CN1359253A - 有机场致发光装置的制造方法和有机场致发光装置以及电子设备 - Google Patents

有机场致发光装置的制造方法和有机场致发光装置以及电子设备 Download PDF

Info

Publication number
CN1359253A
CN1359253A CN01139498A CN01139498A CN1359253A CN 1359253 A CN1359253 A CN 1359253A CN 01139498 A CN01139498 A CN 01139498A CN 01139498 A CN01139498 A CN 01139498A CN 1359253 A CN1359253 A CN 1359253A
Authority
CN
China
Prior art keywords
composition
organic electroluminescence
electroluminescence device
layer
luminescent layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01139498A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1199520C (zh
Inventor
森井克行
关俊一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1359253A publication Critical patent/CN1359253A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1199520C publication Critical patent/CN1199520C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
    • H10K71/13—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing
    • H10K71/135—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating using printing techniques, e.g. ink-jet printing or screen printing using ink-jet printing
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/60—Forming conductive regions or layers, e.g. electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

在利用喷墨法来制造有机场致发光元件的制造过程中,形成没有相分离的均一的有机场致发光薄膜。把组合物对基板的挤出顺序确定为构成组合物的有机场致发光材料数少者先挤出的顺序。另外,在组合物中,对于构成该组合物的有机场致发光材料数相同的组合物,将其对基板的挤出顺序确定为构成组合物的有机场致发光材料在成膜后难以发生相分离者先挤出的顺序。

Description

有机场致发光装置的制造方法 和有机场致发光装置以及电子设备
                      技术领域
本发明涉及具备用于显示器、显示光源等电发光元件的有机场致发光装置及其制造方法以及电子设备。
                     背景技术
近年来，人们正在加速开发一种使用有机物的发光元件来作为代替液晶显示器的自发光型显示器。作为一类在发光层中具有使用有机物的发光元件的有机场致发光装置主要有，如《应用物理通讯》(Appl.Phys.Lett.)51(12)、1987年9月21日的第913页中公开的将低分子蒸镀成膜的方法，以及《应用物理通讯》(Appl.Phys.Lett.)71(1)、1997年7月7日的第34页中公开的涂布高分子的方法。
作为彩色化的手段，在低分子系材料的情况下所采用的方法一般是在所需的象素上隔着掩膜蒸镀形成各种不同的发光材料。另一方面，由于高分子系材料可以容易地形成微细的图案，因此可以使用喷墨法来实现彩色化，从而引起了人们的重视。关于利用喷墨法来形成有机场致发光元件的报导，已知的有如下的例子。特开平7-235378、特开平10-12377、特开平10-153967、特开平11-40358、特开平11-54270、特开平11-339957。
另外，从元件结构的观点考虑，为了提高发光效率和耐久性，多数情况下都是在阳极和发光层之间形成空穴注入/输运层(《应用物理通讯》(Appl.Phys.Lett.)51卷，1987年9月21日，第913页)。在传统上，作为缓冲层或空穴注入/输运层，一般使用导电性高分子，例如聚噻吩衍生物和聚苯胺衍生物(《自然》(Nature)，357，477，1992年)，利用旋转涂布等的涂布法形成薄膜。另外，关于低分子系材料，有文献报导，通过蒸镀苯胺衍生物来形成空穴注入/输运层。
上述的喷墨法不会浪费由有机场致发光材料构成的发光层材料，能够非常有效地作为简便的用于形成微细图案的薄膜的手段。
                  发明所要解决的课题
在利用喷墨法来形成使用有机场致发光材料的发光层的情况下，可以使用由溶质成分和溶剂形成的组合物，其中，使用有机场致发光材料作为所说的溶质成分。
作为所说的组合物，其中所含的有机场致发光材料可以只有1种，但是，含有多种有机场致发光材料的组合物也广泛地被使用。例如，将发光材料与荧光材料混合，这时，由发光材料发出的光被荧光材料转变成其他波长的光。
这样，当有机场致发光材料有许多种的情况下，为了获得所需的发光特性，必须使各种有机场致发光材料以不发生相分离而是成为均匀地混合的状态来成膜。
然而，在利用喷墨法来形成薄膜的过程中，所用的液滴非常小，所需的蒸发时间很短。因此，由液滴蒸发出来的溶剂分子在从基板附近充分扩散之前就已达到饱和，这时，甚至已经形成的薄膜也会再溶解。于是，在再溶解时，各种有机场致发光材料就发生相互分离，其结果，屡屡产生有机场致发光装置的显示性能劣化的问题。
本发明鉴于上述存在的问题，其目的是提供一种显示特性优良的有机场致发光装置的制造方法，在该方法中，在利用喷墨法形成发光层时不会引起相分离，因此可以形成均匀的发光层。另外，本发明的另一个目的是提供一种具有均匀发光层并且显示性能优良的有机场致发光装置。进而，本发明的再一个目的是提供一种使用有机场致发光装置的电子设备。
                 为了达到本发明目的所用的手段
本发明的有机场致发光装置的制造方法是一种具有将2种以上含有有机场致发光材料的组合物挤出到基板上成膜以形成发光层的工序的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，上述2种以上组合物对基板的挤出顺序，是以构成上述组合物的有机场致发光材料数少者先涂为顺序，进行挤出成膜。
本发明人注意到，在组合物中的有机场致发光材料数越多，该组合物越容易发生相分离的问题，因此，按照本发明，把有机场致发光材料数较多的组合物的挤出成膜步骤安排在有机场致发光材料数较少的组合物之后进行。这样就能防止由于挤出成膜后的再溶解所引起的相分离，从而可以制造显示特性优良的有机场致发光装置。
另外，本发明的有机场致发光装置的制造方法是一种具有将2种以上含有有机场致发光材料的组合物挤出到基板上成膜以形成发光层的工序的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，在上述2种以上的组合物中，构成上述组合物的有机场致发光材料数相同的组合物对基板的挤出顺序，是以构成上述组合物的有机场致发光材料在成膜后较难相分离者先涂为顺序，进行挤出成膜。
按照本发明，把在成膜后容易发生相分离的组合物的挤出成膜步骤安排在成膜后难以发生相分离的组合物之后进行。这样就能防止由于挤出成膜后的再溶解所引起的相分离，从而可以制造显示特性优良的有机场致发光装置。
按照本发明，在连续2次的组合物的挤出步骤中，优选的是待先挤出的组合物干燥之后再进行下一个组合物的挤出步骤。
这样就能确实地防止由于再溶解所引起的相分离。
本发明的方法的优选特征在于，该方法包含下述工序：在上述基板上形成与多个象素区域相对应的第1电极和把该多个象素区域分隔开的隔膜，并在上述多个第1电极上形成空穴注入/输运层的工序，然后形成上述发光层的工序，进而在上述发光层上形成第2电极。
在此情况下，通过设置隔壁，可以在每一个象素区域中按照使2种以上组合物完全分离的方式挤出成膜。这样就可以容易地确保各发光层本身的独立性，从而能够获得显示性能优良的有机场致发光装置。
另外，由于形成了空穴注入/输运层，从而可以提高发光效率和耐久性。
应予说明，当第1电极是阳极时，第2电极就是阴极，而当第1电极是阴极时，第2电极就是阳极。
另外，本发明的有机场致发光装置的特征在于，该装置可以用上述本发明中所说的有机场致发光装置的形成方法制得。
按照本发明，可以制得一种具有均一发光层，并且显示性能优良的有机场致发光装置。
另外，本发明的电子设备的特征在于，该设备具有在上述本发明中所说的有机场致发光装置。
按照本发明，可以制得一种具有优良显示性能的显示装置的电子设备。
                   发明的实施方案
下面参照图1～图7来说明本实施方案的有机场致发光装置的制造方法。
本实施方案的制造方法具有下述工序：隔壁形成工序、等离子体处理工序、空穴注入/输运层形成工序、表面改性工序、发光层形成工序、阴极形成工序和密封工序。
如图1所示，在隔壁形成工序中，可以根据需要，在预先设置TFT等(图中未示出)的基板10上形成的ITO等构成的透明电极11上，通过顺次地积层无机物围堤层12a和有机物围堤层12b，来形成隔开各象素区域的围堤层(隔壁)12。
无机物围堤层12a可以通过下述方法形成，例如首先用CVD法、溅射法、蒸镀法等在基板10和透明电极11的全部表面上形成SiO2、TiO2、SiN等的无机物膜，然后用蚀刻等方法将此无机物膜制成图案，并在透明电极11上的象素区域设置开口部13a。但是，在这时，使无机物围堤层12a在透明电极11的周边部分残留下来。
另外，无机物围堤层12a的膜厚的优选范围为50～200nm，特别优选为150nm。
然后在基板10、透明电极11、无机物围堤层12a的全部表面上形成有机物围堤层12b。
另外，有机围堤层12b可以通过以旋转涂法、浸涂法等涂布由丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的有机树脂溶解于溶剂中而获得的溶液来形成。
然后，利用照相制版技术蚀刻有机物围堤层12b来设置开口部13b。该有机物围堤层12b的开口部13b优选如图1所示那样比无机物围堤层12a的开口部13a稍大一些。这样就可以在透明电极11上形成贯通无机物围堤层12a和有机物围堤层12b的开口部13。
另外，开口部13的平面形状可以是圆形、椭圆形、正方形、狭长形之中的任一种形状，但是由于油墨组合物具有表面张力，因此在正方形等的情况下，优选在其角落处具有圆弧的形状。
然后，在等离子体处理工序中，在围堤部12的表面上形成显示亲油墨性的区域和疏油墨性的区域。
该等离子处理工序大致上包括预热工序、使全部表面变成亲油墨性的亲油墨化工序、使有机物围堤层12b变成疏油墨性的疏油墨化工序和冷却工序。
在预热工序中把包含围堤部12的基板10加热至预定温度。加热可按下述方法进行，例如在等离子体处理室内在载置有基板10的载物台上安装加热器，利用该加热器将该载物台和基板10一起加热至例如70～80℃。
通过进行预热，即使在对多个基板连续地进行等离子体处理的情况下，也可以使处理一开始直至结束之前的等离子体处理条件大致上保持一定。这样就能使基板10上的围堤部12对油墨组合物的亲和性均一化，从而可以制造具有稳定质量的显示装置。
另外，通过对基板10进行预热，可以缩短在后续的等离子体处理中的处理时间。
在亲油墨化工序中，在大气气氛中进行以氧为反应气体的等离子体处理(O2等离子体处理)。具体地说，把包含围堤部12的基板10载置于内藏加热器的试样载物台上，然后用等离子体状态的氧对其进行照射。
该O2等离子体处理是在例如等离子体功率100～800kW、氧气流量50～100cc/分、基板输送速度0.5～10mm/秒和基板温度70～90℃的条件下进行。
通过这种O2等离子体处理，可以向透明电极11和无机物围堤层12a的露出表面和有机物围堤层12b的全部表面导入羟基，从而向其赋予亲油墨性。
接着，对于疏油墨化工序，是在大气气氛中进行以四氟甲烷(四氟化碳)作为反应气体的等离子体处理(CF4等离子体处理)。具体地说，是把包含围堤部12的基板10载置于内藏加热器的试样载物台上，然后等离子状态的四氟甲烷(四氟化碳)对其进行照射。
CF4等离子体处理是在例如等离子体功率100～800kW、四氟甲烷(四氟化碳)气体流量50～100SCCM、基板输送速度0.5～10mm/秒和基板温度70～90℃的条件下进行。另外，利用试样载物台的加热，与第1等离子体处理室52的情况一样，主要用于对已经预热的基板10进行保温。
而且，作为处理气体，并不限于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以使用其他氟碳化合物系的气体。
利用CF4等离子体处理，可以向在先工序中已经赋予亲油墨性的有机物围堤层中导入含氟基团，从而向其赋予疏油墨性。用于构成有机物围堤层12b的丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂等的有机物，可以通过用等离子状态的氟碳化合物照射能容易地使羟基被含氟基团取代，从而使其成为疏油墨化。
另一方面，透明电极11和无机物围堤层12a的露出表面也会多少受到CF4等离子体处理的影响，但是不会影响其亲和性。
接着，在冷却处理室54中，作为冷却工序，把由于等离子体处理而被加热了的基板10冷却至室温。具体地说，例如，把等离子体处理后的基板10载置在水冷板上以将其冷却。
通过将等离子体处理后的基板10冷却至室温或预定的温度(例如进行喷墨工序的控制温度)，然后就可以在规定的温度下进行后续的空穴注入/输运层形成工序。这样，在利用喷墨法挤出含空穴注入/输运层材料的油墨组合物时，可以将墨滴以一定的体积连续地挤出，从而可以均匀地形成空穴注入/输运层。
在上述的等离子体处理工序中，对于材质不同的有机物围堤层12a和无机物围堤层12b，顺次地进行O2等离子体处理和CF4等离子体处理，这样就能容易地在围堤部12形成亲油墨性的区域和疏油墨性的区域。
进而，在空穴注入/输运层形成工序中，利用喷墨法把含空穴注入/输运层材料的油墨组合物15挤出到透明电极11上的开口部13处，然后对其进行干燥处理和热处理，从而形成空穴注入/输运层16。
另外，在该空穴注入/输运层形成工序以后，优选在没有水分和氧的氮气或氩气等惰性气氛中进行。
如图2所示，向喷墨头14中填充含有空穴注入/输运层材料的油墨组合物15，使喷墨头14的喷嘴对着开口部13，一边使喷墨头14与基板10进行相对移动，一边在控制每一滴溶液量的条件下使油墨组合物15从喷墨头14挤出到透明电极11上。
此处，作为适用的油墨组合物15，例如可以使用将聚亚乙基二羟基噻吩(PEDOT)等的聚噻吩衍生物和聚苯乙烯磺酸(PSS)等的混合物溶解于极性溶剂中形成的油墨组合物。作为极性溶剂，例如可以举出：异丙醇(IPA)、正丁醇、γ-丁内酯、N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮(DMI)及其衍生物、乙酸卡必醇酯、乙酸丁基卡必醇酯等的二醇醚类。
作为更具体的油墨组合物15的组成，例如可以举出由PEDOT/PSS混合物(PEDOT/PSS＝1∶20)：12.52重量％、PSS：1.44重量％、IPA：10重量％、NMP：27.48重量％、DMI：50重量％形成的组合物。另外，油墨组合物的粘度优选为2～20cPs左右，特别优选为7～10cPs左右。
通过使用上述的油墨组合物，不会引起喷墨头14的喷嘴堵塞，从而可以实现稳定的挤出。
另外，作为空穴注入/输运层16的材料，对于红·绿·蓝(R·G·B)各发光层，可以使用同一种材料，也可以对各个发光层的材料作出变化。
挤出的油墨组合物15在开口部13的经过亲油墨处理的透明电极11和无机物围堤层12a的表面上扩展开。然后，油墨组合物15就从预定的挤出位置向四周扩散，但是，即使油墨组合物15挤出到有机物围堤层12b上，由于有机物围堤层12b不被油墨组合物15湿润，因此，被排斥的油墨组合物15就会转移入开口部13内。
油墨组合物15的挤出量由开口部13的大小、准备形成的空穴注入/输运层的厚度、油墨组合物15中的空穴注入/输运层材料的浓度等参数来决定。
另外，油墨组合物15不只是一次，也可以分数次，挤出到同一个开口部13中。在此情况下，各次挤出的油墨组合物15的量，可以每次相同，也可以每次不同。另外，在将油墨组合物15挤出时，每次不只挤出到同一个开口部13内的同一个位置，也可以各次挤出到开口部13内的不同位置。
然后如图3所示，通过对挤出后的油墨组合物15进行干燥处理来使油墨组合物15中所含的极性溶剂蒸发，从而形成空穴注入/输运层16。
该干燥处理例如可以在氮气气氛中，在室温下和133.3Pa(1乇)左右的压力下进行。如果压力过低，则油墨组合物15就会发生崩沸，因此不好。另外，油墨组合物15也有若干残留粘附在围堤12的周壁表面上，但是，当温度超过室温时，极性溶剂的蒸发速度就会增高，从而使该残留粘附量过剩。因此，优选将干燥处理的温度限定在室温以下。
在干燥处理后，接着在氮气中，优选在真空中，在200℃下加热10分钟左右以进行热处理，并且优选将残存于空穴注入/输运层16内的极性溶剂或水除去。
在上述的空穴注入/输运层形成工序中，挤出的油墨组合物15就会润湿亲油墨性的透明电极11和无机物围堤层12a的露出表面，而另一方面，在经过疏油墨处理的有机物围堤层12b上就几乎没有油墨组合物15附着，因此，即使在误将油墨组合物15挤出到有机物围堤层12b上的情况下，油墨组合物15由于被排斥而转移到透明电极11和无机物围堤层12a的露出表面上。这样就能确实在透明象素电极11上形成空穴注入/输运层16。
然后，在发光层形成工序之前，先进行表面改性工序。也就是说，在发光层形成工序中，为了防止空穴注入/输运层16的再溶解，作为在形成发光层时使用的油墨组合物的溶剂，使用那些不会使空穴注入/输运层16溶解的非极性溶剂。
然而，从另一方面考虑，由于空穴注入/输运层16对非极性溶剂的亲和性低，因此，即使把含非极性溶剂的发光层的油墨组合物挤出到空穴注入/输运层16上，由于空穴注入/输运层16排斥油墨组合物，因此不能使空穴注入/输运层16与发光层粘合，或者说发光层不能均匀地涂布。
因此，为了提高空穴注入/输运层16的表面对非极性溶剂的亲和性，优选在形成发光层之前先对空穴注入/输运层16的表面进行表面改性工序。
表面改性工序可按下法进行，也就是使用一种于在形成发光层时使用的油墨组合物的非极性溶剂相同的溶剂或者于其同类的溶剂作为表面改性用溶剂，利用喷墨法、旋转涂布法或浸涂法将该表面改性用溶剂涂布在空穴注入/输运层16上，然后将其干燥。
利用喷墨法的涂布可按下述方法进行，也就是向喷墨头充入表面改性用溶剂，使喷墨头的喷嘴对准空穴注入/输运层16，一边使喷墨头和基板10作相对移动，一边将表面改性用溶剂挤出到空穴注入/输运层16上。
另外，利用旋转涂布法的涂布可按下述方法进行，即，将基板10载置在例如旋转载物台上，将表面改性用溶剂从上方滴落到基板10上，然后旋转基板10以使表面改性用溶剂扩展到基板10上的空穴注入/输运层16的全部表面上。而且，表面改性用溶剂虽然也能暂时地在经过疏油墨处理的有机物围堤层12b上扩散，但是它会受旋转离心力的作用而被甩开，结果使得表面改性用溶剂只涂布在空穴注入/输运层16上。
另外，利用浸涂法的涂布可按下述方法进行，即，将基板10浸渍于例如表面改性用溶剂中，然后将其提起，从而使表面改性用溶剂扩展到空穴注入/输运层16的全部表面上。在此情况下，表面改性用溶剂虽然也能暂时地在经过疏油墨处理的有机物围堤层12b上扩展，但是在提前时，表面改性用溶剂由于受有机物围堤层12b的排斥而只涂布在空穴注入/输运层16上。
作为在该工序中使用的表面改性用溶剂，可以使用与油墨组合物的非极性溶剂相同的溶剂，例如环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲苯、四甲苯等，也可以使用与油墨组合物的非极性溶剂同类的溶剂，例如甲苯、二甲苯等。
特别是在利用喷墨法涂布的情况下，优选使用二氢苯并呋喃、三甲苯、四甲苯、环己基苯或其混合物，特别是与油墨组合物相同的溶剂混合物等；在利用旋转涂布法或浸涂法涂布的情况下，优选使用甲苯、二甲苯等。
对于干燥步骤，在利用喷墨法涂布的情况下，优选将基板10载置于加热板上，在200℃以下的温度下加热干燥以除去表面改性用溶剂；在利用旋转涂布法或浸涂法的情况下，优选是向基板10吹喷氮气，或者一边使基板旋转，一边使气流流过基板10的表面以使其干燥。
另外，表面改性用溶剂的涂布可以在空穴注入/输运层入层形成工序的干燥处理之后进行，也可以在干燥除去涂布后的表面改性用溶剂之后再进行空穴注入/输运层形成工序的热处理。
通过进行这样的表面改性工序，可使得空穴注入/输运层16的表面容易被非极性溶剂湿润，因此使得在后续的工序中，可以将含发光层材料的油墨组合物均匀地涂布在空穴注入/输运层16上。
另外，可以把一般作为空穴输运层材料使用的芳基胺类化合物等溶解于上述的表面改性用溶剂中制成油墨组合物，然后利用喷墨法将该油墨组合物涂布在空穴注入/输运层上并将其干燥，从而在空穴注入/输运层上形成极薄的空穴输运层。
虽然空穴输运层的大部分溶入在后续工序中涂布的发光层中，但是它还有一部分以薄膜状残存于空穴注入/输运层16与发光层之间，这样就能使空穴注入/输运层16与发光层之间的能量垒降低，从而使空穴的移动变得容易，因此可以提高发光效率。
然后在发光层形成工序中，利用喷墨法把由有机场致发光材料等的溶质成分和溶剂构成的油墨组合物17a、17b、17c(17c在图中未示出)按照下述顺序挤出到表面改性后的空穴注入/输运层16上，然后对其进行干燥处理和热处理，从而依次地形成了发光层18a、18b和18c。
作为有机场致发光材料，可以使用[化1]～[化5]中示出的芴系高分子衍生物、(聚)对亚乙烯基苯衍生物、聚苯衍生物、聚芴衍生物、聚乙烯基咔唑、聚噻吩衍生物、苝系色素、香豆素系色素、若丹明系色素以及其他可溶于苯衍生物中的低分子有机EL材料、高分子有机EL材料等。例如，可以使用红荧烯、苝、9，10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红(ナィルレット)、香豆素、喹吖酮等。
在[化1]～[化5]中，n表示聚合度，在[化1]中的n为1000～50万，在[化2]中的n为1000～50万，在[化3]中的n为1000～50万，在[化4]中的n为1000～50万，在[化5]中的n为1000～50万。另外，在[化5]中的R是H、CH3、C2H5。
[化1]
Figure A0113949800121
[化2]
Figure A0113949800122
[化3][化4][化5]
Figure A0113949800133
作为非极性溶剂，优选的是不会使空穴注入/输运层16溶解的溶剂，例如可以使用环己基苯、二氢苯并呋喃、三甲苯、四甲苯等。
通过将这样的非极性溶剂用于发光层的油墨组合物中，可以在涂布油墨组合物时不会使空穴注入/输运层16再溶解。
而且，作为溶质成分，除了有机场致发光材料之外，还可以适当地含有粘合剂、表面活性剂、粘度调整剂等。
如图4所示，将油墨组合物17a填充入喷墨头14中，使喷墨头14的喷嘴对准空穴注入/输运层16，一边使喷墨头14与基板10作相对移动，一边使控制每1滴液量的油墨从喷嘴挤出，并使油墨组合物17a挤出到空穴注入/输运层16上。
在此情况下，挤出的油墨组合物17a在空穴注入/输运层16上扩展并将其润湿，另一方面，油墨组合物17a在经过疏油墨处理的有机物围堤层12b上几乎不附着，因此，即使在误将油墨组合物17a挤出到有机物围堤层12b上的情况下，油墨组合物17a也会由于被排斥而转移到空穴注入/输运层16上。这样就能在空穴注入/输运层16上形成牢固粘合的油墨组合物17a的层。
油墨组合物17a的量由准备形成的发光层18a的厚度、油墨组合物中的发光层材料的浓度等决定。
另外，油墨组合物17a的滴下可以只滴一次，也可以分数次挤出到同一处的空穴注入/输运层16上。在此情况下，各次的油墨滴的量可以相同，也可以各不相同。另外，油墨液滴可以只挤出到空穴注入/输运层16的同一个地点，也可以各次挤出到空穴注入/输运层16内的不同地点。
然后，通过对挤出后的油墨组合物17a进行干燥处理来使油墨组合物中所含的非极性溶剂蒸发，从而形成如图5所示的发光层18a。
干燥工序可以在例如氮气氛中，在室温下和133.3Pa(1乇)左右压力的条件下进行5～10分钟，或者在40℃下用氮气吹喷5～10分钟。
作为其他的干燥手段，例如可以使用远红外线照射法、高温氮气吹喷法等。
接着，如图6所示，与油墨组合物17a的情况同样地将油墨组合物17b滴下，将其干燥，从而形成了发光层18b，最后，将油墨组合物17c滴下，将其干燥，从而形成了发光层18c，结果，如图7所示，获得了形成有3种类型发光层18a、18b、18c的基板。
此处，3种类型发光层18a、18b、18c的形成顺序按以下的原则决定。
首先，在有机场致发光材料数不同的情况下，按有机场致发光材料数少者先涂的顺序进行。如果使成分数多的颜色的发光层先形成，那么，由于后来形成的其他颜色的发光层的油墨组合物蒸发而产生的溶剂蒸气的作用，使得在先形成的发光层再溶解，从而引起成分分离。
另外，在构成油墨组合物的有机场致发光材料数相同的情况下，按照在成膜后难以发生相分离者先涂的顺序进行。相分离的难易程度可按下述方法进行判断，即，把需要比较的油墨组合物在同一的干燥条件下干燥，然后对所获发光层的相分离程度进行比较。这时，作为同一的干燥条件，可以举出自然放置、加热干燥、减压干燥等，但是特别优选的是自然放置。
相分离的程度可按下述方法判断，例如，在由所获的发光层发出的光谱中，发生完全相分离时所获得的波长的光究竟以何等程度残存下来，据此来作出判断。另外，也可根据在由所获的发光层发出的光谱中，完全不发生相分离时所获得的波长的光的比例来判断。
然后在阴极形成工序中，在发光层18a、18b、18c和有机物围堤层12b的全部表面上形成阴极19。阴极19可以通过将多种材料积层来形成。
例如，接近发光层的一侧优选以功函数小的材料来形成，例如可以使用Ca、Ba等，另外，根据材料的不同，有时可以在下层形成一层薄薄的LiF层。另外，优选在上部侧(密封侧)使用功函数比下部侧(发光层侧)的阴极层的功函数高的材料，例如优选的是由Al膜、Ag膜、Mg/Ag积层膜等构成的材料。另外，该层材料的厚度例如优选为100～1000nm的范围，特别优选为200～500nm左右。
这些阴极(阴极层)例如优选用蒸镀法、溅射法、CVD法等来形成，特别优选用蒸镀法来形成，因为该方法可以防止由发光层18a、18b、18c的热所引起的损伤。
另外，氟化锂可以只在发光层18a、18b、18c上形成，也可以只在某个特定的发光层上形成。在此情况下，其他的发光层优选与由钙构成的阴极相连接。
另外，为了防止氧化，优选在反射层上设置SiO、SiO2、SiN等的保护层。
最后，在密封工序中，在阴极19的全部表面上涂布由热固性树脂或紫外线固化树脂构成的密封材料，从而形成了密封层20。进而，在密封层20上积层密封用基板(图中未示出)。
密封工序优选在氮、氩、氦等的惰性气氛中进行。如果在大气中进行，就会在反射层上产生针孔等的缺陷，在此情况下，水分或氧气等就会从缺陷部分入侵到阴极19中，从而使阴极19被氧化，因此不好。
通过上述工序，就可获得如图8所示的有机场致发光装置。
按照本实施方案，有机场致发光材料数多的油墨组合物的挤出成膜工序安排在有机场致发光材料数少的油墨组合物之后进行，同时，有机场致发光材料数相同的油墨组合物对基板的挤出工序按照在构成油墨组合物的有机场致发光材料成膜后难以发生相分离者先涂的顺序进行。这样就能防止由于挤出成膜后的再溶解所引起的相分离，从而可以制得显示性能优良的有机场致发光装置。
下面对具有在上述实施方案中制造的有机场致发光装置的电子设备的具体例进行说明。
图10(a)是表示移动电话一例的立体图。在图10(a)中，符号600表示移动电话主体，符号601表示作为显示部的有机场致发光装置。
图10(b)是表示文字处理器(ヮ-プロ)、笔记本电脑等手提型信息处理装置一例的立体图。在图10(b)中，符号700表示信息处理装置，符号701表示键盘等的输入部，符号703表示信息处理装置主体，符号702表示作为显示部的有机场致发光装置。
图10(c)是表示手表型电子设备一例的立体图。在图10(c)中，符号800表示手表主体，符号801表示作为显示部的有机场致发光装置。
按照本实施方案，可以制成具有显示性能优良的显示装置的电子设备。
(实施例)
按照上述实施方案制造在实施例和比较例中所说的有机场致发光装置。具体的制造条件如下，但是，在发光层形成工序中的顺序以外的条件，各实施例和比较例均相同。
(隔壁形成工序)
在由ITO构成的透明象素电极上形成围堤层(隔壁)，以便形成开口。透明电极以70.5μm的极距形成为矩阵状，因此，围堤层(隔壁)的开口部也同样地以70.5μm的极距形成为矩阵状。围堤层(隔壁)是将SiO2构成的无机物围堤层和聚酰亚胺构成的有机物围堤层积层而形成的。各个围堤层均是在照相制版工序之后通过蚀刻工序来形成的。围堤层的开口部的形状为圆形，有机物围堤层开口部的直径为28μm，无机物围堤层开口部的直径为44μm。另外，无机物围堤层的高度为150nm，有机物围堤层的高度为2μm。
(等离子体处理工序)
作为亲油墨化工序，进行O2等离子体处理。O2等离子体处理的条件为：室温、大气压下、功率300W、电极-基板之间的距离1mm、氧气流量100ccm、氦气流量10SLM、载物台移动速度10mm/秒。接着，作为疏油墨化工序，进行CF4等离子体处理。CF4等离子体处理的条件为：CF4气体流量100 SCCM、氦气流量10 SLM、载物台移动速度为3mm/秒往返。
(空穴注入/输运层形成工序)
使表1中所示的空穴注入/输运层用油墨组合物(バィェル社制的バィトロンP和聚亚乙基磺酸的混合物)由喷墨印刷装置的喷头(ェプソン社制MJ-930C)按15微微升挤出来进行图案涂布。在真空中(1乇)、室温、20分钟的条件下除去溶剂。接着，将同样的空穴注入/输运层用油墨组合物按15微微升挤出来进行图案涂布。再在真空中(1乇)、室温、20分钟的条件下除去溶剂，然后在大气中和200℃(加热板上)进行10分钟的热处理，从而形成空穴注入/输运层16。
表1
空穴注入/输运层用油墨组合物
    组合物     材料名 含量(wt％)
空穴注入/输送材料     バィトロン P     11.08
    聚苯乙烯磺酸     1.44
极性溶剂     异丙醇     10
    N-甲基吡咯烷酮     27.48
    1，3-二甲基-2-咪唑啉酮     50
(表面改性工序)
使1，2，3，4-四甲苯由喷墨印刷装置(ェプソン社制MJ-930C)挤出以进行涂布，然后将其置于加热板上在200℃以下的温度进行加热和干燥。
(发光层形成工序)
首先配制表2～表4中所示的油墨组合物。表2中示出发光层(绿色)组合物，表3中示出发光层(蓝色)组合物，表4中示出发光层(红色)组合物。而且，表中的化合物1、2、4、5分别是与上述[化1]～[化5]相应的化合物。
表2
发光层(绿)油墨组合物
    组合物     材料名     组成量
发光层材料     化合物1     0.76g
    化合物2     0.20g
    化合物4     0.04g
    溶剂     1，2，3，4-四甲苯     100ml
表3发光层(蓝)油墨组合物
    组合物     材料名     组成量
    发光层材料     化合物1     1.00g
    溶剂     1，2，3，4-四甲苯     100ml
表4
发光层(红)油墨组合物
    组合物     材料名     组成量
发光层材料     化合物1     0.7g
    化合物2     0.2g
    化合物5     0.1g
    溶剂     1，2，3，4-四甲苯     100ml
①实施例1
首先，使表3中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(蓝色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升从喷墨印刷装置(ェプソン社制MJ-930C)挤出，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了蓝色发光层。
然后，使表2中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(绿色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升挤出到相邻的开口部13中，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了绿色发光层。
②实施例2
首先，使表3中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(蓝色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升从喷墨印刷装置(ェプソン社制MJ-930C)挤出，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了蓝色发光层。
然后，使表4中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(红色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升挤出到相邻的开口部13中，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了红色发光层。
进而，使表2中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(绿色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升挤出到再隔一个的开口部13中，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了绿色发光层。
③比较例
首先，使表2中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(绿色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升从喷墨印刷装置(ェプソン社制MJ-930C)挤出，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了绿色发光层。
然后，使表3中示出的1％(wt/vol)浓度的发光层(蓝色)组合物在N2气流通的条件下按20微微升挤出到相邻的开口部中，然后在25℃和1大气压的条件下干燥，获得了蓝色发光层。
(阴极形成工序)
利用蒸镀法形成一层厚度为2nm的LiF层作为阴极层，然后再次利用蒸镀法形成一层厚度为20nm的钙层。然后利用溅射法形成一层厚度为200nm的铝层作为阴极层。
(密封工序)
在阴极的全部表面上涂布一层由环氧树脂构成的密封材料，从而形成密封层。进而在密封层上积层密封用基板，从而获得在各实施例和比较例中所说的有机场致发光装置。
(评价)
图9中示出了在比较例和实施例1中所说的有机场致发光装置的绿色发光层发出的光的光谱。如图9(A)所示，比较例的绿色发光层显示，有来自化合物1的蓝色光(430nm)残留，并显示出斑点的水色光。
与此相对照，如图9(B)所示，实施例1的绿色发光层显示出绿色荧光(530nm)的大致上均一的光谱。
另外，比较例和实施例1二者的蓝色发光层皆显示出来自化合物1的蓝色光(430nm)的均一的光谱。
据此可以确认，按有机场致发光材料数少者先涂的顺序来形成发光层的有效性。
然后，对于实施例2中所说的有机场致发光装置，其蓝色发光层(430nm)、红色发光层(640nm)、绿色发光层(530nm)三者皆显示出均一的光谱。
在发光层(红色)组合物和发光层(绿色)组合物中，二者的有机场致发光材料数皆为3，但是在N2气流干燥的条件下将两种组合物相分离的难易程度作比较时发现，以发光层(红色)组合物较难发生相分离。
据此可以确认，在有机场致发光材料数相同的情况下，按照在成膜后较难发生相分离者先涂的顺序来形成发光层的有效性。
(发明的效果)
如以上所详述的那样，按照本发明的有机场致发光装置的制造方法，可以防止在挤出成膜后的再溶解所引起的相分离，从而能够制成具有优良显示特性的有机场致发光装置。
另外，本发明的有机场致发光装置具有均一的发光层，因此能够制成具有优良显示功能的有机场致发光装置。
另外，本发明的电子设备可以作为一种具有优良显示性能的显示装置的电子设备。
(对附图的简单说明)
图1是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图2是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图3是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图4是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图5是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图6是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图7是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图8是表示在本发明的实施方案中所说的有机场致发光装置的制造方法的工序的截面图。
图9是本发明的比较例和实施例中所说的绿色发光层发出的光的光谱。其中，(A)是比较例的发光光谱，(B)是实施例的发光光谱。
图10是表示具有按本发明所说的制造方法制造的有机场致发光装置的电子设备的立体图。
(对符号的说明)
10.玻璃基板
11.透明电极
12.围堤层
13.开口部
14.喷墨头
15.油墨组合物(空穴注入/输运用)
16.空穴注入/输运层
17.油墨组合物(发光层用)
18.发光层
19.阴极
20.密封层

Claims (6)

1.一种有机场致发光装置的制造方法，该方法是具有将2种以上含有有机场致发光材料的组合物挤出到基板上成膜以形成发光层的工序的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，使上述2种以上组合物对基板的挤出顺序，以构成上述组合物的有机场致发光材料数少者先涂为顺序，进行挤出成膜。
2.一种有机场致发光装置的制造方法，该方法是具有将2种以上含有有机场致发光材料的组合物挤出到基板上成膜以形成发光层的工序的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，上述2种以上的组合物中，构成上述组合物的有机场致发光材料数相同的组合物对基板的挤出顺序，以构成上述组合物的有机场致发光材料成膜后较难相分离者先涂为顺序，进行挤出成膜。
3.权利要求1或2中所述的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，在连续2次的组合物挤出中，使先挤出的组合物干燥后，再进行后面的组合物挤出。
4.权利要求3中所述的有机场致发光装置的制造方法，其特征在于，该方法包含下述工序：在上述基板上形成与多个象素区域相对应的第1电极和把该多个象素区域分隔开的隔壁，并在上述多个第1电极上形成空穴注入/输运层的工序，然后，
形成上述发光层的工序，进而在上述发光层上形成第2电极。
5.一种有机场致发光装置，它是采用权利要求1～4的任一项中所述的有机场致发光装置的制造方法而制得的。
6.一种电子设备，其特征在于，它具备权利要求5中所述的有机场致发光装置。
CNB011394986A 2000-11-28 2001-11-27 有机场致发光装置及其制造方法和电子设备 Expired - Fee Related CN1199520C (zh)

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000361559 2000-11-28
JP361559/00 2000-11-28
JP361559/2000 2000-11-28
JP353682/2001 2001-11-19
JP353682/01 2001-11-19
JP2001353682A JP4021177B2 (ja) 2000-11-28 2001-11-19 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1359253A true CN1359253A (zh) 2002-07-17
CN1199520C CN1199520C (zh) 2005-04-27

Family

ID=26604739

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011394986A Expired - Fee Related CN1199520C (zh) 2000-11-28 2001-11-27 有机场致发光装置及其制造方法和电子设备

Country Status (3)

Country Link
US (2) US7300686B2 (zh)
JP (1) JP4021177B2 (zh)
CN (1) CN1199520C (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102318040A (zh) * 2009-03-06 2012-01-11 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102349132A (zh) * 2009-03-09 2012-02-08 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102362338A (zh) * 2009-03-09 2012-02-22 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102779831A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机显示器件及制作的方法
US8778785B2 (en) 2008-05-15 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
CN105739210A (zh) * 2016-03-29 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置
WO2018032746A1 (zh) * 2016-08-15 2018-02-22 京东方科技集团股份有限公司 像素打印结构及其制作方法、显示装置和喷墨打印方法

Families Citing this family (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
JP4021177B2 (ja) 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
US6810919B2 (en) * 2002-01-11 2004-11-02 Seiko Epson Corporation Manufacturing method for display device, display device, manufacturing method for electronic apparatus, and electronic apparatus
TWI258317B (en) 2002-01-25 2006-07-11 Semiconductor Energy Lab A display device and method for manufacturing thereof
US6858464B2 (en) 2002-06-19 2005-02-22 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing light emitting device
GB0218202D0 (en) * 2002-08-06 2002-09-11 Avecia Ltd Organic light emitting diodes
KR100489590B1 (ko) * 2002-09-19 2005-05-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 투과형 유기전계발광 소자 및 그의 제조방법
KR100710760B1 (ko) 2002-09-24 2007-04-24 샤프 가부시키가이샤 액티브 매트릭스형 유기 ｅｌ 표시체의 제조 방법 및 그장치 및 액티브 매트릭스형 유기 ｅｌ 표시체와, 액정어레이의 제조 방법 및 액정 어레이와, 컬러 필터 기판의제조 방법 및 그 장치 및 컬러 필터 기판
JP2005310799A (ja) * 2002-10-03 2005-11-04 Seiko Epson Corp 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法
JP4588445B2 (ja) * 2002-11-11 2010-12-01 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
JP2004227944A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 表示装置の製造方法
JP2004311406A (ja) * 2003-03-26 2004-11-04 Seiko Epson Corp 電子放出素子とその製造方法及び電気光学装置並びに電子機器
JP4731913B2 (ja) 2003-04-25 2011-07-27 株式会社半導体エネルギー研究所 パターンの形成方法および半導体装置の製造方法
JP2005063763A (ja) * 2003-08-08 2005-03-10 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器
JP3966252B2 (ja) 2003-08-08 2007-08-29 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器
JP4407225B2 (ja) * 2003-10-07 2010-02-03 セイコーエプソン株式会社 描画方法
CN100533808C (zh) * 2004-01-26 2009-08-26 株式会社半导体能源研究所 显示器件及其制造方法以及电视设备
DE202005002110U1 (de) * 2004-02-19 2005-05-04 Hong-Yuan Technology Co., Ltd., Yonghe Lichtemittierende Vorrichtung
JP4175273B2 (ja) * 2004-03-03 2008-11-05 セイコーエプソン株式会社 積層型有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法及び表示装置
US7462514B2 (en) 2004-03-03 2008-12-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the same, liquid crystal television, and EL television
US20050196710A1 (en) * 2004-03-04 2005-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television apparatus
US7615488B2 (en) * 2004-03-19 2009-11-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device and method for manufacturing the same, and television device
US7642038B2 (en) 2004-03-24 2010-01-05 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for forming pattern, thin film transistor, display device, method for manufacturing thereof, and television apparatus
US8158517B2 (en) 2004-06-28 2012-04-17 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing wiring substrate, thin film transistor, display device and television device
US20060022174A1 (en) * 2004-07-27 2006-02-02 General Electric Company Electroactive chemical composition and method of coating
US6992326B1 (en) * 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
JP4639751B2 (ja) * 2004-10-21 2011-02-23 セイコーエプソン株式会社 機能液供給装置、これに用いられる機能液タンクおよび機能液補充ユニット、液滴吐出装置、並びに電気光学装置の製造方法
TWI291309B (en) * 2004-10-28 2007-12-11 Pioneer Corp Organic electroluminescent display panel and method for manufacturing same
JP4617842B2 (ja) * 2004-11-17 2011-01-26 セイコーエプソン株式会社 バルブユニット、液滴吐出装置、電気光学装置の製造装置及び液滴吐出方法
JP2006142145A (ja) * 2004-11-17 2006-06-08 Seiko Epson Corp バルブユニット、液滴吐出装置、電気光学装置の製造装置及び液滴吐出方法
JP4168999B2 (ja) * 2004-11-30 2008-10-22 セイコーエプソン株式会社 発光材料及び有機ｅｌ装置の製造方法
KR100705319B1 (ko) * 2004-12-01 2007-04-10 엘지전자 주식회사 유기 전계발광표시소자 및 그 제조방법
US7166860B2 (en) * 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
KR100745332B1 (ko) * 2005-09-28 2007-08-02 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
CN101030536B (zh) * 2006-03-02 2010-06-23 株式会社半导体能源研究所 电路图案、薄膜晶体管及电子设备的制造方法
JP4415971B2 (ja) * 2006-05-10 2010-02-17 カシオ計算機株式会社 表示装置及びその製造方法
US20080286445A1 (en) * 2007-05-17 2008-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Composition, and method of fabricating light-emitting element
GB2462688B (en) * 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
US9111886B2 (en) 2009-02-10 2015-08-18 Joled Inc. Method of repairing a defect of an organic EL display
CN102870235B (zh) * 2009-11-10 2016-11-23 免疫之光有限责任公司 用于从包括用于上变频的射频、微波能量和磁感应源的各种能量源产生发射光的上下变频系统
JP5317126B2 (ja) * 2010-03-05 2013-10-16 独立行政法人産業技術総合研究所 イオン価数弁別高速粒子検出器
WO2013088745A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
WO2013088744A1 (ja) * 2011-12-15 2013-06-20 パナソニック株式会社 有機ｅｌ表示パネルの製造方法
US9382615B2 (en) * 2012-10-12 2016-07-05 Asm Ip Holding B.V. Vapor deposition of LiF thin films
CN103715370B (zh) 2013-12-26 2017-08-08 合肥京东方光电科技有限公司 微胶囊的制备方法
KR102171023B1 (ko) * 2014-07-21 2020-10-29 삼성전자주식회사 반도체 소자 제조방법
CN106783939B (zh) * 2017-03-03 2020-04-03 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其制造方法

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3796930A (en) * 1968-07-15 1974-03-12 Westinghouse Electric Corp Thin film high voltage switch
DE69127801T2 (de) * 1990-12-19 1998-02-05 Canon Kk Herstellungsverfahren für flüssigkeitsausströmenden Aufzeichnungskopf
JP3463362B2 (ja) 1993-12-28 2003-11-05 カシオ計算機株式会社 電界発光素子の製造方法および電界発光素子
JP3113212B2 (ja) * 1996-05-09 2000-11-27 富士通株式会社 プラズマディスプレイパネルの蛍光体層形成装置および蛍光体塗布方法
JP3036436B2 (ja) 1996-06-19 2000-04-24 セイコーエプソン株式会社 アクティブマトリックス型有機ｅｌ表示体の製造方法
JP3899566B2 (ja) * 1996-11-25 2007-03-28 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ表示装置の製造方法
JP3941169B2 (ja) 1997-07-16 2007-07-04 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP3911775B2 (ja) 1997-07-30 2007-05-09 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子の製造方法
JP3886607B2 (ja) * 1997-07-18 2007-02-28 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌディスプレイ
US6403236B1 (en) * 1997-09-04 2002-06-11 Sumitomo Chemical Company, Limited Polymer light emitting device
JP3812144B2 (ja) 1998-05-26 2006-08-23 セイコーエプソン株式会社 発光ディスプレイの製造方法
JP3031356B1 (ja) * 1998-10-05 2000-04-10 日本電気株式会社 有機ｅｌパネル及びその製造方法
JP3287344B2 (ja) * 1998-10-09 2002-06-04 株式会社デンソー 有機ｅｌ素子
JP4141552B2 (ja) 1998-11-19 2008-08-27 セイコーエプソン株式会社 電界発光素子およびその製造方法
US6127004A (en) * 1999-01-29 2000-10-03 Eastman Kodak Company Forming an amorphous fluorocarbon layer in electroluminescent devices
WO2000059267A1 (fr) * 1999-03-29 2000-10-05 Seiko Epson Corporation Composition, procede de preparation d'un film, et element fonctionnel et son procede de preparation
US6174613B1 (en) * 1999-07-29 2001-01-16 Agilent Technologies, Inc. Method and apparatus for fabricating polymer-based electroluminescent displays
JP4048687B2 (ja) 2000-04-07 2008-02-20 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
JP4021177B2 (ja) 2000-11-28 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法および有機エレクトロルミネッセンス装置並びに電子機器
JP4075425B2 (ja) * 2002-03-20 2008-04-16 セイコーエプソン株式会社 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法、有機ｅｌ装置の製造装置、及び電子機器

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8778785B2 (en) 2008-05-15 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
US8907353B2 (en) 2008-05-15 2014-12-09 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
CN102318040A (zh) * 2009-03-06 2012-01-11 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102318040B (zh) * 2009-03-06 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US8778708B2 (en) 2009-03-06 2014-07-15 E I Du Pont De Nemours And Company Process for forming an electroactive layer
US9209397B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer
CN102349132B (zh) * 2009-03-09 2014-09-17 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
CN102362338A (zh) * 2009-03-09 2012-02-22 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
US9209398B2 (en) 2009-03-09 2015-12-08 E I Du Pont De Nemours And Company Dupont Displays Inc Process for forming an electroactive layer
CN102349132A (zh) * 2009-03-09 2012-02-08 E.I.内穆尔杜邦公司 形成电活性层的方法
WO2014008720A1 (zh) * 2012-07-10 2014-01-16 京东方科技集团股份有限公司 有机显示器件及制作的方法
CN102779831A (zh) * 2012-07-10 2012-11-14 京东方科技集团股份有限公司 一种有机显示器件及制作的方法
CN102779831B (zh) * 2012-07-10 2015-09-02 京东方科技集团股份有限公司 一种有机显示器件及制作的方法
US9349974B2 (en) 2012-07-10 2016-05-24 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic display device and manufacturing method
CN105739210A (zh) * 2016-03-29 2016-07-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及其制备方法、显示装置
WO2018032746A1 (zh) * 2016-08-15 2018-02-22 京东方科技集团股份有限公司 像素打印结构及其制作方法、显示装置和喷墨打印方法
US10439137B2 (en) 2016-08-15 2019-10-08 Boe Technology Group Co., Ltd. Pixel print structure, manufacturing method thereof, display device, inkjet printing method

Also Published As

Publication number Publication date
US7488506B2 (en) 2009-02-10
US20080107823A1 (en) 2008-05-08
JP2002231447A (ja) 2002-08-16
JP4021177B2 (ja) 2007-12-12
US20020109456A1 (en) 2002-08-15
CN1199520C (zh) 2005-04-27
US7300686B2 (en) 2007-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1199520C (zh) 有机场致发光装置及其制造方法和电子设备
CN1201637C (zh) 有机电致发光装置及其制造方法以及电子装置
CN1317770C (zh) 器件的制造方法及器件制造装置、器件以及电子机器
CN1266985C (zh) 薄膜形成设备
CN1204784C (zh) 防水化处理方法、薄膜形成方法及其有机el装置制造方法
CN1268000C (zh) 电路板、电气光学装置及电子设备
US8932682B2 (en) Method for manufacturing a light emitting device
CN1841703A (zh) 有机el装置的制造方法、器件的制造方法
CN1741693A (zh) 电子装置的制造方法、有机电致发光显示器及用于有机非晶质膜的墨水
CN1550568A (zh) 制造装置和发光装置
CN1480984A (zh) 制造设备
CN1610459A (zh) 有机el装置的制造方法、有机el装置、电子仪器
CN1542994A (zh) 制造oled显示器的具有至少一个热转移工位的方法和系统
CN1469693A (zh) 组合物、成膜方法及成膜装置、电光学装置及其制造方法
CN1543276A (zh) 发光器件和电子器具、以及制造设备
CN1925138A (zh) 有机el元件的制造方法、有机el元件和有机el面板
CN1476737A (zh) 图案化方法及装置、膜形成方法及装置、电光学装置及其制法
CN1457219A (zh) 对潮气或氧敏感的oled器件的原位制造方法
CN1922744A (zh) 有机半导体溶液
CN1452438A (zh) 发光器件制造方法及制造发光器件的设备
CN1901244A (zh) 电光学装置
CN1684561A (zh) 有机电致发光装置及其制造方法以及电子仪器
CN1784103A (zh) 发光材料和有机el元件及其制造方法
CN1736130A (zh) 发光装置的制造方法
CN1703122A (zh) 滤色片基板的制造方法、电光学装置及其制造方法、电子设备

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050427

Termination date: 20181127

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee