CN1417371A - 高导磁镀硅硅钢片的制作方法 - Google Patents
高导磁镀硅硅钢片的制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN1417371A CN1417371A CN 02149091 CN02149091A CN1417371A CN 1417371 A CN1417371 A CN 1417371A CN 02149091 CN02149091 CN 02149091 CN 02149091 A CN02149091 A CN 02149091A CN 1417371 A CN1417371 A CN 1417371A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- silicon
- siliconized plate
- permeability
- coated
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明高导磁镀硅硅钢片的制作方法属电磁材料技术领域。硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而制成高导磁镀硅硅钢片。镀硅所用硅为单晶硅或粉末硅或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质；硅加入量根据需要而确定；硅放入坩埚内并在真空状态下对坩埚加温；镀硅时对硅钢片在真空状态下施以电极；镀硅时使用真空离子镀设备。将镀硅熔渗到硅钢片中时使用激光设备。具有方法简单、易于操作，导磁率高、成本低，镀硅的硅符着牢固，使硅钢片与新镀硅有机地熔渗焊结为一体等特点。提供了高导磁镀硅硅钢片新产品，可在磁电行业广泛推广应用。
Description
技术领域
本发明高导磁镀硅硅钢片的制作方法，涉及电磁材料技术领域。
背景技术
硅钢片是使用较为普遍的电磁材料，由于块状体在使用时会产生涡流，所以才制作成片状体。基于必须制作成片状体的局限，从而也就限制了硅的加入量；因为硅的含量高时其延展性差、且极易断裂、很难轧制成片状体。因此，在我们实际应用的硅钢片中，硅的含量是很低的。硅钢片中含硅量的多少与导磁率成正比，正因为在我们实际应用中硅钢片的硅含量很低，所以，硅钢片的导磁率也受到了相应的限制；硅钢片含硅量低而使得其导磁率也低的状况是长期以来没有解决的技术问题。本发明就是从弥补硅钢片含硅量低的先天不足的角度出发，巧妙地解决了这一技术问题。即：研究提供了一种高导磁镀硅硅钢片的制作方法。
发明内容
本发明的目的是提供一种高导磁镀硅硅钢片的制作方法。通过这种方法，在不改变、不影响已有硅钢片制作的前提下，针对已有硅钢片含硅量低的先天不足，对硅钢片通过镀硅而提高其含硅量，并用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中，使硅钢片与镀上的硅有机地熔渗焊结在一起，从而制作出高导磁镀硅硅钢片电磁材料，有效地提高导磁率，并实现易于操作、耗费成本低的效果。本发明可达到预期目的。
为实现上述目的，本发明所提供的技术方案为：一种高导磁镀硅硅钢片的制作方法，包括硅钢片，所述硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而制作成高导磁镀硅硅钢片。
所述硅钢片还可以是硅钢板、或高导磁的铁片、或高导磁的铁板、或高导磁的钢片、或高导磁的钢板。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时所使用的硅为晶体形态的单晶硅，或为粉末形态的粉末硅、或为不含过量良性导体物质的硅分子材料物质。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时投入单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质的数量是根据需要而确定的。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时是将单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质放入坩埚内并在真空状态下对坩埚施以加温。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时对硅钢片在真空状态下施以电极。
所述硅钢片在镀硅时所使用的设备为真空离子镀设备。
所述硅钢片经镀硅后在将镀硅熔渗到硅钢片中时所使用的设备为激光设备。
由于采用了本发明所提供的技术方案，使得本发明高导磁镀硅硅钢片的制作方法具有如下有益效果：
1、由于本发明以已有的硅钢片、硅钢板、高导磁的铁片、高导磁的铁板、高导磁的钢片、高导磁的钢板、单晶硅或粉末硅或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质为材料，从而获得了取材方便的有益效果。
2、由于本发明设置了以镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中制作成高导磁镀硅硅钢片的主要工序方法，从而获得了制作方法简单的有益效果。
3、由于本发明在镀硅时所使用的是普遍使用的真空离子镀设备、在将镀硅熔渗到硅钢片中时所使用的是普遍使用的激光设备，从而获得了方法易于掌握、便于推广应用的有益效果。
4、由于本发明所设置的镀硅工序是将单晶硅或硅粉末或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质放入坩埚内经加温汽化而进行的，从而获得了硅物质不会有任何浪费、无污染、且成本低的有益效果。
5、由于本发明所设置的镀硅工序中单晶硅或粉末硅或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质的投入量是按需要而确定的，从而获得了所需高导磁镀硅硅钢片比已有硅钢片提高导磁率几倍至几十倍的有益效果。
6、由于本发明所设置的镀硅工序中对硅钢片施以电极，从而获得了有利于新加入的硅物质在硅钢片上牢固符着的有益效果。
7、由于本发明设置有用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中的工序，从而获得了使硅钢片与新镀上的硅物质有机地熔渗焊结在一起的有益效果。
8、由于本发明设置了硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而获得高导磁镀硅硅钢片的完整制作方法，从而获得了高导磁镀硅硅钢片新产品、使得高导磁镀硅硅钢片的导磁率大幅度提高，从而使得电磁产品的无功损耗大幅度降低、有功功率大幅度提高、有效地节约能源，并相应提高我国电磁产品的国际竞争优势的有益效果。
说明书附图
说明书附图为本发明高导磁镀硅硅钢片的制作方法的流程窗口示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图，对本发明高导磁镀硅硅钢片的制造方法作详细描述。正如说明书附图所示：
一种高导磁镀硅硅钢片的制作方法，包括硅钢片，所述硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而制作成高导磁镀硅硅钢片。
所述硅钢片还可以是硅钢板、或高导磁的铁片、或高导磁的铁板、或高导磁的钢片、或高导磁的钢板。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时所使用的硅为晶体形态的单晶硅，或为粉末形态的粉末硅、或为不含过量良性导体物质的硅分子物质。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时投入单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质的数量是根据需要而确定的。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时是将单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质放入坩埚内并在真空状态下对坩埚施以加温。
所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时对硅钢片在真空状态下施以电极。
所述硅钢片在镀硅时所使用的设备为真空离子镀设备。
所述硅钢片经镀硅后在将镀硅熔渗到硅钢片中时所使用的设备为激光设备。
实施例1
正如说明书附图所示，在真空离子镀设备中放入坩埚，在坩埚内放入单晶硅。在真空离子镀设备中还放入经除锈清洗后的硅钢片。将真空离子镀设备抽真空，待真空离子镀设备的真空度达到要求时，将硅钢片施以电极、将坩埚加温并使单晶硅汽化，单晶硅便自动镀在硅钢片上。待硅钢片上镀好硅后，停止对坩埚加温、断开对硅钢片施以的电极、待坩埚冷却后使真空离子镀设备恢复常压。取出经镀硅后的硅钢片，放入激光设备中，在激光设备的作用下，使新镀硅后的硅钢片与新镀上的硅物质有机地熔渗焊结在一起。取下经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而获得的镀硅硅钢片，获得高导磁镀硅硅钢片。至此，高导磁镀硅硅钢片的制作方法操作完毕。经对高导磁镀硅硅钢片进行测试，其导磁率比已有的硅钢片高一倍，取得了预期的良好效果。
实施例2
正如说明书附图所示，重复实施例1所述的操作。但坩埚内放入的不是单晶硅而是粉末形态的粉末硅。同样取得了预期的良好效果。
实施例3
正如说明书附图所示，重复实施例1、2所述的操作。但在真空离子镀设备中放入的不是硅钢片，而是经除锈清洗的铁板。同样取得了预期的良好效果。
实施例4
正如说明书附图所示，重复实施例1、2、3所述的操作。但制作了硅钢片卡具，并通过硅钢片卡具可卡人多片硅钢片；同时，使电极的极板与被镀件硅钢片(另一电极)形成平行均匀状态；而对多片硅钢片同时进行镀硅的操作。同样取得了预期的良好效果。
Claims (8)
1、一种高导磁镀硅硅钢片的制作方法，包括硅钢片，其特征在于：所述硅钢片经镀硅、用激光设备将镀硅熔渗到硅钢片中而制作成高导磁镀硅硅钢片。
2、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述硅钢片还可以是硅钢板、或高导磁的铁片、或高导磁的铁板、或高导磁的钢片、或高导磁的钢板。
3、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时所使用的硅为晶体形态的单晶硅，或为粉末形态的粉末硅、或为不含过量良性导体物质的硅分子材料物质。
4、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时投入单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质的数量是根据需要而确定的。
5、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时是将单晶硅、或粉末硅、或不含过量良性导体物质的硅分子材料物质放入坩埚内并在真空状态下对坩埚施以加温。
6、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述高导磁镀硅硅钢片在镀硅时对硅钢片在真空状态下施以电极。
7、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述硅钢片在镀硅时所使用的设备为真空离子镀设备。
8、根据权利要求1所述的高导磁镀硅硅钢片的制作方法，其特征在于：所述硅钢片经镀硅后在将镀硅熔渗到硅钢片中时所使用的设备为激光设备。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02149091 CN1245532C (zh) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | 高导磁镀硅硅钢片的制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 02149091 CN1245532C (zh) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | 高导磁镀硅硅钢片的制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN1417371A true CN1417371A (zh) | 2003-05-14 |
| CN1245532C CN1245532C (zh) | 2006-03-15 |
Family
ID=4751614
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 02149091 Expired - Fee Related CN1245532C (zh) | 2002-11-22 | 2002-11-22 | 高导磁镀硅硅钢片的制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN1245532C (zh) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100453689C (zh) * | 2006-01-26 | 2009-01-21 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法 |
-
2002
- 2002-11-22 CN CN 02149091 patent/CN1245532C/zh not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100453689C (zh) * | 2006-01-26 | 2009-01-21 | 北京航空航天大学 | 一种采用包埋渗硅工艺制备高硅电工钢片的方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1245532C (zh) | 2006-03-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100564576C (zh) | 一种在碳纤维复合材料表面制备铝膜的方法 | |
| ES2699949T3 (es) | Procedimiento para preparar un material magnético permanente de tierras raras con una difusión intercristalina utilizando una diana compuesta mediante deposición en fase vapor | |
| CN100343416C (zh) | 微颗粒表面真空镀金属膜工艺及其设备 | |
| CN109943824B (zh) | 一种高硬度导电的碳基薄膜的制备方法 | |
| CN110911151B (zh) | 一种提高钕铁硼烧结永磁体矫顽力的方法 | |
| CN106854754B (zh) | 一种400主峰晶面高度择优取向ito薄膜的制备方法 | |
| CN108977782A (zh) | 一种长期稳固耐用的疏水涂层及其制备方法、应用 | |
| CN102306750A (zh) | 锂离子电池负极片的制备方法及涂膜干燥装置 | |
| CA2281231A1 (en) | Method for producing electro- or electroless-deposited film with a controlled crystal orientation | |
| CN101899644A (zh) | 有序多孔氧化铝薄膜-透明导电玻璃复合基底的制备方法 | |
| CN1417371A (zh) | 高导磁镀硅硅钢片的制作方法 | |
| CN102994964A (zh) | 一种金属硫化物掺杂类金刚石复合薄膜的制备方法 | |
| CN104562002A (zh) | 表面电荷转移掺杂调控Ti-O薄膜表面能级能态的方法 | |
| CN107541758A (zh) | 一种在碳基材料表面电沉积铁镍合金镀层的方法 | |
| CN1834010A (zh) | 一种微波合成纳米碳化钨粉末的方法 | |
| CN1298883C (zh) | 接触角可调的Ag/TiO2复合薄膜及其制备方法 | |
| CN104651790B (zh) | 一种金属电阻率Cu/Cu2O半导体弥散复合薄膜及其制备方法 | |
| CN102504317B (zh) | 一种提高陈旧性树脂与硅橡胶软衬材料粘结强度的方法 | |
| CN113308693B (zh) | 一种高强度耐腐蚀不锈钢管件及其加工工艺 | |
| CN108950500A (zh) | 一种基于磁控溅射的纳米孔结构金电极的制备方法 | |
| CN110104632B (zh) | 一种常温制备高导热石墨烯薄膜的方法 | |
| CN113385527A (zh) | 一种采用脉冲电流修复重金属污染土壤悬液的方法及装置 | |
| CN101684548A (zh) | 一种无定形纳米硅线的制备方法及其在锂电池负极上的应用 | |
| CN1031732C (zh) | 减少热油输送管线和阀门油焦石墨化程度的磁处理装置 | |
| CN112761379B (zh) | 一种适用于严酷环境的混凝土构件加固方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| C17 | Cessation of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20060315 Termination date: 20101122 |