CN1316103A - 半导体器件及其安装用基板 - Google Patents

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Abstract

一种半导体器件(A),包括:半导体芯片(3);覆盖该半导体芯片(3)的保护封装(4);第1引线(1);第2引线(2);半导体芯片(3)被安装到第1引线(1)的内端(10a)。而且,半导体芯片(3)通过连接导线(W)与第2引线(2)的内端(20a)电连接。第1引线具有从所述保护封装(4)内延伸出来的外侧部分(11),第2引线具有从所述保护封装(4)内延伸出来的外侧部分(21)。这两个外侧部分11、21是平坦的。

Description

半导体器件及其安装用基板
本发明涉及一种半导体器件,特别是涉及一种具有发光功能及/或感光功能的半导体器件。此外,本发明还涉及一种用于支持这种半导体器件的电路板。而且本发明还涉及多个半导体器件和把这些半导体器件成批收容的收容器的组合。
图20以及图21表示以往半导体器件的一个例子。图示的半导体器件X是发光二极管(LED),包括:第1引线100;第2引线200、作为发光元件的半导体芯片300、连接导线W以及保护封装400。
半导体芯片300被安装在第1引线100的内端100a。半导体芯片300的上面330通过连接导线W与第2引线200的内端200a电连接。保护封装400由环氧树脂等透明的树脂构成,并完全覆盖半导体芯片300和连接导线W。而且,保护封装400还部分覆盖第1引线100以及第2引线200。在图20以及图21中,被保护封装400覆盖的第1引线100的内侧部分用参照符号110来表示,而从保护封装400中延伸出来的第1引线100的外侧部分用参照符号111来表示。第2引线200也与第1引线100一样,具有被保护封装400覆盖的内侧部分220和从保护封装400中延伸出来的外侧部分221。
如图21所示,第1引线100的内侧部分110成直线形状延伸,而外侧部分111有弯曲。第1引线1 00的外侧部分111的前端部分111a与保护封装400的底面处于同一平面。第2引线也与第1引线具有同样的构成,具有与保护封装400的底面处于同一水平面的前端部分221a。
在电路板5上设有用于与半导体器件X取得电连接的垫片部52a、52b。把半导体器件X安装在电路板5上,使所述前端部分111a、221a分别与垫片部52a、52b结合。
以往的半导体器件X存在以下问题。即,半导体器件X如以上所述那样,通过弯曲的引线100、200被安装在电路板5上。此时,如图21所示,半导体器件X的保护封装400整个都置位于电路板5的上方,所以半导体器件X的顶部Ap和电路板5的表面之间的尺寸Dh变大。
本发明的第1目的是:提供一种能够解决,或者至少能够缓解所述问题的半导体器件。
本发明的第2目的是:提供一种用于安装这种半导体器件的电路板。
本发明的第3目的是:提供一种多个半导体器件和能够把这些半导体器件成批收容的收容器的组合。
本发明1提供一种半导体器件,其构成包括:半导体芯片;覆盖所述半导体芯片的保护封装;与所述半导体芯片导通并具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装延伸出来的至少一个外侧部分的第1引线;与所述半导体芯片导通并同时具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装延伸出来的至少一个外侧部分的第2引线。所述第1引线以及第2引线各自的外侧部分是平坦的。
所述第1引线的外侧部分以及所述第2引线的外侧部分最好是在同一平面内延伸。
而且,所述第1引线的内侧部分以及外侧部分和所述第2引线的内侧部分以及外侧部分也可以在同一平面内延伸。
根据本发明的理想实施例,所述第1引线以及第2引线各自具有从所述保护封装延伸出来的多个外侧部分,这些外侧部分在同一平面内延伸。
所述保护封装最好是至少具有2个方向相对的侧面,这些侧面各自具有第1倾斜部分以及第2倾斜部分。
所述第1倾斜部分以及第2倾斜部分分别是平坦的,而且可以互相以所定的角度相交。
所述半导体芯片例如可以是发光元件。而且,所述半导体芯片例如可以是光电元件。
根据本发明的其他理想实施例,半导体器件还包括:追加的半导体芯片;与所述追加的半导体芯片导通的第3引线;与所述追加的半导体芯片导通的第4引线。所述第3引线具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装延伸出来的平坦的外侧部分,所述第4引线具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装延伸出来的平坦的外侧部分。
本发明2提供一种半导体基板,是用于搭载具有保护封装和从该保护封装延伸出来的平坦引线的半导体器件的半导体基板,包括:形成所定布线图的主面;应该与所述半导体器件的引线导通并形成在所述主面上的多个连接垫片;对应所述保护封装的形状而形成的通孔。
所述多个连接垫片最好是设置在所述通孔的周围。
在搭载所述半导体器件的状态下,最好是在所述主面上叠层涂覆构件。
本发明3提供多个半导体器件和用于收容该半导体器件的收容器的组合,各半导体器件包括:具有所定功能的上面和与该上面相反的底面;
所述收容器的构成包括:具有向上方开口的多个凹部的载体构件和具有附着在所述载体构件上的粘贴面的密封带。
所述半导体器件是以所述底面向上的状态被收容在所述凹部内的。
本发明的理想实施例是把聚光部设置在所述各半导体器件的上面。
所述凹部最好是各自具有相对较大的空间和相对较小的空间。
所述多个凹部最好是在所述载体构件的长度方向上按照每个所定间隔来形成。
下面,参照附图对本发明的其他特征和优点进行详细说明。
下面简单说明附图:
图1是表示根据本发明实施例1的半导体器件的立体图。
图2是沿图1的Ⅰ-Ⅰ线看上去的截面图。
图3是表示根据本发明实施例2的半导体器件的立体图。
图4是沿图3的Ⅱ-Ⅱ线看上去的截面图。
图5是表示图3的半导体器件的俯视图。
图6是表示用于制造本发明半导体器件的引线框架的俯视图。
图7是用于说明引线结合工序的图。
图8用于说明包装工序的截面图。
图9用于说明把本发明的半导体器件安装到电路板上的工序的截面图。
图10是表示本发明的半导体器件的使用状态的截面图。
图11是表示根据本发明实施例3的半导体器件的立体图。
图12是表示图11的半导体器件的俯视图。
图13是表示图11的半导体器件构成要素的图。
图14~图17是用于说明图11的半导体器件制造工序的图。
图18是表示用于成批收容多个半导体器件的收容器的截面图。
图19是表示把半导体器件从图18的收容器中取出时的情景的图。
图20是表示以往的半导体器件的一个例子的立体图。
图21是沿图20的Ⅲ-Ⅲ线看上去的截面图。
下面参照附图1~19说明本发明的理想实施例。
实施例1
首先,参照图1以及图2。这些图是表示根据本发明实施例1的半导体器件的立体图。有关本实施例的半导体器件具有如以下说明的那种发光功能。但是,本发明并不局限于该实施例,对其他的半导体器件也同样适用。
如图1以及图2所示,半导体器件A包括:第1引线1、与第1引线1隔离的第2引线2以及具有发光功能的半导体芯片3。半导体芯片3被第1引线1的1端10a所支撑,其上面30通过导线W与第2引线2的1端20a电连接。
半导体器件A还具有透明的树脂制保护封装4。保护封装4由长方形的主体部40和在该主体部上面形成的聚光部44所构成。聚光部44是为了防止从半导体芯片3发射的光扩散而设置的。
保护封装4覆盖半导体芯片3以及导线W的全部,同时还局部覆盖第1引线1和第2引线2。因此,第1引线1分为被保护封装4覆盖的内侧部分10和从保护封装4的第1侧面42延伸出来的外侧部分11。同样,第2引线2也分为被保护封装4覆盖的内侧部分20和从保护封装4的第2侧面43延伸出来的外侧部分21。
如图1以及图2所示,第1引线1以及第2引线2作为整体是平坦的。因此,第1引线1以及第2引线2的外侧部分11以及21也是平坦的。如图2所清楚表示的那样,沿垂直方向(参照符号Vd)看上去,第1引线1以及第2引线2位于保护封装4主体部40的中央。而且,第1引线1以及第2引线2相对于保护封装4的底面41平行延伸。因此,第1引线1的外侧部分11垂直于保护封装4的第1侧面42,第2引线2的外侧部分21垂直于保护封装4的第2侧面43。
具有所述构成的半导体器件A,以图2所示的形态被安装在电路板5上。具体地说,在电路板5的主面51(在图2中为基板的下面)上,对应第1引线1的外侧部分11以及第2引线2的外侧部分21的位置设有连接垫片52。虽然没有图示,但在所述主面51上形成连接这些连接垫片52的所定布线图。而且,在电路基板5上,在连接垫片52之间设有用于嵌入半导体器件A的通孔50。
半导体器件A被嵌入通孔50,使聚光部44置位于电路基板5的主面51的反对侧。第1引线1的外侧部分11以及第2引线2的外侧部分21通过焊锡53被连接到连接垫片52上。利用这种安装方法,能够使聚光部44的顶部和印刷电路板5的第2面51a之间的距离Dh比以往的要小。
其次,参照图3~5进行说明。这些图是表示根据本发明实施例2的半导体器件B的立体图。而且,在图3~5中对实质上与实施例1的构造相同的构件,采用同样的符号。
如图3所示,半导体器件B具有与半导体芯片3结合的第1引线1’、第2引线2’,半导体芯片3通过导线W与第2引线2’连接。半导体器件B还具有用于保护半导体芯片3以及导线W的保护封装4’。第1引线1’以及第2引线2’从保护封装4’的2个相对侧面42’以及43’(以下称第1侧面42’和第2侧面43’)延伸出来。保护封装4’还具有1对相对侧面45’以及46’。保护封装4’具有用于适当聚光从半导体芯片3发出的光的聚光部44’。
如图4所示,保护封装4’的第1侧面42’以及第2侧面43’分别由2个斜面构成。具体地说,第1侧面42’由对垂直线成α角的上部斜面和对同一垂直线成β角的下部斜面构成。同样,第2侧面43’以及其他的侧面45’、46’也由上部斜面和下部斜面构成。所述角α以及β可以设定为5~10度。角α以及β的大小可以相同,也可以不同。
如图5所示,第1引线1’具有被保护封装4’覆盖的内侧部分10’和从保护封装4’中延伸出来的第1外侧部分11’以及第2外侧部分12’。内侧部分10’以及2个外侧部分11’、12’在平行于保护封装4’的底面41’的平面内延伸。而且第1引线1’具有用于搭载半导体芯片3的支撑垫片10’a。该支撑垫片10’a置位于第1引线1’和第2引线2’之间,通过连接部10’b与第1引线1’的内侧部分10’连接。
第2引线2’具有被保护封装4’覆盖的内侧部分20’和从保护封装4’中延伸出来的第1外侧部分21’以及第2外侧部分22’。第2引线2’的内侧部分20’以及2个外侧部分21’、22’也与第1引线1’的情况相同,在平行于保护封装4’的底面41’的平面内延伸。
具有所述构成的半导体器件B与实施例1的半导体器件A的情况相同,被嵌入形成在电路基板5上的通孔50之后,通过焊锡53被固定在电路基板5上。
如以上所述,实施例2的半导体器件B的4个侧面42’、43’、45’、46’分别由上部倾斜面以及下部倾斜面构成(参照图4)。因此,半导体器件B能够很容易地插入电路基板5上的通孔50。通过调节所述角α、保护封装4’以及通孔50的大小,就能使保护封装4’比较容易地插入通孔50,同时,在通孔50内能够切实嵌入保护封装4’并加以固定。
如图3所示,在保护封装4’的侧面46’上形成缺口46’a,该缺口46’a用于表示半导体器件B的极性。例如可以把2个引线1’、2’中靠近缺口46’a的引线(在图3中为第2引线2’)定为负极。这样一来,就能够把半导体器件B适当地插入电路基板5上的通孔50。
在实施例2的半导体器件B中,设第1引线1’以及第2引线2’各有2个外侧部分。因此,在电路基板5上合计共需要4个连接垫片52。但是,由图15所知,第1引线1’的外侧部分11’如果与对应的连接垫片52导通,则另一方的外侧部分12’就不需要与对应的连接垫片52导通。即,只要把外侧部分12’机械性地固定在对应的连接垫片52上就足够了。同样的情况也适用于第2引线2’的外侧部分21’、22’。如此,通过经4个外侧部分11’、12’、21’、22’把半导体器件B安装到电路基板5上,就能使半导体器件B稳定地搭载在电路基板5上。
下面,参照图6~图8来说明具有所述构成的半导体器件B的制造方法。
图6是表示用于制造本发明半导体器件的引线框架的俯视图。图示的引线框架6可以通过对铜和铁等金属板进行冲切加工而获得。该引线框架6具有平行延伸的1对侧条60。而且,引线框架6具有连接这些侧条60的多个横杆61。这些横杆61在侧条60的长度方向上被等间隔配置。各横杆61包含在垂直于侧条60的长度方向上延伸的第1横杆61a以及第2横杆61b。在各第1横杆61a的中央部分形成嵌合底座10′a。
把半导体芯片3结合到所述各嵌合底座10′a。当把半导体器件B作为发光装置来构成时,半导体芯片3可以是发光二极管,当把半导体器件B作为感光装置来构成时,半导体芯片3可以是光电晶体三极管。当然,也可以使用其他的半导体芯片。
再者,如图7所示,利用导线W来连接所述半导体芯片3的上面30和第2横杆61b。导线W的连接可以用焊接工具7来进行。具体地说,是从焊接工具7的下端部使导线W延伸出来,使该突出部融化为球形。而后使焊接工具7向下方移动,把所述球部压焊到半导体芯片3的上面(快速焊接)。然后,从焊接工具7的下端部连续地引出导线W,把焊接工具7移动到第2横杆61b的位置上。最后,把导线W压焊到第2横杆61b上(第2焊接)。而且,为了恰当地对导线W连接所述引线框架6,可以利用内藏在工作台8内的加热器(没有图示)进行加热。而且,在进行第2焊接时,可以给焊接工具7提供超声波。
接着,使用所定的铸模装置,在所述引线框架6中用点划线包围的区域P(图6)内形成保护封装4’。各保护封装4’如下述那样形成。
首先,如图8所示,利用上侧铸模构件9A以及下侧铸模构件9B把半导体芯片3收容到所定的空腔90内。然后,在此状态下,在空腔90内注入融化的热硬化性树脂(例如环氧树脂)。最后,在注入的树脂硬化后,使上侧铸模构件9A以及下侧铸模构件9B分别上下移动,取出硬化的树脂体,即保护封装4’。在该铸模工序中还形成聚光部44’。
如图8所示,上侧铸模构件9A的内侧面9Aa以向下方扩展的形状构成,下侧铸模构件9B的内侧面9Ba以向上方扩展的形状构成。因此,当取出在空腔90内硬化的树脂时,能够比较容易地分离该硬化树脂体和上侧铸模构件9A以及下侧铸模构件9B。
当把半导体器件B作为发光装置或感光装置来构成时,用透明性较高的树脂(例如环氧树脂)来形成保护封装4’。在除此之外的情况下,不一定需要用透明性较高的树脂来形成所述保护封装4’。而且,按照其用途,也不需要设置聚光部44’。
也可以构成半导体器件B,使之选择性地接受红外光。此时,虽然保护封装4’材料也可以是透明的,但为了有效地防止其接受红外光以外的光,最好是使用黑色的树脂。
在保护封装4’被形成之后,在所定之处(图6的点划线所示的部分)切断第1横杆61a以及第2横杆61b。据此,可以获得作为产品的半导体器件B(图3)。通过把这样获得的半导体器件B与其他感光用半导体器件一起安装到电路板5上就能够制造出光传感器。
图9是用于说明把本发明的半导体器件B安装到电路板5上的工序的截面图(在图示的电路板5上已经安装有感光用半导体器件B’)。如同图所示,在电路板5上形成有用于嵌入半导体器件B的通孔50e。该通孔50e位于离开感光用半导体器件B’所用的通孔50r所定距离的位置上。
在电路板5的主面51上,在所述通孔50e的附近设有4个连接垫片52。这些垫片52用于连接半导体器件B的第1引线1’的外侧部分11’、12’以及第2引线2’的外侧部分21’、22’。
把半导体器件B嵌入通孔50e时,能够使用如图9所示的吸附筒夹k。此时,用吸附筒夹k吸附半导体器件B的底面41’之后,使吸附筒夹k向电路板5的方向移动,把半导体器件B插入通孔50e(参照图9的点划线)。
当把半导体器件B合理地插入通孔50e之后,对安装了半导体器件B(以及半导体器件B’)的电路板5实施热处理。虽然没有图示,但在各连接垫片52上预先涂有焊油。据此,通过对电路板5实施热处理来融化涂覆的焊锡,而后,通过冷却电路板5来把第1引线1’的外侧部分11’、12’以及第2引线2’的外侧部分21’、22’固定到连接垫片52上。
当把半导体器件B以及半导体器件B’安装到电路板5上之后,如图10所示,在电路板5的主面51上叠层包覆构件54。其结果,半导体器件B、B’被包覆构件54所包覆。这样一来,就得到由半导体器件B、B’和电路板5构成组件C。作为包覆构件54,在具有电绝缘性能的同时,最好使用其光学性能为不透射光的树脂。通过使用由这种树脂材料构成的包覆构件54,就能够屏蔽来自组件C外部的光和电噪声等。
如图10所示,在CD唱机上,所述组件C可以用于检测唱片D的存在。具体地说,是把组件C配置在CD唱机装置内,使半导体器件B、B’的聚光部44’与插入的唱片D相对放置。如图10所示,当没有唱片D时,从半导体器件B发出的光沿1条点划线所示的光路前进,直到到达半导体器件B’(设在光路途中的构件P是棱镜)。而当把唱片D插入到CD唱机装置中时,所述光路被唱片D遮挡,所以用半导体器件B’就无法接收到从半导体器件B发出的光。
利用本发明的半导体器件B、B’的所述组件C与以往的组合有半导体器件以及基板的组件(参照图21)相比,能够更为简单地制作。因此,如图10所示,能够使唱片D比以往更靠近电路板5的第2面51a。其结果,能够缩小内藏在CD唱机装置中的光传感器的检测空间。
下面参照图11~13来说明根据本发明实施例3的半导体器件。如图13所表明的那样,实施例3的半导体器件是把发光用半导体元件与感光用半导体元件一起封装的光传感器。
具体地说,图示的半导体器件E具有发光用的半导体芯片3、感光用的半导体芯片3’以及覆盖这些半导体芯片的保护封装4。而且,半导体器件E具有与半导体芯片3导通的、整体平坦的第1引线1以及第2引线2,而且具有与半导体芯片3’导通的、整体平坦的第1引线1’以及第2引线2’。所述第1引线1’以及第2引线2’从保护封装4’中局部延伸出来。实施例3的保护封装4’虽然与图3所示的外观几乎相同,但是在不设聚光部这一点以及在保护封装4’的角部形成缺口46’a这一点上与图3不同。
保护封装4’包括:内藏在半导体芯片3内的透明的第1树脂部4’a;内藏在感光用的半导体芯片3’内的透明的第2树脂部4’b;保持这些树脂部4’a、4’b的不透明的第3树脂部4’c。第1树脂部4’a以及第2树脂4’b部的上面以及底面并没有被第3树脂部4’c覆盖,而是露在外面。第1树脂部4’a以及第2树脂4’b部可以利用如透明的环氧树脂形成,第3树脂部4’c可以利用如黑色的树脂形成。
从垂直方向看上去,半导体芯片3被置位于第1树脂部4’a的近乎中央位置的第1引线1的内侧部分10处,半导体芯片3’被置位于第2树脂部4’b的近乎中央位置的第1引线1的另一内侧部分10’处。半导体芯片3、3’的各个上面、第2引线2、2’的内侧部分20、20’通过导线W电连接。
如图13所示,作为半导体芯片3可以采用LED,作为半导体芯片3’可以采用光电晶体三极管。也可以用光电二极管来取代该光电晶体三极管。
具有所述构成的半导体器件E可以利用以下所说明的方法来制造。
首先,如图14所示的引线框架6’可以通过对金属板材料进行冲切加工来备置。该引线框架6’包括:互相平行延伸的第1以及第2侧条60’a、60’b;在这两个侧条之间延伸的多个横杆63’(在图14中只表示2个横杆)。这些横杆63’在侧条60’a、60’b的长度方向上按所定间隔T配置。
在邻接的横杆63’之间配置有1对引线部62’c、62’d和1对引线部64’c、64’d。引线部62’c、64’c从第1侧条60’a向第2侧条60’b延伸。另一方面,引线部62’d、64’d从第2侧条60’b向第1侧条60’a延伸。在引线部62’c、64’c的前端部分别形成芯片结合部62’a、64’a。而且,在引线部62’d、64’d的前端部分别形成导线结合部62’b、64’b。
在具有所述构成的引线框架6’上搭载发光用半导体芯片3以及感光用半导体芯片3’。具体地说,如图15所示,把发光用半导体芯片3嵌入芯片结合部62’a,而把感光用半导体芯片3’嵌入芯片结合部64’a。而后,用导线W电连接半导体芯片3的上面和导线结合部62’b,用导线W’电连接半导体芯片3’的上面和导线结合部64’b。
再者,如图16所示,用作为铸模的透明树脂体4’a(以下称为第1树脂体)来覆盖半导体芯片3以及导线W,用作为铸模的透明树脂体4’b(以下称为第2树脂体)来覆盖半导体芯片3’以及导线W’(一次铸模工序)。
再者,如图17所示,用不透明的树脂体4’c(以下称为第3树脂体)来覆盖所述第1以及第2树脂体4’a、4’b(二次铸模工序)。此时,使第1以及第2树脂体4’a、4’b的上面以及底面仍露出在外部。
最后,通过在所定之处(图17的点划线)切断4个引线部62’c、62’d、64’c、64’d,就可以获得如图所示的半导体器件E。与把图3所示的半导体器件B安装到电路板5上的情况相同,能够把该半导体器件E安装到电路板上。
下面参照图18以及图19。这些图是表示能把本发明的多个半导体器件成批收容的收容器剖视图。在图18以及图19中描述了实施例1的半导体器件A,但所述收容器也能用于已经说明的其他半导体器件B和半导体器件E。
如图18所示,所述收容器包括:具有多个凹部H1的载体构件H和贴附应密封在凹部H1中的载体构件H1上的密封带R。多个凹部H1是在该收容器的长度方向上,每隔所定距离S配置一个。密封带R的构成要使之具有与载体构件H相接触的粘贴面R1,并且根据需要可以从载体构件H1上揭下来(参照图19)。
如图18所示,各半导体器件A以其底面41向上的形态被收容在对应的一个凹部H1内的。为了避开与聚光部44之间的干扰,合理地收容整个半导体器件A,各凹部H1由具有相对大截面积的上位空间H1a和具有相对小截面积的下位空间H1b构成。半导体器件A的聚光部44被收容在下位空间H1b内。具有这种构成的载体构件H可以通过对塑料制的长形构件实施冲压加工来形成。
为了把多个半导体器件A自动地收容到凹部H1内,可以使用由计算机控制其动作的吸附筒夹等。在所定数目的半导体器件A被合理地收容之后,应该密封各凹部H1的密封带R被粘贴到载体构件H上。该操作也可以自动地进行。
如以上所述那样,利用载体构件H以及密封带R所收容的各半导体器件A,可以用以下那样的方法从收容器中取出。
如参照图19进行说明,则首先用适当的工具逐步揭下粘贴在载体构件H上的密封带R(参照图18)。此时,可以利用没有图示的卷绕机进行卷绕,可以使载体构件H向箭头I所示的方向移动,也可以使被揭下的密封带R向箭头I’所示的方向移动。据此,就可以使被收容在载体构件H的凹部H1内的半导体器件A接连不断地露到外面。利用配置在适当位置上的吸附筒夹K把露出的半导体器件A吸附后搬走。这样一来,就可以把半导体器件A逐个从凹部H1内取出。
利用以上的方法,就可以自动取出被收容在收容器内的半导体器件A。而且,当从所述收容器中取出了所需数量的半导体器件A之后,只要使剩下的密封带R原样粘贴在载体构件H上,就能够在与外部空气隔绝的条件下保管余下的半导体器件A。如图18以及19所示的载体构件H是长形构件。但是载体构件H的形状并不局限于此,例如也可以是把收容半导体器件的凹部H1设计成2维形状的盘形的容器。

Claims (16)

1.一种半导体器件,包括:半导体芯片;覆盖所述半导体芯片的保护封装;与所述半导体芯片导通并具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装内延伸出来的至少一个外侧部分的第1引线;与所述半导体芯片导通并具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装延伸出来的至少一个外侧部分的第2引线;其特征在于:所述第1引线以及第2引线各自的外侧部分是平坦的。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述第1引线的外侧部分以及所述第2引线的外侧部分在同一平面内延伸。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述第1引线的内侧部分以及外侧部分,和所述第2引线的内侧部分以及外侧部分在同一平面内延伸。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述第1引线以及第2引线各自具有从所述保护封装内延伸出来的多个外侧部分,这些外侧部分在同一平面内延伸。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述保护封装至少具有2个方向相对的侧面,这些侧面各自具有第1倾斜部分以及第2倾斜部分。
6.根据权利要求5所述的半导体器件,其特征在于:所述第1倾斜部分以及第2倾斜部分分别是平坦的,而且互相以所定的角度相交。
7.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述半导体芯片是发光元件。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:所述半导体芯片是光电元件。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其特征在于:还包括:追加的半导体芯片;与所述追加的半导体芯片导通的第3引线;与所述追加的半导体芯片导通的第4引线;所述第3引线具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装内延伸出来的平坦的外侧部分;所述第4引线具有被所述保护封装覆盖的内侧部分和从所述保护封装内延伸出来的平坦的外侧部分。
10.一种电路板,用于搭载具有保护封装和从该保护封装内延伸出来的平坦引线的半导体器件,其特征在于:包括:形成所定布线图的主面;应该与所述半导体器件的引线导通并形成在所述主面上的多个连接垫片;对应所述保护封装的形状而形成的通孔。
11.根据权利要求10所述的电路板,其特征在于:所述多个连接垫片被设置在所述通孔的周围。
12.根据权利要求10所述的电路板,其特征在于:在搭载了所述半导体器件的情况下,在所述主面上叠层有涂覆构件。
13.一种组合,是多个半导体器件和用于收容该半导体器件的收容器的组合,其特征在于:各半导体器件包括具有所定功能的上面和与该上面相反的底面;所述收容器的构成包括:具有向上方开口的多个凹部的载体构件和具有附着在所述载体构件上的粘贴面的密封带;所述半导体器件是以所述底面向上的状态被收容到所述凹部内的。
14.根据权利要求13所述的组合,其特征在于:在所述各半导体器件的上面设有聚光部。
15.根据权利要求13所述的组合,其特征在于:所述凹部各自具有相对较大的空间和相对较小的空间。
16.根据权利要求13所述的组合,其特征在于:所述多个凹部在所述结合构件的长度方向上按每个所定间隔形成。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7666715B2 (en) 2003-12-30 2010-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof
CN1875491B (zh) * 2003-12-30 2010-04-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法
CN101276874B (zh) * 2007-03-30 2010-09-08 罗姆股份有限公司 半导体发光装置

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4226796B2 (ja) 2001-05-30 2009-02-18 株式会社日立製作所 液晶表示装置
EP1435118B1 (de) 2001-08-21 2011-11-02 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Gehäuse für ein oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement, oberflächenmontierbares strahlungsemittierendes bauelement und anordnung mit einer mehrzahl von oberflächenmontierbaren strahlungsemittierenden bauelementen
JP3875891B2 (ja) 2002-01-24 2007-01-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
US7009285B2 (en) * 2004-03-19 2006-03-07 Lite-On Technology Corporation Optoelectronic semiconductor component
JP2007123704A (ja) * 2005-10-31 2007-05-17 Stanley Electric Co Ltd 表面実装型led
KR100735325B1 (ko) * 2006-04-17 2007-07-04 삼성전기주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
WO2007118364A1 (fr) * 2006-04-19 2007-10-25 Topson Optoelectronics Semi Co Structure d'éclairage décorative à led
US7795632B2 (en) 2006-06-26 2010-09-14 Osram Sylvania Inc. Light emitting diode with direct view optic
JP2009246343A (ja) * 2008-03-11 2009-10-22 Rohm Co Ltd 半導体発光装置およびその製造方法
US7737638B2 (en) * 2008-03-26 2010-06-15 Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte. Ltd. Light-emitting device
GB2478987A (en) 2010-03-26 2011-09-28 Iti Scotland Ltd Encapsulation of an LED array forming a light concentrator for use with edge-lit light-guided back lights
AT509676B1 (de) * 2010-04-08 2012-08-15 Ernst Mag Helldorff Leuchtkörper mit mindestens einem led-chip
US8941962B2 (en) * 2011-09-13 2015-01-27 Fsp Technology Inc. Snubber circuit and method of using bipolar junction transistor in snubber circuit
US20150262902A1 (en) 2014-03-12 2015-09-17 Invensas Corporation Integrated circuits protected by substrates with cavities, and methods of manufacture
JP6377746B2 (ja) * 2014-07-25 2018-08-22 株式会社Fuji フィーダ自動交換システム
JP7077500B2 (ja) * 2017-01-12 2022-05-31 ローム株式会社 面発光レーザ素子、光学装置
US10002821B1 (en) * 2017-09-29 2018-06-19 Infineon Technologies Ag Semiconductor chip package comprising semiconductor chip and leadframe disposed between two substrates
US20210376563A1 (en) * 2020-05-26 2021-12-02 Excelitas Canada, Inc. Semiconductor Side Emitting Laser Leadframe Package and Method of Producing Same
JP7288200B2 (ja) * 2020-07-30 2023-06-07 日亜化学工業株式会社 発光装置および梱包体

Family Cites Families (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS4893284A (zh) * 1972-03-09 1973-12-03
JPS58147141A (ja) * 1982-02-26 1983-09-01 Nec Corp 電子部品
JPS59195757A (ja) 1983-04-22 1984-11-06 Casio Comput Co Ltd 負荷分散制御装置
JPS62131441A (ja) 1985-12-04 1987-06-13 Hitachi Ltd カラ−ブラウン管のランニング装置
JPS62131441U (zh) * 1986-02-13 1987-08-19
US4713640A (en) 1986-12-22 1987-12-15 Westinghouse Electric Corp. Molded-case circuit breaker with improved contact arm assembly, toggle link means and arc shield component
JPS63173721A (ja) 1987-01-12 1988-07-18 Toyota Motor Corp 樹脂製外板構造
JPS63168931U (zh) * 1987-04-24 1988-11-02
JPH075548Y2 (ja) * 1987-04-24 1995-02-08 三菱電機株式会社 光ピツクアツプ装置
JPH01120875A (ja) * 1987-11-04 1989-05-12 Toshiba Corp 反射型光結合装置
US5198888A (en) * 1987-12-28 1993-03-30 Hitachi, Ltd. Semiconductor stacked device
JPH02101559A (ja) 1988-10-11 1990-04-13 Fanuc Ltd プロセッサ回路
JPH045652A (ja) 1990-04-23 1992-01-09 Fuji Photo Film Co Ltd ハロゲン化銀写真感光材料
KR930001759A (ko) * 1991-06-11 1993-01-16 정몽헌 캐비티형 인쇄기판
JPH05319403A (ja) * 1992-03-18 1993-12-03 Sony Corp 静電気により破壊されやすい電子部品用収納容器
KR940008054A (ko) * 1992-09-01 1994-04-28 김광호 반도체 패키지의 실장구조
DE4311530A1 (de) * 1992-10-02 1994-04-07 Telefunken Microelectron Optoelektronisches Bauelement mit engem Öffnungswinkel
JPH06296045A (ja) * 1993-04-08 1994-10-21 Rohm Co Ltd 側面発光/受光半導体装置および両面発光表示装置
JPH0779058A (ja) * 1993-09-07 1995-03-20 Toshiba Corp 光通信部品の基板実装装置
JP2536436B2 (ja) * 1993-11-19 1996-09-18 日本電気株式会社 モ―ルド型半導体装置
JPH0832106A (ja) 1994-07-14 1996-02-02 Toshiba Electron Eng Corp 光半導体装置及び基板実装装置
TW338180B (en) * 1996-03-29 1998-08-11 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor and its manufacturing method
KR19980011833U (ko) * 1996-08-22 1998-05-25 배순훈 반도체 패키지 고정용 회로기판
KR19980035063A (ko) * 1996-11-11 1998-08-05 김광호 패키지가 실장된 기판의 구조
KR19980058410A (ko) * 1996-12-30 1998-10-07 김영환 반도체 패키지와 인쇄회로기판의 결합구조
KR100551435B1 (ko) * 1998-08-26 2006-05-16 삼성전자주식회사 엘씨디모듈및엘씨디모듈용인쇄회로기판에소자를매입실장하는방법

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7666715B2 (en) 2003-12-30 2010-02-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Radiation-emitting and/or radiation-receiving semiconductor component and method for the production thereof
CN1875491B (zh) * 2003-12-30 2010-04-21 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 发射辐射和/或接收辐射的半导体组件及其制造方法
CN101276874B (zh) * 2007-03-30 2010-09-08 罗姆股份有限公司 半导体发光装置

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Publication number Publication date
WO2000013273A1 (fr) 2000-03-09
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