CN1316546A - 化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法 - Google Patents

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Abstract

一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。还公开了一种使用上述化学汽相淀积设备的化学汽相淀积方法。

Description

化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法
本发明涉及用于形成半导体薄膜的化学汽相(蒸汽)淀积设备和化学汽相淀积方法，具体地说，本发明涉及这样一种设备和方法，它用于通过经由所述设备上的气体入口引入源气体而在受热的基层上汽相形成半导体膜，所述气体设置成基本上与所述基层相平行。
存在有通常周知的化学汽相淀积设备，其中，源气体穿过反应管，同时，设置在反应管内的基层受热，从而在基层上形成诸如半导体晶体膜之类的薄膜，并且，存在有通常周知的用上述设备实现的化学汽相淀积方法。例如，业已实现了这样一种方法，其中，通过设置成基本上与受热基层相平行的一个或多个气体入口提供诸如三甲基镓、三甲基铝或氨之类的源气体以及诸如氢或氮之类的稀释气体，以便在该基层上汽相形成晶体。
为了实施这种方法，例如将图1所示的用于汽相形成半导体膜的反应管1用作化学汽相淀积设备。反应管1包括用于将基层2放置到其上的基座3、用于对基层2加热的加热器4、气体入口5以及气体出口6。在上述方法中，通过气体入口5提供包含源气体的气体，同时在高温下加热基层2，以便在基层2上淀积出半导体膜。
在用所述设备实施上述方法时，根据半导体膜用途的不同，将兰宝石、SiC、块状氮化镓用作基层，将金属有机化合物、金属氢化物、氨、肼或烃胺用作源气体。依照半导体膜类型的不同，在600℃左右或在1100-1200℃对所述基层加热。
在汽相形成半导体膜时，为了形成具有均匀厚度的膜，使用了具有均匀加热特征的加热器，并且使基层在基座上旋转。在同时加热多个基层时，基座上的每个基层均绕自己的中心旋转，同时连同基座的旋转而移动。
近年来，在实践中用诸如铟、镓或铝之类的第三族元素的氮化物来形成兰光半导体膜。根据这种趋势，业已研究了用于以大量生产的方式有效地形成具有均匀特征的半导体膜的方法。为了汽相形成第三族元素氮化物半导体膜，必须将所述基层加热至高述约1150℃。当加热温度高于或低于上述温度时，就会在晶体中出现缺陷，从而，最终的半导体膜不具有优良特征。所以，必须在预定狭窄范围内的温度下均匀地加热所述基层。
就在上述高温下进行汽相形成而言，当在基层上加热包含源气体的气体时，就会产生热对流，因此，会有源气体的反应产物或分解产物淀积到反应管的朝向所述基层的壁面上，从而污染该壁面。此外，在积淀的固体落到基层上时，所形成的晶体的质量会显著地降低。所以，必须在每次进行汽相形成时都清洁反应管，从而导致有差的生产率。
为了解决上述问题，业已提出了多种方法。例如，业已提出了这样一种方法，其中，除掉了朝向基层的反应管壁面，该壁面可能会导致污染；在与基层相垂直的位置处设置一气体注入管；通过设置在与基层相平行的位置处的一个或多个通路引入包含有源气体的气体；以及，通过气体注入管引入不包含有源气体的气体，从而促使包含有源气体的气体到达基层上(这种方法是日本专利第2628404号所公开的方法的改进形式)。在进行这种方法时，在通过设置成与基层相平行的通路提供包含有源气体的两种或多种气体的情况下，所说的气体可以混合到一起。
但是，在这种方法中，彼此成直角交叉的两种气流会在基层上相混合，从而，会扰乱这些气流。因此，不能马上进行气体切换；会因短通路而不能有效地利用源气体；以及，不能按均匀的浓度在大的面积上将源气体提供给基层。
所以，这种方法有问题，因为，该方法不能在处理大型基层或同时处理多个基层的大型设备中进行。
而且，上述方法是有问题的，因为，在同时使用多个基层或使用大型基层的情况下，当进行汽相形成时，最终的半导体膜与业已汽相形成在小型基层上的半导体膜相比有较差的特征。此外，会有大量的源气体分解产物淀积到反应管壁面上，不能有效地利用源气体。
鉴于以上所述内容，本发明的一个目的是提供一种化学汽相淀积设备和一种化学汽相淀积方法，它们用来利用侧反应管同时处理多个基层或有大面积的基层，其中，能形成有优良特征的半导体膜，能有效地利用源气体，可防止源气体的分解产物或反应产物淀积在反应管的壁面上。
为了解决上述问题，本发明人业已进行了广泛的研究并且发现：当使用用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备来实现化学汽相淀积方法时——所述设备包括侧反应管——基层(相对包含源气体的气体流的)上游侧的温度会略微降低，所述上游侧与通过设置成与基层基本相平行的气体入口提供的包含有源气体的气体相接触；最终的半导体膜有较差的特征；在反应管的壁面上有大量的淀积物；以及，不能有效地利用源气体。本发明人还发现，当加热器(相对包含源气体的气体流的)上游侧的加热密度与该加热器的下游侧的加热密度相比有所增加时，可以形成有优良特征的半导体膜。本发明人还发现，在通过设置在朝向基层的反应管壁面上的透气多微孔部提供含有源气体的气体时，可以显著地降低所述壁面上的淀积物数量。业已根据上述发现实现了本发明。
因此，本发明提供了一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
本发明还提供了这样一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行；一透气的多微孔部，它设置在朝向所述基层从而与所述基层相平行的反应管壁面上；以及，一气体入口，它用于通过上述多微孔部引入不含源气体的气体，其中，所述圆形加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
本发明还提供了一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热，从而在该基层上汽相形成半导体膜，其中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
本发明还提供了这样一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热；以及，通过设置在朝向所述基层从而与该基层相平行的反应管壁面上的多微孔部将不含源气体的气体引进反应管，以便在该基层上汽相形成半导体膜，其中，加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
本发明还提供了通过将含有源气体的气体提供到侧反应管中受热基层上而汽相形成半导体膜的化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法，其中，加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度，以便在预定狭窄范围内的温度下均匀地加热所述基层、形成优良的半导体膜、有效地利用源气体、并减少源气体的分解产物或反应产物的数量，所说的产物会淀积在反应管的壁面上。
本发明还提供了这样一种化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法，其中，加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度，并且，通过设置在朝向所述基层从而与该基层相平行的反应管壁面上的多微孔部将不含源气体的气体引进反应管，从而显著减少源气体的分解产物或反应产物的数量，所说的产物会淀积在前述壁面上。
连同附图参照以下对最佳实施例的详细说明能很容易地注意到同时能更好地理解本发明的多种其它目的、特征和多种附带优点，附图中：
图1是示出了本发明化学汽相淀积设备(包括多微孔部)的纵剖图；
图2是示出了包括在本发明化学汽相淀积设备内的示例性基座(用于六个基层)的平面图；
图3是示出了包括在本发明化学汽相淀积设备内的示例性加热器(1)的平面图；以及
图4是示出了包括在本发明化学汽相淀积设备内的示例性加热器(2)的平面图。
本发明可应用于用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法。
本发明可应用于形成第Ⅲ族金属磷化物半导体膜或第Ⅲ族金属砷化物半导体膜。最佳的是，本发明可用于在高于1000℃的温度下形成第Ⅲ族金属氮化物半导体膜的化学汽相淀积设备和化学汽相淀积方法。
以下参照图1说明本发明的化学汽相淀积设备。本发明的化学汽相淀积设备包括一侧反应管1。侧反应管1包括：基层2；基座3，它用于将所述基层放置在其上并使该基层旋转；加热器4，它用于对所述基层进行加热；气体入口5，它设置成基本上与所述基层相平行；以及，气体出口6。如果需要的话，所述反应管1包括：透气的多微孔部7，它设置在朝向所述基层从而与该基层相平行的反应管壁面上；以及，气体入口8，它用于引入不含源气体的气体。
图2示出了示例性基座3(用于六个基层)的平面图，图3示出了示例性加热器4的平面图。图3所示的加热器4包括三个径向分隔的扇形部分即加热器部分12、13a和13b，每个部分均有120°的中心角。
在本发明中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部即加热器部分12的加热密度大于该加热器的其余部分(包括下游部)即加热器部分13a和13b的加热密度。
在本发明中，反应管的截面特别是位于进行汽相形成的处理器处的反应管截面可呈圆形或椭圆形。最佳的是，该反应管截面呈长方形，其中，基层与朝向该基层的反应管壁面之间的距离是短边。
气体入口5可以是单个的气体入口。分隔件9可设置成将该气体入口分成两部分即第一通路10和第二通路11，因此，可通过一个通路提供各种源气体。此外，增加一第二分隔件可提供一第三通路。
如上所述，在本发明的化学汽相淀积设备中，对反应管的截面形状、气体入口的形状以及气体入口系统没有特别的限制。
在本发明中，加热器4包括部分12、13a和13b，其中，加热器的(相对通过设置成基本上与所述基层相平行的气体入口供给的含有源气体的气体流的)上游部(加热器部分12)的加热密度大于该加热器的其余部分(加热器部分13a和13b)的加热密度。
所述加热器由电阻构成，所说的电阻则由例如钼、钨、碳化硅以及热分解的石墨制成。通常照原样使用上述材料，或者用诸如氮化硼之类的绝缘材料来涂敷上述材料。对电阻的类型、电阻的带绝缘材料的涂层以及所说的绝缘材料的类型没有限制。
在本发明中，所述加热器通常由具有与基座形状相类似的盘形形状的材料构成。上游的加热器部分如图3所示为扇形部分，它相对侧反应管的中心轴线对称，因此，该扇形部分的边线与中心轴线形成了±(40至90)°最好是±(50至75)°的角。上游加热器部分的加热密度大于其余部分的加热密度。
所述加热器可由有图3所示的中心角的扇形部分构成。但是，如图4所示，所述加热器也可以是圆形加热器，它包括作为上游部上的整体式的凸透镜形部分，在所述上游部，加热密度不同于加热器的其余部分。在本发明中，为了便于组装和维护加热器，加热器最好由图3所示的被分隔的部分构成。圆形加热器的加热密度可沿圆周逐渐改变，从而在汽相形成期间使基层的温度均匀地分布。
在本发明中，只要上游部的加热密度大于其余部分的加热密度，就对加热器上游部的加热密度(w/cm2)与加热器其余部分的加热密度之比没有特别的限制。所述比例通常为1.1-2.0∶1，最是1.2-1.8∶1。对使这两个部分之间的加热密度有所不同的方法没有特别的限制。为了形成所说的不同，加热器可由不同的电阻构成，加热器可形成为电阻没有均匀的分布，或者，提供给电阻的电压可以改变或电压的波形可以改变。
并不特别地规定所述加热器的任何部分的加热密度(w/cm2)，因为，该密度随基层的加热温度、源气体的流速、载体气体的流速以及反应管的形状和尺寸而变。通常，所述加热密度在约25-100(w/cm2)的范围内。
在本发明中，可将周知的技术应用于基座。将一个或多个基座放置到基座上，并且，根据基座所放置的基层的数量，每个基层都可绕其自己的中心旋转或在基座旋转时移动，从而能进行均匀的汽相形成。只要基座能有效地将热量从加热器传至基层，就对基座的结构和形状没有特别的限制。
对用于在加热器与基层之间进行热传递的装置没有特别的限制。为了防止污染基层并在加热器与基层之间均匀地传热，可在这两者之间设置有石英和/或由碳制成的板。
对本发明中所用的基层没有特别的限制，可以使用兰宝石、SiC或块状氮化镓。对放置在基座上的基层的尺寸和数量没有特别的限制。
在本发明的化学汽相淀积设备中，基层与朝向该基层的反应管壁面之间的距离通常为20mm或更少，最好是10mm或更少，更好是5mm或更少。在所述距离保持在上述范围内时，可以提高使用源气体的效率。
在本发明中，为了防止源气体的分解产物或反应产物在汽相形成期间淀积到朝向基层的反应管壁面上，一透气的多微孔部可设置在朝向基层从而与基层相平行的反应管壁面上，从而通过所述多微孔部的多个微孔引入不含源气体的气体。通过引入上述气体，不含源气体的气体会在朝向基层的反应管壁面上形成一薄气层，因此会防止源气体的分解产物或反应产物淀积到反应管壁面上。结果，可提高使用源气体的效率。
所述多微孔部可由多个平直的微管构成，但最好由玻璃质石英的烧结体构成，因为，这种烧结体能在反应管壁面上形成薄气层。
对所述烧结体的小孔尺才没有特别的限制。但是，当小孔尺寸较大时，气体不能均匀地流过所述多微孔部，而在小孔尺寸很小时，压力损失就会增加，气体的流速不能令人满意。所以，小孔的尺寸通常为约0.1-3mm，最好为0.3-2mm。
在所述化学汽相淀积设备中，并不是无条件地确定多微孔部的尺寸，因为，该尺寸随反应管的形状和用于使不含有源气体的气体进入反应管的方法而变。所述微孔部设置在朝向基层的反应管壁面的一定位置处，该位置相对相应朝向基层的壁面区域略微向上游移动。另外，所述多微孔部设置在上述位置附近。多微孔部的尺寸可对应于基层的尺寸。但是，当多微孔部被设置成相对基层向下游延伸时，就可以防止污染下游侧的反应管。多微孔部的尺寸通常为基层尺寸的0.5-5倍，最好约为1.0-3.5倍。正如本文所使用的那样，术语“基层的尺寸”是指基层的端部在汽相形成期间构成的最外侧轨迹所包围的区域的面积。所以，基层的尺寸通常约等于基座的圆周所包围的区域的面积。
在本发明的化学汽相淀积设备中，如图1所示，用于通过设置在反应管上的透气的多微孔部提供不含源气体的气体的气体入口可设置在这样的位置处，该位置处设置有多微孔部。另外，通过改进反应管壁面而使之有双壁面结构，气体入口可与反应管成整体。再有，所述微孔部可以有弯曲的形状，以便提高该微孔部的抗压和抗热强度。
在本发明的化学汽相淀积方法中，在这样的条件下进行汽相形成即：诸如所述，加热器的相对含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
对本发明所使用的基层没有特别的限制，可以使用兰宝石、SiC或块状氮化镓。对同时处理的基层的数量没有特别限制。
在本发明的化学汽相淀积方法中，可根据预定的半导体膜将多种源气体用于汽相形成。所述源气体的实例包括诸如胂、磷化氢和硅烷之类的金属氢化物、诸如三甲基镓、三甲基铟和三甲基铝之类的金属有机化合物、氨、以及肼。正如本文所述那样，术语“源气体”是指这样的气体，它用作在形成晶体期间作为构成晶体的元素包含在晶体内的元素的来源。用氢、氦、氩或氮来稀释所述源气体，将最终的气体混合物用作包含源气体的气体。
在本发明的化学汽相淀积方法中，用通过透气的多微孔部进入反应管的不合源气体的气体在反应管壁面上形成一薄气层，从而不会对汽相形成产生影响。通常使用氢、氦、氩或氮。由于用上述气体来形成薄气层，故气体的流速——每个多微孔部的面积的流速，所说的面积等于基层的面积——通常约为包含源气体的气体的流速的1/5-1/30，最好约为包含源气体的气体的流速的1/5-1/10。当所述流速大于上述值时，就会在基层上出现气体扰动，而在所述流速很低时，不会形成薄气层，从而不能达到提供不含源气体的气体的效果。
以上说明中使用了短语“每个多微孔部的面积的流速，所说的面积等于基层的面积”。所以，在将多微孔部设置成相对朝向基层的反应管壁面的区域向下游延伸时，不合源气体的气体的流速对应于多微孔部的扩大面积而增加。
在本发明中，如上所述，通过透气的多微孔部进入反应管的不含源气体的气体通常是不会对汽相形成产生影响的气体。但是，例如，假定氨的分解产物是气体形式，则可将氨用作不含源气体的气体，而不使用氢、氦或氮。另外，可将氨与氢、氦或氮结合起来使用。
可利用上述反应管在不污染朝向基层的反应管壁面的情况下进行汽相形成。此外，源气体的淀积产物或反应产物不会从反应管壁面上下落，从而，可在不清洁反应管的情况下重复地进行汽相形成过程。
依照本发明的化学汽相淀积方法和化学汽相淀积设备，当在1000℃或更高的温度下进行汽相形成时，使基层的温度保持一致，从而，可汽相形成有优良特征的半导体膜。此外，可防止污染朝向基层从而与基层相平行的反应管壁面，这种污染是由源气体的分解产物或反应产物的淀积而引起的，因此，能提高使用源气体的效率。再有，可在不清洁反应管的情况下重复地进行汽相形成过程。还有，能高产量可靠地获得高质量的晶体，因为，可防止固体产物落到基层上。
以下通过实施例详细说明本发明，所说的实施例并不构造成限制本发明。实例1
生产出了一种化学汽相淀积设备，它包括一由石英制成的反应管，该管具有与图1所示相类似的结构并且具有能同时处理六个基层的内部尺寸(宽280mm，高20mm，长1500mm)，而每基层均具有2英寸的直径。
一圆形加热器(直径260mm)由涂有氮化硼的热分解石墨绝缘体构成。该加热器被分成三个扇形部分，每个部分均具有120°的中心角。将所述加热器的(相对含有源气体的气体流的)上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比确定为1.3∶1。透气的多微孔部的面积为基座面积的1.5倍，所述多微孔部设置在朝向基层从而与基层相平行的反应管壁面上。
利用这一设备，如下所述，可在有2英寸直径的兰宝石基层上汽相形成GaN晶体。
每个兰宝石基层均放置在基座上，用氢气来代替反应管内的气体。随后，在通过气体入口的第一通路引入氨和氢的气体混合物(氨40L/min，氢10L/min)并通过多微孔部提供氮气(50L/min)时，将基层的温度加热至1050℃达20分钟，以便对基层进行热处理。在基层的温度升高并保持于1150℃之后，在通过气体入口的第一通路引入氨和氢的气体混合物(氨40L/min，氢10L/min)时，通过气体入口的第二通路引入含三甲基镓的氢气(三甲基镓240μmol/min，氢50L/min)。同时，通过多微孔部提供氮气(50L/min)，以便汽相形成GaN60分钟。在汽相形成GaN期间，基座以12rpm的速度旋转。按上述过程进行汽相形成五次。
正如本文所使用的那样，术语“L/min”是指升/分钟。
在汽相形成期间，未观察到有固体产物淀积在朝向基层的反应管壁面上。在冷却了基层之后，从反应管中拆除基层，并测定GaN膜的厚度。结果，平均厚度为2±0.1μm，并且，厚度是均匀的。
测定按上述方式形成的GaN膜的电学特征，平均载波密度和平均载波迁移率分别为3×1017/cm2和450cm2/V·s。这些结果表明获得了有优良特征的晶体。
除用由涂有氮化硼的热分解石墨绝缘体构成的整体式加热器(直径260mm)来代替前述加热器并且将图4所示的凸透镜形部分的加热密度与其余部分的加热密度之比确定为1.35∶1以外，重复实例1的过程，所述凸透镜形部分由加热器的圆周及直径为500mm的圆轨迹所包封，所说的圆的中心距加热器的中心为500mm。通过上述过程，GaN晶体会形成在直径为2英寸的兰宝石基层上。
在汽相形成期间，未观察到有固体产物淀积在朝向基层的反应管壁面上。在冷却了基层之后，从反应管中拆除基层，并测定GaN膜的厚度。结果，平均厚度为2.1±0.1μm，并且，厚度是均匀的。
测定按上述方式形成的GaN膜的电学特征，平均载波密度和平均载波迁移率分别为3×1017/cm3和420cm2/V·s。这些结果表明获得了有优良特征的晶体。比较实例1
除以下方面以外重复实例1的过程，所说的方面是：将被均匀地分成120°的扇形部分的加热器的加热密度确定为均匀的；用不含多微孔部的反应管来代替前述反应管；以及，相应地不通过朝向基层从而与基层相平行的反应管壁面引入氮气，以便汽相形成GaN。
结果，在汽相形成期间，观察到有固体产物从朝向基层的反应管壁面上向下游方向逐渐淀积。在进行汽相形成两次时，会观察到有反应管上的淀积物落到基层上。结果，会显著地削弱基层表面的特征。在进行了汽相形成一次之后，测定GaN膜的厚度。结果，平均厚度为2.1±0.1μm。测定按上述方式形成的GaN膜的电学特征，平均载波密度和平均载波迁移率分别为1.5×1018/cm3和320cm2/V·s。

Claims (12)

1、一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；以及，一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行，其中，所述圆形加热器的相对前述气体流的上游部的加热密度(heatingdensity)大于该加热器的其余部分的加热密度。
2、一种用于形成半导体膜的化学汽相淀积设备，它包括：一侧反应管，此管包括一用于在其上放置基层的基座；一圆形加热器，它用于对所述基层进行加热；一气体入口，它用于引入包含有至少一种源气体的气体，所述入口设置成基本上与所述基层相平行；一透气的多微孔部，它设置在朝向所述基层从而与所述基层相平行的反应管壁面上；以及，一气体入口，它用于通过上述多微孔部引入不含源气体的气体，其中，所述圆形加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
3、如权利要求1的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。
4、如权利要求2的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。
5、如权利要求1的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线会形成±(40至90)°的角。
6、如权利要求2的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线会形成±(40至90)°的角。
7、一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热，从而在该基层上汽相形成半导体膜，其中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
8、一种化学汽相淀积方法，它包括：通过设置成基本上与放置在侧反应管中基座上的基层相平行的气体入口提供含有源气体的气体，同时用加热器对所述基层进行加热；以及，通过设置在朝向所述基层从而与该基层相平行的反应管壁面上的多微孔部将不含源气体的气体引进反应管，从而在该基层上汽相形成半导体膜，其中，所述加热器的相对前述含有源气体的气体流的上游部的加热密度大于该加热器的其余部分的加热密度。
9、如权利要求7的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。
10、如权利要求8的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部的加热密度与该加热器的其余部分的加热密度之比为1.1-2∶1。
11、如权利要求7的化学汽相淀积方法，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线形成一个±(40至90)°的角。
12、如权利要求8的化学汽相淀积设备，其特征在于，所述圆形加热器的上游部为扇形部分，因此，该扇形部的各边缘线与对应于侧反应管的中轴线的线形成一个±(40至90)°的角。
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