CN1308501C - 用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种顶部籽晶法生长晶体时籽晶对中的方法，运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，将一束激光(4)照射籽晶(1)的头部，然后通过反射镜(3)观察反射光斑在参照墙上(5)的位置，在转动籽晶杆(2)时调整籽晶杆(2)以使反射光斑在参照墙上(5)的位置基本不变，达到籽晶对中的目的。

Description

用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，属于晶体材料制备，特别是晶体生长中的籽晶处理方法。
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，许多功能晶体的生长已日趋工业化。增大晶体的尺寸，可以减少其生产成本，扩大其应用范围。但大多数的晶体各向异性明显，如果籽晶偏离晶体学轴向，则晶体在生长一段长度以后，便会出现不对称生长，一边往外长(称之为“长脚”)，另一边收进，逐渐发展成为拉脱的情况，影响晶体的尺寸。如果籽晶对中较好，就会减少不对称生长的几率。
例如在大尺寸钒酸钇晶体的生长中，如果籽晶偏离c轴向较大，则晶体生长一段后，晶体会长成“鸭舌帽”的形状，使得晶体的可利用率大大降低。在YCOB、GdCOB、BBO、LBO等晶体生长中同样存在相似的情况。这些例子都说明了籽晶对中的重要性。
传统的籽晶对中法是利用一张画有和籽晶头部类似大小的圆圈的纸，通过肉眼观察和手动调节，保证籽晶在转动时头部是在圆圈内画弧，达到对中籽晶的目的。这种做法的局限性是只凭肉眼的直接观察，即使是有经验的操作人员也会有1-2度的误差，在一般情况下可能达到4-5度，尤其是当籽晶的长度较短的时候。
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，其目的在于运用激光方向性好、亮度高等性质，对籽晶方向的偏离进行放大、纠正，从而达到校正偏离，提高籽晶对中的精度。
本发明要求置于籽晶杆(2)上的籽晶(1)的生长方向有较好的解理面，对于没有生长方向解理面的晶体，要求对籽晶(1)头部进行抛光，使其能够较好地反射He-Ne激光(4)。具体来说，就是将He-Ne光(4)通过反射镜(3)照射到籽晶(1)头部，经头部反射的光再经反射镜(3)反射，其光斑落在参照墙(5)上某一位置。
如果转动籽晶时，反射光斑将保持在一定的范围内。我们根据这个范围的大小和籽晶(1)离参照墙(5)的距离，判断籽晶(1)对中的精度。从理论上讲，如果保证籽晶反射光斑在5米处的参照墙(5)上画半径为10厘米的圆弧，则说明籽晶(1)的方向偏离已控制在15分以内。
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，附图是顶部籽晶法晶体生长时籽晶的激光对中法的示意图：其中(1)是籽晶；(2)是籽晶杆；(3)是反射镜；(4)是He-Ne激光束；(5)是参照墙。
用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，该发明可以应用于绝大多数晶体生长的籽晶对中。
现以对中a轴钒酸钇晶体籽晶为例，激光籽晶对中包括以下几个步骤：
1.先将籽晶(1)剖出一个解理面，然后将其装入籽晶杆(2)中，并将籽晶杆(2)固定在单晶炉上；
2.将反射镜(3)非水平放在籽晶杆(2)下部的正下方，使其能够反射远处的He-Ne光(4)；
3.将He-Ne光(4)通过反射镜(3)照射到籽晶(1)头部上，再经反射镜(3)反射到墙上，光斑的合适位置可通过转动反射镜(3)来实现；
4.转动籽晶杆(2)，根据参照墙(5)上的光斑画弧情况，不时调整籽晶杆(2)，使光斑画弧不超出所要求的范围，这样籽晶(1)就对中完毕了。

Claims (2)

1.用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，其特征在于：该方法采取以下步骤：
1)先将籽晶(1)剖出一个解理面，然后将其装入籽晶杆(2)中，并将籽晶杆(2)固定在单晶炉上；
2)将反射镜(3)非水平放在籽晶杆(2)下部的正下方，使其能够反射远处的He-Ne光(4)；
3)将He-Ne光(4)通过反射镜(3)照射到籽晶(1)头部上，再经反射镜(3)反射到参照墙(5)上，光斑的合适位置通过转动反射镜(3)来实现；
4)转动籽晶杆(2)，根据参照墙(5)上的光斑画弧情况，不时调整籽晶杆(2)，使光斑画弧不超出所要求的范围，这样籽晶(1)就对中完毕了。
2.如权利要求1所述的用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法，其特征在于：所述的籽晶(1)如果没有生长解理面，则要求对籽晶(1)的头部进行抛光。
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Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103882529A (zh) * 2012-12-21 2014-06-25 有研光电新材料有限责任公司 一种晶体生长炉中籽晶与坩埚对中的调试方法及装置
CN108203841B (zh) * 2016-12-20 2020-07-10 有研半导体材料有限公司 一种提高区熔硅单晶生长过程中放肩成功率的方法
CN109023512B (zh) * 2018-08-29 2020-07-17 上海新昇半导体科技有限公司 长晶炉校验系统和长晶炉校验方法
CN111893562B (zh) * 2020-08-14 2023-06-09 内蒙古中环领先半导体材料有限公司 一种单晶炉提拉头校准装置及校准方法
CN112160023A (zh) * 2020-10-09 2021-01-01 西安奕斯伟硅片技术有限公司 用于将籽晶旋转杆与坩埚旋转基座对中的方法及系统
CN115574796B (zh) * 2022-11-18 2023-03-07 浙江晶盛机电股份有限公司 对中校准装置及对中校准方法
CN115574744B (zh) * 2022-11-18 2023-03-10 浙江晶盛机电股份有限公司 对中校准装置及对中校准方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5133829A (en) * 1991-01-08 1992-07-28 Sematech, Inc. Single wafer regrowth of silicon
JPH06168898A (ja) * 1991-01-08 1994-06-14 Sematech Inc シリコンの再成長を伴うシリコンウェハーのスピン鋳造
JPH11268990A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Denso Corp 単結晶の製造方法および製造装置
JP2001080990A (ja) * 1999-09-09 2001-03-27 Mitsubishi Materials Silicon Corp 種結晶の保持装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5133829A (en) * 1991-01-08 1992-07-28 Sematech, Inc. Single wafer regrowth of silicon
JPH06168898A (ja) * 1991-01-08 1994-06-14 Sematech Inc シリコンの再成長を伴うシリコンウェハーのスピン鋳造
JPH11268990A (ja) * 1998-03-20 1999-10-05 Denso Corp 単結晶の製造方法および製造装置
JP2001080990A (ja) * 1999-09-09 2001-03-27 Mitsubishi Materials Silicon Corp 種結晶の保持装置

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Hot seeding for the growth of c-axis-oriented Nd-Ba-Cu-O Chauhan,H. S.,Murakami,M,Supercond. Sci. Technol.,Vol.13 No.6 2000 *
使用定向偏角籽晶拉制无位错[111]硅单晶 沙晶，物理，第2期 1975 *

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