CN1521943A

CN1521943A - 电流源电路及使用该电流源电路的放大电路

Info

Publication number: CN1521943A
Application number: CNA2003101201283A
Authority: CN
Inventors: С��֮; 小屉正之; ̩; 嶋冈裕泰
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 2003-02-14
Filing date: 2003-12-08
Publication date: 2004-08-18
Also published as: US7046077B2; US20050134366A1; US20050225381A1; JP2004248014A; US7053695B2; US20040160268A1

Abstract

提供一种能使输出端子的流出电流与流入电流相等的电流源电路。其具备：将来自基准电流源(2)的基准电流变换为电压的第1晶体管组(M1、M2)；与第1晶体管组构成电流镜关系，且流过输出电流的第1晶体管(M7)；将提供给一个输入端子的由第1晶体管组发生的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(3)；由误差放大器的输出电压驱动的第2晶体管(M5)；由误差放大器的输出电压驱动，流过与第1晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流的第3晶体管(M6)；和将流过第2晶体管的电流变换为电压，并提供给误差放大器的另一输入端子的第2晶体管组(M3、M4)。

Description

电流源电路及使用该电流源电路的放大电路

技术领域

本发明涉及一种用于电子设备和半导体集成电路中的电流源电路、以及使用该电流源电路的放大电路。

背景技术

以前，有关用于电子设备和半导体集成电路中的电流源电路，例如在日本特开平2-124609号公报或半导体电路设计技术(日经BP公司，玉井德迪监修，第1版，302页)公开了一种电流镜电路。

图20是表示现有电流源电路构成例的电路图。图20中，1是施加使电路工作的电压的电源施加端子，2是提供基准电流的基准电流源，4是电流流出的输出端子，5是电流流入的输出端子，M2、M12、M7是n沟道MOS晶体管，M6、M20是p沟道MOS晶体管。M2、M12、M7构成电流镜电路，M6、M20也构成电流镜电路。

下面说明如此构成的电流源电路的工作。从基准电流源2流入的电流由n沟道MOS晶体管M2接收，分别由n沟道MOS晶体管M7、M12反转。由n沟道MOS晶体管M7反转的电流通过输出端子5引入。由n沟道MOS晶体管M12反转的电流由p沟道MOS晶体管M20接收后，由p沟道MOS晶体管M6再次反转，从输出端子4流出。

图21是表示作为流出电流的基准电流源2、p沟道MOS晶体管M2、M12、M7、n沟道MOS晶体管M6、M20，与图20一样构成的电流源电路的构成例的电路图。

并且，设定利用图20所示电流源电路的放大电路的工作点的共同反馈(common feedback)电路，例如公开在[CMOS Analog CircuitDesign second edition](p196，OXFORD出版，Phillip E.Allen，Douglas R.Holberg著)中。图22中示出该放大电路的结构。

在图22中，6是电压源，8、9是放大电路的输入端子，11、12是负载，13、14是放大电路的输出端子，M1O、M11、M18、M19是n沟道MOS晶体管，M6a、M6b、M8、M9是p沟道MOS晶体管。

下面说明如此构成的放大电路的工作。从放大电路的输入端子8和9输入的信号通过构成差动放大器的M18和M19变换为电流，变为由负载11和12放大的电压，从放大电路的输出端子13和14取出。为了决定该放大电路的工作点，通过构成差动放大器(误差放大器)的M10和M11，将负载11与12的连接点的电压与电压源6的电压相比较，调整流过电流镜电路M8、M6a和M6b的电流。结果，将负载11和12的工作点设定在电压源6的电压。

以前，在电子设备和半导体集成电路的电流源电路和放大电路中使用的电流源电路中，在电路同时使用流出电流与流入电流的情况下，存在它们不相等的问题。

在MOS晶体管的特性中，电流Ids由下式表示。

Ids＝k×(Vgs-Vt)²×(1+λ×Vds)

其中，Ids是MOS晶体管的电流，k是放大倍率，Vgs是栅极-源极间电压，Vt是阈值电压，λ是沟道长度调制系数，Vds是漏极-源极间电压。提供的电流在每次通过MOS晶体管时受到沟道调制效应的影响。在将晶体管的大小设计得相等，且Vds大致相等，n沟道与p沟道的λ近似成大致相等时，流过图20的输出端子4的流出电流I4与流过输出端子5的流入电流I5的电流比不等于1，有如下关系：

I4/I5＝(1+λ×Vds)²/(1+λ×Vds)

＝(1+λ×Vds)

例如，当λ＝0.05、Vds＝1.5V时，产生7.5％的误差，流出电流变得比流入电流大。

同样，在图22所示的共用反馈电路中也产生同样的误差，但该误差可由构成差动放大器(误差放大器)的M10、M11、电流镜M8、M6a、M6b和负载11、12所决定的环路增益A1来进一步缩小。其中，为了防止振荡，环路增益A1不能设定得较大，大约为10倍左右。因此，误差变为10分之1，残余0.75％的误差。并且，因为负载11和负载12进入共用反馈电路的环路，所以为了防止振荡不能取大的值。因此，不能将由M18和M19构成的原来的差动放大器的增益设定得较大。

发明内容

本发明鉴于上述问题作出，其目的在于提供一种能使流出电流与流入电流相等的电流源电路。

另外，本发明的另一目的在于提供一种能在确保稳定的工作点的同时将增益设定得大的放大电路。

为了实现上述目的，根据本发明的第1电流源电路构成为具备：提供基准电流的基准电流源；与基准电流源串联连接，将基准电流变换为电压的第1晶体管组(M1、M2)；与第1晶体管组构成电流镜关系，且流过输出电流的第1晶体管(M7)；将第1晶体管组发生的电压提供给一个输入端子，将一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(OP.Amp)；由误差放大器的输出电压驱动的第2晶体管(M5)；由误差放大器的输出电压驱动，流过与第1晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流的第3晶体管(M6)；和与第2晶体管串联连接，将流过第2晶体管的电流变换为电压，并提供给误差放大器的另一输入端子的第2晶体管组(M3、M4)。

另外，为了实现上述目的，根据本发明的第2电流源电路构成为具备：提供基准电流的基准电流源；与基准电流源串联连接，将基准电流变换为电压的第1晶体管(M2)；与第1晶体管成电流镜关系，将电流变换为电压的第2晶体管(M4)；与第1晶体管成电流镜关系，且流过输出电流的第3晶体管(M7)；将第2晶体管发生的电压提供给一个输入端子，将一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(OP.Amp)；向误差放大器的另一输入端子提供电压的电压源；与第2晶体管串联连接，由误差放大器的输出电压驱动的第4晶体管(M5)；和由误差放大器的输出电压驱动，流过与第3晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流的第5晶体管(M6)。

根据上述第1和第2电流源电路，可使输出端子的流出电流与流入电流相等。

另外，为了实现上述目的，根据本发明的第1放大电路构成为具备：提供基准电流的基准电流源；与基准电流源串联连接，将基准电流变换为电压的第1晶体管(M2)；与第1晶体管成电流镜关系，将电流变换为电压的第2晶体管(M4)；与第1晶体管成电流镜关系，且流过第1电流的第3晶体管(M7)；将第2晶体管发生的电压提供给一个输入端子，将一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(OP.Amp)；向误差放大器的另一输入端子提供电压的电压源；与第2晶体管串联连接，由误差放大器的输出电压驱动的第4晶体管(M5)；由误差放大器的输出电压驱动，流过第2电流的第5晶体管(M6)；和将流过第3晶体管的第1电流作为一个电源电流，将流过第5晶体管的第2电流作为另一个电源电流，进行工作，并放大提供给输入端子的电压的差动放大器(Diff.Amp)。

在该第1放大电路中，将差动放大器的工作点的基准电压设定为电压源的电压。

另外，为了实现上述目的，根据本发明的第2放大电路构成为具备：提供基准电流的基准电流源；与基准电流源串联连接，将基准电流变换为电压的第1晶体管(M2)；与第1晶体管成电流镜关系，流过第1电流的第2晶体管(M4)；与第1晶体管成电流镜关系，且流过第2电流的第3晶体管(M7)；将流过第2晶体管的第1电流作为一个电源电流，接受提供给输入端子的电压的第1差动放大器(1st Diff.Amp)；将第1差动放大器的输出电压提供给一个输入端子，将一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压的误差放大器(OP.Amp)；向误差放大器的另一输入端子提供电压的电压源；由误差放大器的输出电压驱动，将流过的第3电流作为另一电源电流，使第1差动放大器工作的第4晶体管(M5)；由误差放大器的输出电压驱动，流过第4电流的第5晶体管(M6)；和将流过所述第5晶体管的第4电流作为另一个电源电流，进行工作，并放大提供给输入端子的电压的第2差动放大器(2nd Diff.Amp)。

在该第2放大电路中，将第2差动放大器的工作点的基准电压设定在电压源的电压。

根据上述第1和第2放大电路，可边确保稳定的工作点边将增益设定得大。

附图说明

图1是表示根据本发明实施方式1的电流源电路的一构成例的电路图。

图2是表示图1的电流源电路的第1具体例的电路图。

图3是表示图1的电流源电路的第2具体例的电路图。

图4是表示图1的电流源电路的变形例的电路图。

图5是表示图4的电流源电路的第1具体例的电路图。

图6是表示图4的电流源电路的第2具体例的电路图。

图7是表示根据本发明实施方式2的电流源电路的一构成例的电路图。

图8是表示根据本发明实施方式3的放大电路的一构成例的电路图。

图9是表示图8的放大电路的第1具体例的电路图。

图10是表示图8的放大电路的第2具体例的电路图。

图11是表示图8的放大电路的第3具体例的电路图。

图12是表示图8的放大电路的第4具体例的电路图。

图13是表示图8的放大电路的变形例的电路图。

图14是表示根据本发明实施方式4的放大电路的一构成例的电路图。

图15是表示图14的放大电路的第1具体例的电路图。

图16是表示图14的放大电路的第2具体例的电路图。

图17是表示图14的放大电路的第3具体例的电路图。

图18是表示图14的放大电路的第4具体例的电路图。

图19是表示图14的放大电路的变形例的电路图。

图20是表示现有电流源电路的构成例的电路图。

图21是表示现有电流源电路的变形例的电路图。

图22是表示现有放大电路的构成例的电路图。

具体实施方式

下面，参照附图来说明本发明的最佳实施方式。

(实施方式1)

图1是表示根据本发明实施方式1的电流源电路的一构成例的电路图。图1中，3是由运算放大器构成的误差放大器(OP.Amp)，M1、M2、M3、M4、M7是n沟道MOS晶体管，M5、M6是p沟道MOS晶体管。由作为第1晶体管组的M1与M2，构成将基准电流源2的电流变换为电压的变换器。另外，由M2与M7(第1晶体管)构成电流镜电路。另外，由M5(第2晶体管)与M6(第3晶体管)构成由误差放大器3的输出电压驱动的电流源。并且，由作为第2晶体管组的M3与M4，构成将M5的电流变换为电压的变换器。

图2是表示图1的电流源电路的第1具体例的电路图。图2中，M8、M9是p沟道MOS晶体管，M10、M11、M12是n沟道MOS晶体管，C是电容器。M12变为电流源，M10与M11变为差动对，M8与M9是电流镜，变为差动对M10与M11的能动电荷。由晶体管M8至M12与电容器C构成误差放大器3。

下面，说明上述构成的实施方式1的电流源电路的工作。

将第1晶体管组M1、M2发生的电压与第2晶体管组M3、M4发生的电压输入误差放大器3，调整M5的栅极电压以便使这些电压相等。因此，从晶体管M5流出的电流与基准电源流2的电流相等，并且由与晶体管M5的栅极电压相同的电压来驱动晶体管M6的栅极电压，所以晶体管M6的电流也与基准电流源2的电流大致相等。当与现有例一样近似求出输出端子4的流出电流I4与输出端子5的流入电流I5的电流比时，有

I4/I5＝(1+λ×Vds)/(1+λ×Vds)

＝1

如上所述，根据本实施方式，通过具备将电流变换为电压的第1晶体管组M1、M2、将电流变换为电压的第2晶体管组、对变换后的各电压的差(误差电压)进行放大的误差放大器、及由误差放大器驱动的晶体管M5、M6，可使输出端子4的流出电流与输出端子5的流入电流相等。

另外，在本实施方式中，将串联重叠2级的晶体管设为变换器，但也可如图3所示，省略误差放大器3的电流源，将1级晶体管设为变换器。

另外，在本实施方式中，将n沟道MOS晶体管作为变换器来构成电流源电路，但也可如图4、图5、图6所示，将p沟道MOS晶体管作为变换器来构成电流源电路。

并且，在本实施方式中，使用MOS晶体管来构成电流源电路，但也可使用双极晶体管来构成电流源电路。

(实施方式2)

图7是表示根据本发明实施方式2的电流源电路的一构成例的电路图。图7中，向具有与实施方式1相同的结构和功能的部分标以相同符号，省略说明。图7中，6是决定放大电路工作点的电压源。

下面，说明如上所述构成的第2实施方式的电流源电路的工作。

图7中，调整晶体管M5和M6的栅极电压，使晶体管M4的漏极与晶体管M5的漏极的连接点的电压与电压源6的电压相等。此时，若求出输出端子4的流出电流I4与输出端子5的流入电流I5的电流比，则有

I4/I5＝(1+λ×Vds)/(1+λ×Vds)

＝(1+λ×Vds)

如上所述，根据本实施方式，由于具有发生工作点基准电压的电压源6、误差放大器3、由误差放大器3驱动的晶体管M5、M6，可使输出端子4的流出电流与输出端子5的流入电流相等。

(实施方式3)

图8是表示根据本发明实施方式3的放大电路的一构成例的电路图。本实施方式的放大电路使用实施方式2的电流源电路。

图8中，10是差动放大器(Diff.Amp)，具有输入端子8、9和输出端子13、14，在输出端子13与电压源6之间连接负载11，在输出端子14与电压源6之间连接负载12。将流入晶体管M6和M7的电流作为电源电流，驱动差动放大器10。

另外，图9是表示本实施方式的放大电路的第1具体例的电路图。图9中，15是电压源，M16、M17是p沟道MOS晶体管，M18、M19是n沟道MOS晶体管。从晶体管M6提供的电流由电压源6与晶体管M16和M17来分割。另外，来自晶体管M18和M19的电流，分别经由晶体管M16和M17提供给晶体管M7。

下面，说明如上所述构成的第3实施方式的放大电路的工作。

图9中，输入差动对M18和M19的信号被负载11、12放大后，输出到输出端子13、14。此时，作为工作的必要条件，输出端子13、14的工作中心必需以电压源6的电压进行工作。其中，晶体管M6的流出电流与晶体管M7的流入电流相等，且差动对M18、M19在工作中心点均等分配晶体管M7的电流，另外，电压源15与晶体管M16和M17均等分配晶体管M6的电流是必要的。

结果，输出端子13、14的工作中心点的电压与晶体管M5的漏极与晶体管M4的漏极的连接点电压相等。该电压通过误差放大器3变为与电压源6的电压相等的电压，差动放大器10的输出的工作中心点的电压也与电压源6的电压相等。

此时，因为负载11和12未包含于误差放大器3的环路内，所以作为由差动对M1S、M19构成的差动放大器10的负载11、12，可连接具有大的电阻值的负载。由此，可增大放大电路的增益。并且，也可省略负载11、12，构成由MOS晶体管的输出阻抗设定的增益大的放大电路。

如上所述，根据本实施方式，通过具备第2实施方式的电流源电路和放大信号的差动放大器，可在确保稳定的工作点的同时，将增益设定得大。

另外，在本实施方式中，将电压源6与晶体管M16、M17设定为电流分配器，但也可如图10所示，将图9的晶体管M6分割成M6a与M6b，省略图9的电压源15和晶体管M16、M17。

另外，在本实施方式中，构成为向n沟道MOS晶体管输入信号，但也可如图11所示，向p沟道MOS晶体管输入信号。

另外，在本实施方式中，将电压源6与晶体管M16、M17设定为电流分配器，但也可如图12所示，将图9的晶体管M7分割成M7a与M7b，省略图9的电压源15和晶体管M16、M17。

另外，在本实施方式中，将图8的n沟道MOS晶体管作为电流镜来构成放大电路，但也可如图13所示，将p沟道MOS晶体管作为电流镜来构成放大电路。

并且，在本实施方式中，由MOS晶体管构成放大电路，但也可由双极晶体管构成放大电路。

(实施方式4)

图14是表示根据本发明实施方式4的放大电路的一构成例的电路图。图14中，7是第1差动放大器(1st Diff.Amp)，10是具有与第1差动放大器结构等价的第2差动放大器(2nd Diff.Amp)，其它结构与图8所示实施方式3一样。

图15是表示图14的放大电路的具体例的电路图。图15中，n沟道MOS晶体管M13与M14构成差动对，p沟道MOS晶体管M15构成栅极接地电路，由晶体管M13、M14、M15构成与第2差动放大器10等价的第1差动放大器7。

下面，说明如上所述构成的第4实施方式的放大电路的工作。

在第3实施方式中，将MOS晶体管的沟道调制效应λ与Vds近似为大致恒定，但通过设置等价的第1差动放大器7，第1差动放大器7的MOS晶体管的工作状态与第2差动放大器10的MOS晶体管的工作状态相等，进一步减少输出端子4的流出电流与输出端子5的流入电流的电流比引起的误差。

如上所述，根据本实施方式，通过具备与第3实施方式的差动放大器10等价的差动放大器7，可在确保稳定的工作点的同时将增益设定得大，并可进一步降低误差。

另外，在本实施方式中，将图15的电压源6与晶体管M15、M16、M17设定为电流分配器，但也可如图16所示，将图15的晶体管M6分割成M6a和M6b，省略图15的电压源15与晶体管M15、M16、M17。

另外，在本实施方式中，构成为向n沟道MOS晶体管输入信号，但也可如图17所示，向p沟道MOS晶体管输入信号。

另外，在本实施方式中，将图15的电压源6与晶体管M15、M16、M17设定为电流分配器，但也可如图18所示，将图15的晶体管M7分割成M7a与M7b，省略图15的电压源15和晶体管M15、M16、M17。

另外，在本实施方式中，将n沟道MOS晶体管作为电流镜来构成放大电路，但也可如图19所示，将p沟道MOS晶体管作为电流镜来构成放大电路。

如上所述，根据本发明，可实现使输出端子的流出电流与流入电流相等的优良的电流源电路。

另外，可实现在确保稳定的工作点的同时将增益设定得大的优良的放大电路。

Claims

1、一种电流源电路，具备：

基准电流源，提供基准电流；

第1晶体管组，与所述基准电流源串联连接，将所述基准电流变换为电压；

第1晶体管，与所述第1晶体管组构成电流镜关系，且流过输出电流；

误差放大器，将所述第1晶体管组发生的电压提供给一个输入端子，将所述一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压；

第2晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动；

第3晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动，流过与所述第1晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流；和

第2晶体管组，与所述第2晶体管串联连接，将流过所述第2晶体管的电流变换为电压，并提供给所述误差放大器的所述另一输入端子。

2、一种电流源电路，具备：

基准电流源，提供基准电流；

第1晶体管，与所述基准电流源串联连接，将所述基准电流变换为电压；

第2晶体管，与所述第1晶体管成电流镜关系，将电流变换为电压；

第3晶体管，与所述第1晶体管成电流镜关系，且流过输出电流；

误差放大器，将所述第2晶体管发生的电压提供给一个输入端子，将所述一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压；

电压源，向所述误差放大器的所述另一输入端子提供电压；

第4晶体管，与所述第2晶体管串联连接，由所述误差放大器的输出电压驱动；和

第5晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动，流过与所述第3晶体管的输出电流相对输出端子成相反方向的输出电流。

3、一种放大电路，具备：

基准电流源，提供基准电流；

第3晶体管，与所述第1晶体管成电流镜关系，且流过第1电流；

电压源，向所述误差放大器的所述另一输入端子提供电压；

第4晶体管，与所述第2晶体管串联连接，由所述误差放大器的输出电压驱动；

第5晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动，流过第2电流；和

差动放大器，将流过所述第3晶体管的所述第1电流作为一个电源电流，将流过所述第5晶体管的所述第2电流作为另一个电源电流来进行工作，并放大提供给输入端子的电压。

4、根据权利要求3所述的放大电路，其特征在于：

将所述差动放大器的工作点的基准电压设定为电压源的电压。

5、一种放大电路，具备：

基准电流源，提供基准电流；

第2晶体管，与所述第1晶体管成电流镜关系，流过第1电流；

第3晶体管，与所述第1晶体管成电流镜关系，流过第2电流；

第1差动放大器，将流过所述第2晶体管的所述第1电流作为一个电源电流，并接受提供给输入端子的电压；

误差放大器，将所述第1差动放大器的输出电压提供给一个输入端子，将所述一个输入端子的电压与提供给另一输入端子的电压相比较，输出误差电压；

电压源，向所述误差放大器的所述另一输入端子提供电压；

第4晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动，将流过的第3电流作为另一电源电流，使所述第1差动放大器工作；

第5晶体管，由所述误差放大器的输出电压驱动，流过第4电流；和

第2差动放大器，将流过所述第3晶体管的所述第2电流作为一个电源电流，将流过所述第5晶体管的所述第4电流作为另一个电源电流来进行工作，并放大提供给所述输入端子的电压。

6、根据权利要求5所述的放大电路，其特征在于：

将所述第2差动放大器的工作点的基准电压设定为所述电压源的电压。