CN1498449A - 用于能量调节的偏移能量通道装置 - Google Patents

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Abstract

一种选定能量通道和其它元件的混合物,其中能量通道和其它元件至少部分由有序的制造操作形成,并且被制成可操作地连接和/或形成为一个预定组件和/或多个预定组件和/或组件变例的一部分,其可应用和/或操作以保持电气相反和/或互补的能量部分汇合(confluence),它们本身可被装置混合物操作,从而作为受激励电路的一部分经受能量部分的调节。

Description

用于能量调节的偏移能量通道装置
相关申请的交叉申请
本申请为2001年4月30日申请的序列号为09/845,680的序列申请的延续部分,该序列申请为2001年3月22日申请的序列号为09/815,246的序列申请的延续部分,该序列申请为2001年2月5日申请的序列号为09/777,021的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年8月3日申请的序列号为09/632,048的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年6月15日申请的序列号为09/594,447的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年5月26日申请的序列号为09/579,606的序列申请的延续部分,该序列申请为1 999年12月13日申请的序列号为09/460,218,现已被美国专利6,331,926公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1998年4月7日申请的序列号为09/056,379,现以被美国专利6,018,448公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1998年1月19日申请的序列号为09/008,769,现已被美国专利6,097,581公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1997年4月8日申请的序列号为08/841,940,现已被美国专利5,909,350公开的序列申请的延续部分。
此外,本申请要求2001年4月2日申请的美国专利号为60/280,819,2001年4月2日申请的美国专利号为60/302,429,2001年7月2日申请的美国专利号为60/310,962,2000年8月8日申请的美国专利号为60/310,962,2002年1月7日申请的美国专利号为60/的申请的利益。
技术领域
本申请涉及一种预定的基本对称平衡的混合物(amalgam),其以互补的相对偏移的能量通道组,如电极,用来使各种能量部分传播,其中相对偏移的各组可实际上依次用于多路种能量调节功能。可以操作这些装置和/或至少其中选定的变型,作为离散或非离散的实施例,该离散或非离散的实施例可应用和/或可操作用来保持电气相反和/或互补能量部分汇合,该能量部分汇合根据混合物而受到能量调节调节,作为激励电路的一部分。
背景技术
现今,随典型系统应用中电子电路的密度增加,该增加密度引起不希望的噪声副产品,限制了主要和非主要电子电路的作用。因此,对于大多数电路设置和电路设计来说,避免该不希望的噪声副产品的影响,如通过使电路部分隔离或免除不希望噪声的作用,是一个重要的考虑方面。
差模(differential mode)或共模的噪声能量可以由能量通道、电缆、电路板轨迹或轨道、高速传输线、和/或总线通道产生,并且可沿着和/或围绕这些部件传播。在许多情况下,这些能量导体可能起到例如天线辐射能量域的作用。这种类似天线的作用会以较高频率加剧其内的噪声副产品问题,采用原有技术无源装置的能量部分传播可以经受等级增强的能量寄生干扰,如各种寄生性的电容和/或电感。
上述增强部分可能起因于原有解决方案的功能和/或结构上的限制,以及原有技术内在的制造和/或设计上的不平衡和/或性能的缺陷所共同引起的限制的组合。这些缺陷固有地造成或导致操作高度传导以至不希望和/或不平衡的干扰能量连接进入相关电路内,由此使得对所希望的寄生效益和EMI至少部分屏蔽。因此,对于宽频率操作环境来说,这些问题的解决方法使得至少一种以下因素的组合成为必要:输入和输出线的同时过滤,具有各种接地装置或反噪声装置的精细系统布线,以及在与至少部分的静电和/或电磁屏蔽组合时,广泛采取至少部分的隔离。
因此,存在对于自保持的能量通道的需求,该能量通道采用能量通道以及其它预定部件中的简单预定的布置,当其混合到一离散的或非离散的部件中时,可被用在几乎任何电路应用中,以利用从一种能量通道装置取得的至少一种部分物理屏蔽以及至少一种静电屏蔽,而提供有效的、对称平衡的和同时进行的能量调节功能,该能量调节功能选自以下至少一种功能:去耦合功能,瞬态抑制功能,噪声取消功能,能量屏蔽功能,以及能量抑制功能。
附图说明
结合相应附图,通过对以下示范性实施例的详细描述的思考,有助于理解示范性实施例,附图中相同的附图标记代表相同的部件,其中:
图1为一屏蔽电极结构的示范性实施例的最小叠置(stacking)系列的分解图,该屏蔽电极结构根据能量通道装置的多个可能的示范性实施例的其中至少一个实施例而具有带可选的外部″-IM″屏蔽电极的旁路电极。
图2为一屏蔽电极结构的示范性实施例的叠置系列的分解图,该屏蔽电极结构根据能量通道装置的多个可能的示范性实施例的其中至少一个实施例而具有带可选的外部″-IM″屏蔽电极的旁路电极。
图3为一混合屏蔽结构的示范性实施例的分解图,该混合屏蔽结构具有成组的屏蔽结构,该结构的各部分可标记为900″X″并且进一步包括成对的屏蔽电极容器,该容器的各部分可标记为800″X″。其中根据所述能量通道的多个可能的示范性实施例的其中至少一个实施例,显示出中轴999,线999B和999C也如此显示,其中每条线代表一剖面。
图3B为根据图1所示实施例的多能量通道装置的示范性实施例的999B部分剖视图。
图3C为根据图2所示实施例的多路能量通道装置的示范性实施例的999C部分剖视图。
图4A为多个可能的能量通道装置实施例中至少一个实施例的半透明的俯视图。
图4B为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图4A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图4C为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999C剖视图,该能量通道装置与如图4A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图5A为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的半透明的俯视图。
图5B为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图5A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图5C为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999C剖视图,该能量通道装置与如图5A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图6A为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的半透明的俯视图。
图6B为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图6A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图6C为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999C剖视图,该能量通道装置与如图6A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图7A为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的半透明的俯视图。
图7B为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图7A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图7C为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图7A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图8A为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的半透明的俯视图。
图8B为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图8A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图8C为所述能量通道装置的多个可能的实施例中至少一个实施例的999B剖视图,该能量通道装置与如图8A中所示的预定能量部分的各种选定区域交互作用。
图9A示出了描绘典型“分裂式”电极结构的典型屏蔽能量通道的部分带有偏移的顶平视图。
图9B示出了图9A的侧视图的一部分。
发明内容
本申请为2001年4月30日申请的序列号为09/845,680的序列申请的延续部分,该序列申请为2001年3月22日申请的序列号为09/815,246的序列申请的延续部分,该序列申请为2001年2月5日申请的序列号为09/777,021的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年8月3日申请的序列号为09/632,048的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年6月15日申请的序列号为09/594,447的序列申请的延续部分,该序列申请为2000年5月26日申请的序列号为09/579,606的序列申请的延续部分,该序列申请为1999年12月13日申请的序列号为09/460,218,现已被美国专利6,331,926公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1998年4月7日申请的序列号为09/056,379,现以被美国专利6,018,448公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1998年1月19日申请的序列号为09/008,769,现已被美国专利6,097,581公开的序列申请的延续部分,该序列申请为1997年4月8日申请的序列号为08/841,940,现已被美国专利5,909,350公开的序列申请的延续部分,在此可结合这些专利作为参考。
此外,本申请要求2001年4月2日申请的美国专利号为60/280,819,2001年4月2日申请的美国专利号为60/302,429,2001年7月2日申请的美国专利号为60/310,962,2000年8月8日申请的美国专利号为60/310,962,2002年1月7日申请的美国专利号为60/的申请的利益。
应理解,附图和说明书可以说明能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,且其已经过简化以便说明那些关系到对于多个可能实施例中的至少一个实施例的清楚理解的元件,同时为简明起见,省略了许多其它可以在典型能量调节装置、系统和方法中找到的元件。那些本领域普通技术人员会认识到,为了构成能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,可能还希望和/或需要其它元件。但是,因为此类元件是本领域公知的,并且因为它们无助于更好理解地在此所述的任何示范实施例,因此在本文中没有提供对这些元件的详述。在此以下说明系涵盖对于能量调节装置、系统、和/或方法的所有此类变形或变动,这对于本领域技术人员是公知的且显而易见的。
在此经常使用的“能量通道”一词,根据能量通道装置的多个实施例中的至少一个实施例,可以是至少一个或多个导电材料部分,每一个部分可操作用于能量部分的连续传播。能量通道可以是导电和/或通过物理构成方式成为导电的,其相比于直接连接或相邻于能量通道的不导电的或半导体材料可更好地传播各种电和/或能量。
由于能量通道装置内的能量通道的方向和位置,在能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例中,能量通道可以通过允许对于那些能量部分的各种同时能量调节功能而有利于能量部分的传播,因此它也允许带有传播中的其它互补能量部分的各种能量部分相互作用。
一个能量通道可以包括能量通道部分、整个能量通道、能量通道,和/或导体、和/或能量导体、和/或电极、和/或至少一个处理产生的导体、和/或电极、和/或屏蔽。多个能量通道可以包括多个装置或元件,其中每一装置或元件均在相对于能量通道而进行了讨论。
一种类型的能量通道可以包括屏蔽。屏蔽可以包括屏蔽能量通道、屏蔽能量通道部分、被屏蔽能量通道部分、被屏蔽能量通道、和/或被屏蔽导体、和/或被屏蔽能量导体、和/或被屏蔽电极、和/或至少一个处理产生的被屏蔽能量通道部分、和/或被屏蔽导体、和/或被屏蔽能量导体,和/或“被屏蔽电极”。多个屏蔽可以包括多个以上关于屏蔽所讨论的装置或元件。
一种类型的能量通道可以是导体和/或电极。在此经常使用的有关能量部分传播单独的互补定位的和/或定向的导体,和/或能量导体和/或电极,例如可以包括一对物理相对的或彼此相对地定向的导体和/或电极,其可由此成为电气互补和/或电气差动的。进一步说,在此经常使用的导体和/或电极可以包括例如一个单独的导电材料部分、诸如电阻性引线的电线、导电材料部分、诸如由至少一种介质801和/或例如分隔部分以及类似物分隔开的电气平板。
在一说明性的实施例中,能量通道装置可以包括至少一屏蔽,其整体或部分位于至少一部分被屏蔽能量通道处,和/或作为关于至少一个隔离的和/或电气上隔离的至少两个能量通道对的导电屏蔽结构,如电极,如互补的成对电极。
此外,在可用于保持互补能量部分汇合和/或交互作用的、可能经受能量调节的能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例内,在此经常使用的术语“AOC”813可包括至少一部分预定和/或选定的三维区域。因此,AOC 813可以是各种选定和/或预定的和/或排列的成对能量通道和屏蔽的预定制造工序的结果,其中的这些通道可以允许由能量传播引起的能量调节功能,该功能发生或作用在AOC813内通过的互补传播能量的各部分上。
在此使用的术语“ALI”可以包括能量通道装置的多个可能实施例中至少一个实施例的一预定和/或选定的三维空间的一部分,其可用于较可比较的AOC 813更少地保持互补能量部分汇合,这至少部分是由于这样的事实:ALI可以是或例如包括空间、空白或非电性物理区域、绝缘区域、或诸如由能量通道的布置所产生的区域这样的另一类型区域,这导致缺少能量通道装置的至少一部分,而否则的话允许有更为平衡的能量汇合的交互作用。例如,ALI可以构成为或可以包括:分别标为806、6400、666 6300和6500的部分,因为这些6400、806、666 6300和6500区域与可比较AOC 813相比,可以具有更少的能量调节和/或平衡交互作用和/或汇合能力。
另外,在此经常使用的“外界”或“外部”可以包括位置接近和/或超过以上所定义的AOC 813的典型有效能量调节范围或影响空间或区域。在此经常使用的外界或外部,不一定与AOC 813隔离,并且不一定与包括在能量通道装置中和/或AOC 813中的其它元件不接触。因此,例如在此使用的外界或外部可以应用到关于AOC 813的电极延伸部79′X′的全部或大部分位置,而与该电极主体部分80的接触关系无关。
在描述的能量通道装置的实施例中,例如图1、2、3、7A示出的其中一个实施例,其中各种传播中的能量部分可以是互补的,能量通道装置在设置到电路装置中后,可以允许在该能量通道装置的各能量通道的特定部分内和/或沿着该特定部分的能量传播,从而允许电极源磁场的相对移动部分的相互间交互作用,该电极源磁场通过能量场电流从每一互补导体向外发散产生。可能产生相互间抵消作用,其中某些电极可以部分或全部地与其它互补电极物理屏蔽,并且可被放置在影响距离内。此外,对应互补电极在尺寸和形状上的基本相同、电极的空间分隔关系、屏蔽的内部位置、以及电极的电气隔离关系可有助于该相互抵消作用生效。
此外,根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,互补电极可以在形状、尺寸和/或位置上基本相同,并且可以受到动态部分位于同时操作的屏蔽结构内的多个屏蔽,其中静电屏蔽可以影响通过或围绕该屏蔽结构传播的能量部分。结合本领域对制造公差和/或技术中通常采用的制造方法的公知常识,如原始设备制造商(OEM)在此处描述的能量通道装置的构造内可采用的制造方法,本领域普通技术人员可以理解,基本类似或相等的尺寸或成形、互补的尺寸或成形、或相同或相等的尺寸或成形、或类似术语的使用。
尽管在屏蔽期间对于相应互补导体的每一部分而言静电屏蔽可以是相互不相容的,动态屏蔽另外由特殊的预定的相对定位而在能量通道内部产生,该定位使得静电屏蔽取决于多个变量,该变量包括但不限于预定的物理位置和每一对应互补电极部分的位置,在各个电极部分的激励期间,能量传播通过这些位置。例如,选定电极和/或屏蔽的预定混合物可以至少部分上使用一有序制造操作来形成,该有序制造操作例如被用来制成多功能能量调节器。
因此,可以使上述动态屏蔽操作至少部分地依据对应互补电极的第一个电极相对于对应互补电极的第二个电极的预定位置,其中互补电极的第一个和第二个可以彼此互补,并且由此形成“配合对”。此外,可以使屏蔽操作依据该配合对电极相对于导电静电屏蔽结构的至少一部分的相对位置。至少在此讨论的互补能量调节功能和静电屏蔽动态可以作用于在AOC 813内沿着各种预定能量通道而在各个方向上传播的各能量部分,并且可以与能量通道装置的例如预定的主电路内的电路操作同时工作,其中主电路必需有预期的主电路特征。
根据能量通道装置多个实施例中的至少一个实施例,一电磁/静电激励的阻抗状态的次组合可以沿着能量通道装置的一部分或在其之内,和/或沿着紧密连接的预定的外部导电部分或在其之内形成,其中所述外部导电部分电气上相连接至屏蔽能量通道,从而构成预定的能量调节电路。这些电磁/静电激励的阻抗状态可能例如由于成对的能量通道的激励而形成。
根据在此讨论的能量通道装置的多个实施例中的至少一个实施例,每一屏蔽可以包括一主体部分81。主体部分81可以整体上和电气上彼此连接,并且同时可以基本上封闭和屏蔽电极的主体部分80。可替换地,共同屏蔽的主体部分81可以仅部分封闭和/或屏蔽电极主体部分80。
根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,由于对称的有些叠置的屏蔽能量通道、互补能量通道的大小和形状、和互补能量通道相对于彼此的相互定位和配对,会产生一个平衡对称的能量通道装置。可以产生能量通道的可制造的平衡和/或对称的物理布置,其中动态能量传播和/或诸如互补能量传播或参数的各种动态参数的交互作用或配对或构成,不能被同时测量和/或可以在低于典型测试设备的精度的基本限度的情况下操作。这样当这些互补能量参数的各部分在一空间范围内同时交互作用时,该空间范围例如是AOC 813,例如是平行于测试电路、能量部分和/或其相互作用的空间,可以超过典型测试设备的量化范围,并从而可以处于“测试底(testing floor)”之下。
由于维持相对于一固定或假想的点或中心参考轴和/或点999的互补的平衡对称的元件的预定布置,可获得一种测试能力或期望的结果,如电气增强或特征变化。
因此,能获得测量值的范围可以是可控的,并因此而通过预定所需要的可测性或特性或待提供的电气增强、通过元件的布置、且通过用以提供所需可测性或效应的元件的布置,可以控制电气特性或电气特性的效应。例如,通过变化至少一能量通道对的互补平衡、尺寸、形状和/或对称的至少一部分,可以预定受到所需增强的所期望的电气特征和/或变化,如以下关于能量通道多个实施例的其中至少一个实施例所述,且如图4~9中所示。
因此,诸如能量交互作用的范围、相互能量传播时间或干扰这样的变量,例如可以通过对能量通道装置内的各项公差施加控制而得到控制。这些公差可以成为可控的,例如通过手动控制制造过程,或通过诸如半导体过程控制这样的计算机公差控制。故可使用诸如本领域技术人员显而易见的无源装置处理这样的制造过程,形成示范实施例的能量通道,其制造中的公差对于本领域普通技术人员是显而易见的。根据本领域中对那些术语的通常理解,相互能量部分传播时间或测量可因此而通过示范实施例的能量通道装置的形成而被取消或排除。
因此,可采用至少一种预定的制造过程以产生能量通道装置,导致在混合电子结构内的电极的相对定位分组的依次定位的布置,其中该混合电子结构具有预定能量通道的平衡分组。所述预定能量通道的平衡分组可以包括一预定的电极结构,其具有电极的叠置层次,电极在数量上对称且互补,彼此互补地定位和/或基本上等距地位于中心位置屏蔽的每一侧,其中每一个屏蔽能量通道可以提供用于整个电极层次的至少一部分对称平衡点。这样,预定的有差别的/或互补的尺寸、形状、和/或位置的电极可以呈现于中心位置屏蔽的每一侧。由此,能量通道被对称地分为一种预定互补的物理形式,其可包括成对的差分(differential)和/或互补尺寸和/或形状的电极的反向镜象定位,该电极夹持(sandwich)至少一个插入的屏蔽。这种说明性的实施例可称为对称互补能量通道装置,并且例如可包括以上刚刚讨论的实施例的反射或旋转的转换。
能量通道装置可以另外包括导电结构、电极部分、电极终端元件,或诸如那些能够用于将能量通道装置的元件连接至外部装置、电路或电路部分的导电部分。此外,对本领域普通技术人员而言显而易见的是,能量通道装置可以通过连接和/或电气上相连接到至少一个预定的外部装置、电路或电路部分,而成为可操作(例如)用于预定效应,如输入的外部能量的调节。例如,能量通道装置的至少一部分预定性地电气上相连接到至少一个外部装置、电路或电路部分,可以允许特殊得到的能量调节功能施加于至少一个能量部分,该能量部分传播至、来自和/或通过外部装置、电路或电路部分以及至少一个能量通道的至少一部分。该至少一能量部分可以包括互补能量、电性相反和/或电极相反的能量部分。此外,能量通道装置可作为一离散部件工作。
根据能量通道装置的多个实施例中的至少一个实施例,每一电极可以例如是衬底、沉积物、蚀刻物、例如掺杂工序的产物,且屏蔽可以例如是电极衬底、沉积物、蚀刻物、例如掺杂工序的产物,并且例如可以具有阻抗特性。
根据能量通道装置多个实施例中的至少一个实施例,屏蔽可以同时操作用于至少两种能量调节功能,举例来说,诸如给一电路提供低阻抗能量通道,和/或公共参考电压,和/或图象平面功能,和/或能量阻滞功能,其中举例来说,如图3A所示的屏蔽能量通道400,作为可操作用于静电屏蔽的至少部分物理上插入的至少一种屏蔽和隔离而工作。可以提供这些功能,例如其中一个屏蔽能量通道夹持在一互补电极对的各相同尺寸的互补电极的至少一部分之间。相同尺寸的互补电极的使用例如可以允许能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例的各种许多可能的变型的经济构造。例如,能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例的内部平行互补能量通道的紧密布置,可允许低阻抗能量通道或阻滞功能的形成,其可在一屏蔽能量通道上或沿该屏蔽能量通道形成,不与直接被激励电路的操作合成一体,也不直接连接到内部的平行互补能量通道。
在能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例内可以发现至少一第三能量通道,其一部分可以是接近于,或非直接地毗连于和部分地环绕——如果不是全部则是环绕大部分——至少部分的第一和第二能量通道。由此,根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,可以提供至少两个,但也可为三个或更多的隔离的能量通道。例如,其中第一和第二能量通道可以为差分和/或互补能量通道和/或供能/返回通道的至少一对中的至少对应的一个,同时至少有一第三能量通道可以通过至少介质801和/或材料部分801的部分而在物理上和电气上与第一和第二能量通道隔离。
根据能量通道的多个可能实施例中的至少一个实施例,至少有一第三能量通道可以用于在电气上相连接至电路和/或总线线路和/或隔离地线和/或隔离的导电区域和/或外部导电区域(未全部示于图中)的预定部分,例如除了利用例如电路和/或总线线路的至少第一和第二预定部分以外,可操作而从电气隔绝其彼此的直接物理连接,从而提供一种宽带频率旁路和/或退耦的装置。
该能量通道装置可从而减小、抑制、退耦、过滤——或者否则的话改变——希望或不希望的电气或电磁发射,举例来说,诸如那些通过与具有外部连接和定位的电路部分或装置结合的布置而由差模和共模电流所引起的电气或电磁发射。此外,所述能量通道装置可以提供在该屏蔽能量通道内的平衡,该屏蔽能量通道可以包括由奇数个叠置屏蔽电极形成的屏蔽结构,其中该整个屏蔽结构对邻近所述屏蔽能量通道的成对互补电极施加一平衡效应。
因此,虽然能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例允许平整和能量调节操作,但是平整和/或能量调节操作的各种期望的等级可以是与期望的能量调节相反的预定函数,这是因为主体互补电极部分80的各种各样的和对应的预定配置从整体上彼此对抗,而且作为对和/或对抗主体屏蔽电极部分81。这些所期望的功能可能部分是由于其它关系所引起,如各种各样的和对应的相对尺寸的不同、总体相对于和对应于诸如800/800-IM的能量通道的支点能量通道的对称和/或平衡的布置,和/或位置和/或布置的互补性,以及屏蔽和/或屏蔽电极叠置或期望的被允许的能量泄漏,和/或能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例内和/或在新的能量通道装置族群的多个可能实施例中的至少一个实施例以外的某些元件的非连接和/或非连接。
此外,能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例可以被置于电路、装置或电路部分内,并且可受到激励以在所需的和/或预定的频率范围上提供电磁干扰(EMI)过滤,例如同时的差模和共模过滤。对本领域技术人员显而易见的是,预定的频率范围作为选择,其可以为或宽或窄,且其取决于电极,和/或介质801,和/或屏蔽选择,和/或元件部置选择。对于新的能量通道装置族群的多个可能实施例中的至少一个实施例,可以同时采用差模或共模过滤功能,从而在许多情况下提供浪涌保护功能,其也可用于电源和能量使用负载之间的电路连接。
一示范性实施例的成对的多层偏置电极的预定位置上的改变可以为,例如构造在一基本上旁路或穿心(feed-thru)构造内的,并且可以形成为单芯片或多端子或多点电极芯片阵列组件的各部分,其举例来说可以如在此所述的与各其它接近和/或邻近的偏置电极整体或部分地从物理上屏蔽。尤其是,示范性实施例的能量通道可以在至少一个预定的装置内包括一无源叠置的屏蔽和电极结构,以用于相对宽频的能量传播,而不产生退化或例如激励时产生的故障。
在能量通道装置的多个可能实施例中至少一个实施例的更为特殊的实施例中,具有预定期望调节特性的材料801可以被插入和非导电地连接至环绕诸如能量通道的导体和/或电极的各种元件的大多数点,以便提供在能量通道和/或电极之间的间隔,和/或有利于在能量通道内的导电部分之间的连接,和/或隔离装置中的电极,和/或提供结构支持,和/或提供装置中的屏蔽和电极之间的恰当间隔距离。
这些材料801可以例如相对于电极而以通常包封和邻接的关系定向。在每个材料801整体上,或各材料801之间,材料801可以不具有均匀特性,并且非均匀性可能改变所述能量通道装置的全部或部分的电气特性。材料801或其中的各部分可以选自绝缘体,包括空气、半绝缘体、包括介电常数为高K和低K的介电材料、电容材料、电感材料、铁磁材料、铁氧体材料、页岩(shale)材料、金属氧化物材料、可变电阻材料、叠片材料、化学掺杂材料、多层材料、半导体材料,该半导体材料例如为硅、锗、镓-砷和砷化镓,或这些材料或其它材料的混合物或组合物。在一典型实施例中,材料801包括有绝缘特性,举例来说,其例如为X7R、MOV或COG材料801。此外,例如聚酰亚胺聚合物可以应用作为材料801,其形式为软膜,由苯均四酸二酐和四种二氨基二苯基醚之间的缩聚反应产生,或由任何此类物质的衍生物产生,该聚合物还可另外与其它聚合物或材料结合,这对于本领域普通技术人员是显而易见的。
应该指出具有预定特性的材料801的部分可以不设置为与导电材料隔离。在这种情况下,材料801首先可以不必应用或操作而接受电极材料沉积,但是其后可使其能用来接受这些沉积,使得其中的电极799或能量通道材料799部分地是通过一种处理而取得,或部分或整体地通过该处理而产生,该处理包括将至少已经被从化学上改变、操作、掺杂或以催化剂处理的材料801的至少一部分,由半导电或不导电的初始状态转化到导电状态。
此外,在能量通道装置的多个可能实施例的其中至少一个实施例的这一更为详尽的实施例中,如导体和/或柔性导电材料制成的能量通道,可以选自银、银/钯、铜、镍、铂、金、钯和/或其它金属,和/或电气制成材料,和/或其组合物,并且这些导体可以与如金属氧化物之类的电阻材料结合,其中该金属氧化物例如为钌氧化物,该电阻材料可以在适当的稀释度被稀释,从而形成能量通道。能量通道可进一步包括,和/或通过以下用以形成导电材料的物质和处理而被形成:举例来说,如聚酯薄膜或印刷电路板材料;多晶硅的掺杂;烧结多晶体;金属;多晶硅硅酸盐;或多晶硅硅化物。此外,各种混合聚合物薄膜、等离子处理表面、真空沉积、金属化薄膜、箔式电容、无源装置的PP和PPT、具有等离子处理表面的辐射固化丙烯酸盐聚合物,如在此结合作为参考资料的美国专利6214422中传授的,可以被用来形成能量通道。本领域普通技术人员明白,能量通道可能不具有整体上的均匀特性,并且在各能量通道之间可能不具有恒定的特性。
例如,根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,一薄膜无源器件可以使用诸如那些具有至少0.5J/cm.sup.3能量密度的多层无源元件来形成,其中可有至少三个交错的真空沉积的金属电极层,其中每一电极层被沉积或真空沉积的、固化或辐射固化的聚合物介电部分所隔离,该聚合物介电部分通过首先沉积单体层并通过辐射固化该单体层而形成,从而限定电极有效区域。这些交错的金属电极层多数可以被单层或多层、喷溅或焊接的材料部分或为导电材料所覆盖的终端部分终止在每一对应外周边缘部分。该装置的形成例如可以包括在真空中进行的连续的单步处理(one-step process),其中每一电极可以通过金属蒸发形成。可重复在聚合物层上形成金属层,从而形成多个不同的交错的、真空沉积的金属电极,该金属电极为真空沉积、辐射固化的聚合物介电部分所隔离。然后可以将多层无源元件切割为多个多层无源元件,如通过沿着第一方向切割从而形成一单个无源能量调节条,该单个无源能量调节条可随来被沿着垂直于第一方向的第二方向切割为单个无源能量调节元件。通过切割每个无源能量调节元件,电极层可以沿着垂直于一相对电极端的电极边缘而被设置进或置入聚合物层内,而该相对电极端例如并非一定要设置进或置入该聚合物层内,由此形成非导电部分或区域,其可防止沿着垂直边缘或外围部分的各电极层之间的电弧和/或泄漏电流。
在这一更详尽的实施例中,具有基本相同的形状和尺寸并且彼此电气上相连接的至少第一、第二和第三屏蔽,夹持具有基本相同的尺寸和形状的至少第一和第二电极,其中第一电极可以被至少部分地夹持在第一和第二屏蔽之间,并且其中第二电极可以被至少部分地夹持在第二和第三屏蔽之间。第一和第二电极可以至少部分地,或者也可以全部地彼此隔离且屏蔽,并且可以被设置在彼此相对呈对称和/或互补的装置内,其中第一和第二电极可以各自具有至少一个相应的面对面的电极区域,其与至少另一个相应区域的尺寸基本相同,并且其中第一和第二电极可以各自具有至少一个相应的非面对面的电极区域,其与另一个相应非面对面区域基本相等。任一面对面区域、非面对面区域、电极和/或屏蔽可以为柔性的、半柔性的、或刚性的。
然后该能量通道装置可被连接至一较大的电路装置,例如用于测量或控制。一电路装置的电路可以例如反映(evidence)相邻电极内部的相对压力的电压分割和平衡,和/或可以允许在该电路装置内的最小化的滞后或压电效应。在原有技术中可以经常见到这些效应,其中需要开关反应或特定时间限制以提供瞬时能量传播,并且这些效应可以通过示范实施例的使用而得到纠正。因此,带有能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例的实施例,举例来说,可以出现在一旁路或穿心(feed through)构造中,作为同时在公共参考能量(energyreference)的两个电气侧上的开放能量传播,其例如为上述讨论的第三能量通道,例如为从一能量源至一对应负载和/或从该负载返回至该能量源的所连接或连接的能量入口和能量出口通道。根据能量通道装置的多个可能实施例中的其中至少一个实施例,所述能量通道的替换电极和材料可以作为一能量调节器工作,其在接近1000伏电压下有效,带有毫微法(nF)至1法(F)范围的电容,至少部分地取决于设置在所述屏蔽之间的电极对的整体尺寸和数量。
在这一更详尽的实施例中,所述装置的其它元件可以定位成彼此基本成平行关系,和/或某些元件可以定位成垂直关系。所以,能量通道可以水平放置或垂直放置。在此描述的所有元件可以例如包括:非隔离的和导电的孔;或导电通孔,且仍旧维持与相邻元件或电路的独立的电气关系。
可出现示范实施例的不同的容性平衡或公差平衡特征,并且其可以通过在元件定位、尺寸和间隔以及连接定位中的变化而受到控制,且可以允许能量通道装置例如以3%内部容性公差来制成。以下将进一步讨论关于图4~1O的平衡。这种内部平衡可以传递给(pass to)连接或连接且受激励的电路该相关的3%容性公差。
参看图1、2和3,能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例具有互补能量通道和/或屏蔽能量通道,其每一个可分别包括伸长的伸长物或延伸物,如电极引线部分812″XX″和79G。互补能量通道和/或屏蔽能量通道的主体部分80和81可分别包括或电气连接至这些电极引线部分812″XX″和79G。具有主体部分80以及812A1的伸长物812″XX″的能量通道可以使主体部分80至少部分地出现在附近或邻近的夹持的屏蔽能量通道和/或对应的主体部分81之间。
图1~3示出了根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例而使用的盒状导电屏蔽结构的一部分。图3A示出了与图1~3相同的盒状屏蔽电极结构400的一部分,图3B和3C中示出了用于相似实施例的类似剖面999。图1中,示出位于中心的且一般共用的屏蔽能量通道800/800-IM设置在部分800-P或具有预定特性的材料801的部分之上。分别设置在材料部分801或材料801的板之上的能量通道800/800-IM、旁路电极855BT和855BB可以分别是855BT-P和855BB-P。板855BT-P和855BB-P可以至少是具有预定特性的材料801的一部分,其被置于通常基本平行的连续叠置内,该连续叠置被设置成夹持共用的位于中心的屏蔽能量通道800/800-IM-P。
屏蔽能量通道800/800-IM,以及旁路能量通道855BT和855BB,可以设置为对称的、成反向镜像的关系且基于叠置的序列制造操作,如以上的一般描述。这种定位例如可导致屏蔽能量通道在旁路能量通道855BT和855BB之上和之下,以及位于中心的通道800/800-IM之上和之下的叠置,如图1、图2和3C所示。
位于旁路通道855BT和855BB之上和之下的,例如可为一介质材料801。位于中心且共用的屏蔽能量通道800/800-IM和屏蔽能量通道815/810,和可选择的屏蔽能量通道855/855-IM和850/850-IM,以及不同的旁路能量通道855BT和855BB,可以各自包括通常为材料801的平行插入或设置所分隔的主体部分81和80。
各屏蔽能量通道可以被基本对齐,使得叠置的对准关系导致基本上所有屏蔽能量通道边缘805在公共的共用的外围边缘对齐。边缘805可以定位成围绕每一屏蔽能量通道的共面的外围,并可包括各个对应屏蔽能量通道内部的主体部分81和诸如上述伸长物79G的邻接伸长物。
邻接的电极伸长物79G可以对齐导电材料799的部分,其与各屏蔽能量通道855/855-IM、845、835、825、815、800/800-IM、810、820、830、840和850/850-IM邻接地形成,如图1~3所示,并且其制造或生产的方式使其分别离开各自主体部分81而向外围和/或边界边缘817延伸。每一邻接伸长物79G可以最终分别连接至导电部分802B或802A。除了包括至少共用一个公共的彼此连接的导电连接的屏蔽能量通道外,互连的导电屏蔽结构还包括环绕(wrap-around)结构的导电材料部分802,其围绕能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例的主体延伸至少270度至360度,以由此对每一屏蔽能量通道855/855-IM、845、835、825、815、800/800-IM、810、820、830、840和850/850-IM的边缘805的部分提供多个电气连接位置,和/或由此根据至少一个实施例而提供对于至少四侧中的至少三侧上的全面额外屏蔽隔离。能量通道装置的多个可能实施例中的该至少一个实施例也可以使用实施例的离散片段(discrete chip)形式,从而取消对802A和802 B部分的需求,并且使用位于外部的能量通道,其非导电地连接到至少一个互补能量通道对的互补能量通道。注意在此结合作为参考资料的1997年4月8日申请的美国专利5909350中包括有导电材料部分802的一实例,并且可以用于说明该概念。注意对于层的数量、平衡元件的位置安排、以及将这些不同元件分开的距离关系,一预定的、位于中心的屏蔽能量通道可供作为平衡的三维对称层装置的平衡点或支点/分隔器,因此对于屏蔽的至少一部分,存在着维持和允许平衡的三维对称的最终布置,从而通过利用对离散实施例所采用的导电材料802的单个的“环绕”方式的应用,允许共用对于位于外部的能量通道的至少一个公共电气连接,由此取消相同导电材料802的两个“非环绕部分”,其在此标为802A和802B,其中如802A和802B的导电材料部分可以导电连接至一位于外部的公共能量通道。
应该指出基本上能量通道的所有主体部分81可以相对于一预定的外部边缘817至少偏移一平均预定距离814。此外,能量通道855BT和855BB可以从屏蔽能量通道的对齐端的外部边缘805偏移一附加的距离806,使得能量通道855BT和855BB其中任一个的外部边缘803的一部分可以通过叠置的屏蔽能量通道的边缘805对齐的部分而叠置。因此,能量通道855BT和855BB可以包括一导电区域,该导电区域可操作用于能量部分传播,其小于任何给定屏蔽区域的可操作用于能量部分传播的区域或其可操作用于能量部分传播的导电区域,其中该给定屏蔽区域可操作用于能量部分传播。这样,任一夹持屏蔽能量通道可以具有顶部和底部区域,其面积总和大于任一互补电极的顶部和低部的可操作区域的面积总和。
根据能量通道装置的多个可能实施例中的其中至少一个实施例,当导电材料部分802A和802B可从电气上相连接预定屏蔽805的一部分时,其可作为电路的一部分工作,其中差分通道至少部分地被至少两个屏蔽夹持在中间,并且其中每一差分电极在总体尺寸上小于每个叠置屏蔽,差分电极可在叠置屏蔽内偏移,由此产生间隙区域806。因此,至少两个叠置的屏蔽能量通道中,其每一个的至少一部分可以不被电极直接阻隔在该至少两个屏蔽能量通道之间的视线(line of sight)。在图3A的典型实施例中,单个的盒状结构800E可为单个盒状结构800D的镜像,只是差分电极855BB可对于差分电极855BT相反地定位。
能量通道引线部分79′X′,812′X′和或798′X′最好为导电的。这些电极引线部分79′X′可布置成在能量容器主体的不同侧面部分的侧面上相对的互补成对的关系,并且可被一较大的屏蔽电极8″XX″隔离。
885BT、865BT、855BB、875BB的差分电极组,以及875BT、855BT、865BB、885BB的差分电极组,可以处于预定序列和三维定位的图案内,处于一般导电的盒状屏蔽结构内,如图3A所示。
例如,图3A中示例给出的结构800C、800D、800E、800F和800G,当被单独取出时,包括六个屏蔽825、815、800/800-IM、810、820、830,当屏蔽结构900A、900B、900C工作时,这六个屏蔽825、815、800/800-IM、810、820、830可以为预定交错的叠置方式,使得可操作的屏蔽结构900A使用屏蔽800/800-IM、810、820,而可操作的屏蔽结构900B使用屏蔽815、800/800-IM、810,同时可操作的屏蔽结构900B使用屏蔽810、820、830。值得注意的是,屏蔽810能被所有三个可操作的屏蔽结构900″X″使用。800E和800F共同构成一单个的且较大的公共导电盒状屏蔽电极结构900A,其起到成对被屏蔽导电容器的作用,800E和800 F也分别构成900C和900B的部分。
每一容器800″X″在较大结构900″X″内可以包括相同数目的同样尺寸的差分电极,它们不一定是物理相对的。每一容器800″X″可以定向成大体一致的物理和电气上平行且共同的方式。较大的盒状导电屏蔽结构900A具有相互作用的800E和800F各自的屏蔽状(shield-like)导电结构,其受到激励并且由导电材料802A和802B例如通过回流焊接、导电环氧树脂、粘合剂等连接至相同的外部公共导电路径区域(未示出),这对本领域技术人员是显而易见的。
图1中,相对于差分电极855BT和855BB之间的插入物,在外部的两个附加的夹持屏蔽能量通道815和810之内的中心屏蔽能量通道800/800-IM形成一未被激励的盒状屏蔽电极结构900B。中心屏蔽能量通道800/800-IM可以由此而被两个差分电极855BT和855BB同时使用,但是相对于充电开关产生相反的结果。偏移距离和区域使能量通道800/800-IM屏蔽延伸到超过能量通道855BT和855BB对齐,以便提供对于能量通量场各部分的屏蔽,该能量通量场各部分若非由于这种被激励的法拉第类的笼式系统的静电屏蔽效应就可能延伸超过能量通道855BT和855BB的边缘803,而上述静电屏蔽效应导致其它能量通道855BT和855BB之间、和/或与之连接的外部差分能量通道之间的近场连接的减少。
水平806区域例如可以为大约0至25+之间、或更多倍的能量通道855BT或855BB与屏蔽能量通道800/800-IM之间的垂直距离。偏移距离806可为特定应用而受到优化,但是在个对应通道间的叠置的806的所有距离最好大约相同。只要图2的静电屏蔽例如不是整体综合平衡的,在通道间的区域806内的微小尺寸差可以无关紧要的。
为了将电极855BT或855BB连接至位于855BT或855BB外部的,如分别在800B的任一侧上的外部能量通道,能量通道855BT和855BB可以具有一个或多个部分812,其通过延伸物812A和812B延伸超过叠置屏蔽800/800-IM、810和815的边缘805。上述延伸物可以依次在电气上相连接至材料890A和890B,其使旁路能量通道855BT和855BB电气连接至在通道屏蔽800/800-IM的任一电气侧上的外部设置的差分能量通道。多层元件可以包括至少一种材料890A和/或890B、和多个电子端子部分802A和802B,其中每一材料890A或890B可以在电气上分别连接至图2所示的至少第一电极或第二电极。例如,多层元件可以被设置成一用于多处理单元的去耦合电容、一连接器组件、一旁路和去耦合电容、一旁路电容阵列、或一穿心电容器排列,这是由于至少三个元件能够提供同时的消除和/或抑制和/或其它能量调节功能,如同时共模和差模过滤。
此外,对于各自成对的互补能量通道主体部分80的屏蔽,出现其中为内部产生的能量寄生充电的容器的笼式效应,或静电屏蔽效应。部分静电屏蔽提供了一种保护,可防止一部分内部产生的能量寄生逸出至邻近匹配的互补的可传导能量通道。静电屏蔽功能也有助于能量寄生的最小化,该能量寄生起因于通过在预定区域内预定互补能量通道的平衡的和/或成比例对称匹配的插入的至少基本封闭或基本物理屏蔽的受激励互补能量通道。
还应该指出,关于图3B和3C,可以利用包含材料801“屏蔽”功能的导电和非导电材料部分的插入,尽管在公共能量通道内包含相对定相的电气互补操作的分隔的非常小距离。当已连接至公共导电部分时,可以进行额外的操作,使得采用各种电性相反而尺寸相等的相对能量通道的能量部分可通过一种平衡的方式而被操作,在公共导电屏蔽结构的各相对侧之间相互作用。
沿着成对的电性相反的传导能量通道传播的各个能量传播部分的异常相互能量流量的抵消,它们可以被相对定相的电气互补操作的直接和间接分隔的其中之一或两者的非常小距离彼此分隔开,同时带有杂散寄生抑制和约束功能,以示范实施例的串联式增强功能性工作。H场范围流量依安培定律沿着传送通道、轨迹、线路或导体或传导层部分传播。在一实施例中,其中可以使能量进入通道和能量返回通道彼此非常接近,几乎直接邻接和带有最小间隔地相互平行,该间隔仅由至少材料801和屏蔽能量通道两部分形成,并且相应互补能量场部分可以被组合用于使各自独立的效应相互抵消或最小化。互补对称的通道离得越近,相互抵消效应就越好。
某些诸如示为#-IM′X′的屏蔽能量通道可以被附加设置屏蔽能量通道,其位于多个可能实施例中的至少一个实施例的能量通道的外部并且紧密邻近夹持以平衡该多个可能实施例中的至少一个实施例的能量通道。
如图3B、图8B和图8C所示,附加设置的外部屏蔽能量通道可被标为-IMO-′X′。附加设置的内部屏蔽能量通道可被标为-IMI-′X′,并且是可以选择的,其中8″XX″/8″XX″-IM-C为例外。附加设置的外部和内部屏蔽能量通道也可电气上相连接至其它屏蔽能量通道且彼此连接、连接至被标为8″XX″/8″X″-IM的中心屏蔽能量通道、及连接至至少一个实施例的最终静止形式的多个屏蔽能量通道中的几乎任意其它部件。可设想中心定位的公共能量通道电极8″XX″/8″XX″-IM的附加数量为一奇数,其可附加至现有的中心定位屏蔽能量通道或屏蔽能量通道8″XX″/8″XX″-IM,它们可以提供能加强多路能量调节的特殊和独特的特征。
图3B和3C中,空间间隔距离可使用材料801的部分来填充,材料801的部分例如可标为806、814、814B、814C、814D、814E、814F、814E,并且通常对于装置相关的构造来说是最终的。
间隔或空间距离806、814、814B、814C、814D、814E、814F、814E,例如通常可以为三维间隔距离的一部分或在接近邻近或接近叠置的能量通道材料之间的邻近空间的一部分,其中能量通道材料形成为如814E的能量通道和/或电极部分,并且例如表示屏蔽能量通道825和屏蔽能量通道815之间的关系,并且可以不仅包括互补能量通道865BT的一部分,并且还包括材料801或等同物的至少一部分,从而有助于支持能量通道和间隔或分开所期望的功能。应该指出空间666表示例如可在817外围内或超出817外围的空间,其中可以如在此所述地操作最小的及至完全没有的同时能量调节功能。
在一实施例中,能量通道装置的多层部件可以包括至少三个同样大小且叠置的屏蔽电极,它们能够彼此电气上相连接并且能在具有预定特性的支撑材料上形成。在该具有预定特性的支撑材料上可以通过预定方式形成至少一个第一电极和至少一个第二电极,然后第一电极可被叠置于上述至少三个同样尺寸的电极中的至少两个同样尺寸的电极之间。第二电极可被叠置于上述至少三个同样尺寸的电极中的至少两个同样尺寸的电极之间,并且由此第一电极和第二电极夹持在该三个同样尺寸的电极的中心处的同样尺寸的电极,同时第一电极和第二电极可以相对于该三个同样尺寸的电极具有基本相等的偏移,如偏移一预定距离,并且支撑材料可以将上述三个同样尺寸的电极与第一和第二电极隔离,由此防止在第一和第二电极以及该至少三个同样尺寸的电极间的直接电气上相连接。
因此,第一电极可被叠置于上述至少三个同样尺寸中的至少两个同样尺寸的电极之间,并且第二电极可以被叠置于该至少三个同样尺寸的电极中的至少两个同样尺寸的电极之间,并且由此第一和第二电极夹持上述至少三个同样尺寸的电极中的至少一个中心处的同样尺寸的电极的一部分,从而第一电极和第二电极可以相对于该至少一个中心处的同样尺寸的电极具有基本相等的偏移,以防止在这些形成离散的或非离散的能量调节电极结构的电极间直接的电气连接。
对本领域普通技术技术人员显而易见的是在此讨论的元件的形状、厚度或尺寸可以不同,这取决于电气应用。一个示范实施例的元件可以如上所述是不同的,其中能量通道的布置形成至少两个预定的导电屏蔽容器,其最后产生至少一个较大的、至少部分的法拉第笼式屏蔽结构,其在诸如激励时的某些情况下依次提供屏蔽功能,用于互补成对的差分电极的各部分,该互补成对的差分电极的各部分在一离散或非离散的变例中以所公开的原理工作,如与至少一激励的电路部分结合。
图4A、4B和4C示出了作为互补的对称平衡的能量通道装置的一典型能量通道装置的实施例。尤其参看图4C,其示出了多个连续叠置的能量通道815、855BT、800/800-IM、855BT、和810。这些能量通道可以例如包含具有可变电阻材料特性、或主要为铁磁材料特性、或主要为介电材料特性的材料801,并且可以被806、814、814A、814C、814D、814E、814F如图所示地分隔开。每一后来的能量通道叠置在前一能量通道之上,举例来说,如其中第三通道800/800-IM位于第二通道855BB之上。第一能量通道815可从电气上相连接至第三能量通道800/800-IM和第五通道810,由此产生一组屏蔽。该组屏蔽中每一通道基本上为相同。
一组电极与上述屏蔽从电气上隔离。该组电极包括与第四能量通道855BT从电气上隔离的第二能量通道855BT。所述电极具有相类似的导电面积而布置成彼此面对。每一电极基本具有相同尺寸并小于各屏蔽。
图3A中,所描述的多层部件的实例也可以包括至少一个或多个电极连接材料部分,如890A和890B,用于内部和外部能量通道之间的外部传导“联系”。应该指出连接材料部分,如802A、802B、890A、890B,能够被几乎任何用于电路连接的“联系”或直接连接导电元件的方法所代替。例如,图4B和4C中,所示连接导电元件为通孔导体,如通孔导体888A,其通过本领域公知的通用电气连接技术而连接至至少第一组(plurality)电极885 BT、865BT、855BB、875BB,并且通孔导体888BB另外电气上相连接至至少第二组电极875BT、855BT、865BB、885BB,同时通孔导体777A和通孔导体777B均可以例如电气上相连接至845、835、825、815、800/800-IM、810、820、830、840,如果希望的话,最终分别从电气上共同连接至一外部公共能量通道。
图4A~4C的其它能量通道也可作为至少旁路传播模式855BT、855BB能量通道装置而被操作,其中第一、第三和第五通道815、800/800-IM、800可以作为至少第二能量通道和第四能量通道855BT、855BB的一部分的屏蔽而被操作,并且其中多个通道815、855BT、800/800-IM、855BB、810也可一起作为电容性网络的一部分而被操作。能量通道装置可用于具有浪涌保护功能的共模和差模过滤。多个屏蔽815、800/800-IM、800中的至少一个屏蔽,如示例800/800-IM所示,可以操作用来接收电压偏置和/或分压,接近线对地电容值的一半的线对线电容值。
图4A~4C所示的能量容器可以包括至少两个连接至多个屏蔽的外部叠置电极,该屏蔽可由具有介电、可变电阻或铁磁特性的材料制成,且该叠置电极可作为分压器工作。这两个外部叠置电极在一典型实施例中将从电气上相连接至另一元件,如衬底、电机和电路,以进行受激励操作,以对用作能量使用负载的电路组件进行同时的共模和差模过滤。
根据能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例,图4A至4C的能量调节器操作以防止近场电通量部分从图4A-4C的整个能量调节器的各部分内逸出,同时还保持能量寄生总量的各部分的静电屏蔽。图4A~4C的能量调节器可以作为传感器的一部分、或可操作的放大电路组件的一部分、或者作为离散的或非离散的部件而被操作。在一实施例中,通道、公共能量通道电极、相等尺寸的差分充电旁路电极、和穿心(feed-thru)导电能量通道电极的数量可以通过预定方式成倍地增加,从而产生多个通常为物理平行和电气并联关系的导电能量通道元件组合,该物理平行和电气并联的装置可以相对于在至少一个电路能量源和至少一个电路能量利用负载之间的受激励位置而在电气上并联。这种电路组件构造也可由此产生增大的电容值。
参看图4A~4C,可采用公共的导电屏蔽结构。在此未示出任何用于电路连接的外部导电元件。此外,申请人考虑采用具有特定特性801的材料,其主要分类用于某种特定电气控制功能或效果。这包括一种分层应用,其在例如为超级电容器(super capacitor)应用或毫微尺寸的能量调节结构的制造出的非离散集成电路芯片内,使用非离散电容性或电感性结构或电极。例如,离散能量通道装置可被操作具有由树脂材料制成的材料部分801。类似地,离散能量通道装置的形成可以包含烘烤或加热过程而在30秒时间内将能量通道装置的至少一部分的温度升高至少15摄氏度,或者通过使用光刻法加工。
图5A、6A、7A和8A示出了尺寸和形状基本相同的多个屏蔽845、835、825、815、800/800-IM、810、820、830、840。其中所述多个包括至少第一、第二和第三屏蔽810、800/800-IM、815,其能电气上相连接至777B和777A。第一电极855BB和第二电极855BT可以被设置成在对称和彼此互补的方向上基本相互隔离和屏蔽。第一电极和第二电极各自具有至少一个尺寸相等的相应面对面的电极部分813E。被发现占据一部分ALI区域的非面对面电极区域,如6400、6500,其大小可以基本相同。每一电极可以具有一面对面的电极区域和/或传播区域813E,该区域与其非面对面区域6400、6500尺寸上基本成比例地相等。但是在一实施例中,互补电极的面对面区域可以仅仅是如图所示地部分叠置。此外,在图示实施例中的电极可以不完全被封闭在屏蔽能量通道叠置边缘805的外围内。
图9A和9B中示出了能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例的屏蔽能量通道,并且示出带有各种分裂能量通道结构的至少一个可操作的实施例。分裂能量通道855/855-IMO-1和855/855-IMO-2与非分裂能量通道855/855-IM0类似地工作。除去中心定位的任何预定的800/800-IM屏蔽能量通道是例外,所有的能量通道、屏蔽或电极可包括分裂能量通道结构。相应叠置的间隔紧密的855/855-IMO-1和855/855-IMO-2通道对的分裂构造可包括一薄的导电或导电-电阻材料,其被半导体的或非导电性的支撑材料801的一部分所精细分隔814B,包括绝缘材料部分801,其占有的空间和/或距离814B与诸如855/855-IMO和邻接屏蔽能量通道845之间所发现的空间和/或距离814或814A相比,通常较薄或体积较小,如图8B中所示。在有一些这样的结构中,分裂能量通道有益于允许全部能量通道传播区域增加超过非分裂能量通道的传播区域。
如855/855-IMO的较大的公共屏蔽导体可被包括作为较大的通用屏蔽装置的一部分,其使用分裂通道元件,如用于至少增加能量传播体积,以及增加某些其它能量通道功能,如提供对受激励操作的热量的更好散发。相比于非分裂能量通道,分裂能量通道构造可实质上增加这样构造的能量通道的相对电流承载能力,由此不仅允许相对于非分裂间隔增加整体电流处理能力,还允许具有相同电容的可比部件减小整体尺寸。
在能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例中,每一对应的差分导电能量通道对可采用沿着至少内部屏蔽能量通道的一部分产生的零电压参考镜像节点(image node)。能量调节功能在某些程度上可以始终发生,但是在一预定区域内可能是最佳的,其中接收屏蔽的电路的一部分处于夹持屏蔽通道的轨迹内。
例如,物理屏蔽笼式效应或静电屏蔽效应,其具有与至少部分被屏蔽的能量通道相屏蔽的内部产生的能量寄生的封闭部分的充电容积,可以对于耦合至相同的至少部分被屏蔽能量通道的外部产生的能量寄生提供至少某种屏蔽保护。
此外,带有部分具备预定特性的材料801的传导材料799的选择性插入的预定布置允许实施例操作用于相反充电的活动(active)传导能量通道的分隔的极微小距离。关于中心屏蔽8″XX″或屏蔽800/800-IM的相对平衡和互补对称的装置被用作平衡的相互传导部分的设置支点(fulcrum)。
在平衡的但是移位(shift)的实施例中,沿着成对且电性相反的互补电极传播的能量的至少部分流量场抵消。此外,同时也会出现杂散的能量寄生、互补的充电抑制、和物理的及静电的屏蔽容积。之所以取得这一结果,是由于磁通量能量至少部分沿着能量通道运动,在该能量通道内RF返回路径通常平行于和邻近于相应的源能量通道。在此,可同时测量或观察到相对于返回能量通道的磁通量能量。
当将彼此相对的场结合在一起时,通常就观察到抵消或减小效应。互补的对称定向的屏蔽被连接得越紧密,所产生的对于相反能量传播的彼此相反的抵消效应就越好。给予互补的对称定向的屏蔽的叠置定向越多,对寄生的抑制和抵销效应的结果就越好。因此,这些特性可以通过在此讨论的移位而变化。
应注意,成对且移位的能量通道可以关于一预定的中心能量通道,如屏蔽能量通道800/800-IM,成相对平衡和互补对称和/或彼此相反地设置。一个实施例可以包括预定屏蔽和电极的相对移位、平衡、互补、并且对称的布置,其互补地夹持一中心定位的屏蔽,如800/800-IM。
根据如图4~8C的那些能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例,一移位的能量通道装置可以包括多样层,所述多样层包括那些以非移位或移位的方式布置的具有屏蔽能量通道、能量通道、屏蔽能量通道、能量通道、屏蔽能量通道的那些层。这些多样层之中每一层以、且互补性地以一预定的中心定位的屏蔽能量通道为中心,并且所述多样以一预定的中心屏蔽能量通道为中心。虽然个别屏蔽能量通道和/或能量通道可以在预定装置内移位以产生离散偏移或移位的互补能量通道,其中该预定装置保持预定匹配的能量通道对之间的整体互补和对称,但是可以保持关于预定中心屏蔽能量通道的互补性和对称性。另外,互补能量通道的这种移位可至少部分地暴露出至少一个互补能量通道,其处于叠置的屏蔽能量通道的外部,由此允许寄生、泄漏等等,并且由此改变例如对预定电路部分的所需阻抗特性。
例如,一给定电极可以被向左移位5点。该移位必须在匹配对内关于一中心屏蔽进行,并且因此会使具有相反极性的相邻匹配对的电极移位5点,或5个具有相反极性的相邻电极每个移位一点,从而保持平衡和互补。同样,其中一屏蔽被移位到超过具有给定极性的电极的较大程度,并且一具有相反极性的电极被以相反方式移位,从而保持平衡和互补。此外,能量通道可以保持在叠置的屏蔽能量通道的外围内,不过依然在其下移位。然而,这样一种在屏蔽能量通道之下的移位可以实现所需的整体对称和平衡。但是,如图6A所示的一些特定的典型实施例,其中电极能够被拉向被屏蔽中心并且保持在该屏蔽之下,可以反映出不同的电气特性,如电感特性,同时保持所需的平衡对称的状态。
应该指出,根据能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例,可行的是模仿电阻/分压器网络的中心抽头。其它的能量调节功能可由至少部分的物理屏蔽来提供,如去耦合功能、瞬时抑制功能、互补能量抵销功能、能量阻滞功能、及能量寄生抑制功能。应该指出只有规定的静电屏蔽可以在激励时和/或各种能量通道被预定连接或耦合进各种预定电路部分构造内时出现。
电阻/分压器网络通常可使用各种比率的集成电路电阻构成。但是,可以通过使用示范实施例取代各种集成电路电阻,其采用特定的导电/电阻材料799A,或采用如导电材料799的可操作的材料的几乎任何类型或组合的本身具有的电阻特性,或通过改变最终匹配对的诸如对齐、叠置或互补的物理布局。分压功能也将作为公共和共用屏蔽电极结构的部分,能被用于定义一位于公共屏蔽电极两侧的公共电压,用于至少一部分电路。
根据能量通道装置的多个可能实施例的至少一个实施例,由于示范实施例根据屏蔽能量通道的物理位置和布置以基本平行的方式操作,诸如在电气上相连接到电路时的不想要的能量寄生可至少被部分地减小或抑制,该不想要的能量寄生起源于一个或两个成对的相反地共同工作的差分电极。此外,根据能量通道装置的多个可能实施例中的至少一个实施例,在后续电路内的不需要的能量寄生和能量场的各部分,其形式为差模和共模能量,可以被减小。
如上所述,已经显示并且描述了可能的能量调节布置的实例及其变例,并且它们可为本领域普通技术人员所清楚地表达和理解,在不脱离示范实施例的精神和范围情况下,可以实现其它修改和变例。还应该清除地理解和意识到,所示各种实施例和元件的各方面和元件的限制可以整体或部分地改变和/或修改,从而以上所作的讨论仅是为了示例,并且申请人无意使示范实施例的限制与权利要求中的进一步描述相同。

Claims (33)

1.一种能量通道装置,其包括:
多个叠置且电气上相连接的能量通道;
其中所述多个包括至少第一、第二和第三叠置能量通道;
具有基本相同的尺寸和形状的至少第一和第二能量通道;
其中所述第一能量通道被所述第一和第二叠置能量通道至少部分地屏蔽和夹持,且其中所述第二能量通道被所述第二和第三叠置能量通道至少部分地屏蔽和夹持;
其中所述第一和第二能量通道各自具有至少一相应的面对面区域,其中每一该面对面区域均具有第一表面区域,且其中所述第一和第二能量通道各自具有至少一相应的非面对面区域,其中每一该非面对面区域均具有第二表面区域;而且
其中每个第一表面区域与每个第二表面区域成比例。
2.根据权利要求1的能量通道装置,其中每个所述第一能量通道或所述第二能量通道均小于所述多个叠置能量通道中的任何一个。
3.一种能量通道装置,其包括:
第一组电气上相连接的叠置能量通道;
第二组电气上相连接的叠置能量通道;
第三组电气上相连接的叠置能量通道;
其中所述第一组、所述第二组和所述第三组叠置能量通道中的每个叠置能量通道均与所述第一组、所述第二组和所述第三组叠置能量通道中的其它能量通道从电气上隔离;
其中所述第二组和第三组叠置能量通道中的每个叠置能量通道均具有基本相同的形状和尺寸;
其中所述第一组叠置能量通道中的任一叠置能量通道大于所述第二组或所述第三组叠置能量通道中的任一叠置能量通道;
其中所述第一组叠置能量通道中的至少一个叠置能量通道至少部分地使所述第二组或所述第三组能量通道与所述第二组或所述第三组叠置能量通道中的任何一个叠置能量通道相屏蔽;
其中所述第一组叠置能量通道的数量为奇数;并且
其中所述第二组和所述第三组叠置能量通道的总和为偶数。
4.根据权利要求1-3中任一项的能量通道装置,其中所述能量通道装置过滤至少共模噪音和差模噪音的其中之一。
5.根据权利要求1-4中任一项的能量通道装置,其中所述能量通道装置为叠置能量通道装置。
6.根据权利要求1-4中任一项的能量通道装置,其中所述能量通道装置进一步包括一支撑材料,用于提供支撑并用于使至少一个所述能量通道与至少一个所述叠置能量通道彼此基本隔离。
7.根据权利要求3的能量通道装置,其进一步包括一支撑材料,用以使所述第一组、第二组和第三组叠置能量通道中的至少一组与所述第一组、第二组和第三组叠置能量通道中的至少一个叠置能量通道彼此基本隔离。
8.根据权利要求1-4中任一项的能量通道装置,其中所述能量通道装置进一步包括至少一种材料,该材料选自一组材料,包括:绝缘材料、半绝缘材料、介电材料、电感材料、铁磁材料、铁氧体材料,页岩材料、金属氧化物材料、可变电阻材料、化学掺杂材料、半导体材料、及其组合物。
9.根据权利要求2的能量通道装置,其进一步包括多个用于支撑至少所述第一能量通道和所述第二能量通道的介电材料部分。
10.根据权利要求7的能量通道装置,其中所述支撑材料包括树脂材料。
11.根据权利要求7的能量通道装置,其中所述支撑材料包括铁氧体材料。
12.根据权利要求7的能量通道装置,其中所述支撑材料包括介电材料。
13.根据权利要求10的能量通道装置,其中所述能量通道装置在30分钟时间内温度升高至少15摄氏度。
14.根据权利要求10的能量通道装置,其中所述能量通道装置的任一能量通道经过光刻法加工。
15.根据权利要求3的能量通道装置,其中所述第二组叠置能量通道和所述第三组叠置能量通道为相对基本对称而方向相反。
16.根据权利要求2的能量通道,其中所述第一能量通道和所述第二能量通道至少是第一电极和第二电极。
17.根据权利要求16的能量通道装置,其中所述多个叠置能量通道中的任一个叠置能量通道为屏蔽电极。
18.根据权利要求9的能量通道装置,其中所述第一能量通道和所述第二能量通道至少是第一电极和第二电极。
19.根据权利要求1、2、7、9、10、11、12、15、16、17或18中任一项的能量通道装置,其可作为电容性网络的一部分操作。
20.根据权利要求1、2、7、9、10、11、12、15、16、17或18中任一项的能量通道装置,其可作为分压器操作。
21.根据权利要求1、2、7、9、10、11、12、15、16、17或18中任一项的能量通道装置,其可作为能量调节器操作。
22.根据权利要求1、2、7、9、10、11、12、15、16、17或18中任一项的能量通道装置,其可作为电容操作。
23.根据权利要求7的能量通道装置,其进一步包括:
能量源;
能量利用负载;而且
其中所述第一组、所述第二组和所述第三组叠置能量通道保持能量源和能量利用负载之间相对于一公共参考电压的电压平衡。
24.根据权利要求23的能量通道装置,其进一步包括:
中性导体,该中性导体通过至少一个导电材料部分而从电气上相连接至所述第二组叠置能量通道;
正导体,该正导体通过至少另一个导电材料部分而从电气上相连接至所述第二组叠置能量通道;
负导体,该负导体通过至少其它一个导电材料部分而从电气上相连接至所述第三组叠置能量通道。
25.根据权利要求24的能量通道装置,其中所述至少其它一个导电材料部分对所述至少另一个导电材料部分为非叠置。
26.根据权利要求24的能量通道装置,其中所述至少一个导电材料部分对所述至少另一个导电材料部分为非叠置。
27.根据权利要求24的能量通道装置,其中所述至少一个导电材料部分对所述至少其它一个导电材料部分为非叠置。
28.根据权利要求1-4中任一项的能量通道装置,其中所述能量通道装置进一步包括至少两个外部屏蔽能量通道。
29.根据权利要求16的能量通道装置,其中至少所述第一电极和至少所述第二电极包括至少第一分裂电极和至少第二分裂电极。
30.根据权利要求1、2、7、9、10、11、12、15、16、17、18、23、24或29中任一项的能量通道装置,其可作为旁路电容操作。
31.一种能量通道装置,其包括:
具有基本相同的形状和尺寸而从电气上相连接的第一组能量通道,其中该第一组能量通道中的每一能量通道与该第一组能量通道中的其它能量通道平行;
具有基本相同的形状和尺寸而从电气上相连接的第二组能量通道,其中该第二组能量通道中的每一能量通道与该第二组能量通道中的其它能量通道平行;
具有基本相同的形状和尺寸而从电气上相连接的第三组能量通道,其中该第三组能量通道中的每一能量通道与该第三组能量通道中的其它能量通道平行;
其中所述第一组能量通道中的至少一个能量通道至少部分地与所述第三组能量通道中的至少一个能量通道为非叠置,且其中所述第二组能量通道中的至少一个能量通道至少部分地与所述第三组能量通道中的至少一个能量通道为互补非叠置,从而补偿对所述第一组能量通道中的至少一个能量通道与所述第三组能量通道中的至少一个能量通道的非叠置。
32.根据权利要求31的能量通道装置,其中除了所述第一组能量通道中的至少一个部分非叠置的能量通道外,该第一组能量通道的其余能量通道基本与所述第三组能量通道叠置。
33.根据权利要求31的能量通道装置,其中所述部分非叠置区域包括一移位区域。
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AU2002251694A1 (en) Energy pathway arrangements for energy conditioning

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