CN1653532A - 高性能光学存储介质 - Google Patents

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CN1653532A CNA038110369A CN03811036A CN1653532A CN 1653532 A CN1653532 A CN 1653532A CN A038110369 A CNA038110369 A CN A038110369A CN 03811036 A CN03811036 A CN 03811036A CN 1653532 A CN1653532 A CN 1653532A
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P·埃施利曼
J·-L·布德里
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C·莫顿
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Abstract

本发明涉及一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质,其中所述记录层包括下式的化合物:其中R1到R11可为氢或各种取代基,但是R1和R9并不同时为氢;Ym-为无机、有机或有机金属阴离子,或它们的混合物;Zn+为质子或金属、铵或鏻阳离子,或它们的混合物;m、n和o各自独立为1到3的整数;和p和q各为0到4的一个数,o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷,以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。本发明还公开了呫吨高氯酸盐在制备具有有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物中的用途,和乳酸盐在具式(I)、(II)或(III)的化合物的染料层通过旋涂施加到具槽基层上的用途。

Description

高性能光学存储介质
本发明属于在一次性写入存储介质上光学存储信息的领域,其中信息凹坑(pits)由写入和未写入部位的着色剂的不同光学性质区别。该工艺通常称为“WORM”(如″CD-R″或″DVD-R″);本说明书中也采用这些术语。
通过使用更新的发射波长为630-690nm的致密高性能红二极管激光,与具有蓝色或绿色涂层的介质相比,理论上数据存储密度可提高6到8倍,从而可将磁道间隔(两个信息磁道圈间的距离)和凹坑(pits)尺寸降低到例如常规CD值的约一半。
然而,这使得对所用的记录层提出了超常高的要求,如高的折光指数、在不同长度脉冲时段记录符号宽度的均匀性及白天高的光稳定性连同对高能激光辐照的高敏感度。而已知记录层拥有的这些性质的程度是不能令人满意的。
US5821621公开了具有记录层的高容量存储介质,所述记录层基主要由一种或多种呫吨染料组成。氮原子可游离或可结合在所需的环中;在实施例B1中,使用了下式的化合物:
Figure A0381103600091
JP-A-2000/118145公开了适合用635nm波长激光记录的存储介质,这些介质包括具有杂环的呫吨,如下式的化合物:
Figure A0381103600101
但是,现已发现使用约658nm波长的激光时,已知呫吨记录介质的性质仍然有些缺失,特别是光稳定性和记录质量。
EP0567622B1和US-6080852公开了含卤代取代基的五环呫吨化合物,以及它们在识别系统中作为吸收染料或荧光染料的用途。但是,这些专利没有述及光学存储介质或任何其他的固态应用。
本发明的目的是提供光学记录介质,其记录层具有高的记录容量连同优异的其他性质。所述记录介质应在600-700nm(优选630-690nm)范围的相同波长上可写入和读出。本发明的记录层的主要特征是在激光二极管的上述波长范围中具有非常高的初始反射率,并可改良成具有高敏感度、高折光指数、窄的固态吸收谱带、在不同长度脉冲时段良好的符号宽度均一性、优异的光稳定性、良好的极性溶剂溶解性以及对记录和读出两者不同波长激光源的优异的适应性。
非常令人惊异的是,通过使用某些呫吨染料作为记录层,可以提供比迄今已知的记录介质性能优异得多的光学记录介质。
因此本发明涉及一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质,其中记录层包括下式的化合物:
Figure A0381103600111
其中R1、R2、R8和R9各自独立地为C1-C12烷基,未被取代或被卤素、OR12、SR12、NO2、CN、NR13R14、COOR15、SO3 -、SO3H或SO3R12单次取代或多次取代,
其中R1和R2和/或R8和R9经化学键或桥基-O-、-S-或-NR16-成对相互连接而形成5到12元环;
R3和R7各自独立地为C1-C3亚烷基和C2-C3亚烯基,各未被取代或被卤素、R16、OR16、SR16、NO2、CN、NR17R18、COOR16、SO3 -、SO3H或SO3R16单次取代或多次取代;
R4、R6、R10和R11各自独立地为氢、卤素、OR19、SR19、NO2、NR19R20;或C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C7-C18芳烷基,各未被取代或被卤素、OR19、SR19、NO2、CN或NR19R20单次取代或多次取代;
R5为氢;(CH2)kCOOR21、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基或C3-C24环烯基,各未被取代或被卤素、NR21R22或OR22单次取代或多次取代;或C7-C18芳烷基或C6-C14芳基,各未被取代或被卤素、NO2、CN、NR21R22、SO3 -、SO3R21、SO2NR21R22、(CH2)kOR21、(CH2)kOCOR21、COOR21、CONR21R22、OR21、SR21、PO3 -、PO(OR21)(OR22)或SiR15R23R24单次取代或多次取代;
R12、R13、R14、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为氢、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基,各未被取代或被卤素、NO2、CN、NR15R23、NR15R23R24 +、NR15COR23、NR15CONR23R24、OR15、SR15、COOR15、CHO、CR15OR23OR24、COR15、SO2R15、SO3 -、SO3H、SO3R15或OSiR15R23R24单次取代或多次取代;或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基,各未被取代,或被卤素、NO2、CN、NR15R23、NR15R23R24 +、NR15COR23、NR15CONR23R24、R15、OR15、SR15、CHO、CR15OR23OR24、COR15、SO2R15、SO3 -、SO2NR15R23、COOR24、CONR15R23、PO3 -、PO(OR15)(OR23)、SiR15R23R24、OSiR15R23R24或被SiOR15OR23OR24单次取代或多次取代;
或NR13R14、NR17R18、NR19R20或NR21R22为5或6元杂环,其可包括另外的N或O原子并可被C1-C8烷基单取代或多取代;
R15、R23和R24各自独立为氢、C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基,其中R15和R23可相互经化学键或桥基-O-、-S-或-NC1-C8烷基-相互连接而形成5或6元环;
其中任选1到4个选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23和R24的基团可经化学键或桥基-O-、-S-或-N(G)-成对连接,或分别与Ym-和/或Zn+连接,G为单或多取代的C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基;
Ym-为无机、有机或有机金属阴离子,或它们的混合物;
Zn+为质子或金属、铵或鏻阳离子,或它们的混合物;
k为1到10的整数;
m、n和o各自独立为1到3的整数;和
p和q各为0到4的一个数,o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷,以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。
当q和p不是整数时,式(I)、(II)或(III)被理解为一定摩尔组成的混合物,其各组分也可以具不同化学计算量。
无机或有机酸的阴离子有例如氟离子、氯离子、溴离子、碘离子、高氯酸根、高碘酸根、碳酸根、碳酸氢根、硫酸根、硫酸氢根、磷酸根、磷酸氢根、磷酸二氢根、四氟硼酸根、六氟锑酸根、乙酸根、草酸根、甲磺酸根、三氟甲磺酸根、甲苯磺酸根、甲基硫酸根、酚根、苯甲酸根或负电荷金属络合物。
金属、铵或鏻阳离子的例子有Li+、Na+、K+、Mg2+、Ca2+、Cu2+、Ni2+、Fe2+、Co2+、Zn2+、Sn2+、Cr3+、La3+,甲基铵、乙基铵、十五烷基铵、异丙基铵、二环己基铵、四甲基铵、四乙基铵、四丁基铵、苄基三甲基铵、苄基三乙基铵、甲基三辛基铵、三(十二烷基)甲基铵、四丁基鏻、四苯基鏻、丁基三苯基鏻或乙基三苯基鏻,或也可以是质子化Primen 81RTM或Rosin Amin DTM。
烷基、烯基或炔基可以为线形或分支。烯基是单不饱和或多不饱和的烷基,其中两个或多个双键可孤立或共轭。炔基是在一处或多处具双不饱和键的烷基或烯基,其中三键可相互孤立或共轭或与双键相互孤立或共轭。环烷基或环烯基分别为单环或多环烷基或烯基。
C1-C24烷基因此可以是例如甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、仲丁基、异丁基、叔丁基、2-甲基丁基、正戊基、2-戊基、3-戊基、2,2-二甲基丙基、正己基、庚基、正辛基、1,1,3,3-四甲基丁基、2-乙基己基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、二十一烷基、二十二烷基或二十四烷基。
C3-C24环烷基因此可以是例如环丙基、环丙基-甲基、环丁基、环戊基、环己基、环己基-甲基、三甲基环己基、苧基、降冰片基、冰片基、降蒈烷基、蒈烷基、薄荷基、降蒎烷基、蒎烷基、1-金刚烷基、2-金刚烷基、5α-甾烷基、5ξ-孕甾烷基。
C2-C24烯基的例子有乙烯基、烯丙基、2-丙烯-2-基、2-丁烯-1-基、3-丁烯-1-基、1,3-丁二烯-2-基、2-戊烯-1-基、3-戊烯-2-基、2-甲基-1-丁烯-3-基、2-甲基-3-丁烯-2-基、3-甲基-2-丁烯-1-基、1,4-戊二烯-3-基,或己烯基、辛烯基、壬烯基、癸烯基、十二碳烯基、十四碳烯基、十六碳烯基、十八碳烯基、二十碳烯基、二十一碳烯基、二十二碳烯基、二十四碳烯基、己二烯基、辛二烯基、壬二烯基、癸二烯基、十二碳二烯基、十四碳二烯基、十六碳二烯基、十八碳二烯基或二十碳二烯基的任何所需异构体。
C3-C24环烯基的例子有2-环丁烯-1-基、2-环戊烯-1-基、2-环己烯-1-基、3-环己烯-1-基、2,4-环己二烯-1-基、1-对薄荷烯-8-基、4(10)-苧烯-10-基、2-降冰片烯-1-基、2,5-降冰片二烯-1-基、7,7-二甲基-2,4-降蒈二烯-3-基或莰烯基。
C2-C24炔基的例子有1-丙炔-3-基、1-丁炔-4-基、1-戊炔-5-基、2-甲基-3-丁炔-2-基、1,4-戊二炔-3-基、1,3-戊二炔-5-基、1-己炔-6-基、顺-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、反-3-甲基-2-戊烯-4-炔-1-基、1,3-己二炔-5-基、1-辛炔-8-基、1-壬炔-9-基、1-癸炔-10-基或1-二十四碳炔-24-基。
C7-C24芳烷基的例子有苄基、2-苄基-2-丙基、β-苯基-乙基、9-芴基、α,α-二甲基苄基、ω-苯基-丁基、ω-苯基辛基、ω-苯基-十二烷基或3-甲基-5-(1′,1′,3′,3′-四甲基-丁基)-苄基。C7-C24芳烷基也可以是例如2,4,6-三-叔丁基-苄基或1-(3,5-二苄基-苯基)-3-甲基-2-丙基。当C7-C24芳烷基被取代时,芳烷基的烷基或芳基部分可被取代,优选后者被取代。
C6-C24芳基的例子有苯基、萘基、联苯基、2-芴基、菲基、蒽基或三联苯基。
卤素为氯、溴、氟或碘,优选氯或溴。
C4-C12杂芳基为不饱和或具有4n+2共轭π-电子的芳香基团,例如2-噻吩基、2-呋喃基、1-吡唑基、2-吡啶基、2-噻唑基、2-噁唑基、2-咪唑基、异噻唑基、三唑基或包括噻吩、呋喃、吡啶、噻唑、噁唑、咪唑、异噻唑、噻二唑、三唑、吡啶和苯环的其他环体系,其未被取代或被1-6个乙基、甲基、亚乙基和/或亚甲基取代基取代。
此外,芳基和芳烷基也可与金属键合,如本身为人们所知的过渡金属的金属茂的形式,更尤其是:
Figure A0381103600151
式中R25为CH2OH、CH2OR16或COOR16
C3-C12杂环烷基是不饱和或部分不饱和的环体系,例如环氧化物、氧杂环丁烷、吖丙啶;四唑基、吡咯烷基、哌啶基、哌嗪基、咪唑啉基、吡唑烷基、吡唑啉基、吗啉基、奎宁环基;或另一种单或多卤代的C4-C12杂芳基。
5-12元环的例子有环戊基、环己基、环庚基或环辛基,优选环戊基并特别是环己基。
作为R1到R22来说,可特别提及的有下面的取代基:
                                                              -CH2-CH2-OH,
-CH2-O-CH3,-CH2-O-(CH2)7-CH3,-CH2-CH2-O-CH2-CH3,-CH2-CH(OCH3)2,-CH2-CH2-CH(OCH3)2,-CH2-C(OCH3)2-CH3,-CH2-CH2-O-CH2-CH2-O-CH3,-(CH2)3-OH,-(CH2)6-OH,-(CH2)7-OH,-(CH2)8-OH,-(CH2)9-OH,-(CH2)10-OH,-(CH2)11-OH,-(CH2)12-OH,-CH2-Si(CH3)3,-CH2-CH2-O-Si(CH3)2-C(CH3)3,-(CH2)3-O-Si(CH3)2-C(CH3)3,-(CH2)4-O-Si(C6H5)2-C(CH3)3,-(CH2)5-O-Si(CH(CH3)2)3,-CH2-CH2-CH(CH3)-CH2-CH2-CH(OH)-C(CH3)2-OH,-CH2-CH(CH3)-CH2-OH,-CH2-C(CH3)2-CH2-OH,-CH2-C(CH2-OH)3,-CH2-CH(OH)-CH3,-CH2-CH(OH)-CH2-OH,
Figure A0381103600161
Figure A0381103600162
和-(CH2)2CH=N-R26
其中R26为C1-C24烷基、C2-C24烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C7-C24芳烷基、C6-C24芳基、C4-C12杂芳基或C3-C12杂环烷基,各未被取代或被一个或多个符合上述定义的相同或不同基团取代,或者为金属络合物。当R27为C1-C24烷基时,所述基团可不被间断或被1到3个氧原子和/或硅原子间断。特别有利的是未取代或被一个或两个羟基取代基取代或被茂金属基或偶氮金属络合物基取代的烷基,特别是甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、3-戊基、叔戊基、新戊基、2,2-二甲基丁-4-基、2,2,4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环烷基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基-己基。这些作为R5的基团是非常重要的。
本发明的记录介质除了包括式(I)、(II)或(III)的化合物外,可另外包括盐,例如氯化铵、十五基氯化铵、氯化钠、硫酸钠、甲基磺酸钠或甲基硫酸钠,其离子可源于例如所用的组分。
优选式(I)、(II)或(III)的化合物中,R1、R2、R8和R9各相互独立地为未取代或氟取代的C1-C4烷基,或R1和R2和/或R8和R9一起形成5或6元环;
R3和R7各相互独立地为1,2-亚乙基或1,2-亚乙烯基,各未被取代或被R16取代;
R4、R6、R10和R11各自独立为氢、卤素、NO2、OR19、或未取代的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基、C3-C20环烷基、C3-C20环烯基、C3-C20杂环烷基或C7-C18芳烷基;
R5为氢、(CH2)kCOOR21或苯基、吡啶基、萘基或喹啉基,各未取代或被卤素、NO2、NR21R22、SO3R21、SO2NR21R22、(CH2)kOR21、COOR21、CONR21R22或OR21单取代或多取代;
R12、R13、R14、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为氢或未取代的C1-C20烷基、C2-C20烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基;和
o为1或2的整数;或
Ym-为过渡金属络合物阴离子,其包含至少一个作为配位体的酚或苯基羧酸偶氮化合物,m为一个1或2的整数,p为0到2的一个数;或
Z为质子或金属或铵阳离子,n为1或2的整数,q为0到1_的数,特别是0。
特别优选式(I)、(II)或(III)的化合物中R1、R2、R8和R9各自独立为甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、3-戊基、叔戊基、新戊基、2,2-二甲基-丁-4-基、2,2,4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基-己基,各为未取代或被氟带取代或多取代。
R3和R7各自独立为1,2-亚乙基或1,2-亚乙烯基,各为未取代或被以下基团取代:甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、3-戊基、叔戊基、新戊基、2,2-二甲基-丁-4-基、2,2,4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基-己基;对于R3和R7来说,可以未取代或被氟单取代或多取代;
R4和R6为氢;
R5为苯基或萘基,各未取代或被卤素、NO2、SO3R21、SO2NR21R22、COOR21或CONR21R22单取代或多取代;
R10、R11、R12、R13、R14、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为氢或甲基、乙基、正丙基、异丙基、正丁基、2-丁基、异丁基、叔丁基、正戊基、3-戊基、叔戊基、新戊基、2,2-二甲基-丁-4-基、2,2,4-三甲基-戊-5-基、环丙基、环丙基甲基、环丁基、环丁基甲基、环戊基、环戊基甲基、环己基、环己基甲基、环己-4-烯基-甲基、5-甲基-环己-4-烯基-甲基或2-乙基-己基,各未取代或被氟单取代或多取代;
这些优选应用于式(I)、(II)或(III)的各亚结构中,在各种情况下还可存在其他亚结构,前提是式(I)、(II)或(III)中的固有条件得到满足,即是得到的化合物不具有过量的正电荷或负电荷。式(I)、(II)或(III)的亚结构被理解为其三个组分[呫吨]o、(Ym-)p和(Zn+)q,如上面所述它们可以相互连接或不连接。从上面的定义可以看出,亚结构可相互连接,或可存在多个相同或不同的亚结构,例如二聚体形式。
例如,式(I)、(II)或(III)的化合物可包括下面的亚结构作为呫吨部分:
Figure A0381103600191
Figure A0381103600192
Figure A0381103600193
另外例子可参见下面的优选情况。
为特别考虑高水平的耐光性时,优选Ym-为过渡金属络合物阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物。特别优选源于公开于EP0822544、EP0844243、EP0903733、EP0996123、EP1056078、EP1130584或US6162520中公开的金属络合物(所有公开于这些专利申请中的过渡金属络合物结构均通过引用而被看作是本发明的一部分)的阳离子Zn+和(特别是)阴离子Ym-,以及特别优选下式的过渡金属络合物阴离子Ym-
[(L1)M1(L2)]m-(IV)或[(L3)M2(L4)]-(V)
其中M1和M2为过渡金属,例如Ni2+、CO2+或Cu2+,M1优选为Cr3+或Co3+,M2优选为Ni2+、CO2+或Cu2+,m为1到6的一个数,L1和L2各自独立为下式的配位体
Figure A0381103600211
Figure A0381103600212
和L3和L4各自独立为下式的配位体:
Figure A0381103600215
Figure A0381103600216
其中R27、R28、R29、R30、R31和R32各自独立为氢、卤素、氰基、R35、N=N-R36
Figure A0381103600217
SR35,NR35R38,NHCO-R35,NHCOO-R35,SO2-R35,SO2NH2,SO2NH-R35或SO2NR35R38,优选氢、氯、SO2NH2或SO2NHR35;R33和R34各自独立为CN、CONH2、CONHR35、CONR35R38、COOR35或COR35;R35和R38各自独立为未取代或被羟基、卤基、硫酸根合、C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基或二C1-C6烷氨基取代的C1-C12烷基、C1-C12烷氧基-C2-C12烷基、C7-C12芳烷基或C6-C12芳基,优选C1-C4烷基;R36为未取代C6-C12芳基或被羟基、卤素、硫酸根合、C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基或双C1-C6烷氨基取代的C6-C12芳基;R37为硝基、氯、SO2NH2、SO2NHR35、SO2NR35R38、CN、CONH2、CONHR35、CONR35R38、COOR35或COR35或R35和R38一起为C4-C10杂环烷基;对于R28和R27、R29和R30和/或R31和R32来说,也可各自成对连接而形成5或6元环;而C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基和/或二C1-C6烷氨基可为未取代或被羟基或被C1-C4烷氧基取代。
特别优选L1和/或L2具有下式:
Figure A0381103600221
其中R39为OH、OR35、SR35或NR35R38,R40为NO2、CN、
Figure A0381103600222
或N=N-R36
本领域技术人员会理解可使用其他过渡金属络合物离子,如已知作为染料的那些过渡金属络合物离子。
特别优选符合下面条件的式(I)、(II)或(III)的化合物,其中m、n和o各为1,p为0到2_的一个数,q为0,o等于p,从而式(IV)中不存在过量正电荷或负电荷。
非常特别优选包括下面的亚结构作为呫吨部分的式(I)、(II)或(III)的化合物:
Figure A0381103600232
其中在3种情况的每一种下,R41为:
Figure A0381103600241
Figure A0381103600251
Figure A0381103600252
各特别优选与氯、高氯酸根或金属络合物阴离子结合。令人惊异的是,已经证明高氯酸根离子特别适合于制备高纯度式(I)、(II)或(III)的化合物,它们在光学记录介质中甚至具有更好的性质。符合本发明的呫吨与作为反离子的高氯酸根可有利地用作式(I)、(II)或(III)的化合物本身或用作其前体。在一种特别优选的制备其Ym-为有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物的方法中,Ym-为高氯酸根的式(I)、(II)或(III)的化合物与有机金属阴离子的锂、钠、钾或铵盐反应,然后通过令人惊异的简单方法分离出高纯形式的所需化合物。
因此本发明也涉及其Ym-为高氯酸根的式(I)、(II)或(III)的化合物:
Figure A0381103600261
在通过加入式M3 +Ym-(其中M3为Li、Na、K或H3NR5)制备Ym-为有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物中作为原料的用途。应理解该方法也用于制备类似化合物。
同样,非常特别优选式(I)、(II)或(III)的化合物,特别是具有上述呫吨亚结构的化合物,这些化合物包括亚结构金属络合物阴离子,
例如:
Figure A0381103600271
Figure A0381103600281
Figure A0381103600291
Figure A0381103600301
Figure A0381103600311
Figure A0381103600351
Figure A0381103600381
Figure A0381103600391
Figure A0381103600411
Figure A0381103600421
Figure A0381103600422
作为与呫吨亚结构键合的有机金属阴离子基团,特别可提及下面基团:
Figure A0381103600424
Figure A0381103600432
式(I)、(II)或(III)的化合物是已知化合物。那些新化合物可类似于已知化合物那样,通过本身为人们熟悉的方法制备,有用的参考资料可见例如EP0853078、EP0853079和EP0962497。在专业文献中广泛描述了金属络合物(优选式(IV)的金属络合物)。具体地说,它们可以是在GB1599812或EP450421中所述的金属络合物,此中特别包含了相关参考文献的内容。
根据本发明使用的呫吨染料在乙醇溶液中具有窄的吸收谱带,其最大吸收在560-620nm,其在10-5mol/l浓度的半衰期带宽优选最大为60nm。非常令人惊异的是,它们在固态也具有较低的附聚倾向,从而固态下的吸收曲线也有利地保持较窄的状态,与无机或有机Ym-结合时尤其如此。
根据本发明使用的呫吨染料在吸收谱带的较长波长侧具有高的折光指数,其优选在600-700nm范围获得2.0-3.0的峰值,由此可使得介质具有高反射率以及高敏感度和在所需光谱范围内良好的读出性。此外无需为获得非常好的耐光性而在记录层混入其他染料。
用作各层的载体的基层最好为半透明(T≥10%)或优选透明(T≥90%)。所述载体可具有0.01-10mm,优选0.1-5mm的厚度。
记录层优选安排在透明基层和反射层之间。记录层的厚度为10-1000nm,优选30-300nm,尤其是约80nm,如60-120nm。在吸收最大处记录层的吸收一般为0.1-1.0。层厚度的选择尤其须按以下要求进行:采用已知方方法,依据在读出波长处、非写入状态和写入状态的各种折光指数,使得在非写入状态获得相长干扰,而在写入状态获得破坏性干扰,或反之亦然。
厚度10-150nm的反射层优选具有高反射率(R≥45%,尤其是R≥60%),配以低透明性(T≤10%)。在另一实施方案中,例如在具有多个记录层的介质的情况下,反射层可同样为半透明,就是说可具有较高的透明性(如T≥50%)和低的反射率(如R≤30%)。
最上层(其根据层结构可例如为反射层或记录层)还可有利地配有保护层,保护层可具有0.1-1000μm的厚度,优选具有0.1-50μm的厚度,特别是0.5-15μm的厚度。如果需要,这种保护层也可用作向其施加的第二基层的增粘剂,所述第二基层优选具有0.1-5mm的厚度并由与载体基层相同的材料制成。
整个记录介质的反射率优选至少15%,尤其至少40%。
本发明的记录层的主要特征为在激光二极管的所述波长范围具有非常高的初始反射率,其可改良成具有特别高敏感度、高折光指数、窄的固态吸收谱带、在不同长度脉冲时段良好的符号宽度均一性、良好的光稳定性和良好的极性溶剂溶解性。
使用符合the Orange Book Standard要求的常规CD装置的红外激光二极管,根据本发明的记录介质不能写入也不能读出,因为在780nm时,特征折光指数(n)在于1.4和1.9之间,其虚部(k)在0和最大的0.04之间。结果,在使用不具有高分辨率的设备进行写入而产生错误的情况下,损伤的危险被极大地预防,而这是有益的。式(I)、(II)或(III)的染料的使用有益地产生具有高折光指数的均匀、无定形和低散射记录层,并且即使在固态下吸收带边界也是令人惊异的特别的陡。另外的优点是在日光和低功率密度的激光辐照下的高的光稳定性,以及同时具有的在高功率密度的激光辐照下的高敏感度、均一符号宽度、高对比度以及良好的热稳定性和存贮稳定性。
在较高记录速度下,获得的结果出乎意料地优于先前已知的记录介质。相对于周围介质来说符号得到更精确地限定,热导致的变形并未发生。在正常记录速度和较高记录速度下误差率(BLER)和符号长度的统计误差(偏差)也均低,从而在大的速度范围可获得无误差记录和读出。事实上在高记录速度下也没有阻碍,写入介质的读出并不受错误的纠正而减缓。在600-700nm(优选630-690nm)的整个范围均可获得所述益处,但尤其是在640-680nm,更尤其是在650-670nm,非常尤其是在658±5nm处标记可获所述益处。
适合的基层的例子有玻璃、矿物、陶瓷和热固性或热塑性塑料。优选的载体是玻璃和均聚物塑料或共聚物塑料。适合的塑料的例子有热塑性聚碳酸酯、聚酰胺、聚酯、聚丙烯酸酯和聚甲基丙烯酸酯、聚氨酯、聚烯烃、聚氯乙烯、聚偏氟乙烯、聚酰亚胺、热固性聚酯和环氧树脂。所述基层可以是纯形式,或者也可如在JP04/167239中提出的那样,包括常规添加剂如紫外光吸收剂或染料,来作为记录层的光稳定剂。在后一种情况下,向载体基层加入染料对于相应于记录层染料最好具有至少10nm(优选至少20nm)的吸收峰值蓝移。
所述基层最好在600-700nm的范围的至少一部分(优选如上所示范围)是透明的,从而可透过至少90%的写入或读出波长的输入光。所述基层在涂层面优选具有螺旋导槽,槽深50-500nm,槽宽0.2-0.8μm,两圈间轨距为0.4-1.6μm,特别是具有100-200nm的槽深,0.3μm的槽宽和0.6-0.8μm的两螺圈间轨距。本发明的存贮介质因此特别有利地适合于光学记录DVD介质(具有目前常规的0.4μm凹坑宽和0.74μm的轨距)。比已知介质提高的记录速度使得其可进行同步记录或为获得特别效果甚至可进行具优异图像质量的视频片断的加速记录。
代之包括式(I)、(II)或(III)的单种化合物的记录层也可包括具例如本发明的2、3、4或5呫吨染料的化合物的混合物。通过使用混合物如异构体或同系物的混合物以及不同结构的混合物,通常可提高溶解性和/或提高无定形含量。如果需要,离子对化合物的混合物可具有不同阴离子、不同阳离子或同时具不同阴离子和不同阳离子。
为了进一步提高稳定性,如果需要,也可加入常用量的已知稳定剂,如作为光稳定剂的JP04/025493中所述的二硫醇镍(nickeldithiolate)。
记录层包括式(I)、(II)或(III)的化合物或这些化合物的混合物,其用量最好足以对折光指数有实际影响,例如至少30%重量,优选至少60%重量,尤其是至少80%重量。记录层可特别有益地包括式(I)、(II)或(III)的化合物或多种这些化合物的混合物作为主成分,或可只包括或基本上是一种或多种式(I)、(II)或(III)的化合物。
还可包含其他常规组分,例如其他发色剂(如具有300-1000nm的最大吸收的发色剂)、UV吸收剂和/或其他稳定剂,1O2-、三线态-或光猝灭剂、降熔点剂、分解加速剂或任何其他已经在光学记录介质中描述的添加剂如成膜剂。
当记录层包括其他发色剂时,它们可主要是在记录时被激光辐照分解或改变的任何染料,或者它们可能对激光辐照呈惰性。当其他发色剂被激光辐照分解或改变时,可直接通过吸收激光辐照进行或可通过本发明的式(I)、(II)或(III)的化合物的分解(例如热分解)间接进行。
自然,其他发色剂或着色稳定剂可影响记录层的光学性质。因此优选使用其他发色剂或着色稳定剂,其光学性质尽可能与式(I)、(II)或(III)的化合物一致,或者尽可能不同,或者其他发色剂保持小的量。
当使用具有尽可能与式(I)、(II)或(III)的化合物相配的光学性质的其他发色剂时,优选其应在最长波长吸收侧的范围。优选其他发色剂和式(I)、(II)或(III)的化合物的转化点的波长最大相隔20nm,尤其是10nm。在其他发色剂和式(I)、(II)或(III)的化合物就激光辐照应展现出类似性能时,可使用已知记录剂作为其他发色剂,其作用通过式(I)、(II)或(III)的化合物协同增加或增高。
当使用其光学性能与式(I)、(II)或(III)的化合物尽可能不同的其他发色剂或着色稳定剂时,它们最好具有相对于式(I)、(II)或(III)的染料蓝移或红移的吸收峰值。最大吸收优选至少相隔50nm,特别是至少100nm。其例子有相对于式(I)、(II)或(III)的染料蓝移的UV吸收剂或相对于式(I)、(II)或(III)的染料红移的着色稳定剂,并且具有位于例如近红外或红外范围的最大吸收。为了颜色编码表示、颜色遮蔽(″金刚染料″)或改善记录层的外观,还可加入其它染料。在所有这些情况下,其他发色剂或着色稳定剂应优选展现出对光辐照和激光辐照尽可能惰性的性能。
当为了改变式(I)、(II)或(III)的化合物的光学性能而加入另一种染料时,其加入量取决于所需获得的光学性能。对本领域技术人员来说,基本上不存在困难来通过改变加入的染料与式(I)、(II)或(III)化合物的比率直到获得所需结果。
当发色剂或着色稳定剂用于其他目的时,应优选使用小的用量,使其在600-700nm范围对记录层的总吸收的贡献最大为20%,优选最大10%。在这种情况下,另加染料或稳定剂的有益量最大为记录层的50%重量,优选最大10%重量。
但是,最优选不加入另外的发色剂,除非它是着色稳定剂。
除了(I)、(II)或(III)的化合物外,可用于记录层的其他发色剂有例如花青类和花青金属络合物(US5958650)、苯乙烯化合物(US-6103331)、氧杂菁染料(EP-A-833314)、偶氮染料和偶氮金属络合物(JP-A-11/028865)、酞菁类(EP-A-232427、EP-A-337209、EP-A-373643、EP-A-463550、EP-A-492508、EP-A-509423、EP-A-511590、EP-A-513370、EP-A-514799、EP-A-518213、EP-A-519419、EP-A-519423、EP-A-575816、EP-A-600427、EP-A-676751、EP-A-712904、WO-98/14520、WO-00/09522、CH-693/01)、卟啉类和氮杂卟啉类(EP-A-822546,US-5998093)、dipyrromethene染料和其金属螯合物化合物(EP-A822544、EP-A-903733)、呫吨染料和其金属络合物盐(US-5851621)或quadratic酸化合物(EP-A-568877)、或噁嗪类、二噁嗪类、二氮杂苯乙烯类、甲_、蒽醌类或吩噻嗪类;这里所列并非穷举,本领域技术人员会理解这里所列可包括其他已知染料。
稳定剂或荧光猝灭剂有例如含N-或S-烯醇、苯酚、双酚、硫醇或二硫醇的金属络合物或偶氮、偶氮甲碱或甲_染料,诸如_IrgalanBordeaux EL(Ciba Spezialit_tenchemie AG)、_Cibafast N3(CibaSpezialit_tenchemie AG)或类似化合物、位阻酚和其衍生物(任选也作为X-),诸如_Cibafast AO(Ciba Spezialit_tenchemie AG)、羟苯基-三唑类或-三嗪类或其他UV吸收剂,诸如_Cibafast W或_Cibafast P(CibaSpezialit_tenchemie AG)或位阻胺(TEMPO或HALS,也作为nitroxides或NOR-HALS,任选也作为阴离子X-)。
许多这种结构为已知结构,其一些也用于光学记录介质,例如可参见US-5219707、JP-A-06/199045、JP-A-07/76169或JP-A-07/262604。它们可以是例如上面公开的金属络合物阴离子与任何所需的阳离子如上面公开的阳离子的盐。
适用的还有中性金属络合物,如公开于EP 0822544、EP 0844243、EP 0903733、EP 0996123、EP 1056078、EP1130584、US6162520或PCT/EP02/12425中的金属络合物,如
Figure A0381103600511
和式(L3)M2(L5)(V)、(L6)M2(L7)(VI)或M2(L8)(VII)的金属络合物,其中L3为C1-C12烷基-OH、C6-C12芳基-OH、C7-C12芳烷基-OH、C1-C12烷基-SH、C6-C12芳基-SH、C7-C12芳烷基-SH、C1-C12烷基-NH2、C6-C12芳基-NH2、C7-C12芳烷基-NH2、二C1-C12烷基-NH、二C6-C12芳基-NH、二C7-C12芳烷基-NH、三-C1-C12烷基-N、三-C6-C12芳基-N或三-C7-C12芳烷基-N,
L6和L7为:
Figure A0381103600514
L8为:
M2和R28到R32如上定义。
可提及的式(VII)的添加剂的一个具体例子是铜络合物,例如下式示例的化合物
Figure A0381103600525
可提及的式(V)的添加剂的一个具体例子是双酚镍,例如由下式示例的化合物:
本领域技术人员会从其他光学信息介质知道,或会容易地确定哪种添加剂以何浓度特别适合于何目的。基于式(I)、(II)或(III)的记录剂,添加剂的适合浓度为例如0.001-1000%重量,优选1-50%重量。
本发明的记录介质除了包括式(I)、(II)或(III)的化合物外,可另外包括盐,如氯化铵、十五烷基氯化铵、氯化钠、硫酸钠、甲基磺酸钠或甲基硫酸钠,其离子可源于例如所用组分。如果存在其他盐,则优选其以最多占记录层总重量20%重量的量存在。
适用于反射层的反射材料尤其包括金属,其为用于记录和读出的激光辐射提供了良好反射,例如元素周期表III、IV和V主族和各副族的金属。Al、In、Sn、Pb、Sb、Bi、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Hg、Sc、Y、La、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Fe、Co、Ni、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu和它们的合金尤其适合。从高反射率和制造容易性来看,特别优选铝、银、铜、金或它们的合金的反射层。
适合作为保护层的材料主要包括塑料,其直接或借助于粘合剂层以薄层形式施加到载体或最外层上。最好选择具良好表面性能的机械稳定或热温度塑料,其可进一步改变例如写入。所述塑料可以是热固性塑料和热塑性塑料。优选辐照固化(如使用紫外光辐照)保护层,其生产特别简单和经济。各种可辐照固化材料为人们所熟悉。可辐照固化单体和低聚物的例子有二元醇、三元醇和四元醇的丙烯酸酯和甲基丙烯酸酯、至少在氨基的两个邻位具C1-C4烷基的芳香四羧酸和芳香二胺的聚酰亚胺,和具有二烷基马来酰亚胺基如二甲基马来酰亚胺基的低聚物。
本发明的记录介质也可具有其他层如干扰层。也可以制成具多个(如两个)记录层的记录介质。这种材料的结构和用途为本领域技术人员所熟悉。优选将所存在的干扰层置于记录层和反射层之间和/或置于记录层和基层之间并且包括介电材料,如在EP353393中所述的TiO2、Si3N4、ZnS或聚硅氧烷树脂。
本发明的记录介质可通过本身为人们熟悉的方法制备,可用的各种涂布方法取决于所用的材料和其功能。
适用的涂布方法的例子有浸涂、浇注、刷涂、刮涂和旋涂以及在高真空下进行的蒸气沉积法。当使用例如浇注方法时,通常使用在有机溶剂中的溶液。当使用溶剂时,应小心所用的载体对这些溶剂不敏感。适合的涂布方法和溶剂描述于例如EP-A-401791中。
优选通过用染料溶液旋涂施加记录层,已被证明令人满意的溶剂尤其包括醇,如2-甲氧基乙醇、1-甲氧基-2-丙醇、环戊醇、正丙醇、异丙醇、异丁醇、正丁醇、戊醇或3-甲基-1-丁醇或优选氟化的醇,如2,2,2-三氟乙醇或2,2,3,3-四氟-1-丙醇,和它们的混合物。可理解也可使用其他溶剂或溶剂混合物,例如描述于EP-A-511598和EP-A-833316中所述的溶剂混合物。也可使用醚类(二丁醚)、酮类(2,6-二甲基-4-庚酮,5-甲基-2-己酮)或饱和或不饱和烃(甲苯,二甲苯),使用例如混合物形式(如二丁醚/2,6-二甲基-4-庚酮)或混合组分的形式。
本发明化合物的优异溶解性能使得在旋涂溶剂中的高浓度成为可能,通常0.5-20%重量,优选1-10%重量,特别是约2-7%重量。
然而,现已惊异地发现,为将染料溶液通过旋涂施加到带槽载体材料上,可非常特别有益地使用乳酸酯,优选下式的化合物:
其中R5具有和前文相同的定义和优选的意义。
式(VIII)的化合物可以是纯R或S光学异构体的形式或其混合物的形式(例如外消旋物),但是优选以S异构体的形式使用。最优选为(S)-乳酸甲酯。当R1存在光学活性中心时,如2-乙基-己基,增加了可能的异构体数目,使得可以将光学活性醇和外消旋物用以酯化。
因此本发明涉及通过旋涂将染料溶液施加到具槽载体材料上的方法,其中染料溶液包括式(I)、(II)或(III)的化合物和作为溶剂的式(VIII)的化合物:
Figure A0381103600542
所述溶剂优选包含占总溶剂
0.3-100%重量、尤其是5-80%重量、更尤其是10-50%重量的式(VIII)化合物,所述溶剂还可包括一种或多种不同溶剂。
旋涂领域技术人员日常通常试图使用所有其熟悉的溶剂以及其二元和三元混合物,以便发现可得到高质量和经济的含其所选择的固体组分记录层的溶剂或溶剂混合物。也可在这种优化程序中使用已知的工艺工程方法,从而使进行的实验数目保持最小。
本发明因此也涉及一种制备光学记录介质的方法,其中将式(I)、(II)或(III)化合物在有机溶剂中的溶液施加到具有孔(pits)的基层上。所述施加优选通过旋涂进行。
金属反射层的施加优选通过溅射、真空蒸气沉积或通过化学蒸气沉积(CVD)来进行。就对载体的高粘合度来说,尤其优选采用溅射技术进行金属反射层的涂覆。这种技术为人们熟悉,并且描述于专业文献(如J.L.Vossen and W.Kern,″Thin Film Processes″,AcademicPress,1978)中。
本发明的记录介质的结构主要由读出方法决定;已知的功能原理包括测量透射率的变化,或优选反射率的变化,但也已知可例如用测量荧光替代透射率或反射率。
当记录材料构建成用于改变反射率时,可使用例如下面结构:透明载体/记录层(任选多层)/反射层和适用的保护层(不必要透明);或载体(不必要透明)/反射层/记录层和适用的保护层。在第一种情况下,光从载体侧入射,而在后一种情况下,辐射从记录层侧入射,或在适当时从保护层侧入射。在两种情况下,光检测器位于与光源同侧。通常优选根据本发明使用的记录材料的第一种结构。
当记录材料构建成用于改变光透射率时,可考虑例如下面的不同结构:透明载体/记录层(任选多层)和适用的透明保护层。供记录和读出的光可从载体侧或从记录层侧入射,或者在适当时从保护层侧入射,在这种情况下光检测器总是位于相反侧。
所用的激光器是具有600-700nm波长的激光器,如具有602、612、633、635、647、650、670或680nm的商品激光器,特别是半导体激光器,诸如特别是具有约635、650或658nm波长的GaAsAl、InGaAlP或GaAs激光二极管。记录可例如以本身为人们熟悉的方式点对点进行,通过按照符号长度调制激光并将其辐射聚焦在记录层上。从专业文献知道也适合使用目前开发的其他方法。
本发明方法可让信息的存贮达到极大的可靠性和稳定性,并以非常好的机械稳定性和热稳定性和高的光稳定性和陡的凹坑的界区为特征。特别的优点包括高对比度、低的跳动和极高的信/噪比,并获得可极好读出的结果。在视频领域所述高存贮容量是特别宝贵的。
信息的读出按照本身为人们熟悉的方法进行,通过使用激光辐照记录吸收或反射的变化,例如如在″CD-Player und R-DAT Recorder″(Claus Biaesch-Wiepke,Vogel Buchverlag,Wuurzburg 1992)中所述进行。
本发明的含信息介质尤其是WORM型的光学信息材料,可用作例如可播放DVD(数字通用盘)、作为计算机的存贮材料或用作身份证卡或安全卡,或用于生产衍射光学元件如全息照相片。
因此本发明也涉及一种信息的光学记录、存贮或读出的方法,其中使用了本发明的记录介质。所述记录和/或读出有利地在600-700nm的波长处进行,优选以上述的方式进行。
下面实施例更详细地说明本发明。
实施例1:将1.5%重量下式的产物
Figure A0381103600561
溶解于2,2,3,3-四氟-1-丙醇中并将溶液通过具0.2μm孔径的Teflon滤器过滤并通过旋涂方法以1500转/分施加到具120mm直径的0.6mm厚具槽聚碳酸酯盘(槽深:190nm,槽宽290nm,轨距0.74μm)的表面上。通过增加转速旋转除去过量的溶液。蒸发溶剂时,染料以均匀、无定形固体层的形式保留。在70℃的循环空气烘箱中干燥10分钟后,固体层展现出在61nm 0.52的吸收。然后在真空涂覆装置(Twister,Balzers Unaxis)中将60nm厚的银层通过原子化施加到所得的记录层上。然后通过旋涂在其上施加6μm厚可紫外光固化的光聚合物(650-020,DSM)保护层。使用商品记录装置(Pioneer A03 DVD-R(G)),使用波长658nm的激光二极管以3.5m/sec的速度和9.8mW的激光功率将符号写入到活性层中。然后在商品实验装置(DVD Pro,Audio Dev)上测定下面的动态参数:DTC Jitter=8.1%,R14H=50%,I14/I14H=0.53。总体而言,所有测量值均良好。
实施例2:操作步骤类似于实施例1,但代之使用下式的化合物:
Figure A0381103600571
实施例3:操作步骤类似于实施例1,但代之使用下式的化合物:
实施例3:操作步骤类似于实施例1,但代之使用下式的化合物:
Figure A0381103600581
实施例5-47:操作步骤类似于实施例1,但代之使用下式的化合物(给出了各情况下固体层的光学数据):
Figure A0381103600591
Figure A0381103600601
Figure A0381103600611
Figure A0381103600641
Figure A0381103600651
Figure A0381103600661
Figure A0381103600691
Figure A0381103600701
Figure A0381103600711
实施例48:将1.0重量份下式的产物
溶解于99重量份2,2,3,3-四氟-1-丙醇中并将溶液通过具0.2μm孔径的Teflon滤器过滤。以250转/分将染料溶液施加到0.6mm厚具槽聚碳酸酯盘(槽深:170nm,槽宽330nm,轨距0.74μm,直径120mm)的表面上并随后以1500转/分进行旋涂。获得均匀固体层,在70℃干燥15分钟后,在λ最大599nm处具有0.52的吸光度。在真空溅射装置(TwisterTM,Balzers Unaxis)中施加80nm厚银层。随后,施加5μm厚可紫外光固化的保护层(650-020TM,DSM)。使用配有658nm激光器和0.6NA Pickup的光盘测试装置(DDU-1000TM,Pulstec IndustrialCo.,Ltd.),用3.49m/s(1×)的线速和11.5mW激光功率记录这样形成的光学记录介质。记录后,在商品光盘实验装置(DVD Pro,AudioDev,AB)上评价光学记录介质并测定下面的参数:反射率R14H、I14/I14H,DC Jitter。总体而言,所有测量值均良好。
实施例49:按照实施例48的方法进行,不同之处在于使用了0.40重量份式(IX)的化合物:
和0.60重量份式(X)的化合物:
实施例50-55:按照实施例49的方法进行,不同之处在于式(IX)和(X)的量如下作变化:0.1(IX)/0.9(X)、0.2(IX)+0.8(X)、0.3(IX)+0.7(X)、0.5(IX)+0.5(X)、0.6(IX)+0.4(X)和0.7(IX)+0.3(X)。结果令人满意。
实施例56-62:按照实施例48的方法进行,不同之处在于另外使用了0.2重量份式(XI)的化合物:
而式(X)的化合物的量同时降低0.2重量份。化合物(X)和(XI)的重量比率优选1∶5到5∶1,特别是约7∶3。本发明的化合物与式(X)和/或(XI)的化合物的二元和三元混合物在本领域所用的大部分溶剂中具有良好的溶解性,所述溶剂的例子有1-甲氧基-2-丙醇、丙醇/环戊醇、丙醇/1-甲氧基-2-丙醇和1-甲氧基-2-丙醇/环戊醇(各优选90∶10到99∶0.5)。
实施例63-76:按照实施例49-62的方法进行,不同之处在于用实施例48的化合物替代式(IX)的化合物。
实施例77:按照实施例48-76的方法进行,不同之处在于使用了式(IX)化合物和下式的化合物:
的等摩尔混合物。
可制备2、3、4、5、6、7、8、9或更多上述化合物的其他混合物。本发明化合物可有利地与任何本发明的记录染料或本领域已知的其他记录染料组合使用。

Claims (9)

1.一种包括基层、反射层和记录层的光学记录介质,其中所述记录层包括下式的化合物:
Figure A038110360002C1
Figure A038110360002C2
Figure A038110360002C3
其中R1、R2、R8和R9各自独立地为C1-C12烷基,未被取代或被卤素、OR12、SR12、NO2、CN、NR13R14、COOR15、SO3 -、SO3H或SO3R12单次取代或多次取代,
其中R1和R2和/或R8和R9经化学键或桥基-O-、-S-或-NR16-成对相互连接而形成5到12元环;
R3和R7各自独立地为C1-C3亚烷基和C2-C3亚烯基,各未被取代或被卤素、R16、OR16、SR16、NO2、CN、NR17R18、COOR16、SO3 -、SO3H或SO3R16单次取代或多次取代;
R4、R6、R10和R11各自独立地为氢、卤素、OR19、SR19、NO2、NR19R20;或C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C7-C18芳烷基,各未被取代或被卤素、OR19、SR19、NO2、CN或NR19R20单次取代或多次取代;
R5为氢;(CH2)kCOOR21、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基或C3-C24环烯基,各未被取代或被卤素、NR21R22或OR22单次取代或多次取代;或C7-C18芳烷基或C6-C14芳基,各未被取代或被卤素、NO2、CN、NR21R22、SO3 -、SO3R21、SO2NR21R22、(CH2)kOR21、(CH2)kOCOR21、COOR21、CONR21R22、OR21、SR21、PO3 -、PO(OR21)(OR22)或SiR15R23R24单次取代或多次取代;
R12、R13、R14、R16、R17、R18、R19、R20、R21和R22各自独立为氢、C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基或C3-C12杂环烷基,各未被取代或被卤素、NO2、CN、NR15R23、NR15R23R24 +、NR15COR23、NR15CONR23R24、OR15、SR15、COOR15、CHO、CR15OR23OR24、COR15、SO2R15、SO3 -、SO3H、SO3R15或OSiR15R23R24单次取代或多次取代;或C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基,各未被取代或被卤素、NO2、CN、NR15R23、NR15R23R24 +、NR15COR23、NR15CONR23R24、R15、OR15、SR15、CHO、CR15OR23OR24、COR15、SO2R15、SO3 -、SO2NR15R23、COOR24、CONR15R23、PO3 -、PO(OR15)(OR23)、SiR15R23R24、OSiR15R23R24或被SiOR15OR23OR24单次取代或多次取代;
或NR13R14、NR17R18、NR19R20或NR21R22为5或6元杂环,其可包括另外的N或O原子并可被C1-C8烷基单取代或多取代;
R15、R23和R24各自独立为氢、C1-C20烷基、C2-C20链烯基、C2-C20炔基或C7-C18芳烷基,其中R15和R23可经化学键或桥基-O-、-S-或-NC1-C8烷基-相互连接而形成5或6元环;
其中任选1到4个选自R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R9、R10、R11、R12、R13、R14、R15、R16、R17、R18、R19、R20、R21、R22、R23和R24的基团可经化学键或桥基-O-、-S-或-N(G)-成对连接,或可分别与Ym-和/或Zn+连接,G为单或多取代的C1-C24烷基、C2-C24链烯基、C2-C24炔基、C3-C24环烷基、C3-C24环烯基、C3-C12杂环烷基、C7-C18芳烷基、C6-C14芳基或C5-C13杂芳基;
Ym-为无机、有机或有机金属阴离子,或它们的混合物;
Zn+为质子或金属、铵或鏻阳离子,或它们的混合物;
k为1到10的整数;
m、n和o各自独立为1到3的整数;和
p和q各为0到4的一个数,o、p和q的相互比率取决于相关的亚结构的电荷,以使式(I)、(II)或(III)中没有过量的正电荷或负电荷。
2.权利要求1的光学记录介质,所述光学记录介质包括式(I)、(II)或(III)的化合物,这些化合物包括下式的亚结构
Figure A038110360004C1
其中R41
Figure A038110360005C1
Figure A038110360006C3
3.权利要求1或2的光学记录介质,其中Ym-为过渡金属络合物阴离子,包含至少一个作为配位体的苯酚或苯基羧酸偶氮化合物,m为1或2的整数,p为0到2的数。
4.权利要求3的光学记录介质,其中Ym-具有式
        [(L1)M1(L2)]m-(IV)或[(L3)M2(L4)]-(V)
其中M1和M2为过渡金属,例如Ni2+、CO2+或Cu2+,M1优选为Cr3+或Co3+,M2优选为Ni2+、CO2+或Cu2+,m为1到6的一个数,L1和/或L2具有式
其中R39为OH、OR35、SR35或NR35R38,R40为NO2、CN、
Figure A038110360006C5
或N=N-R36
R27和R29各自独立为氢、卤素、氰基、R35、NO2、OH、OR35、SH、SR35、NR35R38、NHCO-R35、NHCOO-R35、SO2-R35、SO2NH2、SO2NH-R35或SO2NR35R38,优选氢、氯、SO2NH2或SO2NHR35
R35和R38各自独立为未取代或被羟基、卤基、硫酸根合、C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基或二C1-C6烷氨基取代的C1-C12烷基、C1-C12烷氧基-C2-C12烷基、C7-C12芳烷基或C6-C12芳基,优选C1-C4烷基;R36为未取代C6-C12芳基或被羟基、卤素、硫酸根合、C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基或二C1-C6烷氨基取代的C6-C12芳基;R37为硝基、氯、SO2NH2、SO2NHR35、SO2NR35R38、CN、CONH2、CONHR35、CONR35R38、COOR34或COR35或R35和R38一起为C4-C10杂环烷基;对于C1-C6烷氧基、C1-C6烷硫基、C1-C6烷氨基和/或二C1-C6烷氨基,可为未取代或被羟基或被C1-C4烷氧基取代。
5.一种光学记录、存贮或读出信息的方法,所述方法使用了权利要求1、2、3或4的记录介质。
6.权利要求5的方法,其中记录和/或读出在600-700nm的波长范围进行,优选在630-690nm范围进行,特别是在640-680nm范围进行,更尤其是在650-670nm范围进行,非常特别是在658±5nm处进行。
7.下式化合物
Figure A038110360007C2
Figure A038110360008C1
其中Ym-是高氯酸根,其他符号与权利要求1中的意义相同,作为通过加入式M3 +Ym-的化合物制备其中Ym-是有机金属阴离子的式(I)、(II)或(III)的化合物的原料的用途,在式M3 +Ym-中M3为Li、Na、K或H3NR5
8.一种通过旋涂将染料溶液施加到具槽的载体材料的方法,其中所述染料溶液包括式(I)、(II)或(III)的化合物和作为溶剂的式(VIII)的化合物:
9.权利要求8的方法,其中所述溶剂包含占总溶剂1-100%重量的式(VIII)的化合物。
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