CN1596479A - 超导体电缆和线圈 - Google Patents
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Abstract
公开了包括多层超导体带(1100,1200)的超导体物品,其是重叠的并且当弯曲时具有分开的中性轴(1150,1250)。它们对于电缆和线圈是特别有用的。
Description
技术领域
本发明涉及超导体电缆和磁装置。
背景技术
已经开发了具有多种结构的多层超导体物品,比如磁带。这种物品通常包括衬底和超导体层。通常,在衬底和超导体层之间放置一个或多个缓冲层。
发明内容
通常,本发明涉及一种超导体电缆和磁装置。
在一个方面,本方面的特征在于物品包括由第一超导体材料形成的第一层和由第一导电材料形成的第二层。该物品还包括由第二超导体材料形成的第三层和由第二导电材料形成的第四层。第二层和第一层机械的连接(例如,在除了它们的末端的其它点机械的连接),并且第四层和第三层机械的连接(例如,在除了它们的末端的其它点机械的连接)。第二和第四层处于电连接。当弯曲时,第一和第二层具有的中性机械轴和当弯曲时第三和第四层的中性机械轴不同。
作为在这里使用的,术语“机械的连接”指的是在两层之间(例如,在界面处)其确实降低了(例如,消除了)一层独立于另一层移动的能力的力量。机械的连接的层的一个实例是化学的接合在一起的两层。机械的连接的层的另一实例是冶金的接合在一起的两层。机械的连接的层的另外的实例是每一都粘合到它们之间的粘合层的两层。应该注意当通过从两层外部(比如相对表面)施加的力量保持层(或物品)彼此压缩时,两层(或其它物品,比如带)通常不是机械的连接的。例如,如果将两个带缠绕在绝缘体内,提供压力将带保持彼此靠近,这个力本身不使得带机械的连接,尽管带可能另外也是机械的连接的(例如,如果带化学的或冶金的彼此接合)。
设置物品使得第二和第四层可以彼此独立移动。
第一和第二超导材料可以相同或不同。例如,一个或两个超导体材料可以是稀土超导体材料,比如YBCO。
第一和第二导电材料可以相同或不同。例如,第一和第二导电材料可以是金属(例如,铜)或合金(例如,铜合金)。
第一和第二层可以是带的形式。第二和第三层可以是带的形式。
该物品可以进一步包括第一和第二衬底。第一层可以在第一衬底和第二层之间,并且第三层可以在第二衬底和第四层之间。
物品可以进一步包括第一和第二缓冲层。第一缓冲层可以在第一衬底和第一层之间,并且第二缓冲层可以在第二衬底和第三层之间。
在一些实施例中,第一衬底层具有大约等于第一层、第一缓冲层和第二层的总厚度的厚度。
在特定实施例中,第四层具有大约等于第三层、第二缓冲层和第二衬底层的总厚度的厚度。
该物品可以进一步包括第一和第二帽层(cap layer)。第一帽层可以在第一和第二层之间,而第二帽层可以在第三和第四层之间。
物品可以进一步包括在第二和第四层之间的界面层。该界面层通常由导电材料形成并且可以(例如)能够减少第二和第四层的氧化,和/或减少在第二和第四层之间的摩擦。在一些实施例中,该界面层至少部分形成或是石墨。
在另一方面,本发明的特征在于物品(例如,电缆)包括第一和第二螺旋缠绕的超导体带。第一带包括超导体层和导电层,并且第二带包括超导体层和导电层。第一和第二带的导电层处于电连接(例如,在多于一个位置,比如,通过在多于一个位置的彼此接触电交流)。第一螺旋缠绕的超导体带具有中性的机械轴,并且第二螺旋缠绕的超导体带具有不同的中性的机械轴。
可以设置第一和第二螺旋缠绕的带使得它们可以彼此独立的移动。
物品可以进一步包括第一和第二带螺旋缠绕在其周围的形成元件。
在一些实施例中,机械的压缩第一和/或第二超导体带的超导体层。
第一和第二螺旋缠绕的超导体带可以具有共同的螺旋轴。
在一些实施例中,物品进一步包括第三和第四螺旋缠绕的超导体带。第三螺旋缠绕的超导体带包括超导体层和导电层,并且第四螺旋缠绕的超导体带包括超导体层和导电层。第三和第四超导体带的导电层具有多于一个电连接的点(例如,通过在多于一个位置的彼此接触)。第三和第四螺旋缠绕的超导体带可以具有相同的螺旋轴。
在特定实施例中,第一和第二超导体带的导电层至少部分重叠。在一些实施例中,第一和第二超导体带的导电层基本上整个重叠。
在另一方面,本发明的特征在于物品包括第一和第二组螺旋缠绕的带。在第一组螺旋缠绕的超导体带中,每一带包括超导体材料的层和导电材料的层,并且每一带在第一方向平行缠绕。在第二组螺旋缠绕的超导体带中,每一带包括超导体材料的层和导电材料的层,并且每一带在和第一方向相反的第二方向平行缠绕。在第一组带的每一带中的导电材料层和在第二组带的每一带中的导电材料层具有多于一个的电连接位置(例如,通过在多于一个位置的彼此接触)。
在一些实施例中,第一和第二组螺旋缠绕的超导体带具有相同的螺旋轴。
在特定实施例中,在第一组超导体带中的每一带的导电层和在第二组超导体带中的每一带的导电层至少部分地重叠。
当弯曲时,在物品中的每一带具有和任意其它磁带当弯曲时的中性机械轴不同的中性机械轴。
在另外的方面中,本发明的特征在于超导体磁线圈包括第一和第二盘绕的超导体带。将每一盘绕的超导体带盘绕在各自的线圈轴周围。第一盘绕的超导体带包括超导体层和导电层。第一盘绕的超导体带的导电层具有形成第一盘绕的超导体带的内表面的表面。第一盘绕的超导体带的内表面面对第一盘绕的超导体带的线圈轴。第二盘绕的超导体包括超导体层和导电层。第二盘绕的超导体带的导电层具有形成第二盘绕的超导体带的外表面的表面。第二盘绕的超导体带的外表面背对第二盘绕的超导体带的线圈轴。设置第一和第二盘绕的超导体带使得第一超导体带的内表面和第二超导体带的外表面相邻。
在磁线圈中的第一和第二超导体带可以具有彼此不同的中性机械轴。
在一些实施例中,第一和第二盘绕的超导体带彼此接触。
在特定的实施例中,第一和第二盘绕的超导体带缠绕在一起。
在一些实施例中,第一超导体带的线圈轴和第二超导体带的线圈轴相同。
在特定的实施例中,第一和第二超导体带盘绕在彼此周围。
在一些实施例中,第一超导体带的超导体层和导电层机械的连接(例如,在除了它们的末端以外的其它点机械的连接),并且第二超导体带的超导体层和导电层机械的连接(例如,在除了它们的末端以外的其它点机械的连接)。
在特定的实施例中,机械的压缩第一和/或第二超导体带的超导体层。
该超导磁线圈可以进一步包括在相邻的第一和第二超导体带之间放置的界面层。
该超导磁线圈可以进一步包括第三和第四盘绕的超导体带。将第三和第四盘绕的超导体带每一盘绕在各自的线圈轴周围。第三盘绕的超导体带包括超导体层和导电层。第三盘绕的超导体带的导电层具有形成第三盘绕的超导体带的内表面的表面。第三盘绕的超导体带的内表面面对第三盘绕的超导体带的线圈轴。第四盘绕的超导体包括超导体层和导电层。第四盘绕的超导体带的导电层具有形成第四盘绕的超导体带的外表面的表面。第四盘绕的超导体带的外表面背对第四盘绕的超导体带的线圈轴。设置第三和第四盘绕的超导体带使得第三超导体带的内表面和第四超导体带的外表面相邻。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以允许当弯曲物品时同时压缩多个超导体层(例如,通过在中性机械轴处或以下)。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以减少因为,例如,在一个或多个超导体层中缺陷的存在(例如,本身的缺陷,比如裂缝,晶界,或类似的)产生的电流密度降低的危险。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以通过(例如)冗余的传导路径产生电流的共享,在交流电流的情况下降低磁滞损失,增强电气稳定性和/或增强热稳定性。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以产生良好的应力剖面和/或改进的机械特性。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以提供改进的机械稳定性,改进的电气稳定性,增强的载流容量,和/或良好的制造成本节省。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以减少操作的超导体层在弯曲过程中的机械恶化。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以使得其相对容易地接合物品。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以使得其相对易于实现堆叠起来的带和/或导体元件的端接。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以减少因为,例如,在超导体材料中的本身缺陷产生的热量。
超导体物品(例如,带,电缆和/或磁线圈)的结构可以用在多种应用中,包括,例如,电气的、磁的、光电的、电介质的、热的、机械的和/或环境的(例如,保护的)应用中。
通过下面的描述和附图,以及从权利要求中可以更清楚的了解本发明的其它特征,目标和优点。
附图说明
图1是一截面图,示出了包括两个超导体带的超导体物品的实施例;
图2是一截面图,示出了图1的超导体带当弯曲时的实施例;
图3是一平面视图,示出了超导体带的实施例;
图4是一截面图,示出了图3的超导体带。
图5A是一平面视图,示出了超导体带的实施例;
图5B是一平面视图,示出了超导体带的实施例;
图6是一截面图,示出了超导体带的实施例;并且
图7A和7B分别是透视图和平面视图,示出了超导体磁线圈的实施例。
在各个图中的相似的参考符号指示相似的元件。
具体实施方式
图1是一截面图,示出了包括多层超导体带1100和1200的超导体物品1000的实施例。带1100包括衬底1110,缓冲层1120,超导体层1130,和导电稳定层1140。类似的,带1200包括衬底1210,缓冲层1220,超导体层1230,以及导电稳定层1240。在带1100和1200内的层和它们的对应的相邻的层(例如,在除了它们的末端以外的其它点机械的连接)机械的连接(例如,化学的接合或冶金的接合),但是设置带1100和带1200使得它们可以彼此独立移动,这是因为,当稳定层1140和1240彼此接触并处于电连接时,稳定层1140的表面440没有和稳定层1240的表面470机械的连接(例如,没有化学的接合或冶金的接合)。
通过物品1000的结构,电流可以很容易的沿着并在带1100和1200之间传播,即使在超导体层1130和/或1230中存在局部缺陷。例如,在超导体层1130中存在局部缺陷(例如,裂缝,晶界,或类似的)的情况中,可以将在缺陷附近的电流分流(shunt)通过稳定层1140和1240,并使其进入超导体层1230。同样的,如果在超导体层1230中存在局部缺陷,可以将缺陷附近的电流分流通过稳定层1240和1140,并使其进入超导体层1130。相比其中相邻带的超导体层彼此没有电连接的其它特定的超导体物品,这可以加强物品1000的电稳定性和/或电流携带容量。
另外,即使在超导体层1130和/或1230的一个中因为这些层彼此通过稳定层1140和1240电连接而没有局部缺陷的情况下,物品1000的结构可以提供增强的电稳定性和/或电流携带容量,由此相对于其中相邻带的超导体层没有彼此电连接的其它系统,增加了在物品1000中电连接中的导电(包括超导)材料的容量。
而且,通过允许带1100和1200彼此独立移动,可以设计带1100和1200使得当暴露在特定的压力情况下时(例如,当弯曲时,比如,当在电缆或磁线圈中形成时),它们每一都具有它们自己的中性机械轴(也就是,最低的张力区域)。这在(例如)图2中示出,其中带1100和1200是弯曲的。带1100具有中性机械轴1150,并且带1200具有中性机械轴1250。不希望被理论所限制,相信超导体层1130和1230当压缩时具有比当伸展时更高的临界电流密度。因为带1100和1200具有独立的中性机械轴,可以设计带1100和1200使得,当弯曲时超导体层1130和1200分别位于中性机械轴1150和1250处或以下。这允许当带1100和1200弯曲时,超导体层1130和1230同时在压缩状态中。
在一些实施例中,超导体层到中性机械轴的距离小于带厚度的大约10%,(例如,小于大约9%,小于大约8%,小于大约7%,小于大约6%,小于大约5%,小于大约4%,小于大约3%,小于大约2%,小于大约1%)。
在特定实施例中,可以选择带1100和/或1200中的层的厚度,使得当带1100和/或1200弯曲时,超导体层1130和/或1230分别在中性机械轴1150和/或1250处或以下。作为实例,在一些实施例中,衬底1110的厚度大约等于或大于稳定层1140、超导体层1130和缓冲层1120的总厚度。例如,衬底1110的厚度可以比层1140、1130和1120的总厚度至少大1%(例如,至少大2%,至少大3%,至少大4%,至少大5%,至少大8%,至少大10%)。作为另一实例,在特定的实施例中,稳定层1240的厚度大约等于或大于衬底1210、缓冲层1220和超导体层1230的总厚度。例如,层1240的厚度比层1210、1220和1230的总厚度至少大1%(例如,至少大2%,至少大3%,至少大4%,至少大5%,至少大8%,至少大10%)。
在一些实施例中,层1110是从大约20微米到大约80微米厚(例如,从大约30微米到大约70微米厚,从大约40微米到大约60微米厚,大约50微米厚)。
在特定实施例中,层1120是从大约0.1微米到大约0.5微米厚(例如,从大约0.2微米到大约0.4微米厚,大约0.3微米厚)。
在一些实施例中,层1130是从大约0.7微米到大约1.3微米厚(例如,从大约0.8微米到大约1.2微米厚,从大约0.9微米到大约1.1微米厚,大约1微米厚)。
在特定实施例中,层1140是从大约45微米到大约51微米厚(例如,从大约46微米到大约50微米厚,从大约47微米到大约49微米厚,大约48.7微米厚)。
在一些实施例中,层1210是从大约20微米到大约80微米厚(例如,从大约30微米到大约70微米厚,从大约40微米到大约60微米厚,大约50微米厚)。
在特定实施例中,层1220是从大约0.1微米到大约0.5微米厚(例如,从大约0.2微米到大约0.4微米厚,大约0.3微米厚)。
在一些实施例中,层1230是从大约0.7微米到大约1.3微米厚(例如,从大约0.8微米到大约1.2微米厚,从大约0.9微米到大约1.1微米厚,大约1微米厚)。
在特定实施例中,层1240是从大约48微米到大约53微米厚(例如,从大约49微米到大约52微米厚,从大约50微米到大约52微米厚,大约51.3微米厚)。
衬底1110和1120通常由现有的衬底材料形成。这种材料包括,例如,金属和合金,比如镍,银,铜,锌,铝,铁,铬,钒,钯,钼或它们的合金。
缓冲层1120和1220通常由现有的缓冲层材料形成,这种材料的实例包括金属、金属氧化物和/或金属氧化物,比如,银,镍,CeO2,Y2O3,TbOx,GaOx,氧化钇稳定的氧化锆(YSZ),LaAlO3,SrTiO3,Gd2O3,LaNiO3,LaCuO3,SrTuO3,NdGaO3,NdAlO3,MgO,AlN,NbN,TiN,VN和ZrN。
通常,超导体层1130和1240由稀土氧化物超导体材料形成。这种材料的实例包括稀土铜氧化物超导体,比如稀土钡铜氧化物(例如,YBCO,GdBCO和ErBCO)。
通常,通过外延生长形成在带1100和1200中的衬底/缓冲层/超导体层布置。因此,通常分别织构(例如,双轴织构或立方织构)衬底1110、缓冲层1120和超导体层1130的表面432、434和436。类似的,通常分别织构(例如,双轴织构或立方织构)衬底1210、缓冲层1220和超导体层1230的表面484、482和470。
稳定层1140和1240通常由导电材料形成,比如金属和/或合金。形成层1140和1240的材料的实例包括铜、镍、银和它们的合金。
通常,带具有基本上大于它的宽度或幅宽的长度尺寸。示例性的尺寸是高度从几微米到几百微米(例如,至少一微米,至少二微米,至少五微米,至少10微米,至少20微米,至少50微米,至少100微米,至少200微米,至少1000微米),宽度从几微米到几厘米(例如,至少一微米,至少二微米,至少五微米,至少10微米,至少20微米),长度从米的分数到几千米(例如,至少0.01米,至少0.2米,至少0.1米,至少1米,至少10米,至少100米)。
在一些实施例中,可以将超导体带1100和1200包括在超导体电缆中。图3和4分别示出了超导体电缆400的实施例的部分的平面视图和截面图,在超导体电缆400中,电缆400的层404由带1100形成,并且电缆400的层406由超导体带1200形成。设置带1100和1200彼此相对独立地移动(例如,它们没有彼此机械的连接)。将带1100螺旋缠绕在螺旋轴420周围,使得带1100的表面430面向螺旋轴420,而带1100的表面440背对螺旋轴420。由带1100形成的螺旋状物具有螺旋间距450,其对应于带1100沿着螺旋轴420缠绕整整360度的距离。通常,间距450可按要求来改变。作为实例,间距450可以大约等于带1100的宽度,使得带1100的交替的绕组彼此相邻。作为另一实例,间距450可以比带1100的宽度长很多或短很多。
将带1200螺旋的缠绕在带1100上,并且以和带1100相反的方向绕在螺旋轴420周围。缠绕带1200使得表面470面向螺旋轴420,并且表面480背对螺旋轴420。带1200具有可按要求来改变的螺旋间距490。作为实例,螺旋间距490可以大致等于带1200的宽度,使得带1200的交替的绕组彼此相邻。螺旋间490可以和螺旋间距450大约相等、更短或更长。
带1200的表面470沿着电缆在点499周期性的接触带1100的表面440。点499通常是在带1100和1200之间电连接的点,其允许电流经过稳定层1140和1240通过带1100和1200之间。
参考图4,可以通过将带1100和1200缠绕在形成元件401周围形成电缆400。选择性的,在缠绕之后可以移去形成元件401,或者它可以留下来以作为电缆400的结构组成部件。选择性的或另外的,为了冷却带1100和/或1200(例如,到大约等于或小于超导体层1130和/或1230的临界温度的温度),形成元件401可以用来提供低温流体到电缆400。
当描述其中通过在给定方向上将单一的带螺旋缠绕在螺旋轴周围来形成超导体带的每一层的实施例时,本发明并不限定于此。
作为一个实例,可以将多于一个(例如,两个,三个,四个,五个,六个,七个,八个等)超导体带在相同方向上彼此相邻的螺旋缠绕在螺旋轴周围来形成超导体带的层。图5A是电缆500的层的实施例的平面视图,其包括两个在相同方向上彼此相邻的螺旋缠绕在螺旋轴520周围的超导体带1100a和1100b。图5B是超导体电缆800的实施例的平面视图,其包括四个带810、820、830和840。两个带810和820以第一螺旋方向缠绕在形成元件801周围。带810和带820平行缠绕。两个另外的带830和840在带810和820的顶部,在和第一螺旋方向相反的第二螺旋方向上绕在形成元件801的周围。带830和840平行的缠绕。在超导体电缆的每一层中彼此相邻的螺旋缠绕的超导体带的数量可以和在超导电电缆的其它层中彼此相邻的螺旋缠绕的超导体带的数量相同或不同。在一些实施例中,超导体电缆的一层可能由单一的带形成,而且超导体电缆的一个或多个其它层可能由多个彼此相邻的缠绕的带形成。
作为另一实例,可以在彼此的顶部堆叠多于一个的(例如,两个,三个,四个,五个,六个,七个,八个等)超导体带,并且之后在相同方向上将其螺旋缠绕在螺旋轴周围来形成超导体带的层。在这种实施例中,堆叠超导体带,使得该带形成其中稳定层彼此接触的对。图6示出了电缆600的层的实施例,其由两个超导体带1100和1200形成,它们彼此堆叠并在相同方向上螺旋缠绕在螺旋轴620的周围。在超导体电缆600的每一层中彼此堆叠的超导体带的数量可以和在电缆600的其它层中彼此堆叠的超导体带的数量相同或不同。选择性的,可以将电绝缘材料的层缠绕定位在带1100和1200之间。
在一些实施例中,具有足够电流转移端口的电缆相对易于制造,并且电缆的整个电流密度可以相对高。作为实例,该电流密度可以大于大约6000安培。
在特定实施例中,在超导体电缆中的一个或多个带可以具有包括自由表面的导电稳定层,并且该带层可以在电缆末端分开,以暴露自由表面。在一些实施例中,稳定层的一个或多个暴露的自由表面可以用作电流流入和/或流出超导体带的端口。
当关于它们在超导体电缆中的使用来讨论在这里描述的超导体带时,该超导体带还可以用在其它应用中,例如,超导体线圈(例如,磁线圈)。图7A和7B分别示出了超导体线圈600的透视图和平面视图,该线圈600包括多个缠绕在线圈轴630周围的匝(710,715,720,725,等),其中每一匝由超导体带1100和1200形成。带1100和1200通常不机械的连接,但是可能在它们各自的末端机械的连接。在线圈600的每一匝中,带1100的表面440和带1200的表面470接触,使得带1100和1200电连接。另外,在线圈600的相邻匝中,带1100的表面430和带1200的表面480在相邻匝接触。在一些实施例中,可以将一个或多个材料(例如,电绝缘材料,比如电绝缘织物)盘绕在相邻匝之间(例如,在相邻匝的表面430和480之间)。
虽然描述了每一匝由一个超导体带对形成的超导体线圈的实施例,本发明并不限定于此。通常,超导体线圈具有可以由任意所需数量的超导体带对(例如,两个带对,四个带对,六个带对,八个带对,等)形成的每一匝。通常,设置在匝内的每一带对使得稳定层彼此接触,使得在每一带对中的带处于电连接,并且使得相邻带对的衬底彼此接触。
虽然前述描述是关于包括特定层(衬底、缓冲层、超导体层和稳定层)的超导体带,本发明并不限定于此。超导体带可以包括另外的层。在这些实施例中,优选的布置该层使得(这些)超导体层在带的中性机械轴以下。在一些实施例中,这可以通过使用具有大约等于或大于带中其它层总厚度的厚度的稳定层来实现。在特定实施例中,这可以通过使用具有大约等于或大于带中其它层总厚度的厚度的衬底来实现。
在一些实施例中,超导体带可以包括多于一个缓冲层(例如,两个缓冲层,三个缓冲层,四个缓冲层等)。可以在彼此的顶部堆叠多个缓冲层。在特定的实施例中,超导体带可以包括多于一个超导体层。可以在彼此的顶部堆叠多个超导体层。超导体带可以包括相互插入的缓冲层和超导体层。
在一些实施例中,超导体带可以包括在超导体层和稳定层之间的帽层。该帽层可以(例如)由导电材料形成,并且该材料相比形成稳定层的材料较为不易于和超导体材料反应。形成焊料的材料的实例包括银、金、钯和铂。
在特定实施例中,超导体带可以包括在帽层和稳定层之间的焊料层。该焊料层可以(例如)帮助在帽和稳定层之间的粘合。形成焊料层的材料的实例包括特定的基于铅-锡的焊料(例如,包括大约62%铅,大约36%锡和大约2%银的焊料,或者包括大约95%铅和大约5%锡的焊料)。其它合适的焊料是本领域普通技术人员熟知的。
另外,虽然描述了其中相邻带的稳定层处于接触的超导体物品,其它实施例也是可能的。更为一般的说,稳定层不需要接触,而是优选的电连接,并且设置其使得每一带具有它自己的中性机械轴。例如,材料的层(比如导电材料的层)可以位于相邻的稳定层之间,以减少在相邻的稳定层和/或导电材料层之间的摩擦,其中导电材料可以减少相邻的稳定层中一个或两个的氧化。在一些实施例中,可以在相邻的稳定层之间放置石墨的层。在特定实施例中,可以在相邻的稳定层之间放置二硫化钼。在一些实施例中,一个或多个稳定层可以包括(例如,注入)合适的润滑材料,比如一个或多个油脂(例如,一个或多个导电油脂)。在特定实施例中,可以在相邻稳定层之间放置(例如,形成为在一个或两个稳定层顶部的附加层)材料(例如,导电材料,比如铬、镍和/或特定的氮化材料)的硬层(例如,薄的硬层)。
在特定实施例中(例如,当设置带使得稳定层面对螺旋轴时),该稳定层的厚度大约等于或大于衬底、缓冲层和超导体层的总厚度。在一些实施例中(例如,当设置带使得稳定层背对螺旋轴时),稳定层的厚度大约等于或小于衬底的厚度减去缓冲层的厚度减去超导体层的厚度。
通常,当两个层机械的连接时,可以在除了它们的末端的其它点机械的连接。作为实例,它们可以沿着整个接触表面机械的连接。作为另一实例,它们可以在沿着它们表面的点断断续续的机械的连接。
Claims (57)
1.一种物品,包括:
第一层,它包括第一超导体材料;
第二层,它包括第一导电材料,该第二层和第一层机械的连接,使得当弯曲时,该第一和第二层具有第一中性机械轴;
第三层,它包括第二超导体材料;以及
第四层,它包括机械的连接到第三层第二导电材料,使得当弯曲时,该第三和第四层具有和第一中性机械轴不同的第二中性机械轴,
其中该第二和第四层处于电连接。
2.如权利要求1所述的物品,其中该第一超导体材料包括第一稀土金属氧化物超导体,并且第二超导体材料包括第二稀土金属氧化物超导体。
3.如权利要求2所述的物品,其中该第一和第二稀土金属氧化物超导体相同。
4.如权利要求3所述的物品,其中该第一和第二稀土金属氧化物超导体包括YBCO。
5.如权利要求1所述的物品,其中该第一导电材料包括第一金属,而第二导电材料包括第二金属。
6.如权利要求5所述的物品,其中该第一和第二金属相同。
7.如权利要求6所述的物品,其中该第一和第二金属包括铜。
8.如权利要求1所述的物品,其中该第一和第二层是以第一带的形式,并且该第三和第四层是以第二带的形式。
9.如权利要求1所述的物品,进一步包括第一和第二衬底,其中该第一层在第一衬底和第二层之间,并且该第三层在第二衬底和第四层之间。
10.如权利要求9所述的物品,进一步包括第一和第二缓冲层,其中该第一缓冲层在第一衬底和第一层之间,并且该第二缓冲层在第二衬底和第三层之间。
11.如权利要求10所述的物品,其中该第一衬底层具有大约等于第一层、第一缓冲部分以及第二层的总厚度的厚度。
12.如权利要求11所述的物品,其中该第四层具有大约等于第三层、第二缓冲部分以及第二衬底层的总厚度的厚度。
13.如权利要求1所述的物品,进一步包括第一和第二帽层,其中该第一帽层在第一和第二层之间,并且该第二帽层在第三和第四层之间。
14.如权利要求1所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的界面层,其中该界面层包括减少第二和第四层的氧化的第三导电材料。
15.如权利要求1所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的界面层,其中该界面层包括减少在第二和第四层之间的摩擦的第三导电材料。
16.如权利要求1所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的石墨层。
17.如权利要求1所述的物品,其中设置该物品使得该第二和第四层可以彼此独立移动。
18.一种物品,包括:
第一螺旋缠绕的超导体带,它包括超导体层和导电层,当弯曲时,该第一螺旋缠绕的超导体带具有第一中性机械轴;以及
第二螺旋缠绕的超导体带,它包括超导体层和导电层,当弯曲时,该第二螺旋缠绕的超导体带具有第二中性机械轴,该第二中性机械轴不同于第一中性机械轴,
其中,该第一和第二超导体带的导电层处于电连接。
19.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二超导体层包括稀土金属氧化物超导体。
20.如权利要求19所述的物品,其中该稀土金属氧化物超导体包括YBCO。
21.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二导电层包括金属
22.如权利要求21所述的物品,其中该金属包括铜。
23.如权利要求18所述的物品,进一步包括形成元件,其中该第一和第二超导体带螺旋的缠绕在形成元件周围。
24.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二超导体带的超导体层被机械的压缩。
25.如权利要求23所述的物品,其中该第一超导体带进一步包括衬底,并且第二超导体带进一步包括衬底,第一超导体带的超导体层在第一超导体带的衬底和第一超导体带的导电层之间,并且第二超导体带的超导体层在第二超导体带的衬底和第二超导体带的导电层之间。
26.如权利要求25所述的物品,其中该第一超导体带进一步包括缓冲层,以及第二超导体带进一步包括缓冲层,该第一超导体带的缓冲层在第一超导体带的衬底和第一超导体带的超导体层之间,以及第二超导体带的缓冲层在第二超导体带的衬底和第二超导体带的超导体层之间。
27.如权利要求18所述的物品,其中该第一超导体带进一步包括帽层,以及该第二超导体带进一步包括帽层,该第一超导体带的帽层在第一超导体带的超导体层和第一超导体带的导电层之间,并且第二超导体带的帽层在第二超导体带的超导体层和第二超导体带的导电层之间。
28.如权利要求18所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的界面层,其中该界面层包括减少第二和第四层的氧化的第三导电材料。
29.如权利要求18所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的界面层,其中该界面层包括减少在第二和第四层之间的摩擦的第三导电材料。
30.如权利要求18所述的物品,进一步包括在第二和第四层之间的石墨层。
31.如权利要求18所述的物品,其中设置该物品使得第一和第二螺旋缠绕的超导体带可以彼此独立移动。
32.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二螺旋缠绕的超导体带具有共同的螺旋轴。
33.如权利要求18所述的物品,进一步包括:
第三螺旋缠绕的超导体带,它包括超导体层和导电层;以及
第四螺旋缠绕的超导体带,它包括超导体层和导电层,
其中该第三和第四超导体带的导电层具有多于一个电连接的点。
34.如权利要求33所述的物品,其中该第三和第四螺旋缠绕的超导体带具有共同的螺旋轴。
35.如权利要求18所述的物品,其中该物品是电缆的形式。
36.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二超导体带的导电层至少部分重叠。
37.如权利要求18所述的物品,其中该第一和第二超导体带的导电层基本上整个重叠。
38.一种物品,包括:
第一组螺旋缠绕的超导体带,在第一组螺旋缠绕的超导体带中的每一带包括超导体材料的层和导电材料的层,在第一组螺旋缠绕的超导体带中的每一带在第一方向上平行缠绕;以及
第二组螺旋缠绕的超导体带,在第二组螺旋缠绕的超导体带中的每一带包括超导体材料的层和导电材料的层,在第二组螺旋缠绕的超导体带中的每一带在和第一方向相反的第二方向上平行缠绕;,
其中在第一组带的每一带中的导电材料的层具有多于一个和在第二组带的每一带中的导电材料的层电连接的位置。
39.如权利要求37所述的物品,其中该第一和第二组螺旋缠绕的超导体带具有共同的螺旋轴。
40.如权利要求37所述的物品,其中在第一组超导体带中的每一带的导电层和在第二组超导体带中的每一带的导电层至少部分重叠。
41.如权利要求37所述的物品,其中在物品中的每一带当弯曲时具有和任意其它带在弯曲时的中性机械轴不同的中性机械轴。
42.一种超导磁线圈,包括:
第一盘绕的超导体带,其盘绕在线圈轴周围,该第一盘绕的超导体带包括:
超导体层;以及
导电层,它具有形成第一盘绕的超导体带的内表面的表面,该第一盘绕的超导体带的内表面面对第一盘绕的超导体带的线圈轴;以及
第二盘绕的超导体带,其盘绕在线圈轴周围,该第二盘绕的超导体带包括:
超导体层;以及
导电层,它具有形成第二盘绕的超导体带的外表面的表面,该第二盘绕的超导体带的外表面背对第二盘绕的超导体带的线圈轴,
其中设置第一和第二盘绕的超导体带,使得第一超导体带的内表面和第二超导体带的外表面相邻。
43.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一和第二盘绕的超导体带的导电层彼此接触。
44.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一和第二盘绕的超导体带缠绕在一起。
45.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该超导体层包括稀土金属氧化物超导体。
46.如权利要求45所述的超导磁线圈,其中该稀土金属氧化物超导体包括YBCO。
47.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该导电层包括金属
48.如权利要求47所述的超导磁线圈,其中该金属包括铜。
49.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一超导体带的线圈轴和第二超导体带的线圈轴相同。
50.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一和第二超导体带盘绕在彼此周围。
51.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一超导体带的超导体层和导电层机械的连接,并且该第二超导体带的超导体层和导电层机械的连接。
52.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一和第二超导体带的超导体层被机械的压缩。
53.如权利要求42所述的超导磁线圈,进一步包括放置在相邻的第一和第二超导体带之间的界面层,其中该界面层包括导电层。
54.如权利要求42所述的超导磁线圈,其中该第一和第二盘绕的超导体带具有不同的中性机械轴。
55.如权利要求41所述的超导磁线圈,进一步包括:
第三盘绕的超导体带,其盘绕在线圈轴周围,该第三盘绕的超导体带包括:
超导体层;以及
导电层,其具有形成第三盘绕的超导体带的内表面的表面,该第三盘绕的超导体带的内表面面对第三盘绕的超导体带的线圈轴;以及
第四盘绕的超导体带,其盘绕在线圈轴周围,该第四盘绕的超导体带包括:
超导体层;以及
导电层,其具有形成第四盘绕的超导体带的外表面的表面,该第四盘绕的超导体带的外表面背对第四盘绕的超导体带的线圈轴,
其中,设置第三和第四盘绕的超导体带,使得该第三超导体带的内表面和第四超导体带的外表面相邻。
56.如权利要求55所述的超导磁线圈,其中该第三超导体带的线圈轴和第四超导体带的线圈轴相同。
57.如权利要求55所述的超导磁线圈,其中该第三和第四超导体带盘绕在彼此周围。
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