CN1263360C - 用于能量调节的装置 - Google Patents

Abstract

用相对组的能量路径的电路布置的装置，其包括屏蔽电路布置，该屏蔽电路布置可以保持和调节电互补的能量汇合。

Description

用于能量调节的装置

                    技术领域

本申请是于2001年12月17日提交的序列号为10/023467的申请的后续申请，其为2001年11月29日提交的序列号为09/996355的申请的后续申请，其为2001年11月17日提交的，序列号为10/003711的申请的后续申请，其为2001年10月17日提交的序列号为09/982553的申请的后续申请。

此外，本申请要求于2001年7月2日提交的美国临时申请60/302429，于2001年8月8日提交的美国临时申请60/310962，于2002年1月8日提交的美国临时申请60/349954，以及于2002年6月12提交的美国临时申请(未分配申请号)的权益。

本申请涉及利用能量路径的互补的相对分组(complementaryrelative groupings)，如用于多能量调节功能的各种能量传播的路径的平衡屏蔽装置(balanced shielding arrangements)。这些屏蔽装置作为能够维持调节电互补的能量汇流(sustain and conditionelectrically complementary energy confluences)的独立的或非独立的实施例是可操作的。

                    背景技术

今天，随着电子技术的密度在应用中的增加，增加了的密度的不希望的噪音副产品将限制电子电路的性能。因此，不希望的噪音副产品的影响的消除，如通过电路的隔离或免疫(immunization)来防止需要的噪音的影响是电路布置和电路设计中重要的考虑。

不同的和共同模式的噪音可以沿着或围绕，能量路径(pathways)，电缆，电路板轨迹或迹线(traces)，高速传输线，和/或总线路径，产生和传播。这些能量导体可以作为，例如，传播能量场的天线。这种类似天线的性能将使得噪音问题恶化，因为，利用现有技术的无源装置在较高的频率传播能量将经历能量寄生干扰的级别的增加，如各种电容性和/或电感性寄生。

这些增加也许是由于，部分由于，现有技术的方案的功能或结构上的限制，结合现有技术的固有的制造或设计不平衡和性能缺陷的限制联合产生的。这些缺陷固有地产生或促使不希望的和不平衡的，可以耦合进相关电路的干扰能量，由此，需要至少部分屏蔽这些寄生和电磁干扰。因此，对于宽频率操作环境，解决这些问题必须至少同时过滤，具有各种接地的仔细的系统设计或抗噪音装置的结合，也可以广泛的隔离与至少部分静电和电磁屏蔽结合。

由此，存在利用简化的能量路径布置的自保持，能量调节装置的需要，该装置可以包括其它合并到分立的或非分立的组件中的元件，该能量路径布置可以被应用于几乎任何用于提供有效的对称平衡的且可维持的，同时调节能量的功能的电路应用中，该能量调节功能从至少去耦(decoupling)功能，暂时抑制功能，噪音取消功能，能量中断功能和能量抑制功能中选择的。

                    附图简单说明

本发明的理解将从下面结合附图对本发明优选实施例的详细描述中变的容易，其中相同的标记指代相同的部件，且其中：

图1是揭示的是用于决定不同路径延伸的相对位置的可操作的相对位置方位图；

图1A-1C示出了根据本发明的一个方面揭示的不同路径延伸的相对位置；

图2A示出了根据本发明的一个方面的实施例2B的平面线路简图；

图2B示出了根据本发明的一个方面的实施例的平面图；

图3A示出了根据本发明的一个方面的实施例3B的平面图的线路简图；

图3B是根据本发明的一个方面的实施例的平面图；

图3C示出了根据本发明的一个方面的屏蔽的平面图；

图4A示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4B示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4C示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4D示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4E示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4F示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4G示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4H示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图4I示出了根据本发明的一个方面的实施例的相对的平面图；

图5A示出了根据本发明的一个方面包括路径组的层叠的多个线路网络；

图5B示出了根据本发明的一个方面的层叠的屏蔽；

图5C示出了根据本发明的一个方面含有包括路径组的VIA的层叠的多个非共用的线路网络相对平面图；

图6示出了根据本发明的一个方面的电路装置的另一种形式的相对平面图；以及

图7示出了根据本发明的一个方面的电路装置的另一种形式的相对平面图。

                  具体实施例

本申请是于2001年12月17日提交的序列号为10/023467的后续申请，其为2001年11月29日提交的序列号为09/996355的后续申请，其为2001年11月17日提交的，序列号为10/003711的后续申请，其为2001年10月17日提交的序列号为09/982553的后续申请，它们每一个结合到这里作为参考。

此外，本申请要求于2001年7月2日提交的美国是临时申请60/302429，于2001年8月8日提交的美国临时申请60/349954，以及于2002年6月12提交的美国临时申请(未分号)的权益，且它们每一个在结合这里作为参考。

可以理解，本发明的附图和说明已经简化以阐述清楚理解本发明相关的元素，同时为了清楚的目的，省略了在典型的能量调节系统和方法中可以发现的许多其他元素。对于本领域技术人员可以认识到在实现本发明中其它成分和/或步骤是令人想到的和/或需要的。但是，因为这些成分和步骤是本领域公知的，且因为它们不利于更好的理解本发明，所以这里没有对这些成分和步骤进行讨论。这里揭示的是针对对于本领域的技术人员公知的这些成分和方法的所有这样的变化和修正。此外，很明显，对于本领域的技术人员来说，这里使用的术语可以包括整体，整体的一部分，如“能量”，“系统”，电路和类似的，被考虑以既包括整体中的部分，也包括整体中的全部，除非被标记出。

如这里使用的“能量路径”或“路径”可以是至少一个或多个导电材料，每一个可用于保持能量的传播。路径是导电性的，由此，相对于直接或间接连接或邻接到路径的非导电或半导电材料，可以更好的传播各种电能。能量路径通过允许用于各种能量调节功能，如调节功能上升，而易于第一能量的传播，调节功能的上升是由于任何一个或多个方面，如，但并不局限于此，能量路径装置中的能量路径的屏蔽，定向和/或定位，具有定向和/或定位的各种装置，由此允许第一能量和补充给至少第一能量的传播能量相互作用。能量路径可以包括能量路径部分，整个能量路径，导体，能量导体，电极，至少一个加工产生的导体，和/或屏蔽。多个能量路径可以包括多个相对于能量路径的前述的每一个装置或成分。此外，这里通常用到的包括，例如，单独的导电材料部分，导电平面，导电路径，路径，电线，通孔(via)，小孔，导电部分，如电阻引线，导电材料部分，或电板，如由至少一个介质，如801分开的板。

屏蔽包括屏蔽电极，屏蔽路径部分，被屏蔽的路径，被屏蔽的导体，被屏蔽的能量导体，被屏蔽的电极，和/或至少一个加工产生的被屏蔽的路径部分。多个屏蔽包括关于屏蔽的上述装置。

作为这里通常用到的，路径可以关于具有由79“X”，812“X”，811“X”和99“X”指定的各种路径延伸的主体80，81被互补的定位或互补的定向。主体80，81关于距离(distance)，方位(orientation)，位置(position)，叠加(superposition)，非叠加(non-superposition)，排列(alignment)，部分排列(partialalignment)，搭接(1apping)，非搭接(non-lapping)以及部分搭接单独地，成对地，成组地和/或多个地存在于三维物理关系中。假设的主体路径80，例如，包括一对物理上相对的且相反定向的主体路径80，该主体路径是电零点(electrically null)，电互补(electricallycomplementary)，电差异(electrically differential)或电相反(electrically opposite)中的任何一个或它们的任何结合。

路径装置至少包括至少部分地屏蔽至少一个能量路径的屏蔽或通过传导屏蔽至少部分地屏蔽的屏蔽结构的一组屏蔽，至少两个能量路径，如通道，通孔或互补对的路径的传导隔离对。

示范性的实施例允许在传导隔离对上，如互补对的路径上的能量传播，导致在普通屏蔽上或至少一组作为隔离电路的屏蔽上的能量传播。这个实施例允许低电感路径形成在至少一个单独对的隔离的且平行分开的路径服务于至少一个分开的且截然不同的隔离电路系统。示范性实施例可以允许用于至少两组隔离且分开的平行路径的至少一个平行路径上的能量传播的利用的至少一个低电感路径的形成和沿至少另一个分开且截然不同的隔离电路系统的能量传播的应用的至少另一个低电感路径的至少一个平行路径的形成。

用作部分的电路组件的示范性实施例具有至少一个相对较低的电感的路径，同时其它路径可以与能量源或能量负荷电连接。第二组路径的一个路径可以具有较低的阻抗的可操作的用于部分能量以从相同电路组件的的至少一个能量源或至少一个能量负荷的任何一个被取走。这个相同的低阻抗路径可以与较低电感的一个路径不直接电连接到电路组件的的至少一个能量源或至少一个能量负荷的任何一个。系统可以既有最少电感的路径也有最少阻抗的路径，这两个路径不是相同的路径。

相对比于工业中发现的电容，其中电容装置的等价的串联电感(ESL)通常是依尺寸而定的，在本发明中，用于能量调节的电路的最小阻抗路径和最小电感路径可以与装置的物理尺寸无关的得到。本发明的这些方面依赖于在本发明中通过预定的层形成的预定的电容。

排列路径允许路径的导电性材料的阻抗主要决定例如，至少能量源和集成电路的能量利用负荷之间的能量传递或相对效率或效果。ESL是可以忽略的因素，而不是无衰弱电感的输送结果或去耦空间的主要因素。

在图1A，1B，1C，5A和5B中示出的路径装置中，其中各种传播能量是互补的，放置进电路装置的路径装置，可以允许能量传播在或沿着路径装置的某一能量路径进行，由此允许从每一组互补导体向外发出的能量场流(energy field currents)的传播产生的路径源的磁场的相对部分相互作用。这个相互作用可以是在实施例中的相互抵消，其中某些路径也许部分的或全部地被其它互补路径屏蔽，且也许被放置在那些其它电路的影响距离内。而且，每一个互补路径的尺寸和形状上的相似性，包括路径间屏蔽的间隔开的关系和插入，以及路径的传导的隔离关系，可以归结于这个相互抵消的影响。此外，屏蔽操作可以断定在导电性静电屏蔽的相关的成对的路径的配合的相对位置上。至少这里讨论的互补能量调节功能和静电屏蔽动态特性可以沿不同的预定路径在不同的方向的不同的能量传播上操作，和可以利用路径装置在具有动态特性操作的电路上操作。

电磁/静电激励的阻抗状态的副结合可以沿着路径设置或在路径设置的范围内，或者是沿着或在接近地与屏蔽的单独的或多个组传导连接的连接外部传导部分中形成，由此形成能量调节电路。这些电磁/静电激励的阻抗状态可以形成，例如，因为一个电路部分的一个成对的组的路径的能量化，例如，但不需要从另一个电路部分的另一个成对的组的路径上形成。

根据本发明的一个方面，每一个屏蔽包括一个主体81。主体81共同地且导电地彼此连接，且同时大致地禁闭和屏蔽在能量路径的主体80中。在本发明的其它实施例中，共同屏蔽主体81可以仅仅部分地禁闭或屏蔽路径主体80于至少部分屏蔽中。

根据本发明的一个方面，平衡的，对称的路径设置可以由重叠的屏蔽的对称，互补的路径尺寸和形状，和/或互补路径的互换的定位和配对来形成。可制造的平衡的或对称的路径物理设置，可以在少于测试设备的精确性的基础限制下操作，在路径中发生动态能量传播，相互作用，各种动态数量的配对或匹配。因此，当这些互补的能量的部分量同时相互作用时，能量会溢出典型的测试设备的可以计量的范围。因此，可以得到的测量范围可以采用增加的可控制性，且由此电特性和在电特性上的影响可以被控制，如通过预先确定要提供的可测性，将被提供的行为或增强，和通过元件的对应设置，如特别是通过元件的设置以提供的需要的可测性或效果。例如，需要的电特性可以通过至少变化至少一个路径配对的互补的平衡，尺寸，形状和对称性的一部分来为需要的增强预先确定，如下面所述和图1A，1B，1C，5A，和5B示出的。

因此，例如，能量相互作用的程度，相互的能量传播时序和干扰，可以通过路径设置内的公差控制。例如制造工艺，或计算公差控制，如半导体工艺控制，可以控制这些公差。因此，实施例的路径可以利用制造工艺，如无源装置工艺来形成，这对于本领域技术人员来说是很明显的。由此，相互的能量传播测量可以通过路径设置的形成和形成的工艺被取消或抑制。

如前所述，路径设置可包括在具有平衡路径组的联合电子装置中顺序定位的路径组。平衡路径组包括具有堆叠的路径层次的预先确定的路径架构，该堆叠的路径层次在数量上是对称和互补的，且彼此互补定位，由此形成对，每一个对与在中心定位的屏蔽的两侧大致等距，如图1A到4I所示，其中每一个屏蔽为每一对路径和整个路径层次提供对称平衡点。因此，预先确定的同尺寸的，同形状和互补定位的路径对每一个单独的电路部分，可以存在于中心定位的屏蔽的一侧。整个电路可以具有互补部分，该互补的部分被对称的分为互补的物理形式，其包括成对屏蔽的，互补尺寸和成形的路径的反镜像定位，其间至少插入一个屏蔽。

根据本发明的一个方面，例如，每一个路径可以是第一互连衬底，其围绕，或支撑集成电路晶片，沉积，蚀刻或掺杂工艺的产物，而屏蔽可以是路径衬底，能量调节设备或能量调节衬底，沉淀物，蚀刻，掺杂工艺的产物，且可以具有例如，电阻特性。可以在不同的路径之间利用附加的元件，包括导电和非导电元件。这些附加的元件可以由铁磁材料或类似铁磁材料的介电层，和/或电感-铁氧体介电衍生材料形成。可以利用附加路径结构元件，包括不同导电材料成分的导电和非导电多重路径，导电磁感应材料混合物和导电聚合物片，各种加工的导电和非导电薄片制品，纯净的导电沉淀物，例如，除了各种材料和结构元件的结合，利用各种类型的磁材料屏蔽和选择性屏蔽，和导电性掺杂和导电性的沉积于这些材料上和终端焊接的多重屏蔽路径，来提供能量调节选择的主体(host)。

非导电材料也可以提供各种不同路径的结构支持，且这些分导电材料可以帮助整个被供给能量的电路保持沿路径同时，持续且不间断的能量传播。例如，非导电材料可以包括一层或多层与现有加工技术兼容的材料元件。这些非导电材料可以是半导体材料，如硅，锗，砷化镓或半绝缘和绝缘材料，例如，但并不局限于任何K，高K和低K介电体。

路径和导电材料可以从含有Ag，Ag/Pd，Cu，Ni，Pt，Au，Pd和其它导电材料和金属的族中选择。这些金属材料的结合也适用于上述的目的，且可以包括适当的金属氧化物，如氧化钌，根据特殊应用的苛求，可以用适当的金属稀释。任何可以由导电材料，非导电材料，半导电材料和/或聚酯薄膜印刷电路板材料产生路径的物质和工艺，或任何可以产生导电域，如掺杂的多晶硅，烧结的多晶体，金属，多晶硅酸盐或多晶硅化物的物质或工艺可以用在路径设置中或与路径设置一起使用。

本发明的示例性实施例可以利用内部屏蔽结构以确保在不同的设置中能量平衡配置。这个平衡配置取决于所有屏蔽相对于共享和中心定位的屏蔽，以及定位于特殊数量的实际的成对的屏蔽的相对位置以同时为传播能量利用的电相反的屏蔽的成对路径提供屏蔽。这允许这些电相反的互补路径定位在中心定位的和共用的通用导电屏蔽的电的和物理的相反侧。中心和共用屏蔽的插入可以产生电压分压器，该电压分压器将不同的电路电压分成一半且提供给相反成对的屏蔽导体中每一个，通常期望电压能量的一半。包括屏蔽导体的能量化的电路可以电平衡或以相反充电的方式且相对于中心定位的屏蔽，相对于一共同和共享的路径，或相对于每一个绝缘电路系统的各个部分。绝缘电路系统的每一个通用电路元件可以与通用区域或通用路径连接或耦合，由此提供共同的外部零电压。因此，实施例包括多组以插入屏蔽关系，电地或物理地位于至少不同的电或相反充电的一个，屏蔽对或路径的成组的互补对之间的屏蔽，用附加的外部夹心屏蔽支撑，在这里用IM表示，其附加地连接，并部分地形成屏蔽结构。

示例性实施例也可以放置于一个或多个能量电路中，该能量电路利用不同的能量源且可以提供一个或更多的单独的且截然不同的能量利用负荷。当用于多个能量调节操作和用于提供同时和有效的能量调节功能的能量供给，如电磁干扰滤波，抑制，能量去耦和能量浪涌保护，每一个单独的且截然不同的电路利用多个共享的通用屏蔽结构和电路基准图像(circuit reference image)或节点。

根据本发明的一个方面，能量调节功能可以保持明显的平衡能量电压基准和在电路中用于每一个各自的能量利用负荷的能量提供。这个能量化设置可以允许利用单个或多个绝缘的路径设置用于特殊的能量传播，且不需要在单独的，集中的屏蔽上的平衡。根据单独的且绝缘的路径的数量，屏蔽可以物理地和电地位于一个或多个能量源和一个或多个能量利用负荷之间。因此，屏蔽相对集中的路径在示例性实施例中可以共面也可堆叠。

当内部定位的成对的屏蔽路径随后连接于或电连接于外部制造的路径时，内部定位的成对的屏蔽可以被包围在笼式(cage-like)的屏蔽结构，由此减小内部产生的通常漏出或耦合到邻接的屏蔽路径的杂散和寄生的能量。这些屏蔽模式利用传播能量给不同的路径且可以通过屏蔽结构的能量化产生的静电屏蔽效果分开。以互补的方式传播的能量传播提供彼此相对的能量场，彼此抵消的能量场，其为相反的传播紧密接近的结果。互补合成对的路径可以提供内部平衡的相反的阻抗负荷功能。

根据本发明的一个方面的装置可以模仿至少一个静电屏蔽的变压器的功能。为了将初级线圈磁连接于次级线圈以传输能量，变压器可以被广泛地用于根据横跨输入端的不同模式的变换，提供普通模式的绝缘。因此，横跨初级线圈的普通模式电压被滤去。变压器制造中的固有缺陷是在初级和次级线圈之间传播能量源电容。随着电路频率的增加，电容耦合增加，直到电路绝缘被弱化。如果有足够的寄生电容存在，高频RF能量可以通过变压器且导致在电路中受瞬时事件的影响而在绝缘间隙的另一边产生扰动。通过耦合到一个共同的路径基准源，而在初级和次级线圈之间提供屏蔽，该共同的路径基准源被设计以防止多个绕组间电容性耦合。根据本发明的一个方面的装置促进电路中的变压器，并减少了电路中的变压器的需求。该装置可以利用物理的和相对的共同路径屏蔽来抑制寄生且也可以利用相对定位的共同路径屏蔽，互补成对的路径层，各种路径层的耦合以及与不同外部电路结合以有效地用作变压器的，按照电路系统的外部导体耦合到导电区域。如果绝缘电路系统受瞬时干扰，这里描述的静电屏蔽的装置的变压器功能对于瞬时抑制和保护有效，且可以同时用作组合的不同模式和共同模式滤波器。每一组相对屏蔽和相对导电可以导电地至少耦合到相同的外部路径以提供例如变压器的功能。

传播的电磁干扰可以是电场和磁场的乘积。根据本发明的一个方面的装置可以调节利用DC，AC和AC/DC混合型传播的能量，包括在保持不同类型的能量传播格式的系统中和在可以保持多于一个电路传播特征的系统中调节能量。

在示例性实施例中，通过导电性结合，用于典型装置的外部部分的耦合或连接成一个组件的周围导电连接材料可以通过导电和非导电地结合到各种类型的成角度的，平行的或垂直的(如这些术语至少相对于其它路径应用)导体实现，的导电或非导电连接而实现，这些导体就是开口或盲孔或非盲孔，这些孔穿过或几乎穿过示例性的装置的各部分。耦合到至少一个或多个负荷，如集成电路的一部分，本发明的一个方面可能涉及选择性耦合，或非选择性耦合至不同类型的导体，如开口和通孔。

制造路径可以包括通过一个或多个级别的路径形成一个或多个镀覆的通孔(PTH)。电子封装通常包括多个互连水平。在这样的封装体中，本发明包括在一个互连等级上成图案的导电材料的分层，该互连等级可以与在另一互连水平上放置的导电材料绝缘，例如通过介电材料层。

在导电材料之间在不同的互连水平处的连接或耦合可以通过在绝缘部分或层中形成开口而制成，开口在这里指通孔或孔隙，结果其可以提供电导电结构，使得来自不同水平的成图案的或成形的导电材料部分或路径彼此电接触。这些结构可以延伸通过一个或多个互连的水平。导电，非导电或填充导电料的孔隙和通孔的利用允许传播能量以横跨一个示例性装置，好像利用装置的旁路或馈路路径配置。装置可以作为包含有源和无源元件两者或其中一者的一个支撑，一个系统或一个子系统平台，其中元件被分层以提供所描述的在至少一个源和至少一个负荷之间调节传播的能量的好处。

本发明的一个方面可以提供适合于包含在一个封装体或一个具有其它元件的集成电路封装中的导电结架构或结构。为了同时物理屏蔽和电屏蔽，通过允许在由其它路径馈给的组和供给能量的互补导体间发生同时能量相互作用，其它元件可以直接连接于该装置。对绝缘的电路，当在共享的屏蔽结构的两相对侧测量时，可发现典型的电容性平衡，且其可被保持于测量的电容性水平于绝缘电路端，即使使用共同的非专用的介电体或路径导电材料。因此，由于元件定位，尺寸，分离和连接定位，这种类型的电路的互补电容平衡，或容差平衡特征，允许具有绝缘电路系统的示例性实施例以3％的内部电容容差制造，以使导电性耦合和能量化的绝缘电路系统在每个绝缘电路系统电相反的和成对的互补路径，有被保持的和相关的3％的电容性容差，相对于被置于绝缘电路系统的分开的屏蔽路径。

一个示例性实施例可以允许相对便宜的介电材料，导电材料和各种其它材料元件以各种方式利用。由于架构的本质，产生的物理和电分开的结构可以允许在成组的，相邻的元件中电压分开和平衡，且可以允许减小材料滞后现象和压电现象的影响到这样的程度，使得由于这些现象而通常被破坏或丢失的传播能量可以基本上以有源元件的开关响应时间的形式被保持，以及作为同时在从能量源到各负荷，和从负荷到源的连接的或耦合的路径的两电气侧的表观开发能量流的瞬时能力。

构成的层可以成形，埋藏，包封或插入各种电系统和子系统以实现线性调节或去耦，例如，和帮助或允许能量的电传输修改到需要的或预定的电特性。适用于保持特殊的或集中的能量调节或电压平衡的贵的，专门的，介电材料对旁路，反馈或能量去耦操作可以不再需要。

如前所述，根据本发明的一个方面的装置可以位于每一个绝缘电路和成对的多个路径之间或不同的路径之间。相对于单个分立的电容或电感元件，这个示例性装置可以在宽的频率范围内有效地操作，且可以在绝缘的电路系统中继续有效地执行于超过例如一GHz的操作。

如前所述，示例性装置可以在这个宽的频率范围内实现屏蔽功能。成对的，电相反的和相邻的互补路径的物理屏蔽可以由相对于互补路径尺寸的普路径的尺寸产生，和从能量化的，静电抑制或夹层的互补导体和防止外部寄生引起的寄生的最小化产生。进一步，屏蔽的定位，相对更导电的屏蔽，可以用作保护防止感应能量和“H-场”耦合。这一技术就是相互取消感应。

寄生耦合就是公知的电场耦合。上述描述的屏蔽功能提供抗电场寄生的不同屏蔽的路径的主要静电屏蔽。包括因为由互补导体路径引起的相互或杂散寄生能量的防碍传播能量通路的寄生耦合可以由此被抑制。根据本发明的一个方面的装置，例如，在具有堆叠的导电性分水平的级数的普通屏蔽架构中，通过包封相反相的导体，可以阻止电容性耦合，由此相对于关于路径的垂直的和水平的各个分层和位置的路径的定位，提供静电或法拉第屏蔽效果。屏蔽路径结构可以用于抑制和防止在潜在噪音导体和受害导体之间连接的内部和外部寄生，如通过大量的比较短的成对互补路径长，的普路径层的强加，但是其位于每一个互补路径导体对之间以抑制和容纳杂散寄生。

而且，如前所述，屏蔽的定位，相对于更多导电的屏蔽，可以用于防止感应能量和“H-场”耦合。这个消除通过物理地屏蔽能量而实现，同时地利用定位的互补和成对的路径以允许在对应于屏蔽尺寸的区域尺寸中保持的和成对的互补路径的插入。根据本发明的一个方面的装置适合于分别利用屏蔽作为内部屏蔽或分组，由此基本上绝缘和将电相反的互补路径的对夹在中间，且由此在每一个屏蔽和带电负荷之间提供物理紧固或减小的能量和电路环传播路径。即使由于801材料型或间隔而存在的直接电绝缘，屏蔽和非屏蔽的接近的邻近可以允许沿屏蔽的能量。

沿成对的和电相对的或不同的路径的传播能量的通量的消除可以由用于相反相的电互补操作通过非常小的距离分开的路径的间隔产生，由此导致同时杂散寄生的抑制和可归于级联屏蔽的密封功能，且由此提高能量调节。

在得到用于在绝缘电路系统中的各种电流环的最小的区域，附加的能量电流可以围绕组成的屏蔽结构分配。如前述的多个屏蔽可以作为绝缘电路的参考节点或底盘接地点连接且可以依靠作为用于电路的通用的参考路径。因此，不同组的内部成对的互补路径可以包括有一个或多个能量源沿外部路径传播引起的传播能量，该外部路径通过导电材料与电路连接。因此能量可以进入装置，经历调节且延伸到各个负荷。

屏蔽结构可以允许屏蔽的一部分作为用于阻尼和抑制的低阻抗的路径操作，同时至少部分的防碍不需要的电磁干扰噪音和进入每一个单独的能量化电路的能量的返回。在实施例中，内部定位的屏蔽可以导电地耦合到导电区域，由此为了阻尼和抑制的低阻抗和至少部分的防碍不需要的电磁干扰噪音和能量，适合的利用屏蔽结构。此外，另一作内部定位的屏蔽可以导电的连接于第二导电区域，由此为了阻尼和抑制的低阻抗和至少部分的防碍不需要的电磁干扰噪音和能量利用屏蔽。导电区域可以电的或导电的彼此绝缘。

能量寄生的同时抑制可以由包封屏蔽路径结构产生，结合相互的相对能量场的消除，可以进一步由相对的被屏蔽的路径和沿不同电路路径在不同绝缘电路中相互作用的传播能量产生以经历发生在传播能量中的调节作用。这个调节可以包括通过同时功能，如通过绝缘电路，减小H-场能量和E-场能量的作用，该绝缘电路包含且保持定义的与屏蔽的动态，同时低和高磁组路径邻接的电区域，其中各个成对的路径具有它们各自的分别开关的电压，由位于屏蔽上和由这些对瞬时地且相对地使用的给定的电压产生，其与能量的使用相关，该能量沿低和高阻抗屏蔽的成对路线被发现。

由绝缘电路中能量路径的定位的重叠产生的不同的距离关系结合不同的动态能量移动以提高和取消不同级的通常发生在带电的元件或负荷中的有害的能量中断。发生在无源的层式结构中的有效的能量调节功能允许动态“0”阻抗能量“黑洞”的提高或能量排出，沿通常与两个互补路径连接的第三路径且适合于允许能量在各种绝缘电路和连接的或导电的连接的电路中被容纳和消散在屏蔽上。因此，电相对的能量可以通过绝缘材料和/或通过插入屏蔽结构被分开，由此允许特殊电路结构中的动态和近距离关系，由此利用传播能量和相对距离以允许相互提高的消除现象和静电抑制现象的使用以成指数的允许成层的导电和绝缘元件在能量工艺能力上变的更有效。

根据本发明的一个方面，装置可以利用单独的低阻抗路径或普通低阻抗路径作为电压参考，同时在相对的电参考点保持和平衡，由此在绝缘电路系统中保持最小限度的寄生贡献和中断的能量寄生。如上所述，这里描述的不同的连接体系可以允许“0”电压参考相对于位于共用的中心屏蔽的相对侧的成对的互补导体的每一对或多个提高，由此允许电压被保持和平衡，即使在位于带电集成电路的晶体管门中带有多个同时开关操作状态，在绝缘电路中带有最小限度的分裂的能量。

屏蔽可以利用类似壳体的导电屏蔽结构连接以产生一个或更多的屏蔽。与更大的导电区域屏蔽导电的连接在一起可以抑制辐射的电磁散发和作为更大的区域提供更多的可以发生电压的分散和浪涌的导电区域。具有不同的电特性的一个或更多的多个导电或绝缘材料可以保持在屏蔽之间。特殊的互补路径可以包括多个相对于“配合”或对执行不同的相的调节的多个通用导电结构，多个相对的定相或负担的结构形成生产的互补路径的总和的一半，其中一半的互补路径形成第一组路径以及第二个一半形成第二组路径。第一和第二组路径的互补路径的和可以带有用作同时的相等的数量的路径平均地电分开，但是各个互补路径的总和的一半从，例如，相反定位的组的1度的范围到大约180度电相位失配的操作。少量的绝缘材料，例如微米或更少，可以用作路径之间的导电材料绝缘，附加的插入屏蔽，其绝缘可以不是直接的物理地或是导电的连接于互补操作屏蔽路径的任何一个。

外部接地区域可以耦合或导电的连接作为替换性普路径。附加数量的成对的外部路径可以连接于更低的电路阻抗。这个低的阻抗现象可以利用替换的或辅助的电路返回路径发生。

屏蔽结构可以允许屏蔽连接在一起，由此帮助能量沿新提高的低阻抗路径传播，且由此允许不希望的电磁干扰或噪音移出这个产生的低阻抗路径。

现在参考图1A到5B，其通常示出了示例性实施的各种普通原理的普通和单独的变化，形成共面的变化(图1A-4I)和堆叠的变化(图5A和5B)。

在图1A中，示出了根据本发明的一个方面解释的不同路径延伸的相对位置。利用由8“XX”-“X”M表示的中心屏蔽路径相对平衡和互补-对称的装置的一部分应用于装置中作为共面变化中断平衡的导电部分支点。路径装置至少包括第一和第二组路径，其中第一组路径至少包括一对彼此电绝缘设置且定向在第一互补关系上的路径，如示出的。此外，至少第二组的第一个一半与第二组的第二个一半电绝缘设置，其中至少第二组的两个路径与第一组的路径电绝缘。路径装置也可以包括含有例如绝缘，铁磁性的特性的材料或用于，例如，隔开路径装置的路径的压敏电阻。第二组的第一半路径彼此电连接，且第二组的第二半路径彼此电连接。第二组的第一半路径的总数可以是多于一的奇数，且第二组的第二半路径的总数也可以是多于一定奇数。根据本发明的一个方面，第二组的第一半路径位于第一假设行，同时第二组的第二半路径唯一第二假设行，第一和第二假设行在相互假设的行中这里定义为共面装置。

在非共面装置中，第二组的第一半路径可以位于第一假设行，且第二组的第二半路径位于第二假设行，第一和第二假设行在装置一个在另一个的上面。在一个装置中，至少四个路径电绝缘。

本发明示出的实施例至少包括三组路径，包括第一组路径和第二组路径。第一和第二组路径可以包括第一组路径具有在第二组路径中发现的相等的且相对的路径数量的路径数量。第一和第二组的路径数量可以大致相同的尺寸和形状，且可以互补定位，且可以电互补的方式操作。因此，第一和第二组路径的配对可以由相同数量的第一和第二组路径的数量产生。示例性实施例可以至少具有允许单独绝缘的低电路阻抗路径的提高的第一和第二屏蔽。在结构上，屏蔽可以通过第三组路径和第四组路径实现。每一个屏蔽组可以包括相等尺寸和形状的屏蔽。第三和第四组路径的每一个可以导电的连接。导电连接可以通过本领域普通技术人员公知的各种方法和材料实现。因此，当第三和第四组利用第一和第二组接收屏蔽组成两组屏蔽时，第三和第四组可以与普路径连接以提高用于电路能量调节的能量传播的低电路阻抗路径。

路径可以附加地设置在旁路设置中，使得当面对面设置时，主体路径可以排列在假设的，除去任何路径延伸的例如更低分电路部分的812NNE，811NNE，812SSW和811SSW，例如，如图5A和5B示出的镜像。

在各组中，单独的路径数量可以是大致相同的尺寸和可以导电的连接。但是，一个组的单独的路径数量可以不与不同组的路径的数量连接。具有一组的元件与不同组的元件相连的情况，其中第一组屏蔽和第二组屏蔽从外部与相同的导体连接。

普通元件包括与描述共面屏蔽的旁路路径中的动态能量移动的概念上的能量指示器600，601，602，603一致的能量流，如图1A-1C所示。实施例至少具有用于多个电路的多个绝缘低电路阻抗路径的提高的多个屏蔽。

仍然参考图1A，路径可以通过相对的，普路径屏蔽，且可以包括具有至少一个路径延伸812“X”的主体路径80。示出的屏蔽包括至少具有99”X”/79“X”表示的一个路径延伸的主体屏蔽路径。屏蔽夹在主体799中间且包封主体799，包括由导电材料形成的导电内部路径，该导电材料来自传统的用在共烧电子元件或导电材料的贵金属或贱金属，如Ag，Ag/Pd，Cu，Ni，Pt，Au，Pd或组合材料，如金属氧化物和玻璃粉。如上所述，电容和电阻值可以由一组路径实现，如通过利用钌氧化物作为电阻性材料和Ag/Pd作为导电性材料。而且，路径结构中的变化可以产生不同的电阻和电容值。例如，导电材料，如银，可以由选择的加入金属氧化物/玻璃粉中以降低材料的阻抗。

一组路径，865-1和865-2，如示出的位于同一面且以相同部分的材料801隔开。共面路径865-1和865-2的每一个路径，可以由导电材料799或混合性导电材料和其它材料形成，这里用799“X”表示。每一个共面路径865-1和865-2也可以由旁路路径形成，其中每一个路径包括分别具有的主体边沿和周边803A和803B的主体路径80，且至少一个路径邻接的延伸812“X”。每一个共面路径865-1和865-2可以至少包括一个具有从主体边沿803A和803B延伸的部分的路径邻接的延伸812SSW和811SSW。延伸812“X”是结合主体路径80形成的路径材料的一部分，延伸812“X”从主体路径80延伸。可以发现主体路径80，812“X”可以作为材料799的延伸或延伸超过可接受的平均周长边缘803“X”的799“X”。可以发现延伸821“X”和79“X”分别位于作为路径的邻近部分，从该路径形成延伸812“X”和79“X”。每一个主体路径可以使边缘803A，803B位于相对且从装置边沿817隔开距离814F的位置。装置边沿817可以包括材料801。共面主体路径的边沿803“X”可以位于且隔开距离814J。路径延伸812SSW和811SSW可以导电的将各个路径主体80连接到外部路径890SSW和891SSW，其可以位于边沿817处。共面设置的，主体路径80可以位于夹在共面的两个层的登记的有效区域主体路径81s中间。

结合相互相反的磁场导致消除或减小效果。越近的互补，对称定向的屏蔽，在相对的能量传播上的产生的相互相对的消除效果越好。越多假设的互补的，对称的定向的屏蔽的定向，产生的寄生的抑制和消除效果越好。

仍然参考图1A，共面屏蔽的组的边沿可以由点线805A和805B表示。每一组屏蔽的主体路径81比任何对应的开关路径的开关主体路径80大。这可以产生相对与屏蔽和剩下的路径的插入区域806。主体80和81的尺寸可以大致相似，且由此插入位置关系可以在某些实施例中减小。增加的寄生抑制可以通过插入路径得到，包括主体80，以通过更大的路径主体81s被屏蔽。例如，如图1B所示，路径865-1的主体80的插入可以分开由分开路径865-1和邻接的中心共面路径800-IM-1的材料801的厚度提高的间隔的1到20倍的距离。

共面屏蔽的组的边沿805A和805B可以位于且分开距离814K，且可以相对于边沿805A和805B和边沿817距离814。可以提供从任何一边803A和803B的其它距离814J。而且，距离814F可以存在于一个803“X”和边沿817之间。每一个共面屏蔽可以包括多个连续的路径延伸部分，如，例如，部分79NNE，79SSE，99NNE和99SSE，从多个共面屏蔽边沿805A和805B延伸。多个共面屏蔽可以包括多个位于边沿817的外部路径材料901NNE，901SSE，902NNE和902SSE。概念能量指示器602表示在共面路径865-1和865-2中的各种动态能量移动。根据规定，不需要的能量可以通过具有低阻抗路径的屏蔽传输给共面屏蔽，该屏蔽可以附加的与另一个路径或导电区域电连接。

现在参考图1B和1C，示出了用于第一组共面路径865-1，865-2，第二组共面路径855-1，855-2和第三组共面路径825-1-IM，825-2-IM，815-1，815-2，800-1-IM，800-2-IM，810-1，810-2，和820-1-IM，820-2-IM的层顺序。第一，第二和第三组可以堆叠以形成装置3199，3200，3201。大三组共面路径可以具有屏蔽。共面屏蔽825-1-IM，825-2-IM；815-1，815-2；800-1-IM，800-2-IM；810-1，810-2，和820-1-IM，820-2-IM的组的主体81在尺寸和形状上大致相似，且可以在材料801的不同层上的共面位置间隔开。第一组共面路径865-1和865-2可以至少具有对应的，相对的和互补的第二组路径855-1和855-2。这些第一和第二组共面路径，当面对面定向时，除了各种连续路径延伸812“X”，811“X”，可以使主体路径80s共登记和排列。如图1B和1C所示，一对外部共面路径可以用作路径屏蔽，由此提高与具有主体81s的其它导电连接的路径组的屏蔽效率。

如示出的不同的实施例3199，3200，3201，屏蔽825-1-IM，815-1，810-1-IM，810-1，820-1-IM的延伸79NNE，79SSE的位置和屏蔽825-2-IM，815-2，800-2-IM，810-2和820-2-IM的延伸可以是不同的。例如，在图1B中，延伸79NNE和99NNE可以间隔设置，与延伸79SSE和99SSE成对角线且在屏蔽主体81的相反侧。在图1C中，例如，延伸79NNE和99NNE可以在屏蔽主体81的相对侧在线上与延伸79SSE和99SSE间隔设置。在图1B中，延伸812NNE和811NNE可以间隔设置，向材料801的层的相同边沿812延伸，且延伸812SSW和811SSW可以间隔设置，每一个向材料801的层的相反边沿812延伸。在图1C中，如上述的，路径865-1和865-2可以成镜像。相比于图1B，延伸812NNE和811NNE可以间隔设置，向材料801的层的相反边沿817延伸。延伸812SSW和811SSW可以间隔设置，向材料801的层的相反边沿延伸，使得延伸812NNE和811SSW向材料801的相反层的相反边沿812“X”延伸。

现在参考图2A和2B，图2A示出了根据本发明的一个方面的图2B的实施例的示意性平面图。图2B描述了包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路径的布置的路径设置，其中例如，至少第三和第四路径可以共面且彼此间隔设置。图2B示出了第一和第二路径设置于第三和第四路径的下方，且第五和第六路径设置于第三和第四路径的上方，且第七和第八路径设置于第五和第六路径的上方，且第九和第十路径设置于第七和第八路径的上方。这些路径具有各种单独的内部连续路径延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，且可以是具有相同的极小数量的层的不连续元件。内部连续路径延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，和导电的连接于外部路径890“X”，891“X”，802“X”和902“X”，可以与主体路径80和81的共面路径的组的内部路径连接。

现在参考图3A和3B，在图3A中示出了图3B实施例的示意性平面图，其中外部路径至少选择性的连接于至少两个绝缘电路部分。图3B描述了包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路径的最小布置，其中，例如，至少第三和第四路径是共面的且彼此间隔设置。图3B中示出的装置可以使第一和第二路径设置在第三和第四路径的下方，且第五和第六路径设置在第三和第四路径的上方，且第七和第八路径设置在第五和第六路径的上方，且第九和第十路径设置在第七和第八路径的上方。这些路径具有各种单独的内部连续路径延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”且可以是具有相同的极小数量的层的分立元件。

现在参考图3C，示出了根据本发明的一个方面的屏蔽的平面图。相比较于图3B，在图3C描述的实施例中至少包括一个附加的路径。这个附加的路径1100-IM“X”可以是堆叠的路径中的屏蔽的组的至少一个，该屏蔽可以横跨两个电路部分。路径100-IM“X”可以是路径堆中的两个外部夹心屏蔽中的至少一个。屏蔽可以通过增加一个电连接与外部1100-IM”X”屏蔽的中心设置1100IM”X”路径而横跨两个电路。路径1100-IM“X”可以至少具有一个延伸，且示出的具有两个延伸1099NNE和1099SSE，且可以允许夹心屏蔽用于本发明中的所有路径。至少三个路径可以连接在一起，且可以包括分开绝缘电路的能量负荷或能量源或分开两个绝缘电路的中心屏蔽。

屏蔽OOGS可以与其它屏蔽电绝缘，且可以设置的以影响绝缘电路的能量传播。绝缘电路可以由屏蔽夹在中间。屏蔽可以电连接于已经与其它任何导电区域绝缘的导电区域，由此影响能量传播。

图4A-4I描述了根据本发明的方面的各种实施例的组合的元件。图4A到4I的设置可以包括第一，第二，第三，第四，第五，第六，第七，第八，第九和第十路径的最小布置，其中，例如，至少第三和第四路径是共面的且彼此间隔设置。第一和第二路径设置在第三和第四路径的下方，且第五和第六路径设置在第三和第四路径的上方，且第七和第八路径设置在第五和第六路径的上方，且第九和第十路径设置在第七和第八路径的上方。例如，这些路径具有各种单独的内部连续路径延伸812“X”，811“X”，79“X”和99“X”，且可以是组装的最后不连续元件。

参考图5A，示出了根据本发明的一个方面包括路径族的多个非共用电路的堆叠。包含在图5A中的标记1000示出了堆叠设置到图5A下一列的连续。概念性能量指示器600，601，602，603指示能量流。材料799可以位于用于由815-1，800-1，810-1-IM和810-2表示的元件6900屏蔽的材料801上。屏蔽810-A和810-B是至少一部分绝缘电路系统的分开的屏蔽。屏蔽820-A和820-B是至少一部分绝缘电路系统的分开的屏蔽。屏蔽825-A和825-B是至少一部分绝缘电路系统的分开的屏蔽。导体855-1和855-2是旁路结构中分开的且屏蔽的路径。导体865-1和865-2是旁路结构中分开的且屏蔽的路径。在图5A中，描述的路径设置至少包括两个类型的路径的六个定向的路径，其中至少六个定向的路径的每一个定向的路径具有与剩下的定向的路径导电绝缘。

参考图5B示出了根据本发明的一个方面的堆叠的屏蔽结构。图5B描述了与图5A相似的实施例，其中为了清楚，省略了两组855“X”和865“X”路径，且其中图5A的屏蔽定向在用于每一个相反组的855“X”和865“X”路径的触发器中。79“X”路径延伸可以相反于各种路径延伸811“X”和812“X”旋转90度。这种结构的动态结果，如由概念能量指示器示出的，可以通过无效两个绝缘电路的两组855“X”和865“X”的延伸和通过将每一个绝缘电路对855A和865A的屏蔽相反于不同的路径延伸855B和865B大致90度的相反定位而提高。

参考图5B，示出了根据本发明的一个方面的堆叠屏蔽结构。图5B描述了与图5A相似的实施例，其中为了清楚，省略了两组855“X”和865“X”路径，且其中图5A的屏蔽定向在用于每一个相反组的855“X”和865“X”路径的触发器中。79“X”路径延伸可以相反于各种路径延伸811“X”和812“X”旋转90度。这种结构的动态结果，如由概念能量指示器示出的，可以通过无效两个绝缘电路的两组855“X”和865“X”的延伸和通过将每一个绝缘电路对855A和865A的屏蔽相反于不同的路径延伸855B和865B大致90度的相反定位而提高。

如上所述，在本发明的实施例中，多个互补或成对的路径可以包括第一和第二组路径。例如，能量可以以通常平行和均匀的方式利用各种成对的反馈或旁路路径层。路径元件可以包括非绝缘和导电孔，和导电通孔-VIA，以提供传播能量和保持通常非平行或垂直的关系，且附加地与连接电路保持分开的电关系。这些路径可以保持内部平衡，且可以帮助沿相反的互补对电定位。在路径的互补对中的这个关系可以在路径和能量在与外部连接的屏蔽结构中经历相反的操作使用时发生。

现在参考图5C，示出了根据本发明的一个方面具有VIA且包括路径族的堆叠多个，非共用电路网络的相反平面图。根据本发明的一个方面在图5C中描述的装置包括通孔能量调节器。通孔能量调节器可以如此形成使得保持这里描述的多个能量传播原理，包括用于能量调节工艺的多组屏蔽。图5C进一步描述了具有路径设置6969的零路径组。路径设置6969与图5B相似，没有路径延伸79“X”，811“X”和812“X”，且具有从相反于主体80和81的不同方向8879“X”，8811“X”和8812“X”VIA功能的替换。

仍然参考图5C，在制造工艺期间，导电洞912，VIA或导电孔可以用于互连8806集成电路，且可以利用机械钻孔，激光钻孔，蚀刻，冲孔或其它孔形成技术形成一个或更多的路径层。每一个特殊的互连8806可以使得各种路径电连接或绝缘。每一个特殊互连8806可以延伸通过路径设置6969的所有层，或可以通过一层或多层在上或下固定。路径设置6969可以包括有机衬底，如环氧树脂材料或成图案的导电材料。例如，如果使用有机衬底，标准印刷电路板材料如FR-4环氧玻璃，聚酰胺-玻璃，苯并环丁烯，聚四氟乙烯，其它环氧树脂，或类似的可以用在各种实施例中。例如，在替换的实施例中，路径设置可以包括有机衬底，如陶瓷。在不同的实施例中，水平的厚度可以大约为10-1000微米。在不同的导电层之间的互连8806也可以由选择性的移开绝缘和导电材料形成，由此暴露更低的导电层904的导电材料，且例如，通过填充洞而形成，该洞是通过移走导电浆糊799A或电解喷镀799B而形成。

互连8806可以将暴露的导电层连接到路径设置6969的相对侧。例如，互连8806可以由衬垫或集成电路附着的区域。互连8806可以利用公知的技术形成，如通过填充有选择的移去带有导电浆糊的绝缘部分，电解质喷镀，照相平版印刷或网板印刷。得到的路径设置包括一个或更多层成图案导电材料904，由非导电层分开，且通过互连8806连接。不同的技术可以用于互连和绝缘不同层的成图案的导电材料799。例如，除了形成和有选择的移走不同导电799和非导电层801的部分，在不同层之间的开口可以通过有选择的添加导电799和非导电层801的需要的部分而包括。移去技术，如化学机械平面化，可以用于物理的磨损掉多层不同类型的导电和非导电材料，得到用于互连的需要的开口。

路径设置6969可以利用带有适合于调节传播能量的衬底使用多孔，多层能量调节路径设置而形成。路径设置6969可以通过利用导电填充孔的结合能量调节方法调节传播能量，该方法作为通孔8879“X”，8811“X”和8812“X”在本领域是公知的，结合带有被镶嵌的传播路径的多层普通导电法拉第法拉第类似壳体的屏蔽技术。互连路径设置和IC可以线捆束互连，触发器球状晶格阵列互连，微球状晶格互连，它们的结合，或任何其它工业上适用的方法实现。例如，“触发器”型集成电路，意味着输入/输出终止以及在芯片上的任何其它的路径可以在其表面上的任何点发生。在IC芯片被准备用于与路径设置6969连接后，芯片可以通过在路径设置的顶表面上配合衬垫的焊料块或球被翻转和连接。可替换地，集成电路可以利用到路径设置6969的顶表面上的衬垫的结合线由连接输入/输出终端线结合到路径设置6969上。

路径设置6969中的电路可以作为源以负担路径设置需要的电容，噪音抑制，和/或电压抑制。这个电容可以通过在路径设置6969中的电容提高和嵌入的形成来提供。这个电容可以上述的成对的路径和屏蔽与集成电路负荷连接。附加电容可以提供给电连接于集成电路的电路以提供电压抑制和噪音抑制。关闭芯片能量源的接近可以提供沿低磁组路径到负荷的电容。普通屏蔽路径可以作为离芯片(off-chip)能量源和普通导电性插入能量路径结构的“0“电压电路参考节点。

路径设置6969可以通过通常适用于工业的连接方法连接于集成电路和联接799A和799B，包括无碰撞加强层(BBUL)封装。这个技术使其具有更高的性能，更薄和更轻的封装以及降低能量消耗。在BBUL封装中，硅管芯或IC嵌入带有可作为第一级互连操作的路径设置的封装中。因此，整个BBUL封装不是仅仅连接于IC的一个表面。例如，在一个或更多的不同路径以及封装之间的电连接可以由铜线制成，不必是C4焊料块。这些特征结合使得封装比其它IC封装更薄更轻，同时具有更高的性能和降低能量消耗。BBUL可以提高生产能力以将多个硅元件连接到路径设置6869中。屏蔽的路径8811，8812，和8879可以在各个能量源和各个IC的负荷之间通过普通工业技术电连接，由此允许调节传播的能量。屏蔽8879可以导电的连接于包括1055-2的屏蔽。屏蔽和包括8811和8812的它的其它导电部分可以与各个互补路径电连接，其在通电之前没有显著的极充电，由此防止每个层8811和8812改变能量传输的方向的功能，这样防止分别从输入和输出到输出和输入改变的层8811和8812，以致于通过这些工艺本领域的普通技术人员可以理解。

为了图5A，5B和5C描述的堆叠的变化，增加三个路径1100-IM-“X”，包括在810-1和815-2之间的由1100-IM-“C”表示的一个，可以将平衡的对称的总量的路径平分为在1100-IM-“C”的相反侧相等的数量。电连接于1100-IM-C的1100-IM-1和1100-IM-2的增加产生普通或屏蔽结构(未全示出)。屏蔽结构的屏蔽可以是大致相同或不同的尺寸。屏蔽可以与用于任何一个或更多的本发明的实施例的其它屏蔽物理绝缘或不绝缘。因此，屏蔽可以与用于任何一个或多个本发明的实施例的其它屏蔽电地或导电地绝缘或不绝缘。

奇数个屏蔽可以耦合在一起由此允许；利用所有其它的屏蔽的普通参考或节点的形成。屏蔽1100-IM-“X”的数量不被限制于利用延伸1099NNE和1099SSE如屏蔽00GS，当在几乎任何方向的任何数量的延伸可以用于以利于联接。相反平衡和互补对称的设置可以相反于用于作为平衡导电部分的设置支点的中心屏蔽8“XX”或屏蔽800/800-IM而形成。沿或在成对的且电相反的互补路径的至少局部的磁通场取消发生在这个平衡的但移位的实施例中。而且，同时杂散能量寄生，互补充电抑制，物理和电屏蔽抑制和法拉第效应也可以发生。这一结果的实现是因为磁铁能量至少部分地沿屏蔽传输，在该屏蔽中RF返回路径与对应的路径平行且邻近。因此，磁通能量可以相反于返回被测量或观察。

移位的路径可以相反于中心屏蔽，如屏蔽800/800-“X”-IM，相反平衡互补和对称地定位，且可以包括相反移位的，平衡的，互补的且对称的预定屏蔽的设置且路径围绕中心定位的屏蔽例如800/800-IM被互补的夹在中间，例如。

例如，图1A，1B，1C到图4I的示例性实施例可以包括这些移位实施例。这些移位的实施例可以包括含有屏蔽，路径，屏蔽，路径和屏蔽的多个层。这些层或中的每一个可以关于中心屏蔽800/800-“X”-IM集中和互补，如用于共面变化，且整个多层可以关于主中心屏蔽集中。例如，虽然各个屏蔽可以移位以在给定的匹配的路径对之间产生离散的不平衡，但是互补性和对称可以关于中心屏蔽和主中心屏蔽被保持。移位可以在假设的屏蔽的周边的外部暴露至少一个路径的一部分，由此寄生且由此变化，例如，阻抗特性。

例如，给定的路径可以向左移动5点。这个移位可以解决关于中心屏蔽的匹配的对，且因此，相反极的邻接的匹配的对的路径可以移动5点或相反的极的5个邻接的路径可以每个移动1点，由此保持互补性和对称。而且，路径可以在假设的周边中保持，且虽然被遵照移动。虽然如此，但是这种在屏蔽下的移动可以制造需要的平衡。但是，某些未示出的实施例可以包括路径被向着屏蔽的中心拉的情况，且保持在屏蔽下在平衡或非平衡状态中的明显不同的电特性，如电感特性。

现在参考图6，示出了堆叠的多个电路，包括实施例6900，导电能量路径，绝缘的能量源，绝缘的能量利用负荷和绝缘普通导电路径。导电能量路径可以通过导电连接材料，例如，如焊料或工业对等物，导电地连接于实施例6900。通道315，导电路径继续在衬底的表面之下，可以连接于导电路径，且可以包括用作连续导电路径传播能量的导电材料。绝缘普通导电路径可以不直接连接于绝缘能量源或绝缘能量利用负荷。如上所述，实施例6900可以包括四组含有电极和屏蔽的路径，每一组电绝缘。这些屏蔽可以导电地连接。导电连接的屏蔽可以利用导电连接材料从外部连接于绝缘的普通导电路径，其不直接导电的连接于电极。如图6所示，电极815-1，800-1-IM和810-1，可以导电的连接于802GA，802GB。屏蔽815-2，800-2-IM和810-2可以导电的连接于902GA和902GB。这些连接可以不导电的连接于第一组电极或第二组电极。在这个机构中，绝缘电路可以利用绝缘和分开电压参考和绝缘普通阻抗路径如图6中的REF1和REF2。

现在参考图7，示出了堆叠的共面多个电路，包括实施例3210，导电能量路径，绝缘的能量源，绝缘的能量利用负荷和绝缘普通导电路径。导电能量路径可以通过导电连接材料导电地连接于实施例3210。通道315，导电路径继续在衬底的表面之下，可以连接于导电路径，且可以包括用作连续导电路径传播能量的导电材料。绝缘普通导电路径可以不直接连接于绝缘能量源或绝缘能量利用负荷。如上所述，实施例3210可以包括四组含有电极和屏蔽的路径，每一组电绝缘。导电连接的屏蔽可以从外部连接于绝缘的普通导电路径，其不直接导电的连接于这个共面设置中的第一或第二组电极。第三组电极815-1，800-1-IM和810-1，可以导电的连接于802GA，802GB。屏蔽815-2，800-2-IM且也可以导电的连接于902GA和902GB，且可以不导电的连接于第一组电极或第二组电极。在这个结构中，绝缘电路可以利用分开的和单独绝缘的和分开电压参考和分开的和单独绝缘的阻抗路径，分开的和但组绝缘的普通阻抗路径和至少一个分开的和单独的低阻抗路径如图7中的REF1和REF2。

现在参考图4A到图7，终端电极890A，890B和891A，891B，802GA，802GB和902GA，902GB，可以是单片集成电路或是多层的。终端电极802GA，802GB，902GA，902GB可以位于烧结主体的其它单独部分。每一个主体电极层81或80和副电极延伸99/79G”X”或812“X”可以限定出延伸到并导电地连接于副终端电极802GA，802GB，902GA，902GB和890A，890B和891A，891B的电极。

本发明的可以用于多种能量调节功能，该功能利用用于模拟电阻/电压分配器网络的中心分接头的普通连接屏蔽结构。这个电阻/电压分配器网络可以通常利用各种集成电路的电阻的比率构成。但是各种集成电路的电阻可以根据本发明的一个方面由装置代替，该装置利用，例如，特殊的导电性的/阻抗性的材料799A或路径材料799自然发生的阻抗特性，或利用变化的物理布置。当普通和共用的路径屏蔽结构的部分被用于限定位于普路径结构的两个相反侧的普通电压参考时，电压分配功能可以存在。

在实施例中，在制造过程中不管内部堆叠的垂直地还是结合上述共面对，互补路径对的数量可以以预定的方式增加以产生大量的通常物理地或电平行的特性的路径元件的结合。

而且，虽然未示出，本发明的装置可以由硅和直接结合集成电路微工艺器电路或微工艺器芯片封装构成。用于沉淀电导电材料的任何适合的方法都可以使用，如喷镀，喷涂，蒸发，电的，网印，模板印刷，真空和包括化学蒸汽沉积(CVD)的化学方法。

当某些实施例已经被描述在位置“上部”或“上”或“下部”或“下”或任何其它的位置或方向描述时，可以理解这些描述仅仅是相反的且不能作为限制。

本发明可以以大量的不同实施例实现，包括用于电子组件的能量调节器的能量调节实施例，能量调节衬底，集成电路封装，电子组件或以能量调节系统形式的电子系统，且可以利用各种方法构成。其它实施例对于本领域普通技术人员来说是显而易见的。

Claims (21)

1.一种装置，包括：

至少第一组多个路径和第二组多个路径；

其中所述第一组多个路径进一步包括至少两个彼此电绝缘设置且定向在第一互补关系上的路径；

其中所述第二组多个路径的至少第一数目路径与所述第二组多个路径的第二数目路径电绝缘设置；以及

其中所述第二组多个路径的至少两个路径与所述第一组多个路径电绝缘。

2.根据权利要求1的装置，其中所述第二组多个路径的第一数目路径的至少两个路径彼此电连接；以及

其中所述第二组多个路径的所述第二数目路径的至少两个路径彼此电连接。

3.根据权利要求1的装置，其中所述第二组多个路径的所述第一数目路径的数目是比一大的奇数；

其中所述第二组多个路径的第二数目路径的数目是比一大的奇数；

其中所述第二组多个路径的第一数目路径的至少两个路径彼此电连接；以及

其中所述第二组多个路径的第二数目路径的至少两个路径彼此电连接。

4.根据权利要求1的装置，进一步包括至少隔开电路的两个路径的间隔材料。

5.根据权利要求4的装置，其中所述间隔材料包括介电体。

6.根据权利要求1的装置，其中所述第二组多个路径的第一数目路径在第一行；以及

其中所述第二组多个路径的第二数目路径在第二行。

7.根据权利要求1的装置，其中所述第二组多个路径的所述第一部分路径在第一叠置行；以及

其中所述第二组多个路径的第二数目路径在第二叠置行。

8.根据权利要求6的装置，其中第一行和第二行在一个叠置行。

9.根据权利要求7的装置，其中第一和第二叠置行定位方式是至少一个在另一个的顶部。

10.根据权利要求1的装置，其中所述第一数目路径的至少两个路径设置成在第一行彼此电耦合；

其中所述第二数目路径的至少两个路径设置成在第二行彼此电耦合；

其中所述第一数目路径的数目是比一大的奇数并且其中所述第二数目路径的数目是比一大的奇数；以及

其中所述第一组多个路径的路径总数至少是比二大的偶数。

11.根据权利要求1的装置，其中所述第二组多个路径的所述第一数目路径的至少两个路径设置在第一叠置行，彼此电耦合；

其中所述第二组多个路径的第二数目路径的至少两个路径设置在第二叠置行，彼此电耦合；

其中所述第二组多个路径的路径总数是至少比一大的奇数；

其中所述第一组多个路径的路径总数是至少比二大的偶数。

12.根据权利要求10的装置，进一步包括至少隔开电路布置的路径的间隔材料。

13.根据权利要求11的装置，其中电路布置的四个路径彼此电绝缘。

14.根据权利要求1的装置，其中所述第一组多个路径是一组多个被屏蔽的路径；

以及其中所述第二组多个路径是一组多个屏蔽路径。

15.一种电气装置，包括：

至少第一组多个路径和第二组多个路径；

其中第一组多个路径包括至少一对彼此电绝缘且布置在相互互补位置的路径；

其中所述第二组多个路径的至少第一数目路径与所述第二组多个路径的第二数目路径电绝缘布置，且其中所述第二组多个路径包括至少两个与所述第一组多个路径电绝缘的路径；

其中所述第二组多个路径的所述第一数目路径的至少两个路径彼此电连接；

其中所述第二组多个路径的所述第二数目路径的至少两个路径彼此电连接。

16.根据权利要求15的电气装置，进一步包括至少隔开电路布置的间隔材料。

17.根据权利要求15的电气装置，其中电路布置的至少四个路径彼此电绝缘。

18.根据权利要求15的电气装置，其中电路布置的至少六个路径彼此电绝缘。

19.根据权利要求15的电气装置，其中所述第二组多个路径包括至少两个彼此共面的路径；以及

其中电路布置的至少四个路径彼此电绝缘。

20.根据权利要求15的电气装置，其中所述第一组多个路径和第二组多个路径设置成非共面堆叠，以及

其中电路布置的四个路径彼此电绝缘。

21.根据权利要求15的电气装置，其中所述第一组多个路径包括多个通孔；以及

其中所述第二组多个路径是多个屏蔽路径。

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