CN1886268A - 光记录媒体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种适合于DVD6～12倍速高速记录，且高温高湿试验后的反射率降低小的重写型光记录媒体，该光记录媒体在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相与非晶体相的相变化来进行重写记录，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，并且满足Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％的下式，在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，20≤－2.75α+0.708β+1.18γ－7.56≤43且α/(α+β)≤0.12。

Description

光记录媒体
技术领域
本发明涉及适合相当于DVD6～12倍速高速记录的重写型光记录媒体。
背景技术
作为利用半导体激光光束的照射而能进行信息重写的光记录媒体之一，知道的有利用晶体-非晶体之间或晶体-晶体之间相转变的所谓相变化光记录媒体。该相变化光记录媒体通过单一光束能进行反复记录，且有驱动侧光学系统更简单的特点，作为相关计算机和有关视频音响的光记录媒体被应用，并在全世界被普及。在CD-R、CD-RW等被普及的同时，高速记录化在进展，今后，由于相变化光记录媒体也在向高密度图像记录等展望，媒体的容量和密度增加，所以高速记录是必须的。
这种相变化光记录媒体一般具有基板和记录层，在记录层的两面设置具有耐热性和透光性的保护层。在光束射入方向相反侧的保护层上层合金属或合金等的反射层。仅通过变化激光的功率就能进行记录和删除，记录方式一般是把晶体状态设定为是未记录、删除状态，记录标记的形成是把记录层加热到比熔点高的温度后再进行急冷，通过把记录层非结晶化来进行的。
相变化光记录媒体的记录原理如下。对记录层晶体状态/非晶体状态的切换是使用通过三个输出电平而被脉冲化的聚光激光光束。这时，最高的输出电平是在记录层的融化时使用，中间的输出电平是在把记录层加热到将低于熔点而比结晶化温度高的温度时使用，最低的电平是在记录层的加热或冷却控制时使用。通过最高输出电平的激光脉冲而被融化的记录层，由持续急冷而成为非晶体乃至微晶，出现反射率降低而成为记录标记。中间输出的激光脉冲使全部成为晶体而能进行删除。这样在输出电平之间通过变化写入激光脉冲而能在记录层上交替地制作晶体区域和非晶体区域，能存储信息。
在实现高速记录时就需要使用对记录层具有快结晶化速度的相变化材料。作为这种相变化材料，由于结晶化速度快且高速记录时的删除比高，所以Ge-Te、Ge-Te-Se、In-Sb、Ga-Sb、Ge-Sb-Te、Ag-In-Sb-Te等被关注。
它们当中结晶化温度高到350℃，且标记稳定性(保存可靠性)优良的GaSb合金(参照非专利文献1)，也是本发明者们作为现有高速记录用记录层材料而关注的相变化材料之一。
但从到现在为止的本发明者们研究中了解到，对于GaSb二元系合金来说进行相当于DVD6～12倍速的高速记录是困难的。即GaSb二元系合金的结晶化界限速度(参照后述的说明)在相当于DVD6～12倍速的高速记录中不充分，且GaSb具有的高结晶化温度使初始化困难，了解到即使假设照射高的初始化功率而进行了初始化，也由于初始化后的反射率有偏差而记录特性不充分。且了解到由于GaSb是由共晶体组成，熔点是630℃比较高，所以形成标记困难而容易产生灵敏度不足，而且还产生盘反射率低等的不好情况。
通过本发明者们的进一步研究，发现Sn在使GaSb的结晶化速度更高速化、降低熔点(因此灵敏度提高)、提高反射率、降低初始化噪声中具有效果。即发现通过GaSbSn三元系合金能实现相当于DVD6～12倍速的高速/高灵敏度记录。
但了解到Sn一方面是使基底的GaSb二元系合金的转变线速变快而对高速记录是最佳的添加元素，另一方面由Sn的添加而新产生“在80℃、85％RH200小时后(以下叫做环境试验)，盘的反射率降低”的问题。
除了上述之外，作为本申请前的公知技术而在专利文献1中公开有：使用在GaSb或InSb的组成比是50∶50附近的合金中添加金属或硫族元素M的记录材料，但与本发明的Ga或添加元素M的组成范围不同。
在专利文献2中公开有：把以GaSb为主要成分的合金作为记录材料来使用，并使用晶体-晶体之间的相变化来记录信息的相变化型光记录媒体，是举出了把增大对比度为目的的GaSbSn实施例，但并未说到关于Sn的组成比。且关于Ga比也记述有“在Ga不到20％时，在激光照射部产生认为是由产生气泡引起的隆起，所以反射率变化的电平不稳定，在实用上有问题”。
在此，说明关于结晶化界限速度。
结晶化界限速度是本发明者等根据经验研究出的表示记录层材料的特性的物理参数。向旋转的光盘照射一定功率的DC光，在评价光盘反射率的照射光光束线速度(即光盘的旋转速度)依赖性(但在记录/再现系统中是线速度依赖性)时，意味着是如图3所示那样反射率开始急剧降低时的线速度。这是把“一定功率的DC光”当作所述记录原理中的中间输出激光脉冲(删除脉冲)，在使记录/再现系统的照射光光束线速度上升时关注于：到达怎样的线速度就能结晶化(删除)的评价方法。把图3作为例时表示的是：以超过记录层材料结晶化界限速度(图中的粗线)的快的线速度照射DC光时，则不能实现满意的结晶化。
专利文献1：美国专利第4818666号说明书
专利文献2：特开昭61-168145号公报
非专利文献1：“Phase-Change optical data storage inGaSb”，Aplied Optics，Vol.26，No.22115，November，1987
发明内容
本发明的目的在于提供一种适合相当于DVD6～12倍速高速记录，且高温高湿试验后的反射率降低小的重写型光记录媒体。
本发明者们对GaSbSn三元系合金的课题(即环境试验后的反射率降低)锐意讨论的结果是，发现通过规定GaSbSn合金的组成比，特别是规定Sn的添加量组成比来飞跃改善所述课题，能提供即使在相当于DVD6～12倍速的高速记录中也能满足良好的记录特性和保存可靠性的相变化光记录媒体，以至完成本发明。
即通过下面(1)～(11)的发明(以下叫做本发明1～11)来解决所述课题。
(1)、一种光记录媒体，其在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相与非晶体相的相变化来进行重写记录，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％，
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且α/(α+β)≤0.12。
(2)、一种光记录媒体，其在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相与非晶体相的相变化来进行重写记录，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％，
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且γ≤5或γ≥22。
(3)、所述(2)中公开的光记录媒体，其在所述组成式中满足下式
0.12＜α/(α+β)＜0.14。
(4)、所述(2)中公开的光记录媒体，其在所述组成式中满足下式
α/(α+β)≤0.12。
(5)、所述(1)～(4)任一项中公开的光记录媒体，其相变化材料含有1～20原子％的Ge。
(6)、所述(1)～(5)任一项中公开的光记录媒体，其相变化材料含有从In、Al、Zn、Mg、Tl、Pb、Bi、Cd、Hg、Se、C、N、Au、Ag、Cu、Mn、Dy中选择的至少一种添加元素，该添加元素为1～10原子％。
(7)、所述(1)～(6)任一项中公开的光记录媒体，其第一保护层和/或第二保护层是由ZnS和SiO2的混合物构成。
(8)、所述(1)～(7)任一项中公开的光记录媒体，其反射层由纯Ag或以Ag为主要成分的合金构成。
(9)、所述(8)中公开的光记录媒体，其在第二保护层与反射层之间具有以Si或SiC为主要成分的第三保护层。
(10)、所述(1)～(9)任一项中公开的光记录媒体，其第一保护层的膜厚度是40～200nm、记录层的膜厚度是6～20nm、第二保护层的膜厚度是4～20nm、第三保护层的膜厚度是2～10nm、反射层的膜厚度是100～300nm。
(11)、所述(1)～(10)任一项中公开的光记录媒体，其具有槽间距是0.74±0.03μm、槽深度是22～40nm、槽宽度是0.2～0.4μm的蛇行槽，能以DVD6～12倍速(约20m/s～43m/s)的记录线速度进行记录。
下面详细说明所述的本发明。
本发明1中作为记录层材料是使用满足下组成式的合金。
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且α/(α+β)≤0.12。
作为构成相当于DVD6～12倍速的高速记录用重写型光记录媒体的记录层材料，最好的是把GaSbSn作为主要成分的合金。主要结构元素Sb是能实现高速记录的优良相变化材料。通过变化Sb比而能调整结晶化速度，例如通过提高比率就能加快结晶化速度。
Ga也能以少的添加量加快结晶化速度，且具有提高相变化材料结晶化温度的效果，所以在提高标记的稳定性上也有效果。但若添加量过多，则结晶化温度过高，在生产工序中预先使非晶体相向晶体相进行相变化的初始化时，难于得到均匀且具有高反射率的晶体状态。
Sn不仅与Ga同样地具有加快结晶化速度的效果，而且能使相变化材料的熔点下降，因此在用于提高记录媒体灵敏度上是非常有效的元素。且在提高反射率、降低初始化噪声上也有效果，在改善重写特性上也有效果。但若Sn也添加量过多，则再现光恶化和初始抖动恶化，且引起保存可靠性恶化，所以最好是不到50原子％。
只要这样地在结晶化速度快、且保存可靠性优良的GaSb合金中，使用添加将GaSb结晶化速度更加高速化、且带来熔点下降(因此灵敏度提高)、反射率提高、初始化噪声降低效果的Sn的GaSbSn合金，就如前所述能实现相当于DVD6～12倍速的高速/高灵敏度记录，且能提供初始化容易而且初始化后的反射率分布一样的相变化光记录媒体。
但GaSbSn合金尚残留有在80℃ 85％RH 200小时后(以下叫做环境试验)反射率降低的问题。即，为了评价记录媒体的保存可靠性而把记录媒体在80℃ 85％RH的恒温槽中放置200小时，比较试验前后的未记录部反射率，与试验前相比试验后的反射率也有约7％左右的降低。反射率降低的问题就意味着保存可靠性，特别是储存(シエルフ)特性的恶化。
通过本发明者们的研究而了解到，这种现状的根本是即使是在没有新添加Sn的GaSb二元系合金中，也在环境试验后产生反射率降低，且其程度随Ga与Sb的组成比不同而不同。
图1中表示了GaSb二元系合金中Ga组成比(原子％)与环境试验后反射率降低|Δ|(％)的关系，看图1则了解到，Ga比直到14原子％附近是随着Ga比的增加而反射率的降低逐渐变大，而大于或等于14原子％则反射率降低几乎是一定的(约3％)。
而且本发明者们在GaSbSn中，把GaSb的组成比固定而仅关注于Sn的添加量，结果是发现Sn也存在有反射率降低的最佳范围。
图2中表示了GaSbSn三元系合金中Sn组成比(原子％)与环境试验前后反射率降低|Δ|(％)的关系。
如前所述，作为这次试料使用的GaSbSn三元系合金，根据其组成比可以考虑为是把任何GaSb二元系合金作为母相的相变化材料，如从图1了解的那样，由于成为其相变化材料基底的GaSb二元系合金也有随Ga组成比的不同而|Δ|变化的特点，所以被调查的试料都是以反射率降低成为一定的0.14≤Ga/(Ga+Sb)的试料作为对象。
看图2则了解到，任何样品都是Sn组成比在10～15原子％附近|Δ|是极大。且从图2能了解到：Sn组成比小于或等于5原子％或大于或等于22原子％时反射率降低是3％左右，但看图1则在14(原子％)≤Ga时即使不添加Sn，也产生3％左右的反射率降低，所以由Sn引起的反射率降低作用在小于或等于5原子％或大于或等于22原子％时并不表现出来。下限最好是大于或等于1原子％，比它少时则Sn的效果不明显。上限如前所述最好是不到50％。
因此考虑到上述见解，首先是在GaSbSn三元系合金中若把Ga与Sb的组成比设定为是α/(α+β)≤0.12，则不管Sn的添加量而能提供环境试验后反射率降低小于或等于5％的光记录媒体。即对于比较图1和图2所求出的Sn来说历来反射率降低的量最大也就是4％程度，相对地在0.12≥Ga/(Ga+Sb)时根据图1，在Ga/(Ga+Sb)比中历来反射率降低的量最大是1％，即使把两者合起来反射率降低也是小于或等于5％。但α最好是大于或等于2原子％。由于Ga能以少的添加量加快结晶化速度，且具有提高相变化材料结晶化温度的效果，所以是在提高标记稳定性上有效果的元素。但在α不到2原子％时则使结晶化速度降低，除了在相当于DVD12倍速的43m/s记录线速度下重写困难之外，保存可靠性也降低。
调查结晶化界限速度V[m/s]与GaSbSn组成比关系的结果是发现有下式的关系，发现由下式V表现的值是20≤V≤43时，最适合相当于DVD6～12倍速的高速记录。
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
V＝-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56。
即把GaSbSn三元系合金中各自元素的组成比(α、β、γ)作为参数来进行转变线速的多变量解析(线性)，是从程序回归的函数。
具体说就是，假定把GaSbSn三元系合金的转变线速值V由下式表示时
V(Xi)＝X1·Ga+X2·Sb+X3·Sn+const
使用Excell中的程序(最小二乘法)计算实测值中最合适的直线，把各自的系数Xi(-2.75＝α、0.708＝β、1.18＝γ、-7.56等)进行回归。
因此，最终是若设定成本发明1中规定的组成式范围，则能不管Sn的添加量而能提供适合相当于DVD6～12倍速记录的高速记录且环境试验后的反射率降低小于或等于5％的相变化型光记录媒体。
本发明2中作为记录层材料使用满足下组成式的合金。
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且γ≤5或γ≥22
从前面的图1中了解到在Ga/(Ga+Sb)≥0.14时，环境试验前后的反射率降低是3～4％左右，从前面的图2中了解到在Ga/(Ga+Sb)≥0.14时，由Sn引起的反射率降低作用所降低的范围是小于或等于5％或大于或等于22％。因此考虑到这些见解，只要把GaSbSn合金的组成设定在本发明2规定的范围内，就能不管GaSb中的Ga比，而能提供适合DVD6～12倍速记录的高速记录且环境试验前后的反射率降低最大是小于或等于4％的相变化型光记录媒体。
本发明3中作为记录层材料使用满足下组成式的合金。
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且0.12＜α/(α+β)＜0.14
且γ≤5或γ≥22
从前面的图1中了解到在0.12＜Ga/(Ga+Sb)＜0.14时，环境试验前后的反射率降低是1～3％左右，从前面的图2中了解到由Sn引起的反射率降低作用所降低的范围是小于或等于5％或大于或等于22％。因此考虑到这些见解，只要把GaSbSn合金的组成设定在本发明3规定的范围内，就能不管GaSb中的Ga比，而能提供适合于DVD6～12倍速记录的高速记录且环境试验后的反射率降低是大于或等于1％而不到3％的相变化型光记录媒体。
本发明4中作为记录层材料是使用满足下组成式的合金。
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且α/(α+β)≤0.12
且γ≤5或γ≥22
从前面的图1中了解到在Ga/(Ga+Sb)≤0.12时，环境试验前后的反射率降低是1％左右，从前面的图2中了解到Sn的反射率降低作用所降低的范围是小于或等于5％或大于或等于22％。因此考虑到这些见解，只要把GaSbSn合金的组成设定在本发明2组成式的范围内，就能不管GaSb中的Ga比而能提供适合于DVD6～12倍速记录的高速记录且环境试验后的反射率降低是不到1％的相变化型光记录媒体。
本发明5～6中，相变化材料是使用把GaSbSn作为主要成分，作为添加元素而含有1～20原子％的Ge的合金，或是使用作为添加元素而含有从In、Al、Zn、Mg、Tl、Pb、Bi、Cd、Hg、Se、C、N、Au、Ag、Cu、Mn、Dy中选择的至少一种元素的合金，该元素的含有量为1～10原子％。在此所说的主要成分虽然是指占有记录层的相变化材料整体的大于或等于50原子％，但是，最好Ga、Sb和Sn的和是相变化材料整体的大于或等于80％。
作为构成适合相当于DVD6～12倍速的高速记录且环境试验后的反射率降低小的重写型光记录媒体的记录层材料，最好是如本发明1～4中所规定的把Ga比和/或Sn的组成比最佳化了的GaSbSn作为主要成分的合金。这是由于通过把结晶化速度非常快(参照非专利文献1)且结晶化温度高(即保存可靠性优良)的GaSb合金与使GaSb结晶化速度更高速化且对降低熔点有效果的Sn进行组合，就能实现希望的高速/高灵敏度记录且保存可靠性良好的光记录媒体，而且能通过调整Ga比和/或Sn比就能控制环境试验后的反射率降低的缘故。
但反射率降低的问题是与环境试验后储存特性有关的特性，另一方面的数据库特性恐怕对于Sn相变化材料的结晶化促进效果不是预先那样的充分(在此，储存特性具体说是指未记录部的稳定性，数据库特性是指标记的稳定性)。
如前所述，构成GaSbSn的Ga由于能以少的添加量加快结晶化速度，且具有提高相变化材料结晶化温度的效果，所以在提高标记的稳定性上也有效果。但若添加量过多，则结晶化温度过高，在生产工序中预先使非晶体相向晶体相进行相变化的“初始化”时，难于得到均匀且具有高反射率的晶体状态。
于是考虑这种数据库特性或初始化的问题作为用于补充Ga的第四元素而添加Ge。Ge不具有加快结晶化速度的效果，但不象Ga那样使结晶化温度上升而能以少量的添加就使保存可靠性飞跃地提高，因此对于以GaSbSn为主要成分的相变化材料来说是重要的添加元素。Ge的添加量是以大于或等于1原子％就表现出使结晶化速度快的记录层的非晶体稳定性提高的效果，随着增加添加量而其效果提高，但过多添加则招致由于重写而引起的抖动上升等的坏处，所以Ge的上限最好也是20原子％。
下面说明在GaSbSn或GaSbSnGe合金中所加的其它添加元素。
In具有与Ga同样的效果，且具有不象Ga那样提高结晶化温度的优点，所以在考虑初始化问题时作为补充Ga的元素使用是有效的。但若过多添加In，则使重复记录特性降低而成为反射率降低的原因，所以最好是设定在小于或等于10原子％。除了In之外，Al、Dy、Mg、Tl、Pb、Bi、Cd、Hg也具有加快结晶化界限速度的效果。
Mn或Zn具有减缓结晶化界限速度的效果，但使反射率降低减少且改善初始化不良，所以是理想的。特别是Mn是对保存可靠性有效的添加元素。Mn的最佳添加量是1～10原子％。若添加量比1原子％少则表现不出Mn的效果，若比10原子％多则未记录状态(晶体状态)的反射率变得过低。
对于保存可靠性除了Ge、Mn以外，通过添加Al、Se、C、N也能被改善。且Al、Se还能有助于高速结晶化。Se还能有助于提高记录灵敏度。
最好与所述添加元素一起还含有Au、Ag、Cu。Au、Ag、Cu是保存可靠性优良且能改善高速记录材料初始化不良的有效元素，但相反也具备使记录材料的结晶化速度降低而妨碍高速记录的特性。因此，添加量的上限最好是设定为10原子％程度，通过与上述添加元素适当地组合就能实现希望的高速记录，设计初始化容易且保存可靠性优良的相变化材料。
GaSbSn、GaSbSnGe系列的相变化材料，通过调整组成比就能设计出结晶化速度快且保存可靠性优良的，具体说就是相当于DVD6～12倍速的记录材料。
具体说就是例如关注GaSbSn合金所具有的高速结晶化特性，而把GaSbSn合金的缺点，即数据库特性的恶化或由高结晶化温度带来的初始化困难度通过加入In或Ge等添加元素来回避，或是关注GaSbSnGe合金所具有的高保存可靠性，通过由Bi等补充高速结晶化特性而能实现满足高速结晶化、保存可靠性和记录灵敏度等各种特性的媒体。
本发明7在第一保护层和/或第二保护层中使用了ZnS和SiO2的混合物。该材料由于耐热性、低热传导率性和化学稳定性优良，所以作为第一保护层是合适的，由于膜的残留应力小且即使反复进行记录/删除，也难于产生记录灵敏度和删除比等的特性恶化，所以作为第二保护层也是理想的。
本发明8～9在反射层材料中使用了纯Ag或以Ag为主要成分的合金。作为反射层材料，根据与记录时产生的热的冷却速度调整有关的“导热性”的观点和与利用干涉效果的再现信号对比度改善有关的“光学”的观点，通常是希望“高热传导率/高反射率的金属”，现有是使用Au、Ag、Cu、Al的单体或是以这些金属为主要成分的合金。相对地在本发明8～9中之所以使用纯Ag或以Ag为主要成分的合金，是由于Ag的热传导率是427W/m·K非常的高，且在非晶体标记形成上能实现合适急冷结构的能力比其它金属高的缘故。从高热传导率性的点来看纯银是最好的，但考虑到耐腐蚀性则也可以添加Cu等。这时为了不有损Ag的特性，Cu等的添加量范围在0.1～10原子％程度便可，特别是0.5～3原子％是最合适的。若添加过量则相反地会使Ag的耐腐蚀性恶化。
由于本发明8～9使用了由纯Ag或以Ag为主要成分的合金构成的反射层，所以若在第二保护层中使用ZnS和SiO2的混合物这样含有硫的材料时，则由于硫与Ag反应(Ag的硫化反应)而腐蚀反射层而成为光记录媒体有缺陷的原因。因此，前提是新使用不含有硫的第三保护层(防止硫化层)。这种防止Ag的硫化反应的第三保护层要根据
(1)防止Ag的硫化反应，具有阻挡能力
(2)对于激光在光学上是透明的
(3)为了形成非晶体标记而热传导率低
(4)保护层或金属反射层的贴紧性好
(5)形成容易
等观点进行选定，最好是满足上述要件的以Si或SiC为主要成分的材料。
本发明10把第一保护层的膜厚度设定为是40～200nm、把记录层的膜厚度设定为是6～20nm、把第二保护层的膜厚度设定为是4～20nm、把第三保护层的膜厚度设定为是2～10nm、把反射层的膜厚度设定为是100～300nm。
第一保护层的膜厚根据热和光学条件选定最佳的范围，最好是40～200nm，更理想的是40～100nm。
记录层的膜厚最好是设定为6～20nm。若比6nm薄则重复记录的记录特性恶化显著，若比20nm厚则容易产生由重复记录引起的记录层移动，使抖动增加变剧烈。为了尽量减小晶体与非晶体的吸收率差而提高删除特性，最好记录层的厚度薄，理想的是厚度是10～20nm。
由于第二保护层的膜厚度关系到记录层的冷却而直接的影响大，所以为了得到良好的删除特性和反复记录耐久性就需要大于或等于3nm。若比它薄则产生裂纹等缺陷而反复记录耐久性低下，且记录灵敏度恶化，所以不理想。若超过20nm则记录层的冷却速度变慢而难于形成标记，且标记面积变小，所以不理想。理想的是4～15nm。
反射层的膜厚度最好是在100～300nm的范围。
本发明11作为本发明1～10的基板是使用具有槽间距0.74±0.03μm、槽深度22～40nm、槽宽度0.2～0.4μm的蛇行槽的基板。
这样，以现状的DVD+RW媒体标准为基准而能提供能进行大于或等于4倍速(具体说就是相当于6～12倍速＝约20m/s～43m/s)高速记录的DVD+RW媒体。作为使槽蛇行的目的有：在未记录的特定轨迹上进行存取或使基板以一定的线速度旋转等。
能提供一种相变化型光记录媒体，该记录媒体把具备高速/高灵敏度记录特性的GaSbSn三元系合金的缺点，即环境试验后反射率降低通过规定Ga比和Sn比来克服，且通过调查GaSbSn三元系合金的各元素组成比与结晶化界限速度的关系而发现适合相当于DVD6～12倍速高速记录的组成范围，这样，即使进行相当于DVD6～12倍速的高速记录也具有良好的记录特性、保存可靠性和初始化特性，且环境试验后的反射率降低变小。
附图说明
图1是表示GaSb二元系合金中Ga组成比(原子％)与环境试验后反射率降低|Δ|(％)的关系的图；
图2是表示GaSbSn三元系合金中Sn组成比(原子％)与环境试验前后反射率降低|Δ|(％)的关系的图；
图3是用于说明关于结晶化界限速度的图；
图4是本发明重写型光记录媒体的一例，即相变化光盘的概略剖面图。
具体实施方式
以下通过实施例和比较例更具体地说明本发明，但本发明并不被这些实施例或使用的初始化装置等有任何限定。例如对于成膜顺序相反的表面记录型的重写型光记录媒体或替代在DVD系列中看到的贴合用基板而通过树脂保护层把相同或不同的光记录媒体两张相互贴合的记录媒体等的情况也能适用。
图4表示的是本发明重写型光记录媒体的一例即相变化光盘(以下叫做光盘)的概略剖面图。该光盘在设置有激光导向槽的透明基板1的上面具备有：第一保护层2、使晶体和非晶体进行可逆相变化的相变化记录层3、第二保护层4、第三保护层5、反射层6和树脂保护层7，最后把贴合用基板8进行贴合的层结构。
[实施例1～6]
基板1是直径12cm、厚度6mm聚碳酸酯制的且带有轨迹间距0.74μm导向槽的基板。第一保护层2是由厚度65nm的ZnS(80克分子％)-SiO2(20克分子％)构成的层。相变化记录层3是由厚度16nm的Ga11Sb83Sn6(实施例1)、Ga14Sb58Sn28(实施例2)、Ga12Sb83Sn5(实施例3)、Ga10Sb89Sn1(实施例4)、Ga11Sb86Sn3(实施例5)、Ga11Sb84Sn5(实施例6)构成的层。第二保护层4是由厚度14nm的ZnS(80克分子％)-SiO2(20克分子％)构成的层。第三保护层5是由厚度4nm的SiC构成的层。反射层6是由厚度140nm的Ag构成的层。且贴合用基板8是与基板1相同的直径12cm、厚度6mm的聚碳酸酯制基板。
首先通过喷镀法把第一保护层2、相变化记录层3、第二保护层4、第三保护层5、反射层6按该顺序在基板1上成膜，通过旋转镀层法用树脂保护层7把其上覆盖，最后把同样的贴合用基板8进行贴合来制作光盘。
下面说明该光盘的初始化方法和记录特性评价方法。
作为初始化装置是使用日立计算机机器制的“PCR DISKINITIALIZER”，使上述光盘以一定的线速度旋转，通过把功率密度10～20mW/μm2的激光一边沿半径方向以一定的送给量移动一边进行照射，这样来进行初始化。(在以下的实施例和比较例中也是使用同样的装置进行初始化)。
记录特性的评价是使用具有波长660nm、NA0.65拾取装置的光盘评价装置(帕鲁丝特克(パルステツク)社制DDU-1000)，在记录线速度21、28、35、43m/s(相当于DVD的6、8、10、12倍速)和线密度0.267μm/bit的条件下通过EFM+调制方式，进行评价把3T单图形重写了10次时的C/N比。
评价基准如下。
在实现重写型光盘系统时，其C/N比至少需要大于或等于45dB，若是大于或等于50dB，则能实现更稳定的系统。因此，把C/N比不到45dB的情况表示为“×”、把大于或等于45dB而不到50dB的情况表示为“○”、把大于或等于50dB的情况表示为“◎”。
对于保存可靠性的储存特性评价，是把所述盘在80℃ 85％RH的恒温槽中放置200小时来评价未记录部的反射率降低|Δ|(％)，关于数据库特性是通过上述顺序把记录完毕的盘在80℃ 85％RH的恒温槽中放置200小时后，通过评价C/N比来进行的。且表中的“-”是表示未评价。
汇总结果表示在表1中，确认了实施例1～6都得到了大于或等于45dB的高C/N比，且环境试验后未记录部的反射率降低|Δ|(％)即使最大也是5％左右。即在记录特性和保存可靠性这两个项目上能得到良好的结果。表1中的6X、8X、10X、12X是表示6倍速、8倍速、10倍速、12倍速。
[实施例7]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge8的点之外，以与实施例3同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例3相比本实施例降低了相变化材料中Ga和Sb的比率，代替之是使用添加了对保存可靠性有效的Ge和加快结晶化速度的Sn的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到能得到与实施例3同样的良好记录特性，且数据库特性也几乎没有恶化。
把结果表示在了表1。
[实施例8]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6In2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了加快结晶化速度的In的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到通过添加In而未记录部的反射率降低|Δ|(％)变得比实施例7大，但在12X的高线速记录中也能得到良好记录特性。
[实施例9]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6Bi2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了加快结晶化速度的Bi的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到与实施例8同样地通过添加Bi而未记录部的反射率降低|Δ|(％)变得比实施例7大，但在12X的高线速记录中也能得到良好记录特性。
[实施例10]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6Se2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了对提高记录灵敏度有效的Se的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到与实施例8同样地通过添加Se而未记录部的反射率降低|Δ|(％)变得比实施例7大，但记录灵敏度比实施例7优良。
[实施例11]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6Zn2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了对改善反射率降低有效的Zn的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到反射率降低比
实施例7有所改善。
[实施例12]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6Mn2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了对改善反射率降低和保存可靠性有效的Mn的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到反射率降低比实施例7有所改善，且数据库特性也几乎没有恶化。
[实施例13]
除了把相变化记录层3的材料变化成Ga11Sb59Sn22Ge6Ag2的点之外，以与实施例7同样的层结构和制造方法来制作光盘。与实施例7相比本实施例降低了相变化材料中Ge的比率，代替之是使用添加了对改善初始化不良和保存可靠性有效的Ag的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到初始化后的反射率分布均匀，且数据库特性也几乎没有恶化。
[比较例1]
除了把实施例1的相变化材料变化成Ga13Sb71Sn16的点之外，以与实施例1同样的层结构和制造方法来制作光盘。该材料满足20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43，但0.14＜α/(α+β)，且5＜γ＜22(原子％)，是本发明1～4范围以外的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到记录特性充分，但在80℃ 85％RH的环境下放置200小时后，反射率降低大于或等于7％，且数据库特性也恶化了。把结果表示在表1。
[比较例2]
除了把实施例1的相变化材料变化成Ga8Sb75Sn17的点之外，以与实施例1同样的层结构和制造方法来制作光盘。该材料满足α/(α+β)≤0.12，但43＜-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56，且5＜γ＜22(原子％)，是本发明1～4范围以外的相变化材料。
把该光盘初始化后同样地进行了试评价，结果是了解到不仅结晶化界限速度快，且记录特性不充分，而且在80℃ 85％RH的环境下放置200小时后，反射率降低也大于或等于7％，且数据库特性也恶化了。把结果表示在表1。
[表1]
  实施例和比较例   相变化材料                  记录特性           保存可靠性
  6X   8X   10X   12X   反射率降低|Δ|   数据库特性
  实施例1   Ga11Sb83Sn6   ◎   ◎   ◎   ○   4.5％   ○
  实施例2   Ga14Sb58Sn28   ◎   ◎   ◎   ○   2.9％   -
  实施例3   Ga12Sb83Sn5   ◎   ◎   ○   ○   1.9％   ○
  实施例4   Ga10Sb89Sn1   ○   ◎   ◎   ○   0.6％   ○
  实施例5   Ga11Sb86Sn3   ◎   ◎   ◎   ○   0.7％   ○
  实施例6   Ga11Sb84Sn5   ◎   ◎   ◎   ○   0.9％   ○
  实施例7   Ga11Sb59Sn22Ge8   ◎   ◎   ◎   ○   0.5％   ◎
  实施例8   Ga11Sb59Sn22Ge6In2   ◎   ◎   ◎   ◎   3.9％   ○
  实施例9   Ga11Sb59Sn22Ge6Bi2   ◎   ◎   ◎   ◎   3.7％   ○
  实施例10   Ga11Sb59Sn22Ge6Se2   ◎   ◎   ◎   ◎   3.5％   ○
  实施例11   Ga11Sb59Sn22Ge6Zn2   ◎   ◎   ◎   ○   0.3％   ◎
  实施例12   Ga11Sb59Sn22Ge6Mn2   ◎   ◎   ◎   ○   0.2％   ◎
  实施例13   Ga11Sb59Sn22Ge6Ag2   ◎   ◎   ◎   ○   0.4％   ◎
  比较例1   Ga13Sb71Sn16   ◎   ◎   ○   ○   7.3％   ×
  比较例2   Ga8Sb75Sn17   ×   ×   ×   ×   7.1％   ×

Claims (11)

1、一种光记录媒体，其在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相和非晶体相的相变化来进行重写记录，其特征在于，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％，
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且α/(α+β)≤0.12。
2、一种光记录媒体，其在具有透光性的基板上至少具有第一保护层、由相变化材料构成的记录层、第二保护层和反射层，该记录层通过由激光照射而引起晶体相与非晶体相的相变化来进行重写记录，其特征在于，该相变化材料至少含有Ga、Sb和Sn，所述Ga、Sb和Sn的含有量相互关系满足下式，Ga、Sb和Sn的和至少是相变化材料整体的80原子％，
在GaαSbβSnγ(其中α+β+γ＝100原子％)中，
20≤-2.75α+0.708β+1.18γ-7.56≤43
且γ≤5或γ≥22。
3、如权利要求2所述的光记录媒体，其特征在于，在所述组成式中满足下式，
0.12＜α/(α+β)＜0.14。
4、如权利要求2所述的光记录媒体，其特征在于，其在所述组成式中满足下式，
α/(α+β)≤0.12。
5、如权利要求1到4任一项所述的光记录媒体，其特征在于，其相变化材料含有1～20原子％的Ge。
6、如权利要求1到5任一项所述的光记录媒体，其特征在于，其相变化材料含有从In、Al、Zn、Mg、T1、Pb、Bi、Cd、Hg、Se、C、N、Au、Ag、Cu、Mn、Dy中选择的至少一种添加元素，该添加元素含有量为1～10原子％。
7、如权利要求1到6任一项所述的光记录媒体，其特征在于，其第一保护层和/或第二保护层是由ZnS和SiO2的混合物构成。
8、如权利要求1到7任一项所述的光记录媒体，其特征在于，其反射层由纯Ag或以Ag为主要成分的合金构成。
9、如权利要求8所述的光记录媒体，其特征在于，其在第二保护层与反射层之间具有以Si或SiC为主要成分的第三保护层。
10、如权利要求1到9任一项所述的光记录媒体，其特征在于，其第一保护层的膜厚度是40～200nm、记录层的膜厚度是6～20nm、第二保护层的膜厚度是4～20nm、第三保护层的膜厚度是2～10nm、反射层的膜厚度是100～300nm。
11、如权利要求1到10任一项所述的光记录媒体，其特征在于，具有基板，该基板具有槽间距是0.74±0.03μm、槽深度是22～40nm、槽宽度是0.2～0.4μm的蛇行槽，该光记录媒体能以DVD6～12倍速(约20m/s～43m/s)的记录线速度进行记录。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005075212A1 (ja) * 2004-02-05 2005-08-18 Ricoh Company, Ltd. 相変化型情報記録媒体及びその製造方法、スパッタリングターゲット、並びに相変化型情報記録媒体の使用方法及び光記録装置
JP4577891B2 (ja) * 2004-07-16 2010-11-10 株式会社リコー 光記録媒体
DE602005020316D1 (de) 2004-09-09 2010-05-12 Ricoh Kk Optisches aufzeichnungsmedium
JP4248486B2 (ja) 2004-12-15 2009-04-02 株式会社リコー 相変化型光記録媒体
EP1917661A4 (en) * 2005-08-25 2009-01-14 Ricoh Kk OPTICAL RECORDING MEDIUM
KR20080095303A (ko) * 2006-03-10 2008-10-28 가부시키가이샤 리코 광 기록 매체
JP2008192281A (ja) * 2007-01-12 2008-08-21 Ricoh Co Ltd パターン及びその形成方法
JP2008276900A (ja) * 2007-04-02 2008-11-13 Ricoh Co Ltd 追記型光記録媒体
US8847195B2 (en) 2009-12-24 2014-09-30 Micron Technology, Inc. Structures for resistance random access memory and methods of forming the same
EP3002550B1 (en) 2014-10-03 2017-08-30 Ricoh Company, Ltd. Information processing system and information processing method for distance measurement

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61168145A (ja) 1985-01-19 1986-07-29 Fujitsu Ltd 光記録媒体
US4818666A (en) 1986-03-28 1989-04-04 U.S. Philips Corporation Erasable optical recording element and method of optically recording and erasing information
JP3584634B2 (ja) * 1996-10-04 2004-11-04 三菱化学株式会社 光学的情報記録用媒体
JP2003034081A (ja) * 2000-09-14 2003-02-04 Ricoh Co Ltd 相変化型光情報記録媒体
JP2002254816A (ja) * 2001-03-05 2002-09-11 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体
JP2003305955A (ja) * 2001-05-21 2003-10-28 Ricoh Co Ltd 光記録媒体及び記録方法
JP2003006859A (ja) * 2001-06-18 2003-01-10 Ricoh Co Ltd 光情報記録方法及び光情報記録媒体
JP4070497B2 (ja) * 2001-12-17 2008-04-02 株式会社リコー 光記録媒体、その記録方法及び記録装置
JP2003231354A (ja) * 2002-02-05 2003-08-19 Ricoh Co Ltd 光情報記録媒体
JP2003248967A (ja) * 2002-02-21 2003-09-05 Ricoh Co Ltd 光記録媒体
JP4083442B2 (ja) * 2002-02-25 2008-04-30 株式会社リコー 光記録媒体及びその製造方法
JP3920731B2 (ja) * 2002-07-23 2007-05-30 株式会社リコー 相変化型光記録媒体
US7260053B2 (en) * 2002-04-02 2007-08-21 Ricoh Company, Ltd. Optical recording medium, process for manufacturing the same, sputtering target for manufacturing the same, and optical recording process using the same
JP3895629B2 (ja) * 2002-04-02 2007-03-22 株式会社リコー 光記録媒体
JP4093846B2 (ja) * 2002-11-26 2008-06-04 株式会社リコー 相変化型光記録媒体
JP2004224041A (ja) 2002-11-27 2004-08-12 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体とその製造方法及び記録方法
JP4248323B2 (ja) 2002-11-27 2009-04-02 株式会社リコー 相変化型光記録媒体とその製造方法及び記録方法
JP2004181742A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Ricoh Co Ltd 相変化型光記録媒体

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