CN1553517A - 薄膜晶体管及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种薄膜晶体管的有效层包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域。一闸极绝缘层是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是覆盖该间隔区域。一闸极层是覆盖该闸极绝缘层的中央区域且暴露该遮蔽区域。

Description

薄膜晶体管及其制造方法

技术领域

本发明是有关于一种薄膜晶体管技术，特别有关于一种具有自行对准的间隔区域(self-aligned offset region)的多晶硅薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

液晶显示器(liquid crystal display，以下简称LCD)的薄膜晶体管(thin film transistor，TFT)是用来作为画素的开关组件，一般可区分成非晶硅TFT与多晶硅TFT两种型式。由于多晶硅TFT的载子迁移率较高、驱动电路的积集度较佳、漏电流较小，故多晶硅TFT较常应用在高操作速度的电路中。但是，对于当作LCD的开关组件的多晶硅TFT而言，源极与汲极的电压差会于邻近汲极的空乏区内发生明显降低的情形，进而于此空乏区内产生一大的电场。因此，材料缺陷以及穿遂效应所产生的能隙，极易使汲极区域内的电子极与空乏区的电洞结合，则于多晶硅TFT的关闭状态下易发生漏电流(leakage current)的问题，如此将会导致LCD损失电荷。为了解决上述问题，目前技术是于闸极与汲极之间制作一未掺杂的间隔区域(undoped offset region)，用来降低汲极接面处(drain junction)的电场，可以有效改善漏电流的现象。

如图1与图2，其显示习知多晶硅TFT的间隔区域的制作方法的剖面示意图。

如图1所示，一透明绝缘基底10的预定区域上制作有一多晶硅层12，且一闸极绝缘层14覆盖多晶硅层12上之。以制作PMOS的多晶硅TFT为例，首先于闸极绝缘层14上定义形成一光阻层16，然后利用光阻层16作为罩幕以进行一重掺杂离子布植制程17，以于光阻层16周围的多晶硅层12内形成一N⁺掺杂区域18，用以当作一源/汲极区域。如图2所示，将光阻层16去除之后，进行金属材料的沉积、微影与蚀刻制程，以于闸极绝缘层14上定义形成一闸极层20。由于闸极层20仅覆盖多晶硅层12的中央区域12a，因此暴露于闸极层20两侧的未掺杂区域12b是成为一间隔区域12b。

然而，上述方法需要借由光阻层16的图形来定义源/汲极区域的图案，并需要借由闸极层20的图形来定义间隔区域12b的图案，因此不易精确控制间隔区域12b的长度、位置与对称性。而且，受限于曝光技术的对准误差(photo misalignment)，不易于控制闸极层20的位置偏移量，间隔区域12b的位置偏移的问题会更加严重。甚且，上述方法的制程复杂、产品生产速率低，亦不易控制间隔区域12b的横向长度，均会影响多晶硅TFT的微缩率、电性表现及可靠度。

发明内容

本发明的主要目的在于提出一种具有自行对准间隔区域的多晶硅TFT，利用闸极绝缘层的暴露于闸极层两侧的遮蔽区域的横向长度作为离子布植制程的罩幕，则可自行对准地达成间隔区域以及源/汲极区域的制作，以解决习知技术的问题。

为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管，包括一基底；一有效层，是形成于该基底之上，包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域；一闸极绝缘层，是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，其中该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该中央区域的外围且覆盖该间隔区域；以及一闸极层是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该中央区域且暴露该遮蔽区域，且该闸极绝缘层的遮蔽区域的横向长度为0.1μm-1.0μm。

为达成上述目的，本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：提供一基底；形成一有效层于该基底之上；形成一闸极绝缘层于该有效层之上，其中该闸极绝缘层上定义至少有一中央区域以及一遮蔽区域，且该遮蔽区域是位于该中央区域的外围区域；形成一闸极层于该闸极绝缘层之上；进行蚀刻制程，以使该闸极层覆盖该闸极绝缘层的中央区域，并使该闸极层暴露该闸极绝缘层的遮蔽区域，其中该闸极绝缘层的遮蔽区域的横向长度为0.1μm-1.0μm；以及进行离子布植制程，于未被该遮蔽区域以及该闸极层覆盖的有效层中形成一掺杂区域，其掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。如此一来，被该遮蔽区域覆盖的该有效层是成为一间隔区域，其掺杂浓度小于1×10¹²atom/cm²。

附图说明

图1与图2是显示习知一种多晶硅TFT的间隔区域的制作方法的剖面示意图；

图3是显示本发明第一实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的剖面示意图；

图4A至图4C是显示本发明第二实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的剖面示意图；

图5A至图5F是显示本发明第三实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图；

图6A至图6D是显示本发明第四实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图；

图7A至图7D是显示本发明第五实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图。

符号说明：

透明绝缘基底-10

多晶硅层-12

中央区域-12a

间隔区域-12b

闸极绝缘层-14

光阻层-16

重掺杂离子布植制程-17

N⁺掺杂区域-18

闸极层-20

基底-50

缓冲层-52

有效层-54

源/汲极区域-54a

间隔区域-54b

信道区域-54c

闸极绝缘层-56

第一绝缘层-55

第二绝缘层-57

中央区域-56a

遮蔽区域-56b

延伸区域-56c

闸极层-58

图案化光阻层-60

离子布植制程-62

内连线介电层-64

接触洞-65

内连线-66

具体实施方式

为了让本发明的上述和其它目的、特征、和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：

第一实施例：

如图3所示，其显示本发明第一实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的剖面示意图。一基底50的上依序制作有一缓冲层52、一有效层54、一闸极绝缘层56以及一闸极层58。基底50较佳为一透明绝缘基底，例如：玻璃基底。缓冲层52较佳为一介电材料层，例如：氧化硅层，其目的为帮助有效层54形成于基底50上。有效层54较佳为一半导体硅层，例如：多晶硅层。闸极绝缘层56较佳为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合的堆栈层。闸极层58较佳为一导电材料层，例如：金属层、多晶硅层。

以下详述本发明第一实施例的薄膜晶体管的结构特征。闸极绝缘层56包含有一个中央区域56a以及两个遮蔽区域56b，中央区域56a是被闸极层58的底部覆盖，而遮蔽区域56b是暴露于闸极层58的底部的两侧。有效层54包含有一个信道区域54c、两个间隔区域(offsetregion)54b以及两个源/汲极区域54a，信道区域54c是被闸极层58的底部覆盖且相对应于中央区域56a的位置，间隔区域54b是被遮蔽区域56b覆盖且位于信道区域54c的两侧，而源/汲极区域54a是暴露于遮蔽区域56b的两侧且位于间隔区域54b的两侧。

依据上述，借由调整闸极层58制程的黄光与蚀刻制程的条件参数可以控制遮蔽区域56b的横向长度W，则后续可利用遮蔽区域56b作为离子布植制程的罩幕，并搭配调整离子布植制程的布植能量与剂量，则经由一次的离子布植制程完成源/汲极区域54a，便可于有效层54的信道区域54c与源/汲极区域54a之间定义成为该间隔区域54b制作。较佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-1.0μm，布植能量为10-100keV，布植剂量小于2×10¹⁸atom/cm³。更佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-0.8μm，布植剂量小于1×10¹³atom/cm³。

理论上来说，利用遮蔽区域56b作为离子布植制程的罩幕，间隔区域54b应与信道区域54c同属于一未掺杂区。但实际上来说，源/汲极区域54a的布植离子仍有可能扩散至间隔区域54b内，因此间隔区域54b的掺杂浓度的较佳为小于1×10¹²atom/cm²，源/汲极区域54a的掺杂浓度的较佳为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。

本发明第一实施例的薄膜晶体管具有以下优点：

第一，借由调整闸极层58的蚀刻条件便可控制闸极绝缘层56的遮蔽区域56b的横向长度W，进而可使用遮蔽区域56b作为间隔区域54b的离子布植制程的罩幕，因此本发明的间隔区域54b的位置精确，可达到薄膜晶体管的电性需求。

第二，不需额外的光罩来定义间隔区域54b的图案，可避免曝光技术的对准误差(photo misalignment)对间隔区域造成位置偏移的问题，故可精确控制间隔区域54b的位置，进而确保薄膜晶体管的电性表现。

第三，可减少使用一次光罩，故具有简化制程步骤、降低制程成本等优点，进而可提高产品良率、增加生产速度，以符合大量生产的需求。

此外，本发明第一实施例的薄膜晶体管可应用于一P型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一N⁺掺杂区域。本发明第一实施例的薄膜晶体管可应用于一N型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一P⁺掺杂区域。本发明不限制闸极绝缘层56的厚度，较佳可为200-10000。本发明不限制闸极层58的轮廓，较佳可为一方型或一上窄下宽的梯形。

第二实施例：

如图4A至图4C所示，其显示本发明第二实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的剖面示意图。第二实施例的薄膜晶体管的组件与结构特征大致与第一实施例所述相同，相同之处不再重复撰述。不同之处在于，闸极绝缘层56包含有一个中央区域56a、两个遮蔽区域56b以及两个延伸区域56c。其中，延伸区域56c是为遮蔽区域56b的延伸部，乃暴露于闸极层58的底部的两侧，且延伸覆盖至源/汲极区域54a。其特征为，延伸区域56c的厚度远小于遮蔽区域56b的厚度，不会影响到间隔区域54b以及源/汲极区域54a的制作。

依据上述，借由调整闸极层58制程的黄光与蚀刻制程的条件参数可以控制遮蔽区域56b的横向长度W，则可利用遮蔽区域56b作为离子布植制程的遮蔽层56b，并搭配调整离子布植制程的布植能量与剂量，则经由一次的离子布植制程便可同时完成间隔区域54b以及源/汲极区域54a的制作。较佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-1.0μm，布植能量为10-100keV，布植剂量小于2×10¹⁸atom/cm³，间隔区域54b的掺杂浓度小于1×10¹²atom/cm²，源/汲极区域54a的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。更佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-0.8μm，布植剂量小于1×10¹³atom/cm³。因此，本发明第二实施例的薄膜晶体管仍可达成第一实施例所述的优点，于此不再重复撰述。

相较之下，图4A所示的闸极绝缘层56的遮蔽区域56b以及延伸区域56c是由同一层材质所构成，图4B至图4C所示的闸极绝缘层56的遮蔽区域56b以及延伸区域56c是由一第一绝缘层55以及一第二绝缘层57所构成。其中，第一绝缘层55较佳为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合，第二绝缘层57较佳为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合。

如图4B与图4C所示，位于中央区域56a内，第一绝缘层55与第二绝缘层57的双层结构是覆盖信道区域54c；位于遮蔽区域56b内，第一绝缘层55与第二绝缘层57的双层结构是覆盖间隔区域54b且暴露于闸极层58的两侧；位于延伸区域56c内，第一绝缘层55是覆盖源/汲极区域54a。相较之下，图4B所示的延伸区域56c的制作是将第二绝缘层57的蚀刻停止于第一绝缘层55之上，图4C所示的延伸区域56c的制作是过度蚀刻第一绝缘层55。除此之外，闸极绝缘层56亦可以采用三层或三层以上的绝缘层堆栈效果，以达成遮蔽区域56b与延伸区域56c的厚度差异的效果。

第三实施例：

如图5A至图5F所示，其显示本发明第三实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图。

本发明薄膜晶体管的制造方法可应用于前述的第一实施例与第二实施例中，且可应用于一P型薄膜晶体管或一N型薄膜晶体管。以下是以第一实施例的薄膜晶体管为例，详细说明薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法。

首先，如图5A所示，提供一基底50，并于基底50之上沉积一缓冲层52，再于缓冲层54之上制作一有效层54。基底50较佳为一透明绝缘基底，例如：玻璃基底。缓冲层52较佳为一介电材料层，例如：氧化硅层，其目的为帮助有效层54形成于基底50上。有效层54较佳为一半导体硅层，例如：多晶硅层。本发明不限制有效层54的厚度及其制造方法，举例来说，有效层54的制作可采用低温多晶硅(low temperaturepolycrystalline silicon，LTPS)制程，先于玻璃基板上形成一非晶质硅层，然后利用热处理或准分子雷射退火(excimer laser annealing，ELA)的方式将非晶硅层转换成多晶硅材质。

然后，如图5B所示，依序于有效层54之上沉积一闸极绝缘层56以及一闸极层58，再于闸极层58之上形成一图案化光阻层60。闸极绝缘层56较佳为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合的堆栈层。闸极层58较佳为一导电材料层，例如：金属层、多晶硅层。图案化光阻层60的尺寸与位置是相对应于后续形成闸极层58的图案。

后续，如图5C所示，利用图案化光阻层60作为罩幕以进行一蚀刻制程，将图案化光阻层60区域以外的闸极层58与闸极绝缘层56去除，以定义闸极层58的图案。较佳为，使用电浆蚀刻(plasma etching)或反应性离子蚀刻方法，且此步骤可依据产品的需求选择闸极绝缘层56的蚀刻程度，例如：欲达成第一实施例的结构，可完全去除闸极层58图案以外的闸极绝缘层56，以暴露有效层54的预定源/汲极区域。

接着，如图5D所示，将闸极层58的轮廓制作成为一上窄下宽的梯形，可使闸极层58的底部仅覆盖闸极绝缘层56的中央区域56a，则使闸极绝缘层56的遮蔽区域56b暴露于闸极层58的底部两侧。而且，此步骤亦可依据产品的需求选择闸极绝缘层56的蚀刻程度，例如：欲达成第一实施例的结构，可完全去除遮蔽区域56b以外的闸极绝缘层56，以暴露有效层54的预定源/汲极区域。较佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-1.0μm；更佳为，遮蔽区域56b的横向长度W为0.1μm-0.8μm。

举例来说，蚀刻制程的反应气体使用一具有含氧气体及含氯气体的混合气体，可依据需要适时调整个别气体的流量。于闸极层58的蚀刻过程中，可将含氧气体的流量逐渐调整至极大，甚至是仅使用含氧气体作为蚀刻反应气体，可以将闸极层58的轮廓制作成为一上窄下宽的梯形。于闸极绝缘层56的蚀刻过程中，可将含氧气体的流量调整至极小，甚至是仅使用含氧气体作为蚀刻反应气体。除此之外，此步骤更可取代图5C所示的蚀刻步骤，以减少制程时间与制程成本。

尔后，如图5E所示，将图案化光阻层60去除之后，利用闸极层5 8以及遮蔽区域56b作为罩幕以进行一离子布植制程62。如此一来，被遮蔽区域56b覆盖的有效层54是成为一未掺杂区域，用以当作一间隔区域54b；未被闸极层58以及遮蔽区域56b覆盖的有效层54是成为一重掺杂区域，用以当作一源汲极区域54a；至于被闸极层以及中央区域56a覆盖的有效层54是为一未掺杂区域，用以当作一信道区域54c。

理论上来说，间隔区域54b应与信道区域54c同属于一未掺杂区。但实际上来说，源/汲极区域54a的布植离子仍有可能扩散至间隔区域54b内，因此间隔区域54b的掺杂浓度的较佳为小于1×10¹²atom/cm²，源/汲极区域54a的掺杂浓度的较佳为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。

离子布植制程62的操作条件较佳为，布植能量为10-100keV，布植剂量小于2×10¹⁸atom/cm³。更佳为，布植剂量小于1×10¹³atom/cm³。本发明方法可应用于一P型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一N⁺掺杂区域。本发明方法亦可应用于一N型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一P⁺掺杂区域。

最后，如图5F所示，进行内连线制程，包含有一内连线介电层64、复数个接触洞65以及复数个内连线66的制作，此步骤的实施方式不会实质影响本发明的特征与功效，故不详加撰述。

因此，本发明第三实施例的薄膜晶体管的制造方法具有以下优点：

第一，借由调整蚀刻条件便可控制闸极绝缘层56的遮蔽区域56b的横向长度W，因此能精确控制间隔区域54b的位置，以符合薄膜晶体管的电性需求。

第二，不需额外的光罩来定义间隔区域54b的图案，故可避免曝光技术的对准误差(photo misalignment)对间隔区域造成位置偏移的问题，故可精确控制间隔区域54b的位置，进而确保薄膜晶体管的电性表现。

第三，减少使用一次光罩，故具有简化制程步骤、降低制程成本等优点，进而可提高产品良率、增加生产速度，以符合大量生产的需求。

第四，本发明方法可同时对NMOS区域与PMOS区域进行不同程度的掺杂以调整其组件特性，以简化制程、提高产品良率、增加生产速度。

第四实施例：

如图6A至图6D所示，其显示本发明第四实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图。

第三实施例的制造方法是应用于第一实施例的图3所述的结构，而第四实施例的制造方法是应用于第二实施例的图4A所述的结构，因此第四实施例的实施步骤大致与第三实施例所述相同，相同之处不再重复撰述。不同之一处在于，前述图5C的蚀刻制程，可依据产品的需求选择闸极绝缘层56的蚀刻程度，例如：可调整蚀刻制程参数以保留闸极层58图案以外的闸极绝缘层56，则可形成一延伸区域56c以覆盖有效层54的预定源/汲极区域，结果如图6B所示。不同的另一处在于，前述图5D的蚀刻制程，可依据产品的需求选择闸极绝缘层56的蚀刻程度，例如：可调整蚀刻制程参数以保留闸极层58图案以外的闸极绝缘层56，则可形成一延伸区域56c以覆盖有效层54的预定源/汲极区域，结果如图6C所示。

其特征为，延伸区域56c的厚度远小于遮蔽区域56b的厚度，不会影响到间隔区域54b以及源/汲极区域54a的制作。后续进行离子布植制程之后，便可完成第二实施例(图4A)所述的薄膜晶体管结构。而且，本发明第四实施例的制造方法也具有相同于第三实施例所述的优点，于此不再重复撰述。

第五实施例：

如图7A至图7D所示，其显示本发明第五实施例的薄膜晶体管的自行对准间隔区域的制造方法的剖面示意图。

第五实施例的制造方法是应用于第二实施例的图4B、图4C所述的结构，其实施步骤大致与前述相同，相同组件的材料与特性于此不再重复撰述。首先，如图7A所示，提供一基底50，并于依序于基底50之上形成一缓冲层52、一有效层54、一第一绝缘层55、一第二绝缘层57、一闸极层58以及一图案化光阻层60。第一绝缘层55较佳为一氧化硅层、一氮化硅层或一氮氧化硅层，第二绝缘层57较佳为一氧化硅层、一氮化硅层或一氮氧化硅层。本发明第五实施例的特征为，第一绝缘层55以及第二绝缘层57的组合是作为一闸极绝缘层56，且于闸极绝缘层56上定义有一个中央区域56a、两个遮蔽区域56b以及两个延伸区域56c。

然后，如图7B所示，利用图案化光阻层60作为罩幕以进行一蚀刻制程，将图案化光阻层60区域以外的闸极层58与部份闸极绝缘层56去除，以定义闸极层58的图案。较佳为，使用电浆蚀刻(plasma etching)或反应性离子蚀刻方法，且此步骤可适当调整第一绝缘层55、第二绝缘层57的蚀刻程度，以去除延伸区域56c的第二绝缘层57，并保留延伸区域56c的第一绝缘层55，则使第一绝缘层55覆盖有效层54的预定源/汲极区域上。

接着，如图7C所示，将闸极层58的轮廓制作成为一上窄下宽的梯形，可使闸极层58的底部仅覆盖中央区域56a，则使遮蔽区域56内的第一绝缘层55与第二绝缘层57的双层结构暴露于闸极层58的底部两侧，并使延伸区域56c内的第一绝缘层55覆盖有效层54的预定源/汲极区域上。而且，此步骤亦可依据产品的需求选择第一绝缘层55的蚀刻程度。此步骤更可取代图7B所示的蚀刻步骤，以减少制程时间与制程成本。

尔后，如图7D所示，将图案化光阻层60去除之后，利用闸极层58以及遮蔽区域56b内的第一绝缘层55与第二绝缘层57的双层结构作为罩幕，以进行一离子布植制程62。如此一来，被遮蔽区域56b覆盖的有效层54是成为一未掺杂区域，用以当作一间隔区域54b；未被闸极层58以及遮蔽区域56b覆盖的有效层54是成为一重掺杂区域，用以当作一源汲极区域54a；至于被闸极层以及中央区域56a覆盖的有效层54是为一未掺杂区域，用以当作一信道区域54c。间隔区域54b的掺杂浓度较佳为小于1×10¹²atom/cm²，源/汲极区域54a的掺杂浓度较佳为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。

离子布植制程62的操作条件较佳为，布植能量为10-100keV，布植剂量小于2×10¹⁸atom/cm³。更佳为，布植剂量小于1×10¹³atom/cm³。本发明方法可应用于一P型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一N⁺掺杂区域。本发明方法亦可应用于一N型薄膜晶体管，则源/汲极区域54a为一P⁺掺杂区域。

最后，进行内连线制程，此步骤的实施方式不会实质影响本发明的特征与功效，故不详加撰述。除此之外，闸极绝缘层56亦可以采用三层或三层以上的绝缘层堆栈效果，以达成遮蔽区域56b与延伸区域56c的厚度差异的效果。

Claims (14)

1.一种薄膜晶体管，其特征在于：所述薄膜晶体管包括：

一基底；

一有效层，是形成于该基底之上，包含有一信道区域、一间隔区域以及一掺杂区域，其中该间隔区域是位于该信道区域的外围区域，且该掺杂区域是位于该间隔区域的外围区域；

一闸极绝缘层，是形成于该有效层之上，包含至少有一中央区域以及一遮蔽区域，其中该中央区域是覆盖该信道区域，该遮蔽区域是位于该中央区域的外围且覆盖该间隔区域；以及

一闸极层，是形成于该闸极绝缘层之上，其中该闸极层是覆盖该中央区域且暴露该遮蔽区域。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层的遮蔽区域的横向长度为0.1μm-1.0μm。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层不覆盖该掺杂区域。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层另包含有一延伸区域，是位于该遮蔽区域的外围且覆盖该掺杂区域，且该延伸区域的厚度小于该遮蔽区域的厚度。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于：该闸极绝缘层包含有一第一绝缘层以及一第二绝缘层，其中：

该闸极绝缘层的遮蔽区域是由该第一绝缘层以及该第二绝缘层所堆栈而成；以及

该闸极绝缘层的延伸区域是由该第一绝缘层所构成。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该间隔区域的掺杂浓度小于1×10¹²atom/cm²，该掺杂区域的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。

7.根据权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：

该基底是为一透明绝缘基底或一玻璃基底；

该有效层是为一半导体硅层或一多晶硅层；以及

该闸极绝缘层为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合的堆栈层。

8.一种薄膜晶体管的制造方法，包括下列步骤：

提供一基底；

形成一有效层于该基底之上；

形成一闸极绝缘层于该有效层之上，其中该闸极绝缘层上定义至少有一中央区域以及一遮蔽区域，且该遮蔽区域是位于该中央区域的外围区域；

形成一闸极层于该闸极绝缘层之上；

进行蚀刻制程，以使该闸极层覆盖该闸极绝缘层的中央区域并暴露该闸极绝缘层的遮蔽区域；以及

进行离子布植制程，于未被该遮蔽区域以及该闸极层覆盖的有效层中形成一掺杂区域；

其中，被该遮蔽区域覆盖的该有效层是成为一间隔区域，被该中央区域以及该闸极层覆盖的有效层是成为一信道区域。

9.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该闸极绝缘层的遮蔽区域的横向长度为0.1μm-1.0μm。

10.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该蚀刻制程是暴露该有效层的该掺杂区域。

11.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该蚀刻制程使该闸极绝缘层另形成一延伸区域，是位于该遮蔽区域的外围且覆盖该掺杂区域之上，且该延伸区域的厚度小于该遮蔽区域的厚度。

12. 根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该闸极绝缘层的遮蔽区域以及延伸区域的制作方法包括下列步骤：

形成一第一绝缘层于该有效层之上；

形成一第二绝缘层于该第一绝缘层之上；以及

进行蚀刻制程，以去除该延伸区域的该第二绝缘层，并保留该延伸区域的该第一绝缘层；

其中，该遮蔽区域是由该第一绝缘层以及该第二绝缘层所构成，该延伸区域是由该第一绝缘层所构成。

13.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中该间隔区域的掺杂浓度小于1×10¹²atom/cm²，该掺杂区域的掺杂浓度为1×10¹⁴-1×10¹⁶atom/cm²。

14.根据权利要求8所述的薄膜晶体管的制造方法，其中：

该基底是为一透明绝缘基底或一玻璃基底；

该有效层是为一半导体硅层或一多晶硅层；以及

该闸极绝缘层为一氧化硅层、一氮化硅层、一氮氧化硅层或其组合的堆栈层。

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