光學性質顛倒。多種對應設計配置述於SPIE_國際光學工 私予會礒事錄，3864，有關數位視錄記錄組合藍 雷射二極體。 今曰發現顛倒層結構對記錄物質產生實質較高需求， 該等要求出乎意外地可使用本發明之化合物滿足。如此， 無需可察覺地改變固體記錄層，可施用薄蓋層，於蓋層下 1〇方記錄物質被充分保護不會受到摩擦、光氧化、指紋、潮 濕以及其它環境影響。 特佳，於固體記錄層上及/或於支承材料與光學記錄 層間施用例如厚0.001至10微米，特別〇 〇〇5至1微米，更特 別〇·〇1至0.5微米金屬、交聯有機金屬或介電無機或有機材 15料製成之額外薄分隔層。為了獲得高度反射率，金屬分隔 層較佳厚度至多為〇.〇3微米。 乂聯有機金屬層或介電無機層本身為已知，且例如係 由氧化物、水合氧化物或_化物（特別氟化物）組成，金屬 具有1至2之負電荷，例如為紹、鋅、錯、鈦、鉻、鐵、姑 20 、鎳更特別為矽，氧化態為II至V例如CaF2、Fe203、Co〇 、CoTi03、Cr2〇3、Fe2Ti05或Si02。如此交聯有機金屬層 或介電無機層可根據已知方法或類似方法施用，例如陰極 粉化法、氣相沉積法、化學氣相沉積法施用；用於某些層 也可藉已知可用於該項目的之濕化學法施用，例如述於 30 1296802 玖、發明說明 W〇 93/08237及其^用之其它參考 極粉化或化學氣相沉積等概略方法為業界已知。該等方法 較佳係於真空進行，塗覆程序之壓力為1G.8至1G·、。金屬 氧化物（石夕氧化物除外）較佳係於1〇-3至2·1〇.2帕壓力氣· 5 積。 介電有機材料為已知例如可為聚合物。 須了解也可使用熟諳技藝人士已知之其它塗覆方法。 例如塗層可藉 ΕΡ 504 926、Jp_A-〇7/2〇7l86、；ρ·Α_ 08/175823、JP-A-09/23931lAJp|1〇/2〇4296 已知之溶膠 / 10 凝膠技術製備’或氧化石夕塗層可藉熱分解而由甲石夕院製 備0 石夕氧化物特佳係藉氧存在下進行金屬石夕之氣相沉積施 用。供氣相沉積之用，矽無需為純質，矽於氣態（分子）氧 也無需為純質存在下於基材附近於減低壓力下，利用感應 15或使用電子搶加熱至高溫，例如500。(：至2000。(：溫度。形 成矽次氧化物，矽次氧化物或多或少為黃色至深灰色，或 較佳依據氧之相對莫莫濃度而定為無色二氧化矽。 特別用於基於金屬合金之可改寫光學記錄媒體（CD_ RW)隔離層之相同或類似層，例如可應用由氧化矽及硫化 20鋅組成之層。結果可加速顯影且無需投資更新塗覆程序設 備。 證實較佳於進一步塗覆之前，使用黏著促進劑處理記 錄層’邊等黏著促進劑例如由美國化學會期刊1 ，203卜 4 (1982)以及材料化學9/2，399-402 (1997)已知之N-(3-三 31 1296802 玖、發明說明 甲氧基矽烷基）·丙基）吡咯、鈦鹽或锆鹽，例如丁i(〇ip^及/ 或酸或鹼如銨或第一、第二或第三級胺類。較佳同時使用 16

R 式〜\17之胺，其中R15為氫或r18 ; r16及r17各自分別為 R18;以及R18為[-1，2-C2-C3伸烧基·丁-]η·Η，其+下為〇或而 5 10 15 、 ^ ?R2〇 OR20 ，以及n為1至3之數目，以及式Ri9〇1卜或％〇一il·-有機 0R21 0r〇, 金屬化a物其中Rn至R〗i為CVC4燒基。該種情況下，胺 對有機金屬化合物之莫耳比為1〇 :⑴麵·· i，溫度為一 2〇至15(TC，特別⑼至㈣，處理時間為ι/4小時至}⑼小 時為較佳，特佳胺對有機金屬化合物之莫耳比為％ ··工至 250 · 1 ’溫度為5G至8G°C，以及處理時間ws1()小時。 若有所需，此等塗層也可以相等厚度施用於支承材料 與金屬反射層間、或金屬反射層與光學記錄層間。某些情 況下例如當銀反射器呈組合含硫添加劑用於記錄層時可 獲得其優勢。 替代或處理無機或交聯有機金屬層外，也可使用聚合 物層’聚合物層例如係藉聚合特別藉光聚合、或另外藉積 層施用。 9 〃特佳可於無機或交聯有機金屬層上藉聚合物或積層而 施用具有前述厚度及光學性質之蓋層。 如此本發明亦係關於-種光學記錄媒體’其以下述配 置包含 32 20 1296802 玖、發明說明 (a) —支承材料，其係由反射金屬或較佳帶有反射金屬 層之聚合物製成； (b) —光學記錄層，包含式（I)、（II)、（III)、（IV)或（V) 化合物； 5 (c)一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬、或介電無 機或有機物質製成；以及 (d) —蓋層。 大半根據本發明使用之化合物為已知或類似已知化合 物根據已知方法製備，例如揭示於或參考Liebigs Ann. 10 Chem 647，11 (1961)，Liebigs Ann. Chem 663，96 (1963) ，Chimia 迎_，318-323 (1966)，印度化學會期刊 47/12， 1121-1128 (1970)，US-3 850 645，Liebigs Ann. Chem 1975 ，373-386 (1975)，日本化學會公報 11/2，535-539 (1978) 或Helv. Chem. Acta 虹/3，770-773 (1984) ° 15 但已知根據或類似已知新穎化合物之製備方法可用於 本發明製備光學記錄媒體。 如此，本發明亦係關於式（I)、（II)、（III)、（IV)或（V)化合 物，但已知化合物除外。 I：實施方式3 20 較佳實施例之詳細說明 下列實施例舉例說明本發明但非囿限其範圍（除非另 行指示，否則「％」經常表示％重量比）·· 實施例1 : 3.00克N-乙基-3-氣基-4-曱基- 5-(亞甲基-二 甲基胺基）-6-羥基-2-吡啶酮與2.28克2,6-二異丙基苯胺於 33 1296802 玖、發明說明 100毫升乙醇共同攪拌及回流加熱進行2小時時間。綠黃色 溶液藉蒸發濃縮至約1/3，冷卻後沉澱以抽取過濾出，每 次以20¾升甲醇洗2次，於6〇〇c /ι·2χ104帕脫水。 獲得3.41克灰黃色下式產物：

ch3ch2 吸收：入max(DMF=二曱基甲酿胺）=367.6亳米；ε =42238 。 貫施例· 4.00克N-乙基-3-氮基-4-甲基-6-經基-2-σ比洛 啶酮與3.33克原甲酸三乙酯，3.77克2-甲氧基-4-硝基苯胺 10 及1〇〇毫升乙酸（100%)共同攪拌，然後於回流下沸騰2½小 時。冷卻後，以抽取過濾出沉澱，使用乙醇洗滌及於6〇。〇 /1·2χ104帕脫水。獲得5.40克下式黃色沉澱

CH,CH ‘ 吸收：；l_(DMF)=439毫米；ε =50363。 實施例3-50 ••類似實施例1及2，於良好產率及良好程 度獲得下列化合物（各例之光學資訊係於DMF): 1296802 玖、發明說明

實施例 式 Ri R5 或 R6 Imax ε 3 (VI) CH2CH3 λΧ) 404.6 48650 4 (VI) CH2CH3 ch2ch3 449.9 36062 5 (VI) CH2CH3 h3c 428.2 52885 6 (VII) CH2CH3 s 419.0 7 (VI) CH2CH3 ch3ch2o^. R xx>。 H 434.9 38022 8 (VI) CH2CH3 JyO s〇3一+h2n(ch3)2 405.3 49757 9 (VI) CH2CH3 418.8 50171 10 (VII) CH2CH3 Cl Cl 423.5 75541 11 (VII) CH2CH3 h2n(ch3)2 一〇3s S〇3~+H2N(CH3)2 444.6 68578 35 1296802 玖、發明說明 實施例 式 Ri R5 或 R6 ^max ε 12 (VI) CH2CH3 -^Vs〇3~+H2N(CH3)2 h〇-aJ 434.3 32480 13 (VII) CH2CH3 409.7 82265 14 (VII) CH2CH3 so3 一+h2n(ch3)2 398.5 68355 15 (VI) CH2CH3 曾w 471.8 32076 16 (VI) CH2CH3 ^caCH3 414.9 56204 17 (VI) CH2CH3 h2nc〇 395.7 46450 18 (VI) CH2CH3 〇- H2N(CH3)2 400.6 37253 19 (VI) CH2CH3 S〇3-+H2N(CH3)2 CH3o 392.2 26946 36 1296802 玖、發明說明

實施例 式 Ri R5 或 R6 ^max 8 20 (VII) CH2CH3 Η so; + H3N-C12_14H25 29 -2 443.0 89620 21 (VI) CH2CH3 ^^N^>so，+Na S〇3-+H2N(CH3)2 425.7 53864 22 (VI) CH2CH3 ^l^〇CH3 ch3o 414.5 43633 23 (VI) CH2CH3 -〇-NH2 432.8 63718 24 (VI) CH2CH3 < S03" + H3N-C12_14H25 2g so; 2 420.0 48637 25 (VII) CH2CH3 0 442.0 75861 26 (VII) CH2CH3 HXO s〇3_ h2n(ch3)2 404.0 46169 27 (VI)丨 CH2CH3 H2N(CH3)2+-〇3S so3- H2N(CH3)2 439.3 90932 37 1296802 玖、發明說明 實施例 式 Ri R5 或 R>6 ^max ε 28 (VII) CH2CH3 s〇3- L^_yj2 439.0 82103 29 (VII) CH2CH3 'S H3N-c12_14H25_29 2 so3- 439.2 90598 30 (VI) CH2CH3 h3c h3c 368.9 41352 31 (VI) CH2CH3 b 391.3 45210 32 (VI) CH2CH3 H^^-so3-+h2n(ch3)2 395.5 48072 33 (VI) CH2CH3 ^-C00H 396.5 51492 34 (VI) CH2CH3 s〇3 h2n(ch3)2 392.4 48443 35 (VI) CH2CH3 390.7 44112 36 (VI) CH2CH3 Br 394.9 43017 38 1296802 玖、發明說明 實施例 式 Ri R5 或 R6 Imax ε 37 (VI) CH2CH3 Cl 393.1 43047 38 (VI) CH2CH3 ms〇3- c〇 [toi 428.0 57936 39 (VI) CH2CH3 ch3 HX-CH 388.6 39414 40 (VI) CH2CH3 394.0 47243 41 (VI) CH2CH3 HO 386.5 42284 42 (VI) CH2CH3 CH2COOH 392.2 44365 43 (VI) CH2CH3 y=\ PH V>qCH3 393 42749 44 (VI) CH2CH3 h3c 395.1 44004 45 (VI)丨 CH2CH3 ch3 394.1 43021 39 1296802 玖、發明說明 實施例 式 Ri R5或尺6 ^max ε 46 (VI) CH2CH3 ^-^^S03-+H2N(CH3)2 406.1 50074 47 (VI) CH2CH3 /^Vs〇3-+H2N(CH3)2 404 35033 48 (VI) CH2CH3 CHXH.O 405 43008 49 (VI) CH2CH3 CI 370.1 40083 50 (VI) CH2CH3 h3c 370.4 39123 實施例5 1-53 : 1.56毫莫耳實施例1化合物溶解於50毫 升二甲基甲醯胺，及加入0.78毫莫耳乙銅（II)。溶液於50°C 攪拌4小時然後冷卻。產物以水沉澱。使用實施例30及48 5 之化合物替代實施例1化合物以類似方式進行，獲得式 (IV)化合物，產率優異且純度高（各例之光學資料係於 DMF)： 40 1296802 玖、發明說明 實施例 式 Ri Mf R5 或 R6 λ/niax ε 51 (VIII) ch2c h3 Cu 356.8 73369 52 (VIII) ch2c h3 Cu h3c H0)~CH3 h3c 355.5 86444 53 (VIII) ch2c h3 Cu ch3ch,o 369.1 63665

比較例1-3 ：類似本發明實施例，獲得下列對應JP-A-11/34500實施例26及27化合物（各例之光學資料係於DMF):

比較例 式 Xmax ε 1 CN 588.1 7953 2 5职 529 13826 41 !2968〇2 玖、發明說明 比較例 式 ^max ε 3 524.4 15518 貫1例54-56 ••該程序係類似實施例5 U3，但使用 0.78宅莫耳乙酸錄（II)替代乙酸銅（η)。 H例57-59 ··程序係類似實施例51-53，但使用0.52 宅莫耳乙酸鈷（II)替代乙酸鋼（Π)，通風係通過溶液。獲得 式（V)化合物，其中]VI為鈷（III)。 10 貫盖例6Q : 1.5%實施例1化合物溶解於2,2,3,3-四氟_1_ 丙醇，溶液經0.2毫米鐵弗龍過濾器過濾。然後藉旋塗法 以250轉/分鐘施用染料溶液至厚〇,6毫米有溝槽之聚碳酸酯 碟片（直径120毫米，溝槽間隔〇·74微米，溝槽深度no奈米 ，溝槽寬度340奈米），速度升高至15〇〇轉/分鐘，讓過量溶 液被離心去除且形成均勻固體層。乾燥後，固體層且有於 368奈米之吸光比=〇.68。於真空塗覆裝置（推斯特（Twister) 巴佐優内西（Balzers Unaxis))施用厚65奈米之銀反射層。 然後藉旋塗法施用厚5微米之紫外光可交聯光聚合物（dsm 650-020)，使用紫外光交聯。於405奈米記錄層之反射率為 49%。經由使用脈衝染料雷射（脈衝長度15奈秒），於4〇5奈 米波長，能量密度0.5毫焦耳/平方米，將小坑穴寫至記錄 42 1296802 玖、發明說明 層，結果獲得寫入位置反射率由49%變化成22%。 實施例61 -118 :程序類似實施例60，但實施例1化合 物係由實施例2至59之化合物替代。 【圖式簡單說明】 5 無 【圖式之主要元件代表符號表】 無

43

Claims (1)

12968㉞加01639號專利申尊申請專利範圍修正本％年 拾、申請專利範圍}…:士 U -種光學記錄媒體’包含-基材、_記錄層以及 射層’其中該記錄層包含一種化合物

1.

或其互變異構物或其鹽，若有所需係呈游離形式 、呈以抗衡離子中和之鹽形式， 其中 Ri為氫或CVC24烷基、CVC4烷基-[〇-c2-C4伸燒基 ]rn、CVC4 烧基-[NH-CVCV 伸、燒基；|m、C2_C24 婦基、 C3-C24壞烧基、C3_C24環烯基、c6-C12芳基、C4-C12雜 芳基或芳烷基，其各自為未經取代基或經以一 或多個視需要為相同或相異之义7基團取代； R2及R3各自分別為氫、n〇2、CO-R8、COOH、 coor8、CONR9R1G、cn、so3r8 或 s〇2NR9R1(^CV C24烷基、C〗-C4烷基0-CVC4伸烷基]m、（^-(^烷基- 聲吩l|修如正麵買 —智圍 [nh-cvcv伸烧基]m、c2_C24稀基、C3_C24環烷基、 cvc24m烯基、c6_Cl2芳基、C4_Ci2雜芳基或^^芳 院基，其各自為未經取代基或經以一或多個視需要為 相同或相異之R7基團取代； 5 R3可鍵聯至R2而形成5-或6-員環； I為氫或CVC24烷基、Cl_C4烷基_[〇-CVC4伸烷基 ]m、CVC4 烧基-[NH-C2-C4-伸烧基]m、c2;4 烯基、 〇3-(：24環烧基、c3-c24環烯基、C6-Ci2芳基、 芳基或C^-C!2芳烷基，其各自為未經取代基或經以一 10 或多個視需要為相同或相異之R7基團取代； R4可鍵聯至R3因而形成5-或6-員環； R5 為 R6H、C6-C12芳基、c4-C12雜芳基 4c7_Ci2 芳 烷基，其各自為未經取代或經以一或多個視需要為相 同或相異之R7基團取代； 15 可鍵聯至R4因而形成5-或6-員環； R6為選自下列組成的組群之基團：_Ν=Ν·、_〇一 、-S-、-S02-、-CH=N-及 ^^、Cl_c24伸烷基、k C4伸烧基-[〇·(：2-(：4伸烷基]m、CVC4伸烷基-[NH-(V c4-伸烷基]m、c2-c24伸烯基、c3-c24伸環烷基、c3-20 c24伸環烯基、C6-C12芳基、c4-c12伸雜芳基及C7-C12 伸芳烷基，其各自為未經取代基或經以一或多個視需 要為相同或相異之R7基團取代；或為複數個此種基團 序列； 2 拾了节請專利範圍 R7以及於適當時複數個R7基團，其各自分別為鹵 原子、OH、0-R8、0-C0-R8、S-R8、NH2、NH-R8、 NR9R10、NRs-C0_R9、NR9COOR8、CHO、竣基、胺 基甲醯基、脲基、NR9-CO-NHR10、磷酸根、pr9r1〇 、POR8OR9、P(=0)0R80R9、0PR8r9、OPR8〇r9、 OP(=〇)R8〇R9、〇P(=〇)〇R8〇R9、〇p〇3R8、硫酸根、 石黃基、N02、CO-R8、COOH、coor8、conr9r10、 CN、SO#8或S〇2NR9R1()，或為CVC12^基其為未經取 代或經以羥基、co-r8、COOH、coor8、conr9r10 或經以齒原子一取代或多取代； R8、及Rio各自分別為CVC12烷基、C2-C12烯基 、C6-C12芳基、C4-C12雜芳基或(：7-(：12芳烷基；或 R9及Rio連同公用氮為未經取代或為帶有 基一取代至四取代之吡咯啶、哌啶'哌哜或嗎啉； m為1至1〇之數目；以及 Μ為氫或鹼金屬、鹼土金屬或過渡金屬其可帶有 或未帶有一或多個配位子。 如申請專利範圍第1項之光學記錄媒體，包含一種式 ⑴、（II)、（III)、（IV)或（ν)化合物，其中心為未經取 代或單一經取代之Cl_Ci2烷基，&為c〇〇R8、 CONR9R1()或特別CN，R3為氫或特別為烧基， W-CA基或特別為氫，及/认為^^芳基其為 未經取代或經以一或多個視需要為相同或相異之I基 團取代。 i 129^8¾ j ; v '' v · /..... V ； ' 1 拾、申請專利範圍 3’如申請專利範圍第2項之光學記錄媒體，包含一種式 ⑴、（Π)、（III)、（IV)或（v)化合物，其中R4Ci_c4烧 基，R2為CN，R3為曱基，以及r4為氫。 •如申请專利範圍第1、2或3項之光學記錄媒體，其中 該反射層係由鋁、銀、金或其合金製成。 5_ 一種記錄與回放資料之方法，包含於350至500奈米波 長記錄與回放於一種如申請專利範圍第1項之光學記 錄媒體上之資料。 6· 一種光學記錄媒體，其以下述配置包含·· 10 (a) —支承材料，其係由反射金屬或帶有反射金屬 層之聚合物製成； (b) —光學記錄層，包含如申請專利範圍第1項之 式⑴、（II)、（III)、（IV)或（V)化合物； 15 (c)一分開層，其係由金屬、交聯有機金屬、或介 電無機或有機物質製成；以及 (d)—蓋層。 7.如申請專利範圍第6項之光學記錄媒體，其中該支承 材料（a)係由帶有反射金屬層之聚合物製成。 2〇 種謂與回放資料之方法，包含於35G至5GG奈米波 2〇 *記錄與回放於—種如中請專利範圍第6或7項之光學 記錄媒體上之資料。 9· 一種如申請專利11圍第1項之式⑴、陳(V)化合物 ’其中Rl為未經取代或單—經取代之CVCl2烧基，r2 為C〇〇R8、C〇NR9、或cn，R3為氯或Ci_C4炫基，R4 4 1296802 拾、申請專利範圍 為Ci-C4烷基或氫，及/或r5為C6_CU芳基其為未經取 代或經以一或多個視需要為相同或相異之R7基團取代 1〇· —種如申請專利範圍第1項之式（II)或（III)化合物，其

中Μ為過渡金屬且化為

11· 一種如申請專利範圍第1項之式（IV)化合物，其中Μ為 銅。 12. —種如申請專利範圍第1項之式⑴、（π)、（m)、（以) 或（V)化合物之用途，其係用於資訊之光學記錄。 13·種光學纪錄媒體，包含一基材、一記錄層以及一反 射層，其中該光學記錄媒體適合供於380至440奈米波 長範圍記錄或回放，以及該記錄層包含一種具有吸收 最大值於300至400奈米波長範圍之化合物以及包含一 種式

或八異構& #可為未經取代或經取代基取代俾使在 1296802 拾、申請專利範圍 二甲基甲醯胺中之該異構物及/或經取代之化合物的 吸收最大值λ max係在未經取代之式（IX)化合物的吸收 最大值；lmax之土 10奈米之内。