CN1471086A - 垂直磁记录介质 - Google Patents

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Abstract

一种垂直磁记录介质包括：垂直磁记录层，放置在基底上；和多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。由于使用了三层的垂直定位衬层，所以获得了Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。

Description

垂直磁记录介质
技术领域
本发明涉及垂直磁记录介质，特别是涉及一种具有增加的记录密度的垂直磁记录介质。
背景技术
垂直磁记录介质与纵向(longitudinal)磁记录机制相比，通常具有高记录密度。然而，新近的硬磁盘驱动器(HDD)使用垂直磁记录介质来获得高记录密度。垂直磁记录介质具有与介质的主平面垂直的磁场强度。上述的垂直磁记录介质的记录密度，极大地受垂直磁记录层的属性、和在磁记录层上垂直定位磁场强度的衬层的影响。
图1示出了具有单一磁层的常规垂直磁记录介质的层结构。图2和3示出了具有两个磁层的常规垂直磁记录介质的层结构。
参考图1，记录有信息的垂直磁记录层13放置在基底11的上层表面上。用于垂直定位垂直磁记录层13的磁场强度的垂直定位衬层12放置在基底11和垂直磁记录层13之间。在垂直磁记录层13上形成保护层14，以保护垂直磁记录层13。在保护层14上形成润滑层15，以减小由于保护层14和磁头的碰撞和滑动引起的HDD磁头和保护层14的磨损。
参考图2，记录有信息的垂直磁记录层23放置在基底21的上层表面上。形成由HDD的磁头产生的垂直磁场的磁路的软磁层22放置在基底21和垂直磁记录层23之间。在垂直磁记录层23上依次形成保护层24和润滑层25。
参考图3，记录有信息的垂直磁记录层224放置在基底221的上层表面上。垂直定位衬层223和软材料层222放置在基底221和垂直磁记录层224之间。在垂直磁记录层224上依次形成保护层225和润滑层226。
形成每个垂直磁记录层13、23和224的元素的类型和成分比率，极大地影响相应的垂直定位衬层12和223、以及软磁层22的类型和结构。现有的由Ti或Pt形成的垂直定位衬层，极大地受垂直磁记录层的特性的影响。若垂直定位衬层由Ti形成，则由于晶体点阵常数的差异，在垂直磁层和Ti垂直定位衬层之间形成厚的初始生长膜。因此，恶化了垂直磁记录层的定位特性。由Pt形成的垂直定位衬层具有优良的垂直晶体定位，因为，其与垂直磁记录层的点阵常数具有小的差别。然而，在一些垂直磁场记录层中所示的优良的垂直晶体定位导致了晶粒被放大和交换耦合增加，因而，降低了信息记录/写入的信噪比(SNR)。
发明内容
本发明提供一种具有通过改善垂直定位属性而增加的记录密度的垂直磁记录介质。
根据本发明的一方面，提供一种垂直磁记录介质，其中，垂直磁记录层放置在基底上，而多层垂直定位衬层放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。
在该垂直磁记录介质中，第一和第三衬层中的至少一个，由Pt和Pt合金中的任一个形成，而第二衬层由Ti和Ti合金中的任一个形成。
而且，在垂直磁记录介质的一个实施例中，在垂直定位层和基底之间放置了一个软磁层。
附图说明
通过参考附图详细描述本发明的示例实施例，本发明的上述的和其它方面和优点将变得更加清楚，其中：
图1示出了具有单一磁层的常规垂直磁记录介质的层结构；
图2示出了具有两个磁层的一种常规垂直磁记录介质的层结构；
图3示出了具有两个磁层的另一种常规垂直磁记录介质的层结构；
图4示出了根据本发明第一实施例的垂直磁记录介质的层结构；
图5示出了根据本发明第二实施例的垂直磁记录介质的层结构；
图6示出了根据本发明的垂直磁记录介质的磁滞回线；
图7示出了根据本发明的垂直磁记录介质的晶粒尺寸和垂直定位特性。
具体实施方式
图4中示出的根据本发明第一实施例的垂直磁记录介质具有一个单一磁层。图5中示出的根据本发明第二实施例的垂直磁记录介质具有两个磁层。
参考图4，在基底300的上层表面上依次形成第一、第二和第三衬层301、302和303。在第三衬层303上形成记录有信息的垂直磁记录层304。与常规磁记录介质中相同，在垂直磁记录层304上形成保护层305和润滑层306。
参考图5，与图4的第一实施例相比，在基底400的上层表面上形成软磁层401。接着，在软磁层401上依次形成第一、第二和第三衬层402、403和404。在第三衬层404上形成记录有信息的垂直磁记录层405。与常规磁记录介质中相同，在垂直磁记录层405上形成保护层406和润滑层407。
在根据本发明的垂直磁记录介质中，三层301、302和303(或402、403和404)被用来形成垂直定位衬层，以便改善垂直磁记录层304(或405)的垂直定位。
第一衬层301和402以及第三衬层303和404主要由Pt形成，并且，第二衬层302和403主要由Ti形成。
若单个Pt衬层被用作垂直定位衬层，则一些垂直磁记录层增加交换耦合并放大晶粒。因此，就增加了信息记录/写入的噪声，并且恶化了电学特性，例如矫顽力或第二象限的滞后回线。这些问题主要是由Pt衬层的厚度引起的。若Pt衬层比较厚，则Pt衬层的晶粒被放大。因此，垂直磁记录层的晶粒也被放大，并且交换耦合增加。
薄的Pt衬层减小了晶粒的尺寸和垂直磁记录层的交换耦合，并且也提供了优良的垂直定位。然而，若Pt衬层太薄，则不能形成完整的层结构，并因此变得难以使用。
在本发明中，为了克服单个Pt衬层的缺陷，并形成具有优良属性的垂直定位衬层，镀上第一Pt衬层，以便获得稳定性。接着，使用Ti等镀上非常薄的第二衬层，以便阻值晶粒变大，并具有第一Pt衬层的属性。最后，镀上第三Pt衬层，以便将优良的磁场特性提供给垂直磁记录层，并减小的晶粒的尺寸和交换耦合影响。从而，可以获得具有优良SNR的垂直磁记录介质。
图6示出了根据本发明的具有三层的垂直定位衬层的垂直磁记录层的磁滞回线、和具有由Pt和Ti制成的单一分层的垂直定位衬层的两个常规垂直磁记录介质的磁滞回线。
如图6所示，根据本发明的具有三层的垂直定位衬层的垂直磁记录层具有：比两个常规垂直磁记录介质更高的矫顽力值(Hc)、更高的成核域(nucleation field)值(Hn)和更高的垂直度(squareness)值(SQ)。因此，根据本发明的具有三层的垂直定位衬层的垂直磁记录层，能够提供优良的热稳定性和低的交换耦合。
图7示出了根据本发明的具有三层的垂直定位衬层的、垂直磁记录介质的晶粒尺寸和晶体定位。从图7可以看出：根据本发明的垂直磁记录介质具有与两个常规垂直磁记录介质相同的晶粒和优良的垂直定位。结果，根据本发明的垂直磁记录介质可以获得具有高的SNR的高密度记录。
虽然，参考本发明的示例性实施例，示出并描述了本发明，但是，本领域的技术人员应当理解，在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的实质和范围的前提下，可以在形式上和细节上做出各种变化。
如上所述，由于三层的垂直定位衬层的使用，可以获得Pt衬层的优良的垂直定位和一致的晶体点阵。而且，垂直定位衬层具有小的晶粒。因此，具有优良的垂直定位和小的晶粒的垂直定位衬层，能够使垂直磁记录层具有良好的热稳定性、高记录密度、和高的SNR。

Claims (4)

1.一种垂直磁记录介质，包括：
垂直磁记录层，放置在基底上；和
多层的垂直定位衬层，放置在基底和垂直磁记录层之间，并具有：每个由Pt制成的第一到第三衬层。
2.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，第一和第三衬层中的至少一个，由Pt和Pt合金中的任一个形成，而第二衬层由Ti和Ti合金中的任一个形成。
3.如权利要求1所述的垂直磁记录介质，其中，在垂直定位层和基底之间放置了一个软磁层。
4.如权利要求2所述的垂直磁记录介质，其中，在垂直定位层和基底之间放置了一个软磁层。
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