CN1420440A - 快闪存储器管理方法 - Google Patents

快闪存储器管理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1420440A
CN1420440A CN02150437A CN02150437A CN1420440A CN 1420440 A CN1420440 A CN 1420440A CN 02150437 A CN02150437 A CN 02150437A CN 02150437 A CN02150437 A CN 02150437A CN 1420440 A CN1420440 A CN 1420440A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flash memory
mapping table
data
recorded
address
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN02150437A
Other languages
English (en)
Other versions
CN100424655C (zh
Inventor
白昌奎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1420440A publication Critical patent/CN1420440A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100424655C publication Critical patent/CN100424655C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/0223User address space allocation, e.g. contiguous or non contiguous base addressing
    • G06F12/023Free address space management
    • G06F12/0238Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory
    • G06F12/0246Memory management in non-volatile memory, e.g. resistive RAM or ferroelectric memory in block erasable memory, e.g. flash memory
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F12/00Accessing, addressing or allocating within memory systems or architectures
    • G06F12/02Addressing or allocation; Relocation
    • G06F12/08Addressing or allocation; Relocation in hierarchically structured memory systems, e.g. virtual memory systems
    • G06F12/10Address translation
    • G06F12/1009Address translation using page tables, e.g. page table structures

Abstract

提供一种用于管理快闪存储器的方法。记录在快闪存储器的数据区中的数据的逻辑地址被记录在相应的备用区中。通过扫描记录在备用区中的信息生成映射表。快闪存储器可被更有效地实施。另外,可以在尽管突然关断电源的情况下恢复映射表。

Description

快闪存储器管理方法
技术领域
本发明涉及快闪存储器,尤其涉及一种用于管理基于快闪存储器的系统中的快闪存储器的方法。
背景技术
快闪存储器是一种用于电擦除或重写数据的非易失性存储器件。基于快闪存储器的存储设备比基于磁盘存储器的存储设备具有更低的功耗并且外形更小。因此,它已被研究作为磁盘存储器的替代品。更重要地,期望将快闪存储器用于如数字照相机、移动电话和个人数字助理PDA的移动计算设备的存储设备。
然而,与能够盖写数据的磁盘存储器不同,快闪存储器不能盖写数据。为了盖写存储在快闪存储器中的数据,必须首先擦除现有的数据。换言之,存储单元应当被恢复为原始可写的状态。擦除一般比写入花费更长的时间。另外,擦除比写入在更大的块中执行,可能引起不需要擦除写入的部分被擦除。由于已被不可避免擦除的部分应当被重写恢复,写入数据的请求需要一个擦除和最坏与擦除的部分一样多的重写。由于执行擦除和写入的单元的不一致,写入的能力和读取的能力相比,远落在后面。另外,由于机械的操作,它低于基于带有必要的延迟的磁盘的存储设备。
由于上述特性,通常在管理快闪存储器中使用重新映射方法。该重新映射方法指一种将被校正的数据写入空地址并更新映射表的映射信息的方法,换言之,指一种将请求的逻辑地址所指示的物理地址改变为校正的数据所记录的物理地址的方法。因此,应用和应用系统可以使用一个逻辑地址处理校正的数据。
图1是举例描述管理传统的快闪存储器的方法的概念图。参考图1,请求读取或写入的逻辑地址参考映射表被改变为物理地址,并按快闪存储器中的相应地址读取/写入数据。
这里,根据现有映射表的位置和参考它们的方法,有多种管理方法。当映射表位于快闪存储器的特殊位置中时,尽管电源突然被关断也可保持数据,这样不需要找到一种用于恢复映射表的方法。然而,校正映射表是不容易的。换言之,如上所述,在执行预定的应用中的操作过程中的擦除、校正或重写数据的情况下,为了更新映射表,需要大量的计算开销。
在映射表位于主存储器(通常为DRAM)的情况下,处理主存储器不需要很长的时间,并且容易恢复它,但如果电源突然被关断,数据将丢失。为了恢复映射表,执行复杂的开销计算需要许多的时间。
如上所述,如果采用重新映射,需要用于存储和管理数据以及映射信息的空间和时间。因此,发展一种更有效地处理读取或写入数据过程的方法是重要的。另外,快闪存储器限于部分写入的数目,其中,记录数据、信息等的顺序对提高系统的能力有影响。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种用于管理快闪存储器的方法,快闪存储器的能力被提高。
本发明的另一个目的在于,提供一种用于方便地生成映射表的方法。
本发明还有一个目的在于,提供一种用于在尽管电源突然被关断的情况下,方便地恢复映射表的方法。
为实现上述目的,提供一种用于管理快闪存储器的方法。将记录在快闪存储器的数据区中的数据的逻辑地址存储在相应的备用区中。通过扫描记录在该备用区中的信息生成地址映射表。
将生成的地址映射表记录在主存储器中,或将生成的地址映射表记录在快闪存储器中。
生成地址映射表最好包括通过扫描记录在特定备用区中的逻辑地址而生成地址映射表的步骤。
将记录在快闪存储器的数据区中的数据的逻辑地址记录在相应的备用区中最好包括以下步骤:记录表示在备用区记录相应的数据的顺序的时间标记;以及记录表示使用备用区中的相应数据的可能性的擦除标记。
为实现上述目的,提供一种用于管理快闪存储器的方法。请求写入的数据参考地址映射表被记录在快闪存储器的数据区的空地址中,以及相应的逻辑地址被记录在相应的备用区中。校正表被更新,以便记录数据的物理地址被映射到该逻辑地址。
表示使用记录的数据的可能性的擦除标记最好相应于有关的地址映射表,被标记在相应于与逻辑地址对应的物理地址的备用区中。
为实现上述目的,提供一种用于管理快闪存储器的方法。将存储在快闪存储器中的地址映射表的改变,记录在主存储器中形成的校正表中,所述改变包含逻辑地址和物理地址的映射信息。确认是否校正表被填充到预定的部分。如果该校正表的预定部分被充满,将记录在该校正表中的改变反映到所述映射表。擦除反映到该校正表中所记录的内容的所述映射表的部分。
附图说明
通过参考附图对实施例的详细描述,本发明的上述目的和优点将会更加清楚,其中:
图1是举例描述用于管理传统快闪存储器的方法的概念图;
图2是依据本发明的优选实施例的快闪存储器系统的方框图;
图3和图4是依据本发明的快闪存储器系统的详细配置图;
图5是举例描述依据本发明的实施例的管理快闪存储器的方法的流程图;
图6是举例描述依据本发明的另一个实施例的管理快闪存储器的方法的流程图;
图7是举例描述更新映射表的处理的流程图。
具体实施方式
现在将参考附图更详细描述本发明,其中,示出了本发明的优选实施例。
图2是依据本发明的优选实施例的快闪存储器的方框图。参考图2,该系统包括存储器1、ROM 2、RAM 3和处理器4。这里,主存储器RAM 3被具体化为DRAM(动态RAM)。然而,如果需要,该RAM 3可被具体化为SRAM(静态RAM)。
通常,结合有记录在ROM 2中的程序码的处理器4为快闪存储器1或RAM 3发送系列写入和擦除命令。该快闪存储器1依据本发明的管理快闪存储器的方法,执行写入和擦除计算。ROM 2和RAM 3存储处理器4中执行的应用程序码或它的有关数据结构。
图3和图4是依据本发明的快闪存储器的详细配置图。参考图3和图4,该快闪存储器1被分为硬件数据区和备用区。形成彼此相应的数据区和备用区的扇区。数据被写入到数据区,并且逻辑地址、时间标记和擦除标记被写入到相应的备用区。时间标记表示相应的数据被写入的时间。擦除标记表示特定的数据是否是有效的,换言之,即使用的可能性,以及擦除标记示出了特定扇区内的内容是可忽略的并可被擦除,即使有效数据被物理地记录在该扇区内。换言之,该擦除标记代表逻辑擦除。
在第一实施例中,映射表位于快闪存储器1中。当系统被引导时处理器4生成该映射表。处理器4通过扫描记录在备用区中的逻辑地址、时间标记和擦除标记,生成映射表。在该映射表中映射逻辑地址和特定的物理地址。另外,相应的时间标记和擦除标记也记录在该映射表中。
校正表被置于RAM 3中。该校正表是当执行预定的应用时新近记录数据或校正现有数据的情况下,用于仅存储该映射表的改变的内容。换言之,如果记录在预定的逻辑地址的现有数据被校正,处理器4不执行擦除计算,将校正的数据写入空的扇区,并在相应的备用区写入相应的逻辑地址和时间标记。因此,该校正表被记录校正数据的扇区的物理地址所映射。可以通过单独将校正表置于RAM 3中而快速更新映射信息,而不更新置于快闪存储器1中的映射表。同时,该校正表具有固定的大小。因此,如果该校正表中所有的区域被用完,处理器4通过反映置于快闪存储器1中的映射表生成一个新的映射表并清空该校正表。当该校正表的特定部分被充满时,如果需要,可以采用一种用于将校正反映到映射表并仅清空校正表的反映部分的方法。如果电源被关断,该映射表被置于RAM 3中并丢失。
在第二实施例中,映射表被置于RAM 3中。在这种情况,不需要另外形成校正表。因为与快闪存储器1不同,在RAM 3中可容易地执行写入和擦除。换言之,如果由于丰富的系统资源,使RAM 3具有足够的空间,可采用将映射表置于RAM 3中。在执行预定的应用处理过程中新近写入数据或校正现有数据的情况下,处理器4通过直接校正映射表而反映改变的内容。然而,如果还形成附加校正表,则用如第一实施例相同的方法进行管理。
以下将描述用于引导快闪存储器系统并处理快闪存储器1的过程。
<引导>
当系统引导时,处理器4扫描快闪存储器1的整个备用区域,生成反映当前快闪存储器1的写入状态的映射表,并将该映射表写入快闪存储器1或RAM 3。如果在扫描处理过程中发现多于两个的同一逻辑地址,通过比较擦除标记和时间标记的存在而选择新的信息。如果旧的信息没有被标记擦除标记,则加入擦除标记。
<处理>
如果相应的逻辑地址存在,处理器4搜索校正表。如果存在相应的逻辑地址,处理器4找到映射的物理地址。如果在该校正表中没有特定的逻辑地址,通过搜索映射地址找到映射到相应的逻辑地址的物理地址。
下面将描述一种用于管理基于上述配置的快闪存储器的方法。
图5是举例描述一种依据本发明的实施例的用于管理快闪存储器的方法的流程图。参考图5,处理器4将数据写入快闪存储器1的数据区,并将写入数据的逻辑地址写入相应的备用区(步骤501)。每次快闪存储器1中的数据被新写入或校正,执行步骤501。如果电源被关断,系统重新引导(步骤502),处理器4通过扫描整个备用区生成映射表(步骤503)。处理器4将生成的映射表写入为主存储器的RAM 3(步骤504-1),或将其写入快闪存储器1(步骤504-2)。
图6是举例描述依据本发明的另一个实施例的用于管理快闪存储器的方法的流程图。参考图6,如果预定的数据按照请求的逻辑地址被写入,处理器4搜索校正表(步骤601)。如果存在请求的逻辑地址(步骤602),参考映射表搜索空的扇区,相应的数据被写入数据区,以及它的逻辑地址被写入相应的备用区(步骤603)。这里,时间标记被一起记录。然后,将擦除标记记录在参考映射表记录数据的扇区的备用区中(步骤604)。然后,为了映射到步骤603中记录的扇区的物理地址,更新写入校正表中的现有条目(步骤605)。
在请求的逻辑地址不存在的情况下(步骤602),搜索映射表(步骤606)。如果请求的逻辑地址存在(步骤607),参考映射表搜索空的扇区,相应的数据被记录在数据区,以及它的逻辑地址被写入相应的备用区(步骤608)。这里,可以一起记录时间标记。另外,在参考映射表记录现有数据的扇区的备用区中记录擦除标记(步骤609)。另外,在校正表中加入新的条目以反映执行了步骤608。
如果请求的逻辑地址在映射表中不存在(步骤607),参考映射表搜索空的扇区,相应的数据被记录在数据区,以及它的逻辑地址被写入相应的备用区(步骤611)。这里,可以一起记录时间标记。另外,在校正表中加入新的条目以反映执行了步骤611(步骤612)。
图7是举例描述用于更新映射表的处理的流程图。
参考图7,如果校正表被充满(步骤701),则处理器4被记录在校正表中的改变信息所影响(步骤702)。换言之,记录在映射表中的映射信息的状态变得与快闪存储器1中的当前记录状态相同。同时,处理器4清空校正表,于是可记录新的条目(步骤703)。
换言之,用于管理快闪存储器的方法可被计算机程序写入。可容易地推断组成程序的代码和代码段可以由本领域的计算机程序员编写。另外,该程序可被存储在计算机可读介质中,并被计算机读取和运行,这样可实施管理快闪存储器的方法。计算机可读介质包括磁记录介质、光记录介质和载波介质。
如上所述,依据本发明,可更有效地存取快闪存储器。通过在备用区记录逻辑地址,即使电源突然被关断,也可以恢复映射表。备用区被作为与数据区分离的硬件形成,这样与其它的扫描备用区相比,可以更快地恢复映射表。另外,在当映射表存在于快闪存储器中的情况下,通过在主存储器中形成校正表并在该校正表中记录改变,可以节省更新映射表过程中的时间和能量。因此,提高了系统能力。

Claims (21)

1.一种用于管理快闪存储器的方法,该方法包括:
(a)将记录在快闪存储器的数据区中的数据的逻辑地址,记录在相应的备用区中;以及
(b)通过扫描记录在所述备用区中的信息,生成地址映射表。
2.如权利要求1所述的用于管理快闪存储器的方法,其中还包括:
(c1)将生成的地址映射表记录在主存储器中。
3.如权利要求1所述的用于管理快闪存储器的方法,其中还包括:
(c2)将生成的地址映射表记录在快闪存储器中。
4.如权利要求1所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(b)包括:通过扫描记录在特定的备用区中的逻辑地址,生成地址映射表。
5.如权利要求1所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(a)还包括:(a1)将表示记录相应的数据的顺序的时间标记记录在备用区中。
6.如权利要求5所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(a)还包括:(a2)将表示使用相应的数据的可能性的擦除标记记录在备用区中。
7.如权利要求4所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(b)包括:(b2)通过扫描数据的逻辑地址和时间标记,生成地址映射表。
8.如权利要求7所述的用于管理快闪存储器的方法,包括:
(b3)通过扫描数据的逻辑地址、时间标记和擦除标记,生成地址映射表。
9.如权利要求1所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,当引导配有快闪存储器的系统时执行步骤(b)。
10.一种用于管理快闪存储器的方法,该方法包括:
(a)参考地址映射表,将请求写入的数据记录在快闪存储器的数据区的空地址中,并将相应的逻辑地址记录在相应的备用区中;以及
(b)更新校正表,以便将在步骤(a)记录数据的物理地址映射到该逻辑地址。
11.如权利要求10所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(c)参考地址映射表,在相应于对应逻辑地址的物理地址的备用区中,标记表示步骤(a)记录的数据的使用可能性的擦除标记。
12.如权利要求10所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(a)还包括:
(a1)将表示记录相应的数据顺序的时间标记记录在备用区中。
13.如权利要求12所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,步骤(a)还包括:
(a2)将表示相应的数据的使用可能性的擦除标记记录在备用区中。
14.如权利要求10所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,包括步骤:
(d)通过扫描记录在备用区中的信息,生成地址映射表。
15.如权利要求14所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,当配有快闪存储器的系统被引导时,执行步骤(d)。
16.一种用于管理快闪存储器的方法,该方法包括:
(a)将存储在快闪存储器中的地址映射表的变化,记录在主存储器中形成的校正表中,该变化包含逻辑地址和物理地址的映射信息。
(b)确认是否该校正表被充满至预定的部分;
(c)如果该校正表的预定部分被充满,将记录在该校正表中的变化反映到所述映射表;以及
(d)擦除反映到该校正表中所记录的内容的所述映射表的部分。
17.如权利要求16所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,所述校正表具有预定的大小。
18.如权利要求17所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,所述校正表包括表示相应的数据的使用可能性的擦除标记。
19.如权利要求18所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,所述校正表包括表示相应的数据被记录的顺序的时间标记。
20.如权利要求16所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,所述映射表包括表示相应的数据的使用可能性的擦除标记。
21.如权利要求20所述的用于管理快闪存储器的方法,其中,所述映射表包括表示相应的数据被记录的顺序的时间标记。
CNB021504377A 2001-11-16 2002-11-12 快闪存储器管理方法 Expired - Fee Related CN100424655C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR71401/2001 2001-11-16
KR71401/01 2001-11-16
KR10-2001-0071401A KR100449708B1 (ko) 2001-11-16 2001-11-16 플래시 메모리 관리방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1420440A true CN1420440A (zh) 2003-05-28
CN100424655C CN100424655C (zh) 2008-10-08

Family

ID=19716038

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB021504377A Expired - Fee Related CN100424655C (zh) 2001-11-16 2002-11-12 快闪存储器管理方法

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7127551B2 (zh)
JP (1) JP2003167795A (zh)
KR (1) KR100449708B1 (zh)
CN (1) CN100424655C (zh)

Cited By (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004114139A1 (fr) * 2003-06-20 2004-12-29 Netac Technology Co., Ltd. Procede de protection de donnees pour support de memoire flash
WO2007033614A1 (fr) * 2005-09-25 2007-03-29 Netac Technology Co., Ltd. Procede de gestion de donnees dans un support de memoire flash
CN100353337C (zh) * 2005-06-01 2007-12-05 旺玖科技股份有限公司 闪存储存系统
CN100382049C (zh) * 2004-10-18 2008-04-16 三星电子株式会社 用于闪速存储器的数据处理设备和方法
CN101364207B (zh) * 2005-06-01 2010-05-26 旺玖科技股份有限公司 闪存储存系统
CN1900919B (zh) * 2003-12-30 2010-06-16 三星电子株式会社 包括多个块的闪速存储器
CN101281492B (zh) * 2007-04-04 2011-02-02 扬智科技股份有限公司 恢复闪存的对照表的方法
CN102043727A (zh) * 2009-10-10 2011-05-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 恢复固态硬盘映射表的方法及其装置
CN101288054B (zh) * 2004-07-30 2012-04-18 桑迪士克以色列有限公司 闪存管理方法、系统、存储设备、以及闪存设备
CN101169751B (zh) * 2006-10-25 2012-07-04 三星电子株式会社 具有闪存设备的系统及其数据恢复方法
CN102541755A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 深圳市硅格半导体有限公司 闪存存储器及其接收数据的方法
CN101479806B (zh) * 2006-05-25 2012-10-10 美光科技公司 用于使用后台擦除改善存储性能的方法及设备
US8296503B2 (en) 2009-05-26 2012-10-23 Mediatek Inc. Data updating and recovering methods for a non-volatile memory array
CN102902637A (zh) * 2012-11-19 2013-01-30 北京理工大学 一种固态硬盘数据断电保护方法
CN102929790A (zh) * 2012-10-15 2013-02-13 株洲南车时代电气股份有限公司 一种数据存储系统和方法
US8381018B2 (en) 2010-05-21 2013-02-19 Mediatek Inc. Method for data recovery for flash devices
CN101794261B (zh) * 2009-11-24 2013-05-08 深圳市硅格半导体有限公司 映射表数据恢复方法及装置
CN103761190A (zh) * 2013-12-19 2014-04-30 华为技术有限公司 数据处理方法及装置
CN103778083A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 华邦电子股份有限公司 数据储存装置以及非挥发性存储器控制方法
CN105608013A (zh) * 2015-07-10 2016-05-25 上海磁宇信息科技有限公司 一种集成mram的存储卡控制芯片及存储卡
CN105740162A (zh) * 2015-12-31 2016-07-06 上海盈方微电子有限公司 应用于nand存储器的nftl数据存储系统及方法
CN106055489A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 旺宏电子股份有限公司 存储器装置与其操作方法
CN106528441A (zh) * 2016-10-26 2017-03-22 珠海格力电器股份有限公司 仿真eeprom的数据处理方法、装置及电子设备
CN111951866A (zh) * 2020-10-19 2020-11-17 深圳市芯天下技术有限公司 非型闪存深睡眠低静态功耗方法、电路、存储介质和终端

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005190288A (ja) * 2003-12-26 2005-07-14 Tdk Corp メモリコントローラ及びメモリコントローラを備えるフラッシュメモリシステム、並びに、フラッシュメモリの制御方法
KR100704618B1 (ko) 2004-01-19 2007-04-10 삼성전자주식회사 플래시 메모리의 데이터 복구 장치 및 방법
TWI249670B (en) * 2004-04-29 2006-02-21 Mediatek Inc System and method capable of sequentially writing a flash memory
WO2006024328A1 (de) * 2004-09-02 2006-03-09 Hyperstone Ag Verfahren zur verwaltung von speicherinformationen
US20060075183A1 (en) * 2004-10-06 2006-04-06 Phison Electronics Corp. [method of applying flash memory as buffer in electrical appliance]
JP4715155B2 (ja) * 2004-10-08 2011-07-06 ソニー株式会社 情報処理装置及び情報処理方法、並びにコンピュータ・プログラム
US8275804B2 (en) 2004-12-15 2012-09-25 Applied Minds, Llc Distributed data store with a designated master to ensure consistency
US11321408B2 (en) 2004-12-15 2022-05-03 Applied Invention, Llc Data store with lock-free stateless paging capacity
US8996486B2 (en) 2004-12-15 2015-03-31 Applied Invention, Llc Data store with lock-free stateless paging capability
US7774308B2 (en) * 2004-12-15 2010-08-10 Applied Minds, Inc. Anti-item for deletion of content in a distributed datastore
US7797479B2 (en) * 2005-06-30 2010-09-14 Intel Corporation Technique to write to a non-volatile memory
US7743409B2 (en) 2005-07-08 2010-06-22 Sandisk Corporation Methods used in a mass storage device with automated credentials loading
US7934049B2 (en) * 2005-09-14 2011-04-26 Sandisk Corporation Methods used in a secure yet flexible system architecture for secure devices with flash mass storage memory
US7536540B2 (en) * 2005-09-14 2009-05-19 Sandisk Corporation Method of hardware driver integrity check of memory card controller firmware
KR100801072B1 (ko) * 2005-09-30 2008-02-11 삼성전자주식회사 플래시 메모리, 이를 위한 맵핑 장치 및 방법
US7516267B2 (en) * 2005-11-03 2009-04-07 Intel Corporation Recovering from a non-volatile memory failure
KR100781520B1 (ko) * 2006-02-24 2007-12-03 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리가 캐쉬로 사용되는 저장 장치 및 이를위한 맵핑 정보 복구 방법
KR100745163B1 (ko) * 2006-06-19 2007-08-01 주식회사 셀픽 동적 매핑 테이블을 이용한 플래시 메모리 관리방법
US8307148B2 (en) * 2006-06-23 2012-11-06 Microsoft Corporation Flash management techniques
KR100843133B1 (ko) 2006-09-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 플래시 메모리에서 매핑 정보 재구성을 위한 장치 및 방법
KR100809320B1 (ko) * 2006-09-27 2008-03-05 삼성전자주식회사 이종 셀 타입을 지원하는 비휘발성 메모리를 위한 맵핑정보 관리 장치 및 방법
CN101154447B (zh) * 2006-09-28 2010-08-18 北京握奇数据系统有限公司 一种闪存控制方法及闪存
KR100843135B1 (ko) * 2006-11-20 2008-07-02 삼성전자주식회사 비휘발성 메모리 관리 방법 및 장치
US20080120480A1 (en) * 2006-11-22 2008-05-22 International Business Machines Corporation Method and System For Preserving Critical Storage Contents Across A System Restart
JP2008130202A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Toshiba Corp 再生位置制御回路及び再生システム
KR100881669B1 (ko) * 2006-12-18 2009-02-06 삼성전자주식회사 비휘발성 데이터 저장장치의 정적 데이터 영역 검출 방법,마모도 평준화 방법 및 데이터 유닛 병합 방법과 그 장치
JP4939234B2 (ja) * 2007-01-11 2012-05-23 株式会社日立製作所 フラッシュメモリモジュール、そのフラッシュメモリモジュールを記録媒体として用いたストレージ装置及びそのフラッシュメモリモジュールのアドレス変換テーブル検証方法
JP4967680B2 (ja) * 2007-01-23 2012-07-04 ソニー株式会社 記憶装置およびコンピュータシステム、並びに記憶装置の管理方法
US7966355B2 (en) * 2007-02-13 2011-06-21 Modu Ltd. Interface for extending functionality of memory cards
KR100882740B1 (ko) * 2007-02-22 2009-02-09 삼성전자주식회사 맵 히스토리 기반의 불휘발성 메모리의 매핑 방법 및 저장장치
US20090063587A1 (en) 2007-07-12 2009-03-05 Jakob Holger Method and system for function-specific time-configurable replication of data manipulating functions
WO2009143885A1 (de) * 2008-05-28 2009-12-03 Hyperstone Gmbh Verfahren zum adressieren von seitenorientierten nichtflüchtigen speichern
KR101029704B1 (ko) * 2008-06-17 2011-04-18 주식회사 셀픽 플래시 메모리 관리 방법
TWI385667B (zh) * 2008-06-26 2013-02-11 Phison Electronics Corp 用於快閃記憶體的資料管理方法、儲存系統與控制器
KR100977709B1 (ko) * 2008-08-20 2010-08-24 주식회사 셀픽 플래시메모리 저장장치 및 그에 따른 관리 방법
JP2010086009A (ja) * 2008-09-29 2010-04-15 Hitachi Ltd 記憶装置およびメモリ制御方法
US8438325B2 (en) * 2008-10-09 2013-05-07 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus for improving small write performance in a non-volatile memory
US8639871B2 (en) * 2009-04-08 2014-01-28 Google Inc. Partitioning a flash memory data storage device
US20100262979A1 (en) * 2009-04-08 2010-10-14 Google Inc. Circular command queues for communication between a host and a data storage device
US20100287217A1 (en) * 2009-04-08 2010-11-11 Google Inc. Host control of background garbage collection in a data storage device
US8433845B2 (en) 2009-04-08 2013-04-30 Google Inc. Data storage device which serializes memory device ready/busy signals
US8296506B2 (en) * 2009-11-09 2012-10-23 Lite-On It Corporation Method for managing a non-violate memory and computer readable medium thereof
KR101678911B1 (ko) 2010-03-12 2016-11-23 삼성전자주식회사 데이터 저장 장치 및 그것을 포함하는 컴퓨팅 시스템
JP5221699B2 (ja) 2011-03-23 2013-06-26 株式会社東芝 半導体記憶装置
US9104614B2 (en) * 2011-09-16 2015-08-11 Apple Inc. Handling unclean shutdowns for a system having non-volatile memory
US9164676B2 (en) 2011-11-30 2015-10-20 International Business Machines Corporation Storing multi-stream non-linear access patterns in a flash based file-system
JP5597666B2 (ja) * 2012-03-26 2014-10-01 株式会社東芝 半導体記憶装置、情報処理システムおよび制御方法
KR101373668B1 (ko) * 2012-06-22 2014-03-13 연세대학교 산학협력단 메모리 수리 장치 및 방법
KR101993704B1 (ko) 2012-08-24 2019-06-27 삼성전자주식회사 플래시 메모리를 기반으로 하는 저장 장치 및 플래시 메모리를 제어하는 메모리 컨트롤러의 쓰기 메모리 블록 할당 방법
US9047172B2 (en) 2012-11-29 2015-06-02 Intel Corporation Adaptive power control of memory map storage devices
US9454474B2 (en) 2013-03-05 2016-09-27 Western Digital Technologies, Inc. Methods, devices and systems for two stage power-on map rebuild with free space accounting in a solid state drive
KR102127284B1 (ko) 2013-07-01 2020-06-26 삼성전자주식회사 불휘발성 메모리 장치 및 그것의 관리 방법
KR102116258B1 (ko) 2013-12-24 2020-06-05 삼성전자주식회사 메모리 시스템 및 그것을 포함하는 유저 장치
KR102233808B1 (ko) 2014-03-14 2021-03-30 삼성전자주식회사 저장 장치 및 그것의 테이블 관리 방법
TWI534618B (zh) * 2015-07-13 2016-05-21 群聯電子股份有限公司 映射表更新方法、記憶體控制電路單元及記憶體儲存裝置
TWI727185B (zh) * 2018-07-09 2021-05-11 慧榮科技股份有限公司 鏈結串列搜索裝置及方法
US11023374B2 (en) * 2018-07-09 2021-06-01 Silicon Motion, Inc. Apparatus and method and computer program product for controlling data access
JP6708762B1 (ja) * 2019-01-29 2020-06-10 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
US11392436B2 (en) * 2020-04-01 2022-07-19 Western Digital Technologies, Inc. Advanced file recovery method for flash memory

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH064228A (ja) * 1992-06-24 1994-01-14 Fujitsu Ltd 半導体ディスク装置
US5812814A (en) * 1993-02-26 1998-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Alternative flash EEPROM semiconductor memory system
US5404485A (en) * 1993-03-08 1995-04-04 M-Systems Flash Disk Pioneers Ltd. Flash file system
US5682497A (en) * 1993-09-28 1997-10-28 Intel Corporation Managing file structures for a flash memory file system in a computer
JPH08137634A (ja) * 1994-11-09 1996-05-31 Mitsubishi Electric Corp フラッシュディスクカード
JP3706167B2 (ja) * 1995-02-16 2005-10-12 株式会社ルネサステクノロジ 半導体ディスク装置
US5838614A (en) * 1995-07-31 1998-11-17 Lexar Microsystems, Inc. Identification and verification of a sector within a block of mass storage flash memory
US5907856A (en) * 1995-07-31 1999-05-25 Lexar Media, Inc. Moving sectors within a block of information in a flash memory mass storage architecture
US5933847A (en) * 1995-09-28 1999-08-03 Canon Kabushiki Kaisha Selecting erase method based on type of power supply for flash EEPROM
JPH10124384A (ja) * 1996-08-28 1998-05-15 Toshiba Corp 不揮発性半導体メモリの制御方法
JP4079506B2 (ja) * 1997-08-08 2008-04-23 株式会社東芝 不揮発性半導体メモリシステムの制御方法
JP3070539B2 (ja) * 1997-09-30 2000-07-31 ソニー株式会社 外部記憶装置、データ処理装置及びデータ処理方法
CN1249585C (zh) * 1997-12-16 2006-04-05 Tdk株式会社 闪速存储器系统
KR19990055972A (ko) * 1997-12-29 1999-07-15 윤종용 블록 재할당 기능을 갖는 플래시 메모리 이용 보조기억장치 및 그 방법
JP3544859B2 (ja) * 1998-05-11 2004-07-21 富士通株式会社 不揮発性半導体メモリを使用した2次記憶装置
JP4315488B2 (ja) * 1998-06-30 2009-08-19 ソニー株式会社 データ記憶装置、データ処理装置、データ処理システム並びにデータ処理方法
KR20000039727A (ko) * 1998-12-15 2000-07-05 구자홍 플래시 메모리 접근 방법
KR100577380B1 (ko) * 1999-09-29 2006-05-09 삼성전자주식회사 플래시 메모리와 그 제어 방법
US6763424B2 (en) * 2001-01-19 2004-07-13 Sandisk Corporation Partial block data programming and reading operations in a non-volatile memory

Cited By (34)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100377119C (zh) * 2003-06-20 2008-03-26 深圳市朗科科技有限公司 闪存介质中数据保护方法
WO2004114139A1 (fr) * 2003-06-20 2004-12-29 Netac Technology Co., Ltd. Procede de protection de donnees pour support de memoire flash
CN1900919B (zh) * 2003-12-30 2010-06-16 三星电子株式会社 包括多个块的闪速存储器
CN101288054B (zh) * 2004-07-30 2012-04-18 桑迪士克以色列有限公司 闪存管理方法、系统、存储设备、以及闪存设备
CN100382049C (zh) * 2004-10-18 2008-04-16 三星电子株式会社 用于闪速存储器的数据处理设备和方法
CN100353337C (zh) * 2005-06-01 2007-12-05 旺玖科技股份有限公司 闪存储存系统
CN101364207B (zh) * 2005-06-01 2010-05-26 旺玖科技股份有限公司 闪存储存系统
WO2007033614A1 (fr) * 2005-09-25 2007-03-29 Netac Technology Co., Ltd. Procede de gestion de donnees dans un support de memoire flash
US8185688B2 (en) 2005-09-25 2012-05-22 Netac Technology Co., Ltd. Method for managing the address mapping table in a flash memory
CN101479806B (zh) * 2006-05-25 2012-10-10 美光科技公司 用于使用后台擦除改善存储性能的方法及设备
CN101169751B (zh) * 2006-10-25 2012-07-04 三星电子株式会社 具有闪存设备的系统及其数据恢复方法
CN101281492B (zh) * 2007-04-04 2011-02-02 扬智科技股份有限公司 恢复闪存的对照表的方法
US8296503B2 (en) 2009-05-26 2012-10-23 Mediatek Inc. Data updating and recovering methods for a non-volatile memory array
CN101901189B (zh) * 2009-05-26 2013-05-29 联发科技股份有限公司 更新用户数据的方法以及恢复用户数据的方法
CN102043727A (zh) * 2009-10-10 2011-05-04 成都市华为赛门铁克科技有限公司 恢复固态硬盘映射表的方法及其装置
CN101794261B (zh) * 2009-11-24 2013-05-08 深圳市硅格半导体有限公司 映射表数据恢复方法及装置
US8381018B2 (en) 2010-05-21 2013-02-19 Mediatek Inc. Method for data recovery for flash devices
CN102541755A (zh) * 2010-12-29 2012-07-04 深圳市硅格半导体有限公司 闪存存储器及其接收数据的方法
CN102929790A (zh) * 2012-10-15 2013-02-13 株洲南车时代电气股份有限公司 一种数据存储系统和方法
CN103778083A (zh) * 2012-10-18 2014-05-07 华邦电子股份有限公司 数据储存装置以及非挥发性存储器控制方法
CN103778083B (zh) * 2012-10-18 2017-03-01 华邦电子股份有限公司 数据储存装置以及非挥发性存储器控制方法
CN102902637A (zh) * 2012-11-19 2013-01-30 北京理工大学 一种固态硬盘数据断电保护方法
CN102902637B (zh) * 2012-11-19 2015-04-22 北京理工大学 一种固态硬盘数据断电保护方法
CN103761190A (zh) * 2013-12-19 2014-04-30 华为技术有限公司 数据处理方法及装置
CN106055489A (zh) * 2015-04-10 2016-10-26 旺宏电子股份有限公司 存储器装置与其操作方法
CN106055489B (zh) * 2015-04-10 2019-05-10 旺宏电子股份有限公司 存储器装置与其操作方法
CN105608013A (zh) * 2015-07-10 2016-05-25 上海磁宇信息科技有限公司 一种集成mram的存储卡控制芯片及存储卡
CN105608013B (zh) * 2015-07-10 2019-03-08 上海磁宇信息科技有限公司 一种集成mram的存储卡控制芯片及存储卡
CN105740162A (zh) * 2015-12-31 2016-07-06 上海盈方微电子有限公司 应用于nand存储器的nftl数据存储系统及方法
CN105740162B (zh) * 2015-12-31 2018-08-07 上海盈方微电子有限公司 应用于nand存储器的nftl数据存储系统及方法
CN106528441A (zh) * 2016-10-26 2017-03-22 珠海格力电器股份有限公司 仿真eeprom的数据处理方法、装置及电子设备
CN106528441B (zh) * 2016-10-26 2020-08-04 珠海格力电器股份有限公司 仿真eeprom的数据处理方法、装置及电子设备
CN111951866A (zh) * 2020-10-19 2020-11-17 深圳市芯天下技术有限公司 非型闪存深睡眠低静态功耗方法、电路、存储介质和终端
CN111951866B (zh) * 2020-10-19 2021-01-15 深圳市芯天下技术有限公司 非易失型闪存深睡眠低静态功耗的电路

Also Published As

Publication number Publication date
KR20030040817A (ko) 2003-05-23
KR100449708B1 (ko) 2004-09-22
CN100424655C (zh) 2008-10-08
US20030101327A1 (en) 2003-05-29
US7127551B2 (en) 2006-10-24
JP2003167795A (ja) 2003-06-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1420440A (zh) 快闪存储器管理方法
CN1078364C (zh) 存储器管理方法
US7953919B2 (en) Physical block addressing of electronic memory devices
US8028120B2 (en) System with flash memory device and data recovery method thereof
US7962687B2 (en) Flash memory allocation for improved performance and endurance
JP4633802B2 (ja) 不揮発性記憶装置及びデータ読み出し方法及び管理テーブル作成方法
US7191306B2 (en) Flash memory, and flash memory access method and apparatus
EP0852765B1 (en) Memory management
US9244833B2 (en) Data-storage device and flash memory control method
US7516296B2 (en) Flash memory storage device and read/write method
US8041884B2 (en) Controller for non-volatile memories and methods of operating the memory controller
US7287117B2 (en) Flash memory and mapping control apparatus and method for flash memory
CN1822217A (zh) 将数据存储在非易失性高速缓冲存储器中的设备和方法
CN1198226A (zh) 存储系统
US20090319721A1 (en) Flash memory apparatus and method for operating the same
CN112596668A (zh) 一种存储器的坏块处理方法及系统
CN1266614C (zh) 一种在Flash文件系统中加快逻辑块映射速度的方法
CN1293404A (zh) 快闪文件系统
CN102541753B (zh) 一种嵌入式存储器的读写优化方法
KR100533683B1 (ko) 플래시 메모리의 데이터 관리 장치 및 방법
US20060224817A1 (en) NOR flash file allocation
CN110633056A (zh) 在操作系统层面的Flash芯片的页面管理方法及存储设备

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20081008

Termination date: 20091214