CN1289135A - 积层陶瓷电子元件的制造方法 - Google Patents
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Abstract
不受由烧成时陶瓷积层体产生的有机物分解气的影响,保持烧成炉内的环境气氛稳定。具有对在内部由陶瓷层7和内部电极5,6数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序。在该烧成工序中,相对于单位时间内送入烧成炉内的陶瓷积层体3的有机物量,以200～1200L/g,最好300～900L/g的环境气流量比,一边将环境气通入烧成炉21内,一边在烧成炉21内对陶瓷积层体13进行烧成。
Description
本发明是关于积层陶瓷电容器等积层陶瓷电子元件的制造方法，特别是关于将未烧成陶瓷积层体进行烧成制造积层陶瓷电子元件的方法。
在制造积层陶瓷电子元件的过程中，对未烧成的陶瓷积层体进行烧成时，一般使用隧道式炉。
从降低电极原材料价格等目的出发，开发了具有由Ni等贱金属膜构成内部电极的积层陶瓷电子元件。在这样的积层陶瓷电子元件中，为了防止因内部电极氧化引起内部电阻的增大，为获得所要求的特性，必须在还原性或中性环境气中进行烧成。为此，多年来开发、利用在还原性或中性环境气中进行烧成的各种环境气的隧道炉。在这些环境气的隧道炉中，使用了用棚板的台架，将陶瓷积层体载置在棚板上，以此状态将台架送入隧道炉内，对陶瓷积层体进行烧成。
然而，当在炉内有环境气存在下对未烧成的陶瓷积层体进行烧成时，由于热，陶瓷积层体会产生分解的气体状有机物，使烧成炉内的环境气部分发生变化，结果产生的问题是由于载置处所的不同，使烧成后的积层电容器产生烧成偏差。
本发明的目的是提供一种制造方法，在对陶瓷积层体烧成时，即使由陶瓷积层体产生有机物，也能不受其影响，而保持烧成炉内的环境气稳定，据此能减少烧成偏差，结果能制造出电特性偏差很小的积层陶瓷电子元件。
本发明者们为解决上述课题，经深入研究，结果发现，着眼于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体中的有机物量和环境气体的流量，相对于单位时间内送入烧成炉内未烧成陶瓷积层体中的有机物量，以200L/g～1200L/g，最好300L/g～900L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉内，以稳定烧成炉内的环境气氛。
即，本发明积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有对内部由陶瓷层7和内部电极5,6数层交替形成积层的未烧成陶瓷积层体3进行烧成的工序的方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内陶瓷积层3的有机物量，一边以200L/g～1200L/g，最好300L/g～900L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉21内，一边在同一烧成炉21内对陶瓷积层体3进行烧成。
根据这样的积层陶瓷电子元件的制造方法，对未烧成陶瓷积层体3中所含的有机物进行分解，即使在烧成炉21内产生有机物的分解气体，也能抑制烧成炉21内部环境气氛的变动。因此，不会因陶瓷积层体3的有机物分解气影响，而产生烧成偏差，结果可获得电特性偏差很小的积层陶瓷电子元件。特别是，这种积层陶瓷电子元件的制造方法，因为能够抑制烧成炉21内部环境气氛的变动，所以对使用了必须在中性环境气氛或还原性环境气氛中烧成的非还原性电介体的陶瓷积层体3，能有效地进行烧成。
文中所说的单位时间内送入烧成炉内的陶瓷积层体3的有机物量，是指每1小时(或每分钟)内送入烧成炉内陶瓷积层体3中所含有机物的总重量(以克换算)。所谓环境气的流量是指上述每1小时(或每分钟)内通入炉室23内环境气的体积(以升换算)。
此时，对于单位时间内送入烧成炉内陶瓷积层体3的有机物量，环境气的流量比在200L/g以下时，有机物即使分解，也不能抑制烧成炉内环境气氛的变动。在1200L/g以上时，由于环境气对烧成炉21内的冷却作用，难以保持烧成炉21内的温度分布稳定。当使环境气的流量对陶瓷积层体3的有机物量之比为300L/g以上，900L/g以下时，能使环境气氛和温度分布更加稳定。
环境气最好是以和陶瓷积层体3的送入相反的方向通入烧成炉21内，平均流速最好为5～50m/min。通过这样做。即使陶瓷积层体3中所含的有机物进行分解，由于有机物的分解气不会到达产生陶瓷烧结的烧成区域，所以能抑制积层陶瓷电子元件的烧成偏差。通入烧成炉21内的环境气平均流速，以15～40m/min更好，这样确定能抑制有机物的分解气浸入烧成区域内。
进而，在该积层陶瓷电子元件的制造方法中，最好是从烧成炉的侧面单独供入环境气。通过这样做，即使是对很多的陶瓷积层体3进行一次烧成，由于环境气遍布在烧成炉21内，所以能抑制烧成偏差。这时，环境气的供给，最好是从烧成炉21的供入管直接供入到烧成炉21内，也确实能将环境气遍布在陶瓷积层体3上。
将陶瓷积层体3载置到棚板13,14上，再将棚板13、14送入烧成炉21内，将陶瓷积层体3烧成后，再将棚板13、14从烧成炉21中搬出来。此时，将上述棚板重叠数层时，最好在棚板13、14和棚板13、14之间设置间隙。这样，使用棚板13、14能够一批处理很多陶瓷积层体3。
以下参照附图具体且详细地说明本发明的实施形态。
作为积层陶瓷电子元件，以制造积层陶瓷电容器为例进行说明，形成积层陶瓷电容器的陶瓷层的电介体原材料，主要是BaTiO3。为获得低的烧成温度，可添加作为主成分的玻璃成分，如Si2O3、B2O3、Li2O3等。为了调整耐还原性和温度特性，最好添加含Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu等稀土元素的氧化物，含Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni等过渡金属的氧化物。
由这些原料粉末形成的电介体材料，例如可按以下方法获得。
首先，以规定量称取原始原料，进行配合，例如，利用球磨机等进行湿式混合。接着利用喷雾干燥机等进行干燥、随后煅烧，得到电介体氧化物。煅烧，通常在800～1300℃下进行2～10小时。接着用喷射式磨机或球磨机等粉碎到规定的粒径，得到电介体材料。
以下制作浆液。浆液主要是由上述电介体材料、粘合剂、溶剂形成，根据需要也可添加可塑剂、分散剂等。
作为粘合剂，例如有松香(ァビチェン)酸树脂、聚乙烯醇缩丁醛、乙基纤维素、丙烯酸树脂等。作为溶剂，例如有乙醇、松油醇、丁基卡必醇、甲苯、煤油等。作为可塑剂、例如有松香酸衍生物、二乙基草酸、聚乙二醇、聚烷撑二醇、酞酸酯、酞酸二丁酯等。作为分散剂、例如有甘油、十八(烷)基胺、三氯醋酸、油酸、辛二烯、油酸乙酯、甘油单油酸酯、甘油三油酸酯、甘油三硬酯酸酯，メンセ-デン油等。
调制该浆液时，电介体体材料占整体的比率为30～80重量％，其他，粘合剂为2-5重量％、可塑剂为0.1～5重量％、分散剂为0.1～5重量％，溶剂为20-70重量％。
接着将上述电介体材料和这些进行混合。使用筐式混合器、球磨机、粒珠混合器进行浆液混合。
接着涂布该浆液，得到陶瓷未烧结片、使用刮刀片、刮板涂敷器、模具涂敷器、逆动涂敷器等，涂布成1μm～20μm厚的陶瓷未烧结片。
再将这种陶瓷未烧结片切割成适当尺寸，得到图1所示的陶瓷未烧结片。
如图2所示，在上述得到的一部分陶瓷未烧结片1a、1b的表面上形成内部电极图案2a、2b。
作为制造内部电极用糊时所用的导体材料，可使用Ni和Cu等贱金属材料或它们的合金，进而也可用它们的混合物。这样的导体材料可以是球状、磷片状等，其形状没有特殊限制，也可以用这些形状的混合形状。导体材料的平均粒径为0.1～10μm，最好用0.1～1μm的。有机载体是含有粘合剂和溶剂的。作为粘合剂，例如可使用已知乙基纤维素、丙烯酸树脂、丁缩醛树脂等中的任一种。粘合剂含量取为1～10重量％，作为溶剂，例如，可使用已知松油醇、丁基卡必醇、煤油等中的任一种。溶剂含量取为20-55重量％，其他总计在10重量％以下。据需要也可以添加山梨聚糖脂肪酸酯，甘油脂防酸酯等分散剂、酞酸二辛酯、酞酸二丁酯、丁基酞酰乙二醇酸丁酯等可塑剂，为防止脱层和抑制烧结等目的，也可添加电介质，绝缘体等各种陶瓷粉体等。添加有机金属树脂也是很有效的。
使用这样获得的内部电极用糊，利用印刷法、转印法、薄板法等印刷二种类型的内部电极图案2a、2b，如图2所示。印刷了这些内部电极图案2a、2b的陶瓷未烧结片1a、1b，为了与没有印刷内部电极图案2a、2b陶瓷未烧结片1区别开，图2中分别以符号「1a」、「1b」表示。
将印刷了这种内部电极图案2a、2b的陶瓷未烧结片1a、1b进行交替重叠，如图3所示，进而在其两侧重叠上没有印刷内部电极图案2a、2b的陶瓷未烧结片1,1，所谓的予成片，将它们压合，得到图4所示的积层体。
如前所述，这样的积层体，除了将印刷了内部电极图案2a、2b的陶瓷未烧结片1a、1b和没有印刷内部电极图案2a、2b的陶瓷未烧结片1,1进行积层的方法外，也可以将陶瓷未烧结片和导电片按规定顺序依次印刷重叠，利用所谓的浆液建造法(ステリ-ビルト)获得。
将该积层体进行纵横切割，如图5所示，分割成片状的未烧成陶瓷积层体3。这种陶瓷积层体3，例如具有图6所示的层结构，将由具有内部电极5、6的电介体构成的陶瓷层7,7……按照图6所示顺序进行积层，进而在其两侧分别重叠上数层没有形成内部电极5,6的陶瓷层7,7……。这样，在具有这种结构的陶瓷积层体3的端部交替露出内部电极5,6。
接着，将该陶瓷积层体3进行脱粘合剂处理，即，将陶瓷积层体3进行加热，将大部分陶瓷积层体3中所含的粘合剂和其他有机物去除掉。
这样获得的积层型陶瓷电容器1的形状和大小，可根目的和用途适当确定。例如，长方体时，通常为1.0～3.2mm×0.5～1.6mm×0.5～1.6mm。
接着，对陶瓷积层体3进行烧成。本说明书中，所谓的陶瓷积层体3的「烧成」，是对陶瓷积层体3进行加热，对陶瓷积层体3进行烧结，同时对内部电极5,6进行烧固。此处所说的烧成，是将陶瓷积层体3中所含的粘合剂和其他有机物去除掉，以残留一部分作为目的，进行加热。不包含所谓的上述脱粘合剂处理(煅烧)。
陶瓷积层体3的烧成，虽然可以使用环境气氛隧道炉和环境气氛固定炉，但在本发明积层陶瓷电子元件的制造方法中，最好使用环境气氛隧道炉。以下对使用环境气氛隧道炉烧成陶瓷积层体3的工序进行说明。
图7表示将未烧成陶瓷积层体3送入烧成炉内时使用的台架11。
该台架11是在以氧化铝为主成分的台板12上，载置以氧化铝为主成分的平板状棚板13，再在其上，重叠4层在四角具有形成间隔脚部的带脚棚板14。
除了最上层带脚棚板14外，以不重叠方式将要进行烧成的陶瓷积层体3载置到各棚板13、14上。
将这样组装好的台架11，如图8和图9所示，送入烧成炉21的炉室23内。
该烧成炉21，在由耐热材料形成的炉壁22中间形成隧道状的炉室23，在该炉室23中，在其纵向上形成炉床27。上述台架11载置在该炉床27上，利用图中未示出的推进装置等，沿着该炉床27送入炉室23内。在炉室23的上下贯通发热体24，利用该发热体24发出的热，将炉室23加热到规定的温度。
从烧成炉21的两侧，在炉室23的侧面，插入由碳化硅等管子形成的耐热的环境气供给管25，通过该环境气供给管25，从烧成炉21的外部，将环境气通入到烧成炉21内。该环境气供给管11具有调节阀26，利用该调节阀26调整送入烧成炉21内的环境气流量。
图8是从烧成炉21的两侧，在炉室23的每个侧面上平行插入4根环境气供给管25的实例。图9是从烧成炉21的两侧，在炉室23的每个侧面上，以束状形式插入4根环境气供给管25，并在炉室23内向上下转向的实例。
根据本发明，在积层陶瓷电子元件的制造方法中，最适宜的烧成炉21的尺寸，炉室23的断面积为0.05-3m2，长度为10-30m。换算成炉室23的容积最好为0.3-10m3。
使用这样的烧成炉21，将上述台架11载置到延伸在炉室23外部的炉床27上，利用未图示的推进装置将台架11送入炉室23内，同时载置在台架11的棚板13、14上的陶瓷积层体3送入炉室23内。
这时，通过上述调整阀26和环境气供给管25，相对于单位时间内送入未烧成陶瓷积层体3所含有机物量，以200L/g～1200L/g，最好300L/g～900L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉21的炉室23内。通过这样做，未烧成陶瓷积层体3中所含的有机物在烧成炉21的炉室23内进行分解，即使产生有机物的分解气，也能抑制烧成炉21的炉室23内的环境变动。因此，能获得烧成偏差很少的积层陶瓷电子元件。烧成炉21的炉室23内，环境气的平均流速最好5～50m/min。更好为15～40m/min。
此处所说的「环境气」，虽然一般说是氮气等中性气体(惰性气体)，但也含有氢气等的具有还原性的气体。
此处所说的未烧成陶瓷积层体3内所含的「有机物」，并不限于粘合剂，是指烧成前陶瓷积层体3中所含的粘合剂和其他有机物。浆液被制成片时，溶剂进行蒸发，此时所说的陶瓷积层体3中所含的有机物，是指同一积层体3中所含的全部有机物。未烧成陶瓷积层体3中所含的有机物，可以根据陶瓷积层体3在烧成工序前后的重量差进行简单测定。
使烧成炉21炉室23内的环境气与沿着炉床送入陶瓷积层体3的移送方向相反的方向流动。环境气在与陶瓷积层体3移送方向的相反方向流动，将烧成炉21内环境气的排出口设在移送部分的入口附近即可实现。这样，即使陶瓷积层体3中所含的有机物进行分解，由于能防止有机物分解气到达陶瓷积层体3产生烧结的烧成区域内，从而可抑制积层陶瓷积层体3的烧成偏差。
如前所述，使用重叠棚板13、14的台架21一次烧成大量陶瓷积层体3时，如图8和图9所示，从烧成炉21的侧面，通过环境气供给管11分别独立地将数股环境气供入炉室23内。这样，即使一次烧成大量的未烧成陶瓷积层体3，环境气也能遍布于各棚板13、14之间，从而能抑制陶瓷积层体3的烧成偏差。
在上述烧成炉21中的烧成分布，升温速度：50-500℃/小时，最好200-300℃/小时，保持温度：1150-1400℃、最好1200-1350℃，保持时间：0.5-8小时，最好1-3小时，冷却速度：50-500℃/小时，最好200-300℃/小时。
这样在陶瓷积层体3烧成后，如图10所示在陶瓷积层体3的端部形成外部电极2,2。对于形成外部电极2,2的导体成分，一般可使用Ni和Ni合金、Cu和Cu合金、Ag和Pd或它们的合金等。在使用导电糊形成外部电极2,2时，使用浸渍法等，将导电糊涂布在陶瓷积层体3的端部。随后，在中性环境气或还原环境气中，以600-1000℃烧固，形成外部电极2,2。将导电糊涂布在烧成前的未烧成陶瓷积层体3端部，在陶瓷积层体3的烧成同时烧固导电糊，也可形成外部电极2,2。也可使用蒸镀和喷镀等干法形成外部电极2,2。
例如，如上述制作的积层电容器，没有烧成偏差，在制品间，抑制了电特性的偏差。
在上述说明中，作为积层陶瓷电子元件，仅以积层陶瓷电容器的制造方法为例进行了说明，仅仅变更了陶瓷材料、内部电极图案的形状和它的积层顺序等，不用说本发明也同样适用于积层陶瓷感应器和积层陶瓷复合元件等其他积层电子元件的制造。
以下仅举数值对本发明的实施例进行具体说明。
首先，对实施例1进行说明。分别称取0.96摩尔分预先合成的纯度99％以上的BaTiO3(钛酸钡)、0.05摩尔份纯度99％以上的MgO(氧化镁)、0.01摩尔份ZnO(氧化锌)、0.03摩尔份TiO2(氧化钛)、0.005摩尔份Ho2O3(氧化钬)，将这些化合物装入瓷罐球磨机内，同时装入氧化铝球和2.5升水，混合搅拌15小时，得到混合物。
接着，将该混合物装入不锈钢罐内，用热风式干燥器，150℃下干燥4小时，将该干燥混合物进行粗粉碎，再用隧道炉，在大气中，1200℃下将该粗粉碎的混合物煅烧2小时，得到基本成分的第1种成分粉末。
接着，分别称取98摩尔份第1种成分和2摩尔份CaZrO3(基本成分的第2种成分)粉末，相对于100重量份的这些基本成分，添加2重量份添加成分的第1种成分(0.20Li2O-0.60SiO2-0.04SrO-0.10MgO-0.06ZnO)，相对基本成分和添加成分的合计重量，添加15重量％的由丁缩醛系树脂形成的有机粘合剂，再加入50重量％的乙醇，将这些用球磨机进行粉碎混合，制成浆液。
接着，装入反转辊筒涂敷器形成薄膜成形物，连续将它接收到长尺寸的聚酯薄膜上，这种薄膜成形物在同一薄膜上加热到100℃干燥，得到厚度约为20μm的未烧成陶瓷片。该片是长尺寸的，切割成10cm的正方形使用。
另一方面，内部电极用的导电性糊，将10g平均粒径1.0μm的镍粉末，0.9g乙基纤维素溶解在9.1g的丁基卡必醇中，装入搅拌机，通过搅拌10小时获得。通过具有图案的筛网将这种导电性糊印刷到上述未烧成陶瓷片的一侧后，将其干燥。
接着，使上述印刷面向上积层33枚未烧成陶瓷片。这时，在邻接的上下片中，以其印刷面在图案的纵向上偏移一半进行配置。再在该积层物的上下两个面上分别积层上数枚没有印刷导电性糊的未烧成陶瓷片，在约50℃下在厚度方向上施加约40T负荷，进行压合，然后，将该积层物切成格子状，得到未烧成陶瓷积层体。
接着，将该积层体片装入能脱粘合剂的炉内，在大气环境中，以60℃/h的速度升温到400℃，使有机粘合剂燃烧。
随后，用容积3m3的图9结构的炉对积层体片进行烧成。环境气氛以表1所示的条件，与送入方向相反的方向，将H2(2体积％)+N2(98体积％)的还原性环境气通入，并保持此状态，将陶瓷积层体置于棚板上，以10mm的间隙隔开，重叠4层，送入烧成炉内。烧成分布，以100℃/h的速度将加热温度从600℃升温到1200℃的烧结温度。并在1200℃下(最高温度)保持3小时后，以100℃/h的速度降温。
在露出电极的积层烧结体片的侧面上涂布由铜、玻璃粉(glass frit)和载体(vehicle)形成的导电性糊，并干燥，将其在大气中650℃下烧固15分钟，形成铜电极层，再在其上用电解镀法形成镍层，再在其上用电镀法设置Pb-Sn焊锡层，形成一对外部电极。
从完成的积层电容器中随意选取50个，用匕ュ-レットパッカ-ド社制4284A，在20℃、频率1KHz、电压(实效值)1.0V的条件下测定静电容量。之后，通过计算，求出50个的静电容量平均值(X)和标准偏差(σ)，由计算式求出容量偏差，在3.0％以内为优质品。
计算式：σ(标准偏差)/X(平均)×100
结果示于表1。表1中，在实施例NO.前带「*」标记的，表示本发明范围以外的比较例。
按以下求出表1中的各个参数。
在气体流量和送入炉内有机物量之比的测定中，气体流量是从设在环境气流量管中的流量计的值，求出每1小时通入炉内气体的通入量。送入炉内的有机物量，首先，利用TG(热重量测定)测定脱粘合剂前后未烧成陶瓷积层体的重量变化，计算出每1片的有机物量。随后，从每1小时投入烧成炉内陶瓷积层体的个数计算出送入炉内的有机物量。
用气体流动的垂直方向炉内断面积除以气体的上述流量，求得的值为炉内的平均流速。
表1
| 实施例NO. | 气体流量/有机物量(L/g) | 平均流速(m/min) | 棚板的间隙(mm) | 容量偏差(％) |
| 1 | 600 | 30 | 10 | 0.78 |
| *2 | 100 | 30 | 10 | 5.47 |
| 3 | 200 | 30 | 10 | 2.72 |
| 4 | 300 | 30 | 10 | 1.36 |
| 5 | 900 | 30 | 10 | 124 |
| 6 | 1200 | 30 | 10 | 2.68 |
| *7 | 1500 | 30 | 10 | 4.58 |
| *8 | 400 | 3 | 10 | 3.65 |
| 9 | 400 | 5 | 10 | 2.87 |
| 10 | 400 | 15 | 10 | 1.45 |
| 11 | 400 | 30 | 10 | 0.96 |
| 12 | 400 | 40 | 10 | 1.13 |
| 13 | 400 | 50 | 10 | 2.08 |
| *14 | 400 | 70 | 10 | 3.04 |
| 15 | 600 | 30 | 0 | 1.66 |
实施例2-7，通过改变送入烧成炉内的陶瓷积层体的数，改变实施例1中气体流量/有机物量。
实施例8～14，一边改变实施例1中送入烧成炉内的陶瓷积层体的数量，一边改变炉内环境气的平均流速。
实施例15，在实施例1中不形成棚板间隙下进行烧成。
如表1所示，气体流量/有机物量为200～1200L/g时，容量偏差可抑制在3.0％，为300～900L/g时，可抑制在1.5％以内。
平均流速为5～50m/min，最好15-40m/min，可提高抑制容量偏差的效果。
进而通过设置棚板间的间隙，可提高抑制容量偏差的效果。
如上所示，根据本发明积层陶瓷电子元件的制造方法，由于制得的陶瓷积层电子元件之间的烧成偏差很小，结果，积层陶瓷电子元件的电特性偏差也很小。特别是，由于不受未烧成陶瓷积层体中所含有机物成分分解产生有机物分解气的影响，而能对陶瓷积层体进行烧成，所以陶瓷积层电子元件的特性变动很小，从而可稳定地制造具有高信赖性的积层陶瓷电子元件。
图1是根据本发明制作积层陶瓷电子元件的陶瓷未烧结片斜视图。
图2是在上述陶瓷未烧结片的一部分上印刷了内部电极图案的状态概念示意斜视图。
图3是将上述未烧结片进行积层工序的概念示意分离斜视图。
图4是根据上述积层工序得到的陶瓷未烧结片积层体的示意斜视图。
图5是将上述陶瓷未烧结片的积层体进行切割，得到的陶瓷积层体部分剖切的斜视图。
图6是上述陶瓷积层体的层结构概念示意分离斜视图。
图7是在烧成陶瓷积层体时载置积层体台架的示例纵断面正视图。
图8是使用同一台架，烧成陶瓷积层体的烧成炉示例纵断面正视图。
图9是使用同一台架，烧成陶瓷只层体的烧成炉另一示例纵断面正视图。
图10是完成积层陶瓷电子元件示例的部分剖切斜视图。
3，陶瓷积层体
5，内部电极
6，内部电极
7，陶瓷层
13，棚板
14，棚板
21，烧成炉
Claims (9)
1．一种积层陶瓷电子元件的制造方法，该方法是具有使在内部由陶瓷层(7)和内部电极(5)、(6)的数层交替积层的未烧成陶瓷积层体(3)进行烧成的工序的积层陶瓷电子元件的制造方法，其特征在于，相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，以200-1200L/g的环境气流量比，将环境气通入烧成炉(21)内，同时在烧成炉(21)内对陶瓷积层体(3)进行烧成。
2．根据权利要求1记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是相对于单位时间内送入烧成炉内的未烧成陶瓷积层体(3)的有机物量，环境气的流量比为300～900L/g。
3．根据权利要求1或2中记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是使烧成炉(21)内的环境气与陶瓷积层体(3)的送入方向相反的方向通入。
4．根据权利要求1-3中任一项记载的积层电容器的制造方法，特征是烧成炉内的环境气平均流速为5～50m/min。
5．根据权利要求1-4中任一项记载的积层电容器的制造方法，特征是烧成炉内环境气的平均流速为15～40m/min。
6．根据权利要求1-5中任何一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是从烧成炉(21)的两侧分别独立地供入环境气。
7．根据权利要求6记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是上述环境气的供入是从烧成炉(21)的供给管直接供入到烧成炉(21)内的。
8．根据权利要求1-7中任一项记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是将未烧成的陶瓷积层体(3)载置在棚板(13)、(14)上，将该棚板(13)、(14)送入烧成炉(21)内，对陶瓷积层体(3)烧成后，将棚板(13)、(14)从烧成炉(21)中取出。
9．根据权利要求8记载的积层陶瓷电子元件的制造方法，特征是将上述棚板(13)、(14)数层重叠，在棚板(13)、(14)和棚板(13)、(14)之间设置间隙。
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