JP2001080990A - 種結晶の保持装置 - Google Patents
種結晶の保持装置Info
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Abstract
発生率を低減する。 【解決手段】 ピン孔22bが中心軸a方向に間隔をあ
けて複数形成され、切欠き部23aが種結晶23の側面
にピン孔の数に相応して複数形成され、シードチャック
ピン24が複数のピン孔にそれぞれ挿入されかつ最上部
のピン孔に挿入したピンの胴部24aのみが切欠き部に
当接する。隣接する切欠き部の間隔をそれぞれ等間隔と
する第1間隔x、隣接するピン孔の間隔をそれぞれ等間
隔とする第2間隔yとするとき、第2間隔が第1間隔よ
り広く形成されるか、又は第1間隔と第2間隔が等しく
複数のピンの胴部の直径が下方に向かうに従って順次小
さく形成されるか、又は第1間隔と第2間隔が等しく複
数の切欠き部が下方に向かうに従って順次大きく形成さ
れる。複数のシードチャックピンが複数の隣接するピン
孔の間隔と同間隔をあけてピンの一端が一体的に連結さ
れる。
Description
法(CZ法)によるシリコン単結晶の引上げ装置の種結
晶の保持装置に関する。更に詳しくは、単結晶を育成す
る際にシリコン融液に接触させる種結晶を保持する装置
に関するものである。
るつぼ内のシリコン融液からシリコン単結晶を成長させ
るチョクラルスキー法(以下、CZ法という。)が知ら
れている。この方法ではまず引上げ装置に設置されたる
つぼ内に多結晶シリコンを充填する。この多結晶シリコ
ンを加熱融解して得たシリコン融液の表面に種結晶の一
端を接触させ部分的に融解する。次に、種結晶を引上げ
てシリコン融液から種絞り部分を作成し、その後目的と
するシリコン棒の直径まで結晶を徐々に太らせて成長さ
せる。この方法により、必要な結晶方向を有する無転位
の単結晶棒を得ることができる。
保持装置に取付けられて保持される。この保持装置で
は、まず予め側面に切欠き部が形成された種結晶をシー
ドチャックの中心軸に沿ってシードチャックの底部に形
成された種結晶挿入穴に挿入する。この状態でシードチ
ャックの中心軸に直交するとともに中心軸に対して偏倚
して形成されたピン孔にシードチャックピンを挿入す
る。これによりシードチャックピンの胴部が種結晶の切
欠き部に当接し、種結晶が保持される。
の保持装置では、シリコン単結晶棒の長さが大きくなっ
て、シードチャックピンの胴部と切欠き部とが接触する
部分に高い応力が集中することに起因して、切欠き部で
種結晶が破損することがある。この場合には種結晶の切
欠き部、シードチャックのピン孔及びシードチャックピ
ンはそれぞれ単一であるため、シリコン単結晶棒がシリ
コン融液中に落下するおそれがあった。特に、シリコン
単結晶棒の大口径化等の要求に伴い、近年種結晶により
引上げるシリコン単結晶棒の重量も増加傾向にある。こ
れによりシリコン単結晶棒の引上げに際して生じる接触
部分の応力も今まで以上に大きくなり、シリコン単結晶
棒が落下する事故の発生率がより高まる。本発明の目的
は、種結晶の破損によるシリコン単結晶棒落下の発生率
を低減する種結晶の保持装置を提供することにある。
図1又は図2に示すように、チャック本体22dの中心
軸aに沿ってチャック本体22dの底部に形成された種
結晶挿入穴22aと中心軸aに直交するとともに中心軸
aに対して偏倚して形成されたピン孔22bとを有する
シードチャック22と、種結晶挿入穴22aに挿入可能
な外径を有し挿入状態でピン孔22bに対向する側面に
切欠き部23aが形成された種結晶23と、ピン孔22
bに挿入され胴部24aが切欠き部23aに当接可能な
シードチャックピン24とを備えた種結晶の保持装置に
おいて、ピン孔22bが中心軸a方向に間隔をあけて複
数形成され、切欠き部23aが種結晶23の側面にピン
孔22bの数に相応して複数形成され、シードチャック
ピン24が複数のピン孔22bにそれぞれ挿入されかつ
最上部のピン孔22bに挿入したシードチャックピン2
4の胴部24aのみが切欠き部23aに当接するように
構成されたことを特徴とする種結晶の保持装置である。
請求項1に係る発明では、種結晶23の切欠き部23
a、シードチャック22のピン孔22b及びシードチャ
ックピン24を複数有し、かつ最上部の切欠き部23a
とシードチャックピン24の胴部24aでのみ接触して
シードチャック22に種結晶23が保持される。これに
より最上部の切欠き部23aで破損を生じて種結晶23
がずり落ちても、最上部の次に位置する切欠き部23a
とシードチャックピン24の胴部24aとが接触して種
結晶23を保持するので、シリコン単結晶棒の落下を防
止できる。
明であって、図1又は図2に示すように、ピン孔22b
及び切欠き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠
き部23aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれ
らの間隔を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間
隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2
間隔yとするとき、第2間隔yが第1間隔xより広く形
成された種結晶の保持装置である。請求項2に係る発明
では、最上部のシードチャックピン24の胴部24aと
最上部の切欠き部23aを当接させたとき、第2間隔y
が第1間隔xより広く形成されているので下方に向かう
に従ってピン孔22bと切欠き部23aとの位置は一定
の割合で切欠き部23aがピン孔22bの下方に位置す
るようにずれを生じるので最上部以外のシードチャック
ピン24の胴部24aと切欠き部23aは接触しない。
明であって、図3に示すように、ピン孔22b及び切欠
き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠き部23
aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔
を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間隔がそれ
ぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2間隔yと
するとき、第1間隔xと第2間隔yが等しく形成され、
複数のシードチャックピン24の胴部24aの直径が下
方に向かうに従って順次小さく形成された種結晶の保持
装置である。請求項3に係る発明では、最上部のシード
チャックピン24の胴部24aと最上部の切欠き部23
aを当接させたとき、下方に向かうに従って順次シード
チャックピン24の胴部24aの直径が小さく形成され
るので最上部以外のシードチャックピン24の胴部24
aと切欠き部23aは接触しない。
明であって、図4に示すように、ピン孔22b及び切欠
き部23aが3個以上形成され、隣接する切欠き部23
aの間隔がそれぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔
を第1間隔xとし、隣接するピン孔22bの間隔がそれ
ぞれ等間隔に形成されかつこれらの間隔を第2間隔yと
するとき、第1間隔xと第2間隔yが等しく形成され、
複数の切欠き部23aが下方に向かうに従って順次大き
く形成された種結晶の保持装置である。請求項4に係る
発明では、最上部のシードチャックピン24の胴部24
aと最上部の切欠き部23aを当接させたとき、下方に
向かうに従って順次切欠き部23aが大きく形成される
ので最上部以外のピンの胴部24aと切欠き部23aは
接触しない。
いずれかに係る発明であって、図2に示すように、複数
のシードチャックピン24が複数の隣接するピン孔22
bの間隔と同じ間隔をあけてシードチャックピン24の
一端が一体的に連結された種結晶の保持装置である。請
求項5に係る発明では、シードチャックピン24が一体
的に連結して形成されているので、同時に複数のピン孔
22bに挿入でき、種結晶の保持作業が容易になる。
いて説明する。本発明の第1の実施の形態は、図6に示
すように、CZ法によるシリコン融液12からシリコン
単結晶棒を引上げる際に使用する引上げ装置10では、
チャンバ11内にシリコン融液12を貯留する石英るつ
ぼ13が設けられ、この石英るつぼ13の外面は黒鉛サ
セプタ14により被覆される。石英るつぼ13の下面は
上記黒鉛サセプタ14を介して支軸16の上端に固定さ
れ、この支軸16の下部は図示しないるつぼ駆動手段に
接続される。石英るつぼ13の外周面は石英るつぼ13
から所定の間隔をあけてヒータ17により包囲され、こ
のヒータ17は断熱材18により包囲される。ヒータ1
7により石英るつぼ13に投入された高純度の多結晶シ
リコンが融解してシリコン融液12になる。チャンバ1
1の上部には回転・引上げ機構19が設けられる。石英
るつぼ13の上方にはこの回転・引上げ機構19からワ
イヤケーブル21を介してシードチャック22が吊り下
げられ、シードチャック22には種結晶23が取付けら
れる。回転・引上げ機構19はワイヤケーブル21を介
してシードチャック22とともに種結晶23を図6の実
線矢印で示すように下降させ、種結晶23を石英るつぼ
13に貯留されたシリコン融液12に接触させる。
ク22にはチャック本体22dの中心軸aに沿ってチャ
ック本体22dの底部に種結晶23を挿入することがで
きる径を有する種結晶挿入穴22aが形成される。ま
た、チャック本体22dの中心軸aに直交するとともに
中心軸aに対してbだけ偏倚してピン孔22bが形成さ
れる。ピン孔22bは一定方向より中心軸aに沿ってそ
れぞれが重ならないように3個形成され、隣接するピン
孔22bの間隔は第2間隔yであり、それぞれ等間隔に
形成される。ピン孔22bはピン孔22bの中央部分に
おける断面積が約半分程度挿入穴22aに重なるように
形成される。
種結晶挿入穴22aに挿入される。挿入穴22aに挿入
される種結晶23の側部には切欠き部23aが形成され
る。切欠き部23aはピン孔22bの数量と相応して一
定方向よりそれぞれが重ならないように3個形成され、
隣接する切欠き部23aの間隔は第1間隔xであり、そ
れぞれ等間隔に形成される。第2間隔yは第1間隔xよ
り広く間隔をとるように設けられる。種結晶23を挿入
穴22aに挿入する際に挿入穴22a内のガスを外部に
排出するためのガス排出孔22cが挿入穴22aに連通
するように形成される。シードチャックピン24は隣接
するピン孔22bの間隔に合うように3個のシードチャ
ックピンが一端で一体的に連結された形状を有し、図2
の破線矢印で示すように3個のピン孔22bにそれぞれ
挿入される。挿入されたシードチャックピン24の胴部
24aは、最上部の切り欠き部23aのみが当接する。
コン単結晶棒の引上げ時に生じる応力により、最上部の
切欠き部23aから破損して種結晶23がずり落ちて
も、2番目に位置する切欠き部23aとピン胴部24a
が接触して種結晶23を保持する。更に、2番目に位置
する切欠き部23aが破損して種結晶23がずり落ちて
も、3番目に位置する切欠き部23aとピン胴部24a
が接触して種結晶23を保持することができる。
ように、第1間隔xと第2間隔を等しくして、下方に向
かうに従ってシードチャックピン24の胴部24aの直
径を順次小さくするよう形成される。このように構成さ
れた保持装置では、下方に位置するシードチャックピン
24のピン孔22bへの挿入が容易になる。
ように、第1間隔xと第2間隔yを等しくして、下方に
向かうに従って切欠き部23aの大きさを順次大きくす
る。このように構成された保持装置では、下方に位置す
るシードチャックピン24のピン孔22bへの挿入が容
易になる。
ク22のピン孔22bと種結晶23の切欠き部23aは
全て一定方向より形成されたが、図5に示すように、中
心軸aに直交していれば破線c、d及びeのように特に
方向性を統一しなくてもよい。これにより、接触部分の
応力に対して弱く、破損し易い方向に全ての切欠き部2
3aを形成した時には何度も破損を招くおそれがある
が、色々な方向に切欠き部23aを形成することにより
危険性を分散することができる。また、上記実施の形態
では、ピン孔22b、シードチャックピン24及び切欠
き部23aの数をそれぞれ3個としたが、2個、4個又
は5個以上でもよい。また、上記第2の実施の形態で
は、複数の切欠き部23aはそれぞれ同じ大きさとして
いるが、最上部の切欠き部23aとピン24が当接して
いる状態でそれぞれ下方に向かうに従って順次切欠き部
23aの大きさをシードチャックピン24と当接しない
程度に小さくしてもよい。これにより、最上部の切欠き
部23aより種結晶が破損しても次に位置する保持部で
はより安定して保持することができる。また、上記第3
の実施の形態では、複数のピンの胴部24aの径はそれ
ぞれ等しく示しているが、最上部の切欠き部23aとピ
ン24が当接している状態でそれぞれ下方に向かうに従
って順次ピンの胴部24aの径を切欠き部と当接しない
程度に大きくしてもよい。これにより、最上部の切欠き
部23aより種結晶が破損しても次に位置する保持部で
はより安定して保持することができる。
ン孔22bが中心軸方向に等間隔に複数形成され、種結
晶23の切欠き部23aがピン孔22bの数に相応して
複数形成され、シードチャックピン24が複数のピン孔
22bにそれぞれ挿入されかつ最上部のピン孔22bに
挿入したシードチャックピンの胴部24aのみが切欠き
部23aに当接するように形成されたので種結晶の最上
部の切欠き部より破損したときでも次に位置する切欠き
部とシードチャックピンの胴部とが種結晶を保持する。
この結果、種結晶の破損によるシリコン単結晶棒落下の
発生率を低減することができる。
2のA−A線断面図。
視図。
面図。
面図。
を示す構成図。
装置の構成図。
Claims (5)
- 【請求項1】 チャック本体(22d)の中心軸(a)に沿って
前記チャック本体(22d)の底部に形成された種結晶挿入
穴(22a)と前記中心軸(a)に直交するとともに前記中心軸
(a)に対して偏倚して形成されたピン孔(22b)とを有する
シードチャック(22)と、 前記種結晶挿入穴(22a)に挿入可能な外径を有し挿入状
態で前記ピン孔(22b)に対向する側面に切欠き部(23a)が
形成された種結晶(23)と、 前記ピン孔(22b)に挿入され胴部(24a)が前記切欠き部(2
3a)に当接可能なシードチャックピン(24)とを備えた種
結晶の保持装置において、 前記ピン孔(22b)が前記中心軸(a)方向に間隔をあけて複
数形成され、 前記切欠き部(23a)が前記種結晶(23)の側面に前記ピン
孔(22b)の数に相応して複数形成され、 前記シードチャックピン(24)が前記複数のピン孔(22b)
にそれぞれ挿入されかつ最上部のピン孔(22b)に挿入し
たシードチャックピン(24)の胴部(24a)のみが前記切欠
き部(23a)に当接するように構成されたことを特徴とす
る種結晶の保持装置。 - 【請求項2】 ピン孔(22b)及び切欠き部(23a)が3個以
上形成され、隣接する切欠き部(23a)の間隔がそれぞれ
等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔(x)と
し、隣接するピン孔(22b)の間隔がそれぞれ等間隔に形
成されかつこれらの間隔を第2間隔(y)とするとき、 前記第2間隔(y)が前記第1間隔(x)より広く形成された
請求項1記載の種結晶の保持装置。 - 【請求項3】 ピン孔(22b)及び切欠き部(23a)が3個以
上形成され、隣接する切欠き部(23a)の間隔がそれぞれ
等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔(x)と
し、隣接するピン孔(22b)の間隔がそれぞれ等間隔に形
成されかつこれらの間隔を第2間隔(y)とするとき、 前記第1間隔(x)と前記第2間隔(y)が等しく形成され、
複数のシードチャックピン(24)の胴部(24a)の直径が下
方に向かうに従って順次小さく形成された請求項1記載
の種結晶の保持装置。 - 【請求項4】 ピン孔(22b)及び切欠き部(23a)が3個以
上形成され、隣接する切欠き部(23a)の間隔がそれぞれ
等間隔に形成されかつこれらの間隔を第1間隔(x)と
し、隣接するピン孔(22b)の間隔がそれぞれ等間隔に形
成されかつこれらの間隔を第2間隔(y)とするとき、 前記第1間隔(x)と前記第2間隔(y)が等しく形成され、
前記複数の切欠き部(23a)が下方に向かうに従って順次
大きく形成された請求項1記載の種結晶の保持装置。 - 【請求項5】 複数のシードチャックピン(24)が複数の
隣接するピン孔(22b)の間隔と同じ間隔をあけて前記シ
ードチャックピン(24)の一端が一体的に連結された請求
項1ないし4いずれか記載の種結晶の保持装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25513599A JP3700490B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 種結晶の保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP25513599A JP3700490B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 種結晶の保持装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001080990A true JP2001080990A (ja) | 2001-03-27 |
JP3700490B2 JP3700490B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=17274578
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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JP25513599A Expired - Fee Related JP3700490B2 (ja) | 1999-09-09 | 1999-09-09 | 種結晶の保持装置 |
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JP (1) | JP3700490B2 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20030047492A (ko) * | 2001-12-11 | 2003-06-18 | 주식회사 실트론 | 실리콘 잉곳 지지장치 |
CN1308501C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-04-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法 |
CN102383188A (zh) * | 2010-09-06 | 2012-03-21 | 江西同人电子材料有限公司 | 籽晶、籽晶夹具 |
CN102628179A (zh) * | 2012-05-04 | 2012-08-08 | 杭州海纳半导体有限公司 | 用于直拉法制备单晶硅的籽晶夹持器及使用方法 |
KR101382246B1 (ko) | 2012-07-20 | 2014-04-07 | 디케이아즈텍 주식회사 | 잉곳 성장기의 시드척 및 이를 포함하는 잉곳 성장기 |
-
1999
- 1999-09-09 JP JP25513599A patent/JP3700490B2/ja not_active Expired - Fee Related
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CN1308501C (zh) * | 2002-02-25 | 2007-04-04 | 中国科学院福建物质结构研究所 | 用顶部籽晶法生长晶体时籽晶的激光对中法 |
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KR101382246B1 (ko) | 2012-07-20 | 2014-04-07 | 디케이아즈텍 주식회사 | 잉곳 성장기의 시드척 및 이를 포함하는 잉곳 성장기 |
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