CN1315034A - 磁头封接玻璃及用其制造的磁头 - Google Patents

磁头封接玻璃及用其制造的磁头 Download PDF

Info

Publication number
CN1315034A
CN1315034A CN00801198A CN00801198A CN1315034A CN 1315034 A CN1315034 A CN 1315034A CN 00801198 A CN00801198 A CN 00801198A CN 00801198 A CN00801198 A CN 00801198A CN 1315034 A CN1315034 A CN 1315034A
Authority
CN
China
Prior art keywords
magnetic head
magnetic
glass
seal glass
pbo
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN00801198A
Other languages
English (en)
Inventor
长谷川真也
纸本彻也
鸟井秀雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Publication of CN1315034A publication Critical patent/CN1315034A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C8/00—Enamels; Glazes; Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions
    • C03C8/24—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders
    • C03C8/245—Fusion seal compositions being frit compositions having non-frit additions, i.e. for use as seals between dissimilar materials, e.g. glass and metal; Glass solders containing more than 50% lead oxide, by weight
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1272—Assembling or shaping of elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
    • G11B5/1875—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
    • G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
    • G11B5/1878—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film disposed immediately adjacent to the transducing gap, e.g. "Metal-In-Gap" structure
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
    • G11B5/23—Gap features
    • G11B5/232—Manufacture of gap
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/187—Structure or manufacture of the surface of the head in physical contact with, or immediately adjacent to the recording medium; Pole pieces; Gap features
    • G11B5/23—Gap features
    • G11B5/235—Selection of material for gap filler
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/1274—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with "composite" cores, i.e. cores composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers
    • G11B5/1276—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with "composite" cores, i.e. cores composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
    • G11B5/133—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive with cores composed of particles, e.g. with dust cores, with ferrite cores with cores composed of isolated magnetic particles
    • G11B5/1335—Assembling or shaping of elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Glass Compositions (AREA)

Abstract

常规磁头封接玻璃因为易析晶、强度低,所以容易因切割和磨削磁头片时的冲击力而破裂,不利于制造近年来高密度记录所需磁道窄、隙宽短的磁头。用组成为13－17wt%SiO2,5－6.8wt%B2O3,70－77wt%PbO,0.1－5wt%Al2O3和ZnO至少其一,和0.1－3wt%Na2O和K2O至少其一的玻璃为前封接玻璃,并使用组成为3－9wt%SiO2,11－17wt%B2O3,66－77wt%PbO,3－15wt%Al2O3和ZnO至少其一的玻璃为后前封接玻璃,可高得率地制得高强度、高性能磁头。

Description

磁头封接玻璃及用其制造的磁头
技术领域
本发明涉及一种磁头，它适合在磁性记录介质上记录/再现大量磁信息，本发明还涉及一种封接玻璃，用于将一对磁芯半连接形成所述磁头。
技术背景
近年来，多使用高矫顽力的磁性记录介质，而使用这种介质的设备越来越小，磁记录/再现的容量则越来越高。因此急需一种用于高密度磁性记录，能在所述介质上充分书写信号的磁头。这样的磁头应能用于高容量磁性记录介质，所述磁头使用饱和磁通量密度高的磁性材料作为磁芯，并减小磁隙宽度。例如，为此曾提出一种金属在隙内的(MIG)磁头，其中，在两个磁芯半面向磁隙的表面上涂以一层薄膜样的高饱和磁通量密度的材料(例如，Fe-Ta-N,Fe-Nb-N,Fe-Nb-Si-B-N,Co-Ta-Zr-N或Co-Nb-Zr-N，后文简称磁性材料)。
图2显示了MIG磁头的结构。在两个铁氧体磁芯半1和2面向磁隙的表面上形成高饱和磁通量密度的金属铁磁性膜3和4，然后通过磁隙材料5将面向磁隙的表面对接，并用封接玻璃6和7相互固定。
MIG磁头大体上是按照图3所示的方法制造的。首先，在一对铁氧体磁芯上形成绕线槽10和玻璃槽11(图3(a))。然后，形成用于调节磁道宽度的磁道槽12(图3(b))。接着，在已经打磨过的面向磁隙的表面上形成金属铁磁性膜3和4(未显示)，并在金属铁磁性膜3和4上形成磁隙材料膜5(未显示)。接着，将面向磁隙的两表面对接，放置前封接玻璃6和后封接玻璃7(图3(c))，然后通过对封接玻璃的热处理将两磁芯半相互连接(图3(d))。于是，将以封接玻璃封接两个铁氧体磁芯半而成的磁芯块切割成预定的厚度，并打磨，由此制成磁头片13(图3(e))。对此磁头片进行基片粘合和绕线等加工，即制成磁头。
封接玻璃6和7的封接必需在约500℃进行，以避免破坏磁性膜的磁性。后磁隙面上的后封接玻璃7是使用加工温度为500℃的封接玻璃，将其加热软化后倾倒注入。后封接玻璃的合适加工温度是490-520℃。加工温度即玻璃粘度约为103pa.s时的温度。而且，为了减少扭曲或其他缺陷造成的磁头碎裂，以高得率地制造磁头，后封接玻璃的热膨胀系数应以(75-100)×10-7℃-1为宜(例如，日本专利申请公开No.8-180310)。
另一方面，连接前磁隙面的前封接玻璃6是用一定压力从前磁隙面压入的，其时的温度为500℃，所用前封接玻璃的加工温度在500℃以上。这是因为，如果前封接玻璃6用低加工温度的玻璃倾倒充填，就会因此时粘度低玻璃易粘度低而与磁性膜反应而造成磁隙皱缩(collapse)或气泡，从而破坏磁性。所以，使用加工温度略高于加热温度的玻璃，通过对高粘度状态的玻璃施加压力将其压入，就可减少上述反应。此时，前封接玻璃的加工温度应以540-560℃为宜。而且，考虑到磁头的输出特征，为了使磁性物质产生适当的畸变，前封接玻璃的热膨胀系数应以(80-95)10-7℃-1为宜(例如，日本专利申请公开No.7-161011)。
作为满足以上条件的磁头封接玻璃，目前，前磁隙面上的封接玻璃使用的是氧化物组成为6-17wt％SiO2,7-16wt％B2O3,60-77wt％PbO,0-13wt％ZnO,0-2wt％Al2O3,0-1wt％K2O,0-3wt％Na2O,0-5wt％La2O3，和0-5wt％BaO的玻璃，后磁隙面上的封接玻璃使用的是氧化物组成为1-6wt％SiO2,7-10wt％B2O3,60-78wt％PbO,10-25wt％ZnO,0-3wt％Al2O3,0-8wt％ZrO2,0-3wt％BaO的玻璃(例如，日本专利申请公开No.7-161011和No.8-180310)。
如上所述，在磁头制造过程中，切割和磨削会产生强冲击力，封接玻璃的强度比磁头内的任何其他材料都低，有时会在其中产生裂纹，并最终造成磁头内裂纹。所以，前后封接玻璃必需具有高强度。
而且，近年来，为了提高在介质上的磁性记录密度，需要磁道宽度比过去窄，磁隙宽度比过去短的磁头。作为获得磁道窄、磁隙短的高精密磁头的制造方法，曾提出：将一对磁芯半对接，先只用后封接玻璃固定，将前磁隙面上的磁道宽度调节好后，再进行前封接玻璃封接(例如，日本专利申请公开No.7-220218)。
图4是大致的制造过程。和图3所示一样，在一对铁氧体磁芯半上形成绕线槽10，玻璃槽11和磁道槽12，在磨削过的面向磁隙的表面上形成金属铁磁性膜3和4(未显示)和磁隙材料膜5(未显示)。然后，在对接的两个磁芯半上放置后封接玻璃7(c)，加热后，后磁隙面首先连接。对已成为一体的磁芯块的邻近部分进行加工，以调节前磁隙面上对接部分的磁道宽度。然后，放置前封接玻璃6(d)，通过再次加热使前封接玻璃填入前磁隙面(e)。切割和磨削如此形成的磁芯块，制得磁头片13。对该磁头片进行基片粘合和绕线等处理后即完成一磁头。用这种制造方法，可以获得磁道窄且没有移动，而且磁隙精度稳定的高精度磁头。
然而，对一般玻璃材料来说，有时会因加热在玻璃内析出晶体沉积。对大多数玻璃材料来说，微晶体会在玻璃的表面大量析出，且分布不均，因而易产生裂纹，降低玻璃材料的表观强度。特别是，在制造以上高密度记录所用磁头的方法中，后封接玻璃被两次加热，因而易在玻璃内析出晶体。晶体在封接玻璃内的不均匀析出使其强度降低。所以，当封接成一体的磁芯被切割和磨削时，就会在封接部位产生裂纹。
所谓结晶玻璃是这样一种材料，它的强度因为热处理使得微晶体在玻璃整体内均匀析出而提高，这不同于许多其他玻璃材料中的析晶。然而，因为结晶玻璃的组成是有定制的，所以难以获得具有所需物理特性的材料。而且，因为使用时的热处理条件也是有定制的，使得所述材料不能适用于许多场合。磁头的封接玻璃还需要满足许多条件，包括加工温度，热膨胀系数，化学稳定性等，以便适合对磁头的要求。所以，以选用组成自由度大且不易析晶的无定形玻璃为佳。
因此，上述磁头封接玻璃除了具有最适加工温度和热膨胀系数以外，还因为不会在磁头制造过程中的加热条件下析晶而具有高强度。
然而，日本专利申请公开No.7-161011和No.8-180310所述组成的封接玻璃并没有考虑析晶和强度的问题。因此，在用实现以上高密度记录的方法制造磁头时，会产生裂纹，有时，会在磁头内造成破损和开裂。
发明概述
本发明成功解决了以上问题，因此，本发明目的之一是提供一种高性能磁头，其中，因为所用玻璃不会析晶，封接玻璃内不易产生裂纹，由此提高了磁头的芯片强度，磁头不易破裂。
为了达到以上目的，本发明提供了一种磁头前封接玻璃和一种后封接玻璃。
所述前封接玻璃的化学组成按氧化物计为，13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。较好的组成是，按氧化物计，16-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,75.5-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。
所述后封接玻璃的化学组成按氧化物计为，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,66-77wt％PbO,3-15wt％Al2O3和ZnO至少其一。较好的组成按氧化物计是，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,68-77wt％PbO,4-14wt％Al2O3和ZnO至少其一。
本发明还提供了一种高性能磁头，具有一对磁芯半，其至少一面上有一个绕线槽，至少一个面向磁隙的表面上有一层金属铁磁性膜，所述面向磁隙的两个表面通过磁隙材料对接，用前封接玻璃连接前磁隙面，用后封接玻璃连接后磁隙面，如此将所述磁芯半连接。
附图简述
图1(a)是本发明一种磁头的透视图，图1(b)是该磁头主要部分的平面图；
图2(a)是常规磁头的透视图，图2(b)是该磁头主要部分的平面图；
图3说明性地显示了制造常规磁头的方法；
图4说明性地显示了制造一种本发明磁头的方法；
图5显示测定磁头片强度的方法。
标号说明：
1,2：磁芯半
3,4：金属铁磁性膜
5：磁隙材料
6：前封接玻璃
7：后封接玻璃
8,9：磁道宽度调节槽
10：绕线槽
11：玻璃槽
12：磁道槽
13：磁头片
14：夹具
15：加载试验机
本发明最佳实施方式
(实施方式1)
以下描述本发明的一种实施方式。
本发明的一种磁头，具有一对磁芯半，其至少一面上有一个绕线槽，至少一个面向磁隙的表面上有一层金属铁磁性膜，所述面向磁隙的两个表面通过磁隙材料对接，用前封接玻璃连接前磁隙面，用后封接玻璃连接后磁隙面，如此将所述两磁芯半连接。
本发明的前封接玻璃是一种如下组成的磁头封接玻璃：按氧化物计，13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一；较好是，按氧化物计，16-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,75.5-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。因为用此前封接玻璃的磁头具有高强度，所以可以高得率地获得高性能的磁头。
本发明的后封接玻璃是一种如下组成的磁头封接玻璃：按氧化物计，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,66-77wt％PbO,3-15wt％Al2O3和ZnO至少其一。较好的组成是，按氧化物计，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,68-77wt％PbO,4-14wt％Al2O3和ZnO至少其一。如果使用这样的后封接玻璃，该玻璃不会在磁头制造过程中析晶，因此可以获得高强度。所以，可以高得率地获得高性能的磁头。
以下是对本发明磁头和用于该磁头的封接玻璃的描述。
图1显示了本发明的一种磁头。两磁芯半1和2由铁氧体制成，在它们面向磁隙的表面上形成高饱和磁通量密度的金属铁磁性膜3和4，在金属铁磁性膜3和4之间形成磁隙材料5。而且，磁隙处的连接是用前封接玻璃6和后封接玻璃7进行的。虽然，该磁头的结构与图2所示是常规磁头基本相同，但其磁道宽度用图4所示方法进行调节以提高磁道宽度的精度，并在前磁隙的附近形成磁道宽度调节槽8和9。
就该磁头的磁芯，金属铁磁性膜，磁隙材料等而言，一般可使用常用材料。
本实施例中本发明磁头封接材料中的前封接材料具有以下组成：按氧化物计，13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一；较好是，按氧化物计，16-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,75.5-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。
以下说明限制各组成的理由，后文将提供支持数据。
SiO2含量低于13wt％会降低磁头片的强度。而SiO2含量高于17wt％会使加工温度过高而超过560℃。如果B2O3含量低于5wt％，加工温度会超过560℃，如果高于6.8wt％，磁头片强度会降低。如果PbO含量低于70wt％，加工温度会超过560℃，如果高于77wt％，磁头片强度会降低。本实施例的玻璃为了获得低加工温度而含大量PbO，这却使得玻璃的耐水性降低。所以，为了解决这一问题，该玻璃最好含有0.1wt％或更多的Al2O3和ZnO至少其一。然而，如果Al2O3和ZnO的总含量超过5wt％，加工温度会过高而超过560℃。Na2O和K2O的作用在于降低熔点并调节热膨胀系数，最好含有0.1wt％或更多的至少其一。然而，如果Na2O和K2O的总含量超过3wt％，热膨胀系数会升高过度。对这样的前封接玻璃进行操作的实际处理温度以500℃为宜。这是因为，比此更高的温度有损金属铁磁性膜的磁性。
而且，本实施例的后封接玻璃具有以下组成，按氧化物计，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,66-77wt％PbO,3-15wt％Al2O3和ZnO至少其一。较好的组成是，按氧化物计，3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,68-77wt％PbO,4-14wt％Al2O3和ZnO至少其一。
以下说明限制各组分的理由，后文将提供支持数据。SiO2含量低于3wt％会降低磁头片的强度。而SiO2含量高于9wt％会使加工温度过高而超过520℃。如果B2O3含量低于11wt％，加工温度会超过520℃，如果高于17wt％，磁头强度会降低。如果PbO含量低于66wt％，加工温度会超过520℃，如果高于77wt％，磁头片强度会降低。本实施例的玻璃为了获得低加工温度而含大量PbO，这却使得玻璃的耐水性降低。所以，为了解决这一问题，该玻璃最好含有3wt％或更多的Al2O3和ZnO至少其一。然而，如果Al2O3和ZnO的总含量超过15wt％，玻璃会在磁头制造过程中的加热后析晶，从而降低磁头片的强度。较好的是，对这样的后封接玻璃进行操作的实际处理温度是500℃。
以下将结合实施例对本发明进行描述，但本发明并不局限于这些实施例。(实施例1)
制造了加工温度为540-560℃，热膨胀系数为(80-95)×10-7℃-1的各种不同组成的玻璃作为前封接玻璃。如下制造所述玻璃：将预定原料加入一铂坩埚内，在电炉内在1000-1100℃熔制1小时，迅速淬冷该熔融材料。表1-7列出了实施例(2,3,4,7,8,9,12,13,14,17,18,19,20,25,26,27,31,32,33,34,39,40和41)和比较实施例(1,5,6,10,11,15,16,21,22,23,24,28,29,30,35,36,37,38,42和43)所熔制的不同玻璃的组成、加工温度和30-300℃的热膨胀系数。
此外，以单位面积的重量减少来表示耐水性。如此测定重量的减少：将立方体玻璃样品的一个侧面浸入沸腾的去离子水中10mm，1小时。为了该玻璃可用作磁头封接玻璃，该值应低于1.0mg/cm2。
此外，在所制造的各种玻璃中，选用加工温度540-560℃，且具有高耐水性的玻璃来制造结构如图1所示的磁头，并测定磁头片的强度。表8中的第46号玻璃被用作所有磁头的后封接玻璃。如图5所示，用加载试验机来测定磁头片的强度。所用的测定方法如实施例3所述。
表1
 比较实施例                  实施例  比较实施例
            No.     1      2      3      4      5
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     12.06.876.01.92.00.50.8100.0     13.06.874.62.52.30.30.5100.0     16.36.176.20.80.6100.0     17.06.074.90.50.61.0100.0     18.15.575.00.60.20.20.4100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     545930.670     550920.484     550950.492     555930.589     570900.3-
表2
 比较实施例                  实施例  比较实施例
           No.      6      7      8      9     10
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     15.94.076.22.51.00.10.3100.0     16.65.076.01.40.30.30.4100.0     16.66.075.80.90.10.6100.0     14.76.874.31.52.20.5100.0     13.98.572.70.53.50.40.5100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     565910.5-     560920.489     555930.390     555900.487     550910.468
表3
比较实施例                 实施例  比较实施例
           No.     11      12      13     14     15
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     16.76.868.93.01.91.21.5100.0     16.56.770.02.52.21.01.1100.0     15.56.576.30.90.40.4100.0     14.86.577.00.10.90.7100.0     15.75.578.10.50.2100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     565890.5-     555900.489     545930.586     545940.583     545940.669
表4
   比较实施例                       实施例         比较实施例
           No.     16     17     18     19     20     21      22
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     14.06.776.70.91.7100.0     16.66.275.50.10.61.0100.0     16.46.576.60.10.4100.0     13.25.974.55.00.50.9100.0     14.36.772.35.00.71.0100.0     13.55.873.16.50.11.0100.0     15.25.572.06.50.40.4100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     545941.5_     550940.787     550920.688     555920.584     555910.383     570870.4-     565880.4-
表5
        比较实施例                  实施例         比较实施例
           No.      23      24      25      26      27      28     29
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     13.956.7076.700.050.901.70100.0     14.006.6576.700.050.901.70100.0     16.506.4076.000.050.050.300.70100.0     14.206.0074.301.503.500.50100.0     13.206.5074.603.501.500.200.50100.0     14.606.0072.802.503.500.200.40100.0     14.006.2072.703.502.500.500.60100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     545951.2-     545951.3-     550930.690     550900.586     555910.585     565890.5-     565890.4-
表6
   比较实施例                       实施例         比较实施例
           No.      30      31      32      33      34      35      36
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计     16.66.472.53.2100.0     14.66.874.41.03.10.1100.0     16.16.276.60.20.80.1100.0     15.65.573.11.51.33.0100.0     14.76.872.11.61.83.0100.0     14.55.874.90.84.0100.0     13.26.774.50.90.74.0100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     570850.3_     555900.490     550910.389     550940.586     550930.786     550970.874     545980.772
表7
    比较实施例              实施例         比较实施例
           No.    37    38   39    40      41      42      43
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnONa2OK2O总计   16.056.2073.502.202.000.05100.0  16.056.0074.103.100.700.05100.0  15.506.4075.500.601.900.050.05100.0   15.506.0073.201.201.101.002.00100.0     15.006.1072.801.701.402.001.00100.0     14.405.6073.801.201.001.502.50100.0     14.006.0074.001.200.802.501.50100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)   565880.3-  565890.4-  555910.584   555930.485     555930.587     545960.573     545970.670
在此，可从表1中看出SiO2的优选含量，可从表2中看出B2O3的优选含量，可从表3中看出PbO的优选含量。此外，可从表4和5中看出Al2O3和ZnO的优选含量，可从表6和7中看出Na2O和K2O的优选含量。(实施例2)
制造了加工温度为490-520℃，热膨胀系数为(75-100)×10-7℃-1的各种不同组成的玻璃作为后封接玻璃。如下制造所述玻璃：将预定原料加入一铂坩埚内，在电炉内在1000-1100℃熔制1小时，迅速淬冷该熔融材料。表8-12列出了实施例(45,46,47,50,51,52,55,56,57,60,61,62,63,68,69和70)和比较实施例(44,48,48,53,54,58,59,64,65,66,71和72)所熔制的不同玻璃的组成、加工温度和30-300℃的热膨胀系数。
此外，以单位面积的重量减少来表示耐水性。如此测定重量的减少：将立方体玻璃样品的一个侧面浸入沸腾的去离子水中10mm,1小时。为了该玻璃可用作磁头封接玻璃，该值应低于1.0mg/cm2。
此外，在所制造的各种玻璃中，选用加工温度490-520℃，且具有高耐水性的玻璃来制造结构如图1所示的磁头，并测定磁头片的强度。表1中的第3号玻璃被用作所有磁头的前封接玻璃。如图5所示，用加载试验机来测定磁头片的强度。所用的测定方法如实施例3所述。
表8
 比较实施例                  实施例  比较实施例
           No.     44     45     46     47      48
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnO总计     2.814.069.41.012.8100.0     3.013.570.51.012.0100.0     6.513.074.93.32.3100.0     9.016.271.03.8100.0     10.511.572.02.23.8100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     505930.765     515910.685     515930.592     515860.489     530900.3_
表9
 比较实施例                  实施例  比较实施例
           No.     49     50     51     52     53
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnO总计     6.99.769.21.612.6100.0     7.511.075.13.33.1100.0     4.215.068.512.3100.0     5.517.067.23.56.8100.0     4.818.166.30.410.4100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     525830.5-     520930.690     515880.592     515860.486     515860.567
表10
 比较实施例                  实施例  比较实施例
           No.     54     55     56     57     58
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnO总计     7.514.564.81.012.2100.0     6.816.166.00.710.4100.0     5.516.567.73.56.8100.0     5.513.177.01.82.6100.0     4.111.878.42.13.6100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     525800.4-     520860.487     520870.688     505980.785     5151020.868
表11
   比较实施例                        实施例         比较实施例
           No.     59     60     61     62     63     64     65
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnO总计     6.516.876.7100.0     8.616.272.23.0100.0     7.313.176.63.0100.0     4.211.569.315.0100.0     4.114.266.715.0100.0     3.513.067.016.5100.0     4.511.367.716.5100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     495961.9_     510880.887     510970.786     515910.884     515840.682     515850.768     520820.666
表12
        比较实施例               实施例       比较实施例
           No.     66     67     68     69     70     71     72
组成(wt％)     SiO2B2O3PbOAl2O3ZnO总计     6.415.976.21.5100.0     6.815.076.71.5100.0     7.914.674.51.51.5100.0     4.113.367.66.09.0100.0     4.212.468.49.06.0100.0     4.012.167.47.59.0100.0     3.213.766.69.07.5100.0
加工温度(℃)热膨胀系数(×10-7/℃)耐水性(mg/cm2)磁头片强度(gf)     500951.4-     500961.5-     510930.787     515870.485     515890.586     515840.469     515840.467
在此，可从表8中看出SiO2的优选含量，可从表9中看出B2O3的优选含量，可从表10中看出PbO的优选含量。此外，可从表11和12中看出Al2O3和ZnO的优选含量。(实施例3)
用表1-7中某些组成的玻璃作为前封接玻璃，用表8-12中某些组成的玻璃作为后封接玻璃，制造图1结构的磁头。
由熔融的玻璃拉丝形成一根直径0.5mm，长30mm的纤维，将其用作封接玻璃。用Mn-Zn单晶铁氧体作为制造磁头两个磁芯半的铁氧体。此外，用饱和磁通量密度(Bs)为1.6T的Fe-Ta-N膜作为金属铁磁性膜，用石英玻璃作为磁隙材料。
表13是磁头生产得率的结果。所示的生产得率是磁头内没有碎裂而且封接玻璃内没有裂纹的磁头数与所制500个磁头之比。表13中，得率高于等于98％以◎表示，得率高于等于95％以○表示，得率低于95％以×表示。
表13
       制造得率                                前封接玻璃
               实施例                比较实施例
   3    8   9    13     1    10    15    43
后封接玻璃 实施例    46    ◎    ◎   ○    ○    ×    ×    ×    ×
   51    ◎    ◎   ○    ○    ×    ×    ×    ×
   47    ○    ○   ○    ○    ×    ×    ×    ×
   56    ○    ○   ○    ○    ×    ×    ×    ×
比较实施例    44    ×    ×   ×    ×    ×    ×    ×    ×
   53    ×    ×   ×    ×    ×    ×    ×    ×
   58    ×    ×   ×    ×    ×    ×    ×    ×
   65    ×    ×   ×    ×    ×    ×    ×    ×
表14是磁头的芯片强度测定结果，这些磁头中没有产生破损和开裂，而且封接玻璃内也没有裂纹。芯片强度是用图5所示加载试验机测定的。用该加载试验机时，磁头片的一端用夹具4固定，由加载试验机15对另一端施加负荷，由此测定使磁头片断裂的负荷量。对100片磁头片进行了测定。
表14
   磁头片强度(gf)                             前封接玻璃
              实施例             比较实施例
   3    8    9    13    1    10    15    43
 后封接玻璃  实施例  46   92   90   87    86   70    68    69    70
 51   92   91   88    87   69    70    68    71
 47   89   88   86    85   68    67    68    69
56 88 86 85 86 69 68 67 66
 比较实施例  44   65   66   63    66   58    59    55    60
53 67 68 65 64 57 57 56 56
 58   68   67   66    65   55    54    55    57
 65   66   65   66    63   56    55    58    58
由表13和14可以看出，用本发明实施例3、8、9和13的前封接玻璃和本发明实施例46、51、47和56的后封接玻璃的磁头，得率高，磁头片强度高。
相反，用比较实施例的玻璃作为前封接玻璃和后封接玻璃至少其一的磁头得率低，磁头片强度低。
工业用途
如上所述，如果使用本发明组成的磁头封接玻璃，这样的玻璃不会析晶，可以提高磁头的芯片强度。因此，即使是在磁头制造过程中，也不易产生封接玻璃内的裂纹，不易使磁头破损和开裂。
由此，可以显著提高制造磁道窄、磁隙短的高性能磁头的得率。

Claims (3)

1．一种磁头封接玻璃，其组成为：13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一。
2．一种磁头封接玻璃，其组成为：3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,66-77wt％PbO,3-15wt％Al2O3和ZnO至少其一。
3．一种磁头，具有一对磁芯半，其至少一面上有一个绕线槽，至少一个面向磁隙的表面上有一层金属铁磁性膜，所述面向磁隙的表面通过磁隙材料对接，用前封接玻璃连接前磁隙面，用后封接玻璃连接后磁隙面，如此将所述两个磁芯半连接起来，所述前封接玻璃的组成为13-17wt％SiO2,5-6.8wt％B2O3,70-77wt％PbO,0.1-5wt％Al2O3和ZnO至少其一，以及0.1-3wt％Na2O和K2O至少其一；所述后封接玻璃的组成为3-9wt％SiO2,11-17wt％B2O3,66-77wt％PbO,3-15wt％Al2O3和ZnO至少其一。
CN00801198A 1999-07-02 2000-06-29 磁头封接玻璃及用其制造的磁头 Pending CN1315034A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP189,237/1999 1999-07-02
JP18923799 1999-07-02

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1315034A true CN1315034A (zh) 2001-09-26

Family

ID=16237913

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN00801198A Pending CN1315034A (zh) 1999-07-02 2000-06-29 磁头封接玻璃及用其制造的磁头

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6631050B1 (zh)
EP (1) EP1126440A1 (zh)
KR (1) KR20010073086A (zh)
CN (1) CN1315034A (zh)
WO (1) WO2001003128A1 (zh)

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3562444A (en) * 1968-02-29 1971-02-09 Ibm Recording head assembly
DE3545884C2 (de) 1985-12-23 1998-10-22 Focke & Co Vorrichtung zum Herstellen von (Zigaretten-) Packungen aus mindestens einem faltbaren Zuschnitt
JPS62158611U (zh) * 1986-03-28 1987-10-08
US5029032A (en) 1988-10-19 1991-07-02 Tdk Corporation Magnetic head for high density recording
JPH03265539A (ja) * 1990-03-16 1991-11-26 Hitachi Ltd 磁気ヘッド
JPH0546915A (ja) * 1991-08-08 1993-02-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘツド
JPH076313A (ja) * 1993-06-16 1995-01-10 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッドの製造方法
JP3265539B2 (ja) 1993-06-28 2002-03-11 株式会社共和電業 多分力計
JPH0737223A (ja) * 1993-07-20 1995-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッド
JP2933491B2 (ja) 1993-10-04 1999-08-16 松下電器産業株式会社 磁気ヘッドの製造方法
JP3083224B2 (ja) * 1993-12-07 2000-09-04 松下電器産業株式会社 磁気ヘッド
JPH08180310A (ja) 1994-12-20 1996-07-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 磁気ヘッド
JP3296679B2 (ja) 1995-04-06 2002-07-02 セントラル硝子株式会社 接着用ガラス
JPH11157874A (ja) 1997-11-28 1999-06-15 Central Glass Co Ltd 接着用ガラス組成物および磁気ヘッド

Also Published As

Publication number Publication date
KR20010073086A (ko) 2001-07-31
WO2001003128A1 (fr) 2001-01-11
US6631050B1 (en) 2003-10-07
EP1126440A1 (en) 2001-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1182057C (zh) 玻璃组合物、磁头用封接玻璃及磁头
JP4213077B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板およびその製造方法並びに情報記録媒体およびその製造方法
US5872069A (en) Glass-ceramics for magnetic disc substrate, magnetic disc substrate and magnetic disc
US9023421B2 (en) Method for producing magnetic disk, and glass substrate for information recording medium
JP4785274B2 (ja) ガラス物品およびそれを用いた磁気記録媒体用ガラス基板
CZ171396A3 (en) Hardened glass substrate and the use thereof
EP2263979A1 (en) Crystallized glass substrate for information recording medium and method of producing the same
CN101542603B (zh) 信息记录媒体用玻璃基板、信息记录媒体用玻璃基板的制造方法及信息记录媒体
JP5790303B2 (ja) 強化ガラス板の製造方法
CN102531383A (zh) 基板用玻璃及玻璃基板
CN102320742A (zh) 数据存储介质用基板玻璃及玻璃基板
JP4923556B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板
CN111542503A (zh) 可键合的玻璃和低自发荧光制品及其制造方法
EP0909967B1 (en) Ferrule for optical fiber connectors
JP2000159540A (ja) 情報記録媒体基板用ガラス
EP3360851A1 (en) Glass for data storage medium substrate, glass substrate for data storage medium, and magnetic disk
JP4930838B2 (ja) 情報記録媒体用ガラス基板および情報記録媒体
JP6936954B2 (ja) マイクロ流路デバイス用ガラス基板
CN1315034A (zh) 磁头封接玻璃及用其制造的磁头
JPS63156034A (ja) 封着用ガラス
JP6015876B1 (ja) 磁気記録媒体用のガラス基板、および磁気記録媒体の製造方法
JP2987804B2 (ja) 情報記録用ガラス基板
JP4356103B2 (ja) 光ファイバ付予備材
JPS6335465A (ja) 磁気ヘツド封着用ガラス
JPS62288133A (ja) 磁気ヘツドの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
AD01 Patent right deemed abandoned
C20 Patent right or utility model deemed to be abandoned or is abandoned