CN1503373A - 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列面板，该薄膜晶体管阵列面板包括：栅极线和数据线，其形成在绝缘衬底上并相互交叉；多个公共电极，其与栅极线和数据线分开，并与栅极线形成约7至23度的角；多个像素电极，其与栅极线、数据线和公共电极分开，平行于公共电极延伸，并与公共电极交替布置；以及，薄膜晶体管，其连接到栅极线、数据线和像素电极。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器和薄膜晶体管阵列面板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示器之一。LCD包括两块设置有场发生电极(field-generating electrode)的面板和插入其间的液晶(LC)层。LCD通过向场发生电极施加电压而在LC层中产生电场来显示图像，所述电场确定LC层中LC分子的取向来调节入射光的偏振。
在各个面板上包括场发生电极的LCD之中，一种被称为面内开关(In-plane switching)(IPS)式LCD的LCD在一块面板上设置多个像素电极和多个公共电极。像素电极和公共电极交替布置并产生基本上平行于面板表面的电场。众所周知，IPS LCD具有比扭转向列(TN)式LCD更优良的视角。
通过给各个像素电极施加单独的电压，实现了LCD的图像显示。为了施加单独的电压，多个三端薄膜晶体管(TFT)连接到各个像素电极，并且在面板上设置多条栅极线和多条数据线，栅极线传输控制TFT的信号，数据线传输施加在像素电极上的电压。
由于IPS式LCD具有侧向色移和某方向上的灰度反转(gray iversion)的缺点，提出了具有如图10A和10B中所示的弯曲像素电极和弯曲公共电极的LCD。然而，图10A中所示的LCD的缺点是增大了数据线电阻和寄生电容，图10B中所示的LCD的缺点是由于增加了公共电极而减少了孔径比。
发明内容
本发明的目的在于解决传统技术中的问题。
提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：栅极线和数据线，其形成在绝缘衬底上并相互交叉；多个公共电极，其与栅极线和数据线分开，并与栅极线形成约7至23度的角；多个像素电极，其与栅极线、数据线和公共电极分开，平行于公共电极延伸，并与公共电极交替布置；以及，薄膜晶体管，其连接到栅极线、数据线和像素电极。
公共电极优选包括形成约15至45度的角的第一和第二电极。
薄膜晶体管阵列面板还可包括连接公共电极的连接电极和平行于栅极线延伸并连接到连接电极的公共电极线。
薄膜晶体管阵列面板还可包括像素电极线，其连接像素电极并平行于数据线延伸。
提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：绝缘衬底；栅极线，其形成在绝缘衬底上；公共电极线，其包括与栅极线形成约7至23度的角的多个分支的公共电极；栅极绝缘层，其在栅极线上；半导体层，其在栅极绝缘层上；数据线，其至少部分形成在半导体层上；像素电极线，其至少部分形成在半导体层上，并包括与公共电极交替布置的多个分支的像素电极；以及，钝化层，其形成在数据线和像素电极线上。
公共电极优选包括彼此形成约15至45度的角的第一和第二电极。
像素电极优选包括分别平行于第一和第二电极延伸的第三和第四电极。
薄膜晶体管阵列面板还可包括冗余信号线，其形成在钝化层上并沿数据线延伸，钝化层具有用于数据线与冗余信号线之间连接的接触孔。
薄膜晶体管阵列面板还可包括形成在钝化层上的辅助接点，钝化层包括接触孔，其暴露部分数据线并被辅助接点覆盖。
公共电极优选基本上平行于栅极线延伸，并且还包括连接公共电极的框架。
像素电极线优选基本上平行于数据线延伸。
薄膜晶体管阵列面板还可包括欧姆接点，其布置在半导体层与数据线和像素电极线之间。
半导体层可具有与数据线、像素电极线和欧姆接点基本上相同的平面形状。
提供一种薄膜晶体管阵列面板，其包括：第一衬底；栅极线和数据线，其形成在第一衬底上并相互交叉；多个公共电极，其与栅极线和数据线分开并与栅极线形成约7至23度的角；多个像素电极，其与栅极线、数据线和公共电极分开，平行于公共电极延伸，并与公共电极交替排列；薄膜晶体管，其连接到栅极线、数据线和像素电极；第二衬底；以及，液晶层，其插入在第一衬底与第二衬底之间。
附图说明
通过参考附图介绍本发明的优选实施例，本发明的上述和其它优点将变得更明显易懂，其中：
图1是用于根据本发明实施例的LCD的典型TFT阵列面板的布局图；
图2是图1中所示的TFT阵列面板沿II-II′线截取的剖视图；
图3是用于根据本发明另一实施例的LCD的典型TFT阵列面板的布局图；
图4是图3中所示的TFT阵列面板沿IV-IV′、IV′-IV″和IV″-IV线截取的剖视图；
图5-9是根据本发明实施例，图3和4中所示的TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的剖视图；以及
图10A和10B是用于传统LCD的TFT阵列面板的布局图。
具体实施方式
下面，将参考附图更加完整地描述本发明，在附图中图示出本发明的优选实施例。然而，本发明能够以多种不同的形式来实施，不应限于本文中阐述的实施例。
在附图中，为清楚起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同附图标记始终表示相同元件。可以理解，当元件(如层、膜、区域或衬底)被称为“在另一元件上”时，它可以直接位于该其它部件之上或者可以有中间元件存在。相反，当元件被称为“直接在另一元件上”时，则没有居间元件存在。
现在，将参考附图描述根据本发明实施例的液晶显示器、用于LCD的TFT阵列面板、及其制造方法。
图1是用于根据本发明实施例的LCD的典型TFT阵列面板的布局图，而图2是图1中所示的TFT阵列面板沿II-II′线截取的剖视图。
在绝缘衬底110上形成传输栅极信号的多个栅极线121和传输公共电压的多个公共电极线131。
每个栅极线121基本上沿横向延伸，而每个栅极线121的多个部分形成了多个栅极电极123。
每个公共电极线131基本上沿横向延伸，并包括多组分支，每组分支包括框架132和连接到框架132上的多个公共电极133a和133b。框架132具有包括四个边的矩形形状。公共电极133a和133b斜向延伸，并且公共电极133a从框架132的左边向右上方向延伸，而公共电极133b从框架132的左边向右下方向延伸。公共电极133a和133b的延伸与栅极线121交叉为约15±8度角，即，在约7至23度的范围内，因此它们相互交叉为约14至46度范围内的角度，优选在约15至45度范围内。
栅极线121和公共电极线131可以包括具有不同物理特性的两层薄膜，下薄膜(未示出)和上薄膜(未示出)。上薄膜优选用低电阻金属制造，包括含Al金属如Al和Al合金，用于降低信号延迟和栅极线121与公共电极线131中的压降。另一方面，下薄膜优选用诸如Cr、Mo和Mo合金的材料制造，其具有与其它材料(如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))的良好接触性。下薄膜材料和上薄膜材料的良好典型组合是Cr和Al-Nd合金。
另外，栅极线121和公共电极线131的横向侧边是锥形的，侧边关于衬底110表面的倾角范围在约30至80度。
优选用氮化硅(SiNx)制造的栅极绝缘层140形成在栅极线121和公共电极线131上。
优选用氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅制成的多个半导体条151形成在栅极绝缘层140上。每个半导体条151基本上沿纵向延伸，并具有朝栅极电极123分支的多个突出154。
优选用硅化物或以n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si制造的多个欧姆接触条和岛161和165形成在半导体条151上。每个欧姆接触条161具有多个突出163，突出163和欧姆接触岛165成对地位于半导体条151的突出154上。
半导体条151和欧姆接点161和165的横向侧边是锥形的，其倾角优选在约30至80度的范围内。
彼此分开的多个数据线171和多个像素电极线172形成在欧姆接点161和165和栅极绝缘层140上。
传输数据电压的数据线171基本上沿纵向延伸，并与栅极线121和公共电极线131交叉。每个像素电极线172基本上沿纵向延伸，并包括多个称为像素电极的分支174a至174c。像素电极174a和174b分别平行于公共电极133a和133b延伸，而像素电极174c沿公共电极线131延伸并分叉成两个分别平行于公共电极133a和133b的分支。
每个数据线171包括每个数据线171朝栅极线123突出从而形成多个源极电极173的多个分支，而每个像素电极线172还包括延伸175，其朝源极电极173突出形成漏极电极175。每对源极电极173和漏极电极175关于栅极电极123相互相对。栅极电极123、源极电极173和漏极电极175连同半导体条151的突出154一起形成TFT，其具有通道，通道形成在位于源极电极173与漏极电极175之间的突出154内。
像素电极174a至174c接收来自漏极电极175的数据电压，与公共电极133a和133b协作产生电场，这些电场重新取向布置在电极间的液晶层中的液晶分子。像素电极174a至174c和公共电极133a和133b形成液晶电容器，其在关闭TFT之后保存施加的电压。为了提高电压存储容量，提供一个称为“存储电容器”的附加电容器，其并联到液晶电容器上。通过重叠像素电极线172与公共电极线131的框架132来实现存储电容器。
数据线171和像素电极线172也可以包括下薄膜(未示出)和上薄膜(未示出)，下薄膜优选用Mo、Mo合金或Cr制造，上薄膜位于下薄膜之上并优选用含Al金属制造。
如同栅极线121和公共电极线131，数据线171和像素电极线172具有锥形横向侧边，其倾角在约30至80度的范围内。
欧姆接点161和165仅插入在下面的半导体条151与其上的数据线171以及其上的漏极电极175之间，并减少其间的接触电阻。半导体条151包括多个暴露部分，数据线171和漏极电极175没有覆盖它们，例如位于源极电极173和漏极电极175之间的部分。尽管半导体条151在大多数地方比数据线171窄，但是如上所述半导体条151的宽度变得接近于栅极线121，来提高栅极线121与数据线171之间的绝缘。
钝化层180形成在数据线171和像素电极172，以及半导体条151的暴露部分上。钝化层180优选用光敏有机材料、低介电绝缘材料或无机材料制造，光敏有机材料具有良好的平面度特性，低介电绝缘材料如通过等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)而形成的a-Si:C:O和a-Si:C:F，无机材料如氮化硅。
钝化层180具有多个接触孔182和183，其分别暴露数据线171的端部179和数据线171的中间部分。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔181，其暴露栅极线121的端部125。接触孔181至183可以具有各种形状，如多边形或圆形。优选地，每个接触孔181或182的面积等于或大于0.5mm×15μm，并且不大于2mm×60μm。
多个冗余数据线191和多个辅助接点95和97形成在钝化层180上，它们优选用ITO、IZO或Cr制造。
冗余数据线191通过接触孔183连接到数据线171从而形成数据电压的补偿信号通道。辅助接点95和97分别通过接触孔181和182连接到栅极线121的暴露端部125和数据线171的暴露端部179。辅助接点95和97不是必需的，但是优选用来保护暴露部分125和179，并补充暴露部分125和179与外部设备的粘合性。
最后，对准层11形成在冗余数据线191、辅助接点95和97、以及钝化层180上。在如图1中所示的箭头指示的方向上摩擦对准层11，该方向基本上平行于栅极线121。
根据实施例的LCD包括图1和2中所示的TFT阵列面板、具有多个滤色器和覆盖在滤色器上并在图1中所示箭头指示的方向上被摩擦的对准层的滤色器阵列面板(未示出)、以及插入其间的液晶层(未示出)。对准液晶层中的液晶分子，使得它们的长轴平行于面板表面和摩擦方向。液晶层具有正介电各向异性。
通过把公共电压和数据电压施加到公共电极133a和133b以及像素电极174a至174c上，产生电场，其基本上平行于面板表面并且基本垂直于公共电极133a和133b以及像素电极174a至174c的延伸方向。液晶分子趋向于改变它们的取向来响应电场，使得它们的长轴平行于电场方向。
将包括图1和2中所示的TFT阵列面板的LCD与图10A和10B中所示的传统LCD相比较，图10A和10B是传统LCD的布局图。
| 传统LCD | 图1 | |||
| 图10A | 图10B | |||
| 1 | 电极间的相交角度 | 约150° | 约150° | 约30° |
| 2 | 摩擦方向 | 平行于数据线 | 平行于数据线 | 平行于栅极线(有利于防止横向干扰) |
| 3 | 像素区形状 | 锯齿形 | 矩形 | 矩形(有利于降低数 |
| 据线中的信号延迟) | ||||
| 4 | 向错线(disclinationline)数量 | 3或5 | 3或5 | 1(有利于增加亮度) |
| 5 | 由公共电极引起的孔径比减少 | 无 | 一些 | 无(有利于提高孔径比) |
| 6 | 改变电极间距离的可能性 | 难 | 难 | 容易 |
图1中所示的液晶分子的初始取向平行于栅极线，也就是垂直于数据线，而图10A和10B中所示的液晶分子的初始取向平行于数据线。同时，数据线与像素电极线间的电压差形成垂直于数据线的电场，其干扰图10A和10B中所示的公共电极与像素电极间的电场，由此导致横向色度亮度干扰。然而，在图1和2所示的LCD中，由于数据线与像素电极线间的电场方向与公共电极与像素电极间的电场方向相同，因此不存在横向干扰。
像素区的矩形形状容许直线数据线，这些数据线的电阻和寄生电容比图10A中所示的数据线更小。因此，像素区的矩形形状有利于减少数据线中的信号延迟。
在液晶分子取向变化的区域附近产生向错线(disclination line)。图1中所示的分子取向只在像素电极74c附近变化，而图10A和10B中所示的分子取向在像素电极的三条曲线附近变化。因此，与图10A和10B中所示的向错线数量相比，图1中所示的向错线数量很小。
图10B中所示的LCD包括一对接近数据线的宽公共电极，用来产生矩形像素区，其减少了孔径比。然而，图1和2中所示的LCD不存在此问题。
图10A和10B中所示的像素电极和公共电极平行于数据线而不是栅极线延伸，而图1和2中所示的像素电极和公共电极平行于栅极线而不是数据线延伸。由于栅极线间的距离比数据线间的距离大很多，因此与图10A和10B中所示的相比，图1所示LCD的电极数量和电极间距离非常容易改变。
现在，将详细描述根据本发明实施例，图1和2中所示TFT阵列面板的制造方法。
包括多个栅极电极123的多条栅极线121和包括多个公共电极133a和133b的多条公共电极线131形成在绝缘衬底110(如透明玻璃)上。
当栅极线121和公共电极线131具有双层结构时，该结构包括下导电膜和上导电膜，下导电膜优选用具有良好物理和化学特性的材料(如Mo或Cr合金)制造，上导电膜优选用Al或含Al金属制造。
优选使用含磷酸、硝酸、醋酸和纯净水的Ag蚀刻剂，通过湿法蚀刻，可以同时构图Mo合金下导电膜和Ag合金上导电膜。由于Ag合金的蚀刻率大于Mo合金，可以得到约30度的锥角。
在按序沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层和非本征a-Si层之后，光刻非本征a-Si层和本征a-Si层，从而形成多个非本征半导体条164和多个本征半导体条151，其在栅极绝缘层140上包括多个突出154。
随后，形成包括多个源极电极173的多条数据线171、包括多个漏极电极175和多个像素电极74a至74c的多条像素电极线172。
其后，去除非本征半导体条164未由数据线171和像素电极线172覆盖的突出，来完成包括多个突出163的多个欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165，并暴露部分本征半导体条151。为了稳定半导体条151的暴露表面，其后优选执行氧等离子体处理。
通过诸如如氮化硅的无机材料的化学汽相沉积(CVD)生长或涂覆诸如丙烯基材料的有机绝缘材料生长a-Si:C:O或a-Si:C:F，由此形成钝化层180。在形成a-Si:C:O层时，在气态下混合用作基本原料的SiH(CH3)3、SiO2(CH3)4、(SiH)4O4(CH3)4、Si(C2H5O)4或类似物、如N2O或O2的氧化剂、以及Ar或He，以进行沉积。对于a-Si:O:F层，通过包括SiH4、SiF4或类似物以及附加气体O2的气体混合物，进行沉积。可以增加CF4作为辅助氟源。
沉积了钝化层180后，构图钝化层180和栅极绝缘层140，形成多个接触孔181、182和183，分别暴露栅极线121的端部125、数据线171的端部179和数据线171中间部分。
最后，通过溅射或光刻IZO、ITO或Cr层，在钝化层180上形成多条冗余数据线191和多个辅助接点95和97。
用于IZO层的溅射靶例如为日本Idemitsu Co.公司生产的IDIXO(铟x金属氧化物)。溅射靶包括In2O3和ZnO，Zn关于Zn和In总量的比优选在约15至20原子％范围内。为最小化接触电阻，优选溅射温度等或低于250℃。IZO或ITO层的蚀刻优选包括湿蚀刻，使用HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O的Cr蚀刻剂，其不腐蚀数据线171、漏极电极175、栅极线121、存储电极线131以及存储电极133a至133e的Al。优选地，在沉积ITO层、IZO层或Cr层之前，将氮气用于预热过程，其防止通过接触孔181至183在栅极线121和数据线171的暴露部分上形成金属氧化物。
参考附图3和4，将详细描述根据本发明另一实施例的LCD的TFT阵列面板。
图3是用于根据本发明另一实施例的LCD的典型TFT阵列面板的布局图，而图4是图3中所示的TFT阵列面板沿IV-IV′、IV′-IV″和IV″-IV线截取的剖视图。
如图3和4所示，根据本实施例的LCD的TFT阵列面板的层状结构几乎与图1和2中所示的结构相同。即，包括多个栅极电极123的多条栅极线121和包括多个公共电极133a和133b的多条公共电极线131形成在衬底110上，栅极绝缘层140、包括多个突出154的多个半导体条151、以及包括多个突出163和多个欧姆接触岛165的多个欧姆接触条161依次形成在其上。包括多个源极电极173的多条数据线171、包括多个漏极电极175和多个像素电极174a至174c的多条像素电极线172形成在欧姆接点161和165上，钝化层180形成在其上。在钝化层180和/或栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多条冗余数据线191以及多个辅助接点95和97形成在钝化层180上。
与图1和2中所示的TFT阵列面板不同，根据本实施例的TFT阵列面板还沿着像素电极线172和像素电极174a至174c，延长半导体条151的延伸154和欧姆接触岛165。
除了设置TFT的突出154的部分之外，半导体条和岛151具有与数据线171、像素电极线172以及下面的欧姆接点161和165几乎相同的平面形状。半导体条151包括一些暴露部分，它们未由数据线171和像素电极线172覆盖，例如位于源极173与漏极175之间的部分。
现在，将参考图5至9以及图3、4详细描述根据本发明实施例的、图3和4中所示的TFT阵列面板的制造方法。
图5至9是根据本发明实施例，图3和4中所示的TFT阵列面板在其制造方法的中间步骤中的剖视图。
参考图5，通过光刻，在衬底110上形成包括多个栅极电极123的多条栅极线121和包括多个公共电极133a和133b的多条公共电极线131。
如图6所示，通过CVD依次沉积栅极绝缘层140、本征a-Si层150和非本征a-Si层160，使得层140、150和160分别具有约1500至5000、约500至2000和约300至600的厚度。通过溅射沉积导电层170，并在导电层170上涂覆厚度约1至2微米的光致抗蚀剂膜。
透过曝光掩模(未示出)曝光光致抗蚀剂膜并显影，使显影的光致抗蚀剂PR具有与位置相关的厚度。图6中所示的光致抗蚀剂包括多个具有递减厚度的第一至第三部分。第一部分位于引线区A上，第二部分位于通道区C上，基本上不具有厚度的第三部分位于其余区B上，其暴露导电层170的下面的部分。根据随后的工艺步骤中的工艺条件调整光致抗蚀剂PR的第二部分对第一部分的厚度比。优选地，第二部分的厚度等于或小于第一部分厚度的一半，尤其是等于或小于4000。
通过几种技术可以获得光致抗蚀剂PR的与位置相关的厚度，例如通过在曝光掩模上设置半透明区域，以及透明区域和阻光不透明区域。半透明区域可以具有狭缝图案、格栅图案、具有中间透射率或中间厚度的薄膜。在使用狭缝图案时，优选地，狭缝宽度或狭缝间距小于用于光刻的曝光剂器的分辨率。另一实例是使用可回流的光致抗蚀剂。具体地说，通过使用只具有透明区和不透明区的普通曝光掩模形成用可回流材料制造的光致抗蚀剂图案后，对光致抗蚀剂图案进行回流过程，从而流到没有光致抗蚀剂的区域，由此形成薄的部分。
在使用合适的工艺条件时，光致抗蚀剂PR的不同厚度使得能够有选择地蚀刻下面的层。因此，通过一系列蚀刻步骤，得到包括多个源极电极173的多条数据线171、包括多个漏极电极175和多个像素电极174a至174c的多条像素电极线172、以及包括多个突出163的多个欧姆接触条161、多个欧姆接触岛165、以及包括多个突出154的多个半导体条151。
为了叙述的目的，引线区A上的导电层170、非本征a-Si层160和本征a-Si层150部分称为第一部分，通道区C上的导电层170、非本征a-Si层160和本征a-Si层150部分称为第二部分，余区B上的导电层170、非本征a-Si层160和本征a-Si层150部分称为第三部分。
形成这种结构的典型工序如下：
(1)去除引线区A上的导电层170、非本征a-Si层160和本征a-Si层150的第三部分；
(2)去除光致抗蚀剂PR的第二部分；
(3)去除通道区C上的导电层170和非本征a-Si层160的第二部分；以及
(4)去除光致抗蚀剂PR的第一部分。
另一典型工序如下：
(1)去除导电层170的第三部分；
(2)去除光致抗蚀剂PR的第二部分；
(3)去除非本征a-Si层160和本征a-Si层150的第三部分；
(4)去除导电层170的第二部分；
(5)去除光致抗蚀剂PR的第一部分；
(6)去除非本征a-Si层160的第二部分。
详细描述第一实例。
如图7中所示，去除引线区B上导电层170暴露的第三部分，从而暴露下面非本征a-Si层160的第三部分。
图7表示包括彼此相连的数据线171和像素电极线172的导电层170的部分(下文称为导体)。干法蚀刻可以蚀刻出光致抗蚀剂PR的顶部。随后，去除区域B上非本征a-Si层160的第三部分和本征a-Si层150的第三部分。
参考图8，去除光致抗蚀剂PR的第二部分，暴露导体的第二部分。或者同时或者独立地去于非本征a-Si层160和本征a-Si层150第三部分的去除，去除光致抗蚀剂PR的第二部分。通过灰化，去除保留在通道区C上的光致抗蚀剂PR的第二部分的残余。
在本步骤中，完成了半导体条151，附图标记164表示包括彼此相连的欧姆接触条161和岛165的非本征a-Si层160部分，这些部分称为“非本征半导体条”。
去除通道区C上的导体和非本征a-Si条164的第二部分以及光致抗蚀剂PR的第一部分。
如图8所示，可以去除通道区C上的本征半导体条151的突出顶部154，使厚度减少，将光致抗蚀剂的第一部分蚀刻到预定厚度。
这样，每个导体被分成要完成的数据线171和多条像素电极线175，每个非本征导体条164被分成要完成的欧姆接触条161和多个欧姆接触岛165。
接着，通过在约250至1500℃范围内的温度下化学汽相沉积氮化硅，生长低介电材料如a-Si:C:O或a-Si:C:F，通过化学汽相沉积氮化硅，或涂覆具有良好平面性的有机绝缘材料(如丙烯基材料)，形成钝化层180。参考图9，光刻钝化层180以及栅极绝缘层140，形成多个接触孔181、182和183。
最后，如图3和4所示，溅射和光刻厚度范围在约500与约1500之间的导电层如IZO，形成多条冗余数据线191和多个辅助接点95和97。优选地，IZO层的蚀刻包括湿法蚀刻，使用HNO3/(NH4)2Ce(NO3)6/H2O的Cr蚀刻剂，其不腐蚀数据线171和像素电极线172的Al。
通过使用单个光刻步骤形成数据线171、像素电极线172、以及欧姆接点161和165以及半导体条151，本实施例简化了制造工艺。
虽然已经参考优选实施例详细描述了本发明，本领域技术人员可以理解的是，在不偏离在所附权利要求书中所阐述的本发明的实质和范围的情况下，能够对本发明进行各种修改和替代。
Claims (14)
1.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
栅极线和数据线，其形成在绝缘衬底上并相互交叉；
多个公共电极，其与栅极线和数据线分开，并与栅极线形成约7至23度的角；
多个像素电极，其与栅极线、数据线和公共电极分开，平行于公共电极延伸，并与公共电极交替布置；以及
薄膜晶体管，其连接到栅极线、数据线和像素电极。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，其中公共电极包括形成约15至45度的角的第一和第二电极。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括连接公共电极的连接电极和平行于栅极线延伸并连接到连接电极的公共电极线。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括像素电极线，其连接像素电极并平行于数据线延伸。
5.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
绝缘衬底；
栅极线，其形成在绝缘衬底上；
公共电极线，其包括与栅极线形成约7至23度的角的多个分支的公共电极；
栅极绝缘层，其在栅极线上；
半导体层，其在栅极绝缘层上；
数据线，其至少部分形成在半导体层上；
像素电极线，其至少部分形成在半导体层上，并包括与公共电极交替布置的多个分支的像素电极；以及
钝化层，其形成在数据线和像素电极线上。
6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中公共电极包括彼此形成约15至45度的角的第一和第二电极。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列面板，其中像素电极包括分别平行于第一和第二电极延伸的第三和第四电极。
8.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括冗余信号线，其形成在钝化层上并沿数据线延伸，钝化层具有用于数据线与冗余信号线之间连接的接触孔。
9.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在钝化层上的辅助接点，钝化层包括接触孔，其暴露部分数据线并被辅助接点覆盖。
10.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中公共电极基本上平行于栅极线延伸，并且还包括连接公共电极的框架。
11.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，其中像素电极线基本上平行于数据线延伸。
12.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列面板，还包括欧姆接点，其布置在半导体层与数据线和像素电极线之间。
13.如权利要求12所述的薄膜晶体管阵列面板，其中半导体层具有与数据线、像素电极线和欧姆接点基本上相同的平面形状。
14.一种薄膜晶体管阵列面板，包括：
第一衬底；
栅极线和数据线，其形成在第一衬底上并相互交叉；
多个公共电极，其与栅极线和数据线分开并与栅极线形成约7至23度的角；
多个像素电极，其与栅极线、数据线和公共电极分开，平行于公共电极延伸，并与公共电极交替排列；
薄膜晶体管，其连接到栅极线、数据线和像素电极；
第二衬底；以及
液晶层，其插入在第一衬底与第二衬底之间。
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