JP3230223B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気記録媒体に関す
る。より詳しくは、ＣｏＰｔＢＯ系磁性層を有する垂直
磁気記録媒体に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の分野においては、記録
の高密度化を図るために、垂直磁気記録媒体が用いられ
つつある。この垂直磁気記録媒体の磁性薄膜としては、
ＣｏＣｒ、ＣｏＭｏ、ＣｏＶ、ＣｏＲｕ等の合金磁性薄
膜が知られている。

【０００３】これらの合金のうち最も磁気特性に優れて
いるＣｏＣｒ系合金ついて、その代表的な磁気特性をみ
ると、飽和磁束密度Ｂｓは０．４〜０．６Ｔであり、垂
直保磁力Ｈｃｖは、この合金薄膜のスパッタリング等の
被着成膜時に基板を１５０℃程度に加熱した場合には１
２０ｋＡ／ｍに及ぶ値を示すものの、その成膜時の基板
温度が室温程度である場合は、約２４ｋＡ／ｍと比較的
低い値を示す。そして、垂直方向の角型比（Ｍｒ／Ｍ
ｓ）は約０．２、異方性磁界Ｈｋは約３２０〜４８０ｋ
Ａ／ｍである。この場合、飽和磁束密度Ｂｓが比較的低
いという問題があり、また、成膜時の基板温度を高くし
なければ高い垂直保磁力Ｈｃｖを得ることができないた
めに、その基板として安価であるが耐熱性が不十分なポ
リエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基板等は使用する
ことができないという問題があった。

【０００４】これに対して本出願人は、先に特開平２−
７４０１２号公報において、膜厚を大きくしても十分な
保磁力Ｈｃが得られ、成膜時の基板温度を高める必要が
なく、また、十分な飽和磁束密度Ｂｓも実現しやすいＣ
ｏＰｔＢＯ系合金を提案した。このＣｏＰｔＢＯ系合金
は、その組成式が（Ｃｏ_ａＰｔ_ｂＢ_ｃ）_{１００−ｘ}Ｏ_ｘ
で示され、そしてその組成範囲が、ａ＝１００−ｂ−
ｃ、０≦ｂ≦５０、０．１≦ｃ≦３０、及び０＜ｘ≦１
５（但し、ａ、ｂ、ｃ、ｘは原子％である）で示され
る。この磁性膜においては、その成膜時の基板温度を室
温程度の比較的低い温度とし、且つその膜厚を比較的厚
くしても２４０ｋＡ／ｍ程度の高い垂直保磁力Ｈｃｖ、
１〜１．２Ｔ程度の高い飽和磁束密度Ｂｓ（４πＭｓ）
及び１２００ｋＡ／ｍ程度の高い垂直異方性磁界Ｈｋが
実現されている。

【０００５】また、本出願人は、先に特開平２−７３５
１１号公報において、ＣｏＰｔ系又はＣｏＰｔＯ系合金
による磁性薄膜の下地にＰｔ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ等の各種
材料よりなる薄膜を設けることにより、磁性薄膜の膜厚
を大きくしても、また、その成膜時の基板温度を高めな
くとも、垂直磁気記録媒体として或いは面内磁気記録媒
体として優れた磁気特性を有する磁気記録媒体が製造で
きることを提案した。ここで、垂直磁気記録媒体の記録
磁性層としてのＣｏＰｔＯ系合金からなる垂直磁化膜と
しては、その垂直異方性磁界Ｈｋ（ｋＡ／ｍ）と飽和磁
束密度Ｂｓ（Ｔ）との関係が以下の式（１）で表される
ものを選択する。

【０００６】 （１０^４／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１）

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うなＣｏＰｔＯ系合金を用いた垂直磁化膜を得る場合、
実際上その成膜時の諸条件、特に酸素分圧設定条件が厳
しく、またこれらの磁気特性は磁性薄膜の酸素含有量に
対して敏感であるため、その制御が難しく、従って製造
工程が繁雑になるという問題がある。

【０００８】また、ＣｏＰｔＢＯ系合金を用いた垂直磁
化膜を有する磁気記録媒体においては、垂直異方性磁界
が大きい組成領域では保磁力が過度に大きくなる傾向が
あり、このためオーバーライト特性が低下するという問
題があった。

【０００９】更に、一般に磁気記録媒体においては磁性
膜の垂直磁化曲線の角型性を低下させずに磁気記録の出
力を向上させることが常に要望されている。

【００１０】本発明は以上のような従来技術の問題点を
解決しようとするものであり、望ましい磁気特性、特に
高い垂直異方性磁界を有するＣｏＰｔＢＯ系合金の磁性
薄膜を得るための成膜時の酸素分圧の条件を緩和し、所
望の磁気記録媒体を高い再現性且つ歩留まりで製造でき
るようにすることを第１の目的とする。更に、この発明
は、このような磁気記録媒体のオーバーライト特性及び
磁気記録の出力を、垂直磁化曲線の角型性を低下させず
に向上させることを第２の目的とする。

【００１１】

【課題を解決するための手段】本発明者は、非磁性支持
体上に磁性層を形成する際に、それらの間に面心立方晶
構造の中間層を設け、更にその非磁性支持体と中間層と
の間にＴｉ下地層を設けることにより上述の第１の目的
が達成でき、更に磁性層と中間層との間に軟磁性層を設
けることにより上述の第２の目的が達成できることを見
出し、本発明を完成させるに至った。

【００１２】即ち、本発明は、非磁性支持体上に、Ｃｏ
ＰｔＢＯ系合金からなる磁性層が形成されている磁気記
録媒体において、非磁性支持体と磁性層との間に面心立
方晶構造の中間層が設けられており、且つ該非磁性支持
体と該中間層との間にＴｉ下地層が更に形成されている
磁気記録媒体を提供する。ここで、ＣｏＰｔＢＯ系合金
は、特開平２−７４０１２号公報に示されているよう
に、以下の組成式 （Ｃｏ _ａ Ｐｔ _ｂ Ｂ _ｃ ） _{１００−ｘ} Ｏ _ｘ （式中、ａ、ｂ、ｃ及びｘは原子％であり、これらは以
下の式： ａ＝１００−ｂ−ｃ； ０≦ｂ≦５０； ０．１≦ｃ≦３０；及び ０＜ｘ≦１５ を満足する）で表されるものである。

【００１３】この発明においては、更に該磁性層と中間
層との間に軟磁性層が設けられた磁気記録媒体を提供す
る。

【００１４】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１５】本発明の磁気記録媒体の基本的態様は、図
１に示すように、ガラス基板等の非磁性支持体１、中間
層２、ＣｏＰｔＢＯ系合金からなる磁性層３が順次積層
されたものであり、この中間層２を面心立方晶構造とし
たことを特徴とする。

【００１６】このように、前述の特開平２−７４０１２
号公報で提案した特定のＣｏＰｔＢＯ系合金から磁性層
を構成し、更に中間層２を面心立方晶構造とすることに
より、磁性層の成膜時の基板温度を高めずとも、また比
較的厚い膜厚にしても高い垂直保磁力Ｈｃｖ、飽和磁束
密度Ｂｓ（４πＭｓ）及び垂直異方性磁界Ｈｋを実現で
きる。

【００１７】なお、本発明においては中間層２の面心立
方晶が最密充填のときに、結晶の（１１１）面が非磁性
支持体１の平面に平行、即ち（１１１）軸が非磁性支持
体１の平面に垂直となる。しかし、実際にはすべての結
晶の（１１１）軸が非磁性支持体の平面に垂直ではな
く、その一部が垂直方向から傾き揺らいでいる。この揺
らぎの程度は、Ｘ線回折におけるθ−２θスキャンによ
る表面解析法により中間層２を調べたときに、中間層２
の（１１１）面上で２θを固定して求めたロッキングカ
ーブにおける最大強度Ｉに対してＩ／２以上の強度とな
る角度の範囲、即ち配向度Δθ_５０で表すことができ
る。配向度Δθ_５０の値が０の場合には、中間層２の結
晶軸の方向が一律にそろっていることを示し、逆にその
値が大きくなるほど非磁性支持体１の平面に垂直方向の
揺らぎが多いこと、換言すれば結晶配向性が低下してい
ることを示している。

【００１８】従って、本発明においては、面心立方晶構
造を有する中間層２のＸ線回折像の（１１１）ピークの
ロッキングカーブにより求めた配向度Δθ_５０が、以下
の式（２） Δθ_５０≦１０（ｄｅｇ．） （２） を満足するような中間層２とすることが好ましい。この
ようにΔθ_５０を１０°以下として、中間層２の面心立
方晶の結晶配向性を良好なものとすることにより磁性層
３の磁気特性、特に垂直異方性磁界Ｈｋを、従来に比べ
高い数値、例えば約８００ｋＡ／ｍ以上とすることがで
きる。更に、垂直磁化膜として満足すべき条件である前
述の式（１） （１０^４／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１） を実現するための成膜時の酸素分圧の範囲を、従来にく
らべ格段に広くすることができる。このことは、成膜時
の酸素分圧条件を緩和できることを意味し、従って再現
性の向上や歩留まりの向上を図ることができる。

【００１９】本発明においては、上述したように中間層
２の面心立方晶の揺らぎの程度を配向度Δθ_５０により
制御する他に、Ｘ線回折像の（３１１）ピークの積分強
度Ｉ_３１１と（２２２）ピークの積分強度Ｉ_２２２との
比（Ｉ_３１１／Ｉ_２２２）により結晶構造の揺らぎを制
御することもできる。この場合、Ｉ_３１１／Ｉ_２２２の
比が０の場合、即ち（３１１）ピークが存在しない場合
には、面心立方晶が理想的に最密充填され、（１１１）
軸が非磁性支持体１の平面の垂直方向に一律に揃ってい
る状態を示し、またＩ_３１１／Ｉ_２２２の比の値が大き
くなると、面心立方晶の配向性が低下していることを示
している。

【００２０】本発明においては、中間層２についてこの
ような（３１１）ピークと（２２２）ピークとの積分強
度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２が以下の式（３） Ｉ_３１１／Ｉ_２２２≦０．８ （３） を満足するような中間層２とすることが好ましい。Ｉ
_３１１／Ｉ_２２２の比が０．８以下の場合には、中間層
２の面心立方晶の結晶配向性が十分に良好であり、これ
により磁性層３の磁気特性、特に垂直異方性磁界Ｈｋ
を、従来に比べ高い数値、例えば約８００ｋＡ／ｍ以上
の数値とすることができる。更に、垂直磁化膜として満
足すべき条件である前述の式（１） （１０^４／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１） を実現するための成膜時の酸素分圧の範囲を、従来にく
らべ格段に広くすることができる。このことは、成膜時
の酸素分圧条件を緩和できることを意味し、従って再現
性の向上や歩留まりの向上を図ることができる。

【００２１】なお、本発明において中間層２を構成する
材料としては、面心立方晶を形成するＡｌ、Ｎｉ、Ｃ
ｕ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ａｇ、Ｉｒ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｆｅ及びＣ
ｏの少なくとも１種を含有するものが好ましく、それに
加えて、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｖ、Ｃｒ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｔａ、
Ｗ、Ｈｆ、Ｍｎ、Ｒｅ、Ｒｕ、Ｏｓ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｂ、
Ｇａ、Ｔｌ、Ｃ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｐ、Ａｓ、
Ｓｂ、Ｂｉ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ、Ｂｅ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓ
ｒ、Ｂａ、Ｓｃ、Ｙ、希土類元素などの元素を中間層２
の面心立方構造が維持できる範囲内で用いることがで
き、これらは非磁性体膜でも磁性体膜のいずれでもよ
い。

【００２２】また、本発明においては図２に示すよう
に、非磁性支持体１と中間層２との間にＴｉ又はＣｒを
少なくとも含有する下地層４を更に形成することによ
り、中間層２の面心立方晶構造の結晶配向性をより向上
させ、磁性層３の垂直保磁力Ｈｃｖ、飽和磁束密度Ｂｓ
（４πＭｓ）及び垂直異方性磁界Ｈｋ等の磁気特性を改
善することができる。特に、優れた結晶配向性を有する
Ｐｔ、Ａｕ、Ｐｄなどの高価な非磁性金属膜に比べ、わ
ずかに結晶配向性に劣るとされているＡｌＣｕなどの非
磁性膜で中間層３を構成した場合でも、Ｐｔなどの高価
な金属と同等程度の効果を得ることができ、この場合に
は高価な金属を用いずに低コストで中間層２を形成する
ことができるという利点がある。

【００２３】また、垂直磁気記録においては磁気ヘッド
として単磁極ヘッドを用いる場合とリングヘッドを用い
る場合があり、特に単磁極ヘッドの場合には非磁性支持
体と磁性層との間に、０．５〜１．０μｍ程度の比較的
厚い軟磁性層を用いることが提案されている（鈴木、釘
屋、吉田及び北上、信学技報、ＭＲ８８−６（１９８
８））が、本発明において中間層２としてこのような面
心立方晶構造の比較的厚い軟磁性層を用いる場合には、
Ｔｉ又はＣｒを少なくとも含有する下地層４の存在は、
中間層２の結晶配向性をより向上させるばかりでなく、
中間層２の付着強度を向上させ、更に磁性層３の結晶性
や配向性を改善することができるという利点がある。

【００２４】このような下地層４の厚みは必要に応じて
適宜決定することができるが、厚すぎるとその上に形成
される中間層２の結晶配向性が低下する場合があるの
で、一般には約５ｎｍから約５０ｎｍ程度の厚みがあれ
ばよい。なお、下地層４にはＴｉ或いはＣｒの他に中間
層２の結晶配向性に悪影響を与えない限り他の金属元素
等を含有させてもよい。

【００２５】本発明においては、図３や図４に示すよう
に、中間層２と磁性層３との間に更に軟磁性層５を設け
てもよい。このように軟磁性層５を更に設けることによ
り、磁気記録媒体の磁気記録の出力とオーバーライト特
性とを、垂直磁化曲線の角型性を低下させずに向上させ
ることができる。

【００２６】このような軟磁性層５は、体心立方晶構造
又は面心立方晶構造とすることが好ましい。これは軟磁
性層５の構造をアモルファス構造とした場合には、磁性
層３の結晶配向性の改善が十分でなく、そのため特に短
波長領域の記録・再生特性の改善が十分でない場合があ
るからである。このような体心立方晶構造又は面心立方
晶構造をとる軟磁性層５としては、ＦｅＳｉ層を好まし
く例示できる。

【００２７】なお、中間層２を軟磁性膜から構成するこ
とにより、中間層２で軟磁性層５を兼用することができ
る。

【００２８】本発明において、非磁性支持体１の素材や
その形状や厚み、さらに中間層２の厚さなどは、必要に
応じて適宜決定することができる。また、必要に応じ
て、図２及び４に示すように、磁性層３の上にカーボン
等からなる保護層６を形成してもよい。

【００２９】本発明の磁気記録媒体は例えば、ガラス基
板等の非磁性支持体上に、ＰｔやＡｌＣｕなどからなる
中間層をスパッタリングにより積層し、更にターゲット
及び流入ガスを換え、スパッタリングにより磁性層を積
層することにより製造できる。また必要に応じて、磁性
層を積層する前に、ターゲット及び流入ガスを換えてス
パッタリングにより軟磁性層を積層することができる。
更に、磁性層を積層した後に、カーボン保護膜を形成す
ることができる。また、中間層を積層する前にＴｉなど
からなる下地層を非磁性支持体上にスパッタリングによ
り予め形成しておくこともできる。

【００３０】

【作用】本発明の磁気記録媒体においては、非磁性支持
体と磁性層との間に設ける中間層を面心立方結晶構造と
するので、磁性層の成膜時の基板温度を高めずとも、ま
た磁性層の膜厚を比較的厚くしたとしても、高い垂直保
磁力Ｈｃｖ、飽和磁束密度Ｂｓ（４πＭｓ）及び垂直異
方性磁界Ｈｋを実現することが可能となる。特に、中間
層の面心立方晶構造の結晶配向性の程度を制御する場合
に、中間層のＸ線回折像の（１１１）ピークのロッキン
グカーブにより求めた配向度Δθ_５０を１０°以下とす
るか、又は（３１１）ピークの積分強度Ｉ_３１１と（２
２２）ピークの積分強度Ｉ_２２２との比（Ｉ_３１１／Ｉ
_２２２）を０．８以下とすることにより結晶配向性を良
好に制御することが可能となる。

【００３１】また、Ｔｉからなる下地層（Ｔｉ下地層）
を非磁性支持体と中間層との間に形成しておけば、中間
層の結晶配向性を更に改善することができ、磁性層の磁
気特性を改善することが可能となる。

【００３２】磁性層と中間層との間に軟磁性層を設けた
場合には、垂直磁化曲線の角型性を劣化させずにオーバ
ーライト特性及び磁気記録の出力を向上させることが可
能となる。

【００３３】

【実施例】以下、本発明の磁気記録媒体について、実施
例により具体的に説明する。なお、以下の実施例及び比
較例において垂直異方性磁界Ｈｋは試料振動型磁力計で
測定し、また、磁性層等の結晶性評価のために、Ｃｕ−
Ｋα線を使用してＸ線回折像を解析した。また、磁気特
性評価については、Ｋｅｒｒループトレーサー（印加磁
場９６０ｋＡ／ｍ）を用いた。記録・再生特性を評価す
る場合には、磁性膜の表面にカーボン保護膜をスパッタ
法にて１０ｎｍ積層した後に液体潤滑剤を塗布して磁気
ディスクを製造し、それに対してヘッドコア材として
１．４Ｔの飽和磁束密度をもつＦｅＲｕＧａＳｉ合金膜
を用いたメタル・イン・ギャップヘッド（トラック幅２
５μｍ、ギャップ長０．３５μｍ）を接触させ、周速３
ｍ／ｓｅｃという条件で記録・再生を行って評価した。
なお、実施例１〜１０及び１７は、本願発明における中
間層又は軟磁性層の存在意義を明確にするための参考例
である。

【００３４】実施例１ スライドカラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＰｔ中間層、磁性
層を順次積層し、図１に示すような磁気記録媒体を製造
した。このときの中間層と磁性層との成膜条件は次の通
りである。

【００３５】 バックグランド真空度： １．３×１０^−４Ｐａ 非磁性支持体温度 ： 室温 スパッタ投入電力 ： ３００Ｗ スパッタガス全圧 ： ２．０Ｐａ 磁性層 ガス組成 ： Ａｒ及び酸素 全ガス流量 ： ５０ＳＣＣＭ 酸素分圧 ： ０．０３５Ｐａ ターゲット ： Ｃｏ_６８Ｐｔ_２３Ｂ_９（原子
％）組成の合金（直径１０ｃｍ×厚さ４ｍｍ） 膜厚 ： １００ｎｍ 中間層 導入ガス ： Ａｒガス ターゲット ： Ｐｔ また、上記の条件下で、中間層を成膜する際のＡｒガス
流量、ガス圧、中間層厚を変化させて種々のＰｔ中間層
の（１１１）ピークの配向度Δθ_５０を有する磁気記録
媒体を製造し、これらについてＸ線回折像をとり、この
ときのＰｔ中間層２の（１１１）ピークのロッキングカ
ーブにより求めた配向度Δθ_５０と垂直異方性磁界Ｈｋ
との関係を調べた。この結果を図５に示す。

【００３６】また、中間層のＸ線回折像の（３１１）ピ
ークと（２２２）ピークとの積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ
_２２２と、垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。その
結果を図６に示す。

【００３７】実施例２ 中間層をＡｕに代える以外は実施例１を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例１と同様に中間層２
の（１１１）ピークのロッキングカーブにより求めた配
向度Δθ_５０と垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。
この結果を図５に示す。

【００３８】また、中間層のＸ線回折像の（３１１）ピ
ークと（２２２）ピークとの積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ
_２２２と、垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。その
結果を図６に示す。

【００３９】実施例３ 中間層をＰｄに代える以外は実施例１を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例１と同様に中間層２
の（１１１）ピークのロッキングカーブにより求めた配
向度Δθ_５０と垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。
この結果を図５に示す。

【００４０】また、中間層のＸ線回折像の（３１１）ピ
ークと（２２２）ピークとの積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ
_２２２と、垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。その
結果を図６に示す。

【００４１】実施例４ 中間層をＡｇに代える以外は実施例１を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例１と同様に中間層２
の（１１１）ピークのロッキングカーブにより求めた配
向度Δθ_５０と垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。
この結果を図５に示す。

【００４２】また、中間層のＸ線回折像の（３１１）ピ
ークと（２２２）ピークとの積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ
_２２２と、垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を調べた。その
結果を図６に示す。

【００４３】図５から明らかなように、磁性層の垂直異
方性磁界Ｈｋは、中間層の配向度Δθ_５０に対して強い
相関関係を示し、Δθ_５０＝１０°近傍で急峻な傾きを
示し、且つΔθ_５０≦１０°の範囲では８００ｋＡ／ｍ
以上の垂直異方性磁界Ｈｋが得られた。

【００４４】ところで実施例１〜４で得られる磁性層の
飽和磁束密度Ｂｓは約１〜１．２Ｔ程度であり、良好な
垂直磁化膜を得るための前述した式（１） （１０^４／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１） に、この飽和磁束密度Ｂｓの数値（１〜１．２Ｔ）を代
入すると、実用上必要な垂直異方性磁界Ｈｋは約８００
ｋＡ／ｍ以上となる。従って、実施例１〜４において
は、配向度をΔθ_５０≦１０°とすることにより式
（１）が満たされ、良好な垂直磁気記録媒体が得られる
ことが分かる。

【００４５】また、磁性層の垂直異方性磁界Ｈｋは、図
６から明らかなように、中間層の（３１１）ピークと
（２２２）ピークとの積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２に
依存し、この比が約０．８以下の範囲では８００ｋＡ／
ｍ以上の垂直異方性磁界Ｈｋが得られている。従って、
積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２を０．８以下とすること
により良好な垂直磁気記録媒体が得られることが分か
る。

【００４６】なお、参考として図７に、Ａｕ中間層の場
合のＸ線回折像の一例を示す。この図においては、一般
にＸ線回折データの標準として利用されているＡＳＴＭ
（Ａｍｅｒｉａｎ Ｓｏｃｉｅｔｙ ｆｏｒ Ｔｅｓｔ
ｉｎｇ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）カードをもとに、面心立
方晶（ｆｃｃ）構造を有するＡｕの回折ピークの位置を
示した。また、Ｐ_Ｃｏは磁性層（ＣｏＰｔＢＯ）のピー
クを示し、Ｐ_１１１、Ｐ_３１１及びＰ_２２２は、それぞ
れＡｕ中間層の（１１１）ピーク、（３１１）ピーク及
び（２２２）ピークを示している。他の面心立方晶構造
の中間層についても、図７と同様なＸ線回折像が得られ
る。

【００４７】図８に、Ｐ_Ｃｏピークのピーク強度と積分
強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２との関係を示す。この図から
明らかなように、積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２が小さ
くなるほどＰ_Ｃｏのピーク強度が強くなる。このことは
磁性層の結晶性が向上していることを示している。この
理由は、積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２が小さいほど
（１１１）軸の方向が非磁性支持体の平面に対して垂直
方向に配向しており、その配向が磁性層の結晶性を向上
させていると考えられる。

【００４８】実施例５ スライドカラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＰｔ中間層、磁性
層を順次積層し、図１に示すような磁気記録媒体を製造
した。成膜条件は、中間層を以下の条件で成膜する以外
は実施例１と同様である。

【００４９】中間層 導入ガス ： Ａｒガス ガス流量 ： ５０ＳＣＣＭ スパッタ全圧 ： ２．０Ｐａ ターゲット ： Ｐｔ 膜厚 ： １００ｎｍ （中間層の配向度Δθ_５０＝７．０〜８．０（ｄｅ
ｇ．）、積分強度比Ｉ_{３１ １}／Ｉ_２２２＝０．０２〜
０．０４） この場合、上記の条件下で、磁性層を成膜する際の酸素
分圧を変化させて種々の磁性層を成膜して種々の磁気記
録媒体を製造した。これらについて垂直磁気異方性磁界
Ｈｋと酸素分圧との関係を調べた。その結果を図９に示
す。

【００５０】実施例６ 中間層をＡｕに代える以外は実施例５を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例５と同様に垂直磁気
異方性磁界Ｈｋと酸素分圧との関係を調べた。その結果
を図９に示す。なお、Ａｕ中間層の配向度Δθ_５０は
６．８〜８．０（ｄｅｇ．）であった。また、積分強度
比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２は０．０４〜０．０７であった。

【００５１】実施例７ 中間層をＰｄに代える以外は実施例５を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例５と同様に垂直磁気
異方性磁界Ｈｋと酸素分圧との関係を調べた。その結果
を図９に示す。なお、Ｐｄ中間層の配向度Δθ_５０は
８．０〜９．０（ｄｅｇ．）であった。また、積分強度
比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２は０．３〜０．５であった。

【００５２】実施例８ 中間層をＡｇに代える以外は実施例５を繰り返すことに
より磁気記録媒体を製造し、実施例５と同様に垂直磁気
異方性磁界Ｈｋと酸素分圧との関係を調べた。その結果
を図９に示す。なお、Ｐｄ中間層の配向度Δθ_５０は
８．０〜９．０（ｄｅｇ．）であった。また、積分強度
比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２は０．１〜０．３５であった。

【００５３】比較例１ 中間層を設けない以外は実施例５を繰り返すことによ
り、非磁性支持体上に直接、磁性層が積層された磁気記
録媒体を製造し、実施例５と同様に垂直磁気異方性磁界
Ｈｋと酸素分圧との関係を調べた。結果を図９に示す。
なお、図９において、実線ａは実施例５〜８の結果であ
り、点線ｂは比較例１の結果である。

【００５４】図９から明らかなように、測定した全酸素
分圧範囲（０〜０．０７Ｐａ）において、実施例５〜８
の磁性層の垂直異方性磁界Ｈｋは、比較例１の磁性層の
垂直異方性磁界Ｈｋに比べて大きいことが分かる。

【００５５】ところで実施例５〜８で得られる磁性層の
飽和磁束密度Ｂｓは約１〜１．２Ｔ程度であり、良好な
垂直磁化膜を得るための前述した式（１） （１０^４／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１） に、この飽和磁束密度Ｂｓの数値（１〜１．２Ｔ）を代
入すると、実用上必要な垂直異方性磁界Ｈｋは約８００
ｋＡ／ｍ以上となる。また、このような垂直磁化膜を得
るための酸素分圧の範囲は、比較例１では０．０３５Ｐ
ａ近傍に限られるのに対し、実施例５及び６、即ちＰｔ
及びＡｕ中間層を有する磁気記録媒体の場合には、酸素
分圧が約０．０２Ｐａ〜０．０６Ｐａの範囲、そして実
施例７及び８、即ちＰｄ及びＡｇ中間層を有する磁気記
録媒体の場合には、酸素分圧が約０．０３Ｐａ〜０．０
５Ｐａの範囲となる。従って、実施例によれば成膜時の
酸素分圧条件を緩和可能であることが分かる。

【００５６】実施例９ スライドカラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＡｕ中間層、磁性
層を順次積層し、図１に示すような磁気記録媒体を製造
した。更に、磁性層の表面にスパッタ法によりカーボン
保護膜を１０ｎｍ成膜した。このときの中間層と磁性層
との成膜条件は、バックグラウンド真空度を５×１０
^−５Ｐａとし、磁性層の膜厚を２００ｎｍとする以外
は、中間層については実施例６の成膜条件と同様であ
り、磁性層については実施例１の成膜条件と同様であ
る。

【００５７】実施例１０ スライドカラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＡｕ中間層、軟磁
性層、磁性層、カーボン保護膜を順次積層し、図２に示
すような磁気記録媒体を製造した。このときの中間層と
磁性層との成膜条件は実施例９と同様であり、軟磁性層
の成膜条件は実施例９の中間層の成膜条件の中でターゲ
ットとしてＡｕに代えてＦｅ_９６Ｓｉ_４（原子％）組成
の合金を用い、その膜厚を１５ｎｍとする以外は中間層
の成膜条件と同様である。

【００５８】実施例９及び１０で得られた磁気記録媒体
について、それらの記録密度特性の測定結果を図１０に
示し、垂直磁化曲線の測定結果をそれぞれ図１１
（ａ）、（ｂ）に示す。

【００５９】図１０から明らかなように、実施例９の磁
気記録媒体は実用上十分な磁気記録の出力特性を有して
いるが、軟磁性層を更に設けた実施例１０の記録媒体は
長波長領域（例えば１２μｍ）から短波長領域（例えば
０．２５μｍ）において実施例９の磁気記録媒体にくら
べ数ｄＢの磁気記録の出力の向上が実現できた。

【００６０】また、図１１から明らかなように、この発
明の磁気記録媒体は高い角型性が保持されていることが
分かる。

【００６１】また、実施例９及び１０の磁気記録媒体の
オーバーライト特性について、記録波長６μｍで記録
し、その後に記録波長１μｍで上書きした場合に、記録
波長６μｍでの記録情報の減少量で評価した。この結果
を表１に示す。この場合、数値が小さくなる程オーバー
ライト特性が向上する。

【００６２】

【表１】 オーバーライト特性 ［記録波長１μｍ／６μｍ］（ｄＢ） 実施例 ９ −２８．６ 実施例１０ −４４．０ 表１から明らかなように、実施例９の磁気記録媒体のオ
ーバーライト特性は実用上十分なものであるが、軟磁性
層を更に設けた実施例１０の記録媒体は、実施例９の磁
気磁気記録媒体に比べ１５．４ｄＢものオーバーライト
特性の向上が観察された。

【００６３】更に、実施例９及び、実施例１０の軟磁性
層、磁性層のＸ線回折強度［ｃｐｓ］と配向度Δθ_５０
とを表２に示す。この場合、Ｘ線回折強度の数値が大き
い程、結晶性は良好となる。

【００６４】

【表２】 磁性膜（００２）ピーク 軟磁性層（１１０）ピーク 回折強度 Δθ_５０ 回折強度 Δθ_５０ ［ｃｐｓ］ ［ｄｅｇ．］ ［ｃｐｓ］ ［ｄｅｇ．］ 実施例 ９ １２３ｋ ４．８ −−− −−− 実施例１０ ９６ｋ ６．３ ８．１ｋ ３．７ 表２から明らかなように、実施例９及び１０の磁気記録
媒体の磁性膜の結晶性と配向性は実用上十分なものであ
った。参考のため、軟磁性層としてＮｂ_１１Ｚｒ_４Ｔａ
_２アモルファス合金層を用いる以外は実施例１０を繰り
返すことにより磁気記録媒体を製造し、得られた磁気記
録媒体に対して実施例９及び実施例１０と同様に軟磁性
層、磁性層のＸ線回折強度と配向度Δθ_５０を測定し
た。その結果、実施例９及び実施例１０に比べると磁性
層の結晶性、配向性とも低下していた。

【００６５】実施例１１ スライドガラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＴｉ下地層、Ｎｉ
ＣｕＴａ中間層を順次積層した。このときの下地層及び
中間層の成膜条件は次の通りである。

【００６６】 バックグラウンド真空度： １．３×１０^−４Ｐａ 非磁性支持体温度 ： 室温 スパッタ投入電力 ： ＤＣ３００Ｗ 中間層 導入ガス ： Ａｒガス 全ガス流量 ： １００ＳＣＣＭ 膜厚 ： ２００ｎｍ ターゲット ： Ｎｉ_４５Ｃｕ_５０Ｔａ
_５（原子％）組成の合金（直径１０ｃｍ×厚さ４ｍｍ） 下地層 導入ガス ： Ａｒガス 全ガス流量 ： １００ＳＣＣＭ ターゲット ： Ｔｉ 上記の条件下で下地層の厚さを変化させてＸ線回折像を
とり、このときの面心立方晶構造のＮｉＣｕＴａ中間層
の（１１１）ピーク強度と（１１１）ピークのロッキン
グカーブにより求めた配向度Δθ_５０のＴｉ下地層厚依
存性を調べた。この結果を図１２及び図１３に示す。

【００６７】実施例１２ 実施例１１において中間層にＣｕを使用する以外は、実
施例１１を繰り返し同様に下地層の厚さを変化させてＸ
線回折像をとり、このときのＣｕ中間層の（１１１）ピ
ーク強度と（１１１）ピークの配向度Δθ_５０のＴｉ下
地層厚依存性を調べた。この結果を図１２及び図１３に
示す。

【００６８】実施例１３ 実施例１１において中間層にＮｉを使用する以外は、実
施例１１を繰り返し同様に下地層の厚さを変化させてＸ
線回折像をとり、このときのＮｉ中間層の（１１１）ピ
ーク強度と（１１１）ピークの配向度Δθ_５０のＴｉ下
地層厚依存性を調べた。この結果を図１２及び図１３に
示す。

【００６９】実施例１４ 実施例１１において中間層にＡｌを使用する以外は、実
施例１１を繰り返し同様に下地層の厚さを変化させてＸ
線回折像をとり、このときのＡｌ中間層の（１１１）ピ
ーク強度と（１１１）ピークの配向度Δθ_５０のＴｉ下
地層厚依存性を調べた。この結果を図１２及び図１３に
示す。

【００７０】実施例１５ 実施例１１において中間層にＣｕ_８０Ａｌ_２０（原子
％）を使用する以外は、実施例１１を繰り返し同様に下
地層の厚さを変化させてＸ線回折像をとり、このときの
ＣｕＡｌ中間層の（１１１）ピーク強度と（１１１）ピ
ークの配向度Δθ_５０のＴｉ下地層厚依存性を調べた。
この結果を図１２及び図１３に示す。

【００７１】図１２から、実施例１１〜１５における面
心立方晶構造を有する中間層と非磁性支持体との間に５
ｎｍ厚以上のＴｉ下地層を積層することにより、下地層
が存在しない場合に比べ、各中間層の回折ピーク強度は
１０倍以上になり、中間層の結晶性が大きく改善された
ことが分かる。また、図１３からは、５ｎｍ厚以上のＴ
ｉ下地層を積層することにより配向度Δθ_５０が大きく
減少し、その配向性が大きく改善されたことが分かる。

【００７２】表３にＸ線回折像において観察できる各ピ
ークのピーク強度を、下地層が積層されていない場合と
５ｎｍ厚のＴｉ下地層が積層されている場合とについて
それぞれ示す。

【００７３】

【表３】 Ｔｉ下地層の有無による各中間層の Ｘ線回折ピーク強度の変化（単位は任意強度） Ｔｉ下地層 中間層 ピーク 無 有（５ｎｍ厚） Ｃｕ （１１１） １８０２５ １６４５８２ （２００） ２５２５ 〜０ （３１１） ３７２ 〜０ （２２２） ６４７ ７３５３ Ｎｉ （１１１） ７８３２ ９７８９０ （２００） ７２２ ３０４ （２２０） ２２１ ２１３ （３１１） １９６ １７０ （２２２） ２７４ ３０３８ NiCuTa （１１１） ７６５６ １３０６８２ （２００） ５３１ 〜０ （３１１） ２０１ 〜０ （２２２） ２９１ ４４５５ Ａｌ （１１１） ４５０５ ８２０８２ （２００） ３８７ 〜０ （３１１） ２８０ 〜０ （２２２） ２６４ ４０００ CuAl （１１１） ６２４１ ２２３１２ （２２２） ３７２ ９０３ この表３に示した結果から、Ｔｉ下地層を積層しておく
ことにより中間層の（１１１）及び（２２２）ピーク強
度は大きく増加し、一方、その他のピークのピーク強度
は減少することが分かる。この結果は、Ｔｉ下地層の存
在により中間層が強く（１１１）配向し、結晶性も大き
く改善されたことを示している。

【００７４】以上、図１２、図１３及び表３から、Ｔｉ
下地層を中間層と非磁性支持体との間に積層することに
より、その中間層が前述の好ましい垂直磁化膜を実現す
るための条件である式（２）及び（３）を満たし、従っ
て、好ましい垂直磁化膜を実現できることが分かる。

【００７５】実施例１６ スライドガラス基板よりなる非磁性支持体上に、マグネ
トロン型スパッタリング装置によってＴｉ下地層、Ｎｉ
ＣｕＴａ中間層、磁性層を順次積層し図２に示すような
磁気記録媒体を製造した。このときの下地層、中間層及
び磁性層の成膜条件は次の通りである。

【００７６】 バックグラウンド真空度： １．３×１０^−４Ｐａ 非磁性支持体温度 ： 室温 スパッタ投入電力 ： ＤＣ３００Ｗ 磁性層 スパッタガス全圧 ： ２．０Ｐａ ガス組成 ： Ａｒ及び酸素 全ガス流量 ： ５０ＳＣＣＭ ターゲット ： Ｃｏ_６８Ｐｔ_２３Ｂ_９（原
子％）組成の合金（直径１０ｃｍ×厚さ４ｍｍ） 膜厚 ： １００ｎｍ 中間層 導入ガス ： Ａｒガス 全ガス流量 ： １００ＳＣＣＭ 膜厚 ： ２００ｎｍ ターゲット ： Ｎｉ_４５Ｃｕ_５０Ｔａ
_５（原子％）組成の合金（直径１０ｃｍ×厚さ４ｍｍ） 下地層導入ガス ： Ａｒガス 全ガス流量 ： １００ＳＣＣＭ 膜厚 ： ５ｎｍ ターゲット ： Ｔｉ 上記の条件下で、磁性層を成膜する際の酸素分圧を変化
させ種々の磁気記録媒体を製造し、これらについて垂直
異方性磁界Ｈｋと垂直保磁力Ｈｃｖを求め、それらと酸
素分圧ＰＯ_２との関係を求めた。この結果を図１４及び
図１５に示す。

【００７７】実施例１７ 実施例１６において中間層及び下地層のかわりに１００
ｎｍ厚のＰｔ層を使用する以外は、実施例１６を繰り返
すことにより磁気記録媒体を製造し、実施例１６と同様
に垂直異方性磁界Ｈｋと垂直保磁力Ｈｃｖと酸素分圧Ｐ
Ｏ_２との関係を調べた。この結果を図１４及び図１５に
示す。なお、このＰｔ層の積層条件は、単層の中間層を
用いた場合に最も優れた垂直磁気特性が得られる条件で
ある。

【００７８】これら実施例１６及び実施例１７のＮｉＣ
ｕＴａ層及びＰｔ層の結晶性と配向性をＸ線回折法によ
り調べたところ、Ｐｔ層の（１１１）ピークの配向度Δ
θ_{５ ０}は７．０〜８．０（ｄｅｇ．）、ピーク強度の積
分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２は０．０２〜０．０４であ
った。一方、ＮｉＣｕＴａ層の（１１１）ピークの配向
度Δθ_５０は４．５〜６．１（ｄｅｇ．）、ピーク強度
の積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２は０．０１以下であっ
た。これらの結果は、いずれも前述の好ましい垂直磁化
膜を実現するための中間層の条件である式（２）及び
（３）を満たしており、従って、これらの結果は、Ｔｉ
下地層を積層することによりＮｉＣｕＴａ層が強く（１
１１）配向し、そのためその結晶性や配向性が改善され
たことを示している。

【００７９】ところで、実施例１６で得られる磁性層の
飽和磁束密度Ｂｓは約１〜１．２Ｔ程度であり、良好な
垂直磁化膜を得るための前述した式（１） （１０ ^４ ／４π）×Ｈｋ≧Ｂｓ （１） に、この飽和磁束密度Ｂｓの数値（１〜１．２Ｔ）を代
入すると、実用上必要な垂直異方性磁界Ｈｋは約８００
ｋＡ／ｍ以上となるが、図１４から明らかなように、実
施例１６及び実施例１７の磁気記録媒体の垂直異方性磁
界Ｈｋがこの数値以上となる酸素分圧力の範囲は同程度
であり、酸素依存性や垂直異方性磁界Ｈｋの大きさにつ
いても実施例１６と実施例１７とは同程度である。ま
た、図１５から明らかなように、実施例１６の磁気記録
媒体の垂直保磁力Ｈｃｖについては、Ｐｔ中間層を用い
た実施例１７の磁気記録媒体より大きな値が得られてい
る。従って、実施例１７のようにＰｔ中間層を形成する
と良好な磁性特性を実現できるが、実施例１６のように
Ｐｔ中間層よりも安価に形成できるＮｉＣｕＴａ中間層
を形成した場合でも、非磁性支持体を中間層との間に下
地層を形成することにより、Ｐｔ中間層を形成した場合
と同等叉はそれ以上の垂直磁気特性が実現できることが
分かった。

【００８０】実施例１８ 実施例１６において磁性層成膜時の酸素分圧ＰＯ_２を
０．０４７Ｐａとし、磁性層と中間層との間に２０ｎｍ
厚のＦｅ_９６Ｓｉ_４（原子％）軟磁性層を使用した磁気
記録媒体を製造し、垂直異方性磁界Ｈｋと垂直保磁力Ｈ
ｃｖを求めた。その結果、本実施例の垂直異方性磁界Ｈ
ｋは９６０ｋＡ／ｍであり、垂直保磁力Ｈｃｖは１８２
ｋＡ／ｍであった。この値は、前述した実用上必要な垂
直異方性磁界Ｈｋの値（約８００ｋＡ／ｍ以上）より十
分に大きく、従って本実施例で得られた磁気記録媒体は
良好な垂直磁気特性を有するものであった。

【００８１】実施例１９ 実施例１６において中間層に５００ｎｍ厚のＦｅ_１５Ｎ
ｉ_８０Ｔａ_５（原子％）層を使用する以外は、実施例１
６を繰り返すことにより磁気記録媒体を製造し、垂直保
磁力Ｈｃｖと酸素分圧ＰＯ_２との関係を調べた。

【００８２】図１６に実施例１８と実施例１７との垂直
保磁力Ｈｃｖの酸素分圧ＰＯ_２依存性を示す。ＦｅＮｉ
Ｔａ中間層とＴｉ下地層との組み合わせた実施例１８の
場合には、Ｐｔ中間層を用いた場合の実施例１７の場合
に比べ、保磁力の最大値が得られる酸素分圧ＰＯ_２がよ
り酸素濃度の高い方へずれているが、最大値そのものの
値や酸素分圧ＰＯ_２依存性の傾向はほぼ同様である。

【００８３】図１７にＦｅＮｉＴａ中間層とＴｉ下地層
を用いた場合の垂直磁化曲線を示す。図１７から明らか
なように、この磁気記録媒体は高い角型性が保持されて
いることが分かる。

【００８４】また、実施例１９におけるＦｅＮｉＴａ中
間層のＩ_３１１／Ｉ_２２２は０．３〜０．５、（１１
１）ピークの配向度Δθ_５０は３．８〜５．５（ｄｅ
ｇ．）であった。これらの値は、いずれも前述の好まし
い垂直磁化膜の得られる中間層の条件である式（２）及
び（３）を満たしており、従って、Ｔｉ下地層を積層す
ることによりＦｅＮｉＴａ中間層を強く（１１１）配向
させることができ、その結晶性や配向性を改善させるこ
とができた。そのため下地層がない場合のＰｔ中間層と
同等程度の垂直磁気特性を実現することができた。

【００８５】実施例２０ 実施例１６において中間層に５ｎｍ厚のＦｅ_６０Ｃｏ
_４０（原子％）層を使用し、磁性層成膜時の酸素分圧Ｐ
Ｏ_２を０．０４７Ｐａとして磁気記録媒体を製造し、垂
直異方性磁界Ｈｋと垂直保磁力Ｈｃｖを求めた。その結
果は、垂直異方性磁界Ｈｋが１１５０ｋＡ／ｍであり、
垂直保磁力Ｈｃｖが１７５ｋＡ／ｍであった。この値は
前述した実用上必要な垂直異方性磁界Ｈｋの値（約８０
０ｋＡ／ｍ以上）より十分に大きく、良好な垂直磁気特
性を示していた。

【００８６】

【発明の効果】本発明の磁気記録媒体によれば、望まし
い磁気特性、特に高い垂直異方性磁界を有する磁性薄膜
を得るための成膜時の酸素分圧の条件を緩和することが
できる。また、高い再現性で且つ高い歩留まりで磁気記
録媒体を製造することができる。更に、軟磁性層を磁性
層と中間層との間に設けることにより、磁気記録媒体の
磁気記録の出力とオーバーライト特性とを向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】非磁性支持体上に中間層を介して磁性層が設け
られた磁気記録媒体の断面図である。

【図２】本発明の基本的態様の磁気記録媒体の断面図で
ある。

【図３】図１の磁気記録媒体の別の態様の例の断面図で
ある。

【図４】本発明の別の態様の磁気記録媒体の断面図であ
る。

【図５】磁気記録媒体の中間層の配向度Δθ_５０と垂直
異方性磁界Ｈｋとの関係を示す図である。

【図６】磁気記録媒体の中間層の積分強度比Ｉ_３１１／
Ｉ_２２２と垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を示す図であ
る。

【図７】Ａｕ中間層のＸ線回折像の一例を示す図であ
る。

【図８】磁気記録媒体の磁性層のＰ_Ｃｏピークのピーク
強度と、中間層の積分強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２との関
係を示す図である。

【図９】磁気記録媒体における、全酸素分圧範囲（０〜
０．０７Ｐａ）と垂直異方性磁界Ｈｋとの関係を示す図
である。

【図１０】磁気記録媒体の磁気記録の出力を示す磁気記
録の出力特性図である。

【図１１】磁気記録媒体における磁性膜の垂直磁化曲線
図である。

【図１２】中間層の（１１１）ピーク強度とＴｉ下地層
厚との関係を示す図である。

【図１３】中間層の配向度Δθ _５０ とＴｉ下地層厚との
関係を示す図である。

【図１４】磁性層成膜時の酸素分圧と磁性層の垂直異方
性磁界との関係を示す図である。

【図１５】磁性層成膜時の酸素分圧と磁性層の垂直保磁
力との関係を示す図である。

【図１６】磁性層成膜時の酸素分圧と磁性層の垂直保磁
力との関係を示す図である。

【図１７】本発明の磁気記録媒体の垂直磁化曲線図の一
例である。

【符号の説明】

１ 非磁性支持体 ２ 中間層 ３ 磁性層 ４ 下地層 ５ 軟磁性層 ６ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 林 和彦 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (72)発明者 阿蘇 興一 東京都品川区北品川６丁目７番35号 ソ ニー株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−74012（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−157829（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/62 - 5/82

Claims (5)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性支持体上に、ＣｏＰｔＢＯ系合金
   からなる磁性層が形成されている磁気記録媒体におい
   て、非磁性支持体と磁性層との間に面心立方晶構造の中
   間層が設けられており、且つ該非磁性支持体と該中間層
   との間にＴｉ下地層が更に形成されている磁気記録媒
   体。
2. 【請求項２】 面心立方晶構造を有する該中間層のＸ線
   回折像の（１１１）ピークのロッキングカーブにより求
   めた配向度Δθ_５０が、以下の式 Δθ_５０≦１０（ｄｅｇ．） で表される請求項１記載の磁気記録媒体。
3. 【請求項３】 面心立方晶構造を有する該中間層のＸ線
   回折像の（３１１）ピークと（２２２）ピークとの積分
   強度比Ｉ_３１１／Ｉ_２２２が以下式 Ｉ_３１１／Ｉ_２２２≦０．８ で表される請求項１記載の磁気記録媒体。
4. 【請求項４】 該中間層がＡｌ、Ｎｉ、Ｃｕ、Ｐｄ、Ａ
   ｇ、Ｐｔ、Ａｕ、Ｆｅ及びＣｏの少なくとも１種を含有
   する請求項１記載の磁気記録媒体。
5. 【請求項５】 該磁性層と該中間層との間に、更に体心
   立方晶構造の軟磁性層としてＦｅＳｉ膜が形成されてい
   る請求項１記載の磁気記録媒体。