CN1287371C - 光信息记录媒体 - Google Patents

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Abstract

提供一种具有使用蓝色激光的系统的优良记录重放特性、对重放光有强的耐久性、对比度高、且改写造成的劣化少的光盘。光信息记录媒体(10)在基板(1)上至少设置按该顺序叠层反射层(2)、第一保护层(3)、相变化型光记录层(4)、第二保护层(5)，通过从第二保护层(5)侧的光的照射使相变化型光记录层(4)产生相变化，从而记录信息。相变化型光记录层(4)至少包含Ti、In、Ge、Sb、Te。在Ti、In、Ge、Sb、Te的含量(原子%)分别为v、w、x、y、z时，含量v、w、x、y、z为0.3≤v≤4、0.3≤w≤3、3.4≤x≤14.5、2.1≤y/z≤4、v+w+x+y+z≤100(原子%)。

Description

光信息记录媒体
技术领域
本发明涉及通过光照射来改变构成记录层的原子排列而进行信息的记录或消除的光信息记录媒体(光盘)。
背景技术
作为基于照射的可进行信息记录、重放及消除的光存储媒体之一，众所周知利用结晶-非结晶间、或第1结晶状态-第2结晶状态的两个结晶相间的转移的所谓相变化型光记录媒体。
作为使用相变化记录方式的记录层材料，大多使用硫族系合金膜。其中，GeSbTe系、AgInSbTe系合金薄膜已被实用化为可改写的光盘。
其记录原理如下。刚成膜之后的记录层在非结晶状态时反射率低。首先，最初照射激光而加热记录层，使整个盘面形成反射率高的结晶状态。即进行初始化。通过将光束直径汇聚到几μm至100μm左右的激光束照射在旋转的媒体上，来进行这种初始化。
在初始化过的光盘上局部地照射激光，将记录层熔融、并急速冷却，使其相变化为非结晶状态。记录层的光学性质(反射率、透过率、复合折射率等)随着相变化而变化，从而记录信息。
照射比记录时弱的激光，检测结晶和非结晶的反射率差或相位差来进行重放。将在引起结晶的低能量的消除功率上叠加了记录峰值功率加在记录层上，不经过消除过程，在已被记录的记录标记上进行重叠写入来进行改写。
但是，在进行初始化中，需要更高输出的激光。在这种高输出的激光中，由于激光束被汇聚，即使很小的激光功率，激光束的密度也增大，将几μm至100μm的激光束进行扫描的初始化，以往需要很长时间。
因此，开发了能够以更低功率初始化、组合不是共晶系的GeTe和Ge2Sb3形成的GsSbTe系材料，之后，开发了AgInSbTe系材料。AgInSbTe系材料与GsSbTe系材料相比需要更大的激光功率。
在上述GsSbTe系材料、AgInSbTe系材料开发后，推进了激光的短波长化和高输出化，作为初始化装置，出现了搭载高输出激光的装置。伴随着这种装置，直至现在，推进了以往初始化困难的共晶系的GeSbTe系的材料开发。
知道在上述GeSbTe系中，在实用化的材料以外的系统中，即使是Sb和Te的共晶组成，结晶-非结晶状态也转移。
包含作为在Sb为70％、Te为30％(原子％)的Sb和Te的共晶组成中添加了第3元素、特别是Ge的组成范围的公知资料，可以列举(日本)特开平1-115685号公报、特开平1-251342号公报、特开平1-303643号公报等。而作为以提高特性为目的而添加In的公知资料，可列举特开2000-313170号公报。
【专利文献1】
特开平1-115685号公报
【专利文献2】
特开平1-251342号公报
【专利文献3】
特开平1-303643号公报
【专利文献4】
特开2000-313170号公报
至今为止，使用相变化材料的光盘的记录方法是在DVD-ROM中使用波长650nm附近的红色激光，或使用波长比其长的激光。但是，近年来，在波长400nm附近发光的半导体激光出现在市场上。而且，物镜的其数值孔径(NA)更大，可以进一步汇聚激光束。
这是因为，如果可将波长更短的激光和NA大的物镜组合使用，则束点直径变小，从而可提高光盘的记录密度。因此，各公司都在推进使用蓝色激光的光盘系统的研究。而且近年来，在策划制定使用波长为405nm的蓝色激光和NA为0.85的物镜的称为“蓝光盘(Blu-rayDisc)”的光盘规格，作为下一代的光盘而引人注目。
通过使用蓝色激光，与以往使用红色激光相比，在实现更高密度记录的光盘中，需要可对应于波长短的蓝色激光，并且，即使是短的脉冲宽度也可以充分记录，而且可被改写。
在现有的材料中，在实验中确认共晶组成附近的GeSbTe系材料可在蓝色激光的系统中进行某种程度记录重放。而且，为了提高记录重放特性，在GeSbTe系材料的构成元素中，在实验中确认通过调整Sb和Te量的平衡来控制结晶速度，可以改变记录时的对应线速度。
此外，Ge的量对记录材料的稳定性产生极大地影响，如果是适度范围的量，则光束直径小，可以提高相对于能量密度高的蓝色激光的重放耐久性。
但是，为了进行更高密度记录，需要进一步提高记录重放特性，即，需要提高重放功率和减小抖动(jitter)，但作为记录材料，在使用GeSbTe系材料的光盘中，在与这方面有关的特性上有限制。
在上述专利文献1～4中记载的结构中，不能获得本发明要实现的充分的记录重放特性、对比度、并且重放光耐久性高的这类光信息记录媒体。
发明内容
在本发明的目的在于，提供一种光盘，表现出使用蓝色激光系统的优良的记录重放特性，对重放光有强的耐久性，对比度高，且改写造成的劣化少。
为了实现上述目的，本发明提供以下的光信息记录媒体(a)、(b)。
(a)在用于记录信息的光信息记录媒体10中，有基板1、以及形成在所述基板上的作为多个层之一的相变化型光记录层4，其特征在于：所述相变化型光记录层4至少包含Ti、In、Ge、Sb、Te，在Ti、In、Ge、Sb、Te的含量(原子％)分别为v、w、x、y、z时，含量v、w、x、y、z满足如下关系：
0.3≤v≤4
0.3≤w≤3
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4
v+w+x+y+z≤100(原子％)。
(b)如(a)所述的光信息记录媒体，其特征在于：所述含量v、w、x、y、z满足如下关系：
v+w+x+y+z≥98.8(原子％)。
本发明具有如下效果：
可获得提高在GeSbTe系的记录材料中不能实现的、使用蓝色激光系统中的记录重放特性，可提高输出的重放光，可获得高的对比度，可进行更低抖动下的记录，即使低次数的改写也可抑制抖动上升的光信息记录媒体。
附图说明
图1是表示本发明的光盘基本结构的一实施方式的剖面图。
图2是表示记录时的策略图形(strategy pattern)的图。
图3是表示本发明的光盘基本结构的另一实施方式的剖面图。
具体实施方式
以下，根据附图说明本发明一实施方式的光信息记录媒体。再有，以下所述的实施例是本发明的优选具体例，附加有技术上优选的各种限定，但本发明的范围在以下说明中没有特别限定本发明意思的记载，本发明不限于这些方式。
图1是表示本发明的光信息记录媒体(光盘)的基本结构的一实施方式的剖面图，图2是表示记录时的策略图形的图。图3是表示本发明的光盘基本结构的另一实施方式的剖面图。
图1所示的本发明一实施方式的光盘10的构成为：在基板1上设有反射层2，在该反射层2上设有第1保护层3，在该第一保护层3上设有记录层4，在该记录层4上设有第二保护层5，而且在该第二保护层5上中间插入粘结层6来设置覆盖片7。本实施方式的光盘10，在基板1的上方有记录层4，通过从与基板1不同一侧来的光的照射，改变构成该记录层4的原子排列，来进行信息的记录和消除。
这里，激光(激光束)从覆盖片7侧入射，但也可以不设置覆盖片7，从基板1侧入射激光束。此外，在可获得充分反射率的情况下，也可以不设置前述反射层2。
图3表示从基板1侧入射激光束的另一实施方式的剖面图。在图3中，与图1实质上相同的部分附以同一标号。该另一实施方式的光盘20在基板1上设有第二保护层5；在该第二保护层上设有记录层4，在该记录层4上设有第一保护层3，在该第一保护层3上设有反射层2，而且在该反射层2上设有保护涂层8。
作为本实施方式的光盘10、20使用的基板1，可以是玻璃、塑料、在玻璃上设有光固化性树脂的基板等其中之一，就包含成本的生产性方面来说，塑料较好，其中最好的聚碳酸酯树脂。
作为反射层2的材质，可列举具有光反射性的Al、Au、Ag等金属，以及以它们为主要成分，包含Ti、Cr、Pd、Cu等添加元素的合金，以及在Al、Au、Ag等金属中混合了Al、Si等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等金属化合物的材料等。Al、Au、Ag等金属、以及以它们为主要成分的合金的光反射性高，并且可以提高导热率。作为反射层2的厚度，大约在5nm以上、300nm以下。
通过将记录层4夹在作为介质层的第一、第二保护层3、5之间，可以防止基板1、记录层4在记录时因激光束的照射热而变形，并防止记录特性劣化。通过第一、第二保护层3、5这样隔热保护基板1、记录层4的效果和光学性的干扰效果，而具有改善重放时的信号对比度的效果，还具有促进记录层4的结晶，提高消除率的效果。
作为这种第一、第二保护层3、5，例如可以使用ZnS-SiO2、Si3N4、Al2O3等无机薄膜。除此以外，从耐热性高、化学稳定方面来说，最好是Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta等金属、或半导体氧化物薄膜、Si、Ge、Al等金属、或半导体氮化物薄膜、Ti、Zr、Hf、Si等金属、或半导体碳化物薄膜、ZnS、In2S3、TaS4、GeS2等金属、或半导体硫化物薄膜、以及不少于两种这些化合物的混合物的膜。
此外，使用没有原子扩散的较好。所述金属、或半导体的氧化物、硫化物、氮化物、碳化物不必获得化学计量性的组成，为进行折射率等的控制而控制组成，并混合使用也是有效的。
此外，从膜(层)的残留应力小来看，最好是在所述金属、或半导体的氧化物、氮化物、碳化物中混合MgF2等氟化物而组成的第一、第二保护层3、5。特别是ZnS和SiO2的混合膜，即使重复进行记录、消除，也不易造成记录灵敏度、C/N、消除率等的劣化。第一、第二保护层3、5的厚度大约为5nm～200nm。
更详细地说，从不易造成C/N、消除率等记录特性的劣化，可稳定地进行多次改写来说，第一保护层3的厚度为5nm～30nm较好。从记录层4和粘结层6不易剥离，不易产生划伤等缺陷来看，第二保护层5的厚度为30nm～200nm较好。第一、第二保护层3、5也可以由不同的化合物构成。
记录层4的厚度没有特别限定，可为3nm～100nm。特别是从记录、消除灵敏度高、可进行多次记录消除来看，最好是3nm以上、30nm以下。
作为本实施方式的光盘10、20记录中使用的光源，最好是使用激光(激光束)，其波长范围主要是从近红外区域的830nm至紫外区域的300nm。也可以利用将1次光使用二次高谐波发生元件(SHG元件)进行短波长化的光源。
下面，参照图2说明记录时的策略。对本发明的光盘10进行的记录，是在结晶状态的记录层4上照射激光脉冲等进行加热后迅速冷却，形成非结晶的记录标记。
实际上，通过向记录层4施加在引起结晶化的低能量的消除功率(P2)上叠加的记录峰值功率(P1)，不经过消除过程而在已经记录的记录标记上进行重叠写入。此时的记录激光脉冲被分割成比记录标记长度短的多个脉冲。
在本发明中，使用搭载了波长405nm的激光二极管、数值孔径NA＝0.85的光学透镜(物镜)的芝测(Shibasoku)公司制光盘驱动测试器(LM330A)进行记录(1光束·重叠写入)。初始化装置使用芝测制初始化器(LK201A)。
如上所述，由实验确认以下事实：共晶组成附近的GeSbTe系的材料，在使用蓝色激光的系统中，可进行某种程度的记录重放。此外，为了提高记录重放特性，由实验还确认以下事实：通过调整GeSbTe系材料的构成元素中Sb和Te量的平衡来抑制结晶速度，可以改变记录时的对应线速度。
此外，由实验还确认以下事实：Ge的量对记录材料的稳定性影响大，如果是合适范围的量，则可以提高对束径小、能量密度高的蓝色激光的重放耐久性。
因此，对于上述GeSbTe系，制作18个试样来进行实验。其结果示于表1。从这18个试样中提取满足重放劣化在0.2dB以下、并且初始抖动在9％以下的条件的12个试样。这12个试样满足上述条件，所以在GeSbTe的组成量(原子％)和Sb/Te比在规定范围的情况下，可以认为即使对应于蓝色激光、且脉冲宽度窄，也可以充分地进行记录，而且是可改写的范围。
【表1】
  试样No.   Ge(％)   Sb(％)   Te(％)   Sb/Te   重放劣化0.2dB以下  抖动9％以下
  1   2.3   74.1   23.6   3.1
  2   3.4   72.9   23.7   3.1   ○  ○
  3   4.2   63.2   32.6   1.9  ○
  4   4.3   65.1   30.6   2.1   ○  ○
  5   4.5   67.8   27.7   2.4   ○  ○
  6   4.5   78.2   17.3   4.5  ○
  7   4.6   76.2   19.2   4.0   ○  ○
  8   4.8   71.9   23.3   3.1   ○  ○
  9   6.2   69.2   24.6   2.8   ○  ○
  10   8.4   70.6   23.0   3.1   ○  ○
  11   6.5   70.2   23.3   3.0   ○  ○
  12   7.2   75.4   17.4   4.3   ○
  13   7.8   60.2   32.0   1.9   ○
  14   8.5   72.1   19.4   3.7   ○  ○
  15   8.7   69.7   21.6   3.2   ○  ○
  16   11.1   69.2   19.7   3.5   ○  ○
  17   14.5   65.3   20.2   3.2   ○  ○
  18   15.8   66.5   17.7   3.8   ○
但是，这12个试样使用蓝色激光进行更高密度的记录时，如上所述，不能满足耐久重放功率的提高和抖动的降低。即，使用GeSbTe系材料作为相变化型光记录层的光盘，作为其耐久重放功率输出最大为0.36mW左右，所以不能获得对比度。因此，C/N变差，与抖动降低无关，在改写时特别是在第2次记录时有抖动变差的倾向。其原因在于，为了维持对重放光的耐久性来确定组成比，所以初次记录时的标记没有充分消除。
蓝光盘的规格中关于对重放光的耐久性，规定为在以0.30mW的功率静态重放HF调制的重放光时没有光盘的劣化。此外，根据作为重放光的调制参数的频率、脉冲宽度、峰值功率与平均功率之比等，测定规格的光盘时的重放功率的基准为0.35mW。即，实际上，必须是用没有光盘劣化的0.35mW的功率的重放。
此外，由于考虑假设实际的光盘驱动后使用环境造成的激光功率的变动，所以必须比规格值高5％左右。即，蓝光盘的情况下，对于0.35mW，高5％时为0.3675mW，实际上激光功率输出按0.01mW刻度来设定，所以需要抗0.37mW以上的重放光。因此，由GeSbTe系材料构成的记录材料需要进一步提高记录重放特性。
在本发明中，为了解决这样的问题，在作为相变化型光记录层的GeSbTe系的材料中，将Sb和Te的平衡设定在规定范围内，并且指定Ge的量。而且，根据GeSbTe系的这些材料，通过适量添加新的钛(Ti)和铟(In)，与仅是GeSbTe的记录材料相比，呈现出使用蓝色激光系统的优良的记录重放特性，同时呈现出对重放光的强耐久性，可以获得改写次数低时劣化很少的光盘。以下具体地说明这方面。
再有，在以下的本实施例的说明中，即使对应于上述下一代蓝色激光且脉冲宽度窄也可进行记录，而且以可进入改写范围的12个试样为基础，在这12个试样中再选择4个试样。通过在该选择出的4个试样中添加Ti和In，来说明在现有结构中无论任何都不能获得的、由本实施例结构开始获得的特有效果。
【实施例1】
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，首先通过溅射法依次形成作为反射层2的Ag合金、作为第一保护层3的ZnS-SiO2、作为记录层4的TiInGeSbTe、作为第二保护层5的ZnS-SiO2。然后，使用UV固化树脂作为粘结层6，在其上粘结覆盖片7。此时设各层的膜厚是，反射层2为200nm、第一保护层3为8nm、记录层4为14nm、第二保护层5为36nm。
此外，记录层4的组成按原子％为0.5％的Ti、0.5％的In、3.4％的Ge、72.3％的Sb、23.3％的Te。在粘结后，进行UV照射以便使粘结层6充分固化。然后，用激光束束点直径120μm的初始化器将初始化条件固定为线速度4m/s、传送间隔40μm，按570mW的激光输出进行初始化。
然后，将1-7调制的信息信号以5.28m/s、图2所示策略进行记录重放。设1T＝15.1nsec，按P1＝5.2mW，P2＝2.7mW，P3＝0.1mW，P4＝0.1mW，策略(T)为T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T成组记录，在重放信号的振幅中心，测定时钟对数据抖动(clock to datajetter)作为限幅。以上的条件示于表2的记录条件一览的试样2(试样号No.2)中。
【表2】
                 记录功率(mW)                    对策(T)
  试样No.   P1   P2   P3   P4   T1   T2   T3   T4
  2   5.2   2.7   0.1   0.1   0.4   0.4   0.7   0.7
  4   5.2   2.7   0.1   0.1   0.4   0.4   0.7   0.7
  7   5.2   3.4   0.1   0.1   0.5   0.5   0.8   0.8
  17   5.2   2.7   0.1   0.1   0.4   0.4   0.7   0.7
使用时间间隔分析仪(型号TA520；横河电机(株)制)来测定抖动。初次记录后的初始抖动在记录标记的始端和后端平均为6.91％，第2次记录后的抖动为7.11％，可以进行良好的记录。本实施例1为2-v11并示于表3。再有，初始抖动值是光盘本身的抖动，在蓝光盘规格中，包含装置(硬件)侧的抖动值在10％以下，而在直至10次的次数少的改写中为11％以下。因此，至少光盘单体的初始抖动值在8％以下，在低次数记录中抖动上升最大的两次记录后被抑制在8％以下就可以。在表3中，Y表示上述初始抖动和两次记录后抖动、并且下记耐久重放功率满足蓝光盘规格的情况，N是不满足的。
【表3】
试样No.   2-v1   2-v11   2-v12   2-v13   2-v14   2-v15   2-v5   2-v51   2-v52   2-v53   2-v54   2-v55
Ge(％)   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4
Sb(％)   72.7   72.3   71.9   71.1   70.4   69.6   70.0   69.6   69.3   68.5   67.7   67.0
Te(％)   23.4   23.3   23.2   23.0   22.7   22.5   22.6   22.5   22.3   22.1   21.9   21.6
Ti(％)   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0
In(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
Sb/Te   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1
平均初始抖动(％)   6.98   6.91   6.83   6.86   6.89   7.02   7.58   7.48   7.34   7.35   7.41   7.66
二次记录后的抖动(％)   8.05   7.11   7.04   7.08   7.17   7.21   8.74   7.69   7.54   7.49   7.57   7.94
抖动上升(％)   1.07   0.20   0.21   0.22   0.28   0.19   1.16   0.21   0.20   0.14   0.16   0.28
耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.33   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.33
  Y   Y   Y   Y   N   Y   Y   Y   Y   N
此外，在同一光盘上按所述策略记录2T长度的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测定C/N。此时，将重放功率按0.01mW的刻度从0.30mW改变至0.40mW，测量在静态重放刚开始之后和5分钟过后的C/N。在此，静态重放刚开始之后和5分钟过后的C/N差收敛在0.2dB以下范围内的重放功率的最大值，作为耐久重放功率。C/N是以频谱分析器为首的测定误差为0.2dB。
在有重放光造成的劣化时，C/N的劣化在静态重放1分钟左右几乎都可确认。这种情况下，在5分钟过后C/N劣化量确实上升0.2dB，可以充分地确认劣化。因此，设重放光造成的劣化判定基准是C/N差为0.2dB。
根据所述测定，本实施例1的光盘静态重放刚开始之后的C/N为50.2dB，5分钟过后的C/N也是50.2dB。C/N的测定值使用频谱分析器16次取入数据，并取其平均值。
这样，在本实施例1的光盘中，静态重放刚开始之后的C/N和5分钟过后的C/N没有任何变化，即可知它是具有稳定性能、没有重放劣化的光盘。
这里，说明重放光。在记录的标记中，抖动最差的标记是难以记录的标记最短的2T标记。这是因为记录时的激光照射时间、即标记形成时间最短，而标记形成需要花时间。因此，如果可将2T标记的抖动抑制到例如9％以下，则所有标记可以被可靠地抑制到9％以下，因此，可以极大地降低总的抖动。由实验可知，为了使这种单独2T的抖动为9％，需要C/N在51.0dB以上。
这里，在将不含有Ti的GeSbTe作为相变化记录层时，根据上述蓝光盘规格，以0.30mW的功率进行重放时，C/N为50.0dB。通过实验确认以下事实：即使此时将重放光提高到最大耐久功率的0.36mW，最多也就达到50.0dB，而不能达到51.0dB。
另一方面，在含有Ti的GeSbTe作为相变化记录层的本实施例1(2-v11)的情况下，耐久重放功率为0.38mW～0.40mW。这是因为Ti是高熔点元素，热性能非常稳定，是不与构成相变化记录层的Ge、Sb、Te和形成相邻保护层的材料发生反应的稳定物质，通过适量的添加，在记录膜中该Ti起到锚(anchor)的作用，通过在记录标记形成时使标记边缘更尖锐，从而降低抖动。而且，可以认为如上述那样的高熔点材料，使耐热性良好，对于重放光可抗更大的功率。
在将本实施例1(2-v11)根据上述蓝光盘规格以0.30mW进行重放时，C/N最大为50.2dB，但在提高重放功率直至0.38mW时，静态重放刚开始之后的C/N为51.1dB，5分钟过后的C/N也同样是51.1dB，C/N可以达到51.1dB。这些示于表4中。即，即使在形成难以记录的最短标记的2T标记时，也可以充分满足将该2T单独的抖动抑制到9％所必要的C/N条件。
【表4】
  重放功率(mW)   0.3mW   0.38mW
  C/N(dB)   C/N(dB)
  试样No.   静态刚开始之后   5分钟后   静态刚开始之后   5分钟后
  2-v11～v14、v51～v54   50.2   50.2   51.1   51.1
  4-v11～v14、v51～v54   50.1   50.1   51.1   51.1
  7-v11～v14、v51～v54   50.2   50.2   51.2   51.2
  17-v11～v14、v51～v54   50.2   50.2   51.3   51.3
再次参照表3可知，与不添加In的试样2-v11相比，本实施例1(2-v11)几乎没有初始抖动，两次记录后的抖动小，通过添加In，抖动上升被稍稍抑制。
顺便说明一下，在不包含In的状态下，对于试样2，用表5表示初始抖动和两次记录后的抖动、耐久重放功率。由表5可知，通过在GeSbTe中添加Ti，可获得降低初始抖动、提高重放光的耐久性的效果，而第2次记录造成的抖动上升几乎不改变。因此，可认为表3所示的第2次记录的抖动上升抑制效果由In产生。这是因为In为低熔点材料，在记录光照射时平滑地进行记录膜的熔融，可进行残留少的改写。
【表5】
  试样No.   2   2-v1
  Ge(％)   3.4   3.4
  Sb(％)   72.9   72.7
  Te(％)   23.7   23.4
  Ti(％)   0.0   0.5
  In(％)   0.0   0.0
  平均初始抖动(％)   7.95   6.98
  两次记录后的抖动(％)   9.02   8.02
  抖动上升(％)   1.07   1.04
  耐久重放功率(mW)   0.34   0.38
接着，使Ge的量和Sb/Te之比与本实施例1相同，进行改变Sb和Te的量的实验。Ti的量固定为0.5％，In的量为1.0～4.0％时为2-v12～v15，Ti的量固定为4.0％，In的量为0.5～4.0％时为2-v15～v55。结果示于表3。
可以确认Ti的量无论是0.5％还是4.0％，只要In的量在0.5％以上就可抑制抖动上升。但是，如果In量为4.0％，则耐久重放光功率相对于In量为3.0％以下时的0.38mW，降低至0.33mW。这是因为如果In的添加量过大，则熔点低的In对于重放光劣化显著，记录标记再结晶后消失。
在Ti的量为0.5～4.0％，且In的量为0.5～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW，可知本例(2-v12～v14、2-v51～v54)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
这里，对于Ti的量，在不添加In的条件下测试上述4个试样，检测最合适的Ti量的范围。在表6～9中表示各试样的评价结果。在任何一个试样中Ti量为0.5～4.0％时，可以确认对重放光的耐久性的提高和抖动降低。
【表6】
  试样No.   2   2-v1   2-v2   2-v3   2-v4   2-v5   2-v6   2-v7
  Ge(％)   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4
  Sb(％)   72.9   72.7   72.3   71.5   70.8   70.0   69.3   68.5
  Te(％)   23.7   23.4   23.3   23.1   22.8   22.6   22.3   22.1
  Ti(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   5.0   6.0
  Sb/Te   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1
  耐久重放功率(mW)   0.34   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38
  平均初始抖动(％)   7.95   6.98   6.89   6.97   7.11   7.58   8.87   9.92
【表7】
  试样No.   4   4-v1   4-v2   4-v3   4-v4   4-v5   4-v6   4-v7
  Ge(％)   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3
  Sb(％)   65.1   64.5   64.2   63.5   62.8   62.1   61.4   60.8
  Te(％)   30.6   30.7   30.5   30.2   29.9   29.6   29.3   28.9
  Ti(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   5.0   6.0
  Sb/Te   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1
  耐久重放功率(mW)   0.34   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38
  平均初始抖动(％)   8.52   7.48   7.14   7.08   7.22   7.76   9.04   10.12
【表8】
  试样No.   7   7-v1   7-v2   7-v3   7-v4   7-v5   7-v6   7-v7
  Ge(％)   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6
  Sb(％)   76.2   75.9   75.5   74.7   73.9   73.1   72.3   71.5
  Te(％)   19.2   19.0   18.9   18.7   18.5   18.3   18.1   17.9
  Ti(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   5.0   6.0
  Sb/Te   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0
  耐久重放功率(mW)   0.34   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38
  平均初始抖动(％)   8.28   7.42   7.02   6.82   6.98   7.36   8.51   9.63
【表9】
  试样No.   17   17-v1   17-v2   17-v3   17-v4   17-v5   17-v6   17-v7
  Ge(％)   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5
  Sb(％)   65.3   64.8   64.4   63.6   62.9   62.1   61.3   60.6
  Te(％)   20.2   20.2   20.1   19.9   19.6   19.4   19.2   18.9
  Ti(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   5.0   6.0
  Sb/Te   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2
  耐久重放功率(mW)   0.36   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4
  平均初始抖动(％)   8.02   7.14   7.05   7.02   7.16   7.28   8.55   9.78
对于表6所示的试样2，在1-7调制的信息信号为5.28m/s，按图2所示的策略进行记录重放。设1T＝15.1nsec，按P1＝5.2mW，P2＝2.7mW，P3＝0.1mW，P4＝0.1mW，策略(T)为T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T形成组来记录，在重放信号的振幅中心进行限幅(slice)，来测定时钟对数据抖动(clock to datajetter)。以上的条件示于表2的记录条件一览的试样2(试样No.2)中。
这里，说明表2中所示的各试样(2、4、7、17)的条件对应于上述表3、6～9记载的某一个试样。试样2的条件适用于表6的试样No.2、2-v1～v7、表3的2-v11～v15、v51～v55，试样4的条件适用于表7的试样No.4、4-v1～v7，试样7的条件适用于表8的试样No.7、7-v1～v7，试样17的条件适用于表9的试样No.17、17-v1～v7。
同样，这里示出对应于后述的表10～16的条件。试样2的条件适用于试样No.2-v20～v26，试样4的条件适用于表10的试样No.4-v11～v15、v51～v55、表14的4-v20～v26，试样7的条件适用于表11的试样No.7-v11～v15、v51～v55、表15的7-v20～v26，试样17的条件适用于表12的试样No.17-v11～v15、v51～v55、表16的17-v20～v26。在表10～16中，与上述同样，Y表示上述初始抖动和两次记录后抖动、且耐久重放功率满足蓝光盘规格的情况，N是不满足的情况。
【表10】
  试样No.   4-v1   4-v11   4-v12   4-v13   4-v14   4-v15   4-v5   4-v51   4-v52   4-v53   4-v54   4-v55
  Ge(％)   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3
  Sb(％)   64.5   64.2   83.8   63.1   62.5   61.8   62.1   61.8   61.4   60.8   60.1   59.4
  Te(％)   30.7   30.5   30.4   30.1   29.7   29.4   29.6   29.4   29.3   28.9   28.6   28.3
  Ti(％)   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0
  In(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
  Sb/Te   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1
  平均初始抖动(％)   7.48   7.45   7.44   7.46   7.45   7.62   7.76   7.68   7.72   7.7   7.74   7.91
  二次记录后的抖动(％)   8.62   7.67   7.61   7.64   7.62   7.88   8.83   7.91   7.98   7.92   7.95   8.19
  抖动上升(％)   1.14   0.22   0.17   0.16   0.17   0.26   1.07   0.23   0.26   0.22   0.21   0.28
  耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34
  Y   Y   Y   Y   N   Y   Y   Y   Y   N
【表11】
试样No.   7-v1   7-v11   7-v12   7-v13   7-v14   7-v15   7-v5   7-v51   7-v52   7-v53   7-v54   7-v55
Ge(％)   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6
Sb(％)   75.9   75.5   75.1   74.3   73.5   72.7   73.1   72.7   72.3   71.5   70.7   69.9
Te(％)   19.0   18.9   18.8   18.6   18.4   18.2   18.3   18.2   18.1   17.9   17.7   17.5
Ti(％)   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0
In(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
Sb/Te   4   4   4   4   4   4   4   4   4   4   4   4
平均初始抖动(％)   7.42   7.39   7.4   7.37   7.39   7.51   7.36   7.34   7.35   7.33   7.31   7.43
二次记录后的抖动(％)   8.46   7.63   7.62   7.58   7.61   7.78   8.45   7.62   7.61   7.51   7.54   7.71
抖动上升(％)   1.04   0.24   0.22   0.21   0.22   0.27   1.09   0.28   0.26   0.18   0.23   0.28
耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34
  Y   Y   Y   Y   N   Y   Y   Y   Y   N
【表12】
  试样No.   17-v1   17-v11   17-v12   17-v13   17-v14   17-v15   17-v5   17-v51   17-v52   17-v53   17-v54   17-v55
  Ge(％)   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5
  Sb(％)   64.8   64.4   64.0   63.2   62.5   61.7   62.1   61.7   61.3   60.6   59.8   59.0
  Te(％)   20.2   20.1   20.0   19.8   19.5   19.3   19.4   19.3   19.2   18.9   18.7   18.5
  Ti(％)   05   0.5   0.5   0.5   0.5   0.5   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0   4.0
  In(％)   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0   0.0   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
  Sb/Te   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   32   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2
  平均初始抖动(％)   7.14   7.09   7.12   7.10   7.14   7.18   7.28   7.25   7.26   7.24   7.27   7.39
  二次记录后的抖动(％)   8.22   7.31   7.36   7.33   7.4   7.45   8.52   7.47   7.49   7.51   754   7.66
  抖动上升(％)   1.08   0.22   0.24   0.23   0.27   0.27   1.24   0.22   0.23   0.21   0.27   0.27
  耐久重放功率(mW)   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.35   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.35
  Y   Y   Y   Y   N   Y   Y   Y   Y   N
【实施例2】
下面设Ge的量为4.3％，Sb/Te之比为2.1，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.5％，In的量为0.5～4.0％时为4-v11～v15，而Ti的量固定为4.0％，In的量为0.5～4.0％时为4-v51～v55。结果示于表10。Ti的量为0.5％～4.0％、且In的量为0.5～3.0％时，初始抖动在8％以下，2次纪录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW。可知本例(4-v11～v14、4-v51～v54)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
【实施例3】
下面设Ge的量为4.6％，Sb/Te之比为4，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.5％，In的量为0.5～4.0％时为7-v11～v15，而Ti的量固定为4.0％，In的量为0.5～4.0％时为7-v51～v55。结果示于表11。Ti的量为0.5～4.0％、且In的量为0.5～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW。可知本例(7-v11～v14、7-v51～v54)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
【实施例4】
下面设Ge的量为14.5％，Sb/Te之比为3.2，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.5％，In的量为0.5～4.0％时为17-v11～v15，而Ti的量固定为4.0％，In的量为0.5～4.0％时为17-v51～v55。结果示于表12。Ti的量为0.5～4.0％、且In的量为0.5～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.40mW。可知本例(17-v11～v14、17-v51～v54)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
这里进行进一步的研究，对于Ti的量和In的量，可知以下的情况。示出后续的实施例。
【表13】
  试样No.   2-v20   2-v21   2-v22   2-v23   2-v24   2-v25   2-v26
  Ge(％)   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4   3.4
  Sb(％)   72.9   72.6   72.4   72.1   71.3   70.5   69.8
  Te(％)   23.4   23.4   23.4   23.2   23.0   22.8   22.5
  Ti(％)   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3
  In(％)   0.0   0.3   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
  Sb/Te   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1   3.1
  平均初始抖动(％)   6.98   6.95   6.91   6.83   6.86   6.89   7.02
  二次记录后的抖动(％)   8.05   7.16   7.11   7.04   7.08   7.17   7.21
  抖动上升(％)   1.07   0.21   0.20   0.21   0.22   0.28   0.19
  耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.33
  Y   Y   Y   Y   Y   N
【表14】
  试样No.   4-v20   4-v21   4-v22   4-v23   4-v24   4-v25   4-v26
  Ge(％)   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3   4.3
  Sb(％)   64.5   64.4   64.3   63.9   63.3   62.6   61.9
  Te(％)   30.7   30.7   30.6   30.5   30.1   29.8   29.5
  Ti(％)   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3
  In(％)   0.0   0.3   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
  Sb/Te   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1   2.1
  平均初始抖动(％)   7.48   7.46   7.45   7.44   7.46   7.45   7.62
  二次记录后的抖动(％)   8.62   7.69   7.67   7.61   7.64   7.62   7.88
  抖动上升(％)   1.14   0.23   0.22   0.17   0.18   0.17   0.26
  耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34
  Y   Y   Y   Y   Y   N
【表15】
  试样No.   7-v20   7-v21   7-v22   7-v23   7-v24   7-v25   7-v26
  Ge(％)   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6   4.6
  Sb(％)   75.9   75.8   75.7   75.3   74.5   73.7   72.9
  Te(％)   19.0   19.0   18.9   18.8   18.6   18.4   18.2
  Ti(％)   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3
  In(％)   0.0   0.3   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
Sb/Te 4 4 4 4 4 4 4
  平均初始抖动(％)   7.42   7.4   7.39   7.4   7.37   7.39   7.51
  二次记录后的抖动(％)   8.46   7.63   7.63   7.62   7.58   7.61   7.78
  抖动上升(％)   1.04   0.23   0.24   0.22   0.21   0.22   0.27
  耐久重放功率(mW)   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.38   0.34
  Y   Y   Y   Y   Y   N
【表16】
  试样No.   17-v20   17-v21   17-v22   17-v23   17-v24   17-v25   17-v26
  Ge(％)   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5   14.5
  Sb(％)   65.0   64.7   64.5   64.2   63.4   62.6   61.9
  Te(％)   20.2   20.2   20.2   20.0   19.8   19.6   19.3
  Ti(％)   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3   0.3
  In(％)   0.0   0.3   0.5   1.0   2.0   3.0   4.0
  Sb/Te   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2   3.2
  平均初始抖动(％)   7.14   7.11   7.09   7.12   7.10   7.14   7.18
  二次记录后的抖动(％)   8.22   7.34   7.31   7.36   7.33   7.41   7.45
  抖动上升(％)   1.08   0.23   0.22   0.24   0.23   0.27   0.27
  耐久重放功率(mW)   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.4   0.35
  Y   Y   Y   Y   Y   N
【实施例5】
与实施例1同样，设Ge的量为3.4％，Sb/Te之比为3.1，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.3％，In的量为0～4.0％时为2-v20～v26。结果示于表13。In的量为0.3～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW。可知本例(2-v21～v25)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
【实施例6】
与实施例2同样，设Ge的量为4.3％，Sb/Te之比为2.1，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.3％，In的量为0～4.0％时为4-v20～v26。结果示于表14。In的量为0.3～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW。可知本例(4-v21～v25)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
【实施例7】
与实施例3同样，设Ge的量为4.6％，Sb/Te之比为4，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.3％，In的量为0～4.0％时为7-v20～v26。结果示于表15。In的量为0.3～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mW。可知本例(7-v21～v25)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
【实施例8】
与实施例4同样，设Ge的量为14.5％，Sb/Te之比为3.2，改变Sb和Te的量来进行实验。Ti的量固定为0.3％，In的量为0～4.0％时为17-v20～v26。结果示于表15。In的量为0.3～3.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.40mW。可知本例(17-v21～v25)中的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
根据以上的实施例5～8，如果记录层4中包含0.3％以上的Ti的量和In的量，则可知光盘充分满足蓝光盘规格。
【比较例】
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，首先通过溅射法依次形成作为反射层2的Ag合金、作为第一保护层的ZnS-SiO2、还有作为记录层4的GeSbTe、作为第二保护层5的ZnS-SiO2。然后，使用UV固化树脂作为粘结层6，粘附覆盖片7。此时设各层的膜厚是，反射层2为200nm、第一保护层3为8nm、记录层4为14nm、第二保护层5为36nm。
此外，记录层4的组成按原子％为8.7％的Ge、69.7％的Sb、21.6％的Te。在粘结后，进行UV照射以便粘结层6充分固化。然后，用激光束束径120μm的初始化器将初始化条件固定为线速度4m/s、传送间隔40μm，按570mW的激光输出进行初始化。
然后，将1-7调制的信息信号以5.28m/s、图2所示策略进行记录重放。设1T＝15.1nsec，按P1＝5.2mW，P2＝2.7mW，P3＝0.1mW，P4＝0.1mW，T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T成组方式记录，在重放信号的振幅中心测定时钟对数据抖动作为限幅。
使用时间间隔分析仪(型号TA520；横河电机(株)制)来测定抖动。初次记录后的抖动在记录标记的始端和后端平均为7.8％，可进行通常的记录。两次记录后的抖动为8.9％。
此外，在同一光盘上按上述策略记录2T长度的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测定C/N。此时，将重放功率设为光盘不产生劣化的值、即0.30mW，测定静态重放刚开始之后和5分钟过后的C/N。刚开始之后的C/N为50.0dB，5分钟过后的C/N是50.0dB。
这里，可知即使重放功率持续上升直至0.36mW的最大耐久功率，C/N也就达到50.0dB，没有达到上述2T单独的抖动所需要的51.0dB的C/N。
C/N的测定使用光谱分析器，取入16次数据，以其平均值作为C/N的测定值。这里，作为测定误差，产生0.2dB左右的误差，所以如果重放劣化实验开始前后的C/N变化在0.2dB以下，则认为是良好的。再有，上述测定方法、条件和仪器与实施例1～8中使用的方法、条件和仪器相同。
此外，研究了上述记录层4的组成(Ge8.7％、Sb69.7％、Te21.6％)以外的组成。研究的组成示于表1。
从表1可知，使用GeSbTe系材料作为相变化型光记录层4，对应使用蓝色激光的光盘系统，同时作为对重放光呈现强耐久性的光盘10，如果Ge、Sb、Te的组成范围按原子％为Ge在3.4％以上、14.5以下，并且Sb/Te在2.1以上、4以下，则在0.30mW的重放功率产生的静态重放中，C/N的劣化在0.2dB以内，初始抖动在9％以下。
再有，上述合适的组成范围是不引起重放劣化的范围。以下，对这方面进行详述。首先，说明Ge的范围。
Ge的量具有随着其增加使对比度提高、环境负荷的耐性强等效果。最小值为3.4％(原子％)，但考虑到测定误差，则稍有偏差。再有，在Ge的量少时，出现不能降低抖动的实验结果。但是，并不是Ge的量越大越好。
也就是说，在Ge的量增加时，Sb的量相对地减少，所以结晶速度变慢。即，关联着不能进行线速度快的记录、改写。此外，即使Sb/Te之比相同，Sb的原子％(量)少的情况，也产生结晶速度变慢的实验结果。因此，这种情况下可能产生改写造成的残留。
另一方面，Ge的量的增加使结晶速度上升。高温下结晶的记录膜，即使进行记录其重放劣化也非常少，呈现出耐久性高，但是如果结晶温度过高，则难以进行自身初始化。在可实验的范围中，14.5％(原子％)为上限。
下面，说明Sb/Te之比。如上所述，Sb/Te之比对结晶速度产生影响。如果该比大，则结晶速度变快，可按更快的线速度进行记录、改写。相反，如果该比小，则结晶速度变慢。在本实施例中，结晶速度慢的界限为2.1，这是因为此时难以进行初始化工序的结晶。此外，低于2.1时，结晶状态也不稳定，记录时的对比度变差，产生不能重叠写入等危害。
另一方面，结晶速度快的界限为4，如果超过该比率，则容易结晶，所以记录时不能充分形成非结晶标记。此外，即使可以形成，记录的非结晶标记对于重放光的强度也差，在静态重放记录时，记录的标记会消失。
用比较例进行了实验，表1的试样No.15的组成，其自身呈现良好的特性，可承受直至0.35mW的重放功率，但如上所述，由于C/N最多达到50.0dB，所以不能期望2T单独的抖动在9％以下。即，不能获得能承受本发明期望的足以满足蓝光盘规格的高输出重放光、可进行抖动更低记录的光信息记录媒体。
在记录层4的组成中，混入微量的Fe、Al、Si这样的杂质。如至此所述的那样，在记录层4的构成元素总量按原子％为100％时，可将所述杂质的总量抑制到低于1％。这里，将所述杂质按照每一种元素添加在记录层4的组成(本实施例1、2-v11)中，调查其影响。其结果示于表17～表19。在表17～表19中，与上述同样，Y表示上述初始抖动和两次记录后抖动、且耐久重放功率满足蓝光盘规格的情况，N是不满足的情况。【表17】
    杂质添加1％     添加元素1％
    试样NO.     2-v11     Fe     Al     Si
    Ge(％)     3.4     3.4     3.4     3.4
    Sb(％)     72.3     71.5     71.5     71.5
    Te(％)     23.3     23.1     23.1     23.1
    Ti(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    In(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    添加元素(％)     0.0     1     1     1
    Sb/Te     3.1     3.1     3.1     3.1
    平均初始抖动(％)     6.91     6.94     6.92     6.93
    二次记录后的抖动(％)     7.11     7.17     7.12     7.14
    抖动上升(％)     0.20     0.23     0.20     0.21
    耐久重放功率(mW)     0.38     0.38     0.38     0.38
    Y     Y     Y
【表18】
    杂质添加1.1％     添加元素1.1％
    试样No.     2-v11     Fe     Al     Si
    Ge(％)     3.4     3.4     3.4     3.4
    Sb(％)     72.3     71.5     71.5     71.5
    Te(％)     23.3     23.0     23.0     23.0
    Ti(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    In(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    添加元素(％)     0.0     1.1     1.1     1.1
    Sb/Te     3.1     3.1     3.1     3.1
    平均初始抖动(％)     6.91     7.52     7.24     7.26
    二次记录后的抖动(％)     7.11     7.98     7.67     7.68
    抖动上升(％)     0.20     0.46     0.43     0.42
    耐久重放功率(mW)     0.38     0.38     0.38     0.38
    Y     Y     Y
表19】
    杂质添加1.2％     添加元素1.2％
    试样No.     2-v11     Fe     Al     Si
    Ge(％)     3.4     3.4     3.4     3.4
    Sb(％)     72.3     71.4     71.4     71.4
    Te(％)     23.3     23.0     23.0     23.0
    Ti(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    In(％)     0.5     0.5     0.5     0.5
    添加元素(％)     0.0     1.2     1.2     1.2
    Sb/Te     3.1     3.1     3.1     3.1
    平均初始抖动(％)     6.91     8.15     7.48     7.34
    二次记录后的抖动(％)     7.11     8.87     8.14     8.04
    抖动上升(％)     0.20     0.72     0.66     0.70
    耐久重放功率(mW)     0.38     0.38     0.38     0.38
    N     N     N
在1.0～1.2％(原子％)之间添加Fe、Al、Si(杂质)。可知在杂质添加量为1.0％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mV。可知表17中的添加了杂质的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
在杂质添加量为1.1％时，初始抖动在8％以下，两次记录后的抖动在8％以下，耐久重放功率为0.38mV。可知表18中的添加了杂质的任何一个光盘都是充分满足蓝光盘规格的光盘。
在杂质添加量为1.2％时，任何一个光盘的两次记录后的抖动都在8％以上。因此，可知表19中的添加了杂质的任何一个光盘都是没有满足蓝光盘规格的光盘。
从以上可知，如果记录层4的构成元素(Ti、In、Ge、Sb、Te)的总量在98.8％以上，则可获得不受杂质影响、初始抖动和两次记录后的抖动小、可抗高输出的重放功率的光信息记录媒体。再有，在包含1.1％的杂质情况下抖动的上升率大，所以最好是杂质添加量在1.0％以下，即记录层4的构成元素的总量在90.0％以上。
从上述详述中可知，本发明的光信息记录媒体，具有基板、及形成在基板上的作为多个层之一的相变化型光记录层，所述相变化型光记录层至少包含Ti、In、Ge、Sb、Te，在Ti、In、Ge、Sb、Te的含量(原子％)分别为v、w、x、y、z时，含量v、w、x、y、z满足
0.3≤v≤4
0.3≤w≤3
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4
v+w+x+y+z≤100(原子％)的关系。
在本实施例中，为v+w+x+y+z＝100(原子％)，但也可以包含若干量其他物质。即，v+w+x+y+z≤100(原子％)。其中，需要v+w+x+y+z≥98.8，而且最好是v+w+x+y+z≥99.0。能理解根据将以上的条件作为特征的本实施例1～8的结构，可以得到仅用GeSbTe的记录材料无论如何不能实现的有利特性结果。

Claims (1)

1.一种光信息记录媒体，其通过光照射来记录信息，其特征在于，具有基板、及形成在所述基板上的作为多个层之一的相变化型光记录层；
所述相变化型光记录层通过照射所述光使之发生相变化而记录2T标记的信息；
所述相变化型光记录层至少包含Ti、In、Ge、Sb、Te，在Ti、In、Ge、Sb、Te的以原子％表示的含量分别为v、w、x、y、z时，含量v、w、x、y、z满足如下关系：
0.3≤v≤4
0.3≤w≤3
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4
98.8≤v+w+x+y+z≤100；而且
重放所述2T标记时的抖动为9％或以下。
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