CN1377206A - 声表面波装置和通讯单元 - Google Patents

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Abstract

在一种声表面波(SAW)装置中,SAW滤波器器件(1)和SAW滤波器器件(3)安装在压电基片(10)上,使得传播路径重叠。当第一与第二滤波器器件(1,3)间的中心距离由d1表示,压电基片(10)的厚度由t表示时,第一和第二SAW滤波器(1,3)以及压电基片(10)设置得满足条件d1≤2.3t或≥2.8t。

Description

声表面波装置和通讯单元
技术领域
本发明涉及声表面波(SAW)装置(诸如声表面波滤波器),尤其涉及那些拥有从平衡到非平衡变换功能、在SAW装置的一个输入输出端有不同阻抗特性的SAW装置。本发明还涉及使用以上描述的SAW装置的通讯单元。
背景技术
在减小可携带式通讯单元(比如移动电话)的体积和重量方面已取得了重大的技术进步。一种取得如此进步的方法是减少通讯单元各各个元件的数量和减小各个元件的体积。另外,正在开发拥有复合功能的元件。
考虑到这种背景,要成为在射频级使用的SAW滤波器,必须使用配有从平衡到非平衡转变功能(称之为“平衡转换器”功能)的平衡滤波器或配有多个通频带的多波段滤波器。
举个例子,10-117123号的日本未审查专利申请公告揭示了一种平衡SAW滤波器单元,它通过比较传送相位特性彼此之间相差180度的SAW滤波器来实现不平衡输入和平衡输出。以上公告中揭示的SAW滤波器单元,其构造如图9所示。
图9所示的SAW滤波器单元具有纵向连接的SAW滤波器511和512。纵向连接的SAW滤波器511是通过使用连接图案520和521,在两级中级联SAW滤波器器件501a和501b来组成的。纵向连接的SAW滤波器512是通过使用连接图案521和连接图案522,在两级中级联其传送相位特性大致彼此相差180度的SAW滤波器器件501c和502来组成的。
在以上所描述的SAW滤波器单元中,SAW滤波器器件501a和501c的输入端分别通过电线530和531与不平衡端503相连。SAW滤波器器件501b和502通过电线505以串联的形式彼此相连,同时也分别通过电线532和533与输出平衡端504相连。端子506是接地端,它们分别通过电线534和535与SAW滤波器器件501a和501c相连。
10-341135号的日本未审查专利申请公告中,揭示了一个多波段滤波器的例子,其中,为了获得多个通频带,在压电基片上安装了许多SAW滤波器器件(SAW滤波器)。
以上所描述的拥有复合SAW滤波器器件的SAW滤波器中,在相同的压电基片上被组装成的形成多个SAW滤波器器件。为了减小这种SAW滤波器的尺寸,在一个SAW传播方向上可并排地布置两个或两个以上的SAW滤波器器件。
然而,像这种排列的SAW滤波器器件由于体波的影响在传送信号的通频带中可能会引起波纹。
在用于移动电话的射频滤波器中,希望通频带中传送特性平坦。为了使传送特性平坦,应防止波纹的产生。
一种防止波纹产生的措施是通过使压电基片反面粗糙化(通过喷沙形成起伏)来分散体波。可是,根据这个方法,在加工过程中,压电基片会因处理过程中加在晶片上的热或应力而折断或弯曲。
在以上描述已知的SAW滤波器中,通过改变多个SAW滤波器器件的位置,使它们不处在相应的SAW传播方向,防止通频带中波纹的产生。然而,SAW滤波器器件的这种排列增加了基片的面积。因此,需要较紧凑的SAW滤波器(SAW装置),在其中体波引起的波纹可被降低而不需要进行喷沙。
发明内容
为了解决以上所述的问题,根据本发明的一方面,提供了一种SAW装置,其中包括:第一SAW滤波器器件,它拥有多个叉指形电极(叉指形传感器,在下文中将称为“IDT”),它们是沿SAW传播方向形成于压电基片之上的;第二SAW滤波器器件,它包括多个沿声表面波传播方向形成于压电基片之上的IDT。第一SAW滤波器器件的传播路径有一部分与第二滤波器的传播路径重叠。当第一SAW滤波器器件到第二SAW滤波器器件的中心距离以d1来表示,压电基片的厚度由t来表示时,安排第一SAW滤波器器件、第二SAW滤波器器件和压电基片,使其满足条件d1≤2.3t或d1≥2.8。。
根据这样的布局,以上所述的SAW装置不仅配置了拥有特定通频带的滤波功能,而且还拥有多个SAW滤波器提供的复合多功能。
在以上所描述的构造中,因为第一SAW滤波器器件、第二SAW滤波器器件和压电基片安排成满足条件d1≤2.3t或d1≥2.8t,由激励的SAW所引起的体波带来的影响可在第一和第二SAW滤波器器件之间被抑制。
从而,在完成SAW设备尺寸缩小和多功能的同时,可减小在通频带的传送信号中产生的体波所引起的波纹。通过这种方法,可得到较平坦的滤波特性,以此,在通频带中的传送特性可得到改进。
另外,根据以上所描述的构造,体波的影响可不需要进行喷沙(使压电基片的反面粗糙化)而得到抑制。这样一来,对压电基片粗糙化可能造成的压电基片的折断或弯曲,可被防止,从而减少生产过程中有缺陷的部分。
在上述的SAW装置中,第一SAW滤波器器件通频带中的传送振幅特性最好能大致与第二SAW滤波器器件通频带中的传送振幅特性相同。第一SAW滤波器器件的传送相位特性最好大致与第二SAW滤波器器件的相位特性相差180度。输入端或输出端可以是不平衡端,而其它端可以是平衡端。
通过以上的布局,由于第一SAW滤波器器件的传送相位特性与第二的相差约180度,可得到平衡转换器功能,从而,为SAW装置提供多种功能,成为可能。
在前述的SAW装置中,第一SAW滤波器器件的中心频率可与第二SAW滤波器器件的不同,这样一来,SAW装置作为多波段滤波器工作。根据这样的布局,SAW设备能够提供复合多功能。
根据本发明的另一方面,提供了一种SAW装置,其中包括了从第一到第四滤波器器件,每一个都拥有大量IDT,这些IDT是沿SAW传播方向上形成于压电基片之上的。第一SAW滤波器器件和第三滤波器器件是级联的,第二滤波器器件和第四滤波器器件是级联的。第一SAW滤波器的传播路径有部分与第二SAW滤波器的重叠,第三SAW滤波器的传播路径有部分与第四SAW滤波器的重叠。当第一台SAW滤波器到第二SAW滤波器的中心距离由d1表示,第三SAW滤波器到第四SAW滤波器的中心距离由d2表示,被激发的SAW的波长由λ表示时,安排第一到第四SAW滤波器器件,使中心距离d1与中心距离d2相差的量少于约为(2n+1)*0.5λ(n=0,1,2,3,等等)。
根据以上所描述的构造,通过提供第一到第四SAW滤波器器件,一种带有特定通频带的滤波功能可实现,并且可得到复合的多功能。
在以上所描述的构造中,中心距离d1与中心距离d2相差的量约为(2n+1)*0.5λ(n=0,1,2,3,等等),即大致为SAW半波长的奇数倍。相应地,为了SAW装置小型化,即使第一、第二SAW滤波器器件处在与第三、第四SAW滤波器器件非常靠近的位置,在第一、第二SAW滤波器器件和第三、第四SAW滤波器器件之间由体波所引起的波纹也能减少。
这样一来,在获得配有多功能的较小的SAW装置的同时,可提供滤波功能,并且波纹的产生也能够减少。相应地,能得到较平坦的滤波特性,从而改进通频带中的传送特性。
在上述的SAW装置中,通频带中第一到第四SAW滤波器器件的传送振幅特性可大致相同。第一到第四SAW滤波器器件中的三个可能拥有大致相同的传送相位特性,剩下的SAW滤波器器件,其传送相位特性会与其它的SAW滤波器器件的相位相差180度。输入端和输出端中的一个可以是不平衡端,其它的可以是平衡端。
根据这样的布局,通过安排其中一个SAW滤波器器件,使它与其它三个SAW滤波器器件相位不一致,可提供平衡转换器功能,从而实现多功能。
在以上提到的SAW装置中,当压电基片的厚度由t来表示,第一到第四SAW滤波器器件以及压电基片可安排成满足条件d1≤2.3t或≥2.8t和条件d2≤2.3t或≥2.8t。
根据这样的布局,通过上述那样安排中心距离d1和d2,波纹的产生能被抑制,从而改进传送特性。
在以上所提到的SAW装置中,压电基片可以是一种36度到44度的Y方向切割、X方向上传播的LiTaO3基片。于是,插入损耗可利用压电特性得到降低,而且环境温度的影响能被极好的温度特性所抑制。
本发明中的通讯单元用到了以上所提到的一种SAW装置。
有了这样的构造,因为用到了一个展示极好传送特性的紧凑且多功能SAW装置,通讯单元在展示良好的发送/接收功能的同时,可以小型化。
本发明所拥有的以上及其它的方面、特征和优势从随后对较佳实施例的详细描述中将更加明显,描述中借助例子,并参照附图,其中:
附图简述
图1是根据本发明第一个实施例所展示的SAW滤波器的立体图;
图2展示了发生在图1SAW滤波器中的体波辐射的概念;
图3表述了相对于与图1中SAW滤波器中心距离d1变化的波纹数量;
图4是根据本发明第二个实施例所展示的SAW滤波器的立体图;
图5表述了发生在图4中SAW滤波器的波纹的消除;
图6用与已知滤波器的滤波特性比较的方式说明图4SAW滤波器中获得的改进后的滤波特性;
图7是根据本发明第三个实施例所展示的SAW滤波器的立体图;
图8是表述根据本发明第四个实施例通信单元中基本部分的框图;
图9是展示已知SAW装置的平面图。
具体实施方式
参照图1到图8,通过说明较佳实施例,详细描述本发明。
第一个实施例
图1是展示作为本发明第一个实施例SAW装置的SAW滤波器构造的立体图。在图1所示的SAW滤波器中,第一SAW滤波器器件1和第二SAW滤波器器件3(它们的传送相位特性彼此相差大约180度)被装在一个压电基片10上。
压电基片10是由——举例来说——39度的Y切割和X传播的LiTaO3形成的,而且它的厚度——举例来说——是285微米。压电基片10不只限于以上所描述的材料,可以由表现出不同的压电特性的另一种材料组成,比如说,石英或LiNbO3。
第一和第二SAW滤波器器件1和3的基本结构是一样的,比如,它们的中心频率都是842.5MHz。然而,第二SAW滤波器器件3与第一SAW滤波器器件1在相位上相差180度。根据这样的安排,SAW滤波器不仅具备了滤波功能,而且还具有平衡转换功能。
在第一SAW滤波器器件1中,IDT12和13在SAW传播方向上被分别搁置在一个中央IDT11的左边和右边。反射体14和15被从左至右放置在IDT12、中央IDT11和IDT13的侧面。同样,在第二SAW滤波器器件3中,IDT32、中央IDT31、IDT33以及反射体34和35按照与第一SAW滤波器器件1相似的模式放置。因而,第一台和第二SAW滤波器器件1和3是延伸耦合谐振器式器件。
每一个IDT都有一个带形的基本部分(总线条)和两个提供许多电极指的电极部分。这些电极指从基本部分的一边垂直向外延伸,使得它们彼此互相平行。电极指还以相同的间距互相交叉,形成它们的边彼此相对。
在以上配置的IDT中,信号转换特性和通频带能由调节每一个电极指的长度和宽度、相邻电极指的间距以及叉指电极指彼此相对的长度(在以后的描述中称为“叉指长度”)来决定。
单独的电极指、IDT的总线条和反射体是由——比方说——铝(Al)电极(箔)通过——比方说——光刻技术在压电基片10上组成的。
不平衡端5与第一SAW滤波器器件1的中央IDT11还有第二滤波器3的IDT31相连。一个平衡端6与第一SAW滤波器器件1的IDT12还有13相连,而另一个平衡端7与第二SAW滤波器器件3的IDT32还有33相连。
第一和第二SAW滤波器器件1和3在SAW的传播方向上彼此相邻地排列着,而且中心距离d1调整到——比方说——620.0微米。第一SAW滤波器器件1的中心是指IDT12,11和13两端距离的中心位置,不包括反射体14和15,更明确地说,是指邻近反射体14的IDT12电极指的末端到邻近反射体15的IDT13的电极指的末端的距离的中心位置。同样,第二滤波器3的中心是指IDT32,31和33两端距离的中心位置,不包括反射体34和35,更明确地说,是指邻近反射体34的IDT32的电极指的末端到邻近反射体35的IDT33的电极指的末端的距离的中心位置。
如上所述,第一滤波器1和第二滤波器3在SAW传播方向上相邻地排列,最好是,第一滤波器1传播方向的中心线与第二SAW滤波器器件3在SAW传播方向的中心线基本对准。根据这样的安排,压电基片10的尺寸可缩小,完成的SAW滤波器同样可以在小型化的同时实现SAW滤波器的多功能。
每一个SAW滤波器和每一个反射体只有几对电极指在图1中显示出来因为它们不能被全部显示。
在以上所描述的SAW滤波器中,电信号在输入端通过IDT11和31转换成SAW,然后,SAW在输出端再通过IDT12,13,32和33转换成电信号,从而可筛选频率。因此,SAW滤波器用作滤波器。
在以上所描述的SAW滤波器中,IDT激励的SAW在压电基片10的表面传播,同时引起波纹的体波也在压电基片10内传播。
体波很大程度上取决于方向,辐射角度也限制在某一范围。如图2所示,从第一SAW滤波器器件1辐射的体波在压电基片10的底面10a受到反射,并以一定的角度返回到正面10a。这时,如果体波8返回到离第二SAW滤波器器件3很近的部分,它在很大程度上将受第二SAW滤波器器件3的影响,从而在通频带的传送特性中造成不需要的波纹。
通过进行各种研究,利用避免体波8的负面效应,取得通频带内传送特性变得较平坦的滤波特性,我们已经发现以下的特征。邻近第一SAW滤波器器件1的第二SAW滤波器器件3的中央IDT31应设置在正面10b上不受从第一SAW滤波器器件1辐射并从底面10a反回的体波8干扰的部位。
接下来,我们通过变化中心距离d1检验第一台和第二滤波器1和3之间的中心距离和发生在通频带中的波纹量的关系。也改变压电基片10的厚度来检验中心距离d1和波纹量的关系。结果如图3所示。
图3揭示了通频带中波纹量增加,比如,0.15dB或更多,此时,中心距离d1在2.3t<d1<2.8t的范围内。
因此,第一和第二SAW滤波器器件1和3应设置成中心距离d1在以上描述的范围之外,从而有可能减小波纹量。
当中心距离d1为2.3t或更小(d1<=2.3t),或者2.8t或更大(d1≥2.8 t)时,本发明的优势可实现。比较理想的话,中心距离d1在范围1.6t≤d1≤2.3t或2.8t≤d1≤3.5t之内较佳,在范围1.7t≤d1≤2.1t或2.9t≤d1≤3.3t更佳。若d1超过了3.5t,对SAW滤波器的小型化将变得困难。若d1小于1.6t,反射体电极指的数量将减少,这样一来会增加通频带以外的杂散响应。
第二个实施例
图4是展示了用作SAW装置的SAW滤波器构造的立体图,它根据本发明的第二个实施例。在第二个实施例中,与第一个实施例的SAW滤波器功能相似的元件由相应的数字表示,关于它的解释省略。
图4显示的SAW滤波器是2级延伸耦合谐振器式SAW滤波器,它不仅配有第一和第二SAW滤波器器件1和3,还有在压电基片10上的第三和第四SAW滤波器器件2和4(中心频率为942.5MHz)。
第二SAW滤波器3的传送相位特性与第一、第三、第四SAW滤波器器件1、2和4的传送相位特性相差180度。根据这样的安排,以上所描述的SAW滤波器不仅具备滤波功能还有平衡转换器功能。
在第二个实施例中,第二SAW滤波器器件3的传送相位特性跟其它的SAW滤波器器件相差180度。然而,并不一定是第二SAW滤波器器件器件3;SAW滤波器1、2、4中任何一个的相位都能设置到与其它SAW器件相差180度,这种情况下,第二个实施例所提供的类似优势将显现出来。
第一和第三SAW滤波器器件1和2互相级联,而第二和第四SAW滤波器器件3和4互相级联。设置SAW滤波器器件1到4,使SAW滤波器器件1和3的传播方向与SAW滤波器2和4的传播方向基本平行。根据这样的布局,所得SAW滤波器可减小尺寸,同时达到有多种功能。
SAW滤波器的不平衡端5与第一滤波器1的中央IDT11还有第二滤波器3的中央IDT31相连。一个平衡端6与第三滤波器器件2的中央IDT21相连,同时另一个平衡端7与第四SAW滤波器器件4的中央IDT41相连。
第一和第二SAW滤波器器件1和3在SAW传播方向上相邻设置,第一和第二滤波器1和3之间的中心距离,比如说,是620.0微米。第一滤波器1的中心是指IDT12、11和13两端距离的中心位置,不包括反射体14和15,更明确地说,是从与反射体14邻近的IDT12的电极指末端到与反射体15邻近的IDT13的电极指末端的距离的中心。第二滤波器器件3的中心位置可以用与第一SAW滤波器器件1类似的方法来计算。
第三和第四个滤波器2和4在SAW传播方向上相邻设置,而且与中心距离d1对应的第三和第四滤波器2和4之间的中心距离d2,比如说,为522.1微米。图4中只显示了几对SAW滤波器器件和反射体,因为它们不能全部显示。
在第二个实施例中,通过使用2级级联的SAW滤波器器件1到4构成具备平衡转换器功能的SAW滤波器。
在这个滤波器中,电信号在输入端通过IDT11和31转换成SAW,而SAW又在输出端通过IDT21和41重新转换成电信号,从而能筛选频率。因此,SAW滤波器用作滤波器。
如以上所讨论的那样,在第二个实施例中,第一级SAW滤波器器件1和3的中心距离d1与第二级SAW滤波器器件2和4的中心距离d2是不一样的。这将在下面的部分详细讨论。
第一级SAW滤波器器件1和3的中心距离d1与第二级SAW滤波器器件2和4的中心距离d2相差的量等同于SAW波长的(2n+1)/2倍(n=0,1,2,3,等等),从而进一步减小在通频带中由于体波所引起的波纹量。
在第一个实施例中讨论的由体波引起的波纹,其产生取决于SAW滤波器器件激励的SAW和体波在相位上的关系。
更确切地说,当SAW和体波同步时,这两种波互相加强。相反地,当SAW与体波在相位上相差180度时,这两种波互相减弱。如图5(a)所示,在第一级SAW滤波器器件1和3中的滤波特性(传送特性)中,出现起伏(波纹)(实线表示)。如图5(b)所示,在第二级SAW滤波器器件2和4的滤波特性中出现起伏(波纹)(用实线表示)。图5中(a)和(b)中的虚线表示未受体波影响的滤波特性。
若图5(a)所示的传送特性中的起伏与图5(b)所示的反相,它们将在整个2级级联滤波器中互相抵消,结果将获得无波纹的滤波特性。起伏可以通过实现SAW和体波之间相位相反的关系来抵消。可通过使第一级SAW滤波器器件中心距离偏离第二级SAW滤波器器件中心距离所激励SAW波长的(2n+1)/2倍(n=0,1,2,3等等),实现这点。
SAW的相位特性由每一个SAW滤波器1、2、3、4电极指的结构决定而不是SAW滤波器器件1到4的排列。相反,关于体波,传播路径长度因SAW滤波器器件1到4的排列而作改变,体波的相位特性也随之改变。
在SAW滤波器中所激励的SAW和辐射的体波之间,存在某种关系。因此,若SAW滤波器器件的中心距离改变等同于一个波长的量,体波传播路径的长度同样也会改变等同于一个波长的量。
因此,第一级SAW滤波器器件1和3的中心距离d1与第二级SAW滤波器器件2和4的中心距离d2相差的量等于SAW波长的(2n+1)/2(n=0,1,2,3等等)倍。于是,在第一级SAW滤波器器件1和3中因体波所引起的起伏对第二级SAW滤波器器件2和4中的该起伏反相,并在整个2级级联滤波器中互相抵消。结果,如图5的(c)所示,获得了无波纹的滤波特性。
图6用与已知SAW滤波器中滤波特性比较的方式说明第二个实施例中获得的改进后的滤波特性。在已知SAW滤波器中(比较的例子),SAW滤波器器件的中心距离和压电基片的厚度式决定如下:d1=d2=620微米,t=285微米。图6揭示了在第二个实施例中获得的滤波特性与比较的例子相比,显示了无波纹的良好特性。
就像第一个实施例一样,在第二个实施例中,中心距离d1和d2可相对于压电基片10的厚度t设定,从而获得更好的传送特性。
第三个实施例
图7是展示多波段SAW滤波器的立体图,这种滤波器是根据本发明第三个实施例用作多功能SAW装置的。与第一、第二个实施例的元件具有类似功能的元件由相关数字表示,相关的注释因此被省略。
在图7所示的SAW滤波器中,在压电基片10上形成拥有中心频率895.5MHz的SAW滤波器器件301和拥有中心频率942.5MHz的SAW滤波器器件302,从而提供两个通频带。
SAW滤波器器件301和302以类似于第一或第二个实施例中SAW滤波器器件1的形式配置,但有一点例外:SAW滤波器器件301和302的中心频率彼此不同。
在图7中的每一个SAW滤波器301或302和反射体,只示出几对电极指,因为它们不可能全部显示出来。SAW滤波器器件301和302在SAW传播方向上的中心距离d1调整到,比方说,620微米。不同于第一个实施例,在第三个实施例中,SAW滤波器器件301和302有不同的中心频率并相邻设置。不过,即使中心频率是不同的,体波8的辐射角度也不会改变。
因而,如果SAW滤波器301和301之间的中心距离d1调整在范围2.3t<d1<2.8t之内,由于第一个实施例中讨论的相同原因通频带的传送信号会出现波纹。
因此,设置SAW滤波器301和302,使中心距离d1超出以上所描述的范围。于是,通频带传送信号中发生的波纹可减小。第三个实施例的特征适用于第二个实施例,这时,可得到第三个实施例所体现的类似的优势。
第四个实施例
参考图8,依照本发明第四个实施例,描述了第四个实施例中已装上第一到第三实施中的一个SAW滤波器的通讯单元100。如图8所示,在通讯单元100中,接收机(Rx)包括天线101、天线共用部分/射频顶端滤波器102、放大器103、Rx部分滤波器104、混频器105、第一中频滤波器106、混频器107、第二中频滤波器108、第一和第二信号本机合成器111、温度补偿晶体振荡器(TCXO)112、分频器113和本机滤波器114。
如图8所示的Rx部分滤波器104和混频器105之间的两条线所示,两个平衡信号最好从Rx部分滤波器104传送到混频器105,以此可维持平衡特性。
在通讯单元100中,发射机(Tx)包括天线101、天线共用部分/射频顶端滤波器102、发送中频滤波器121、混频器122、Tx部分滤波器123、放大器124、耦合器125、隔离器126以及自动功率控制装置(APC)127。接收机(Rx)和发射机Tx共用天线101和天线共用部分/射频顶端滤波器102。
第一到第三个实施例中的任何一个都适用于Rx部分滤波器104、第一中频滤波器106、发送中频滤波器121和Tx部分滤波器123。
因而,在以上所描述的通讯单元100中,因为使用显示优良传送特性的复合多功能SAW滤波器,通讯单元100也同样具备了良好的发送/接收功能,而且能小型化,尤其是在千兆赫或更高的波段中。

Claims (8)

1.一种声表面波装置,其特征在于包括:
第一声表面波滤波器器件(1),它包括多个叉指电极(11,12,13),这些电极沿着声表面波传播方向被安装在压电基片(10)上;
第二声表面波滤波器器件(3),它包括多个叉指电极(31,32,33),这些电极沿着声表面波传播的方向安装在所述压电基片(10)上,所述第一声表面波滤波器器件(1)的传播路径与所述第二声表面波滤波器(3)部分互相重叠;
其中,当所述第一声表面波滤波器器件(1)和所述第二声表面波滤波器(3)之间的中心距离由d1来表示,且所述压电基片(10)的厚度由t来表示时,所述第一声表面波滤波器器件(1)、所述第二声表面波滤波器器件(3)以及压电基片(10)安排成满足条件d1≤2.3t或d1≥2.8t。
2.根据权利要求1的声表面波装置,其特征在于:
所述第一声表面波滤波器器件(1)在通频带中的传送振幅特性同所述第二声表面波滤波器器件(3)在通频带中的传送振幅特性基本相同,所述第一声表面波滤波器器件(1)的传送相位特性与所述第二声表面波滤波器器件(3)的传送相位特性基本上相差180度;
输入终端(5)或输出端(6,7)是不平衡端,其它的端子是平衡端。
3.根据权利要求1或2的声表面波装置,其特征在于,所述第一声表面波滤波器器件(1)的中心频率不同于所述第二声表面波滤波器器件(3)的中心频率,使得所述声表面波装置可作为多波段滤波器工作。
4.一种声表面波装置,其特征在于包括:
第一声表面波滤波器器件(1),它包括多个叉指电极,这些电极沿着声表面波传播方向安装在压电基片(10)上;
第二声表面波滤波器器件(3),它包括多个叉指电极,这些电极沿着声表面波传送的方向安装在所述压电基片(10)上;
第三声表面波滤波器器件(2),它包括多个叉指电极,这些电极沿着声表面波传送的方向安装在所述压电基片(10)上;
第四声表面波滤波器器件(4),它包括多个叉指电极,这些电极沿着声表面波传送的方向安装在所述压电基片(10)上;所述第一声表面波滤波器器件(1)和第三声表面波滤波器器件(2)级联,所述第二声表面波滤波器器件(3)和第四声表面波滤波器器件(4)级联,所述第一声表面波滤波器器件(1)的传播路径与所述第二声表面波滤波器器件(3)的传播路径部分互相重叠,所述第三声表面波滤波器器件(2)的传播路径与所述第四声表面波滤波器器件(4)的传播路径部分互相重叠;
其中,当所述第一声表面波滤波器器件(1)和所述第二声表面波滤波器器件(3)之间的中心距离由d1来表示,所述第三声表面波滤波器器件(2)和所述第四声表面波滤波器器件(4)之间的中心距离由d2来表示,且被激发的声表面波的波长由λ表示,设置所述的声表面波滤波器(1,3,2,4),使中心距离d1与中心距离d2相差量等于约(2n+1)×0.5λ(n=0,1,2,3等等)。
5.根据权利要求4的声表面波装置,其特征在于:
所述第一至第四声表面波滤波器器件(1,3,2和4)在通频带中的传送振幅特性基本上相同,并且所述第一至第四声表面波滤波器器件(1,3,2,4)中的三个具有基本上相同的传送相位特性,余下的声表面波滤波器器件跟其它的声表面波滤波器器件在传送相位上基本上相差180度;
输入端(5)和输出端(6,7)中的一个端是不平衡端,其它的端子则是平衡端。
6.根据权利要求4和5任一的声表面波装置,其特征在于,当压电基片(10)的厚度由t表示时,所述第一至第四声表面波滤波器器件(1,3,2和4)和压电基片(10)将安排至满足条件d1≤2.3t或d1≥2.8t,和条件d2≤2.3t或d2≥2.8t。
7.根据权利要求1,2,4,5任一的声表面波装置,其特征在于,所述压电基片(10)是36度到44度的Y方向切割、X方向传播的LiTaO3基片。
8.一种通讯单元,其特征在于,采用如权利要求1、2、4、5任一所述的声表面波装置。
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