CN1615517A - 光信息记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种光信息记录介质。在同时读出ROM－RAM信息时，可以稳定地再现RAM信息。上述光信息记录介质具有：包括形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域以及形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上的用于记录RAM信号的光磁记录膜，上述ROM区域中的至少用户区域的上述相位凹坑的调制度为10％～37％，上述用户区域的相位凹坑的调制度优选为15％～25％。作为一种实施方式，使上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。

Description

光信息记录介质
技术领域
本发明涉及光信息记录介质。尤其涉及ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质。
背景技术
现在，关于光磁盘存储器，在高密度存储、再现以及高速访问方面，正在进行积极地研究开发。图1是作为ISO规格的记录介质的一例的光磁盘的俯视图。导入部1和导出部2是由根据反射膜对形成在聚碳酸酯基板上的凹凸进行反射的原理的相位凹坑构成的ROM信息，其记录光盘规格等信息。通过读取该信息，装置对记录再现的条件进行控制。
形成该ROM信息的相位凹坑(pits)的光学深度(凹坑的深度)被设定为再现时的光强度调制最大。一般被设定为70％以上的调制度(相对于没有形成纹沟(groove)和凹凸的平坦部的光强度的相位凹坑部的光强度变化的比率)。
在导入部1和导出部2之间具有通过溅射装置形成光磁记录膜的用户区域3。用户可以自由地在该用户区域3上记录信息。
图2是放大用户区域3的俯视图的一部分。其具有：在隔着作为寻轨向导的纹沟4的纹面(land)5上形成首标部6的相位凹坑8；以及用户数据部7。根据扇区格式，首标部6的信息由扇区标记、VFO、ID等构成。
另一方面，用户数据部7是隔着纹沟4的平坦的纹面5，记录光磁信号。通过利用激光对光磁记录膜进行加热，有助于磁化反转，并且，对应于信号磁场使磁化方向反转来进行光磁信号的记录。
图3是表示沿着图2的半径方向、即沿着A-B线的剖面的概念构造图。由聚碳酸酯等的基板A、绝缘体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV硬化膜F叠层而成。
另外，图3表示对图2的结构进行了与近年来的光磁盘相对应的修正的结构。即，在图3中，为了在纹沟4的区域中也能进行光磁记录，在半径方向上与纹面5的区域具有同样的宽度。
在读出记录信息时，通过照射弱激光，激光的偏振面按照记录层磁化的方向，通过极性克尔效应而改变，根据此时的反射光的偏光成分的强弱来判断有无信号。由此，可以读出RAM信号。
对生成这种光磁盘存储器的特征的研究、开发正在进行，例如，特开平6-202820号公报或者电视学会杂志论文Vol.46，No.10，pp1319～1324(1992)中已经公开了ROM(read only memory)-RAM(read accessmemory)可以同时再现的并行ROM-RAM光盘(以后称为光信息记录介质)。
该ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质具有如图4所示的半径方向的剖面构造，作为一例，由聚碳酸酯等基板A、绝缘体膜B、TbFeCo等的光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al膜E、以及作为保护层的UV硬化膜F叠层而成。
在该构造的光信息记录介质中，如图5所示，ROM信息由相位凹坑PP固定记录，RAM信息由相位凹坑PP列上的光磁记录OMM记录。另外，图5中的半径方向的A-B线方向的剖面与图4一致。
在图5所示的例子中，由于相位凹坑PP列成为寻轨向导，所以，没有设置如图2、图3所示的纹沟4。
在同一记录面上具有这种ROM信息和RAM信息的光信息记录介质中，为了同时再现由相位凹坑PP构成的ROM(读出专用)信息和由光磁记录OMM构成的RAM(可以写入、改写)信息，存在许多课题。第一，要想使ROM信息和RAM信息同时稳定地再现，在读出ROM信号时，必须降低光强度调制。
因此，在上述以往技术中，读出伴随着ROM信号读出时的光强度调制信号，并通过将其负反馈到(以下称为MPF：“Modulated PowerFeedback”)驱动用的激光器中，来降低光强度调制信号。
但是，在ROM信息的光强度调制度大的情况下，只根据该以往的技术是不充分的。即，在降低ROM信息的光强度调制方面，在过于降低该光强度调制的情况下，结果会降低ROM信息自身的再现容限。
此处，作为与光磁有关的以往的技术，例如有特开昭61-60147号公报中记载的技术。在该技术中，利用光磁记录来进行记录再现的光磁盘具有螺旋状的纹沟。该结构在连续的螺旋状的纹沟中，根据是否具有其纹沟的一部分来形成地址。因此，由于必须具备用于除去一部分纹沟的装置，所以，不容易在基板上稳定地形成大致连续的纹沟。
另外，有特开昭57-147139号公报中记载的技术。该技术的应用对象是，使用具有引导沟的在事先由相位信息记录了地址信息的基板上均匀涂敷了记录材料的光学记录磁盘，并且还向地址信息记录部中记录主信息进行再现的装置。在该装置中，特别在对主信息和记录信息进行分离方面，具有用各自不同的频率进行记录并进行带域分离的结构。因此，由于通过频带对地址信息和主信息进行分离，所以，在分离2个信号时，记录频率等的影响是避免不了的。
另外，有特开昭63-55777号公报中记载的技术。在该技术中，以具有数据记录部和辅助数据记录部的光学记录介质为对象，公开了一种具有辅助数据记录部的再现单元和多个调制方式的选择单元，根据所选择的调制方式进行数据的记录的技术结构。但是该技术只是将辅助数据部从主数据部中区域性地分离开来，而没有提示出通过重叠记录ROM和RAM，并且再现ROM和RAM两方信息，可达到强化安全性等的效果。
另外，有特开平11-283358号公报中记载的技术。该技术在光盘中，在导入部和导出部中设置了不能进行改写的压刻(embossing)数据部分和可以改写的数据部分。根据导入部或者导出部的可改写区域的信息，对数据区域的可/不可改写的切换进行识别。因此，由于基本上不禁止用户的改写，所以没有提示出可达到强化安全性等的效果。
发明内容
鉴于上述以往的技术，本发明人经过各种各样的研究，认识到关于在ROM信息读取中的光强度调制的降低，存在着适应值。
所以，本发明的目的是根据该认识，提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，能够稳定地再现RAM信息的光信息记录介质。
另外，本发明的目的是提供一种在同时读出ROM-RAM信息时，能够降低作为ROM信息的相位凹坑边缘所产生的偏光噪声的光信息记录介质。
另外，本发明的目的是提供一种具有能够同时读出上述ROM-RAM信息的构造，并可以应用于多种用途的光信息记录介质。
为了达到上述本发明的目的，本发明第1实施方式的光信息记录介质，其特征在于，具有：基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；上述ROM区域中，至少在用户区域中的上述相位凹坑的调制度为10％～37％。
为了达到上述本发明的目的，本发明第2实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1实施方式的基础上，上述用户区域的调制度进一步为15％～25％。
为了达到上述本发明的目的，本发明第3实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1实施方式的基础上，上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。
为了达到上述本发明的目的，本发明第4实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，上述相位凹坑的凹坑宽度为寻轨间隔宽度的18％～24％。
为了达到上述本发明的目的，本发明第5实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，在上述基板上的与形成作为上述ROM信号的相位凹坑的ROM区域不同的区域，还具有只记录RAM信号的区域。
为了达到上述本发明的目的，本发明第6实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第5实施方式的基础上，在只记录上述RAM信号的区域上能够进行纹面·纹沟方式的记录。
为了达到上述本发明的目的，本发明第7实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第5实施方式的基础上，上述基板具有光盘形状，只记录上述RAM信号的光磁记录膜相对于上述ROM区域被配置成同心状或者漩涡状，并且，被配置在上述ROM区域的外侧或者内侧。
为了达到上述本发明的目的，本发明第8实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，对于被记录在上述ROM区域中的上述ROM信息和被记录在上述光信息记录介质上的上述RAM信息，使用不同的记录调制方式。
为了达到上述本发明的目的，本发明第9实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，在上述RAM信号的记录中使用磁场调制方式。
为了达到上述本发明的目的，本发明第10实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1实施方式的基础上，在上述基板上还刻有引导沟，上述相位凹坑的检测光量大于等于只对上述引导沟的检测光能级的70％。
为了达到上述本发明的目的，本发明第11实施方式的光信息记录介质，其特征在于，具有：基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其用于将RAM信号记录在上述基板的上述ROM区域；将通过组合ROM信号和RAM信号而生成的误差修正信号，作为上述RAM信号记录在上述光磁记录膜上。
为了达到上述本发明的目的，本发明第12实施方式的光信息记录介质，其特征在于，具有：基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域，记录有RAM信号；对于记录上述RAM信号的光磁记录膜的一部分，禁止用户写入。
为了达到上述本发明的目的，本发明第13实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，记录上述RAM信号的光磁记录膜的写入区块地址与上述ROM部的区块地址一致，或者具有一定的对应关系。
为了达到上述本发明的目的，本发明第14实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第2实施方式的基础上，将单位数据信息分割成ROM信号和RAM信号，并分别记录到上述ROM区域以及上述光磁记录膜上。
为了达到上述本发明的目的，本发明第15实施方式的光信息记录介质，是一种可以同时再现ROM/RAM的光盘状记录介质，其具有：基板，具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在上述基板上，用于记录RAM信号；其特征在于，在上述光盘的一周以上形成单一频率的重复相位凹坑。
为了达到上述本发明的目的，本发明第16实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第15施方式的基础上，在上述ROM的标记长度和间隔被以单一周期返复记录的区域，作为RAM信号，记录有与ROM不同频率的单一重复的光磁记录标记，在将上述光磁记录标记的读出输出电平设为c(dB)、将ROM信号的泄漏输出电平设为d(dB)时，15＜c-d＜35。
为了达到上述本发明的目的，本发明第17实施方式的光信息记录介质，具有：基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域，用于记录RAM信号；其特征在于，将把光磁记录标记作为RAM信号记录在上述ROM区域中的以随机标记长度进行记录的区域中时的光磁记录信号的再现振幅设为e，将在除去上述光磁记录标记时的光磁记录信号的再现时的从上述ROM信号向上述光磁记录信号的泄漏振幅设为f时，16＜100×f/e＜34(％)。
为了达到上述本发明的目的，本发明第18实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第16或17实施方式的基础上，上述相位凹坑的光学深度大致为λ/8～λ/14，优选λ/9～λ/13。
为了达到上述本发明的目的，本发明第19实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第16或17实施方式的基础上，上述相位凹坑的宽度为波束直径的18％～50％。
为了达到上述本发明的目的，本发明第20实施方式的光信息记录介质，其特征在于，在第1或16或17实施方式的基础上，至少在用户区域，以互不重叠的方式记录作为上述RAM信号的光磁记录标记的边缘部和作为ROM信号的相位凹坑部。
参照以下附图对本发明的实施方式进行说明，可以使本发明的特征更加明确。
附图说明
图1是作为ISO规格的记录介质的一例的光磁盘的俯视图。
图2是放大图1所示的光磁盘存储器的用户区域3的俯视图的一部分。
图3是表示沿着图2中A-B线的半径方向的剖面构造的图。
图4是表示ROM-RAM可以同时再现的光信息记录介质的剖面构造的图。
图5是对图4构造中的光信息记录介质中的ROM信息和RAM信息的记录进行说明的图。
图6是表示作为用于理解本发明的光学信息记录介质的特征的前提的相位凹坑的形状的图。
图7是表示由本发明人测定的调制度与寻轨错误信号(TES)的凹坑深度Pd、以及凹坑宽度Pw的相关性的曲线坐标图。
图8是表示相位凹坑的调制度对ROM信号以及RAM信号的抖动的影响的图表。
图9是说明调制度的测定方法的图。
图10是表示测定的ROM抖动与RAM抖动的调制度的相关性的坐标图。
图11是表示从ROM向光磁记录(MO)的串扰(cross talk)量的第一测定方法的图。
图12是根据图11的第一测定方法，测定了从ROM信号向MO信号的串扰(c-d)与抖动之间的关系的坐标图。
图13是表示从ROM向光磁记录的串扰量的第二测定方法的图。
图14是根据图13的第二测定方法，测定了从ROM信号向MO信号的串扰与抖动之间的关系的坐标图。
图15表示对应取样相位凹坑深度Pd的抖动的值。
图16表示对应取样相位凹坑的宽度与波束直径的比的抖动的值。
图17是对应相对于ROM信号而错开了ΔT/T％量的作为RAM信号的MO信号的写入时间，进行测定抖动时的特性坐标图。
图18是对与图17相关联的相对时钟T，错开50％，即0.5T时的状态进行说明的图。
图19是表示检测光的光束强度形状和凹坑形状的切线方向剖面图。
图20是对调制度的近似式进行说明的图。
图21是对推挽信号的近似式进行说明的图。
图22是检测光的光束点(beam spot)形状和凹坑形状的切线方向剖面图。
图23是对应光信息记录介质的记录装置的实施例结构的方框图。
图24是对4分割光探测器22、以及根据其输出的聚焦误差(FES)检测和寻轨错误(TES)检测的方法进行说明的图。
图25是表示主控制器15的详细结构例的图。
图26是表示各模块的ROM1、ROM2以及RAM的检测的组合的图。
图27是说明加密器151以及解密器156的结构及对它们进行处理的一例。
图28是表示RAM以及ROM信号的调制方式的图。
图29是对在本发明中，使半导体激光二极管LD以脉冲方式发光的磁场调制方式进行说明的图。
图30是表示记录标记形状的差异的图。
图31是为了进行同步处理，而再现ROM信号的时钟的主控制器15内的同步检测电路154的结构例。
图32是将本发明的光信息记录介质的ROM记录容量和RAM记录容量设为10，与其他的光盘介质规格进行比较的图表。
图33是表示与以往的P-ROM介质进行了比较的本发明的光信息记录介质的其它实施方式的俯视图。
图34是将图33的实施方式例的本发明的光信息记录介质的ROM记录容量和RAM记录容量设为10，与其他的光盘介质规格进行比较的图表。
具体实施方式
本发明的盘状的光信息记录介质的剖面形状与图3、图4所示的相同，另外，关于ROM和RAM信号的记录，与图5所示的相同。
作为实施例，本发明的光信息记录介质在直径约为30mm～120mm的盘状的聚碳酸酯基板A上形成SiN等绝缘体层B，接着，按顺序形成TbFeCo等的光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al反射膜E，然后，覆盖由UV固化树脂构成的保护层F。并且，作为ROM信号，相位凹坑PP列形成于光信息记录介质上。
另外，光磁记录膜C上不必要形成与图4所示的相同的纹沟，但在记忆装置中，为了使寻轨控制更加可靠，形成如图2所示的纹沟，当然可以在其间形成的纹面上进行光磁记录。
图6是表示作为用于理解本发明的光学信息记录介质的特征的前提的相位凹坑的形状的图。在图6中，参照符号Pd表示相位凹坑的深度、即光学深度。寻轨间距Tp表示半径方向的相位凹坑之间的间隔，凹坑宽度Pw表示半径方向的相位凹坑的宽度。
根据本发明人进一步的研究，确认了根据凹坑形状的光强度调制以及寻轨错误信号(TES)，对凹坑深度Pd以及凹坑宽度Pw具有相关性。
为了进行该确认，所使用的样本的构造如下所述。即，作为样本，通过注塑成型的方法，用聚碳酸酯材料做成厚度约为1.2mm的具有不同的多个相位凹坑的多个基板。在该基板上形成的结构层分别是基板/SiN/TbFeCo/GdFeCo/SiN/Al。GdFeCo层是为了增大克尔(Kerr)旋转角而插入的。
图7是表示本发明人对上述样本进行仿真测定的调制度与寻轨错误信号(TES)的凹坑深度Pd、以及凹坑宽度Pw的相关性的坐标图。横轴表示将信息的检测(读出)光的波长设为λ时的凹坑深度Pd，即光学深度。左侧纵轴表示光强度调制度的大小。
在图7中，右侧纵轴表示的寻轨错误信号是根据后面所述的推挽法而求得的情况。此处，不发生读取误差的经过AGC后(从自动增益控制电路的输出)的寻轨错误信号TES通常大于等于0.5。
所以，在图7中，AGC后的寻轨错误信号(参照右纵轴)大于等于0.5时的凹坑深度Pd为λ/10～λ/4，凹坑宽度Pw为大于等于0.29。
另一方面，本发明人通过各种各样的研究、评价，发现了相位凹坑的调制度对ROM信号以及RAM信号抖动的影响。即，发现了并行ROM-RAM特有的问题，即同时检测ROM信号和RAM信号时所存在的问题。如果是只检测RAM信号或者只检测ROM信号的方式，则只需确定出分别适合各种情况的调制度即可，但在同时检测双方的信号的情况下，则必须确定出同时适合两方信号的调制度。
图8的图表是在将光信息记录介质的格式设为CD(Compact Disk：光盘)格式、将最短标记长度3T设为0.833μm、将寻轨间距设为1.6μm、进而将物镜的数值孔径NA设为0.50、将激光波长设为785nm的条件下的测定值。
此处，规定了以下必要条件：关于抖动，在CD-MO(光磁记录介质)中被设为小于40ns，在CD-WO(可写入的光磁记录介质)中被设为小于30ns。所以，对于作为具有这些双功能的本发明对象的并行ROM-RAM光磁记录介质，要求抖动小于35ns，由此，寻轨错误率可以小于3％。
即，将数据对数据(data to data)中的抖动设为σ，如果用与窗口宽度即时钟周期(T＝231ns)相对应的时钟对数据(clock to data)的抖动比率来表示，则被表示成 σ / ( T 2 ) · 100 . 众所周知，该抖动比率如果小于15％，则一般情况下是没有问题的标准的值。顺便说一下，对于上述的并行ROM-RAM光磁记录介质，在要求抖动小于35ns的情况下，如果求出上述抖动比率，则为10.7％，在实际应用中是不会产生问题的。
所以，图8的表中所允许的抖动小于35ns的相位凹坑调制度，理论上被评价为大致在15％～25％的范围。此时的相位凹坑检测光量仅相对于纹沟(引导沟)的检测能级，大于等于70％。
根据该评价，如果参照图7，则在相位凹坑调制度(参照左纵轴)为15％～25％的范围内，凹坑宽度Pw约为0.25μm～0.37μm，凹坑深度Pd约为λ/10～λ/8的范围。
所以，如果作为对装置、介质特性、量产性所必需的值来进行考虑，则可以明白：满足AGC后的寻轨错误信号为大于0.5，并且，相位凹坑调制度在15％～25％的范围内这两个条件的凹坑深度Pd约为λ/10～λ/8，凹坑宽度Pw为寻轨宽度的18％～24％的范围内。
满足上述范围的一实施例是纹沟深度(V纹沟)以及凹坑深度同时为λ/8，凹坑宽度为纹面宽度的20％的情况。
通过以满足由本发明所提示的上述的凹坑深度Pd以及凹坑宽度Pw的条件的方式来记录ROM信息，在同时读出事先说明的ROM信息和RAM信息时，能够解决在负反馈控制方法中，对用于降低光强度调制影响的以往的技术中的半导体激光的发光的负反馈控制不充分的问题。
此处，利用样本具体地求出调制度。作为调制度测定的方法，将样本放置在实验装置上，并使其旋转，在图5所示的相位凹坑PP中进行寻轨，使相位凹坑PP的ROM信号再现。此时，如图9所示，相对于接地电平GND，使用ROM再现信号的空间部反射电平a和标记部反射电平b的比，根据下面的式子来定义调制度。
调制度＝b/a×100(％)
根据该调制度的定义，将上述样本装配到实验装置上，进行ROM抖动和RAM抖动的测定。
图10是表示利用下述的实验装置条件、记录条件和再现条件所测定的ROM抖动和RAM抖动的调制度相关性的坐标图。
实验装置条件：激光波长为650nm、NA为0.55、线速度为4.8m/s、磁场调制记录、作为实验装置使用芝测LM530C
记录条件：记录激光功率Pw＝6.5m、DC发光、记录EFM随机图案、最短标记为0.832μm
再现条件：再现功率Pr＝1.5mW、没有再现磁场、偏光方向相对于寻轨方向为垂直方向
从上述图10中可以明白：要想得到比一般作为最大容许值15％小的抖动比率，只要把调制度设为10％～37％就可以了。另外，可以只考虑ROM信号再现时的变动，但RAM要加上再现以及光磁记录时的变动原因。因此，必须估计实际使用时的各种变动的原因，以及由于记录磁场变动或者记录能量变动而导致的抖动降低。由此，例如，抖动比率在小于10％的情况下，在实用中优选调制度为15％～25％。
并且，本发明者发现了从ROM向光磁记录(MO)的串扰量对抖动的影响，并发现了具有用于获得可以容许的抖动的规定范围。
此处，作为从ROM向光磁记录(MO)的串扰量的第一测定方法有如图11所示的方法。在图11所示的方法中，如图11A所示，在光信息记录介质的至少一周区域上形成单一频率的重复图案的相位凹坑。
例如，在内周部形成单一重复的、至少一周轨道以上的11T的长相位凹坑。将该样本装配在上述条件的实验装置上，对11T重复图案的相位凹坑进行寻轨，记录3T重复图案的最短光磁记(MO)录标记。
将后面说明的再现装置的差动放大器的输出输入到光谱分析仪中。由此，可以分别测定光磁记录信号(MO)的输出和从相位凹坑向MO信号的串扰信号输出。
图11B的高频侧的输出c是MO信号输出电平，低频侧是从ROM信号向MO信号串扰的输出电平d。MO信号与从ROM信号的串扰的差c-d是从ROM信号向MO信号的串扰量。
图12是测定了从ROM信号向MO信号的串扰(c-d)和抖动之间的关系的坐标图。在此时使用的EFM调制中，最短标记是3T。例如，在内周部形成单一重复的、至少一周以上寻轨的11T的长相位凹坑。将该样本装配在适用于图11的测定方法的实验装置上，对11T重复图案的相位凹坑进行寻轨，记录3T重复图案的最短MO标记。
在图12中，可以明白：要想获得小于15％的抖动，只要将串扰量设为15～35dB就可以了。
另外，作为测定从ROM信号向光磁记录信号(MO)的串扰量的第二测定方法有如图13所示的方法。
如图13A所示，为了用相位凹坑在记录介质的用户区域记录作为ROM信号的内容信息，必然要设定随机的长度。将该样本装配在上述条件的实验装置上，对由随机图案组成的用户区域进行寻轨。
与第1测定方法同样，将差动放大器的输出输入到示波器中，暂时消除MO信号。此时用示波器测量的振幅f(图13B)是根据相位凹坑的从ROM向MO信号的串扰信号强度。接着，记录随机长度的MO信号。用示波器测量的记录了图13C所示的MO信号时的振幅波形e是将上述串扰信号和被再现的MO信号相加的信号强度。此时的比率100×f/e是串扰量。
图14是根据测定上述串扰量的第2方法，测定了从ROM信号向MO信号的串扰量和抖动之间的关系的坐标图。在根据该测定方法的评价中，为了获得小于15％的抖动比率，只要将串扰量(f/e)设为16％～34％就可以了。
图15是相对于上述样本的相位凹坑深度Pd的抖动值。此处，相位凹坑的深度Pd在形成光磁记录膜的基板上，通过AFM(Atomic ForceMicroscope：原子力显微镜)来测定。要想从图15中获得ROM/RAM信号以及小于15％的抖动比率，只要将相位凹坑深度Pd设为29～51nm就可以了。该深度用光学换算相当于λ/14～λ/8(将基板折射率设为1.58)。并且，如果如上述那样将安全系数考虑在内，则优选约λ/9～λ/13的深度。
另外，准备了将相位凹坑深度Pd设为约40nm，并变更了相位凹坑宽度Pw的多个样本。将这些样本装配到上述的实验装置中，用相同的记录再现条件进行抖动测定。本实施例中的实验装置的光束直径是1.08μm(1/e2)。图16是表示该实施例中的抖动的测定值的坐标图。
从图16中可以明白：要想获得ROM/RAM信号以及小于15％的抖动比率，只要将凹坑宽度Pw/光束直径的比设为约18％～50％的范围就可以了。
另外，作为本发明的特征，本发明人发现了：在ROM信息上记录RAM信息的情况下，通过稍微错开RAM信号的记录时间，能够降低再现RAM信息时由ROM信息中的相位凹坑边缘产生的偏光干扰的影响。
特别是在高密度化的有效的标记边缘(mark edge)记录的情况下，效果极其明显。例如，在记录编码是标记边缘记录的CD所采用的通过将8比特的数据转换成14比特的长数据位编码而进行记录的EFM(Eight toFourteen Modulation：8-14调制)编码的情况下，如果把数据位长设为T，则最短标记为3T，最长标记为11T，因此，在用T的整数倍来错开时间时，由于具有9种标记长度，所以，即使是随机的，任意一个相位凹坑的边缘和光磁记录标记的边缘相一致的情况也是存在的。
所以，应该错开的时间量的基本值为OT＜ΔT＜1T，在考虑一般性时，如果使用上述ΔT来表现，则只要错开nT+ΔT(n是包含0的整数)就可以了。
再现时，由于稍微错开ROM信号和RAM信号的记录位置，所以，如后面实施例所述，在光记忆装置的读出控制部中，只要与延迟电路的时间相一致就可以了。在现实中，即使ROM信息的时钟开头与RAM信息的时钟不一致，也能够作为独立的时钟数据记录在存储器中。其后的处理根据系统结构可以对应。
图17是对应相对ROM信号把作为RAM信号的MO信号的写入时间错开的量ΔT/T％，进行抖动测定时的特性坐标图。如图17所示，ROM信号b具有不受RAM信号a的写入的影响的平稳的特性。另一方面，RAM信号a由于来自ROM信号b的串扰，错开量在0时抖动值最大。其在RAM信号反转时，通过不使ROM信号变动，而可以变小。如图18所示，对于时钟T，错开50％，即0.5T时，从图17中可以看出，抖动量变得最小。
此处，进一步地考察上述的调制度以及凹坑形状。在作为检测光的光束强度形状和凹坑形状的切线方向剖面图的图19中，光盘状光记录介质的检测系统根据物镜OBL的数值孔径NA和检测光DL的波长λ，在光记录介质上形成通常由以下式(1)所表示的光腰(beam waist)W的亮点。光腰W是从强度最大的位置到强度变为1/2的位置的1/e2的宽度。
W＝2λ/πNA…(1)
其中，NA＝sinθ
实际的光腰W根据透过物镜OBL的光强度分布、光学部件的面精度等发生若干变化。由此，相对于本发明规定的光信息记录介质的凹坑形状，通过光学系统改变调制度、寻轨错误信号量。
一般情况下，对于凹坑形状，在图20所示的配置中，用下述式(2)的关系近似地表示调制度Im。
1-Im＝(A2+B2+2ABcos(Δ))/(A+B)2…(2)
其中，Δ＝4πdn/λ，n＝基板SB的折射率
      A＝凹坑宽度，B＝纹面宽度
此处，假设由凹坑部PI和纹面LI反射的光量近似相等，但是，实际中，根据光束点的形状，纹面LI和凹坑部PI的光量是不同的。另外，在一般情况下，在图21所示的配置中，对于凹坑形状，根据被规格化的推挽法的寻轨信号DPP用式(3)近似地表示。
DPP＝4ABsin(Δ)/(A+B)2…(3)
其中，Δ＝4πdn/λ，n＝基板的折射率
A＝凹坑宽度，B＝纹面宽度
如从这些近似式所理解的那样，为了使调制度变大，只要使凹坑的深度Pd接近于λ/4，凹坑宽度A和纹面宽度B接近于1∶1就可以了。
即使仅指定凹坑形状，在实际中，也不能通过光学系统得到所期望的调制度。图22示出了相对于本发明所规定的光信息记录介质的同心圆方向，不同光学系统的点形状的状态。可以看出，在如光束形状2、光束形状3的光束点的情况下，不能获得期望的调制度、推挽信号。光束形状1表示在本发明的应用中，使用希望的光学系统的光束点形状。在实际的光学系统中，根据光源的强度分布、物镜的数值孔径、使用光的波长大致规定了光束点形状，根据本发明，提出了为了光信息记录介质的记录再现，把光腰W的直径作为标准，使其具有与寻轨间距相同的水平的组合。
凹坑的形状是相对于凹坑宽度的寻轨间距的比率，在本发明的应用中，只要规定凹坑的深度就可以了。
接着，对进行本发明的上述光记录介质的记录再现的记忆装置的实施例结构进行以下的说明。
图23是对应光信息记录介质的记录装置的实施例结构的方框图。在图23中，将从作为光束光源的半导体激光二极管LD(波长785nm)射出的光束、即激光，通过准直透镜10转换为平行光束。
接着，被转换的平行光束入射到偏光光束分离器11中。偏光光束分离器11中的反射光通过聚光镜12入射到自动功率控制(APC)用的光探测器13中。此处，光电转换检测电信号经过放大器14导入到主控制器15中，用于APC控制或者ROM信号的再现。
另一方面，透过偏光光束分离器11的光束通过物镜16缩小到绕射极限(diffraction limit)，来照射本发明的光信息记录介质17。光信息记录介质17通过马达18来进行旋转。另外，由光信息记录介质17反射的光束再一次经过物镜16入射到偏光光束分离器11中，在此处被反射，并被导入到伺服光学系统和记录信息检测系统中。
即，由偏光光束分离器11反射的、来自光信息记录介质17的反射光入射到第2偏光光束分离器19中，该透过光入射到伺服光学系统中，第2偏光光束分离器19的反射光入射到记录信息检测系统中。
来自第2偏光光束分离器19的透过光经过伺服光学系统中的聚光镜20以及圆柱形透镜21，入射到4部分光探测器22中，在此处进行光电转换。
根据进行了光电转换的4部分光探测器22的输出，利用根据像散法的生成电路23进行聚焦误差检测(FES)。同时，利用根据推挽法的生成电路24进行寻轨错误检测(TES)。
图24示出了根据该4部分光探测器22中和其输出，进行聚焦误差检测(FES)的根据像散法的生成电路23，以及进行寻轨检测(TES)的根据推挽法的生成电路24的关系。
将被4分割光探测器22分为4部分的、来自第2偏光光束分离器19的透过光分别设为A、B、C、D时，进行聚焦误差检测(FES)的根据像散法的生成电路23通过以下的计算可以求出作为物镜16的光轴方向控制误差的聚焦误差(FES)。
FES = ( A + C ) - ( B + D ) A + B + C + D
另一方面，进行寻轨检测(TES)的根据推挽法的生成电路24通过以下的计算可以求出作为与物镜16的光轴垂直的方向控制误差的寻轨错误(TES)。
TES = ( A + B ) - ( C + D ) A + B + C + D
将根据这些计算求出的聚焦误差信号(FES)和寻轨错误信号(TES)输入到主控制器15中。
另一方面，在记录信息检测系统中，反射激光入射到记录信息检测系统中的2光束沃拉斯顿(Wollaston)透镜26中，将根据光信息记录介质17上的光磁记录的磁化方向而变化的反射激光的偏光特性转换为光强度。
即，在2光束沃拉斯顿透镜26中，根据偏光检波，将激光分离成偏光方向互相正交的两个光束，经过聚光镜27入射到2分割光探测器28中，分别进行光电转换。
在2分割光探测器28中进行了光电转换的两个电信号由加法放大器29进行加法运算，变成第一ROM信号(ROM1)，同时，由减法放大器30进行减法计算，变成RAM读出信号(RAM)，并将其分别输入到主控制器15中。另外，为了抑制根据相位凹坑信号的光强度调制，ROM信号(ROM1)也可以被用作反馈信号。
到此为止，主要对读出过程中的光束流进行说明。接着，参照图25所示的主控制器15的详细结构例，对来自各光探测器的输出信号流进行详细的说明。
在图25中，对入射到APC用光探测器13中的半导体激光二极管LD的反射光进行光电转换，经过放大器14，作为第二ROM信号(ROM2)输入到主控制器15中。
另外，如上述说明那样，将作为加法放大器29的输出的第一ROM信号(ROM1)、作为差动放大器30的输出的RAM信号(RAM)、来自FES生成电路的聚焦误差信号(FES)、来自TES生成电路的寻轨错误信号(TES)输入到主控制器15中。
另外，在与数据源32之间，经过接口电路33，输入输出记录用数据以及读出数据。
输入到主控制器15中的第一ROM信号(ROM1)、第二ROM信号(ROM2)、以及RAM信号(RAM)在对应各模式，即再现ROM和RAM时、只再现ROM时、以及记录(write)时，被检测出来进行使用。
图26是表示在各模式下的上述ROM1、ROM2以及RAM的检测的组合的图。为了得到这样的在各模式下的上述ROM1、ROM2以及RAM的检测的组合，图25所示的主控制器中设有ROM切换开关SW1、SW2。
图25所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态是如图26所示的模式下的ROM和RAM再现时的状态。在只再现ROM时以及记录时，图25所示的ROM切换开关SW1、SW2的状态被分别切换为反转的状态。
主控制器15内的LD控制器150接收加密器151以及ROM切换开关SW1的输出，生成对LD驱动器31的指令信号。
LD驱动器31根据LD控制器150生成的指令信号，在ROM和RAM再现时，根据第一ROM信号(ROM1)，对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制，在只再现ROM时以及记录时，根据第二ROM信号(ROM2)，对半导体激光二极管LD的发光功率进行负反馈控制。
光磁记录时，来自数据源32的数据经过接口33输入到主控制器15中(参照图23)。在主控制器15中，为了确保安全性，通过加密器151对该输入数据进行加密，作为记录数据，经过磁头控制器152供给磁头驱动器34。
此处，主控制器15的例子为：由包含MPU或DSP、编码器/解码器等的能够总体控制再现/记录处理功能、伺服功能、激光发光控制等的一体化LSI构成。
此时，在使安全性变得更高的情况下，加密器151可以与解调器155解调后的ROM信号组合一起进行加密。
磁头驱动器34驱动磁头35，对应被加密的记录数据调制磁场。此时，在主控制器15中，将来自加密器151的指示记录时间的信号发送到LD驱动器31中，为了使记录具有最适当的激光功率，LD驱动器根据第二ROM信号(ROM2)对半导体激光二极管LD的发光进行负反馈控制。
另外，在ROM信号和RAM信号的记录中，为了提高安全性或者为了记录再现稳定的信号，可以实施如下的形式。
即，将ROM信号和RAM信号组合而生成的误差修正信号作为上述RAM信号记录在上述光磁记录膜上。
另外，把ROM信号和RAM信号的至少一方记录在对应加密的ROM区域或上述光磁记录膜上，并且，把与上述加密相对应的解密的方法至少记录在上述ROM区域和上述光磁记录膜的一方。
或者，禁止用户向记忆RAM信号的光磁记录膜的至少一部分进行写入。因此，事先将规定的识别ID记录在RAM区域的一部分，为了不进入可以改写其记录区域的逻辑扇区，在主控制器15中进行介质格式的管理。由此，识别ID只可以读取。该识别ID在个人用、医疗用等方面，可以适用于区别机器种类的各种情况。
这些形式在加密器151中，可以由固化软件来进行控制。
图27是说明加密器151以及解密器156的结构及对它们进行处理的一例。
在加密器151中，成为光磁记录对象的、作为RAM记录数据的数字RAM信号经过缓冲器300，与解调器155所再现的ROM信号一起被输入到编码器301中。在编码器301中，利用ROM信号，进行RAM信号的加密处理。
利用ROM信号使RAM信号加密的方法可以有各种各样。例如，能够如生成立体声那样将ROM信号作为R信道，将RAM信号作为L信道，对它们进行均等混频，把其作为被加密的RAM信号记录在光磁记录膜上。此时，由于ROM信号原本由凹坑相位固定记录在纹面区域上，所以，优选减少R信道的信息量进行混频。
由此，在如图1所示的通常的RAM信号的记录介质中，可以进行以前实现不了的加密。
或者，在编码器301中，也可以在每个RAM信号的规定比特间插入1比特ROM信号来进行简单的加密。
编码器301的输出在交错(interleave)电路302中，用规定的规则对作为编码器301的输出的连续比特来进行转换交替的处理。这是用来确保正负符号的随机性。
接着，根据同步及转换电路303，与由ROM信号再现的时钟同步，并转换成NRZI信号来作为RAM记录信号。
该RAM记录信号如后面说明那样，对应根据凹坑相位固定记录在光信息记录介质的纹面区域上的ROM记录区域，重叠地进行光磁记录。
通过对被输入到解密器156的从光信号记录介质读出的RAM信号，在同步检测及解调电路305、解交(deinterleave)电路306以及解码器307中，分别进行加密器151中的同步及转换电路303、交错电路302以及编码器301的处理的逆处理，可以得到解密的RAM信号。
根据上述结构，即使在误差修正时也能够将ROM和RAM信号进行组合。例如，在图27中，如虚线箭头所示，解密器156中的RAM信号再现时，利用ROM再现信号的一部分来进行误差修正。
例如，在编码器301中，将从ROM信号中取出的1比特与RAM信号合并，作为RAM信号输出，在RAM信息记录时，将其记录在数据部的最后的ECC(误差检测编码)部中。并且，再现时，在解码器307中，通过进行奇偶校验，可以对ROM和RAM信号组合的误差进行修正。
此处，对磁场调制记录中的记录调制方式进行考察。作为例子，如图28所示，用于记录ROM信号的调制方式是EFM，作为光磁记录的RAM数据的调制方式假设为NRZI(NonReturn-to-zero change-on-Onesrecording：不归零倒置)。
此时，如图28所示，相对于本来的数据比特长T，将最短标记设为Tmin，将窗口边界(window margin)宽度设为Tw，在NRZI(图28A)中，Tmin＝T，Tw＝T，在EFM(图28B)中，Tmin＝1.41T，Tw＝0.47T。
在RAM信号中，对磁场调制写入信号的频率特性也存在着限制，窗口边界宽度Tw大、最短标记Tmin长的结构适合。另一方面，在ROM信号中，最短标记Tmin长的EFM方式适合。所以，在本发明中，优选分别使用适合RAM信号和ROM信号的不同的记录调制方式。
另外，在一般的磁场调制方式中，固定半导体激光二极管LD的照射功率，通过磁场反转来进行信息记录。对此，在本发明中，如对利用脉冲使半导体激光二极管LD发光的磁场调制方式进行说明的图29所示，利用脉冲使半导体激光二极管LD发光(图29B)，进而，对应信号，使施加磁场发生变化(图29A)。
由此，在表示不同的记录标记形状的图30中，使光磁记录时的光信息记录介质的温度分布发生变化，变为如图30A所示的光磁记录标记。可以明白：与使以往的半导体二极管LD连续发光来进行记录的情况(图30B)相比，使箭羽状变得平缓。所以，通过箭羽状记录标记的缓和，能够改善再现信号的特性。
返回到图19进行说明，如果考虑利用ROM信息和RAM信息同时读出，则优选光磁记录的记录开始地址和ROM信息的时钟地址一致，或者具有类似通过计算等简单地求得的一定的对应关系。因此，利用同步检测电路154由作为加法放大器29的输出的相位凹坑信号的第一ROM信号(ROM)再现时钟，并检测记录开始地址。
通过由在图23及图25中被省略图示的查找机构将具有磁头35以及物镜16的单元定位在所检测出的记录开始地址上，来进入记录动作。
另外，根据由上述第一ROM信号(ROM)所再现的时钟，通过马达控制器159，作为查找动作的一部分，由马达驱动器36控制马达18的旋转。
另外，作为查找机构，在查找距离短的范围内，可以由马达驱动器36或者TES致动驱动器37来进行其功能的一部分。
另外，用于光磁记录的时钟如上述那样，由于从相位凹坑信号(ROM1)生成，所以利用该时钟进行同步处理。即，在主控制器15中，利用同步检测电路154再现相位凹坑的时钟，如上述在图27中说明的那样，通过密码器151的同步及转换电路303(图27)，为了与上述时钟同步，调整应该进行光磁记录的RAM信息的记录时间。
这样，通过利用ROM信号的时钟，可以抑制由于记录时的光盘偏心而导致的记录标记长度的变动。
图31是为了进行上述同步处理而再现ROM信号的时钟的主控制器15内的同步检测电路154的结构例。图31A是结构方框图，图31B是表示各信号时序的图。对于输入到同步检测电路154中的ROM信号(图31B、a)，在边缘检测电路400中，设定规定的限幅电平，对ROM信号的边缘进行检测。接着，将边缘检测的时序信号输入到相位比较器401中。
并且，在相位比较器401、低通滤波器402以及电压控制振荡器403间构成反馈环，相对于边缘检测的时序信号，调整来自电压控制振荡器403的脉冲输出的相位。由此，生成时钟。
即，在图31B中，相对于ROM信号a的边缘，与来自电压控制振荡器403的脉冲b合并，从相位比较器401中输出相位比较输出。如果错开来自电压控制振荡器403的脉冲的相位和ROM信号的相位，则相位比较输出也错开，并且，低通滤波器402的输出偏向正或负。通过利用该输出对电压控制振荡器403进行反馈，可以生成与ROM信号同步的时钟。
接着，对再现时的动作进行说明。在前面已经说明了因相位凹坑信号，即被读出的ROM信号而形成的光强度调制，对RAM信号成为干扰的情况。所以，与前面以往的技术所示的方法相同，将来自加法放大器29的第一ROM信号(ROM1)经过LD驱动器31，对半导体激光二极管LD进行负反馈来控制发光，降低第1ROM信号(ROM1)，可以实现平坦化。
在这种形式中，可以有效地抑制向被读出的RAM信号的串扰。但是，在ROM和RAM信号同时读出的情况下，由于ROM1信号通过上述的负反馈控制而变得平坦，所以很难得到ROM信号。
所以，必须根据别的方法来检测ROM信号。在本发明的实施例中，在再现时，根据第1ROM信号(ROM1)对流入到半导体激光二极管LD中的电流进行负反馈调制。即，以与ROM信号相同的信号模型进行光强度调制。
该光强度调制可以由APC用光探测器13检测出来。在MPF环路的动作时，通过切断APC环路，可以得到作为第二ROM信号(ROM2)的相位凹坑信号。
所以，在本发明中，在图25所示的主控制器15中，通过同步检测电路154进行时钟再现，利用解调器155进行EFM磁场调制所对应的解调，可以得到作为ROM信号的第二ROM信号(ROM2)。解调后的ROM信号通过解密器156进行与加密器151中的加密相对应的解密，作为再现数据被输出。
同时再现ROM信息和RAM信息时，根据由从上述同步检测电路154得到的第二ROM信号(ROM2)再现的时钟，经过马达控制器159，作为查找动作的一部分，由马达驱动器36进行马达18的旋转控制。
RAM信号通过包含驱动半导体激光二极管LD的LD驱动器31的ROM信号负反馈单元，能够在不受ROM信号干扰的情况下，作为差动放大器30的输出被检测出来。
差动放大器30的输出在主控制器15中由同步检测电路157同步检测出来，利用解调器158进行与NRZI调制相对应的解调，由解密器156解密，并作为RAM信号输出。
此处，与记录时的情况相同，再现时钟可以使用利用了由同步检测电路154检测的第二ROM信号(ROM2)的嵌入时钟。由此，由于自动地改变信号检测窗口，所以可以稳定地再现根据旋转变动或者寻轨偏心所导致的偏离规定的线速度的偏移。
另外，在图25的主控制器15中具有延迟电路159。该延迟电路159如前面说明的那样，为了降低再现ROM信号时作为ROM信息的相位凹坑边缘产生的偏光干扰的影响，在将RAM信号记录在ROM信息上时，用于对应把记录RAM信息的时间进行了稍微错开的处理的情况，进行时间的调整。
在只再现ROM信号时，由于不必考虑对RAM信号的影响，所以，和记录时一样，作为LD反馈信号而使用第二ROM信号(ROM2)，ROM信息解调再现第一ROM信号(ROM1)。
在本发明的实施例中，记录及再现时的线速度采用光盘整体一定的CLV(Constant Linear Velocity)方式，将来自与ROM信号对应的马达控制器159的指令发送到马达驱动器36中，进行马达18的旋转控制。但是，本发明不限于此，即使在采用CAV、ZCAV、ZCLV的情况下也能获得同样的效果。
在如上所述的本发明的实施例中，对于记录、再现(ROM再现、ROM和RAM同时再现)的任意一个，都能够根据作为相位凹坑信息的ROM信号进行时钟的生成以及马达驱动器的控制。
尤其是在RAM的再现时，不是再现自身时钟，即使在RAM信号的品质低下的情况下，由于再现时钟由成为用户使用的内容(音乐、文章、图像)的、作为相位凹坑信息的ROM信号生成，所以，也能够使再现时钟不受RAM信号品质的影响而保持稳定。
以下，对可以同时再现ROM以及RAM信息的本发明的光信息记录介质的优越性、尤其是安全性和记录容量的方面进行考察。
在图25所示的主控制器15的结构中，具有加密电路151、解密电路156。由此，在本发明的光信息记录介质的ROM信息是机密信息(原始图像的第一数字图像、私人文档、公文文档)的情况下，通过利用本发明的光信息记录介质和图23所示的记忆装置，作为硬件结构，可以容易且低成本地确保数据的安全性。
即，将不可以改写的重要信息设为ROM信息，作为相位凹坑来进行记录。并且，在设在记录有该ROM信息的相同的物理区域上的RAM部上，根据上述ROM信息，通过加密器151，将RAM信息转换为例如triple Des等的加密数据。然后，对该生成的加密数据进行光磁记录。
由此，可以同时访问重要的ROM数据和该加密数据，可以最大限度地利用一张光信息记录介质的容量。
另外，如果将加密信息作为电子水印来利用，则可以瞬间判定ROM部的信息是否是认定的信息。
图32是将本发明的光信息记录介质的ROM记录容量和RAM记录容量的合计设为10时(各5个)，与其他的光盘介质规格进行比较的图表。
如果是只单独地记录ROM信息的ROM光盘介质、RAM光盘介质，通过采用最新技术，在只记录ROM信息的情况下，与本发明的光信息记录介质相比，ROM容量可以改善10％左右。另一方面，在只记录RAM信息的情况下，与本发明的光信息记录介质相比，RAM容量可以改善80％左右。
但是，在图32中，示出了在与ROM、RAM这两种信息对应的形式下，本发明的光信息记录介质极其优越。另外，在P-ROM中，在RAM记录区域使用变化记录介质的情况下，对于ROM当然是相同的容量，但是，关于RAM，与光磁头相比，记录容量减少10％左右，没有优越性。
本发明的光信息记录介质的ROM、RAM信息的记录容量依存于介质容量，但是ROM容量和RAM容量根据介质容量限度的ROM容量，可以设定同容量的RAM。
与根据目前的ISO规格的光磁记录介质(MO)的P-ROM、O-ROM相比，介质构造、记忆装置构造不同，所以ROM容量和RAM容量不会形成互相占用的情况。
意思是指在ISO规格中，不能根据ROM容量，使ROM信息和RAM信息完全一对一地对应。本发明的光信息记录介质的基本特征是，使介质容量中的最大ROM容量和最大RAM容量一致的情况下，与ISO规格的P-ROM相比，可以改善约40％。
换言之，还可以在本发明实施例的基础上增加新的实施例。其原因在于，由于使用RAM单独介质的最新技术的RAM记录密度有80％的记录容量改善效果，所以，在第一实施例的基础上，以独立的形式把不具有可以同时再现的ROM信息的RAM区域设置在第一实施例的介质上，可以实现新的应用。
图33是与以往的P-ROM介质进行了比较的本发明的光信息记录介质的进一步的实施例的俯视图。在前面说明的本发明的光信息记录介质中，对于并行ROM-RAM区域II，又设置了独立的RAM区域I。
独立RAM区域I以及并行ROM-RAM区域II的区域分布如图33A所示，可以将独立的RAM区域I配置在外周侧，将并行ROM-RAM区域II设置在内周侧，或者，如图33B所示，也可以将独立的RAM区域I配置在内周侧，将并行ROM-RAM区域II设置在外周侧。
这种具有区分了独立RAM区域I和并行ROM-RAM区域II的数据区域的光盘介质可以通过如下的方法形成。即，在与前面图2中说明的对应于RAM区域的寻轨纹沟(参照图2、4)、光盘控制信息区域(记录光盘介质固有信息和地址等的固定信息的部分：参照图2、8)、以及并行ROM-RAM区域II相对应的位置上，做成具有作为相位凹坑的压刻的光盘状的聚碳酸酯基板A。接着，如图4所示的层结构，在基板的几乎所有区域的、具有压刻的单面或者双面上，依次形成绝缘体膜B、光磁记录膜C、绝缘体膜D、Al膜E、以及保护层F。
所以，将与对应于ROM信号的重叠压刻的光磁记录膜的区域所对应的部分定义为并行ROM-RAM区域II，将与ROM信号不重叠的部分定义为RAM区域I。
该定义通过事先在光盘控制信息区域记录光盘介质固有信息，可以由记忆装置来判定记录了ROM信号的ROM区域在光盘上的位置，可以将与该ROM区域相同的位置判定为并行ROM-RAM区域II，将剩下的没有ROM信号的数据区域判定为记录了RAM信号的独立的RAM区域I。
并且，根据基板A上事先形成的ROM区域的位置，在进行只记录ROM信号的RAM区域I和并行ROM-RAM区域II的分配时，如图33A所示，将独立的RAM区域I配置在外周侧，或者，如图33B所示，配置在内周侧。
图34是将只追加了本发明的RAM的区域I而设置的图33所示的扩展例中的光信息记录介质的ROM记录容量和RAM记录容量设为10，并与其他的光盘介质规格进行比较的图表。
例如，在利用P-ROM规格的该介质容量中，如果将ROM、RAM设为同记录容量，则各自设定为3.6。另一方面，在本发明的光信息记录介质中，即使将ROM/RAM同时再现记录容量分别设为3.6，也相当于利用相同的介质容量在独立的RAM区域设定2.52。意味着总容量增加了35％。
并且，作为利用ROM区域和RAM区域的一种方法，把能够作为一个单位来把握的数据信息(称为单位数据信息)分割为ROM信号和RAM信号，可以将前者通过相位凹坑记录在上述ROM区域中，以及把后者磁记录在上述光磁记录膜上。此时，优选将重要的信息分割为ROM信息。作为上述的单位数据信息，例如，可以是一个或多个扇区、一个图像帧、一个音乐帧等等。
并且，关于RAM区域，今后如果采用大容量记录/再现技术、蓝色激光、超解像方式、近场(near field)方式，能够实现进一步的高密度化。
如参照以上附图所进行的说明那样，本发明的光信息记录介质通过对平坦部规定并行ROM-RAM光盘的凹坑部的调制度，可以改善光磁信号的信号特性，并能正确地读出RAM信息。所以，本发明的光信息记录介质可以同时再现ROM-RAM，能够提供对应各种用途的ROM-RAM同时记录及再现介质。由此，可以容易地强化数据的安全性、以及强化信息发布中的著作权的保护等。

Claims (20)

1.一种光信息记录介质，其特征在于，具有：
基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及
光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域上，用于记录RAM信号；
上述ROM区域中，至少在用户区域中的上述相位凹坑的调制度为10％～37％。
2.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，上述用户区域的调制度进一步为15％～25％。
3.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的光学深度约为λ/8～λ/10(其中，λ是用于记录或再现的激光的波长)。
4.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的凹坑宽度为寻轨间隔宽度的18％～24％。
5.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述基板上的与形成作为上述ROM信号的相位凹坑的ROM区域不同的区域，还具有只记录RAM信号的区域。
6.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于，在只记录上述RAM信号的区域能够进行纹面·纹沟方式的记录。
7.根据权利要求5所述的光信息记录介质，其特征在于，上述基板具有光盘形状，只记录上述RAM信号的光磁记录膜相对于上述ROM区域被配置成同心状或者漩涡状，并且，被配置在上述ROM区域的外侧或者内侧。
8.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，对于被记录在上述ROM区域中的上述ROM信息和被记录在上述光信息记录介质上的上述RAM信息，使用不同的记录调制方式。
9.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述RAM信号的记录中使用磁场调制方式。
10.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述基板上还刻有引导沟，上述相位凹坑的检测光量大于等于只对上述引导沟的检测光能级的70％。
11.一种光信息记录介质，其特征在于，具有：
基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及
光磁记录膜，其用于将RAM信号记录在上述基板的上述ROM区域；将通过组合ROM信号和RAM信号而生成的误差修正信号，作为上述RAM信号记录在上述光磁记录膜上。
12.一种光信息记录介质，其特征在于，具有：
基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及
光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域，记录有RAM信号；
对于记录上述RAM信号的光磁记录膜的一部分，禁止用户写入。
13.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，记录上述RAM信号的光磁记录膜的写入区块地址与上述ROM部的区块地址一致，或者具有一定的对应关系。
14.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于，将单位数据信息分割成ROM信号和RAM信号，并分别记录到上述ROM区域以及上述光磁记录膜上。
15.一种光信息记录介质，是一种可以同时再现ROM/RAM的光盘状记录介质，其具有：基板，具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及光磁记录膜，其形成在上述基板上，用于记录RAM信号；其特征在于，
在上述光盘的一周以上形成单一频率的重复相位凹坑。
16.根据权利要求15所述的光信息记录介质，其特征在于，在上述ROM的标记长度和间隔被以单一周期返复记录的区域，作为RAM信号，记录有与ROM不同频率的单一重复的光磁记录标记，
在将上述光磁记录标记的读出输出电平设为c(dB)、将ROM信号的泄漏输出电平设为d(dB)时，15＜c-d＜35。
17.一种光信息记录介质，具有：
基板，其具有形成作为ROM信号的相位凹坑的ROM区域；以及
光磁记录膜，其形成在与上述基板的上述ROM区域对应的区域，用于记录RAM信号；其特征在于，
将把光磁记录标记作为RAM信号记录在上述ROM区域中的以随机标记长度进行记录的区域中时的光磁记录信号的再现振幅设为e，将在除去上述光磁记录标记时的光磁记录信号的再现时的从上述ROM信号向上述光磁记录信号的泄漏振幅设为f时，
16＜100×f/e＜34(％)。
18.根据权利要求16或17所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的光学深度大致为λ/8～λ/14，优选λ/9～λ/13。
19.根据权利要求16或17所述的光信息记录介质，其特征在于，上述相位凹坑的宽度为波束直径的18％～50％。
20.根据权利要求1或16或17所述的光信息记录介质，其特征在于，至少在用户区域，以互不重叠的方式记录作为上述RAM信号的光磁记录标记的边缘部和作为ROM信号的相位凹坑部。
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