CN1342326A - 偏转轭磁芯及其制造方法 - Google Patents

Abstract

一种偏转轭磁芯,其通过最优化磁芯截面积与磁通分布密度之间的关系而防止出现磁饱和。用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部3的开口端延伸到锥部1的开口端的孔2。锥部1处的孔2向着锥部1的开口端加宽。锥部1的开口端处的外形具有沿短轴X的短直径Dx1和沿长轴Y的长直径Dy1。在从上述短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内,在一个平行并穿过上述磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大。

Description

偏转轭磁芯及其制造方法

                     技术领域

本发明涉及一种用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯。

                     背景技术

本发明所涉及类型的偏转轭磁芯用于构造偏转轭。通过在一个偏转轭磁芯上设置一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈而构成的偏转轭被安装在阴极射线管(CRT)的管颈与锥体之间。从设在管颈处的电子枪中发出的电子束被沿着水平和垂直方向偏转。在一种标准偏转轭磁芯中，颈部开口的形状和锥部开口端的形状均为圆形。

现有技术中的另一种偏转轭磁芯公开于日本已审查的专利公开文献No.1996-28194中，其采用了一种在颈部具有圆形开口端和在锥部具有椭圆形开口端的结构。此外，日本未审查的专利公开文献No.1995-37525中公开了一种技术，其中通过将偏转轭磁芯的内表面成型为近乎椭圆形并将偏转轭磁芯的外表面成型为近乎完全圆形，可以提高偏转效率，而又不会损伤成型性能。日本已审查的专利公开文献No.1996-7781中也公开了一种类似的偏转轭磁芯。

然而，这些现有技术未考虑到磁芯截面积与芯内磁通分布密度之间的关系，从而产生一个问题，即芯内磁通密度不一致，而且在芯内磁通密度较高的磁芯区域中会出现磁饱和，从而导致图象平面失真。

这些类型的偏转轭磁芯是通过将铁氧体粉末或类似物模制成型为管状以获得特定的最终形状而形成的。模制制品上可以预先成型出分割槽，从而可以沿着分割槽而被分割为两个磁芯件，以便容易地装入水平偏转线圈和垂直偏转线圈。

如日本未审查的专利公开文献No.1995-37525、日本未审查的实用新型公开文献No.1996-194和美国专利No.4,754,190中所公开，现有技术中的偏转轭上的分割槽通常设在两个在水平轴线上彼此面对着的位置上。

然而，这种结构中的分割槽被设在水平偏转磁场最密的区域中。垂直偏转磁场具有大约60至100Hz的低频率，而水平偏转磁场具有大约20至120KHz的高频率，因此水平偏转磁场是导致磁芯损耗的主要因素。此外，由于存在设置于水平偏转磁场最密区域中的分割槽，因此，会导致这些区域的截面积减小，其结果是，水平偏转磁场所致磁通的密度变得极高，从而进一步增加磁芯损耗。众所周知的是，在这些情况下出现的磁芯损耗与磁通密度的2至2.5次方成正比增加。因此，会产生一个问题，即在设有分割槽的两个沿水平轴线上彼此面对的位置上，磁芯温度将升高。

另外，如果如日本已审查的专利公开文献No.1996-28194和日本未审查的专利公开文献No.1995-37525中所公开的那样，面向着锥体的开口端具有沿长轴的长直径和沿短轴的短直径，则由于成型模具结构的作用，磁芯密度在毗邻短轴处会减小。这将导致毗邻短轴的磁芯强度降低，并引起磁芯和类似物碎裂。

由于如前所述在磁芯中存在一个低磁芯密度区域，因此磁芯在烧制过程中会不均匀地收缩，从而导致显著变形。

在实际模制制品上，预先在分割槽的两侧成型出了夹持槽。在利用这种偏转轭磁芯制作偏转轭时，偏转轭磁芯首先沿着分割槽被分割为两件，随后，一个隔离器、一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈被装入，再将分开的磁芯件组装起来。接下来，夹子被设置在位于分割槽两侧的夹持槽中，以将两个磁芯件相连。这个过程将导致磁芯温度的上升，而且磁芯或类似物的碎裂更加容易。

在现有技术中，锥部开口端的形状是椭圆形或矩形，而颈部开口端的形状为圆形。这样的结构不适合于支承一字排列式阴极射线管，这种射线管是通过沿直线设置与三原色相对应的三个电子枪而获得的。

日本已审查的专利公开文献No.1996-28194中公开了一种采用狭槽结构的偏转轭磁芯，它是这样构造的，即沿着磁芯内表面连续延伸并以径向模式设置多个从颈部延伸到锥部的凸出部分，并且在形成于凸出部分之间的槽上设置一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈。然而，由于水平偏转线圈和垂直偏转线圈的位置是以与凸出部分的位置相符的方式确定的，因此磁场分布不可调。所以，需要采用除偏转轭之外的措施实现辅助调节，例如采用镇流器操作失真校正、枕形图像失真校正或会聚特性校正。

作为解决上述问题的措施，日本实用新型专利No.2580242中公开了一种偏转轭磁芯，其具有与预先设计的垂直偏转线圈和水平偏转线圈布线模式相对应并且以非径向模式形成的线圈导槽和凸出部分。

然而，在模制成型过程之后，该实用新型专利中公开的偏转轭磁芯不能够沿着磁芯轴线(管轴线)脱模，这是因为，为了使偏转轭磁芯能够沿着磁芯轴线脱模，凸出部分必须相对于磁芯轴线以径向模式形成。

在利用这种类型的偏转轭磁芯构造偏转轭时，磁芯必须具有高级别的尺寸精度，而且磁芯和阴极射线管必须以高级别的精度组装，以确保电子束如设计的那样偏转，因为电子束是沿着偏转轭磁芯的内表面偏转的。由于磁芯通过一个隔离器安装在阴极射线管上，因此磁芯必须以极高的精度安装在隔离器上，以确保磁芯和阴极射线管以高级别的精度组装。

然而，由于偏转轭磁芯是由铁氧体粉末模制品烧制成型出的烧结制品，因此必然会因烧结收缩而出现变形。此时出现的热收缩率甚至可以达到10％至20％，从而导致烧结磁芯的体积只有未烧结磁芯的体积的大约60％。因此，磁芯与阴极射线管的组装精度变差，这会妨碍电子束如设计的那样精确偏转。因此，会出现问题，例如因失聚而导致的图像质量差。

上面讨论的因烧结磁芯变形而引起的问题可以通过磁芯研磨而解决。然而，如果锥部开口端的形状是非圆形的，则难以研磨磁芯的内表面。出于这个原因，在现有技术中，如果偏转轭磁芯的锥部开口端被成型为非圆形，则在锥部和颈部处的磁芯内表面均不研磨。因此，因烧结变形而导致的问题未被解决。

此外，如果锥部开口端被成型为非圆形形状，如前所述，则在将磁芯安装到隔离器上时，磁芯的外表面上没有明显的标记可以用作定位基准。出于这种原因，难以将偏转轭磁芯精确地安装在隔离器上，因而难以将偏转轭磁芯的轴线与阴极射线管的轴线对齐，从而对组装精度能够提高的程度构成限制。

通过研磨偏转轭磁芯的内表面可以消除这种问题。为达到这个目的而可以采用的研磨方法包括日本未审查的专利公开文献No.1989-319226中公开的方法，其中颈部被从内侧夹持住并且通过旋转砂轮或类似物而研磨外表面。然而，这种现有公开文献中一点也没有提到内表面的研磨。

此外，锥部开口端被成型为大致矩形的偏转轭磁芯不能够利用旋转砂轮研磨。因此，在将这样的偏转轭磁芯与阴极射线管组装到一起时，难以将偏转轭磁芯的轴线与阴极射线管的轴线对齐，从而对组装精度能够提高的程度构成限制。

由于锥部在开口端处的外形是非圆形、椭圆形、大致矩形或类似形状的，因此连续延伸到锥部开口端的外表面具有曲面形状。例如，日本未审查的专利公开文献No.1996-7781中公开了一种磁芯，它的锥部在开口端处的外形通过多个不同半径的圆弧组合而构成为大致椭圆形。

这种磁芯的外表面上没有任何明显的标记用于在将偏转轭磁芯相对于阴极射线管定位时使用。出于这个原因，难以精确地将偏转轭磁芯定位在隔离器上，因而难以将偏转轭磁芯的轴线与阴极射线管的轴线对齐，从而对组装精度能够提高的程度构成限制。

在研磨偏转轭磁芯时，必须利用夹具或类似物夹持住偏转轭磁芯，以便提高偏转精度和偏转轭磁芯相对于阴极射线管的定位精度。偏转轭磁芯可以在颈部或锥部开口端处被夹持住。沿磁芯轴线在特定长度上具有几乎恒定外径的颈部可以用作机械式夹持部分。然而，当锥部被用作机械式夹持部分时，会受到以下限制。

即，一个在锥部开口端的整个外周上几乎平行于磁芯轴线延伸的曲面构成了一个带状部分，而这个带状部分可以用作夹持部分。带状部分的宽度通常为5mm或以下。如果锥部在开口端处的外形是近乎圆形的，则即使采用了宽度为5mm或以下的带状部分，也可以确保足够级别的机械式夹持力。

然而，对于锥部在开口端处的外形为矩形的磁芯，如果将宽度为5mm或以下的带状部分用作夹持部分的话，则不能够承受在机械加工过程中施加在锥部上的外力，从而导致磁芯落下或者出现碎裂、裂缝或类似情况。最终，在这种类型的偏转轭磁芯中，必须将沿磁芯轴线在特定长度上具有几乎恒定外径的颈部上的区域用作机械式夹持部分。

在这种条件下，沿磁芯轴线方向并对磁芯特性有影响的颈部长度、夹持稳定性和磁芯体积等的正确选择是很重要的。例如，为了获得更轻质的磁芯，在锥部的磁芯截面积减小后，沿磁芯轴线在特定长度上具有几乎恒定外径的颈部的长度会变得过长，从而引起一个问题，即可能会出现发热和磁饱和。

另一方面，如果在颈部没有设置出外径几乎恒定的区域，或者这样的区域只延伸了很短的距离，例如，如日本未审查的专利公开文献No.1995-37525中的图1和日本未审查的专利公开文献No.1996-7781中的图2所示，则在加工过程中偏转轭磁芯不能够被足够稳定地保持，因而偏转轭磁芯不能够承受加工过程中施加在其上的外力，从而导致磁芯落下或者出现碎裂、裂缝或类似情况。

                 本发明的内容

本发明的第一个目的是提供一种偏转轭磁芯，其最优化了磁芯截面积与芯内磁通分布密度之间的关系，并且能够防止出现磁饱和。

本发明的第二个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以使磁芯损耗最小化并降低磁芯温度。

本发明的第三个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以消除磁芯碎裂的危险。

本发明的第四个目的是提供一种偏转轭磁芯，其在烧制过程中不容易变形。

本发明的第五个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以使磁芯损耗最小化并降低磁芯温度。

本发明的第六个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以消除磁芯碎裂的危险。

本发明的第七个目的是提供一种偏转轭磁芯，其在烧制过程中不容易变形。

本发明的第八个目的是提供一种偏转轭磁芯，其具有一个最优化的形状，以适用于具有与三原色相对应并且沿直线设置的三个电子枪的一字排列式阴极射线管。

本发明的第九个目的是提供一种偏转轭磁芯，其在线圈定位方面提供了高级别的自由度，并且可以通过调节磁场分布而提高偏转灵敏度、失真特性、会聚特性和类似性能。

本发明的第十个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以沿着磁芯轴线以高级别的可靠性脱模。

本发明的第十一个目的是提供一种偏转轭磁芯，它的锥部开口端是非圆形的，而且在面向颈部的区域中具有一个圆孔，同时磁芯可以获得高级别的尺寸精度。

本发明的第十二个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以以高级别的精度相对于阴极射线管定位，还要提供该磁芯的制造方法。

本发明的第十三个目的是提供一种偏转轭磁芯，其便于相对于阴极射线管精确定位。

本发明的第十四个目的是提供一种偏转轭磁芯，其可以在加工过程中被以稳定的方式夹持，同时又能够维持为达到特定性能所需的体积。

为了达到上述第一个目的，根据本发明的用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。在从短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

本发明的发明人所作的研究揭示出，通过在偏转轭磁芯上设置一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈而构造出偏转轭，而且垂直偏转磁场和水平偏转磁场由单个线圈产生，则磁芯中产生的磁通不能获得一致性。

具体地讲，在现有技术中，在从水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，芯内磁通密度达到最高值，其中芯内磁通密度是在各个平行并穿过磁芯轴线的截面上测量的，而颈部开口端和锥部开口端均被成型为圆形形状。

为此，在根据本发明的偏转轭磁芯中可以确保在从短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

这样，在整个磁芯中可以获得芯内磁通密度的一致性，从而防止局部磁饱和。如果磁芯采用这样的形状，即在30°至65°的角度范围之外达到最大截面积，则在芯内磁通密度很高的30°至65°角度范围内可能出现磁饱和。但如果通过增大整个磁芯的磁芯截面积而防止磁饱和，则所产生的磁芯必然具有低效率的形状。

为达到第一个目的即防止磁饱和而实施的另一种措施是，确保在从短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线的平面上的磁芯截面积中的磁芯密度最大。

通过这种措施可以防止在芯内磁通密度最高的30°至65°角度范围内出现局部磁饱和。如果磁芯采用这样的形状，即在30°至65°的角度范围之外磁通密度最高，则在芯内磁通密度很高的30°至65°角度范围内可能出现磁饱和。但在另一方面，如果增大整个磁芯的磁芯截面积，则磁芯必然具有低效率的形状。

为了达到上面提到的第二个目的，根据本发明的用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。偏转轭磁芯上还设有毗邻短轴在磁芯表面上沿着磁芯轴线延伸的分割槽。

在应用于偏转轭中时，一个水平偏转磁芯和一个垂直偏转磁芯被设置，以将短轴的位置设置在对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置处。通过这种结构，由于分割槽设在水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置处，因此水平偏转磁场所致芯内磁通的密度受到分割槽的影响最小，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

理想的模式是将分割槽成型为直线形，并且将分割槽敞开在颈部开口端边缘上。这种结构使得由诸如铁氧体粉末或磁性金属粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯能够光滑地脱模。

在另一种理想模式中，分割槽设置在一个外周表面和一个内周表面上的彼此面对着的位置上。通过采用这种结构，可以容易地分割由铁氧体粉末模制成型出的磁芯。

形成在外周表面上的分割槽与形成在内周表面上的分割槽在颈部的开口端边缘处彼此相互连续延伸。这种结构使得磁芯容易分割。分割槽优选为V形的，因为V形可以有效地使磁芯容易分割为两件。

为了达到上面提到的第三和第四个目的，根据本发明的偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个外周表面。锥部处的外周表面向着锥部的开口端加宽。锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。至少一个第一凹入部分毗邻短轴设在外周表面上。

本发明的发明人所作的研究揭示出，当锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径时，毗邻短轴的磁芯密度最低。

为此，第一凹入部分设在根据本发明的偏转轭磁芯的外周表面上。在利用磁性粉末如铁氧体粉末压缩模制成型偏转轭磁芯时，磁性粉末可以被设在成型模具中的与第一凹入部分相对应的凸出部分压缩。其结果是，位于与凸出部分相对应的第一凹入部分周围的磁芯密度会增大。

另外，由于第一凹入部分毗邻短轴位于外周表面上，因此毗邻短轴的磁芯密度最终会增大。这样，毗邻短轴的磁芯强度会升高，从而防止磁芯出现碎裂。

此外，由于毗邻短轴的磁芯密度会增大，如前所述，因此可以获得更均匀的磁芯密度分布。其结果是，根据本发明的偏转轭磁芯在烧制过程中可以均匀地收缩，并且不容易变形。

为了达到上面提到的第五、第六和第七个目的，根据本发明的用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。根据本发明的偏转轭磁芯上还设有毗邻短轴在磁芯表面上沿着磁芯轴线延伸的分割槽，而且夹持槽在短轴的两端设在外周表面上。

在应用于偏转轭中时，一个水平偏转磁芯和一个垂直偏转磁芯被设置，以将短轴的位置设置在对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置处。在这种结构中，由于分割槽设在水平偏转磁场所致芯内磁通的密度最低的位置处，因此水平偏转磁场所致芯内磁通的密度受到分割槽的影响最小，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

本发明的发明人所作的研究揭示出，当锥部开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径时，毗邻短轴的磁芯密度最低。

为此，夹持槽形成在根据本发明的偏转轭磁芯的外周表面上。在利用磁性粉末如铁氧体粉末压缩模制成型偏转轭磁芯时，磁性粉末可以被设在成型模具中的与夹持槽相对应的凸出部分压缩。其结果是，位于与凸出部分相对应的夹持槽周围的磁芯密度会增大。

另外，由于夹持槽在短轴的两端位于外周表面上，因此毗邻短轴的磁芯密度最终会增大。所以毗邻短轴的磁芯强度会升高，从而防止磁芯出现碎裂。

此外，由于毗邻短轴的磁芯密度会增大，如前所述，因此可以获得更均匀的磁芯密度分布。其结果是，根据本发明的偏转轭磁芯在烧制过程中可以均匀地收缩，并且不容易变形。

为了达到上面提到的第八个目的，根据本发明的用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。锥部开口端处的孔沿着一个完整的周边弯曲，锥部和颈部二者处的孔均具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

由于偏转轭磁芯具有一个这样的孔，该孔在锥部和颈部中均具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，因此，颈部也获得了适宜的形状，适用于具有与三原色相对应并且沿直线设置的三个电子枪的一字排列式阴极射线管。这样就提供出了具有适用于一字排列式阴极射线管中的最优形状的偏转轭磁芯。

为了达到上面提到的第九和第十个目的，根据本发明的偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有多个以径向模式沿着从锥部至颈部的内表面设置的凸出部分，其中多个槽形成在多个凸出部分之间。

凸出部分分开设置在颈部和锥部中，并且分别包括一个面对着磁芯轴线的表面，沿着一个从颈部向锥部延伸的方向看，该表面以与磁芯轴线之间的距离逐渐增大的方式倾斜。

如上所述，由于多个凸出部分沿着从锥部至颈部的内表面以径向模式设置，而且多个槽形成在多个凸出部分之间，因此可以防止偏转线圈中的绕线在位于凸出部分之间的槽的表面上错位。

另外，由于凸出部分分开设置在颈部和锥部中，因此可以以例如径向模式和非径向模式调节绕线分布，从而便于在偏转轭组装后校正失真和失聚。

此外，由于多个凸出部分沿着从锥部至颈部的内表面以径向模式设置，而且沿着一个从颈部向锥部延伸的方向看，它们的面对着磁芯轴线的表面以与磁芯轴线之间的距离逐渐增大的方式倾斜，因此在模制成型后，由磁性粉末如铁氧体粉末模制成型出的偏转轭磁芯可以沿着磁芯轴线(管轴线)的方向以高级别的可靠性容易地脱模。

为了达到上面提到的第十一和第十二个目的，根据本发明的用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。锥部处的孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。颈部处的孔具有圆形形状和一个磨削内表面。

由于偏转轭磁芯的颈部处的孔的内表面被磨削，而且锥部处的孔被成型为非圆形形状，颈部处的孔被成型为圆形形状，因此颈部处的尺寸精度可以提高。这反过来又能够在将由偏转轭磁芯构造的偏转轭安装到阴极射线管上时确保高级别的组装精度。颈部处的孔被成型为圆形形状，并且可以利用例如旋转式磨床而容易地磨削。

通过如上所述提高颈部处的孔的尺寸精度，磁芯轴线即孔的中心轴线的可以以高精度设置，这反过来又使得相对于磁芯轴线对锥部的外表面进行表面磨削、再将通过磨削而获得的平坦表面在磁芯相对于隔离器定位时用作基准成为可能。这样，磁芯可以相对于隔离器以高精度定位，从而最终将磁芯以高精度相对于阴极射线管定位。

根据本发明的另一种用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的偏转轭磁芯具有一个从颈部开口端延伸到锥部开口端的孔。锥部处的孔向着锥部开口端加宽。至少锥部处的上述孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径以及一个磨削内表面。

由于偏转轭磁芯具有这样一个孔，该孔在锥部处向着锥部开口端加宽并且具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，因此磁芯可以用在带宽阔显示板的彩电图像接收器阴极射线管中。

另外，由于锥部处的孔的内表面被磨削，因此锥部处的孔的尺寸精度可以提高，从而在将偏转轭磁芯安装到阴极射线管中时获得更高的组装精度。

在一种理想模式中，也可以在颈部处磨削孔的内表面，从而通过确保颈部和锥部均具有高级别的尺寸精度而进一步提高偏转轭安装在阴极射线管上的组装精度。

为了达到上面提到的第十三个目的，根据本发明的偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管并且具有一定的外形。锥部处的外形向着锥部开口端加宽。锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径并且包括至少一个锥部开口端外周表面上的磨削平坦表面。

如上所述，偏转轭磁芯在锥部处具有一个向着锥部开口端加宽的外形，其中锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。这种结构可以在与带宽阔显示板的彩电图像接收器阴极射线管结合使用时提高偏转效率。

另外，在指向锥部开口端的外周表面上有至少一个磨削平坦表面。该磨削平坦表面平行于磁芯轴线延伸。通过将平坦表面用作基准面，可以便于将磁芯轴线与阴极射线管的射线管轴线对齐。因此，可以容易地将偏转轭磁芯相对于阴极射线管精确定位。

日本未审查专利公开文献No.1989-319226中公开了一种磨削偏转轭磁芯外表面的措施，其中颈部的内侧夹持住，外侧通过旋转砂轮或类似物磨削。在这种现有技术中，采用磨削程序是为了提高外表面的尺寸精度，而非为了将偏转轭磁芯相对于阴极射线管精确定位。

在一种理想模式中，可以设有两个或更多个磨削平坦表面，两个相邻表面彼此相隔大约90°或大约180°的角间隔，从而利用多个基准面而将磁芯与阴极射线管更可靠地对齐。

为了达到上面提到的第十四个目的，根据本发明的偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管。锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。此外，满足5mm≤B≤A/2mm，其中A表示磁芯沿磁芯轴线的总长度，其为颈部沿磁芯轴线的长度B与锥部沿磁芯轴线的长度之和。

根据本发明，颈部指的是指向阴极射线管管径的区域，颈部的外径基本上保持恒定。锥部指的是磁芯上除颈部之外的剩余区域。沿磁芯轴线的长度指的是成型为管状的偏转轭磁芯沿着磁芯轴线方向测量的长度。

在加工偏转轭磁芯的内表面和类似区域时，颈部被用作夹持部分。如果颈部沿磁芯轴线的长度B小于5mm(B＜5mm)，则颈部不能够被加工机械充分夹持，而且颈部受到的夹持力不够大，因而不能承受加工过程所用机械施加的力或承受偏转轭磁芯的重量，从而导致磁芯出现碎裂或裂缝。

另一方面，如果颈部沿磁芯轴线的长度B等于或大于5mm(B≥5mm)，则颈部可以在加工过程中被以充分稳定的方式夹持住。可以确保夹持力足够承受在磨削磁芯内表面和类似区域时施加的机械作用力，并且能够承受偏转轭磁芯的重量，以防止磁芯落下或者出现碎裂或裂缝。其结果是，可以以高级别的精度和稳定性加工偏转轭磁芯的内表面和类似区域，从而提高在将偏转而磁芯安装在阴极射线管上时的定位精度，最终可以获得能够在阴极射线管中精确控制电子束并且具高级别的偏折灵敏度的偏转轭。只要颈部沿磁芯轴线的长度B等于或大于5mm并且等于或小于(A/2)mm，就不会出现与发热和磁饱和有关的问题。

一旦颈部沿磁芯轴线的长度B超过了(A/2)mm，则锥部的截面积就会变得太小，从而导致与发热和磁饱和有关的问题。

下面参照附图解释本发明的其他目的、结构特征和优点。附图仅以实例的形式提供。

            附图简述

图1是根据本发明的一种偏转轭磁芯的俯视图；

图2是图1所示偏转轭磁芯的正视图；

图3是沿短轴X所作剖示图(θ＝0°)；

图4是沿穿过磁芯轴线O1的长轴Y所作剖示图(θ＝90°)；

图5是沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ所作剖示图；

图6是现有技术的偏转轭磁芯所获得的芯内磁通密度特性曲线图；

图7是利用根据本发明的偏转轭磁芯构造的偏转轭磁芯的芯内磁通密度特性曲线图；

图8是沿短轴X所作剖示图(θ＝0°)；

图9是沿穿过磁芯轴线O1的长轴Y所作剖示图(θ＝90°)；

图10是沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ所作剖示图；

图11中示出了一个可以用于制造图1和2所示偏转轭磁芯的模制步骤的实例；

图12中示出了一个在图11所示步骤之后执行的模制步骤；

图13中示出了一个用于制造图1和2所示偏转轭磁芯的模制步骤的实例；

图14中示出了一个在图13所示步骤之后执行的模制步骤；

图15是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图16是图15所示偏转轭磁芯的仰视图；

图17是沿着图15中的线17-17所作的局部放大剖视图；

图18是沿着图15中的线18-18所作的局部放大剖视图；

图19是利用图15至18中的偏转轭磁芯构造的偏转轭的俯视图；

图20是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图21是图20所示偏转轭磁芯的正视图；

图22是图20所示偏转轭磁芯的剖视图；

图23是图20所示偏转轭磁芯的侧向放大剖视图；

图24是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图25是图24所示偏转轭磁芯的正视图；

图26是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图27是图26所示偏转轭磁芯的仰视图；

图28是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图29是图28所示偏转轭磁芯的仰视图；

图30是图28所示偏转轭磁芯的俯视图；

图31是沿着图28中的线31-31所作剖示图；

图32是沿着图28中的线32-32所作的局部放大剖视图；

图33是现有技术的偏转轭磁芯所展现的磁芯密度特性曲线图；

图34是根据本发明的偏转轭磁芯所获得的磁芯密度特性曲线图；

图35中示出了一个用于制造图28至32所示偏转轭磁芯的模制步骤的实例；

图36中示出了一个在图35所示步骤之后执行的模制步骤；

图37中示出了一个在图36所示步骤之后执行的模制步骤；

图38是用于解释执行图37所示步骤所获得的优点的局部放大剖视图；

图39是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图40是图39所示偏转轭磁芯的仰视图；

图41是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图42是图41所示偏转轭磁芯的仰视图；

图43是图41和42所示偏转轭磁芯的俯视图；

图44是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图45是图44所示偏转轭磁芯的仰视图；

图46是图44和45所示偏转轭磁芯的俯视图；

图47是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图48是图47所示偏转轭磁芯的仰视图；

图49是图47和48所示偏转轭磁芯的俯视图；

图50是沿着图47中的短轴X所作剖示图；

图51是沿着图47中的线51-51所作剖示图；

图52是通过分割图47至51所示偏转轭磁芯而获得的磁芯件的仰视图；

图53是用于解释图52中的磁芯件通过夹子而相连时的状态的仰视图；

图54是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图55是图54所示偏转轭磁芯的俯视图；

图56是沿着图54中的线56-56所作剖示图；

图57是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图58是图57所示偏转轭磁芯的俯视图；

图59是沿着图57中的线59-59所作剖示图；

图60是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图61是图60所示偏转轭磁芯的仰视图；

图62是图60所示偏转轭磁芯的俯视图；

图63是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图64是图63所示偏转轭磁芯的仰视图；

图65是图63所示偏转轭磁芯的俯视图；

图66是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图67是图66所示偏转轭磁芯的正视图；

图68是图66和67所示偏转轭磁芯的正向剖视图；

图69中示意性示出了由图66至68所示偏转轭磁芯构造的偏转轭安装在阴极射线管中时的状态；

图70中示出了图66至68所示偏转轭磁芯与电子枪之间的关系；

图71是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图72是图71中的偏转轭磁芯沿长轴Y所作剖示图；

图73是图71中的偏转轭磁芯沿短轴X所作剖示图；

图74是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图75是图74所示偏转轭磁芯的仰视图；

图76是沿着图74中的线76-76所作的局部放大剖视图；

图77是沿着图74中的线77-77所作的局部放大剖视图；

图78中示出了一个用于制造图74至77所示偏转轭磁芯的模制步骤；

图79中示出了一个在图78所示步骤之后执行的模制步骤；

图80中示出了一个在图79所示步骤之后执行的模制步骤；

图81是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图82是图81所示偏转轭磁芯的正视图；

图83是图81和82所示偏转轭磁芯的正向剖视图；

图84中示出了一种用于在制造图81至83所示的偏转轭磁芯时研磨孔的内表面的方法；

图85中也示出了这种用于在制造图81至83所示的偏转轭磁芯时研磨孔的内表面的方法；

图86是图81至83所示的偏转轭磁芯的外周表面在锥部处被研磨时的实例的俯视图；

图87中示意性示出了由图81至83所示偏转轭磁芯构造的偏转轭安装在阴极射线管中时的状态；

图88是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图89是图88所示偏转轭磁芯的正向剖视图；

图90是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图91是图90所示偏转轭磁芯的仰视图；

图92是用于解释另一种用于研磨偏转轭磁芯的方法的剖视图；

图93是示意性解释一种用于研磨锥部内表面的方法的俯视图；

图94是示意性解释这种用于研磨锥部内表面的方法的剖视图；

图95是用于解释另一种用于研磨偏转轭磁芯的方法的剖视图；

图96中示出了偏转轭磁芯的另一个实施例；

图97是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图98是图97所示偏转轭磁芯的正视图；

图99是图97和98所示偏转轭磁芯的剖视图；

图100中示意性示出了利用根据本发明的偏转轭磁芯构造的偏转轭安装在阴极射线管中时的状态；

图101中示出了在隔离器和偏转轭磁芯组装时将达到的关系；

图102是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图103是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图104是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图105中示出了在偏转轭磁芯、隔离器和阴极射线管组装时将达到的关系；

图106是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图；

图107是图106所示偏转轭磁芯的仰视图；

图108是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图；

图109是图108所示偏转轭磁芯的俯视图；

图110是图108所示偏转轭磁芯的正向剖视图；

图111是用于解释图108至110所示偏转轭磁芯被加工机械的夹持件夹持时的正视图；

图112是图111所示夹持状态的仰视图。

          本发明的最佳实施方式

图1是一种根据本发明的偏转轭磁芯的俯视图，图2是图1所示偏转轭磁芯的正视图。偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部3的开口端延伸到锥部1的开口端的孔2。锥部1处的孔2向着锥部1的开口端加宽。

锥部1的开口端处的外形具有沿短轴X的短直径Dx1和沿长轴Y的长直径Dy1。沿短轴X的短直径Dx1与沿长轴Y的长直径Dy1之间的关系表示为Dy1＞Dx1。具体地讲，锥部1的外形为一个带弧形边的四边形，即带圆角的四边形，其具有在短轴X方向上彼此面对着的两条边，这两条边长于在长轴Y方向上彼此面对着的两条边。或者，外形也可以是椭圆形或类似形状。形成在锥部1中的孔2的形状也可以改变，以符合锥部1处采用的外形。

颈部3的外形和形成在颈部3处的孔2的形状可以是圆形的，或者也可以采用与锥部1相同的形状。短轴X和长轴Y穿过轴线O1并且彼此以直角相交。

在上面描述的结构中，在从穿过磁芯轴线O1的短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大。短轴X穿过磁芯轴线O1的位置对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置。

图3是沿0°角所在平面即沿着短轴X所作的剖视图，图4是沿着穿过磁芯轴线O1的长轴Y所作的剖视图(θ＝90°)，图5是沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ所作的剖视图。如图中所示，沿短轴X所取的磁芯截面积S01(见图3)、沿长轴Y所取并且穿过磁芯轴线O1的磁芯截面积S02和沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ所取的磁芯截面积S03具有以下关系：S03＞S02＞S01。

在本实施例中，颈部3处的孔2具有圆形形状，锥体1的内表面连续延伸到颈部3的内表面，而且孔2向着锥部1处的开口端加宽。因此，相对于角度θ而言，从颈部3处的孔2至锥部1的开口端的距离在绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°的角度范围内最大。这意味着当角度θ在30°至65°的角度范围内时，磁芯截面积最大。在本实施例中，除了能够通过采用上面描述的结构而增大截面积以外，当角度θ在30°至65°的角度范围内时，锥部1的厚度也会增加，从而进一步增大磁芯截面积。通过比较图3至5，可以清楚查明这一特点。

此外，两个凹槽9和11沿着短轴X的方向设在外周表面上，而分割槽13和15设在凹槽9和11之间。分割槽13和15分别形成在短轴X上并且为V形。

由前面描述的偏转轭磁芯构成的偏转轭可以这样组装，即沿着分割槽13和15分割偏转轭磁芯，装入一个垂直偏转线圈和一个水平偏转线圈，再将分割的磁芯件重新装配起来。水平偏转线圈的设置可以确保芯内磁通密度在形成了分割槽13和15的短轴X处最低。垂直偏转线圈产生垂直偏转磁场，该磁场与水平偏转线圈产生的水平偏转磁场以直角相交。两个磁芯件通过钩挂在凹槽9和11之间的区域中的夹子(未示出)而相连。

图6是现有技术的偏转轭磁芯所获得的芯内磁通密度特性曲线图，其中锥部和颈部均成型为圆形。在图6中，横轴表示角度(°)，纵轴表示芯内磁通密度(mT)。沿横轴的角度(°)表示从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1所取的角度值。曲线B11表示水平偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线，曲线B12表示垂直偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线，曲线B13表示水平偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线B11和垂直偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线B12合并而产生的组合芯内磁通密度特性曲线。

如图6所示，在利用由现有技术的偏转轭磁芯构造的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，由于磁芯轴线周围的磁芯截面积基本上保持恒定，因此磁芯内的组合磁场密度不会达到一致，如特征曲线B13所示。

具体地讲，当绕着磁芯轴线O1所取的角度接近30°时，组合磁通密度急剧增加，并在40°角度处到达最大值，即超过150(mT)的级别。这意味着，如果偏转轭磁芯是由在其操作温度下的饱和芯内磁通密度为大约150(mT)的材料制成的，则出现在40°角度附近的磁饱和会导致像平面失真。根据本发明，磁芯截面积在等于或超过30°的角度范围内增大，因此可以防止这种磁饱和。

虽然芯内磁通密度在角度超过40°后会下降，但在角度到达65°之前仍保持相当高。此外，在由形成于锥部1的开口端外形上的沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径构成的一个四边形中，如果锥部1的开口端处的沿长轴Y的长直径与沿短轴X的短直径之比设置为4∶3，以与标准阴极射线管的形状相符，则连接着一个角部和磁芯轴线O1的直线与短直径之间的夹角为大约53°。

在由锥部1的开口端外形上的沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径构成的一个四边形中，如果锥部1的开口端处的沿长轴Y的长直径与沿短轴X的短直径之比设置为16∶9，以与阴极射线管经常采用的另一种形状相符，则连接着一个角部和磁芯轴线O1的直线与短直径之间的夹角为大约60.6°。

在这样的偏转轭磁芯中，合理的结构是在相对于短轴X处的0°基准角转到53°角或60.6°角处达到最大磁芯截面积。此外，为了满足实际应用中的所需界限，需要确保磁芯截面积直至65°均不能出现磁饱和。

出于这些原因，本发明可以确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大。

图7是利用根据本发明的偏转轭磁芯构造的偏转轭芯的内磁通密度特性曲线图。在图7中，横轴表示角度(°)，纵轴表示芯内磁通密度(mT)。角度(°)表示从穿过磁芯轴线O1的短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1所取的角度值。曲线B21表示水平偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线，曲线B22表示垂直偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线，曲线B23表示水平偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线B21和垂直偏转磁场所致芯内磁通密度特性曲线B22合并而产生的组合芯内磁通密度特性曲线。

如图7中的组合磁通密度特性曲线B23清楚地显示，根据本发明的组合磁通密度不会上升，而是平坦的，即使是在能够导致现有技术中的组合磁通密度显著增加的30°至65°角度范围内。因此，根据本发明，可以在整个磁芯内获得芯内磁通密度的一致性，以防止出现局部磁饱和。

另外，由于组合磁通密度的最大值从未超过140(mT)，如图7所示，因此即使偏转轭磁芯是由在其操作温度下的饱和芯内磁通密度为大约150(mT)的材料制成的，也不会出现磁饱和。此外，由于磁芯不需要包含任何多余的、在现有技术中仅仅为了防止磁饱和而添加的附加部分，因此采用本发明还可以导致磁芯重量降低、使磁芯最小化并且降低制造成本。

另一种用于防止图1和2所示的偏转轭磁芯出现磁饱和的措施是这样设置的，即在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，确保在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的截面积内的磁芯密度最高。短轴X穿过磁芯轴线O1的位置对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置。

图8是沿0°角所在平面即沿着短轴X所作的剖视图，图9是沿着穿过磁芯轴线O1的长轴Y所作的剖视图(θ＝90°)，图10是沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ所作的剖视图。

在这些图中，在沿短轴X所取的磁芯截面积S01中的磁芯密度D01、在沿长轴Y所取并且穿过磁芯轴线O1的磁芯截面积S02中的磁芯密度D02和在沿着设在30°至65°角度范围内的平面Xθ上所取的磁芯截面积S03中的磁芯密度D03具有以下关系：D03＞D02＞D01。利用特定的方法在模制成型过程中对材料进行加载，可以控制这些位于磁芯截面积S01至S03中的磁芯密度D01至D03。磁芯的厚度可以在各个截面积上保持基本相同，或者可以在不同的磁芯截面积上有所变化。

在本实施例中，颈部3处的孔2具有圆形形状，锥体1的内表面连续延伸到颈部3的内表面，而且孔2向着一个开口端面S1加宽。其结果是，相对于绕着磁芯轴线O1所取角度θ而言，从颈部3处的孔2至锥部1的开口端内边缘的距离在30°至65°的角度范围内最大。因此，在30°至65°的角度范围内，磁芯截面积最大。

如前面参照图6所作详细解释，如果偏转轭是由穿过磁芯轴线的磁芯截面积基本上保持恒定的偏转轭磁芯构造的，则由偏转轭中产生的垂直偏转磁场和水平偏转磁场所产生并由特性曲线B13表示的组合磁通密度不会在磁芯内达到一致。

具体地讲，当绕着磁芯轴线O1所取的角度接近30°时，组合磁通密度急剧增加，并在40°角度处到达最大值，即超过150(mT)的级别。这意味着，如果偏转轭磁芯是由在其操作温度下的饱和芯内磁通密度为大约150(mT)的材料制成的，则出现在40°角度附近的磁饱和会导致像平面失真。根据本发明，磁芯密度在等于或超过30°的角度范围内会增大，因此可以防止这种磁饱和。

虽然芯内磁通密度在角度超过40°后会下降，但在角度到达65°之前仍保持相当高。此外，在由锥部1的开口端外形上的沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径构成的一个四边形中，如果锥部1的开口端处的沿长轴Y的长直径与沿短轴X的短直径之比设置为4∶3，以与标准阴极射线管的形状相符，则连接着一个角部和磁芯轴线O1的直线与短直径之间的夹角为53°。

在由形成于锥部1的开口端外形上的沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径构成的一个四边形中，如果锥部1的开口端处的沿长轴Y的长直径与沿短轴X的短直径之比设置为16∶9，以与阴极射线管经常采用的另一种形状相符，则连接着一个角部和磁芯轴线O1的直线与短直径之间的夹角为60.6°。

在制作这样的偏转轭磁芯时，合理的结构是在相对于短轴X处的0°基准角转过了53°角或60.6°角处达到最大磁芯密度。此外，为了满足实际应用中的所需界限，需要确保磁芯密度直至65°均不能出现磁饱和。

出于这些原因，本发明可以确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的截面积中的磁芯密度最大。

多种方法中的任何一种均可以用于改变磁芯轴线O1周围的磁芯密度，如前所述。这些方法的一个实例显示于图11至14中。图11至14所示的方法可以在利用铁氧体粉末模制偏转轭磁芯的标准应用场合中采用。

图11和12中示出了沿图1中的短轴X方向看时的模制过程，图中略去了一些不必要的细节。首先，如图11所示，铁磁体粉末33被充入一个由下模29、39、41和43组合而形成的模腔35中。磁性粉末33中的位于单点划线下方的区域表示最终获得的模制区域，位于单点划线上方的区域表示将在模制过程中被压缩的压缩区域S7。

一个上模31沿着箭头F1所示方向向下移动，以与下模29、39、41和43互锁，因此而将磁性粉末33压缩。其结果是，图11中的压缩区域S7被压缩，如图12所示，从而模制出一个具有锥部1和颈部3的偏转轭磁芯。

图13和14中示出了沿图1中的设置为65°的θ角方向看时的模制过程。如图13所示，被充入模腔35中的磁性粉末33中的位于单点划线下方的区域表示最终获得的模制区域，位于单点划线上方的区域表示将在模制过程中被压缩的压缩区域S8。该压缩区域S8大于沿图1中的短轴X方向看时的压缩区域S7(见图11)。因此，通过上模31沿着箭头F1所示方向向下移动，以与下模29、39、41和43互锁并压缩将磁性粉末33，从而如图14所示模制出一个具有锥部1和颈部3的偏转轭磁芯，偏转轭磁芯的磁芯密度可以提高。

如前面所解释，偏转轭磁芯在组合偏转磁场所致磁通密度增大的30°至65°的角度范围内获得最高磁芯密度，因此可以防止在组合偏转磁场所致磁通密度很高的30°至65°角度范围内出现磁饱和(见图1)。

另外，在不改变磁芯形状的情况下，可以通过提高组合偏转磁场所致磁通密度较高的区域中的磁芯密度而防止出现磁饱和。换言之，由于磁芯不需要包含任何多余的、但在现有技术中为防止磁饱和而添加的部分，因此采用本发明还可以导致磁芯重量降低、使磁芯最小化并且降低制造成本。

图11至14中简要示出了一种能够提高磁芯密度的模制方法。显然，根据本发明的偏转轭磁芯也可以利用除了这个实例中所示的方法之外的方法模制。

在图1和2所示的实施例中，磁芯设有分割槽13和15，它们沿着磁芯轴线O1的方向延伸，并大致位于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的短轴X上。因此，因存在分割槽13和15而对水平偏转磁场这一高频磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

在采用了将分割槽13和15设在外周表面和内周表面上的彼此面对着的位置上的结构后，可以容易地分割开通过铁氧体模制而形成的磁芯。另外，通过将分割槽13和15成型为V形，可以更容易地分割磁芯。

图15是一种根据本发明的偏转轭磁芯的俯视图，图16是图15所示偏转轭磁芯的仰视图，图17是沿着图15中的线17-17所作的端面放大剖视图，图18是沿着图15中的线18-18所作的端面放大剖视图。锥部1在开口端的外形为一个带圆角的四边形，即带弧形边的大致四边形，其具有在短轴X方向上彼此面对着的两条边，这两条边长于在长轴Y方向上彼此面对着的两条边。

在本实施例中，同样是在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大。短轴X穿过磁芯轴线O1的位置对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的直径位置。

图中所示的偏转轭磁芯包括多个沿着颈部3至锥部1的内表面以径向模式设置的凸出部分21和23，在多个凸出部分21之间和多个凸出部分23之间分别形成了多个槽251和252，如图17和18中的端面放大图所示。凸出部分21设在锥部1的内表面上。凸出部分23设在颈部3的内表面上并通过一个隔离部分27而与凸出部分21相隔。

图19中示出了利用图15至18中的偏转轭磁芯构造的偏转轭的俯视图。如图19所示，偏转线圈19中的垂直偏转线圈通过隔离部分27安置在被隔离的凸出部分21和13之间，如图19所示(也见图15至18)。尽管未示出，但偏转轭中还设有水平偏转线圈。

由于槽251和252设在凸出部分21和21之间和凸出部分23和23之间，因此偏转线圈19可以缠绕在形成于凸出部分21和21之间和凸出部分23和23之间的槽251和252中，以确保偏转线圈19不会错位。

另外，由于在本实施例中锥部1的外形为大致矩形，因此偏转灵敏度可以有效地提高，与此同时，通过将线圈设置在形成于凸出部分21和21之间和凸出部分23和23之间的槽251和252中，可以以高效率会聚磁通，从而进一步提高偏转灵敏度。

此外，由于颈部3处的凸出部分23与锥部1的凸出部分21通过隔离部分27彼此相隔，因此可以以径向模式和非径向模式调节偏转线圈19的分布，从而便于在偏转轭组装后校正失真和失聚。

在本实施例中，锥部1的凸出部分21的数量等于或大于颈部3处的凸出部分23的数量。通过这种结构，一部分设置在多个形成于颈部3的凸出部分23和23之间的槽252中的垂直偏转线圈可以在隔离部分27处分支出来，以将分支部分设置在形成预锥部1中的多个槽251中。因此，垂直偏转线圈在锥部中的定位方案可以与颈部中的定位方案不同，从而为定位方案提供高级别的自由度。这一点在偏转轭设计时是极为理想的。

在本实施例中，同样是在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的截面积中的磁芯密度最大。短轴X穿过磁芯轴线O1的位置对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的直径位置。

下面参照图1和2作进一步解释。在图1和2所示的实施例中，分割槽13和15沿着磁芯轴线O1的方向大致设在水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的短轴X上。短轴X对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的直径，而长轴Y对应于水平偏转磁场所致磁通密度最高的直径。

在现有技术中，分割槽设在主轴Y上，这意味着根据本发明的分割槽13和15的位置从现有技术中所采用的位置偏移了大约90°。在图1和2中，两个凹槽9和11沿着短轴X的方向设在外周表面上，而分割槽13和15设在凹槽9和11之间，位于短轴X上的分割槽13和15分别是V形的。

由上面描述的偏转轭磁芯构造的偏转轭可以这样组装，即沿着分割槽13和15分割偏转轭磁芯，装入一个垂直偏转线圈和一个水平偏转线圈，再将分割的磁芯件重新装配起来。水平偏转线圈的设置可以确保芯内磁通密度在形成了分割槽13和15的短轴X处最低。垂直偏转线圈产生垂直偏转磁场，该磁场与水平偏转线圈产生的水平偏转磁场以直角相交。两个磁芯件通过钩挂在凹槽9和11之间的区域中的夹子(未示出)而相连。

由于分割槽13和15大致设在水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的短轴X上，因此，因存在分割槽13和15而对水平偏转磁场这一高频磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

分割槽13和15设在外周表面和内周表面上的彼此面对着的位置上。通过采用这种结构，可以容易地分割开通过磁性粉末模制例如铁氧体模制而形成的磁芯。另外，通过将分割槽13和15成型为V形，可以更容易地分割磁芯。

图20是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图21是图20所示偏转轭磁芯的正视图，图22是沿着图20中的短轴X所作的剖视图，图23是图20的侧向放大剖视图。在这些图中，以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件。在本实施例中，颈部3被成型为椭圆形并具有沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径，这两个直径分别与锥部1处的沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径对齐。这种偏转轭磁芯适于用在具有以一字排列式结构与三原色相对应的三个电子枪的彩电图像接收器中。颈部3中的孔2可以是圆形的。

锥部1在其开口端呈现为一个带圆角的四边形，即带弧形边的大致四边形，其具有在短轴X方向上彼此面对着的两条边，这两条边长于在长轴Y方向上彼此面对着的两条边，这与图1和2所示的实施例一样。或者，外形也可以是椭圆形或类似形状。形成在锥部1中的孔2的形状也可以改变，以符合锥部1处采用的外形。

颈部3的外形和形成在颈部3处的孔2的形状可以是圆形，或者也可以采用与锥部1相同的形状。短轴X和长轴Y穿过轴线O1并且彼此以直角相交。

在毗邻短轴X的磁芯表面上，设有沿着磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15。在本实施例中，分割槽12至15直线延伸并且敞开于颈部3的开口端边缘上。另外，分割槽12至15设在外周表面和内周表面上的彼此面对着的位置上。分割槽12至15分别被成型为V形。它们的深度d1和宽度W1(见图23)可以均被设置为例如大约1mm。

设在外周表面上的分割槽12和设在内周表面上的分割槽13被成型得通过一个设在颈部3的开口端面上的连接槽而彼此连接着。设在外周表面上的分割槽15和设在内周表面上的分割槽14也被成型得通过一个设在颈部3的开口端面上的连接槽而彼此连接着。然而，也可以与图中的分割槽不同，即分割槽12和分割槽13不是必须彼此相连。同样，分割槽14和分割槽15也不是必须彼此相连。

在本实施例中，凹槽9和11设在每个分割槽12至15的两侧，从而沿着分割槽12至15形成在外周表面上。

如前面所解释，在利用由偏转轭磁芯构成的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，水平偏转磁场所致磁通密度B11在与0°基准角相对应的短轴X附近呈现出最低值。

在本发明的实施例中，沿磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15大致设在水平偏转磁场所致磁通密度最低的短轴X上。其结果是，因存在分割槽12至15而对水平偏转磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

由于在本实施例中分割槽12至15直线延伸并且敞开于颈部3的开口端边缘上，因此由诸如铁氧体粉末或磁性金属粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯可以光滑地脱模。

另外，由于分割槽12至15设在外周表面和内周表面上的彼此面对着的位置上，因此由磁性粉末模制成型出的磁芯可以容易地分割开。此外，由于设在外周表面上的分割槽12(15)和设在内周表面上的分割槽13(14)被制作得通过一个形成在颈部3的开口端面上的连接槽而彼此相连，因此磁芯可以更容易地分割开。通过将分割槽12至15成型为V形，可以进一步方便磁芯的分割。

图24是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图25是图24所示偏转轭磁芯的正视图。在本实施例中，锥部1和颈部3均被成型为椭圆形的形状。通过将分割槽12至15大致设在水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的短轴X上，可以实现磁芯损耗和磁芯处产生的热量的降低。

图26是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图27是图26所示偏转轭磁芯的仰视图。由于图26和27中的偏转轭磁芯所采用的基本结构与图15至18所示的相同，因此重复解释被略去。另外，由于图26和27中的偏转轭磁芯的优点与图15至18所示的相同，因此重复解释被略去。

图26和27中的应当指出的特点是，分割槽12至15形成在短轴X上或附近。通过采用这种结构，因存在分割槽12至15而对水平偏转磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

如前所述，由于前面参照图15至18作过解释，不需要再对图26和27所示的偏转轭磁芯的优点进行重复解释。另外，在利用由图20至27所示的任何一种偏转轭磁芯和偏转线圈构成的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，通过确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大，可以防止磁饱和，如前面所解释。

图28是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图29是图28所示偏转轭磁芯的仰视图，图30是图28所示偏转轭磁芯的俯视图。另外，图31是沿着图28中的线31-31所作的剖视图，图32是沿着图28中的线32-32所作的放大剖视图。由于在图28和29所示的偏转轭磁芯中，颈部3和锥部1处的开口端被成型为与图1和2中的实施例相同的形状，因此以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件，并且不需要再对它们重复解释。

图中的偏转轭磁芯在外周表面6上毗邻短轴X设有至少一个第一凹入部分81至84。第一凹入部分的数量可以是任意的。第一凹入部分81至84毗邻短轴X设在外周表面6上。具体地讲，第一凹入部分81至84在短轴X的两端设在外周表面6上。更具体地讲，第一凹入部分81至84中的第一凹入部分81和82在短轴X的一端设在外周表面6上，而第一凹入部分83和84在短轴X的另一端设在外周表面6上。

另外，在本实施例中，第一凹入部分81和82在短轴X的一端彼此相隔着一段距离形成在外周表面6上。同样，第一凹入部分83和84在短轴X的另一端彼此相隔着一段距离形成在外周表面6上。

图中的第一凹入部分81至84形成为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。这些槽敞开在构成了颈部3的外边缘的开口端边缘72上。第一凹入部分81至84分别由一个槽构成，该槽可以具有例如2mm的宽度d2和4mm的宽度W2(见图32)。

图中的偏转轭磁芯在外周表面6上毗邻长轴Y设有至少一个第二凹入部分91或92。第二凹入部分的数量可以是任意的。第二凹入部分毗邻长轴Y设在外周表面6上。在本实施例中，第二凹入部分91和92在长轴Y的两端设在外周表面6上。

具体地讲，第二凹入部分91和92中的第二凹入部分91在长轴Y的一端设在外周表面6上，而第二凹入部分92在长轴Y的另一端设在外周表面6上。图中的第二凹入部分91和92形成为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。这些槽敞开在构成了颈部3的外边缘的开口端边缘72上。

根据本发明的偏转轭磁芯包括形成在外周表面6上的第一凹入部分81至84。因此，在利用磁性粉末如铁氧体粉末通过压缩而模制成型偏转轭磁芯时，带有与第一凹入部分81至84相对应的凸出部分的成型模具可以在模制成型过程中利用凸出部分压缩磁性粉末，以使位于与凸出部分相对应的第一凹入部分81至84周围的磁芯密度增大。

另外，由于第一凹入部分81至84毗邻短轴X设在外周表面6上，因此毗邻短轴X的磁芯密度最终会增大。其结果是，毗邻短轴X的磁芯强度会升高，从而防止磁芯出现碎裂。

此外，由于毗邻短轴X的磁芯密度会增大，如前所述，因此可以获得更均匀的磁芯密度分布。因此，根据本发明的偏转轭磁芯在烧制过程中可以均匀收缩，并且不容易变形。

本实施例中的偏转轭磁芯包括毗邻长轴Y形成在外周表面6上的第二凹入部分91和92。其结果是，第二凹入部分91和92附近的磁芯密度也象第一凹入部分81至84附近那样会增大，从而提高了毗邻长轴Y的磁芯密度。因此，在本实施例中可以获得更均匀的磁芯密度分布，从而进一步减小在烧制过程中出现变形的可能性。

图33中示出了一个现有技术实例中的偏转轭磁芯所展现的磁芯密度特性曲线。在这个偏转轭磁芯中，颈部的外形是圆形的。在图33中，横轴表示角度(°)，纵轴表示芯磁芯密度。横轴上的角度(°)表示从短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线所取的角度值。曲线U10表示这个现有技术实例中的磁芯密度特性曲线。

如图中所示，在这种具有沿短轴X的短直径和沿长轴Y的长直径的现有技术偏转轭磁芯中，会因成型模具的结构而导致毗邻短轴X的磁芯密度较低。具体地讲，毗邻短轴X的磁芯密度显著低于毗邻对角线P的磁芯密度。另外，毗邻长轴Y的磁芯密度也略低于毗邻对角线P的磁芯密度。

图34中示出了图28至32所示的偏转轭磁芯所获得的磁芯密度特性曲线图，其中横轴表示角度(°)，纵轴表示芯磁芯密度。曲线U11表示本实施例所获得的磁芯密度特性曲线，而虚线曲线U10表示图33所示的现有技术特性曲线。

如图34所示，在本实施例的偏转轭磁芯中，毗邻短轴X的磁芯密度明显更高。其结果是，可以获得更均匀的磁芯密度。另外，毗邻长轴Y的磁芯密度也略微更高。这将导致更均匀的磁芯密度。

根据本发明的偏转轭磁芯通常是利用磁性粉末通过图35至38所示的模制成型过程成型的。

图35是沿着图28中的短轴X所作的剖视图。在本图中，下模29、39、41和43组合起来而形成一个模腔35。一个伸向模腔35中的凸出部分40形成在下模39中。凸出部分40沿着磁芯轴线O1的方向直线延伸。

图36中示出了一个在图35所示步骤之后执行的模制步骤，并且是沿着图28中的短轴X所作的剖视图。如图36所示，磁性粉末33被充入模腔35中。磁性粉末可以是，例如铁氧体粉末。磁性粉末33中的位于单点划线下方的区域表示最终获得的模制区域，位于单点划线上方的区域表示将在模制过程中被压缩的压缩区域S7。

图37中示出了一个在图36所示步骤之后执行的模制步骤，并且是沿着图28中的短轴X所作的剖视图。图38是沿着图28中的线32-32所作的放大剖视图。

如图37所示，一个上模31沿着箭头F1所示方向向下移动，以与下模29、39、41和43互锁，因此而将磁性粉末33压缩。此时，压缩力f1从下模39的凸出部分40施加到磁性粉末33上，如图38所示，从而导致凸出部分40周围的磁性粉末被压缩。因此，第一凹入部分81至84附近的磁芯密度会增大。此外，由于第一凹入部分81至84设在短轴X附近，因此根据本发明的偏转轭磁芯中的毗邻短轴X的磁芯密度会增大。

在本实施例中，第一凹入部分81至84分别被制作成沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。通过采用这种模式，在模制成型后，由磁性粉末或类似物模制成型出的偏转轭磁芯可以沿着磁芯轴线O1(管轴线)的方向容易地脱模。

图35至38所示的模制成型过程只展示了一个实例，显然，根据本发明的偏转轭磁芯也可以通过除此之外的其他方法模制成型。

图39是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图40是图39所示偏转轭磁芯的仰视图。在本实施例中，两个第一凹入部分81和83毗邻短轴X设在外周表面6上。

具体地讲，第一凹入部分81和83在短轴X的两端设在外周表面6上。更具体地讲，第一凹入部分81在短轴X的一端设在外周表面6上，而第一凹入部分83在短轴X的另一端设在外周表面6上。在本实施例中，毗邻短轴X的磁芯密度同样会增大。

第一凹入部分81和83的底表面被成型为曲面形状，以与孔2的形状相符。因此，第一凹入部分81和83的底表面与孔2之间的磁芯厚度保持恒定。对于第二凹入部分91和92的底表面，也可采用相同的结构。

或者，第一凹入部分81和83的底表面也可以分别局部构造为平行于磁芯轴线O1的平坦表面。在这种情况下，平行于磁芯轴线O1的平坦表面可以被用作基准面，以便于将偏转轭磁芯的磁芯轴线O1与阴极射线管的射线管轴线对齐。这样，可以容易地将偏转轭磁芯相对于阴极射线管精确定位。相同的原理也可以应用在第二凹入部分91和92的底表面上。

图41是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图42是图41所示偏转轭磁芯的仰视图，图43是图41和42所示偏转轭磁芯的俯视图。在本实施例中，颈部3的开口端处的外形具有沿短轴X的短直径Dx2和沿长轴Y的长直径Dy2。短轴X和长轴Y穿过轴线O1并且彼此以直角相交。沿短轴X的短直径Dx2与沿长轴Y的长直径Dy2之间的关系表示为Dy2＞Dx2。具体地讲，颈部3在其开口端的外形为一个椭圆形。或者，该外形也可以是大致矩形或椭圆形。

形成在锥部1和颈部3中的孔2的形状与外形相符。更具体地讲，孔2被加宽，以使颈部3处的椭圆型形状变成锥部1处的四边形形状。

第一凹入部分81至84毗邻短轴X设置，第二凹入部分91和92毗邻长轴Y设置。第一凹入部分81至84和第二凹入部分91和92的定位采用了与图28和29中相同的方案。在图41至43所示的实施例中，毗邻短轴X的磁芯密度同样会增大。其结果是，可以获得更均匀的磁芯密度。另外，毗邻长轴Y的磁芯密度也略微更高，从而导致更均匀的磁芯密度。

图44是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图45是图44所示偏转轭磁芯的仰视图，图46是图44和45所示偏转轭磁芯的俯视图。图中的偏转轭磁芯的基本结构与图15至18所示的偏转轭磁芯基本相同。因此对基本结构和所产生优点的重复解释被略去。

在本实施例中，同样是将第一凹入部分81至84毗邻短轴X设在外周表面6上。其结果是，可以防止磁芯碎裂，而且在烧制过程中更不易出现变形，这与参照图28至32所解释的实施例相同。

在本实施例中，同样是将第一凹入部分81至84在短轴X的两端设在外周表面6上。具体地讲，第一凹入部分81至84中的第一凹入部分81和82在短轴X的一端设在外周表面6上，而第一凹入部分83和84在短轴X的另一端设在外周表面6上。

另外，第一凹入部分81和82在短轴X的一端彼此相隔着一段距离形成在外周表面6上。同样，第一凹入部分83和84在短轴X的另一端彼此相隔着一段距离形成在外周表面6上。第一凹入部分81至84形成为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。

另外，在本实施例中，同样是将第二凹入部分91和92毗邻长轴Y设在外周表面6上。第二凹入部分91和92在长轴Y的两端设在外周表面6上。具体地讲，第二凹入部分91在长轴Y的一端设在外周表面6上，而第二凹入部分92在长轴Y的另一端设在外周表面6上。第二凹入部分91和92形成为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。

另外，在利用由图28至46所示任何一种偏转轭磁芯和偏转线圈构成的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，通过确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大，可以防止磁饱和，如前面所解释。

图47是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图48是图47所示偏转轭磁芯的仰视图，图49是图47所示偏转轭磁芯的俯视图。图50是沿着图47中的短轴X所作的剖视图，图51是沿着图47中的线51-51所作的剖视图。在这些图中，以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件，因而不必再对它们进行重复解释。

在这些图中，沿磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15大致在短轴X上设在磁芯表面上。这些磁芯表面包括一个外周表面6和一个内周表面8。短轴X的位置对应于水平偏转磁场所致芯内磁通密度最低的位置，而长轴Y的位置对应于水平偏转磁场所致磁通密度最高的位置。根据本发明，夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。

具体地讲，在本实施例中，夹持槽81至84在短轴X的一端和另一端设在外周表面6上。更具体地讲，夹持槽81和82在短轴X的两侧并在短轴X的一端设在外周表面6上，而夹持槽83和84在短轴X的两侧并在短轴X的另一端设在外周表面6上。图中的夹持槽81至84分别形成为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。夹持槽81至84被制作得敞开在构成颈部3的外边缘的开口端边缘上。夹持槽81至84可以具有例如2mm的宽度d2和4mm的宽度W2。

可以这样利用上面描述的偏转轭磁芯制作偏转轭，即首先沿着分割槽12至15分割偏转轭磁芯，如图52所示，以将偏转轭磁芯分割为磁芯件51和52。

之后，在将磁芯件51和52装配到一起之前，将一个隔离器、一个垂直偏转线圈和一个水平偏转线圈装到磁芯件51和52上。水平偏转线圈的设置可以确保芯内磁通密度在设有分割槽12至15的短轴X处最低。垂直偏转线圈产生垂直偏转磁场，该磁场与水平偏转线圈产生的水平偏转磁场以直角相交。水平偏转线圈和垂直偏转线圈可以分别构造为鞍形线圈。

通过将一个夹子97钩挂在夹持槽81和82之间的区域中，并将另一个架子98钩挂在夹持槽83和84之间的区域中，可以将磁芯件51和52装配到一起，如图53所示。应当指出，在图53中略去了隔离器、垂直偏转线圈和水平偏转线圈。

如前面所解释，在利用偏转轭磁芯在偏转轭中产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，水平偏转磁场所致磁通密度在与0°基准角相对应的短轴X附近呈现出最低值。

根据本发明，分割槽12至15被设置得沿着磁芯轴线O1的方向延伸，并大致位于水平偏转磁场所致磁通密度最低的短轴X上。因此，因存在分割槽12至15而对水平偏转磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，从而降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

由于在本实施例中分割槽12至15直线延伸并且敞开于颈部3的开口端边缘，因此由诸如铁氧体粉末或磁性金属粉末等磁性粉末模制成型出的磁芯可以光滑地脱模。

另外，由于分割槽12至15设在外周表面和内周表面上的彼此面对着的位置上，因此由磁性粉末模制成型出的磁芯可以容易地分割开。此外，由于设在外周表面上的分割槽12(15)和设在内周表面上的分割槽13(14)被制作得通过一个形成在颈部3的开口端面上的连接槽而彼此相连，因此磁芯可以更容易地分割开。通过将分割槽12至15成型为V形，可以进一步方便磁芯分割。

在锥部开口端的外形具有沿短轴X的短直径和沿长轴Y的长直径的偏转轭磁芯中，通常会因成型模具的结构而导致毗邻短轴X的磁芯密度较低。根据本发明的偏转轭磁芯包括形成在外周表面6上的夹持槽81至84。因此，在利用磁性粉末如铁氧体粉末通过压缩而模制成型偏转轭磁芯时，带有与夹持槽81至84相对应的凸出部分的成型模具可以在模制成型过程中利用凸出部分压缩磁性粉末，以使位于与凸出部分相对应的夹持槽81至84周围的磁芯密度增大。

另外，由于夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上，因此毗邻短轴X的磁芯密度最终会增大。其结果是，毗邻短轴X的磁芯强度会升高，从而防止磁芯出现碎裂。

此外，由于毗邻短轴X的磁芯密度会增大，如前所述，因此可以获得更均匀的磁芯密度分布。因此，根据本发明的偏转轭磁芯在烧制过程中可以均匀收缩，并且不容易变形。

另外，设在短轴X两侧的夹持槽81至84周围的磁芯密度会增大。因此，在根据本发明的偏转轭磁芯中，毗邻短轴X的磁芯密度最终会增大。

在本实施例中，夹持槽81至84分别被制作为沿着磁芯轴线O1的方向延伸的直线槽。通过采用这种模式，在模制成型后，由磁性粉末或类似物模制成型出的偏转轭磁芯可以沿着磁芯轴线O1(管轴线)的方向容易地脱模。

图54是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图55是图54所示偏转轭磁芯的俯视图，图56是沿着图54中的线56-56所作的剖视图。在这些图中，以相同的参考号码表示那些与图47至49中相同的部件，因而不必再对它们进行重复解释。

在图54至56所示的实施例中，颈部3沿磁芯轴线O1的长度大于锥部1沿磁芯轴线O1的长度。沿磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15毗邻短轴X设在磁芯表面上，而夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。夹持槽81至84未在锥部1处设在外周表面6上，而只在颈部3处设在外周表面6上。

图57是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图58是图57所示偏转轭磁芯的俯视图，图59是沿着图57中的线59-59所作的剖视图。在这些图中，以相同的参考号码表示那些与图54至56中相同的部件，因而不必再对它们进行重复解释。在本实施例中，颈部3沿磁芯轴线O1的长度小于锥部1沿磁芯轴线O1的长度。

在图57至59所示的实施例中，同样是将沿磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15毗邻短轴X设在磁芯表面上，而夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。夹持槽81至84未在颈部3处设在外周表面6上，而只在锥部1处设在外周表面6上。

图60是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图61是图60所示偏转轭磁芯的仰视图，图62是图60所示偏转轭磁芯的俯视图。在这些图中，以相同的参考号码表示那些与图41至43中相同的部件，因而不必再对它们进行重复解释。在图60至62所示的实施例中，同样是将沿磁芯轴线O1的方向延伸的分割槽12至15毗邻短轴X设在磁芯表面上，而夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。

在图54至62所示并在前面解释的所有实施例中，分割槽12至15均毗邻短轴X设在磁芯表面上。换言之，由于它们设置在这样的位置上，即因它们的存在而对水平偏转磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，因此可以降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

另外，在所有这些实施例中，夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。因此，可以防止磁芯碎裂，而且在烧制过程中更不易出现变形。

图63是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图64是图63所示偏转轭磁芯的仰视图，图65是图63所示偏转轭磁芯的俯视图。由于图63至65所示的偏转轭磁芯所采用的基本结构和所产生的优点与前面参照图15至18所解释的基本相同，因此不再重复解释。

在图63至65所示的实施例中，同样是将分割槽12至15毗邻短轴X设在磁芯表面上。换言之，由于它们设置在这样的位置上，即因它们的存在而对水平偏转磁场所导致芯内磁通的密度造成的负面影响可以最小化，因此可以降低磁芯损耗和磁芯处产生的热量。

另外，夹持槽81至84在短轴X的两侧设在外周表面6上。因此，可以防止磁芯碎裂，而且在烧制过程中更不易出现变形，这与图47至62所示的实施例一样。

此外，在利用由图47至65所示任何一种偏转轭磁芯和偏转线圈构成的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，通过确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大，可以防止磁饱和，如前面所解释。

图66是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图67是图66所示偏转轭磁芯的正视图，图68是图66所示偏转轭磁芯的正向剖视图。

图66至68所示的实施例具有一个从颈部3的开口端延伸到锥部1的开口端的孔2。锥部1处的孔2向着锥部1的开口端加宽。在从锥部1的开口端处看时，孔2在整个外周上呈现为曲面形状。孔2在锥部1处具有这样的形状，即具有沿短轴X的短直径Dx1和沿长轴Y的长直径Dy1。短直径Dx1与长直径Dy1之间的关系表示为Dy1＞Dx1。孔2在颈部3处具有这样的形状，即具有沿短轴X的短直径Dx2和沿长轴Y的长直径Dy2。短直径Dx2与长直径Dy2之间的关系表示为Dy2＞Dx2。

具体地讲，孔2在锥部1的开口端处为四边形形状，其具有在短轴X方向上彼此面对着的两条弧形边，这两条边长于在长轴Y方向上彼此面对着的两条弧形边。孔2在颈部3的开口端处呈现为这样的形状，即在长轴Y方向上彼此面对着的两条弧形边与在短轴X方向上彼此面对着的两条弧形边相连。颈部3可以采用椭圆形或类似形状。短轴X和长轴Y穿过轴线O1并且彼此以直角相交。

孔2在颈部3中在一个适宜的轴向长度内沿着磁芯轴线O1的方向延伸并保持大致恒定的形状，直至颈部的内表面4连接到锥部1处。锥部1的内表面连续延伸到颈部3的内表面4并且向着锥部1的开口端加宽。

图69中示意性示出了由图66至68所示偏转轭磁芯构造的偏转轭8安装在阴极射线管10中时的状态。阴极射线管10包括一个显示板12、一个锥体14、一个管颈16和电子枪18。偏转轭8安装在锥体14与管颈16之间。

通过在根据本发明的偏转轭磁芯17上设置被一个隔离器(未示出)支承着的偏转线圈19，偏转轭8被构造出来。偏转轭线圈19包括一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈。阴极射线管10是彩电图像接收器阴极射线管，并包括三个一字排列的电子枪18。

图70中示出了根据本发明的偏转轭磁芯与对应于三原色的三个电子枪18之间的关系。为了简化，图中未示出偏转线圈、隔离器等等。如前面所解释，根据本发明的线圈17呈现为这样的形状，即在颈部3和锥部1处均具有沿长轴Y的长直径和沿短轴X的短直径，因此，可以理想地应用在具有以一字排列式结构与三原色相对应的三个电子枪的彩电图像接收器中。

此外，两个凹槽9和11毗邻短轴X设在外周表面上，一个分割槽13设在凹槽9和11之间。分割槽13在短轴X上形成为大致V形。如图69和70所示，偏转轭8是这样组装的，即首先沿着分割槽13分割偏转轭磁芯17，再设置隔离器和偏转线圈19。之后，两个分开的磁芯件通过钩挂在凹槽9和11之间的区域中的夹子(未示出)而相连。

在利用由装有偏转线圈19的偏转轭磁芯17构造出的偏转轭8产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，如图69所示，由产生的组合偏转磁场所导致的芯内磁通密度在磁芯17中不是一致的，并在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内最高。出于这个原因，磁芯17可能会在磁通密度高的区域中出现饱和。两种可以用于有效地防止这种饱和的措施已经在前面解释过了。

图71是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图72是图71中的偏转轭磁芯沿着长轴Y所作的剖视图，图73是图71中的偏转轭磁芯沿着短轴X所作的剖视图。在本实施例中，锥部1处的开口端面和颈部3处的开口端面均被成型为椭圆形。本实施例也同样理想地应用在具有以一字排列式结构与三原色相对应的三个电子枪的彩电图像接收器中。虽然详细解释被略去，但可以采用与前面解释过的用于磁芯截面积和磁芯密度方面的相同原理防止出现磁饱和。

图74是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图75是图74所示偏转轭磁芯的仰视图，图76是沿着图74中的线76-76所作的放大剖视图，图77是沿着图74中的线77-77所作的放大剖视图。由于图74至77所示的偏转轭磁芯所采用的基本结构和所产生的优点与前面参照图15至18所解释的基本相同，因此不再重复解释。

设在偏转轭磁芯17的磁芯内表面22上的多个凸出部分21和多个凸出部分23分布在四个区域中，这四个区域通过设在彼此面对位置上的多个连续凸出部分24和设在彼此面对位置上的多个连续凸出部分26而彼此分开。换言之，两个凸出部分24设在彼此面对着的位置上，两个凸出部分26也设在彼此面对着的位置上。

每个凸出部分21上的一个表面211面对着磁芯轴线O1并且以角度θ1倾斜，从而沿着方向Z从颈部3向着锥部1从磁芯轴线O1后退。每个凸出部分23上的一个表面231面对着磁芯轴线O1并且以角度θ2倾斜，从而沿着方向Z从颈部3向着锥部1从磁芯轴线O1后退。另外，磁芯内表面22以角度θ3倾斜，以从磁芯轴线O1后退。尽管未作专门解释，但相同的结构也可以应用在另一侧磁芯表面上。

凸出部分21和23沿着磁芯内表面22以径向模式设置，其中表面211和213面对着磁芯轴线O1并且以角度θ1和θ2倾斜，从而沿着方向Z从颈部3向着锥部1从磁芯轴线O1后退。因此，由磁性粉末模制成型出的偏转轭磁芯可以沿着磁芯轴线O1的方向以高级别的可靠性容易地脱模。接下来将参照图78至80解释这一点。图78至80所示的方法可以用在由磁性粉末模制成型偏转轭磁芯的标准应用场合中。

首先，如图78所示，磁性粉末33被充入一个由下模29、39、41和43组合而形成的模腔35中。在上模31上沿着方向Z1设有角度为θ1、θ2和θ3的斜度，上模31即沿着该方向Z1平行于磁芯轴线O1移动。角度θ1、θ2和θ3基本上分别与锥部1的凸出部分21上的倾斜角度θ1、颈部3的凸出部分23上的倾斜角度θ2和磁芯内表面22上的倾斜角度θ3(见图76和77)相匹配。

接下来，上模31沿着箭头Z1所示的方向向下移动，以使上模31与下模29、39、41和43互锁，从而将磁性粉末33压缩。这样，如图79所示，可以模制成型出一个偏转轭磁芯，其具有带倾斜角度θ1的凸出部分21、带倾斜角度θ2的凸出部分23和带倾斜角度θ3的磁芯内表面22。

之后，如图80所示，上模31沿着箭头Z2所示的方向平行于磁芯轴线O1移动，以将磁芯脱模。由于多个凸出部分21和23在模制磁芯中沿着磁芯内表面22以径向模式设置，而且它们的表面211和213面对着磁芯轴线O1并且以角度θ1和θ2倾斜，从而沿着平行于磁芯轴线O1的磁芯脱模方向Z2从磁芯轴线O1后退，因此磁芯能够以高级别的可靠性容易地脱模。相同的原理也可以施加在磁芯内表面22和其他表面上。

图81是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图82是图81所示偏转轭磁芯的正视图，图83是图81所示偏转轭磁芯的剖视图。由于图81和82中的偏转轭磁芯所采用的颈部3和锥部1开口端形状与图1和2所示实施例中的那些类似，因此以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件，并且不必再对它们进行重复解释。

在图81和82中，颈部3处的孔2的内表面构成了一个磨削表面4。在图83中以单点划线表示的区域G1是被磨掉的磨削边界。其结果是，由磨削表面4构成的孔2的内表面可以获得可以获得高级别的表面光洁度和高级别的尺寸精度。

图84和85中示出了可以用于磨削孔2的内表面的方法。如图所示，颈部3处的孔2中的通过磨削而形成为圆形的内表面可以容易地在磨削边界G1处磨削，例如，利用一个磨削刀具6，例如砂轮，将磨削刀具6沿着箭头Mz所示的方向旋转，并将磨削刀具6沿着箭头Fz所示的方向移动。通过这个过程，孔2的内表面变成具有高级别表面光洁度和高级别尺寸精度的磨削表面4。也可以旋转磁芯，而非旋转磨削刀具6。在这种情况下，磁芯既可以单向旋转也可以双向旋转。

由于可以通过上面描述的磨削过程而提高颈部3处的孔2的尺寸精度，因此作为孔2的中心轴线的磁芯轴线O1可以以高精度设置。这反过来又使得相对于磁芯轴线O1而对锥部1的外表面进行表面磨削成为可能，如图86所示，从而使得通过磨削外表面而获得的平坦表面区域101至104能够在将磁芯相对于隔离器定位时用作基准。因此，磁芯可以相对于隔离器以高精度定位，从而最终将磁芯以高精度相对于阴极射线管定位。虽然图86中示出了这样一个实例，其中通过在磨削边界G3至G6处磨削外表面而获得四个磨削平坦表面101至104，但磨削平坦表面101至104的数量可以是任意的。可以有四个或更少的磨削平坦表面，例如一至三个磨削平坦表面，或者也可以有四个或更多的磨削平坦表面。

图87中示意性示出了由图81至83所示偏转轭磁芯构造的偏转轭安装在阴极射线管10中时的状态。阴极射线管10中设有一个显示板12、一个锥体14、一个管颈16和电子枪18。偏转轭8包括一个根据本发明的磁芯17和一个隔离器20，并且安装在锥体14与管颈16之间。带有一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈(未示出)的隔离器20设在磁芯17上。

由于根据本发明的磁芯17具有一个位于颈部3处的圆孔2，其中孔2在颈部3处由磨削表面4构成，如图81至83所示，因此颈部3处的尺寸精度可以提高。

另外，如图86所示，在孔2的内表面被磨削后，锥部1的外表面被相对于磁芯轴线O1作了表面磨削，以与孔2的中心轴线相匹配，而且通过磨削外表面而获得的平坦表面区域101至104能够在将磁芯相对于隔离器20定位时用作基准。其结果是，磁芯17可以相对于隔离器20以高精度定位。因此，利用根据本发明的磁芯17构造的偏转轭8可以以极高的精度安装在阴极射线管10中。

图88是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图89是图88所示偏转轭磁芯的剖视图。本实施例中的孔2在锥部1中成型为椭圆形。孔2在颈部3中成型为圆形，其内表面构成磨削表面4。因此，颈部3处的尺寸精度可以提高。这样，由本实施例中的磁芯17构造出的偏转轭8可以以高精度安装在阴极射线管上(见图87)。

图90是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图91是图90所示偏转轭磁芯的仰视图。由于图90和91所示的偏转轭磁芯所采用的基本结构和所产生的优点与前面参照图15至18所解释的基本相同，因此不再重复解释。

在图90和91所示的实施例中，颈部3处的凸出部分23的端面设置在一个圆的圆周上，而且凸出部分23的端面分别形成一个磨削表面4，从而在颈部3处获得高级别的尺寸精度。

图92是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的剖视图。在本实施例中，锥部1中的与开口端面5的内边缘51相连续的内表面4被磨削。其结果是，锥部1的内表面4可以通过磨削而获得高级别的表面光洁度和高级别的尺寸精度。

由于锥部1中的被磨削过的内表面4是一个从颈部3向着开口端面S1加宽的曲面，因此不能利用旋转砂轮磨削。这样的曲面可以利用例如NC(数控)磨床(未示出)而有效地磨削。其他可以采用的磨削方法包括砂带。接下来将解释一种可以采用的与砂带相关的方法。

图93和94示意性显示了一种利用砂带的研磨方法。如图93所示，一条砂带60套在若干旋转辊子61上，每个辊子分别向砂带60施加张紧力，以使砂带60与被磨削的曲面紧密接触。随着辊子61在这种状态下旋转，砂带60将移动，以磨削内表面4上的与砂带60相接触的接触区域。

如图94所示，砂带60的宽度被设置得与区域ΔX1至ΔXn的尺寸一致，这些区域是通过将内表面4划分为小区域而获得的，而且上面描述的磨削过程在各个单独的区域ΔX1，…ΔXn上依次进行。通过这个过程而磨削了的锥部1的内表面4变成一个具有高级别表面光洁度和高级别尺寸精度的磨削表面。

尽管未示出，但颈部3的内表面也可以被磨削。在这种情况下，颈部3处的尺寸精度和锥部1处的尺寸精度均可以提高，从而进一步提高偏转轭安装在阴极射线管上的组装精度。颈部3也可以利用NC(数控)磨床、砂带或类似物磨削，就像锥部1中那样。或者，如果颈部3中的孔被成型为圆形，则颈部3的内表面可以利用旋转式磨床磨削。

图95是用于解释一种与图93和94所示磨削方法不同的磨削方法的剖视图。在这种方法中，一个振动磨床用于磨削磁芯内表面。振动磨床包括一个砂轮装置62和一个驱动装置63。砂轮装置62被成型为与磁芯内表面的形状相符的三维形状，并在其一端连接着驱动装置63，以便沿磁芯轴线O1的方向振动。下面解释磨削过程。

首先，颈部3处的磁芯端部被夹具64紧固住。之后，振动磨床的砂轮装置插入锥部1的开口端中，而驱动装置63启动，以振动砂轮装置62。其结果是，通过这个过程而被砂轮装置62磨削出的磁芯内表面变成具有高级别尺寸精度的磨削表面。

图96中示出了偏转轭磁芯的另一个实施例。在图中，偏转轭磁芯17的孔2在颈部3处成型为椭圆形，以便于应用在一字排列式阴极射线管上。锥部1处的内表面4被磨削。因此，偏转轭磁芯17的锥部1处的尺寸精度可以提高，这反过来又提高了偏转轭安装在阴极射线管上的组装精度。

另外，图96中的偏转轭磁芯17具有从颈部3向着锥部1加宽的孔2，其中孔2在颈部3处成型为椭圆形，这种磁芯可以理想地应用在具有以一字排列式结构布置着的三个电子枪以及一个宽阔显示板的彩电图像接收器阴极射线管中。

图97是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图98是图97所示偏转轭磁芯的正视图，图99是剖视图。由于图97至99所示偏转轭磁芯的颈部3和锥部1的开口端的形状与图1和2中所采用的形状相同，因此以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件，并且不再重复解释。

在本实施例中，孔2在锥部1的开口端5处成型为大致四边形形状，在颈部3的开口端7处成型为圆形形状。然而，除此之外，孔2在颈部3的开口端7处的形状也可以是椭圆形、大致四边形或类似形状。

锥部1包括一个位于外表面4上并且连续延伸到开口端5的磨削平坦表面101。在本实施例中，磨削平坦表面101沿着平行于磁芯轴线O1的方向延伸并且被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔX1。

磨削平坦表面101是通过在锥部1处磨削外表面4而形成的。磨削平坦表面101的尺寸随着锥部1处的外表面4的磨削深度而变化。希望磨削平坦表面101的长度L1与长直径Dy1之间具有以下关系：0.1≤(L1/Dy1)＜1。

可以在外表面4上成型出两个或更多个磨削平坦表面。另外，磨削过程可以利用磨轮、旋转砂轮或类似物完成。

图100中示意性示出了利用根据本发明的偏转轭磁芯构造的偏转轭安装在阴极射线管10中时的状态。阴极射线管10中设有一个显示板12、一个锥体14、一个管颈16和电子枪18。偏转轭8包括一个根据本发明的磁芯17和一个隔离器20并且设置在锥体14与管颈16之间。带有一个水平偏转线圈和一个垂直偏转线圈(未示出)的隔离器20设在磁芯17上。

图101中示出了在隔离器和偏转轭磁芯组装时将达到的关系。图中未示出阴极射线管。如图101所示，隔离器20包括一个平坦表面201，其可以用作基准面并与阴极射线管的射线管轴线O2相隔一段距离ΔX1。

磁芯17具有从颈部3向着锥部1加宽的形状，锥部1在开口端的外形具有沿短轴X的短直径和沿长轴Y的长直径。具有这种结构并且用在带宽阔显示板的彩电图像接收器阴极射线管中的磁芯能够提高偏转效率。

另外，磁芯17包括一个位于外表面4上并且连续延伸到开口端5的磨削平坦表面101。在将具有这种结构的17与隔离器20组装时，磨削平坦表面101被设置在平坦表面201上，因而可以容易地将磁芯17的磁芯轴线O1与阴极射线管的射线管轴线O2对齐。其结果是，可以容易地实现偏转轭磁芯17相对于阴极射线管的精确定位。

图102是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图。图102中的实施例包括形成在外表面4上的磨削平坦表面101和102。磨削平坦表面101和102设在从开口端5处看时彼此面对着的位置上(毗邻短轴X)，其中磨削平坦表面101被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔX1，磨削平坦表面102被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔX2。另外，在本实施例中，锥部1处的沿短轴X的短直径Dx4和沿长轴Y的长直径Dy1之间具有以下关系：Dy1＞Dx4。

在本实施例中，两个磨削平坦表面101和102可以在将磁芯与隔离器组装时用作基准面。其结果是，磁芯可以以更高级别的精度相对于阴极射线管定位。

尽管未示出，但除此之外磨削平坦表面101和102也可以形成在从开口端5处看时彼此面对着的位置上(毗邻短轴X)。或者，磨削平坦表面101和102可以形成在彼此相隔大约90°的角间隔上。

图103是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图。图103中的实施例包括形成在外表面4上的磨削平坦表面101至104。磨削平坦表面101和102设在从开口端5处看时彼此面对着的位置上(毗邻短轴X)，其中磨削平坦表面101被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔX1，磨削平坦表面102被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔX2。磨削平坦表面103和104设在从开口端5处看时彼此面对着的位置上(毗邻长轴Y)，其中磨削平坦表面103被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔY1，磨削平坦表面104被设置得与磁芯轴线O1相隔一段距离ΔY2。

另外，在本实施例中，锥部1处的沿短轴X的短直径Dx4和沿长轴Y的长直径Dy3之间具有以下关系：Dy3＞Dx4。

在本实施例中，通过将四个磨削平坦表面101至104用作基准面，可以将磁芯与隔离器组装起来。因此，同图97所示实施例和图102所示实施例相比，磁芯对于阴极射线管的定位精度可以更高。

图104是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图。在图104所示的实施例中，孔2在颈部3的开口端7处成型为椭圆形形状。

图105中示出了在偏转轭磁芯、隔离器和阴极射线管组装时的相互关系。在图中，阴极射线管是具有以一字排列式结构与三原色相对应的三个电子枪的彩电图像接收器阴极射线管(称作一字排列式阴极射线管)。图104中的磁芯107可以理想地应用在这种一字排列式阴极射线管中。

图106是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的俯视图，图107是图106所示偏转轭磁芯的仰视图。由于图106和107所示的偏转轭磁芯所采用的基本结构和所产生的优点与前面参照图15至18所解释的基本相同，因此不再重复解释。虽然在图中只示出了一个毗邻短轴X设置的磨削表面101，但也可以设置两个或更多个磨削表面。

图108是根据本发明的偏转轭磁芯的另一个实施例的正视图，图109是图108所示偏转轭磁芯的俯视图，图110是图108所示偏转轭磁芯的正向剖视图。由于图108至110所示偏转轭磁芯的颈部3和锥部1的开口端的形状与图1和2中所采用的形状相同，因此以相同的参考号码表示那些与图1和2中相同的部件，并且不再重复解释。

图108至110所示偏转轭磁芯的特征在于满足：5mm≤B≤(A/2)mm，其中B表示颈部3沿磁芯轴线O1的长度，A表示磁芯总长度，其为长度B和锥部1沿磁芯轴线O1的长度之和。这个特点在例如研磨偏转轭磁芯的内表面时可以获得极大的效果。下面参照图111和112解释这一点。

图111是用于夹持偏转轭磁芯的加工机械的正视图，图112是图111所示加工机械的仰视图。颈部3在多个位置上被加工机械的夹持装置2夹持着。在图示的实施例中，颈部3的圆形外周表面6在三个点上被夹持装置2夹持着。在这种状态下，包括颈部3的内表面和类似区域在内的有关区域将被一个研磨装置(未示出)加工。在这个过程中，被夹持装置2夹持着的磁芯可以绕着一个固定研磨装置旋转。

另外，如果外周表面6具有除圆形之外的形状，则夹持装置2的夹持位置和夹持位置的数量应当根据外周表面6的形状而变化。尽管未示出，但除此之外也可以夹持住颈部3处的整个外周表面6，从而包围住整个外周表面6。

如果颈部3沿磁芯轴线O1的长度B小于5mm，则加工机械的夹持装置2不能足够牢固地夹持住颈部3，因而难以加工偏转轭磁芯的内表面4。其结果是，被加工机械的夹持装置2夹持着的颈部3不能承受磨削时的摩擦阻力或承受偏转轭磁芯的重量，从而导致磁芯落下或者出现碎裂或裂缝。

另一方面，如果颈部3沿磁芯轴线O1的长度B为5mm或以上(B≥5mm)，则可以确保加工机械的夹持装置2与颈部3的外周表面6之间具有足够大的接触面积，其结果是，颈部3可以以充分牢固的方式夹持住，从而防止磁芯落下或者出现碎裂或裂缝。这样，由于颈部3可以以牢固的方式被夹持着，因此可以以高精度加工偏转轭磁芯的内表面。最终的结果是，可以获得能够在阴极射线管中精确控制电子束并且具有良好的偏折灵敏度的偏转轭。

只要颈部3沿磁芯轴线O1的长度B等于或大于5mm并且等于或小于(A/2)mm，就不会出现与发热和磁饱和有关的问题。一旦颈部3沿磁芯轴线O1的长度B超过了(A/2)mm，则锥部1的截面积就会变得太小，从而导致与发热和磁饱和有关的问题。锥部1和颈部3可以采用各种形状和结构。

另外，在利用由图108至112所示的任何一种偏转轭磁芯和偏转线圈构成的偏转轭产生垂直偏转磁场和水平偏转磁场时，通过确保在从短轴X处的0°基准角开始绕着磁芯轴线O1测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过磁芯轴线O1的平面上的磁芯截面积最大，可以防止磁饱和，如前面所解释。另外，显然，参照图108至112中的实施例所解释的原理也可以用在如图15至18所示构造的偏转轭磁芯中。

                  工业应用性

如前面所解释，利用本发明可以获得下列优点。

(a)提供了一种偏转轭磁芯，其通过最优化磁芯截面积与芯内磁通分布密度之间的关系，从而防止出现磁饱和。

(b)提供了一种不会碎裂的偏转轭磁芯。

(c)提供了一种在烧制过程中不容易变形的偏转轭磁芯。

(d)提供了一种偏转轭磁芯，其可以使磁芯损耗最小化并降低磁芯处产生的热量。

(e)提供了一种偏转轭磁芯，其具有一个最优化的形状，以适用于具有与三原色相对应的三个直线设置电子枪的一字排列式阴极射线管。

(f)提供了一种偏转轭磁芯，其在线圈布置方面提供了高级别的自由度，并且可以通过调节磁场分布而提高偏转灵敏度、失真特性、会聚特性和类似性能。

(g)提供了一种偏转轭磁芯，其可以以可靠的方式沿着磁芯轴线脱模。

(h)提供了一种偏转轭磁芯，其具有成型为非圆形的锥部开口端面和成型为圆形的颈部孔，从而可以获得高级别的尺寸精度。

(i)提供了一种偏转轭磁芯，其可以获得高级别的尺寸精度，从而提高其在阴极射线管中的组装精度。

(j)提供了一种偏转轭磁芯，其便于相对于阴极射线管精确定位。

(k)提供了一种偏转轭磁芯，其确保了足够的体积，以达到所需的性能，并且可以在加工过程中以稳定的方式被夹持。

Claims (49)

1.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔；

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

2.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔；

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积中的磁芯密度最大。

3.如权利要求1或2所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

多个凸出部分沿着从上述锥部至上述颈部的内表面以径向模式设置，以及

多个槽形成在上述多个凸出部分之间。

4.如权利要求3所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述凸出部分分开设置在上述颈部和上述锥部中。

5.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔；

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

沿着磁芯轴线延伸的分割槽毗邻上述短轴设在一个磁芯表面上。

6.如权利要求5所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述分割槽沿直线延伸并且敞开在上述颈部的开口端边缘上。

7.如权利要求5或6所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述分割槽设置在一个外周表面和一个内周表面上的彼此面对着的位置上。

8.如权利要求7所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述外周表面上的上述分割槽与上述内周表面上的上述分割槽在上述颈部的上述开口端边缘处彼此相互连续延伸。

9.如权利要求5至8中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述分割槽是V形的。

10.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的外周表面；

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

至少一个第一凹入部分毗邻上述短轴设在上述外周表面上。

11.如权利要求10所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述第一凹入部分是一个沿着磁芯轴线延伸的直线槽。

12.如权利要求10或11所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述第一凹入部分在上述短轴的两端设在上述外周表面上。

13.如权利要求12所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

至少两个第一凹入部分在上述短轴的每端彼此相隔着一段距离设在上述外周表面上。

14.如权利要求10至13中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

至少一个第二凹入部分毗邻上述长轴设在上述外周表面上。

15.如权利要求10至14中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形是圆形的。

16.如权利要求10至14中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

17.如权利要求10至16中任一所述的偏转轭磁芯，由磁性粉末成型出的模制件构成。

18.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔；

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

沿着磁芯轴线延伸的分割槽毗邻上述短轴设在一个磁芯表面上；以及

夹持槽在上述短轴的两侧设在一个外周表面上。

19.如权利要求18所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述分割槽在上述短轴的一端和另一端设在上述磁芯表面上；以及

上述夹持槽在上述短轴的上述一端和上述另一端设在上述外周表面上。

20.如权利要求18或19所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述分割槽设置在上述外周表面和一个内周表面上的彼此面对着的位置上。

21.如权利要求18至20中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述夹持槽分别由一个沿着上述磁芯轴线延伸的直线槽构成。

22.如权利要求18至21中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形是圆形的。

23.如权利要求18至21中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

24.如权利要求18至23中任一所述的偏转轭磁芯，由磁性粉末成型出的模制件构成。

25.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔，其特征在于：

上述锥部的开口端处的上述孔沿着一个完整的周边弯曲，以及

上述锥部和上述颈部二者处的上述孔均具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

26.如权利要求25所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

27.如权利要求25所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积中的磁芯密度最大。

28.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有多个沿着从上述锥部至上述颈部的内表面以径向模式设置的凸出部分，其中多个槽形成在上述多个凸出部分之间，其特征在于：

上述凸出部分分开设置在上述颈部和上述锥部上；以及

上述凸出部分分别包括一个面对着磁芯轴线的表面，沿着一个从上述颈部向上述锥部延伸的方向看，上述表面以与上述磁芯轴线之间的距离逐渐增大的方式倾斜。

29.如权利要求28所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径；以及

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

30.如权利要求28所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径；以及

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积中的磁芯密度最大。

31.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔，其特征在于：

上述锥部处的上述孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径；以及

上述颈部处的上述孔具有圆形形状和一个磨削内表面。

32.如权利要求31所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

多个凸出部分沿着从上述锥部至上述颈部的内表面以径向模式设置；

多个槽形成在上述多个凸出部分之间；以及

上述颈部的上述孔中的上述凸出部分的端面被磨削。

33.如权利要求32所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述凸出部分分开设置在上述颈部和上述锥部中。

34.一种制造偏转轭磁芯的方法，该偏转轭磁芯被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔，上述锥部处的上述孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，上述颈部处的上述孔具有圆形形状，该方法包括以下步骤：

磨削上述颈部处的上述孔的内表面；以及

在磨削了上述颈部处的上述孔的内表面后，对一个指向上述锥部开口端的外周表面进行表面磨削。

35.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的孔，其特征在于：

至少上述锥部处的上述孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径以及一个磨削内表面。

36.如权利要求35所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部处的上述孔具有一个磨削内表面。

37.如权利要求35或36所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部处的上述孔具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

38.一种磨削偏转轭磁芯的方法，包括以下步骤：

利用NC磨床磨削上述磁芯的内表面。

39.一种磨削偏转轭磁芯的方法，包括以下步骤：

通过旋转一条砂带而磨削上述磁芯的内表面。

40.一种磨削偏转轭磁芯的方法，包括以下步骤：

利用振动磨床磨削上述磁芯的内表面。

41.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，并且具有一个从颈部向着锥部加宽的外形，其特征在于：

上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径并且包括至少一个位于上述开口端的外周表面上的磨削平坦表面。

42.如权利要求41所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

两个磨削平坦表面设在彼此相隔大约90°或大约180°角间隔的位置上。

43.如权利要求41所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

三个或四个磨削平坦表面设在任意两个彼此相邻的表面上的彼此相隔大约90°角间隔的位置上。

44.如权利要求41所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积最大。

45.如权利要求41所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

在从上述短轴处的0°基准角开始绕着磁芯轴线测量的30°至65°角度范围内，在一个平行并穿过上述磁芯轴线的平面上的磁芯截面积中的磁芯密度最大。

46.一种偏转轭磁芯，其被成型为一个用于安装在阴极射线管的管颈与锥体之间的管，其包括：

一个从颈部向着锥部加宽的外形，上述锥部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径，其特征在于：

满足5mm≤B≤A/2mm，其中A表示上述磁芯沿磁芯轴线的总长度，其为上述颈部沿上述磁芯轴线的长度B与上述锥部沿上述磁芯轴线的长度之和。

47.如权利要求46所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形是圆形的。

48.如权利要求46所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

上述颈部在开口端处的外形具有沿短轴的短直径和沿长轴的长直径。

49.如权利要求46至48中任一所述的偏转轭磁芯，其特征在于：

多个凸出部分沿着从上述锥部至上述颈部的内表面以径向模式设置；以及

多个槽形成在上述多个凸出部分之间。

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