CN1365108A - 光信息记录媒体、制造方法、记录方法和记录装置 - Google Patents

光信息记录媒体、制造方法、记录方法和记录装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1365108A
CN1365108A CN01145664A CN01145664A CN1365108A CN 1365108 A CN1365108 A CN 1365108A CN 01145664 A CN01145664 A CN 01145664A CN 01145664 A CN01145664 A CN 01145664A CN 1365108 A CN1365108 A CN 1365108A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
information
recording media
recording
optical information
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01145664A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1273974C (zh
Inventor
北浦英树
山田升
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1365108A publication Critical patent/CN1365108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1273974C publication Critical patent/CN1273974C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/258—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of reflective layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/26—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of record carriers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24302—Metals or metalloids
    • G11B2007/24316—Metals or metalloids group 16 elements (i.e. chalcogenides, Se, Te)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/242—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers
    • G11B7/243—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of recording layers comprising inorganic materials only, e.g. ablative layers
    • G11B2007/24318—Non-metallic elements
    • G11B2007/2432—Oxygen
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
    • G11B7/0045—Recording
    • G11B7/00454—Recording involving phase-change effects
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Abstract

本发明提供反射率高、高密度的信息记录再现中也得到C/N比和灵敏度高的良好记录再现特性的补写型光信息记录媒体。该媒体具有透明基板、在该基板上配置的至少1个信息层,该信息层具有包含Te、O和M的材料构成的记录层,对于从透明基板侧入射的光束,与在记录层上记录信息之前的反射率相比,记录层上记录信息后的反射率低。其中,M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi中选择的至少1个元素。

Description

光信息记录媒体、制造方法、 记录方法和记录装置
发明的技术领域
本发明涉及通过向在基板上形成的薄膜照射激光束等高能量光束而记录·再现信号品质高的信息信号的补写型光信息记录媒体、其制造方法、记录方法和记录装置。
背景技术
在透明基板上形成薄膜、在该薄膜上照射调节成小光斑的激光来记录再现信息信号的记录媒体是公知的。作为补写型记录媒体，已知有在基板上形成Te和TeO2的混合物的TeOx(0＜x＜2)的记录薄膜(特开平50-46317号公报)。通过再现用光束的照射可从该记录媒体得到大的反射率变化。
TeOx记录薄膜在不实施激光退火等初始化处理而成膜后的非晶状态下照射激光可形成结晶的记录标志。这是一个不可逆过程，不能进行通过再写入进行的修正和擦除，因此使用该记录薄膜的媒体可用作补写型记录媒体。该记录薄膜由于防潮性等环境可靠性高，不需要介电体的保护层等。为降低制造成本，TeOx记录薄膜作为单层膜使用。
在TeOx记录薄膜中，到记录后信号饱和之前，即到记录薄膜中的激光照射带来的晶化充分进行之前需要一些时间。因此，使用该记录薄膜的媒体原样作为要求，例如数据记录到盘上在旋转一周后验证该数据的计算机用数据文件这样的快速响应的媒体是不适当的。为弥补这一缺点，提出在TeOx中添加Pd、Au作为第三元素(特开平62-88152号公报、特开昭61-68296号公报、特开昭62-88152号公报)。
认为Pd和Au在TeOx薄膜中具有在激光照射时促进Te的结晶长大的作用。因此，Te和Te-Pd合金或Te-Au合金的晶粒快速生成。Pd和Au耐氧化性高、不破坏TeOx薄膜的高防潮性。
作为增多每1个媒体处理的信息量的基本方式，已知有激光波长缩短、会聚激光的物镜的数值孔径增大并缩小激光的光斑直径的方式。提出引入标记边缘记录、脊记录&槽记录、以及层叠多个信息层的多层结构。在具有多层结构的媒体中，提出用于选择多个信息层之一的层识别部件和层切换部件。
为对应于这种高密度记录，还提出在TeOx中添加Pd、Au作为第三元素的记录材料组成和改善膜厚的记录媒体(特开平9-326125号公报、WO98/09823号公报)。
一般地，在记录媒体中，为进行聚焦·跟踪等的伺服控制，在记录状态下需要一定值以上的反射率。与记录前相比，记录后的反射率高的反射率增加型媒体中，记录后反射率再增大。因此，在反射率增加型中，记录前和记录后之一的状态下反射率接近0对于增大信号的对比度是不利的。针对此，在反射率减小型的媒体中，记录前的反射率保持很高并且记录后的反射率可降低，因此，在伺服控制方面较好，并且在增大信号的对比度方面也有利。
但是，使用TeOx记录薄膜的已有记录媒体都是记录后的反射率比记录前的反射率高的反射率增加型的。
发明概述
迄今未讨论过将使用TeOx记录薄膜的记录媒体作成反射率减小型。这是因为TeOx是反射率增加型的材料，即随着晶化反射率上升的材料。本发明人讨论的是TeOx记录薄膜即使改变其组成、膜厚都不能作成反射率减小型，但是，重复讨论的结果本发明人成功地制作出使用TeOx记录薄膜的反射率减小型记录媒体。
即，本发明的记录媒体具有透明基板、在该基板上配置的至少1个信息层，该信息层具有包含Te、O和M的材料构成的记录层，对于从该透明基板侧入射的光束，与在上述记录层上记录信息之前的反射率相比，上述记录层上记录信息后的反射率低。
其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi中选择的至少1个元素。
使用上述记录薄膜的反射率减小型的记录媒体通过例如向信息层添加至少1个反射调整层而得到。该反射调整层的例子包括后述的反射层、介电体层。反射调整层典型地通过光学干涉效应来调整来自媒体的反射，使得在不存在该层的状态下向记录层记录信息后的反射率比在记录层记录信息之前的反射率高，但在存在该层的状态下记录后的反射率比记录前的反射率低。
本发明还提供上述记录媒体的制造方法、记录方法、记录装置。在本发明的制造方法之一中，特征在于制造本发明的记录媒体时，在保护基板上形成信息层，在该信息层上形成透明基板。这样在保护基板上形成信息层的方法适合于例如厚度为0.4mm以下的薄的透明基板。
在本发明的另一制造方法中，特征在于制造本发明的记录媒体时，在至少形成记录层后，实施在60℃以上保持5分钟的退火处理的工序。根据该制造方法，可实现更高的C/N比。
本发明的记录方法，其特征在于通过在相对光束移动的上述记录媒体上从透明基板侧开始在峰值功率和比该峰值功率小的功率之间边调制边照射光束来形成记录标记，进行信息的记录，上述记录媒体相对上述光束的线速度V与将照射的光束保持在上述峰值功率的时间T的乘积VT换算成所述记录标记的平均单位长度，将上述时间T设定成随着上述线速度V增大而增大。
本发明的记录装置的特征在于包括媒体旋转部件、在该媒体旋转部件旋转的上述媒体上照射光束形成记录标记的光束照射部件，将该光束照射部件照射的光束在峰值功率和比该峰值功率低的功率之间进行调制的光束调制部件，该光束调制部件将上述记录媒体相对上述光束的线速度V与将照射的光束保持在上述峰值功率的时间T的乘积VT换算成所述记录标记的平均单位长度，将上述时间T设定成随着上述线速度V增大而增大。该记录装置包括兼有信息的再现功能的记录装置，所谓的记录再现装置。
随着媒体的线速度增大，记录标记之间的热干涉减小。其结果，用相同的峰值功率照射时间形成相同长度的记录标记时，线速度越大记录标记越小。根据本发明的记录方法和记录装置，记录媒体的线速度V和峰值功率的照射时间T的积VT换算成所述记录标记的平均单位长度，通过将照射时间T设定成随着线速度V增大而增大，可补偿记录标记大小的不同。
附图简述
图1是本发明的光信息记录媒体的一个结构例的剖面图；
图2是本发明的光信息记录媒体的另一个结构例的剖面图；
图3是本发明的光信息记录媒体的再一个结构例的剖面图；
图4是本发明的光信息记录媒体的又一个结构例的剖面图；
图5是表示各波长·各记录层膜厚的反射率差ΔR与介电体层的折射率n的关系的一例的图；
图6是反射率差ΔR与介电体层的折射率n的关系的一例的图；
图7是表示本发明的光信息记录媒体的记录装置的一例的图。
发明的实施例详述
下面说明本发明的最佳实施例。
迄今为止未讨论过将使用TeOx记录薄膜的媒体作成反射率减小型，也未指出过其可能性。但是，根据本发明的讨论，已知存在几个可变更原来为反射率增加型的使用记录薄膜的媒体的特性的条件。并且，进一步讨论的结果确认在边确保高反射率边记录和再现高密度信息中可实现的C/N比和高的灵敏度。
本发明的一最佳实施例中，信息层在相对记录层与透明基板相对侧上配置反射层。该反射层由折射率n为3以下或衰减系数k为1以上的材料，特别是n为2.0以下或k为2.0以上的材料构成。n和k的条件同时具备更好。因此，例如更好是n为3以下且k为1以上。反射层的膜厚适于在5nm以上200nm以下。
包含反射层的情况中，较好是信息层在从记录层和反射层之间以及透明基板层和记录层之间选择的至少之一中还配备折射率n为1.5以上的材料构成、膜厚为0.01λ/n以上0.3λ/n以下的介电体层。本说明书中λ是信息再现用的光束(例如激光)波长。
该介电体层在不形成反射层时实现较好的反射调整效果。此时，介电体层比记录层还靠近透明基板侧配置。即，本发明的另一最佳实施例中，信息层在透明基板和记录层之间配置介电体层，该介电体层由折射率n为1.5以上的材料构成、膜厚为0.01λ/n以上0.3λ/n以下。
本发明的记录媒体中，信息层不限于1层。例如，从透明基板侧开始顺序配置第一信息层和第二信息层也可以。为增大记录容量，配置第三信息层、第四信息层也无妨。这样，记录媒体通过包含至少1个追加信息层而总共有≤n层的信息层(n为2以上的整数)时，各信息层之间插入分离层较好。该分离层光学分离各信息层并排除不需要的光学干涉。
记录媒体具有n层的信息层(n为2以上的整数)时，在n层的信息层中，上述说明的信息层最好是位于最远离透明基板的位置上。因为反射层限制激光的透过。另一方面，上述信息层不含反射层时，例如，通过配置在透明基板和记录层之间的介电体层实现向反射率减小型的变换的情况下，在n层的信息层中，上述信息层最好是位于最靠近透明基板的位置上。因为可得到高的透过率。追加的信息层若可通过激光再现信息，则其结构不特别限定。
下面参考附图具体说明本发明的实施例。图1和图2是本发明的记录媒体的一个结构例的部分剖面图。
图1所示的记录媒体依次在透明基板1上设置记录层2、反射层3和保护基板4而构成。图2所示的记录媒体依次在透明基板上设置介电体层7、记录层2和保护基板4而构成。这些记录媒体中，记录层和反射层3以及介电体层7和记录层2分别用作信息层10。这些媒体中，通过从透明基板1一侧由物镜6聚光来照射激光5，向记录层2上记录信息，或者再现记录的信息。用于再现而照射的波长λ的激光在照射记录信息的区域时表示出相对小的反射率。
图3所示的记录媒体依次在透明基板1上设置第一信息层10、分离层9、第二信息层20、保护基板4而构成。第二信息层20和保护基板4之间还配置追加的信息层。作为追加的信息层，图4表示出配置第三信息层30和第四信息层40的例子。如图所示，各信息层之间可配置分离层9。对于该媒体，从透明基板1一侧用物镜6将激光5会聚到规定的信息层，记录或再现信息。在包含多个信息层的媒体中，任一信息层都具有上述说明的特征。
作为透明基板1的材料，在激光5的波长中可使用大致透明的材料，如聚碳酸酯、聚甲烯酸甲酯、聚烯烃树脂、降冰片烷、紫外线固化树脂、玻璃或适当对其组合的材料。透明基板的厚度不特别限定，但取0.01～1.5mm左右为好。0.3mm以下的厚度适合于使用透明数值孔径(NA)高的光学系统的更高密度的记录中。
作为记录层2的材料，最好是以Te、O和M(M是上述的元素)为主成分的材料。本说明书中，作为主成分，是指超出80原子％的1种或2种以上的或分，在2种以上的成分为主成分时，成分合计为80原子％以上即可。元素M的最佳例子中，包含Pd和Au。通过添加Pd和/或Au，容易实现充分的晶化速度和高的环境可靠性。该材料最好具有氧原子(O原子)为25原子％以上60原子％以下、M原子为1原子％以上35原子％以下的组成。
O原子为25原子％以下，记录层的导热率过分增高，记录标记过大。因此，即使提高记录功率，C/N比也难以提高。与此相反，O原子为60原子％以上时，记录层的导热率过分降低，即使提高记录功率，记录标记也不会足够大。因此，难以实现高的C/N比和高的灵敏度。
M原子为1原子％以下时，激光照射时促使T结晶长大的作用相对减小，记录层2的晶化速度不足。因此，不能高速形成标记。与此相反，M原子超出35原子％时，非晶—晶体间的反射率减小，C/N比减小。
记录层2上可包含Te、O和M以外的元素。例如，为提高导热率、光学常量的调整、或耐热性·环境可靠性等，可添加至少1种元素。这些添加元素最好在记录层整体的20原子％以内。
记录层2的膜厚为2nm以上70nm以下。因为容易得到充分的C/N比。该膜厚小于2nm，因为得不到充分的反射率和反射率变化，C/N比降低。从这一观点看，记录层为5nm以上较好。另一方面，该膜厚超出70nm时，记录层的薄膜面内的热扩散增大，高密度记录中恐怕C/N比降低。
作为反射层3的材料，使用折射率n为3以下和/或衰减系数k为1以上的材料。n和k的最佳范围分别是2.0以下，2.0以上。具体说，使用包含Au、Ag、Cu、Al、Ni、Pd、Pt、Bi、Sb、Sn、Zn、Cr等的金属、半金属或合金材料、或TiN、ZrN等介电体就可以。
配置反射层3时，反射层的冷却能量通过激光吸收扩散掉记录层2的发热，其结果，记录灵敏度降低。因此，反射层材料导热率低较好。因此，上述材料中，适当的是以从Ni、Pd、Pt、Bi、Sb、Sn、Zn和Cr中选择的至少1种为主成分的金属或合金。
其中，记录层2和保护层3之间配置介电体层时，向反射层的热扩散受到抑制，因此设置导热率高的反射层也不过分降低记录灵敏度。因此，此时，作为反射层3未必选择导热率低的材料。
作为保护基板4的材料，可使用作为透明基板1的材料例示出的材料，但可使用与透明基板1不同的材料。在激光5的波长中不透明也可以。保护基板4的厚度不特别限定，最好是0.05～3.0mm左右。
作为介电体层7的材料，最好是折射率为1.5以上，更好是2.0以上，再好是2.5以上的材料。具体说，例如采用以ZnS、ZnS-SiO2、TiO2、ZrO2、Si、SiC、Si3N4、GeN等为主成分的材料。介电体层7的膜厚可选择反射率可作大改变的膜厚，其具体范围如上述中例示的那样。
配置多个信息层的情况下，至少1个信息层从靠近透明基板一侧开始按顺序设置记录层2和反射层3或介电体层7和记录层2来构成。但是，其他信息层可含有具有与记录层2不同的组成的记录层，不限于补写型，可包含复写型、再现专用型的记录层。
作为分离层9，可使用紫外线固化树脂等。分离层9的厚度最好至少是超出焦点深度ΔZ的厚度，以便于第一信息层10和第二信息层20之一再现时，来自另一方的串扰小。焦点深度ΔZ由物镜6的树脂孔径NA和激光5的波长λ决定，会聚点的强度以无像差的80％为基准，一般近似ΔZ＝λ/{2(NA)2}。例如，λ＝405nm、NA＝0.65时，ΔZ＝0.479μm。使用该光学系统时，由于±0.5m以内为焦点深度，分离层9的厚度大于1.0μm更好。
分离层9的厚度为了可记录·再现多个信息层上的高密度信息而设定成信息层间的距离位于物镜6的会聚范围内。分离层的厚度配合透明基板1的厚度最好在能够容许物镜的部件厚度公差内。
将2个上述记录媒体对着各个保护基板4的一侧贴合而成为所谓的两面结构。作成两面结构时，可作成每一个媒体上存储的信息量的2倍。
记录层2、反射层3、介电体层7等各层例如可通过真空蒸镀法、溅射法、离子镀法、CVD(化学气相淀积)法、MBE(分子束外延)法等通常的气相薄膜层叠法形成。
这些薄膜层和分离层9依次形成在透明基板1上后形成或贴合保护基板4，相反，在保护基板4上顺序形成后形成或贴合透明基板1。后者透明基板1薄为0.4mm以下时适当。此时，作为激光引导用槽的槽和地址信号等凹凸图案从预先形成希望的凹凸图案的填充物(stuff)等转写，形成在保护基板4和分离层9的表面上。此时，象分离层9一样，其厚度薄，难以采用注射法时，可使用2P法(光电聚合法)。
本发明的记录媒体通过在高温条件下保持一定时间以上退火而容易得到高的C/N比和低的抖动值。认为这是由于在记录层中随机扩散的各原子的一部分适度结合形成微小的晶核，在记录时晶化更顺利地进行。这样，标记边缘很好地对齐，可形成标记形状更整洁的标记。
退火温度根据记录层2的组成而不同，但根据发明人通过实验的确认，是在60℃以上的透明基板不熔化的温度，即其软化点或熔点以下，例如在聚碳酸酯时为120℃以下。退火时间根据记录层的组成和退火温度而不同，但根据发明人的实验，为使C/N比提高等效果饱和，至少需要5分钟。长时间退火也可以，但效果饱和后继续退火，基本上看不到记录再现特性有变化。
下面说明本发明的记录媒体的光学设计和光学特性。对于多层膜确定各层的折射率、衰减系数和膜厚，对于所有界面，基于保持能量原则确立光能释放吸收的联立方程，解析该方程，求出入射的光束对于多层膜整体的反射率、透过率和各层的吸收率(例如，久保田广著的《波动光学》岩波书店，1971年等)。使用该方法，对于下面的各结构进行光学计算。
结构A：基板/记录层/基板
结构B：基板/介电体层/记录层/基板
结构C：基板/记录层/介电体层/基板
结构D：基板/介电体层/记录层/介电体层/基板
结构A’：基板/记录层/反射层/基板
结构B’：基板/介电体层/记录层/反射层/基板
结构C’：基板/记录层/介电体层/反射层/基板
结构D’：基板/介电体层/记录层/介电体层/反射层/基板
入射的光束的波长为405nm或660nm。基板的光学常数n-ik在任一波长中都是1.6-i0.0。为调查介电体层的光学常数的依赖性，n＝1.5～3.0的范围内变化，以k＝0.0计算。假定使用Te-O-Pd(原子数比Te∶O∶Pd＝42∶53∶5)，记录层的光学常数在波长405nm中非晶态下为2.5-i0.6、在晶态下为2.0-i1.6；在波长660nm中非晶态下为2.5-i0.6、在晶态下为3.0-i1.6。这些中任一个都通过在石英基板上成膜的20nm的样品用分光器测定反射率和透过率，从其值计算求出。记录层的结晶状态的样品使用在炉子内在晶化温度附近的280℃下保持2分钟来结晶得到的样品。为调查反射层的光学常数的依赖性，在n＝0.5～4.0、k＝0.5～8.0的范围内变化来计算。
记录层在晶化和非晶时的反射率分别设为Rcry和Ramo，求记录产生的反射率差ΔR(ΔR＝Rcry-Ramo)。这里，各波长和各结构中，算出介电体层或反射层的膜厚任一改变时的ΔR的最小值ΔRmin。
对于结构A、B、C和D而言，记录层的膜厚为20nm和40nm时，改变介电体层的折射率n时的结果示于图5中，根据图5，任一波长下，即使改变介电体层的折射率n的值，ΔRmin都不小于0，不成为反射率减小型。与此相反，在光入射侧具有介电体层的结构B中，介电体层的折射率n越大，ΔRmin越减小，为反射率减小型。结构D中，得到几乎与结构B完全相同的反射率变化。这些媒体中，折射率越高，得到越大的反射率变化。
因此，反射率减小型中为得到大的反射率变化，至少在记录层的光入射侧上设置介电体层，其折射率为1.5以上，更好是2.0以上，再好是2.5以上。与此相反，在光入射侧的相反侧上设置介电体层也不怎么有效。
图6表示结构B中的反射率差ΔR对光入射侧介电体层的膜厚的依赖性。这里，以波长为660nm或405nm、记录的膜厚为20nm、介电体层的折射率n为2.5时为例。根据图6，ΔR减小在波长为λ、介电体层的折射率为n时根据波长而有一些不同，但大概以0.1λ～0.25λ为中心在0.01λ～0.3λ的范围内。
对于结构A’、B’、C’、D’，记录层的膜厚为20nm、介电体层的折射率n为2.0时，反射层的折射率n和衰减系数k改变时的结果在(表1)示出。
表1
结构A’(波长660nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ×     ×     ○     ◎     ◎
    1.0     ×     ×     ×     ◎     ◎
    2.0     ×     ×     ×     △     ◎
    4.0     ×     ×     ×     ×     ○
结构B’(波长660nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ○     ◎     ◎     ◎     ◎
    1.0     △     △     ○     ◎     ◎
    2.0     ×     ×     ×     ○     ◎
    4.0     ×     ×     ×     △     ○
结构C’(波长660nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ○     △     ○     ◎     ◎
    1.0     ×     ×     △     ◎     ◎
    2.0     ×     ×     ×     ○     ◎
    4.0     ×     ×     ×     △     ○
结构D’(波长660nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ○     ◎     ◎     ◎     ◎
    1.0     △     △     ○     ◎     ◎
    2.0     ×     ×     △     ◎     ◎
    4.0     ×     ×     △     ○     ◎
结构A’(波长405nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ×     ×     ×     ×     ×
    1.0     ×     ×     ×     ×     ×
    2.0     ×     ×     ×     ×     ×
    4.0     ×     ×     ×     ×     ×
结构B’(波长405nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ○     △     ×     ×     △
    1.0     ×     ×     ×     ×     △
    2.0     ×     ×     ×     ×     ×
    4.0     ×     ×     ×     ×     ×
结构C’(波长405nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ◎     ◎     ◎     ◎     ◎
    1.0     △     ○     ◎     ◎     ◎
    2.0     ×     ×     ◎     ◎     ◎
    4.0     △     △     ○     ◎     ◎
结构D’(波长405nm)
    nk     0.5     1.0     2.0     4.0     8.0
    0.5     ◎     ◎     ◎     ◎     ◎
    1.0     ○     ○     ◎     ◎     ◎
    2.0     ×     △     ○     ◎     ◎
    4.0     △     ○     ○     ◎     ◎
表1中，◎表示ΔRmin＜-15、○表示-15≤ΔRmin＜-10、Δ表示-10≤ΔRmin＜-5、×表示-5≤ΔRmin。根据表1，因结构和波长而有一些不同的反射层的折射率越小，衰减系数k越大，ΔRmin越小。根据表1，反射层最好是例如n为2.0以下或k为2.0以上。n为2.0以下且k为2.0以上更好。如图5所示，根据结构A～D，ΔRmin不能小于-15％。但是，如表1所示，使用反射层时，ΔRmin可小于-15％。
波长660nm中，即使仅追加反射层的结构A’也可成为反射率变化大的反射减少型。如结构B’、C’和D’那样，若追加介电体层，则可进一步增大反射率变化。另一方面，在波长405nm下，仅追加反射层的结构A’中，ΔRmin不能小于-5％。但是，该波长下，如结构C’和D’那样，与光入射侧相反的侧，即通过在记录层和反射层之间设置介电体层，可充分减小ΔRmin。这样的波带产生的不同认为是记录层的结晶的折射率n不同，即波长405nm下与波长660nm相比结晶的折射率减小至1.0左右引起的。
一般地，多是非晶的光学常数波长依赖性小，但结晶的光学常数波长依赖性大。包含Te的材料这个倾向更显著，波长缩短造成结晶的折射率n减小。因此，在如红色波带这种结晶的n大的波带(例如600～800nm)中，不追加介电体层ΔRmin也能非常小，但在如兰紫色波带这种结晶的n小的波带(例如350～450nm)中，不在记录层与反射层之间追加介电体层，则不能充分减小ΔRmin。在兰紫色波带中，介电体层的追加效果超出红色波带中的效果。
图7所示的记录再现装置的一例中，激光二级管11射出的激光5通过半镜面12和物镜6聚焦在由马达13旋转的光盘14上，进行信息信号的记录再现。进行信息信号的记录再现时，在多个功率电平之间调制激光5的强度。为调制激光强度，可使用激光强度调制电路16。在激光强度的调制中，具体说，可调制半导体激光器的驱动电流，但可使用电光学调制器、音响光学调制器等。
对于形成标记的部分，例如可适用峰值功率P1的单一矩形脉冲，但在形成特别长的标记时，为节省过剩的热量、均匀形成标记宽度，最好使用由在峰值功率P1和最低功率P3(其中P1＞P3)之间调制的多个脉冲串构成的记录脉冲串。对于不形成标记的部分，可在偏置功率P2(其中P1＞P2)下保持一定。
不同线速度V1和V2(其中V1＞V2)下分别形成物理长度相等的标记时，以峰值功率P1发出激光的时间分别设为T1和T2时，T1·V1可比T2·V2小。这是由于线速度增大过程中标记间的热干涉减小，T1·V1和T2·V2相等时，线速度高的V2的情况下标记减小。
因标记长度、其前后的空间长度、相邻的标记长度等各图案而产生标记边缘位置的不对齐，成为抖动增大的原因。采用上述记录再现方法时，为防止这一点并改善抖动，根据需要可调整补偿上述脉冲串的各脉冲位置或长度使得每一图案中边缘位置对齐。
为再现这样记录的信息信号，向光盘照射功率电平Pr的连续光，其反射光入射到光电检测器15，作为再现信号检测出其反射光量变化。
备有图3和图4所示的多个信息层的记录媒体上记录或再现信息时，需要选择多个信息层的一个。因此，需要层识别部件和层更换部件，但这些部件可使用原来已知的。层识别部件和层更换部件也可装载在已经商品化的再现专用光盘DVD的记录再现装置上。
[实施例]
下面根据实施例具体说明本发明，下面的实施例不限定本发明。
(实施例1)
作为透明基板使用聚碳酸酯树脂。透明基板的直径约为12cm、厚度约为0.6mm、槽和脊的宽度一起为0.6μm、槽深约70nm。
在形成透明基板的槽的表面上通过溅射法使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶、使用Al-Cr(原子数比98∶2)靶依次层叠膜厚约30nm的Te-O-Pd记录层、膜厚约40nm的Al-Cr反射层的各层。任一个都使用直径都是100mm、厚为6mm的靶，记录层用DC电源在100W的条件下成膜、反射层在DC电源下用500W的条件成膜。记录层在Ar和O2的混合气体(流量比45∶55)下、反射层仅在Ar气下都保持0.2Pa的气压的环境气中成膜。这样形成的膜面上经紫外线固化型树脂贴合伪基板，照射紫外线来固化。该盘在90℃下进行2小时左右的退火得到盘A。
盘A的Te-O-Pd记录层的组成由俄歇电子分光法进行元素分析时，原子数比为Te∶O∶Pd＝42∶53∶5。Te-O-Pd记录层在非晶态的光学常数n-ik在波长660nm下非晶态为2.5-i0.6、晶态下为3.0-i1.6，聚碳酸酯为1.6-i0.0、Al-Cr为2.0-i0.6。从这些光学常数计算时，本实施例的盘的反射率为Ramo＝35.0％、Rcry＝19.1％、ΔR＝-15.9％、非晶态时的记录层的光吸收率为Aamo＝40.0％。
除省略退火工序外与以上相同地制作盘B、除Al-Cr反射层外与上述相同地制作盘C。对于盘C进行与盘2相同的计算时，Ramo＝7.4％、Rcry＝18.4％、ΔR＝11.0％、Aamo＝30.6％，用分光器测量这些值，几乎和计算结果相同。
对于盘A～C的槽和脊，使用波长660nm、NA为0.6的光学系统边以线速度8.2m/s旋转边记录9.7MHz的单一信号。用于记录的脉冲波形是在峰值功率P1和偏置功率P2之间调制的单一矩形脉冲，脉冲宽度为25.8ns。P2为1.0mW、再现功率Pr也为1.0mW。该条件下，未记录的脊上仅进行1次记录，其信号的C/N比用频谱分析仪测定。
其结果，对于盘A而言，在槽中在P1＝10mW下得到54dB的C/N比、在脊中在P1＝10mW下得到52dB的C/N比。与此相对，对于盘B而言，在槽中在P1＝10mW下得到53dB的C/N比、在脊中在P1＝10mW下得到51dB的C/N比。对于盘C而言，在槽中在P1＝12mW下得到51dB的C/N比、在脊中在P1＝12mW下得到50dB的C/N比。
这样通过设置反射层，可提供ΔR的绝对值大的反射率减少型的媒体。尤其若施加退火，得到高的C/N比，由于可增大Ramo则反射率提高，由于可增大Aamo则得到灵敏度高的记录媒体。
(实施例2)
作为保护基板，使用聚碳酸酯树脂。保护基板的直径约为12cm、厚度约为1.1mm、槽间距约为0.32μm、槽深约20nm。
作为第二信息层，在形成保护基板的槽侧的表面上通过溅射法依次使用Al-Cr(原子数比98∶2)靶层叠膜厚约40nm的Al-Cr反射层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约30nm的Zn-S介电体层、使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶层叠膜厚约20nm的Te-O-Pd记录层的各层。任一个都使用直径都是100nm、厚为6mm的靶，反射层在DC电源下用500W的条件下成膜、介电体层用RF电源在500W的条件下成膜、记录层用DC电源在100W的条件下成膜。反射层和介电体层仅在Ar气下、记录层在Ar和O2的混合气体(流量比45∶55)下都保持0.2Pa的气压的环境气中成膜。
第二信息层上作为分离层涂布紫外线固化型树脂，在从其上面将施加Al薄膜涂层的填充基板压向形成槽间距约0.32μm、槽深约20nm的槽的聚碳酸酯的状态下照射紫外线光来固化。之后通过剥离填充基板来在分离层上形成槽。
该分离层上作为第一信息层与第二信息层同样地依次层叠膜厚约10nm的Te-O-Pd记录层、膜厚约25nm的Zn-S介电体层的各层。第一信息层上经紫外线固化型树脂贴合厚约0.09mm的聚碳酸酯基板，照射紫外线来固化，从而形成厚度约0.1mm的透明基板。另外，将该盘在90℃下进行2小时左右的退火得到盘D。
Te-O-Pd记录层在非晶态的光学常数n-ik在波长405nm下非晶态为2.5-i0.6、晶态下为2.0-i1.6，聚碳酸酯为1.6-i0.0、Zn-S为2.5-i0.0、Al-Cr为0.7-i4.0。从这些光学常数计算时，盘D在第一信息层中Ramo＝9.6％、Rcry＝2.5％、ΔR＝-7.1％、Aamo＝19.8％，记录层在非晶态时的透过率为Tamo＝69.6％、在第二信息层中Ramo＝30.8％、Rcry＝4.8％、ΔR＝-26.0％、Aamo＝49.8％。用分光器测量这些值，几乎和计算结果相同。
对于盘D的第一信息层的槽和第二信息层的脊，使用波长405nm、NA为0.85的光学系统边以线速度5.0m/s旋转边记录12.3MHz的单一信号。用于记录的脉冲波形是在峰值功率P1和偏置功率P2之间调制的单一矩形脉冲，脉冲宽度为20.4ns。P2为1.0mW、再现功率Pr相对第一信息层为1.0mW、相对第二信息层为1.5mW。该条件下，未记录的脊上仅进行1次记录，其信号的C/N比用频谱分析仪测定。
其结果，对于本实施例的盘而言，在第一信息层的槽中在P1＝8mW下得到50dB的C/N比、在第二信息层的脊中在P1＝10mW下得到50dB的C/N比。任何一个作为实用的记录媒体都有足够的C/N比和灵敏度。
由于该第一信息层的透过率约高达70％，通过使用多个具有与此相同的结构的信息层，可实现具有在通常的激光输出下可记录2层以上的信息层的记录媒体。
(实施例3)
作为保护基板，使用聚碳酸酯树脂。保护基板的直径约为12cm、厚度约为1.1mm、槽间距约为0.32μm、槽深约20nm。
作为第四信息层，在形成保护基板的槽侧的表面上通过溅射法依次使用Al-Cr(原子数比98∶2)靶层叠膜厚约40nm的Al-Cr反射层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约15nm的Zn-S介电体层、使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶层叠膜厚约20nm的Te-O-Pd记录层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约15nm的Zn-S介电体层的各层。在该第四信息层的表面上使用紫外线固化型树脂通过2p法转写与保护基板相同的槽图案，形成厚约13μm的分离层。
作为第三信息层，在该分离层的表面上通过溅射法依次使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约10nm的Zn-S介电体层、使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶层叠膜厚约10nm的Te-O-Pd记录层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约30nm的Zn-S介电体层的各层。在该第三信息层的表面上使用紫外线固化型树脂通过2p法转写与保护基板相同的槽图案，形成厚约13μm的分离层。
作为第二信息层，在该分离层的表面上通过溅射法依次使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约15nm的Zn-S介电体层、使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶层叠膜厚约8nm的Te-O-Pd记录层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约30nm的Zn-S介电体层的各层。在该第二信息层的表面上使用紫外线固化型树脂通过2p法转写与保护基板相同的槽图案，形成厚约13μm的分离层。
作为第一信息层，在该分离层的表面上通过溅射法依次使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约20nm的Zn-S介电体层、使用Te-Pd(原子数比90∶10)靶层叠膜厚约6nm的Te-O-Pd记录层、使用Zn-S(原子数比50∶50)靶层叠膜厚约35nm的Zn-S介电体层的各层。在该第一信息层的表面上使用紫外线固化型树脂贴合聚碳酸酯的包层，作为厚度为0.08mm的透明基板。
各层的成膜都使用直径是100mm、厚为6mm左右的靶，反射层在DC电源下用500W的条件下成膜、介电体层用RF电源在500W的条件下成膜、记录层用DC电源在100W的条件下成膜。反射层和介电体层仅在Ar气下、记录层在Ar和O2的混合气体(流量比45∶55)下都保持0.2Pa的气压的环境气中成膜。将该盘在90℃下进行2小时左右的退火得到盘E。
对于盘E的各信息层的槽而言，使用波长405nm、NA为0.85的光学系统边以线速度5.0m/s旋转边记录12.3MHz的单一信号。用于记录的脉冲波形是在峰值功率P1和偏置功率P2之间调制的单一矩形脉冲，脉冲宽度为20.4ns。P2为1.0mW、再现功率Pr在再现第一信息层时为0.5mW、在再现第二信息层时为0.6mW、在再现第三信息层时为0.7mW、在再现第四信息层时为1.0mW。将再现功率设定成随着离开激光入射侧越远越增大。该条件下，未记录的脊上仅进行1次记录，其信号的C/N比用频谱分析仪测定。
其结果，从盘E在第一信息层中在P1＝9.0mW下得到51dB的C/N比、在第二信息层中在P1＝9.5mW下得到51dB的C/N比、在第三信息层中在P1＝11.0mW下得到50dB的C/N比、在第四信息层中在P1＝10.5mW下得到52dB的C/N比。这样即使将信息层作为多层，也确认为具有足够的C/N比和灵敏度的记录媒体。
发明效果
从以上说明，根据本发明，提高一种在反射率高、高密度的信息记录再现中也得到C/N比和灵敏度良好的记录再现特性的补写型光信息记录媒体、其制造方法、记录方法和记录装置。

Claims (21)

1.一种光信息记录媒体，其特征在于具有透明基板、在所述基板上配置的至少1个信息层，所述信息层具有包含Te、O和M的材料构成的记录层，对于从所述透明基板侧入射的光束，与在所述记录层上记录信息之前的反射率相比，所述记录层上记录信息后的反射率低，其中，M是从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi中选择的至少1个元素。
2.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于所述信息层相对所述记录层而言在与所述透明基板相对的一侧上具有反射层，所述反射层由折射率n为3以下或衰减系数k为1以上的材料构成。
3.根据权利要求2所述的光信息记录媒体，其特征在于所述反射层由折射率n为2.0以下或衰减系数k为2以上的材料构成。
4.根据权利要求2所述的光信息记录媒体，其特征在于所述反射层的膜厚为5nm以上200nm以下。
5.根据权利要求2所述的光信息记录媒体，其特征在于所述信息层在从所述记录层和所述反射层之间以及所述透明基板层和所述记录层之间选择的至少之一中配备折射率n为1.5以上的材料构成、膜厚为0.01λ/n以上0.3λ/n以下的介电体层，其中λ是信息再现用的光束波长。
6.根据权利要求5所述的光信息记录媒体，其特征在于所述介电体层的膜厚为0.05λ/n以上0.3λ/n以下。
7.根据权利要求5所述的光信息记录媒体，其特征在于所述介电体层的膜厚为0.01λ/n以上0.2λ/n以下。
8.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于所述信息层在所述透明基板和所述记录层之间配备折射率n为1.5以上的材料构成、膜厚为0.01λ/n以上0.3λ/n以下的介电体层，其中λ是信息再现用的光束波长。
9.根据权利要求8所述的光信息记录媒体，其特征在于所述介电体层的膜厚为0.05λ/n以上0.3λ/n以下。
10.根据权利要求8所述的光信息记录媒体，其特征在于所述介电体层的膜厚为0.01λ/n以上0.2λ/n以下。
11.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于具有包含所述信息层的总共n层的信息层，所述n层的信息层之间分别配置分离层，其中n是2以上的整数。
12.根据权利要求2所述的光信息记录媒体，其特征在于具有包含所述信息层的总共n层的信息层，所述信息层在所述n层的信息层中位于离开所述透明基板最远的位置上，其中n是2以上的整数。
13.根据权利要求8所述的光信息记录媒体，其特征在于具有包含所述信息层的总共n层的信息层，所述信息层在所述n层的信息层中位于离开所述透明基板最近的位置上，其中n是2以上的整数。
14.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于所述记录层中氧原子的含有比例为25原子％以上60原子％以下，M原子的含有比例为1原子％以上35原子％以下。
15.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于所述记录层的膜厚为2nm以上70nm以下。
16.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于所述记录层上记录信息后的所述光束的反射率减去所述记录层上记录信息前的所述光束的反射率得到的反射率差ΔR小于-5％。
17.根据权利要求1所述的光信息记录媒体，其特征在于还包含保护基板。
18.一种权利要求17所述的光信息记录媒体的制造方法，其特征在于在所述保护基板上形成至少1个信息层，在所述信息层上形成所述透明基板。
19.一种权利要求1所述的光信息记录媒体的制造方法，其特征在于形成至少1个所述记录层后，实施在60℃以上保持5分钟的退火处理。
20.一种权利要求1所述的光信息记录媒体的记录方法，其特征在于通过在相对光束移动的所述记录媒体上从所述透明基板侧开始在峰值功率和比所述峰值功率小的功率之间边调制边照射所述光束来形成记录标记，进行信息的记录，所述记录媒体相对所述光束的线速度V与将照射的光束保持在所述峰值功率的时间T的乘积VT换算成所述记录标记的平均单位长度，将所述时间T设定成随着所述线速度V增大而增大。
21.一种权利要求1所述的光信息记录媒体的记录装置，其特征在于包括媒体旋转部件、在所述媒体旋转部件旋转的所述媒体上照射光束形成记录标记的光束照射部件，将所述光束照射部件照射的光束在峰值功率和比所述峰值功率低的功率之间进行调制的光束调制部件，所述光束调制部件将所述记录媒体相对所述光束的线速度V与将照射的光束保持在所述峰值功率的时间T的乘积VT换算成所述记录标记的平均单位长度，将所述时间T设定成随着所述线速度V增大而增大。
CNB011456647A 2000-12-18 2001-12-18 光信息记录媒体、制造方法、记录方法和记录装置 Expired - Lifetime CN1273974C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP383346/00 2000-12-18
JP2000383346 2000-12-18

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1365108A true CN1365108A (zh) 2002-08-21
CN1273974C CN1273974C (zh) 2006-09-06

Family

ID=18851015

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011456647A Expired - Lifetime CN1273974C (zh) 2000-12-18 2001-12-18 光信息记录媒体、制造方法、记录方法和记录装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6768710B2 (zh)
EP (1) EP1215669B1 (zh)
CN (1) CN1273974C (zh)
DE (1) DE60140292D1 (zh)
TW (1) TW561475B (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1328722C (zh) * 2003-02-26 2007-07-25 日本胜利株式会社 光存储介质
CN100346412C (zh) * 2003-01-10 2007-10-31 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
CN100407314C (zh) * 2002-10-16 2008-07-30 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法和光学信息记录再现装置
CN100466077C (zh) * 2003-06-13 2009-03-04 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其制造方法
US7781146B2 (en) 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
CN101322190B (zh) * 2005-12-02 2010-09-29 松下电器产业株式会社 信息记录介质和其制造方法
CN101981623B (zh) * 2008-12-10 2014-05-21 松下电器产业株式会社 信息记录介质、再生装置以及再生方法

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW556185B (en) * 2000-08-17 2003-10-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information recording medium and the manufacturing method thereof, record reproduction method and record reproduction device
JP2003168242A (ja) * 2001-11-29 2003-06-13 Tdk Corp 追記型光記録媒体の反射率の調整方法及び追記型光記録媒体
US6967951B2 (en) 2002-01-11 2005-11-22 Internet Machines Corp. System for reordering sequenced based packets in a switching network
MXPA04012287A (es) * 2002-06-14 2005-04-08 Koninkl Philips Electronics Nv Medio de almacenamiento de datos optico y uso del mismo.
WO2004027770A1 (ja) * 2002-09-18 2004-04-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学情報記録媒体とその製造方法
WO2004032130A1 (ja) * 2002-10-01 2004-04-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 光学的情報記録媒体とその製造方法
JP2004152398A (ja) * 2002-10-30 2004-05-27 Pioneer Electronic Corp 多層情報記録媒体及び多層情報記録媒体記録再生装置
FR2848012B1 (fr) * 2002-11-28 2006-09-29 Robin Perrier Procede de fabrication d'un disque optique enregistrable, disque optique et couche inscriptible obtenu par ledit procede
TW200509104A (en) * 2003-05-23 2005-03-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Information recording medium; recording device, method and program thereof
MXPA05013646A (es) * 2003-07-03 2006-03-10 Koninkl Philips Electronics Nv Medio optico de almacenamiento de datos de multiples apilamientos y uso del mismo.
EP1523002B1 (en) * 2003-10-08 2008-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Information recording medium, method of manufacturing the same, and sputtering target
US20050084644A1 (en) * 2003-10-21 2005-04-21 Tdk Corporation Optical recording medium and method for fabricating the same
EP1691362B1 (en) * 2003-12-01 2010-04-21 Sony Corporation Process for producing original disc for optical disc and original disc for optical disc
JPWO2006043357A1 (ja) * 2004-10-18 2008-05-22 松下電器産業株式会社 光学的情報記録媒体及びその製造法
TW200615935A (en) * 2004-11-02 2006-05-16 Ritek Corp One-time writing high-density optical information recording medium
WO2006120604A1 (en) * 2005-05-13 2006-11-16 Koninklijke Philips Electronics N.V. Write once optical storage medium and method of writing data
EP1950758A4 (en) * 2005-10-31 2009-07-22 Panasonic Corp OPTICAL INFORMATION RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
CN100401402C (zh) * 2006-09-20 2008-07-09 中国科学院上海光学精密机械研究所 蓝光可录存储的无机记录材料及其制备方法
JP4764858B2 (ja) * 2007-01-30 2011-09-07 株式会社リコー 光記録媒体、スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN100514465C (zh) * 2007-04-24 2009-07-15 中国科学院上海光学精密机械研究所 一次写入型蓝光存储无机介质及其制备方法
US8735295B2 (en) * 2012-06-19 2014-05-27 United Microelectronics Corp. Method of manufacturing dual damascene structure
CN107210051A (zh) 2015-02-10 2017-09-26 松下知识产权经营株式会社 信息记录介质以及信息记录介质的制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3971874A (en) * 1973-08-29 1976-07-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information storage material and method of making it
JPS543725B2 (zh) * 1973-08-29 1979-02-26
KR860002121B1 (ko) * 1984-03-28 1986-11-26 마쓰시다덴기산교 가부시기가이샤 광학정보 기록부재
JPS60203490A (ja) * 1984-03-28 1985-10-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材
JPS6168296A (ja) * 1984-09-13 1986-04-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記緑部材
JPS6288152A (ja) * 1985-10-15 1987-04-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学情報記録部材
DE69317459T2 (de) * 1992-04-17 1998-08-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optisches Informationsaufzeichnungsmedium und Verfahren zum Entwurf seiner Struktur
JP3231533B2 (ja) * 1994-01-31 2001-11-26 株式会社日立製作所 光学的情報記録方法
EP0706179B1 (en) * 1994-09-27 2002-12-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Production process of optical information recording medium and production apparatus therefor
JP2702905B2 (ja) * 1994-12-28 1998-01-26 松下電器産業株式会社 光ディスク
US5726969A (en) * 1994-12-28 1998-03-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium having dual information surfaces
US5764619A (en) * 1995-04-07 1998-06-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical recording medium having two separate recording layers
JPH09326135A (ja) * 1996-06-06 1997-12-16 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光学的情報記録媒体及びその記録・再生方法
WO1998009823A1 (fr) * 1996-09-09 1998-03-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Support d'enregistrement d'informations optiques, procede de fabrication correspondant, et procede et dispositif d'enregistrement et de lecture d'informations optiques
JPH10106008A (ja) * 1996-09-30 1998-04-24 Seiko Epson Corp 光ディスク装置
JP3250989B2 (ja) * 1998-05-15 2002-01-28 松下電器産業株式会社 光学情報記録媒体、その記録再生方法、その製造法及び光学情報記録再生装置
EP0957477A3 (en) * 1998-05-15 2003-11-05 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Optical information recording medium, recording and reproducing method therefor and optical information recording and reproduction apparatus

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN100407314C (zh) * 2002-10-16 2008-07-30 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法和光学信息记录再现装置
US7781146B2 (en) 2002-11-22 2010-08-24 Tdk Corporation Optical recording medium
CN100346412C (zh) * 2003-01-10 2007-10-31 松下电器产业株式会社 信息记录介质及其制造方法
CN1328722C (zh) * 2003-02-26 2007-07-25 日本胜利株式会社 光存储介质
CN100466077C (zh) * 2003-06-13 2009-03-04 松下电器产业株式会社 光学信息记录介质及其制造方法
CN101322190B (zh) * 2005-12-02 2010-09-29 松下电器产业株式会社 信息记录介质和其制造方法
CN101981623B (zh) * 2008-12-10 2014-05-21 松下电器产业株式会社 信息记录介质、再生装置以及再生方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6768710B2 (en) 2004-07-27
DE60140292D1 (de) 2009-12-10
CN1273974C (zh) 2006-09-06
EP1215669A2 (en) 2002-06-19
EP1215669B1 (en) 2009-10-28
US20020122366A1 (en) 2002-09-05
TW561475B (en) 2003-11-11
EP1215669A3 (en) 2005-01-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1273974C (zh) 光信息记录媒体、制造方法、记录方法和记录装置
CN1178797C (zh) 光信息记录媒体、制造方法、信息记录、重放方法及设备
CN1294030C (zh) 信息记录媒体及其制造方法
CN1479287A (zh) 光学信息记录媒体及其制造方法、记录及重放方法和装置
CN1143289C (zh) 光学信息记录媒体及其制造方法、其记录再生方法和装置
CN1194348C (zh) 光记录媒体
EP1959442B1 (en) Optical information recording medium
CN1169135C (zh) 信息记录媒体及其制造方法
CN1659041A (zh) 信息记录介质及其制造方法
CN1573993A (zh) 光学信息记录介质及其制造方法
CN1224969C (zh) 光学信息记录介质和使用了它的记录方法
CN1615514A (zh) 限写一次型光记录媒体及其反射率的调整方法
CN1248211C (zh) 光信息记录媒体及使用该信息记录媒体的记录方法
CN1689088A (zh) 光学信息记录介质及其制造方法
JP3752177B2 (ja) 追記型光学的情報記録媒体、その製造方法
CN1538421A (zh) 光学信息记录介质,用于产生该介质的方法以及用于使用该介质记录信息的方法和设备
CN100338671C (zh) 光学信息记录介质及其制造方法
CN1581323A (zh) 光学信息记录介质及其制法、制造装置、记录再生方法
CN1833280A (zh) 光学信息记录介质及其制造方法
CN1552067A (zh) 光记录媒体及其记录系统
JP7130447B2 (ja) 光情報記録媒体用記録層、光情報記録媒体、及びスパッタリングターゲット
CN1941123A (zh) 光记录介质
JP2006182030A (ja) 情報記録媒体
CN1874898A (zh) 双层相变化型信息记录介质及其记录方法
JP5450458B2 (ja) 光学的情報記録媒体、記録方法、再生方法および記録再生装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20060906