CN1350690A - 用于倒装在表面上的超小型电阻器电容器薄膜网络 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种非常小的适合于倒装在电路板上的电子器件10,它包括形成在基板上的大量电容器和电阻器。电容器和电阻器被互相连接,以在各种电路布线上形成多个RC电路。器件的多个层被具有显露RC电路引线焊点的开孔的封装所覆盖。用焊料填充开口用以在焊球阵列(BGA)中形成器件的独立引线(12和14)。通过清除多个分立元件,此器件在更大的电子装置的生产中节约了成本和/或电路板空间。另外,非常低的电感因器件与安装此器件的电路板的紧密邻近而实现。

Description

用于倒装在表面上的 超小型电阻器电容器薄膜网络
                        技术领域
本发明主要涉及适于安装在较大电路板上的小电子元件。更具体地，本发明涉及一种超小型器件，它具有用于在各种应用中使用的无源元件的多个电路。
                        背景技术
一段时间以来，趋于小型化的普遍工业化趋势促进了各种电子元件的设计。在这点上，存在对具有所选运行性能的日益小型化电子元件的需要。例如，在某些应用中需要提供具有独立滤波器电路阵列的非常小的器件是理想的。这种器件可以用在各种应用中，以提供AC截止(AC termination)和如同EMI和RFI滤波的低通滤波。另外，在电子装置中日益增加的时钟频率要求具有更小固有串联电感(ISL)水平的电子元件。
                        发明内容
本发明认识到了现有技术的结构和方法的各种不足。因而，本发明的目的是提供一种新型电子元件。
本发明的再一个目的是在小尺寸的单一封装内提供一种新型的多电路阵列。
本发明的再一个目的是在单一封装内提供一种具有低固有串联电感的新型多电路阵列。
本发明的再一个目的是提供一种新型阵列，其中各电路中的电容器每个均可以具有较大的电容值。
本发明的再一个目的是提供一种新型的薄膜型RC(电阻-电容)阵列器件。
本发明的再一个目的是提供一种制造薄膜电路阵列的方法。
这些目的中的一些通过用于倒装到表面上的小型阵列器件实现。该器件包括具有预定宽度和长度尺寸的基板。在基板上定位多个薄膜RC电路，每一个均包括至少一个连接外部线路的引线焊点。一个封装设置在该RC电路上方，并在其中形成了显露引线焊点的开口。焊料定位在形成于该封装内的开口中。
通常，封装可以包括内部适应层(compliant layer)和外部封装层。在这些实施例中，开口将形成于外部封装层内。适应层将用于吸收阵列器件和下部电路板之间的应力。
在示范性实施例中，在基板上可以制备至少四个RC电路。每个RC电路可以包括至少一个具有在约5欧姆到500千欧姆范围内的值的电阻器。至少一个具有约4皮法至约100,000皮法的值的电容器也可以设置在每个RC电路中。通常，可以连接设置在至少某些RC电路中的电阻器和电容器，以提供相应的串联RC电路。应当意识到，根据本发明，对本领域的技术人员显而易见的其它类型的连接，例如并联或分布式连接，也可以采用。
通常，在RC电路的电容器内将使用较高介电常数的介电材料。例如，介电材料可以具有至少100的介电常数。在一些情形中，介电常数可以高至10,000。通常，需要使用铅基介电材料，例如PZT(锆钛酸铅)介电材料。由于高的介电常数，介电层可以具有小至约0.1至2μm的厚度。
每个RC电路将优选地包括多个被构图以形成预定电路组元的层。在层导电的位置，导电层可以包括不止一个合金材料、亚层或栅格结构。在一些实施例中，该多个层可以包括确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图。将介电层与第一电容器极板并置。第二导电构图确定至少一个相对于第一电容器极板定位的第二电容器极板，以形成电容器。还制备薄膜电阻器，它电连接第二电容器极板。
通常，薄膜电阻器可以由构图的组合物形成，该组合物具有与电阻器层邻近的导电层。从电阻层上去除导电层的一部分，以提供预定的电阻器值。在这些实施例中，也可以设置确定引线焊点的引线导电层。
在其它示范性实施例中，该多个层可以包括确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图。将介电层与第一电容器极板并置。还提供包括导电层和邻近的电阻器层的构图组合层，其中的一部分形成第二电容器极板。第二电容器极板相对于第一电容器极板定位，而形成电容器。另外，在该构图组合层的一部分中去除导电层，以提供预定的电阻器值。该构图组合层还可以定义引线焊点之一。
本发明的其它目的可以通过用于倒装到表面上的小型阵列器件实现。该器件包括具有预定宽度和长度尺寸的基板。在该基板上定位多个薄膜RC电路。每个RC电路包括确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图。在第一电容器极板上设置介电层。相对于第一电容器极板定位确定至少一个第二电容器极板的第二导电构图，以形成电容器。将薄膜电阻器电连接至第二电容器极板。
在一些示范性实施例中，薄膜电阻器由包括与电阻器层邻近的导电层的构图组合层制造。导电层的一部分被从电阻层上除去，以提供预定的电阻器值。通常，也可以提供引线导电层以定义引线焊点。可以在RC电路上设置并定义封装以显露相应的引线焊点。
本发明的其它目的是通过用于倒装在表面上的小型阵列器件实现的。该器件包括具有预定宽度和长度尺寸的基板。在基板上定位多个薄膜RC电路。每个RC电路包括确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图。将介电层与第一电容器极板并置。还提供构图组合层，它包括与电阻器层邻近的导电层。相对于第一电容器极板定位构图组合层的一部分，以形成电容器。将导电层从构图组合层的一部分中的电阻器层上除去，以提供预定电阻器值。
在一些示范性实施例中，构图组合层还确定了RC电路的引线焊点。可以在RC电路上设置并定义封装以显露引线焊点。
如果使用氧化硅的基板，可以形成通孔以将导电金属层中的一个连接到氧化层下部的导电硅上。该连接与金属层的沉积和构图同时形成。以此方式，可以建立电接地以提高电路的电性能。
本发明的其它目的通过制造薄膜阵列器件的方法而实现。该方法的一个步骤包括提供具有预定长度和宽度尺寸的大致平坦的基板。第一导电层被涂覆到基板上并成型，以确定多个第一电容器极板。接着涂覆介电层以覆盖第一导电层的第一电容器极板。然后涂覆第二导电层以相对于相应的第一电容器极板定义多个第二电容器极板，于是形成相应的电容器器件。然后形成多个薄膜电阻器，至少一个电阻器与每个电容器器件相连并与之电连接。
根据示范性实施例，也可以在基板上的不同层上涂覆封装。另外，可以通过去除与电阻层邻近的导电层的选定部分而形成薄膜电阻。
除了工作相同的方法外，本发明的其它目的、特征和方面还通过所公开的元件的不同组合和亚组合而提供，这些组合将在下文更详细地讨论。
                       附图说明
对本领域普通技术人员，本发明的包括其优选模式的全面而可行的公开在包括对附图的参照的本说明书的余下部分中得以更详细地阐述，附图中：
图1是根据本发明制造的超小型阵列器件的透视图；
图2是当安装在印刷电路板上时图1的阵列器件的侧视图；
图3是图1中阵列器件的平面图；
图4是图1中阵列器件电路的示意图；
图4A和4B是也可以根据本发明教导的内容被排成阵列的T滤波电路和微分滤波电路的示意图；
图5是沿图3中线5-5截取的横截面图；
图6A至6E说明制造图1中阵列器件的连续步骤；
图7是根据本发明制造的RC阵列器件的另一种结构的与图5相似的横截面视图；
图8是具有外部适应层的另一个实施例的与图7类似的视图；
图9是具有接地基板的再一个实施例的与图7类似的视图；以及
图10是与理论理想值相比较说明本发明T滤波电路的频率响应的曲线图。
在本说明书和附图中对附图标记的反复使用用于表示本发明中相同或相似的部件或元件。
                  具体实施方式
本领域的普通技术人员将理解，本讨论仅是对示范性实施例的描述，并不试图限制本发明的广义方面，该广义方面在示范性结构中得以具体化。
图1示出了根据本发明制造的阵列器件10。如将在下文更全面解释的，器件10包括多个在更大的电子器件中可以彼此独立使用的滤波电路。每个独立的滤波电路优选包括具有相反极性的焊料末端，例如末端12和14。焊料末端可以成型为呈众所周知的焊球阵列(BGA)排列的焊料球，或焊料可以通过许多公知技术诸如蒸镀或电镀而涂覆在独立电路的引线焊点上。
在图2中，器件10安装在印刷电路板16上。如所示，器件10是倒装的，于是在其“顶”上的末端12和14电连接至电路板16的电路迹线(circuittrace)上。除了提供到外部线路的电连接外，焊料凸起用于将器件10维持在板子上的其物理位置上。
在尺寸上和/或系统成本上，制备作为小型单一封装一部分的多个电路可以获得多种优点。例如，因为对在制造工艺中拾取并放置多个分立元件的需要将被消除，所以系统成本可以降低。小的尺寸还可以保存板子的“不动产”，这通常是比小成本改善更重要的考虑因素。阵列器件到电路板的小尺寸和直接毗邻还导致非常低的ISL，通常小于1nH。
现在参照图3，器件10在图示实施例中配置成具有总共八个独立RC电路18的集成阵列。如所示，每个独立电路在一对引线焊点20和22之间延伸。引线焊点上方的区域用焊料填充以产生上述的焊料末端12和14。
现在参照图4，在此情形中RC电路18排列成串联RC电路。换句话说，每个电路包括与相应的电容器(C1-C8)串联连接的相应的电阻器(R1-R8)。独立电路被电隔离开，使得一个电路可以单独地沿外部线路中与其它电路完全不同的线而被连接。
然而，应当意识到的是，根据本发明教导的内容，也可以实现各种其它电路配置。例如，在设置多个串联RC电路的位置上，独立电路可以在一侧上被连接到一起以形成公共接地。在这种情形中，电路在其输入端各自具有相应的末端，但在其输出端将共享一单一末端。
图4A和4B说明又一种类型的电路，它可以在本发明的阵列器件中实现。具体地，图4A示出了具有连同一个电容器C1的一对电阻器R1和R1′的三端“T滤波器”。相似地，图4B示出了四端微分滤波器布置。显然应当理解的是，器件上的所有RC电路没有必要等同，但可以为了具体应用的急需情况而定制。
在图示实施例中，RC电路18根据薄膜加工技术构造。连续地形成许多层(这将在下面更全面地阐述)以形成所要求的电路配置。如图5中可见，各种层沉积在基板24上，该基板通常是绝缘基板，例如氧化硅、玻璃或Al2O3。在许多实施例中，基板24的厚度可以是约0.3至1.2mm。
现在将阐述每个RC电路18中的各层。导电层26定位在基板24的顶部表面上。导电层26被适当地构图以形成第一电容器极板并提供到引线焊点20的互连。所选介电材料层28设置在通过导电层26形成的电容器极板上。于是介电层与下部电容器极板并置，并与之邻近。另一导电层30的一部分在介电层26上延伸。这将提供与第一电容器极板相对的第二电容器板板，以制造电容器。
通常，在每个RC电路18中采用的薄膜电容器将使用高K电介质，以在要求极小极板面积的同时实现较大的电容值。例如，通常需要使用具有约100或更大的介电常数的介电材料。大于约500的介电常数通常将是优选的，而高至10,000的介电常数可以用于一些示范性实施例中。
例如Pb(Zr，Ti)O3(称为PZT)的某些铅基电介质可以用在本发明的优选实施例中。通常，PZT可以掺杂Nb或其它合适的掺杂剂，因而产生PNZT材料。PZT电介质的各特征在授予Lee的美国专利第5,625,529中得以说明，此处引用作为参考。所使用的另一种材料是铌镁酸铅-钛酸铅，Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3。
另外，在某些实施例中，各种非铅材料也可以用作电介质。这种材料的例子包括钛酸锶钡(Sr，Ba)TiO3和钽酸铋锶Bi2SrTa2O9。
还如图5中所示，导电层30的余下部分提供了到也位于基板24上的薄膜电阻器上的电性互连。在此实施例中，电阻器通过在其上具有导电层部分34和36的电阻层32而形成。如同将在以下全面阐述的那样，部分34和36开始为电阻层32上的连续层。然后去除该连续导电层的选定区域以显露下面的电阻器材料。除掉的连续层的量将确定所得电阻器的电阻值。导电层部分36被电连接至引线焊点22，如图所示，以完成串联RC布线。
各层用适当的外涂层或封装38覆盖。封装38保护下部的电路免遭擦刮和腐蚀，还提供电学稳定性。如图所示，封装38被适当地构图以显露引线焊点。在示范性实施例中，合适的封装材料38可以从诸如氮化硅(Si3N4)、氧化硅(SiO2)、硅氮氧化物(SiON)和标识为SivHwCxOyN2的各种非化学配比化合物的无机材料薄膜中选取。另一种方案是，封装可以由包括聚酰亚胺、环氧树脂或苯并环丁烯(BCB)的各种有机聚合物膜以及无机和有机材料的组合层制造。
虽然在附图所示的示范性实施例中设置了八个RC电路，但是应当认识到，根据本发明可以提供更多或更少数量的电路。例如，根据此处教导的内容可以容易地提供少至四个或多至100个分立RC的组合物。通常，每个这种电阻器的值将在约5欧姆至约500千欧姆的范围内。电容器将通常具有在约4皮法至约100,000皮法范围内的值。
尽管事实是器件10在一单一封装中具有多个电路，但是器件10的外部尺寸通常是非常小的。例如，该器件在边缘上的长度和宽度处于约0.3mm至5.0mm的范围内并不罕见。将被意识到的是，器件10的长度和宽度通常将由电元件的数量和值，或引线数量和相应引线间的间距确定。例如，构想在本发明的许多实施例中邻近末端之间的间距可以至少是100μm。
图6A至6E示出器件10的制造中采用的各步骤。首先参照图6A，对于将要制造的每个RC电路，相应的导电层26确定在基板24上。在涂覆金属前，基板24优选地被抛光和清洁以提供适于进一步加工的光滑表面。然后通过各种薄膜沉积技术中的任何一种，例如溅射或蒸镀，涂覆连同任何所需的粘接层一起的铂或其它合适的金属层。例如通过标准光刻技术构图该金属，以形成导电层26的构图。
图6B示出相应的介电层28，它被涂覆以覆盖每个导电层26的选定部分。如上所述，介电层28可以是具有较高介电常数的铅基电介质。根据优选方法论，电介质通过溶胶-凝胶旋涂工艺涂覆。材料的粘度特性和旋转速度控制了涂覆的膜的厚度。接着按需要构图该膜并煅烧。
特别优选运用涂覆较厚的涂层环的溶胶-凝胶工艺，以通过较少的涂层实现给定的层厚。例如，可以采用1，3-丙二醇基PZT溶液合成物，以涂镀具有每旋转浇铸循环0.2-0.8μm厚的PZT膜。如此，可以仅需要两层涂层以达到约0.4-1.6μm的所需厚度水平。这是与许多传统溶胶-凝胶技术比较，通过每个循环它们仅可以达到约0.1μm的厚度。此处可以使用的溶胶-凝胶涂镀工艺的更详细的描述在《结合铁电体(Integrated Ferroelectrics)》1997年第18卷第263-274页Liu等人的文章“使用二元醇基化学溶液方法的铅尖晶石厚层的沉积(Thick Layer Deposition of Lead Perovskites UsingDiol-Based Chemical Solution Approch)”中给出。在与本发明具有共同受让人的专利申请第09/034,754号中也描述了这种溶胶-凝胶加工的某些特征，此处引用作为参考。
现在参照图6C，为将要制造的每个RC电路形成包括两个相邻材料的组合物的构图40。为此目的，涂覆电阻材料的第一膜，此膜可以由公知的电阻材料(例如，氮化钽、镍铬、TaAl、TaAlN、SiCr、CrSiO或金属陶瓷)中的任何一种制造。然后将适当的导电材料的第二膜覆盖在电阻材料上。公知的适当的导体中的任何一种可以用于此目的，包括金、钯、铜、铝及其相应的粘接层。然后通过光刻或其它适当的构图技术形成构图40。
接着，如图6D所示，从构图40的将要形成电阻器的区域除去导电材料。因为在此区域仅剩下电阻材料，所以当电阻器在复合结构的其它部分中时它将不会被短路。通过去除的导电材料的量可以非常精确地控制电阻值。
现在参照图6E，然后可以以与其它导电层相似的方式形成另外的构图导体，以完成RC电路。例如，相应的导电层30形成每个电容器的顶部极板，还提供到相应薄膜电阻器的互连。此时，还可以形成引线焊点20和22。然后如上所述封装形成在基板24上的各个层。例如通过光刻来构图封装材料，以显露引线焊点。
图7示出了与上述实施例相比可以简化制造工艺的另一实施例。如上所述，在基板24的表面上形成导电层26和介电层28。然而，如所示，可以同时制造完成每个RC电路所需要的所有剩余线路。
具体地，剩余线路由与在前述实施例中被用于仅生产电阻器的结构类似的复合电阻器/电容器结构制造。于是，引线焊点20′、引线焊点22′和导电层30′每一个均构成位于电阻材料层上的导电层。该电阻层被覆盖的导体短路，并且在此位置不明显影响电路运行。事实上，电阻层有利地取代了粘接层并充当粘接层，然而该粘接层在导电材料下方已经被使用了。在需要电阻器的位置，如上所述除去覆盖的导电层。
在层之间制造垂直电连接中，电阻层32′没有降低器件的性能。在所有实施例中，层32′的厚度远远小于接触的面积。因为接触电阻正比于由接触区域隔开的层32′的厚度，所以接触电阻将可忽略地小。
在图示的实施例中，在远离第二电容器极板的位置形成电阻器(通过导电层/电阻层组合物的部分30′形成)。然而，也可以构想的是，电阻器可以通过去除第二电容器极板处的导电层而形成。在这些实施例中，此位置上的电阻层将既用作电阻器又用作第二电容器极板。据信，通过这种布置形成的分布式RC的特性在本发明的许多潜在应用中可能是有利的。
图8示出在许多方面与图5所示的实施例相似的备选实施例。为了简便起见，与图5的实施例中的那些相似或类似的组元用加上100的附图标记表示。然而，在此种情况中，设置适应层以吸收器件和将要安装它的电路板之间的应力。
具体地，封装层138用作适应层，以避免因器件和电路板的热膨胀上的不同所导致的引线焊点上的横向力引起的应变。在封装层138的顶部上制备金属化的附加层，以形成附加引线焊点120′和122′。于是附加金属层将引线焊点从先前位置重新分布到封装层138上的位置上。然后在结构的余下部分上设置另一封装层138′。在封装层138′上确定开口，以便将显露引线焊点120′和122′。
图9示出又一个实施例，它也与图5的实施例相似，其中，相似或类似的组元将用加上200的附图标记表示。在此情况中，绝缘基板224由硅的第一层242制造，该第一层在其如244处表示的表面上被氧化而制备绝缘层。形成引线焊点220的被电连接到第一电容器极板226上的层通过氧化层上的通孔246接地到硅层242上。这种布图将有利地提供一些寄生电容。
如图9所示的接地布图的益处可以参照图10极其容易地解释。曲线248示出了诸如图4A中那样的“T滤波器”的频率响应的理论理想值。曲线250和252分别示出了被制造为不具有和具有基板接地的理想电路的性能。
在此理想情况中，如曲线248所示，随频率增加，信号愈加阻塞至一极限。在没有接地的真实电路的情形中，如曲线250所示，一旦过了因电感导致的最小值，传输增加。于是，参照曲线252易看出接地的重要性。当附加上有益的寄生电容时，信号被维持在理想情况的容限内。
可以看出，本发明提供了希望在非常小尺寸的封装中具有电路组元的高度集中的集成阵列。本领域的技术人员将意识到，在不背离本发明的情况下可以作出各种变化和修改。
例如，附图中所示的每个实施例使用电容器极板被设置成一个在另一个顶部的电容器布图。然而，应当意识到的是，本发明教导的内容中包括各种其它类型的电容器结构。在这一点上，在一些应用中，可能需要把电容器形成为“间隙盖(gap cap)”，其中共面的电容器电极定位在电介质表面上，并被一预定的间隙隔开。
另外，上述实施例说明了绝缘的或在形成电路组元前被制作成绝缘的基板。在一些实施例中，例如被配置成具有公共接地的那些实施例，需要使用导电基板。在使用导电基板的情况中，通常需要用离散的绝缘体隔离一些电路组元，例如电阻器。
本领域的技术人员也将意识到，各实施例的各方面既可以在整体上也可以在部分上互换。另外，本领域的普通技术人员将意识到，前述仅仅是示例，并不意味是对在其所附权利要求书中进一步描述的本发明的限制。

Claims (27)

1.用于倒装到表面上的小型阵列器件，所述器件包括：
具有预定宽度和长度尺寸的基板；
在所述基板上设置的多个薄膜电阻-电容电路，每个所述电阻-电容电路包括至少一个引线焊点，用于将其连接到位于所述表面上的外部线路上；
设置在所述电阻-电容电路上的封装，所述封装在其中确定了显露其所述第一和第二引线焊点的开口；以及
焊料材料定位在形成于所述封装内的所述开口中。
2.如权利要求1所述的小型阵列器件，其特征在于，所述封装包括内部适应层和外部封装层，所述开口形成在所述外部封装层中。
3.如权利要求1所述的小型阵列器件，其特征在于，所述多个电阻-电容电路包括至少四个电阻-电容电路。
4.如权利要求3所述的小型阵列器件，其特征在于，所述电阻-电容电路每一个均包括至少一个电阻器和至少一个电容器，所述电阻器具有在约5欧姆至500千欧姆范围内的值，所述电容器具有约4皮法至约100,000皮法的值。
5.如权利要求4所述的小型阵列器件，其特征在于，在电容器器件的相应极板之间的介电材料具有至少100的介电常数。
6.如权利要求5所述的小型阵列器件，其特征在于，所述介电材料包括铅基介电材料。
7.如权利要求6所述的小型阵列器件，其特征在于，所述铅基介电材料包括锆钛酸铅(PZT)介电材料。
8.如权利要求5所述的小型阵列器件，其特征在于，所述介电层具有仅约0.1至2μm的厚度。
9.如权利要求4所述的小型阵列器件，其特征在于，连接至少一些所述电阻-电容电路的所述电阻器和所述电容器，以提供相应的串联电阻-电容电路。
10.如权利要求1所述的小型阵列器件，其特征在于，所述电阻-电容电路的每一个均包括多个被构图以形成预定电路组元的层。
11.如权利要求10所述的小型阵列器件，其特征在于，所述多个层包括：
确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图；
与所述第一电容器极板并置的介电层；
确定至少一个第二电容器极板的第二导电构图，所述第二电容器极板相对于所述第一电容器极板定位，以形成电容器；以及
被电连接至所述第二电容器极板的薄膜电阻器。
12.如权利要求11所述的小型阵列器件，其特征在于，所述薄膜电阻器由具有邻近电阻器层的导电层的构图后的组合层形成，所述导电层的一部分被从所述电阻层上除去，以提供预定的电阻器值。
13.如权利要求12所述的小型阵列器件，还包括确定所述引线焊点的引线导电层。
14.如权利要求11所述的小型阵列器件，其特征在于，所述多个层包括：
确定至少一个第一电容器极板的第一导电构图；
与所述第一电容器极板并置的介电层；
包括邻近电阻器层的导电层的构图后的组合层，所述构图后的组合层的一部分形成相对于所述第一电容器极板定位的第二电容器极板，以形成电容器；以及
在所述构图后的组合层的一部分中，将所述导电层从所述电阻层上除去，以提供预定的电阻器值。
15.如权利要求14所述的小型阵列器件，其特征在于，所述构图后的组合层还确定所述引线焊点中的一个。
16.用于倒装到表面上的小型阵列器件，所述器件包括：
具有预定宽度和长度尺寸的基板；
位于所述基板上的多个薄膜电阻-电容电路，所述电阻-电容电路每一个均包括：
(a)设置在所述基板上的第一导电构图，所述第一导电构图确定至少一个第一电容器极板；
(b)设置在所述第一电容器极板上的介电层；
(c)确定至少一个第二电容器极板的第二导电构图，所述第二电容器极板相对于所述第一电容器极板定位，以形成电容器；以及
(d)被电连接至所述第二电容器极板上的薄膜电阻器。
17.如权利要求16所述的小型阵列器件，其特征在于，所述薄膜电阻器由具有邻近电阻器层的导电层的构图后的组合层形成，所述导电层的一部分从所述电阻器层上除去以提供预定电阻器值。
18.如权利要求17所述的小型阵列器件，其特征在于，还包括确定所述电阻-电容电路的引线焊点的引线导体。
19.如权利要求18所述的小型阵列器件，其特征在于，还包括设置在所述电阻-电容电路上的封装，所述封装用于显露所述引线焊点。
20.一种用于倒装到表面上的小型阵列器件，所述器件包括：
具有预定宽度和长度尺寸的基板；
位于所述基板上的多个薄膜电阻-电容电路，所述电阻-电容电路每一个均包括：
(a)设置在所述基板上的第一导电构图，所述第一导电构图确定至少一个第一电容器极板；
(b)与所述第一电容器极板并置的介电层；
(c)具有邻近电阻器层的导电层的构图后的组合层，所述构图后的组合层的一部分定义相对于所述第一电容器极板定位的第二电容器极板，以形成电容器；以及
(d)在所述组合层的一部分中，将所述导电层从所述电阻层上除去，以提供预定的电阻器值。
21.如权利要求20所述的小型阵列器件，其特征在于，所述构图后的组合层还确定所述电阻-电容电路的引线焊点。
22.如权利要求21所述的小型阵列器件，其特征在于，还包括设置在所述电阻-电容电路上的封装，所述封装被定义成显露所述引线焊点。
23.如权利要求20所述的小型阵列器件，其特征在于，所述基板包括氧化硅基板。
24.如权利要求23所述的小型阵列器件，其特征在于，在所述基板的氧化层上包括通孔，为了电连接到位于所述氧化层下的硅，所述第一导电构图延伸进所述通孔中。
25.一种制造薄膜阵列器件的方法，所述方法包括步骤：
(a)制备具有预定长度和宽度尺寸的大致平坦的基板；
(b)将第一导电层涂覆到所述基板上，形成所述第一导电层以确定多个第一电容器板板；
(c)涂镀介电层以覆盖所述第一导电层的所述第一电容器极板；
(d)涂镀确定相对于所述第一电容器极板的相应部分的多个第二电容器极板的第二导电层，以制作相应的电容器器件；以及
(e)形成多个薄膜电阻器，所述电阻器中的至少一个与所述电容器器件的每一个相连并电连接到其上。
26.如权利要求25所述的方法，其特征在于，还包括步骤：
(e)在所述基板上的所述层上涂镀封装。
27.如权利要求26所述的方法，其特征在于，所述薄膜电阻器通过去除邻近电阻器层的导电层的选定部分而形成。
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