CN1423813A - 光记录介质 - Google Patents

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Abstract

依据本发明,提供一种光记录介质,包括至少一个信息记录层和反射膜层,其中,所述反射膜层由包含大于或等于3.0[原子%]并且小于或等于6.5[原子%]的Cu含量的AgCu合金薄膜层所组成。这样,该光记录介质可被便宜地制造,以及对于天气的抵抗力可被提高,因此,在光记录介质被存储长时间之后其特性可以避免恶化。

Description

光记录介质
                      技术领域
本发明涉及如CD(光盘)或CD-ROM(CD只读存储器)的光记录介质，其中，半透明反射膜层和反射膜层对于天气的抵抗力可被提高，并可被更便宜地制造。
                      背景技术
由于用于记录如音频信息和视频信息的各种信息的光记录介质，各种类型的光记录介质以如CD和CD-ROM的只读光记录介质，如磁光盘和相变光盘以及如有机材料制成的CD-R的一次写入光盘的形式可用。
组成这些光记录介质的信息记录层是锯齿状的以在其上形成非常小的、如记录数据信息、跟踪伺服信号和相似物的相位凹坑和预凹槽的锯齿。
最近，实现能够记录大量信息的光记录介质的需求不断增加，例如，具有分层的第一和第二信息记录层的两层结构的DVD(数字压缩光盘)在商业上已可用。
图4是例举两层结构的光记录介质200横截面示意图，其中，第一信息记录层231和第二信息记录层232被彼此分层。
在第一信息记录层231中，由合适材料如Au、Si、AgPdCu和AgPdTi制成的半透明反射膜层223被沉积在喷射模塑法塑成第一基底201的同时所形成的第一非常小的锯齿211上。
半透明粘着层203将第一和第二基底201和202和彼此面对的第一和第二信息记录层231和231压成薄片，以形成两层信息记录层。
期望应当使用一付光学头从光记录介质200的第一和第二信息记录层231和232，用从光记录介质的同一边即从第一基底201边照射的激光束，再现或记录或再现和记录(下文简单地被称作“再现或记录”)，例如，这样驱动装置可被简化。光学头可用短的时间存取这些信息记录层231和232，并可以连续地记录或再现这些信息记录层。
当光学头从光记录介质的同一侧照射在第一和第二信息记录层231和231上，以记录或再现或记录和再现第一和第二信息记录层时，如图4中实线所示，同一光学头聚焦一激光束L在第一记录层231上，以记录或再现或记录和再现第一信息记录层，以及如图4中虚线所示，同一光学头聚焦一激光束L在第二记录层232上，以记录或再现或记录和再现第二信息记录层。
为了同一光学头可以用激光束的照射记录或再现或记录和再现第一和第二信息记录层231和232，第一信息记录层231具有在它的入口边形成的半透明反射膜层223，用于向内的激光束以反射部分照射激光束，以便第一记录层231可被记录或再现，并透过部分激光束以允许部分激光束穿过至第二信息记录层232，以便第二信息记录层232可被记录或再现。
由对于激光束具有高透射率的材料所制成的半透明粘着层203，用足以防止它们的再现信号彼此干扰的距离分层第一和第二信息记录层231和232。因此，光学头可以调节物镜以便正确地聚焦激光束在相应于各个信息记录层231和232的位置，从而可能高精度地从各个信息记录层再现信息。
为实现上述信号再现方法，第一信息记录层的半透明反射膜层223的膜层设计变得相当重要。
如上所述，Au、Si、AgPdCu和AgPdTi被用作形成半透明反射膜层223的材料。
至今，这些材料已被用作半透明反射膜层的材料，因为从有关激光束的反射率和透射率的观点，它们可以满足半透明反射膜层的光学特性，并且它们可通过喷射被容易地沉积为薄的膜层。
然而，Au遇到一个材料的成本增加的问题。尽管Si相对便宜，它在粘合至组成粘着介质层203或被粘合至基底201的材料的材料粘着特性上很弱。因此，硅在如弯曲或扭曲的机械变形或高湿度的苛刻条件下，是不够可靠的。
另外，当Si膜层与金属膜层比较时，当膜层被沉积时，Si容易从喷射处理中其被粘着的喷射室的内部分离，即所谓的颗粒容易产生，于是引起误码率恶化。
该半透明反射膜层当由金属或至今被使用形成普通半透明反射膜层的Si半导体等材料制成时，需要有从5nm至25nm的膜层厚度，该半透明反射膜层的膜层厚度与普通压缩光盘的反射膜层例如从35nm至60nm的膜层厚度范围相比是薄的，用于普通半透明反射膜层的金属或Si半导体材料和相似物，在保存长时间并被保存在高温和高湿的条件之后，由于受基底201的影响，在它们的表面容易氧化。因此，表面上所产生的氧化改变了具有相当膜层厚度的半透明反射膜层的反射率，并且该半透明反射膜层对于天气的抵抗力是弱的。
半透明反射膜层223不仅被来自基底201方的影响破坏，而且被与透明粘着介质层203接触所带来的接触部分的氧化破坏。接触部分的氧化改变了半透明反射膜层的反射率，并使再现信号的抖动的恶化不可避免。
除了上述氧化的问题，该半透明反射膜层还遇到一个现象，当该半透明反射膜层被置于高温条件下之后，原子被引起在沉积的膜层内移动以增加热传导率或半透明反射膜层的反射率，即发生所谓的退火效果。该现象根据半透明反射膜层的成分成为一个严重的问题。
具有多层结构的光记录介质当制造它的透明反射膜层时，有应当解决的各种问题。为提高透明反射膜层的对于天气的抵抗力并减小它的成本，当使得具有多层结构的光记录介质在市场上可用时，是应当解决的重要问题。
反射膜层对于天气的抵抗力不仅在具有多层结构的光记录介质的反射膜层中是重要的，而且在用于其中各种材料膜层被分层作为信息记录层的如磁光记录介质、相变光记录介质和染料系统(dye-system)的可重写光记录介质中的反射膜层中也是重要的。当反射膜层由于陈化的恶化如氧化而恶化时，恶化的反射膜层不仅改变了再现信号的质量，而且改变了如记录灵敏度的记录条件。
该AgPdCu薄膜层或AgPdTi薄膜层与简单物质Au相比，从资金的观点是便宜的，并不能从粘着材料或不像Si膜层的基底材料分离。
最近，高记录密度或更大记录容量的需求不断增加，具有短波长的激光被用作用在记录或再现信息中的激光，从而可以增加表面记录密度。在这种情况下，记录凹坑应当以更高精度形成，以及当表面记录密度低时，尽管被恶化的再现信号中的抖动的量小于所允许的程度，这样小的恶化抖动的量当表面记录密度增加时引起严重的问题。
另外，当信息记录层被形成为具有上述两层结构的信息记录层时，或信息记录层被形成为具有多于两层的多层结构的信息记录层时，每个信息记录层中的在向内光线的入口端的半透明反射膜层，被更大地减小了它的膜层厚度，因为每一层的反射率和透射率以及相似物应当被正确地选择。因此，该半透明反射膜层需要更高的对于天气的抵抗力。
具体地，该半透明反射膜层需要高的对于天气的抵抗力，以至于在长时间苛刻条件下，反射率可被防止变化、再现信号中的抖动可被防止恶化。
另外，制造更便宜的光记录介质的需求也比以前增加了。
                         发明内容
本发明的目的在于提供一种光记录介质，其中，组成光记录介质的信息记录层的半透明反射膜层和反射膜层对于天气具有抵抗力，尤其具有如半透明特殊特性的半透明反射膜层的对于天气的抵抗力可被改进，以及它的费用可被减小。
依据本发明，提供一种光记录介质，该光记录介质包括至少一个信息记录层和反射膜层，其中，该反射膜层由其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金薄膜层组成。
另外，依据本发明，提供一种光记录介质，其中，至少第一信息记录层和第二信息记录层彼此分层，其中，第一信息记录层有一层在其上形成的半透明反射膜层，以及该半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金薄膜层组成。
在这种配置中，通过用穿过第一信息记录层的光线进行照射而从第二记录层再现信息。
另外，依据本发明，提供一种光记录介质，该光记录介质包括至少一个信息记录层和反射膜层，其中，该反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜层组成，该包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
另外，依据本发明，提供一种光记录介质，其中，至少第一信息记录层和第二信息记录层彼此分层，其中，第一信息记录层有一层在其上形成的半透明反射膜层，以及该半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu组成，该包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0。5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
在这种配置中，通过用穿过第一信息记录层的光线进行照射而从第二记录层再现信息。
另外，依据本发明，提供一种光记录介质，该光记录介质包括至少一个信息记录层和反射膜层，其中，该反射膜层由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜层组成，该包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
另外，依据本发明，提供一种光记录介质，其中，至少第一信息记录层和第二信息记录层彼此分层，其中，第一信息记录层有一层在其上形成的半透明反射膜层，以及该半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu合金薄膜层成分，该包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8。1[原子％]。
在这种配置中，通过用穿过第一信息记录层的光线进行照射而从第二记录层再现信息。
然后，在上述包括至少第一和第二信息记录层的光记录介质中，第一信息记录层被形成在第一基底上，第二信息记录层被形成在第二基底上，该第一和第二基底可被以其上的信息记录层彼此面对的方式彼此分层，信息被从第一和第二信息记录层用从第一基底方的照射光线再现。
如上所述，依据本发明的配置，在包括反射膜层的光记录介质中，它的反射膜层由AgCu合金、包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd膜层组成，在包括反射膜层和半透明反射膜层的光记录介质中，至少该半透明反射膜层由AgCu合金、包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd膜层组成。因此，可以获得对于天气具有良好抵抗力并且不贵的光记录介质。
另外，在组成反射膜层或半透明反射膜层或反射膜层和半透明反射膜层的包含合金的AgCu和包含合金的AgCuPd中，因为添加的适于组成这些合金的化学元素是指定的，它们的成分比例是指定的，反射膜层或半透明反射膜层或反射膜层和半透明反射膜层在对于天气的抵抗力方面可被改进。即使该光记录介质在高温和高湿的条件下被存储了很长的时间，例如，该光记录介质的信息记录层所需要的如反射率和透射率的光特性或记录密度可被有效地防止变化。
依据本发明的配置，从以下的描述将清楚，试图获得一种光记录介质，可以对于天气具有良好抵抗力并且不贵，可被便宜地制造。
附图说明
图1是截面图，示出了依据本发明的包括两层信息记录层的光记录介质的样本；
图2是截面图，示出了依据本发明的光记录介质的另一个样本；
图3是截面图，示出了放大比例示出的磁-光记录介质的磁-光记录层部分；
图4是截面图，示出了依据现有技术的光记录介质的样本；
图5示出了记录功率和存储测试之前和之后所获得的CNR之间的关系；
图6是列表(表1-1)，列表或排序具有各种光盘结构的样本的配置；
图7是列表(表1-2)，排序图6所示的各个样本的特性；
图8是列表(表2-1)，排序具有各种光盘结构的样本的配置；
图9是列表(表2-2)，排序图8所示的各个样本的特性；
图10是列表(表3-1)，排序具有各种光盘结构的样本的配置；
图11是列表(表3-2)，排序图10所示的各个样本的特性；
图12是列表(表4-1)，排序具有各种光盘结构的样本的配置；
图13是列表(表4-2)，排序图12所示的各个样本的特性；
图14是列表(表5-1)，排序具有各种光盘结构的样本的配置；
图15是列表(表5-2)，排序图14所示的各个样本的特性。
具体实施方式
以下将参考附图，描述本发明实施例的光记录介质。不用说，依据本发明的光记录介质并不限于以下样本。
图1是截面图，示出了依据本发明的光记录介质10。
在该光记录介质10中，第一和第二基底1和2通过半透明粘着介质层3，以在这些基底1和2上形成的信息记录层21和22彼此面对的方式彼此分层。这个光记录介质被依照DVD(数字压缩光盘)格式制造，具有两层结构，其中，第一和第二信息记录层21和22被彼此分层。
该第一和第二信息记录层21和22具有相应于记录信息的第一和第二非常小的锯齿11和12。第一非常小的锯齿11具有沉积其上的半透明反射膜层13，以通过或反射用于记录和/或再现光记录介质的照射光线。该第二非常小的锯齿12具有沉积其上的反射膜层14以反射同一照射光线。
该第一基底1可被可以通过上述照射光线的如polycarbonate的塑料材料的喷射模塑法所塑造。在这种情况下，第一非常小的锯齿11也可以在第一基底被喷射模塑塑造的同时，在第一基底1上的第一信息记录层21上形成。
第二基底2也可相似地被如polycarbonate的塑料材料的喷射模塑法塑造，而不管塑料材料的种类，如透明塑料材料或不透明塑料材料。第二非常小的锯齿1 2也可以在第二基底被塑造的同时，在第二信息记录层22上形成。
半透明反射膜层13被沉积在第一信息记录层21的第一非常小的锯齿11上。
该半透明反射膜层13由AgCu合金薄膜层或包含合金薄膜层的AgCu制成，具有范围从10[nm]至15[nm]的膜层厚度，这样它可以反射并通过部分上述照射光线即激光束。
包含其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]的AgCu合金可被用作组成半透明反射膜层13的AgCu。
该半透明反射膜层13可由包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的AgCu合金，即包含三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
可替换地，该半透明反射膜层13可由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的AgCu合金，即包含四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
在第二信息记录层22中，反射膜层14被沉积于上述第二非常小的锯齿12上。
该反射膜层14可由具有高反射率的金属材料制成，如主要成分是Au的合金Au，主要成分是Ag的合金Ag，或主要成分是Pt的合金Pt，或主要成分是Cu的合金Cu以及相似物。
另外，为了减少成本，该反射膜层14可由添加其它金属材料如Si、Ti或Cr的Al合金制成。
然而，为了提高反射膜层对于天气的抵抗力，以及为了减少反射膜层的成本，该反射膜层14可由具有与上述半透明反射膜层相似材料和成分的上述AgCu合金、包含三元合金或四元合金的AgCu以及包含四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，以及例如该反射膜层的厚度可被在从35[nm]至60[nm]的范围内选择。
该半透明反射膜层13以及反射膜层14均可被传统的反应溅射法沉积，通常为磁电管溅射。
应使用一付光学头从第一和第二信息记录层21和22再现信号，或用来自光记录介质10的同一方，例如，在图1所示的排列中来自第一基底1方的激光束照射，在光记录介质10的第一和第二信息记录层上记录信号，这样，可以简化它的驱动装置，该光学头可以以短的时间访问该信息记录层，并连续地记录或再现该信息记录层。
当该光学头从光记录介质10的同一方照射激光束在第一和第二信息记录层上，以再现或记录该第一和第二信息记录层时，如图1实线所示，同一光学头聚焦激光束L在第一信息记录层21以再现或记录该第一信息记录层，以及如图1虚线所示，同一光学头聚焦激光束L在第二信息记录层22以再现或记录该第二信息记录层。
以下将描述依据本发明的光记录介质被应用于磁光记录介质的情况。
图2示出了磁光记录介质100的样本的截面图。
该磁光记录介质100包括由具有能见度的如polycarbonate的树脂制成的基底101、喷射模塑法形成基底的同时在基底上所形成的如预凹槽的非常小锯齿102、在非常小锯齿102上形成的磁光记录层104的信息层105以及信息层105上所形成的保护层106。
图3示出了图2所示的磁光记录介质100的磁光记录层104的分层结构的截面图。
该磁光记录层104可以具有图3所示的分层结构。
该磁光记录层104包括按以下顺序分层的，例如在由SiNx所制成的第一绝缘层41上，例如膜层厚度为将近40[nm]的基底101，例如膜层厚度为将近15[nm]，由TbFeCo所制成的记录层42，以下将描述的膜层厚度为将近10[nm]，由包含合金的AgCu所制成的半透明热调节膜层43，例如膜层厚度为将近20[nm]，由SiNx所制成的第二绝缘层44，以及以下将描述的膜层厚度为将近40[nm]，由包含合金的AgCu所制成的反射膜层45。
图3所示的热调节膜层43和反射膜层45可以由AgCu合金薄膜层或相似于上述半透明膜层13和反射膜层14的包含合金薄膜层的AgCu制成。
其Cu含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子]的AgCu合金可被应用于AgCu合金。
可替换地，半透明反射膜层和反射膜层可由包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的AgCu合金，即包含三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
可替换地，该半透明反射膜层和反射膜层可由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的AgCu合金，即包含四元合金或五合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
保护层106可以由传统的可通过旋转喷涂凝固的紫外线固化树脂制成。
信息通过来自基底101方的激光束照射在磁光记录介质上而被记录上或从图2所示的磁光记录介质100再现。
具体地，如图2中的实线所示，光学头聚焦激光束在信息层105上，以记录信息到磁光记录介质上或从该磁光记录介质再现信息。
以下，为了理解依据本发明的光记录介质的特性，我们举具有各个光盘结构的包括依据本发明的光记录介质的样本，然后我们衡量相应特性，即对于天气的抵抗力。
在这些样本中，以下将描述我们举信息记录层形成在仅一层基底上的光盘结构(该光盘样本下文被称作“单板”)的样本，然后我们衡量这些样本的特性的原因。即，当基底的厚度例如被选为0.6[nm]时，由于这样的基底的整个硬度比两层基底之间夹第一和第二信息记录层的结构要差，所以存储测试存储之后，基底被严重变形，并且例如在成分半透明反射膜层的合金薄膜层之间的粘着层和基底被降低，从而引起合金薄膜层和基底易于彼此分开。结果，它变得可以严格地估算对于天气的抵抗力。
另外，在关于相应于第一和第二基底1和2两基底，相应于第一和第二信息记录层21和22被彼此分层的光盘结构的样本中，相应于反射膜层14的合金薄膜层由普通合金薄膜层的AlTi材料制成，而不像半透明反射膜层中的合金薄膜层，因为上述不同性质的合金薄膜层彼此分层的光盘样本，在高湿条件下其恶化被不可避免地加强，所以我们可以更严格地估算这样的样本对于天气的抵抗力。具体地，在这样的两层基底被彼此分层的结构样本中，当半透明反射膜层和反射膜层均由AgCu合金、包含合金的AgCu或包含合金的AgCuPd制成时，这些样本展现了良好的对于天气的抵抗力。
即，基于各个样本，我们更严格地研究了半透明反射膜层的材料特性。
〔样本1〕：
首先，0.6[nm]厚的基底被polycarbonate的喷射模塑法所塑造。
塑造基底的同时，非常小的锯齿即使用EFM码调制的凹坑行在这个基底的一个主表面形成，其中，光道间距为0.74[μm]，凹坑深度为110[nm]以及最短的凹坑长度为0.44[μm]。
由Ag100-XCux(x是原子％)制成的半透明反射膜层被沉积在基底上，其中，凹坑数据行被磁电管反应溅射法形成，其中x＝3.0，表面厚度范围为从10[nm]至15[nm]，从而导致形成第一信息记录层21。
然后，通过旋转喷涂和凝固紫外线固化树脂而在AgCu合金半透明反射膜层的整个表面上形成保护层。
〔样本2〕：
与例1的相似，半透明反射膜层具有其中x＝6.5的成分。
〔样本3〕：(比较举例1)
该样本具有相应于图1所示的结构，其中，包括第一和第二信息记录层21和22的第一和第二基底1和2彼此分层。
在这种情况下，第一基底1具有与例1的基底相似的排列。具有Ag100-xCux成分的AgCu膜层被磁电管反应溅射法沉积在第一基底上，以沉积具有表面厚度范围为从10[nm]至15[nm]的半透明反射膜层13，其中x＝3.0，从而导致形成第一信息记录层21。
另一方面，制造了与第一基底1具有相似排列的第二基底2。在该第二基底2上，沉积由AlTi合金薄膜层被磁电管反应溅射法所制成的具有50[nm]膜层厚度的反射膜层14，从而导致形成第二信息记录层22。
然后，通过使用紫外线固化树脂作为透明粘着介质，以它们的信息记录层21和22彼此面对的方式，将第一和第二基底1和2彼此分层，从而导致制造具有分层结构的光盘。
在这种连接关系中，包含沉积在第一基底1上的合金薄膜层的AgCu的膜层厚度被这样选择，当具有从35[nm]至60[nm]膜层厚度范围的Al合金薄膜层或具有从30[nm]至60[nm]膜层厚度范围的Ag合金薄膜层如反射膜层14，通过具有660[nm]波长的激光束而在第二基底2上形成时，第一信息记录层21的反射率和第二信息记录层的反射率可以变得彼此相等。
〔样本4〕：(比较举例1)
尽管该样本具有与样本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜层具有被表示为Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝2.0。
〔样本5〕(比较举例2)
尽管该样本具有与样本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜层具有被表示为Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝7.0。
〔样本6〕(比较举例3)
尽管该样本具有与样本1相似的排列，并用相似的方法制造，它的合金薄膜层具有被表示为Ag100-xCux的原子成分，其中，x＝9.0。
〔样本7〕(比较举例4)
尽管该样本具有与样本1相似的排列，并用相似的方法制造，具有从10[nm]至15[nm]膜层厚度范围的Si膜层被磁电管反应溅射法沉积于第一基底1上，而不是它的Ag100-xCux合金薄膜层，从而导致形成第一信息记录层。
然后，与第一基底1相似，由具有50[nm]膜层厚度的AlTi合金薄膜层所制成的反射膜层14，通过磁电管反应溅射法沉积在第二基底2上，从而导致形成第二信息记录层22。
与样本3相似，这些第一和第二基底1和2通过使用紫外线固化树脂作为透明粘着介质，以它们的信息记录层21和22彼此分层的方式而彼此分层，从而制造分层结构的光盘。
〔样本8〕(比较举例5)
尽管该样本具有与样本1相似的排列并用相似的方法制造，具有从10[nm]至15[nm]膜层厚度范围的Ag膜层被沉积作为它的透明反射膜层。
关于上述各个样本1至8的高温和高湿条件下的存储测试被影响，以及测量各个信息记录层21和22的反射率[％]和抖动[％]，计算存储测试之前和之后信息记录层变化的比率。
在高温和高温条件下的存储测试中，各个样本的光盘被置于具有85℃的温度和90％湿度的RH环境的存储电解液内100小时。
抖动值被具有660[nm]波长的半导体激光和具有0.60数字光圈的物镜的光读取器测量。
图6和图7的表1-1和表1-2示出了沉积的半透明反射膜层的材料的成分[原子％]、光盘的结构、存储测试之前和之后所获得的各个信息记录层21、22的测量的反射率[原子％]和抖动[原子％]的结果，以及有关各个样本1至8，在存储测试之前和之后信息记录层的反射率变化的总量。
在所述表中，R1[％]示出了在初始阶段所获得的单板结构和分层结构的各个样本(光盘)的第一信息记录层21的反射率，即在存储测试之前所获得的反射率，以及R3[％]这些样本在存储测试之后所获得的反射率。
在所述表中，R2[％]示出了在初始阶段所获得的单板结构和分层结构的各个样本(光盘)的第二信息记录层22的反射率，以及R4[％]这些样本在存储测试之后所获得的反射率。
另外，存储测试之前和之后反射率的变化的总量被|R1-R3|[％]示出。
将要理解，对于Ag100-xCux(3≤x≤6.5)膜层沉积在单板结构的光盘的信息记录层上以及如表1(图6和7)所示的分层结构的光盘的第一信息记录层21的样本1至3，存储测试之前和之后所获得的反射率的变化可被减小至小于1.0[％]，存储测试之前和之后所获得的抖动的变化可被压缩为小于1[％]，于是可以获得具有对于天气的良好的抵抗力的光特性。
在样本4至7(比较举例1至4)中，存储测试之前和之后所获得的反射率的变化量已超过1.0[％]。在样本8中(与样本5比较)，产生一个问题，即存储测试之前和之后所获得的抖动值被增加，于是信号不能被稳定再现。
然后，制造了样本9至39，其中，包含其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]，并包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的AgCu(Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W)三元合金或四元合金被沉积在信息记录层上，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
〔样本9〕至〔样本31〕：
这些样本具有与样本1相似的排列并用相似的方法制造。在这些样本中，半透明反射膜层13由具有从10[nm]至15[nm]膜层厚度范围的Ag100-x-yCuxAy膜层制成(A是化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种，以及x、y分别表示原子％)，其中，2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1。
〔样本32〕(本发明举例2)至(样本38)(本发明举例8)
图1所示的具有第一和第二信息记录层21和22的第一和第二基底1和2的分层结构的这些样本，具有与样本3相似的排列，并被用相似的方法制造。在这些样本32至38中，第一基底1上的半透明反射膜层13由具有从10[nm]至15[nm]膜层厚度范围的Ag100-x-yCuxAy膜层制成(A是化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种，以及x、y分别表示原子％)，其中，2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1。
〔样本39〕(比较举例6)
该样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造。在该样本39中，它的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-yCuxAy的合金原子成分(A是Al和Ti)，其中，x＝5.4，以及y＝8.5。
其它条件与[样本1]相似，以及制造单板结构的光盘的样本。
对于上述样本9至39，形成它们的半透明反射膜层的材料的成分(原子％)以及光盘结构被示出于图8和图10的表2-1和3-1中。相似的具有高温和高湿条件的存储测试影响这些样本，测试结果示出于图9和图11的表2-2和3-2中。
在具有单板结构的光盘的信息记录层以及分层结构的光盘的第一信息记录层21，其中合金原子成分被表示为Ag100-x-yCuxAy(A是化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的至少一种)并2≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1的样本9至38中，存储测试之前和之后反射率变化的总量可被减小为小于1.0[％]，以及存储测试之前和之后抖动的变化总量可被压缩至小于1[％]。特别地，可以获得对于天气具有很好的抵抗力的光特性。
另一方面，在样本39(比较举例6)中，存储测试之前和之后反射率变化的总量超过1.0[％]以及对于天气的抵抗力恶化。
下面示出样本，其中，由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]、包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五合金的AgCuPd所制成的半透明反射膜层被沉积在信息记录层上，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
〔样本40〕至〔样本60〕：
尽管这些样本具有与样本1相似的单板结构并被用相似方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种，以及x、y、z分别表示原子％)，其中，1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0。
〔样本61〕(本发明举例9)至〔样本65〕(本发明举例13)：
尽管这些样本与样本3(本发明举例1)具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种，以及x、y、z分别表示原子％)，其中，1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0。
〔样本66〕(比较举例7)：
尽管这些样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分(A是Al)，其中，x＝4.0，y＝9.0，以及z＝0.9。
〔样本67〕(比较举例8)：
尽管这些样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔样本68〕(比较举例9)：
尽管这些样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔样本69〕(比较举例10)
尽管这些样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
〔样本70〕(比较举例11)
尽管这些样本与样本1具有相似的结构并用相似的方法制造，它们的半透明反射膜层13具有表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，x＝1.5，y＝0.0，以及z＝0.9。
对于上述样本57至70的光盘，图14和15的表5-1和5-2示出了形成它们的半透明反射膜层的材料的成分(原子％)、光盘结构和高温和高湿条件下相似的存储测试之前和之后所获得的测试结果。
如图14和15的表5-1和5-2所示，在单板结构和分层结构的第一信息记录层21具有被表示为Ag100-x-y-zPdzCuxAy的合金原子成分，其中，A是化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种，并1.5≤x≤9.0以及0.5≤y≤8.1以及0.1≤z≤2.0的样本40至65中，存储测试之前和之后反射率变化的总量可被减小为小于1.0[％]，以及存储测试之前和之后抖动的变化总量可被压缩至小于1[％]。特别地，可以获得对于天气具有很好的抵抗力的光特性。
在样本66(比较举例7)中，存储测试之后所获得的抖动值被减小，于是信号可被高稳定地再现。
在样本67(比较举例8)至样本70(比较举例11)中，存储测试之前和之后反射率变化的总量超过1.0[％]以及对于天气的抵抗力恶化。
从上述描述清楚得知，依据本发明，AgCu合金薄膜层或包含合金的AgCu膜层被应用于信息记录层，上述合金薄膜层的成分被指定，上述成分的化学元素被选择，以及这样的化学元素的内容被指定，因此信息记录层对于天气的抵抗力可被提高，光记录介质的信息记录层所要求的光特性如反射率或能见度在高温和高湿条件下存储长时间之后变化的总量可被元素为很低，并可以有效地防止抖动的恶化。另外，依据本发明光记录介质的成本与现有技术的光记录介质比较可被降低。
至今在上述各个样本中，尽管已经例举了ROM(只读存储器)类型的光盘，但本发明并不限于那些样本，并可被应用于可重写光盘，如磁光样本光盘和变相样本光盘。当本发明的包括信息记录层的AgCu合金薄膜层被应用于反射膜层或热结构膜层时，对于天气的抵抗力可被提高，并在光盘存储长时间之后所引起的由于老化而变化的记录密度的总量可被减小。结果，稳定的记录成为可能，并且可有效地防止抖动恶化。
例如，如图3所示，本发明被应用于磁光记录介质100，记录灵敏度的变化被测量。
该磁光记录介质100包括基底101，基底上按以下顺序分层：由SiNx所制成、膜层厚度为40[nm]的第一绝缘层41，以及由TbFeCo所制成、膜层厚度为15[nm]的记录层42，由包括合金的AgCu所制成的厚度为将近10[nm]的半透明反射膜层形成的热调节膜层43，由SiNx所制成、具有将近20[nm]的膜层厚度的第二绝缘层44，以及由包含合金的AgCu所制成、绝缘将近40[nm]的膜层厚度的反射膜层45。
我们已经制造了其中热调节膜层43和反射膜层45被AgPd0.9Cu1.5合金薄膜层形成的磁光光盘样本，以及AgCu0.9Ti1.7合金薄膜层形成的磁光光盘。
在这种情况，0.3[μm]的记号长度被记录在沉积于基底101上的磁光记录层104上，其中记录所谓的凸区和凹槽所形成的引导凹槽，在各个条件下，形成0.80[μm]的光道间距和30[nm]的凹坑深度，其中，激光光线的波长被选择为405[nm]，物镜的数字光圈被选择为0.60，以及线性速度被称作磁场调制记录的方法选择为4.6[m/s]，以及我们已经测量了记录功率和上述磁场测试之前和之后所获得的再现信号的CNRs之间的关系。
图5示出了测量的结果。图5中，实心方形和空心方形示出了存储测试影响其中沉积AgPd0.9Cu1.5合金薄膜层的磁光光盘之前和之后所获得的测量结果，实心圆和空心圆示出了存储测试影响其中沉积AgCu0.9Ti1.7合金薄膜层的磁光光盘之前和之后所获得的测量结果
如图5所示，在沉积AgPd0.9Cu1.5合金薄膜层的磁光光盘中，高温高湿条件下的存储测试之后所获得的记录功率，按增加将近10％的方向被移动。即，该磁光光盘被置于高温高湿条件下之后，引起沉积膜层中的原子移动以增加膜层的密度，结果热传导性增加以及能量损失增加。
另一方面，在其中沉积依据本发明的光记录介质的样本的磁光光盘中的AgCu0.9Ti1.7合金薄膜层的磁光光盘中，高温高湿条件下的存储测试之后，将被理解记录功率没有增加，能量损失是小的，膜层特性对于天气的抵抗力非常好。
通常，金属材料的热传导性在具有高的反射率的金属材料中可以增加，以及相反，当它的反射率减小时金属材料的热传导性可以减小。另外，当金属材料的热传导性增加时，记录密度减小。否则，当热传导性减小时记录密度增加。
通过测量反射膜层的反射率在存储测试之前和之后变化的总量，可能估计记录灵敏度的变化。因此，从〔表1〕至〔表5〕所示的各个本发明举例，可以估计各种成分中样本灵敏度的变化。
尽管本发明的特征在于，AgCu合金或AgCuPd合金包含Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的多于一种，将期望上述合金除了与实现本发明具有相似效果的所添加的化学元素，还可以包括具有相似化学特性的V、Cr、Mn、Co、Y、Zr、Nb、Ru、Ta的过渡金属元素。
依据本发明的光记录介质并不限于具有单层的和两层的信息记录层的光记录介质，以及本发明可被相似地应用于具有多层结构的光记录介质，其中，多于三层的信息记录层被彼此分层。
另外，虽然组成光记录介质的基底在上述样本中被喷射模塑法塑造而形成，本发明并不限于上述样本并可被应用于其中通过2P(光polimerization)而具有光滑表面的金属板上形成非常小的锯齿的光记录介质的情况。
另外，虽然在上述样本中至今已经描述了类似盘和盘形状的光记录介质的样本，本发明并不限于那些样本，并也可被应用于各种形状如卡状光记录介质和片状光记录介质的光记录介质。
权利要求书
(按照条约第19条的修改)
1.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层具有大于10nm并小于15nm的厚度，并且由含有Cu的AgCu合金所制成，该Cu的含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
2.在包括至少一个信息记录层和反射膜层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu组成，所述包含合金的AgCu由包含化学元素Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
3.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu组成，所述包含合金的AgCu由包含化学元素Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
4.在包括至少一个信息记录层和反射膜层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述反射膜层由其Cu含量大于或等于1.0[原子％]并且小于或等于8.2[原子％]的包含合金薄膜的AgCuPd形成，以及所述包含合金的AgCuPd由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于1.0[原子％]并且小于或等于7.5[原子％]。
5.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于1.0[原子％]并且小于或等于8.2[原子％]的包含合金薄膜的AgCuPd制成，所述包含合金的AgCuPd由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于1.0[原子％]并且小于或等于7.5[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
6.如权利要求1、3或5所述的光记录介质，其中，所述第一信息记录层在第一基底上形成，所述第二信息记录层在第二基底上形成，所述第一和第二基底以其上的信息记录层彼此面对的方式彼此分层，以及，通过用来自所述第一基底方的光线进行照射而从所述第一和第二信息记录层再现。

Claims (7)

1.在包括至少一个信息记录层和反射膜层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述反射膜层由AgCu合金薄膜层组成，该AgCu合金薄膜层含有Cu，该Cu的含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]。
2.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层由AgCu合金薄膜层组成，该AgCu合金薄膜层含有Cu，该Cu的含量大于或等于3.0[原子％]并且小于或等于6.5[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
3.在包括至少一个信息记录层和反射膜层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的AgCu组成，所述包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
4.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于2.0[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu组成，所述包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的三元合金或四元合金的AgCu所制成，其中，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
5.在包括至少一个信息记录层和反射膜层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述反射膜层由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu组成，以及所述包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]。
6.在至少一个第一信息记录层和第二信息记录层被彼此分层的光记录介质中，光记录介质的特征在于，所述第一信息记录层具有在其上形成的半透明反射膜层，所述第二信息记录层具有在其上形成的反射膜层，所述半透明反射膜层由其Cu含量大于或等于1.5[原子％]并且小于或等于9.0[原子％]的包含合金薄膜的AgCu组成，所述包含合金的AgCu由包含化学元素Al、Ti、Fe、Ni、Mo、W中的一种或两种的四元合金或五元合金的AgCuPd所制成，其中，Pd的含量大于或等于0.1[原子％]并且小于或等于2.0％，化学元素的全部含量大于或等于0.5[原子％]并且小于或等于8.1[原子％]，以及，通过用穿过所述第一信息记录层的光线进行照射而从所述第二信息记录层再现信息。
7.如权利要求2、4或6所述的光记录介质，其中，所述第一信息记录层在第一基底上形成，所述第二信息记录层在第二基底上形成，所述第一基底和第二基底以其上的信息记录层彼此面对的方式彼此分层，以及，通过用来自所述第一基底方的光线的进行照射而从所述第一和第二信息记录层再现信息。
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