CN1581417A - 图像显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种图像显示装置，备有：配置了具有电子发射元件的电子源(1012)的第一基板(1011)；照射电子形成显示图像的第二基板(1117)；以及配置在第一基板和第二基板之间的隔板(20)，将加速电压加在上述第一及第二基板之间，由绝缘性基板和覆盖该基板的电阻膜构成隔板，关于受电子照射的隔板的电阻膜，降低电子进入少的电阻膜深部处的电阻。因此，即使长时间地进行图像显示驱动，隔板的电阻膜受电子照射，在电阻膜表面附近电阻发生了变化，但利用呈低电阻的电阻膜深部，电阻膜总体的电阻值能维持为所希望的电阻值，能抑制隔板电阻膜的电阻值变化、以及由电位分布变化引起的电子轨道变化及由此引起的图像显示的晃动。

Description

图像显示装置
技术领域
本发明涉及图像显示装置，涉及适用于使用电子发射元件的图像显示装置的隔板。
背景技术
在使用电子发射元件的图像显示装置中，厚度薄的平面型图像显示装置由于节省空间且重量轻，所以作为置换布朗管型显示装置的装置引人注目。图9是表示平面型的图像显示装置的显示面板部的一例的斜视图，为了表示内部结构，将面板的一部分切掉后示出。
图中，3115是背面板，3116是侧壁，3117是正面板，由背面板3115、侧壁3116及正面板3117形成使显示面板的内部维持真空用的外围器(气密容器)。
基板3111被固定在背面板3115上，而在该基板3111上形成N×M个冷阴极元件3112(N、M为大于等于2的正整数，根据作为目的的显示像素数，适当地设定。)另外，N×M个冷阴极元件3112示于图9中，布置了M条行方向的布线3113和N条列方向的布线3114。将由这些基板3111、冷阴极元件3112、行方向布线(上布线)3113及列方向布线(下布线)3114构成的部分称为多电子束源。另外，在行方向布线3113和列方向布线3114的至少交叉的部分、且在两布线之间形成绝缘层(图中未示出)，保持电绝缘。
在正面板3117的下面，形成由荧光体构成的荧光膜3118，分别涂敷红(R)、绿(G)、蓝(B)三原色的荧光体(图中未示出)。另外，在构成荧光膜3118的上述各色荧光体之间设有黑色体(图中未示出)，且在荧光膜3118的背面板3115一侧的面上，形成由Al等构成的金属背3119。
Dx1～Dxm、Dy1～Dyn及Hv是为了导电性地连接该显示面板和图中未示出的电路而设置的气密结构的导电性连接用端子。Dx1～Dxm与多电子束源的行方向布线3113导电性连接，Dy1～Dyn与多电子束源的列方向布线3114导电性连接，Hv与金属背3119导电性连接。
另外，上述气密容器内部保持3×10-4Pa左右的真空，随着图像显示装置的显示面积的增大，必须有防止由气密容器内部和外部的气压差引起的背面板3115及正面板3117的变形或破坏的方法。将背面板3115及正面板3117加厚的方法不仅会增加图像显示装置的重量，而且从斜向看时，会发生图像歪斜或视差。与此不同，在图9中设有由比较薄的玻璃板构成的支撑大气压用的结构支撑体(称为隔板或肋)3120。这样一来，形成了多电子束源的基板3111和形成了荧光膜3118的正面板3117之间通常保持亚毫米至数毫米的距离，如上所述，气密容器内部保持高真空。
以上说明的使用显示面板的图像显示装置一旦通过容器外端子Dx1～Dxm、Dy1～Dyn，将电压加在各冷阴极元件3112上，便从各冷阴极元件3112发射电子。与此同时，通过容器外端子Hv，将数百V至数kV的高压加在金属背3119上，加速上述被发射的电子，碰撞到正面板3117的内表面上。因此构成荧光膜3118的各色荧光体被激励而发光，显示图像。
可是，在隔板附近经常存在歪斜地显示图像的问题。由于从隔板3120附近发射的电子的一部分碰到隔板3120上，或者由于因发射电子的作用而离子化了的离子附着在隔板上，所以有可能引起隔板带电。由于该隔板带电，所以从冷阴极元件3112发射的电子因其轨道弯曲，而到达荧光体上的与正规的位置不同的地方，致使隔板附近的图像发生歪斜。为了解决该问题，美国专利第5,760,538号公报中公开了一种在隔板表面上形成电阻膜，流过微小电流来消除带电的方法。虽然该带电的详细原因尚不明确，但可以考虑接近隔板的电子发射元件产生的反射电子、隔板表面的二次电子发射等，特开2000-311632号公报中提出了改进方法。
发明内容
在图像显示装置的显示面板中，即使在隔板表面上形成电阻膜，消除带电，但如果长时间地显示图像，则有时也会观察到隔板附近的图像晃动的现象。
本发明的目的在于提供一种即使长时间显示，隔板附近也不会发生图像晃动的有隔板的图像显示装置。
另外，本发明的目的在于提供一种即使被电子照射，也能抑制电阻变化的有隔板的图像显示装置。
本发明是一种图像显示装置，备有：配置了具有电子发射元件的电子源的第一基板；配置了被从上述电子源发射的电子照射的被照射体的第二基板；以及配置在上述第一基板和上述第二基板之间的、具有绝缘性基板和覆盖上述绝缘性基板的厚度为d的电阻膜的隔板，将加速电压加在上述第一及第二基板之间，使从上述电子源发射的电子照射到上述被照射体上，该图像显示装置的特征在于：
上述隔板的电阻膜中，从上述绝缘性基体表面算起到厚度为(d-αλ)为止的区域的表面电阻Rs1(Ω/□)比从膜表面算起到厚度为αλ为止的区域的表面电阻Rs2(Ω/□)小，其中，λ是在上述加速电压作用下电子进入上述电阻膜的深度，(d-αλ)＞0，α大于等于0.1。
附图说明
图1是本发明的一种实施方式的图像显示装置的斜视图。
图2是举例示出的作为本发明的实施方式的正面板上的荧光体排列方法的平面图。
图3是作为本发明的实施方式的隔板的斜视图。
图4A及4B是表示作为本发明的实施方式的电阻膜的射束移动量的特性的图。
图5是表示作为本发明的实施方式的电阻膜的射束移动量的特性的图。
图6是对作为本发明的实施方式的电阻膜进行刻蚀的方法的说明图。
图7是表示对作为本发明的实施方式的电阻膜进行刻蚀时的电气特性的图。
图8是表示作为本发明的实施方式的电阻膜具有电阻分布时的电气特性的图。
图9是表示将现有的图像显示装置的显示面板切掉一部分示出的斜视图。
具体实施方式
图像显示装置中用的隔板的表面在图像显示时暴露在电子之下。因此，即使使用绝缘性基板的表面被电阻膜覆盖着的隔板，长时间显示图像也会随时间的推移而变化，隔板附近的显示图像晃动。虽然由于加速电压等显示面板的驱动条件或面板结构的不同，显示图像的晃动程度多少有些差异，但进行了种种研究的结果，本发明者认为该长时间显示引起的图像晃动的变化是由电阻膜的电阻分布变化引起的。隔板的电阻分布的变化变成图像显示装置工作时隔板附近的电位分布变化。因此发射电子的轨道变化，变成显示图像晃动。
根据上述观点进行了研究的结果，本发明者找到了一种从背面板到达正面板的电阻膜的电阻即使受到电子照射，其变化也非常小，对电子轨道没有影响的隔板的结构。
例如受电子照射，电阻膜的电阻即使变化，如果进入电阻膜的电子少，则能抑制该变化。如果进入电子少的膜区域的电阻规定总体的膜电阻，则即使受电子照射，电阻膜的电阻分布一点都不变。即受电子照射的膜表面附近的电阻即使随时间的推移而变化，但由于表面以下深部的膜区域进入的电子少，电阻几乎不变化，所以如果深部的膜区域的电阻变得比表层低，则电阻膜的电阻分布大致由该低电阻区域规定。因此，能抑制隔板的从背面板到正面板的膜电阻由于长时间显示而引起的变化，还能抑制隔板附近的图像晃动。
具体地说，本发明是一种图像显示装置，备有：配置了具有电子发射元件的电子源的第一基板；配置了被从上述电子源发射的电子照射的被照射体的第二基板；以及配置在上述第一基板和上述第二基板之间的、具有绝缘性基板和覆盖上述绝缘性基板的厚度为d的电阻膜的隔板，将加速电压加在上述第一及第二基板之间，使从上述电子源发射的电子照射到上述被照射体上，该图像显示装置的特征在于：
上述隔板的电阻膜从上述绝缘性基体表面到厚度为(d-αλ)的表面电阻Rs1(Ω/□)比从膜表面到厚度为αλ的表面电阻Rs2(Ω/□)小，其中，λ是在上述加速电压作用下电子进入上述电阻膜的深度，(d-αλ)＞0，α大于等于0.1。
另外，在上述本发明中，上述表面电阻Rs1和上述表面电阻Rs2最好满足2≤Rs2/Rs1≤100，而且107≤Rs1≤1014的关系。
另外，在本发明中，上述α最好大于等于0.5，上述α小于等于1.0特别好。
另外，在本发明中，上述表面电阻Rs1和上述表面电阻Rs2最好为10≤Rs2/Rs1≤100。
另外，在本发明中，从上述绝缘性基板表面到厚度为(d-αλ)的电阻膜的电阻温度系数最好小于等于3％。
另外，在本发明中，上述加速电压的范围最好从4kV到30kV。
另外，本发明的电子进入深度λ相当于用加速电压Hv加速了的电子垂直于固体表面入射时进入固体内部的深度，能用后面所述的实验方法求得。
另外，表面电阻Rs是用Rs＝ρ/d’表示的值(ρ是电阻率，d’是厚度)。一般说来膜的电阻值R用R＝ρ(L/(d’·W))＝Rs(L/W)表示(ρ是电阻率，d’是厚度，L是膜的长度，W是膜的宽度)。
如果采用本发明，则在图像显示装置中，能抑制长时间显示图像时隔板附近的图像晃动。另外，由于工作环境的不同，即使第一基板和第二基板上发生温差，也具有抑制隔板附近的图像晃动的效果。
以下参照附图说明本发明的优选方式。
图1是本发明的图像显示装置的显示面板斜视图。为了表示内部结构，将面板的一部分切掉后示出。图1中，1011是安装电子发射部的基板，1012是具有电子发射部的电子发射元件，1013是驱动电子发射元件用的行方向的布线，1014是列方向的布线，1015是背面板，1016是侧壁，1117是正面板，由这些背面板1015、侧壁1016、正面板1117形成使显示面板的内部维持真空用的气密容器。组装了气密容器后，为了使各构件的接合部保持足够的强度和气密性，需要进行封装，例如将玻璃料涂敷在接合部上，在大气中用400℃～500℃进行10分钟以上的烧结，能完成封装。上述气密容器的内部保持10-4Pa左右的真空，所以出于防止大气压或意外的冲击等造成气密容器的破损的目的，设有隔板20作为耐大气结构体。另外，1118是设置在正面板内的发光材料的荧光体，1119是金属背。
图3中示出了隔板20的例子。隔板20在由陶瓷或玻璃等绝缘性基体构成的绝缘性基板的表面上形成电阻膜。正面板1117和隔板20的材质、形状、配置方法、配置条数，要考虑外围器的形状及热膨胀系数等外围器受到的大气压、热等的情况来决定。隔板20的形状有十字形、L形、圆柱形、或电子线通过部有孔的形状等，不限于这里所示的平板形。即，作为构成电阻膜的基底的绝缘性基体，除了绝缘性基板以外，还能使用十字形、L形、圆柱形、或电子线通过部有孔的基板等。
绝缘性的隔板基板最好是具有与形成了电子发射元件的背面板1015、形成了荧光体的正面板1117大致相同的热膨胀特性的材料。另外，由于装置制作工序中有热工序且需要支撑大气压，所以适合采用玻璃、陶瓷等机械强度大、耐热性能好的材料。
隔板基板虽然是绝缘体，但即使有碱石灰玻璃那样的程度的电阻值的基板也没关系。基板的表面形状虽然可以是平滑的，但最好形成凹凸结构。本发明的实施例中使用的基板虽然是特开2000-311608号中说明的采用加热延伸法形成的凹凸形状，但不限于此。例如也可以是用喷砂法形成的随机形状或特开2000-311608号中说明的条纹形状，还可以是它们的复合形状。
作为凹凸的形成方法，能采用例如特开2000-311608号中说明的加热延伸法、磨削等喷砂、刻蚀、去除(lift-off)法等。另外，也能根据需要，用光学构图或机械掩模来控制形状。也可以在与将氧化硅或金属氧化物分散在粘合剂基体中的微粒分散型膜等电阻膜之间设置粗糙面层。
作为电阻膜，能利用金属氧化物、金属氮化物或碳化物，根据需要还能在氧化锡、氧化铬、氧化锗、或碳中加入金属等添加物，控制电阻用。可是，电阻膜不限定于这些材料，只要能调节电阻且稳定，就能使用。其中，最好是：过渡性金属或贵金属和陶瓷的复合体、Au-SiO2、Pt-SiO2、Cr-SiO2、Cr-Al2O3、In2O3-Al2O3、W-Ge-O等或过渡性金属和氮化物的复合体、W-Ge-N、W-Al-N、Cr-Al-N、Ti-Al-N、Ta-Al-N、Cr-B-N、Cr-Si-N等或碳、氮化碳等。
关于电阻膜的厚度方向的电阻的控制有种种方法。例如氮化铝添加钨，进行电阻调整，使添加量在0.1λ的厚度左右变化，能实现本发明的结构。也可以使添加量连续变化。
另外，电阻膜未必要用同一化合物构成，也可以是由不同的化合物构成的多层膜。另外，采用使基板中含有的离子向膜中进行热扩散、从膜的表面向膜中进行热扩散、由大气中的高温退火进行的膜表面的氧化等方法，从表面到基板界面连续地改变组成比的结构也有效。
作为电阻膜的制作方法，能采用现有的带电防止膜的制作方法。例如，能采用溅射法、真空蒸镀法、CVD法、印刷法、气体溶胶法、浸渍法等。这样制作的隔板20以适当的间隔和个数被配置在背面板1015和正面板1117之间，支撑大气压。
在正面板1117的下表面上形成荧光体1118。本实施方式是彩色显示装置，所以涂敷红、绿、蓝三原色的荧光体1118。各色荧光体1118涂敷成图2所示的条纹状，在荧光体1118的条纹之间设有黑色的导电体1010。三原色的涂敷方法不限于条纹状的排列，也可以是除此以外的排列。另外，在制作黑白显示面板的情况下，用单色的荧光体即可，而且不一定需要黑色导电材料。
另外，在荧光体1118的背面板一侧的面上设置金属背1119。在正面板1117上形成了荧光膜1118后，对荧光体表面进行平滑处理，在它上面通过真空蒸镀铝而形成了金属背1119。
如上所述，用玻璃料封装背面板1015和正面板1117，形成气密容器。充分地抽成真空后，封装排气管，制成显示面板。
通过容器外端子Dx1～Dxm、Dy1～Dyn，将电压加在各电子发射元件上，从电子发射元件发射电子。从容器外端子Hv将数kV以上的高电压加在金属背1119上。被发射的电子利用该电压加速，碰撞在正面板1117上。因此荧光体1118被激励而发光，显示图像。
用这样构成的图像显示装置，评价了隔板附近的图像晃动。这里所谓图像晃动，是指隔板20附近的电子发射元件的电子束照射在荧光体1118上时的亮点沿垂直于隔板20的方向上的位置变化而言。射束位置的变化大小也随着面板的几何形状的不同而变化，所以用相对于与隔板20垂直的方向上的元件间距的变化量进行归一化，评价了隔板附近的射束位置的变化。即，施加某一加速电压显示图像时，用元件间距对显示了距离隔板20最近的发光亮点后的位置和经过了3小时继续进行图像显示后的位置之间的距离进行了归一化，将该归一化了的数据作为射束移动量。移动量越大，显示图像的晃动也越大。按照主观图像质量评价法，评价了该亮点的移动量和图像质量的对应关系。其结果，作为虽然判断为劣化、但不致引起注意的程度的移动量大约为0.1L。
其次，说明本发明的电阻膜的特性。
图4A及图4B表示将膜作成这样的结构：使上层的表面电阻Rs2对下层的表面电阻Rs1之比为Rs2/Rs1＝2，使用形成了改变了上层的厚度的电阻膜的隔板20时显示了3小时前后的射束移动量的图。在下层的厚度、表面电阻都为一定的条件下，伴随上层厚度的变化，对上层膜的W添加量进行微调，使电阻比为Rs2/Rs1＝2。
用溅射法形成了W-GeN膜作为电阻膜。在氩和氮的混合气氛中，同时溅射Ge和W的靶，形成了氮化膜。通过改变W靶的电力，使上层和下层的电阻比一定，控制了电阻。用电子进入深度λ使上层的厚度归一化。
采用后面所述的测定方法，对应于这里形成的W-GeN膜的10kV的加速电压的电子进入深度λ为0.7微米。如图4A所示，Rs2层的厚度如果大于等于0.1λ，则该射束移动量大约小于等于0.1L。优选地Rs2的厚度大于等于0.5λ，更优选地Rs2的厚度小于等于1.0λ。由于大于等于1.0λ时特性几乎不变，所以从生产率方面来看，如果为1.0λ就足够了。这里虽然使用了W-GeN膜的电阻膜，但其效果不限定于该材料。图4B表示Cr-AlN膜的射束移动量和Rs2层的厚度的关系。在Ar及氮的混合气氛中对Al和Cr的靶进行溅射，形成Cr-AlN膜，对应于该10kV的加速电压的电子进入深度λ为1.5微米。这里也与W-GeN膜相同，Rs2层的厚度如果大于等于0.1λ，则射束移动量L变为小于等于0.1L。优选地大于等于0.5λ，另外如果厚度为1.0λ，则射束移动量饱和。
图5是表示不改变W-GeN膜的Rs2层的形成条件，即，使厚度和电阻一定(这里，厚度为相当于1.0λ)改变下层的表面电阻Rs1时的射束移动量的图。上层(电阻Rs2)和下层(电阻Rs1)的电阻比(Rs2/Rs1)从1变到100时，随着电阻比的增大，射束移动量急剧减小。可知如果Rs2/Rs1变为大约大于等于2，则射束移动量变为小于等于0.1行。因此，优选地，电阻比Rs2/Rs1为从1至100，更优选地电阻比Rs2/Rs1为从2至100。特别是作为生产上的稳定区域，电阻比Rs2/Rs1优选地从10至100。这里虽然也使用W-GeN膜，但其效果不限定于该材料。
另外，上述的效果不一定必须是两层结构才能获得。将电子进入深度λ作为基准，位于0.1λ表面侧的膜区域的表面电阻Rs1和位于隔板基板侧的膜区域的表面电阻Rs2之比为从1至100即可，不限定两层结构。即使电阻沿厚度方向连续变化，或者即使为多层膜结构，如果满足上述关系，就能获得同样的效果。
在隔板基板上形成上述的W-GeN膜时，使加在Ge靶上的功率一定，使加在W靶上的功率随着时间的推移而减小，形成电阻膜，也能获得同样的效果。如下调节这时的厚度方向的电阻分布。
首先，将隔板20切割成适当的大小，用金属掩模1119在电阻膜上形成金属电极膜(参照图6)，测量了这时电极之间的电导后，对电极之间的区域进行干刻蚀。其次测定干刻蚀后的膜的厚度，测定电极之间的电导。反复进行该操作，测定对应于刻蚀膜厚度的电极之间的电导。将该结果示于图7。图中，例如1.0E-12表示1.0×10-12。
电阻即使连续变化，如上所述即使是多层结构，如果Rs2和Rs1之比为2～100，也能获得同样的效果，用上述的方法能测定其电阻分布。
另外，由不引起热失控来决定隔板20的电阻膜的电阻值的下限。
在隔板20的电阻温度系数为正的情况下，与温度上升的同时电阻值增加，所以能抑制隔板20的发热。反之如果电阻温度系数为负，则隔板表面消费的功率引起的温度上升，使得电阻减少，另外发热而使温度继续上升，流过过大的电流，引起所谓的热失控。严格地说，由于隔板20与背面板1015和正面板1117的热接触等而受热失控的影响，但本发明者在各种结构和条件下进行了实验，如果电阻膜的每1cm2的功耗大约超过0.1W，则流过隔板20的电流增加，断定为热失控。作为每1cm2功耗不超过0.1W的表面电阻的值，最好大于等于107Ω。
另外，覆盖在隔板20上的电阻膜有必要使表面不带电，流过充分的电流，将电荷迅速地除去，这要由电阻值来决定。电阻膜表面的带电量依赖于来自电子源的发射电子和电阻膜的二次电子发射率，但如果表面电阻小于等于1014Ω，则大体上能对应于使用条件。为了获得充分的防止带电的效果，最好小于等于1013Ω/□。
本发明的电阻膜由于相对于电子进入深度λ来说，从绝缘性基板算起的(d-αλ)的区域担当其电流成分的大部分(d为电阻膜的厚度)，所以从绝缘性基板算起的厚度为(d-αλ)的膜区域的表面电阻Rs1最好为大于等于107Ω、小于等于1014Ω。
另外，隔板20的电阻膜的电阻温度系数也对射束移动量有影响。配置了隔板20的图像显示装置由于使用环境等的不同，在发生了正面板1117和背面板1015的温差的情况下，由于隔板20的电阻膜具有温度依赖性，所以由于温差原因，电阻膜的电阻在正面板一侧和背面板一侧发生不同的现象。由于它影响电子轨道，所以会使射束变化。在本发明的电阻膜的情况下，从正面板1117到背面板1015的加速电压的电位梯度受从绝缘性基板算起的厚度为(d-αλ)的区域支配，所以该区域的电阻温度系数很重要。本发明者研究了正面板1117和背面板1015的温差、以及其射束移动量和电阻膜的电阻温度特性的关系，其结果，通过实验确认了在通常的使用环境中，正面板1117和背面板1015的温差大体上在15℃以内，这时的射束移动量为0.1L的电阻膜的电阻温度系数在3％以内。本发明的电阻膜从绝缘性基板算起的厚度为(d-αλ)膜区域的电阻温度系数最好小于等于3％。
另外，根据用能量分散型X射线分析装置如下测定的值，求得了电阻膜的电子进入深度λ。首先，在包含电阻膜的构成元素以外的元素的平滑基板上，形成了厚度已知的电阻膜。用各种加速电压使电子射线垂直地照射在该膜表面上。如果电子枪的加速电压大，则电子穿过膜，到达形成膜的基板(基底)，不仅发生构成膜的元素的特性X射线，而且发生构成基板的元素的特性X射线。如果加速电压低，则构成基板的元素的特性X射线信号的强度也变弱。用能量分散型X射线分析装置，求构成基板的元素的信号不能检测的加速电压，如果求得减去了构成基板的元素的最低激励电压，则膜的厚度就成为电子对应于该电压值的进入深度λ。
为了提高λ的测定精度，最好基底中尽可能地含有激励电压最低的元素。
另外，如下求得对应于各电压的λ。在氧化铝基板上形成厚度不同的W-GeN膜，作为电阻膜。对各个膜从膜表面照射电子，求得了基底中包含的铝元素的信号不能检测的加速电压。标绘出从各个加速电压减去了铝的最低激励电压后的电压及该膜的厚度、即电子进入深度λ，代入下式。
λ＝kEn(E：从加速电压(一次电子的入射能量)减去了激励电压后的值，k、n：常数)
通过从实验结果求上式中的常数k、n，能求出对应于该材料的加速电压的λ。
上述的方法是预先准备厚度不同的试样，求λ的方法，但即使没有厚度不同的试样，通过对膜进行刻蚀，同样能求λ。另外基板和膜有共同的元素，在不适合测定等的情况下，通过在膜表面上蒸镀适合于适当的测定的材料等，敷层后粘接玻璃板等，如果将原来的基板(隔板基板)刻蚀除去，同样能求λ。
其次，说明本发明的实施例。
用图1所示的显示面板，评价了隔板20的特性。将10kV加在高压端子Hv上。所使用的隔板基板如图3所示，采用形状为高度H＝3mm、厚度D＝0.2mm、长度L＝40mm的高畸变点的玻璃。表面上形成凹凸形状，其间距为30微米，深度为10微米。
在这样的玻璃板上形成下面的表1所示的氧化物及氮化物，进行了评价。构成用Rs1和Rs2改变各种形成条件的两层结构。溅射时的形成条件是气体压力为0.5～3Pa进行的。用W和GeO2靶，在Ar+O2气氛中同时进行溅射，形成了W-GeO膜。Pt-SiO膜是使用Pt和SiO靶，在Ar+O2气氛中同时溅射的。Cr-AlN膜是使用Cr和Al靶，在Ar+N2气氛中同时溅射的。另外，Al-SnO膜是将添加了Al的SnO2微粒分散在有机溶剂中，将基板浸渍后，在大气中用400℃进行退火，作为下层(表面电阻Rs1)。在它上面与上述同样地形成了W-GeO膜作为上层(表面电阻Rs2)。用等离子体分解C2H2+N2气体，在基板上形成了C-N膜。这时将基板加热到250℃。另外，使电阻变化(表面电阻变化)时电阻膜的材料组成比的变化微小，另外对应于组成比的变化，电子进入深度λ的变化少(例如，使W/Ge之比为5倍，电子进入深度λ只不过增加约5％)。就是说即使改变电阻膜的材料的组成比，使表面电阻变化，电子进入深度λ也只在能忽视的范围内变化，为了调整电阻，能适当地设定电阻膜的材料的组成比。
这些膜的10kV时的电子进入深度λ如下。示出了表1中的Rs2层的厚度从表面开始至0.1λ的深度。
    材料 电子进入深度(λ)
  W-GeO膜Pt-SiO膜Cr-AlN膜C-N膜     0.8微米0.7微米1.5微米1.8微米
表1
   材料    Rs1(Ω)    Rs1厚(μm)     Rs2(Ω)    Rs2厚(μm)    Rs2/Rs1   移动量(L) 形成方法
  WGeO  5.00E+10     0.5     5.5E+11     0.08     11     0.06 溅射
  WGeO  4.00E+12     0.5     3.72E+14     0.08     93     0.03 溅射
  AlSnO  4.00E+07     0.05 浸渍
  WGeO     8.8E+08     0.08     22     0.05 溅射
  Pt-SiO  7.00E+09     0.1     2.45E+11     0.07     35     0.04 溅射
  Pt-SiO  5.00E+11     0.5     4.35E+13     0.07     87     0.03 溅射
  Cr-AlN  5.00E+13     0.1     3.4E+15     0.15     68     0.04 溅射
  Cr-AlN  1.00E+14     0.5     9E+14     0.15     9     0.06 溅射
  C-N  3.00E+12     0.5     9.6E+13     0.18     32     0.02 CVD
  比较例
  WGeO  5.00E+10     0.5 溅射
  Pt-SiO  5.00E+11     0.5 溅射
如上所示，实施例中的所有的电阻膜的射束移动量都小于等于0.1L。
在与实施例1同样的隔板基板上，通过溅射形成了W-GeN膜。用W和Ge靶，在Ar+N2气氛中同时进行溅射，使W的接通功率随时间变化，控制电阻的变化。制成的膜的厚度为0.6微米，电阻膜的总体表面电阻为8.3×1011Ω。如上所述进行干刻蚀，测定各点的电导率，求得了电阻分布。图8中示出了刻蚀后求得的从表层算起的深度的电导率。对这样分布的W-GeN膜，改变加速电压(改变电子进入深度λ)，与实施例1同样地评价了射束移动量。其结果如下所示。
 加速电压(kV)  电子进入深度(微米)     Rs1(Ω)   Rs2/Rs1  射束移动量
    13192429     1.02.03.04.0   8.5×10119.1×10111.0×10121.3×1012     471142     0.03L0.03L0.07L0.09L
在任何电阻膜中，用电子进入深度归一化了的电阻比如果为2＜Rs2/Rs1＜100，则射束移动量小于等于0.1L。
Rs2层的厚度为0.1λ。10kV时Rs2的厚度为10kV的λ(1微米)×0.1＝0.1微米。
在与实施例1同样的隔板基板上，改变形成条件，通过溅射W-GeN膜，形成了电阻膜。是在Ar+N2气氛的压力为0.5～3.0Pa、N2分压为10～60％的范围内形成的。W-GeN膜的电阻温度系数为负值，该室温附近的电阻温度系数小于等于6％，利用形成条件进行了变化。从显示面板的正面板一侧，用橡胶加热器进行加热，发生了正面板1117和背面板1015的温差。以下示出了由这时的温差产生的射束移动的结果。加速电压为10kV。
 试样编号  电阻温度系数   Rs1(Ω)    Rs2/Rs1  温差(℃)  射束移动量
    123(比较例)45     1.6％2.5％2.8％3.3％4.7％   5×1078×10127×10132×10133×1013     562312814     1515151515     0.06L0.08L0.09L0.13L0.20L
如以上的结果所示，如果从绝缘基板算起厚度为(d-0.1λ)的膜区域的电阻温度系数在3％以内，则能将射束变化量抑制在0.1L以内。
本发明能用于要求即使长时间进行显示，隔板附近也不会发生图像晃动的图像显示装置。

Claims (7)

1、一种图像显示装置，备有：配置了具有电子发射元件的电子源的第一基板；配置了被从上述电子源发射的电子照射的被照射体的第二基板；以及配置在上述第一基板和上述第二基板之间的、具有绝缘性基板和覆盖上述绝缘性基板的厚度为d的电阻膜的隔板，将加速电压加在上述第一及第二基板之间，使从上述电子源发射的电子照射到上述被照射体上，该图像显示装置的特征在于：
上述隔板的电阻膜中，从上述绝缘性基体表面算起到厚度为(d-αλ)为止的区域的表面电阻Rs1(Ω/□)比从膜表面算起到厚度为αλ为止的区域的表面电阻Rs2(Ω/□)小，其中，λ是在上述加速电压作用下电子进入上述电阻膜的深度，(d-αλ)＞0，α大于等于0.1。
2、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述表面电阻Rs1和上述表面电阻Rs2满足2≤Rs2/Rs1≤100，且107≤Rs1≤1014的关系。
3、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述α大于等于0.5。
4、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述α小于等于1.0。
5、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述表面电阻Rs1和上述表面电阻Rs2满足10≤Rs2/Rs1≤100。
6、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：从上述绝缘性基板表面算起到厚度为(d-αλ)为止的区域的电阻膜的电阻温度系数小于等于3％。
7、根据权利要求1所述的图像显示装置，其特征在于：上述加速电压的范围为从4kV到30kV。
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