CN1258762C - 光信息记录媒体 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能耐受高输出的重放光的GeSbTe系光信息记录媒体。光信息记录媒体在基板(1)上至少具有相变化型记录层(4)，利用光照射来使上述相变化型记录层发生相变化，以此进行信息的记录和消除，其中，上述相变化型记录层由TiwGexSbyTez构成，满足以下条件：0.5≤w≤4.0；3.4≤x≤14.5；2.1≤y/z≤4.0；w+x+y+z＝100(原子比)。

Description

光信息记录媒体
技术领域
本发明涉及利用光照射来改变构成记录层的原子的排列，进行信息的记录和消除的光信息记录媒体。
背景技术
作为利用激光束的照射能记录、重放和消除信息的光存储媒体之一，人们熟悉的是利用晶体—非晶质之间或者晶体1-晶体2的2个晶体相间的转移的、所谓相变型的光信息记录媒体。
相变型的光信息记录媒体中所用的记录层材料大都是采用硫族合金薄膜。其中，GeSbTe系、AgInSbTe系合金薄膜，作为能改写的光盘等的光信息记录媒体已经实用化。
记录原理如下所述。刚成膜之后的记录层是非晶质状态，反射率低。所以，首先，开始时照射激光对记录层进行加热，把整个盘面制成反射率高的晶体状态。也就是说进行初始化。通常该初始化的方法是把汇聚到数10～100μm的激光束照射到旋转的光盘上。
在已初始化的光盘上局部照射激光，使记录层熔化，急剧冷却，相变成非晶质状态。随着相变化，记录层的光学性质(反射率、透过率、复合折射率等)发生变化，来对信息进行记录。
重放的方法是照射比记录时弱的激光，检测出晶体和非晶体的反射率差或相位差。改写是把引起结晶的低能量的消除功率上叠加的记录峰值功率投入到记录层内，不经过消除过程而在已记录的记录标记上进行重叠写入。
已知，在上述GeSbTe系中已实用化的材料以外的系统，即使Sb和Te共晶体组成，也进行晶体—非晶体状态转移。
但是，包括在Sb70Te30(70和30表示原子比)中添加第3元素，尤其是包括添加了Ge的组成范围在内的现有技术，例如有：专利文献1(日本特开平1-115685号公报)、专利文献2(日本特开平1-251342号公报)、专利文献3(日本特开平1-303643号公报)等。
但是，上述各专利文献1～3中所公开的现有技术，不能获得充分的记录重放特性、对比度，而且重放光耐久性强的这种光信息记录媒体的。
另一方面，使用相变化材料的光盘记录方法是一直以来利用DVD-ROM中使用的波长650nm左右的红色激光或者波长更长的激光。但是，近几年，在波长400nm左右发光的半导体激光元件已经上市。再者，物镜的数值孔径(以下亦称作NA)更高，能更有效地使光束汇聚。
这是因为，如果能对更短波长的激光和高NA的物镜进行组合使用，则束点直径减小，光盘记录密度能相应提高。因此，正在大力研究利用兰色激光的光盘系统。
一般，利用兰色激光的光盘系统，与利用过去的红色的激光的光盘系统相比，前者的性能和记录密度均大大提高，因此正在大力研究开发前者的光盘。要求这种光盘能适应于波长短的兰色激光束，而且即使短脉冲宽度也能充分记录，而且能够改写。
在过去的材料中，共晶组成附近的GeSbTe系统的材料，实验证明其录放性能达到利用兰色激光的光盘系统。并且，实验证明：为了提高录放特性，在GeSbTe系材料的构成元素中，通过调整Sb和Te量的比例来控制结晶速度，能够改变记录时的对应线速度。
再者，Ge的量对记录材料的稳定性影响很大，如果是适当范围的量，则能提高对光束直径小能量密度高的兰色激光的重放耐久性。
但是，为了进行更高密度的记录，必须进一步提高录放特性，也就是说，提高重放功率，减小抖动(jitter)。但利用GeSbTe系材料作为记录材料的光盘，在这一点上特性受到限制。
发明内容
本发明的目的在于提供一种光信息记录媒体，能够耐受用GeSbTe系记录层材料不能耐受的高输出的重放光，能够使记录时的抖动更小。
本发明人对记录层进行了锐意研究开发的结果提出了本发明，得出了以下见解：在利用GeSbTe系材料作为相变化型记录层的情况下，把Sb和Te的比例设定在规定范围内，而且确定Ge的量，又在该GeSbTe系材料中重新适当添加钛(Ti)，因此，与仅有GeSbTe的记录材料相比，在使用兰色激光的光盘系统中能显示出优异的录放特性。
本发明的光信息记录媒体，在基板上至少具有相变化型记录层，利用光照射来使上述相变化型记录层发生相变化，以此进行2T标记的信息的记录，其特征在于：上述相变化型记录层由TiwGexSbyTez构成，满足以下条件：
0.5≤w≤4.0
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4.0
w+x+y+z＝100，再现2T标记时的抖动在9％以下。
附图说明
图1是表示涉及本发明的光盘(光信息记录媒体)的基本构成的一实施例的断面图。
图2是表示记录时的策略图形(strategy pattern)的图。
图3是表示涉及本发明的光盘(光信息记录媒体)的基本构成的另一实施例的断面图。
图4是表示在记录层中添加了Ti的第1实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图5是表示在记录层中添加了Ti的第2实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图6是表示在记录层中添加了Ti的第3实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图7是表示在记录层中添加了Ti的第4实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图8是表示在记录层中添加了Ti的第5实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图9是表示在记录层中添加了Ti的第6实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图10是表示在记录层中添加了Ti的第7实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图。
图11是对试样2～17-v7(图4～图10的内容)汇总的曲线图。
图12是表示在添加Ti的记录层组成中各试样的Ge的量的说明图。
图13是表示在添加Ti的记录层组成中各试样的Sb/Te的比的说明图。
图14是表示本实施例的记录条件、即记录功率和策略的说明图。
图15是改变重放功率时的静态重放刚开始后和经过5分钟后的比较说明图。
图16是表示本发明的实施例和比较例的记录层组成与重放劣化、录放特性等的关系的图。
具体实施方式
以下根据附图，详细说明本发明的光信息记录媒体的最佳实施例。而且，以下所述的实施例是本发明的最佳具体例，所以，从技术上附加了理想(优选)的各种限定，但本发明的范围在以下的说明中只要没有旨在特别限定本发明的叙述，不受这些实施方式的限制。
首先，为了理解作为本发明光信息记录媒体的一例的光盘，对其背景加以说明。从上述公开的专利公报中也可以看出，为了进行初始化，需要相当高的输出的激光束。并且，在高输出的激光中，缩小了光束直径，所以，即使小的激光的功率也能提高激光束密度。但用数微米的光束直径来进行扫描的初始化需要很长的时间。
因此，作为记录层材料，研究开发的不是能用低功率进行初始化的共晶系，而是对GeTe和Ge2Sb3进行组合使用的GeSbTe系材料，诞生了现在的DVD-RAM系的光盘。并且，比该材料的诞生稍晚，又开发了AgInSbTe系材料，诞生了CD-RW和DVD-RW光盘。
该AgInSbTe系材料与RAM中使用的GeSbTe相比，需要更强的激光功率。并且，由此促进激光的短波长和高功率，安装高输出激光元件的初始化装置已经上市。
由于这种安装了高输出激光元件的初始化装置的出现，促进了过去难于初始化的共晶系的GeSbTe的材料开发，直至现在。
以下参照图1，以光盘为例详细说明本发明的光信息记录媒体的最佳实施方式。而且，本发明并非仅限于以下所述的实施例的结构、使用物质。
图1是表示涉及本发明的光盘(光信息记录媒体)的基本构成的一实施例的断面图；图2是表示记录时的策略图形的图；图3是表示涉及本发明的光盘(光信息记录媒体)的基本构成的另一实施例的断面图；图4～图10是表示在记录层中添加了Ti的第1实施例的记录层组成与重放光耐久性和初始抖动的说明图；图11是对试样2～17-v7(图4～图10的内容)汇总的曲线图；图12是表示在添加Ti的记录层组成中各试样的Ge的量的说明图；图13是表示在添加Ti的记录层组成中各试样的Sb/Te的比的说明图；图14是表示本实施例的记录条件、即记录功率和策略的说明图；图15是改变重放功率时的静态重放刚开始后和经过5分钟后的比较说明图。
如图1所示，本实施例的相变化型记录层10，其结构是：在基板1上设置反射层2，在该反射层2上设置第1保护层3，在该第1保护层3上设置相变化型记录层(以下亦可简称为记录层)4，在该记录层4上设置第2保护层5，在该第2保护层5上通过粘接层6设置覆盖片7。作为本实施例的光盘10，在基板1上有记录层4，利用与上述基板1不同侧的光例如激光L进行照射，使构成该记录层4的原子排列发生变化，进行信息的记录和消除。
在此，激光L从复盖片7侧射入，但也可以不设置复盖片7，从基板1侧射入激光L。并且，在能获得充分反射率的情况下，也可以不设置上述反射层2。
图3是从基板1侧射入激光L的另一实施例的断面图。其他实施例光盘20的结构是：在基板1上设置第2保护层5，在该第2保护层5上设置记录层4，在该记录层4上设置第1保护层3，在该第1保护层3上设置反射层2，在该反射层2上设置保护涂膜8。
本实施例等的光盘10、20中采用的基板1的材料，也可以是玻璃、塑料以及在玻璃上设置了光固化性树脂的材料等中的某一种。但从包括成本在内的生产性方面来看，希望是塑料，其中尤其希望是聚碳酸酯树脂。
对记录层4的厚度无特别限制，一般为3nm～100nm。尤其希望为3nm以上、30nm以下，以便能提高记录、消除的灵敏度，能多次进行记录消除。
作为介质层的上述第1、第2保护层3、5，如上所述，通过结构布置来防止在记录时上述基板1、记录层4等因受到激光L的照射热而产生变形，造成记录特性劣化，利用对基板1、记录层4进行热保护的效应、光学干涉效应，来改善重放时的信号对比度。
再者，还具有促进记录层4的结晶化，提高消除效率的效果。作为第1、第2保护层3、5，有ZnS-SiO2、Si3N4、Al2O3等无机薄膜。
尤其Si、Ge、Al、Ti、Zr、Ta等金属、或者半导体氧化物薄膜、Si、Ge、Al等金属、或者半导体氮化物薄膜、Ti、Zr、Hf、Si等金属、或者半导体碳化物薄膜、ZnS、In2S3、TaS4、GeS2等金属、或者半导体硫化物薄膜、以及这些化合物的2种以上的混合物薄膜，因耐热性好，化学性能稳定，所以效果良好。
再者，构成对记录层4的保护层的第1、第2保护层3、5，优选采用无原子扩散的。这些氧化物、硫化物、氮化物、碳化物不一定要采用化学计量的组成，为了控制折射率等，对组成进行控制或混合使用也是有效的。
并且，在其中混合MgF2等氟化物而构成的第1、第2保护层3、5，也因膜(层)残留应力小而效果良好。尤其，ZnS和SiO2的混合膜，即使反复记录和消除也不易使记录灵敏度、C/N、消除率等劣化，所以效果良好。第1、第2保护层3、5的厚度约为5nm～200nm。
再者，第1保护层3的厚度，从C/N、消除率等记录特性，能稳定地多次改写考虑，希望是5nm～30nm。第2保护层5因不易从记录层4和粘接层6上剥离，不易产生裂纹等缺陷，因此以30nm～200nm为宜。第1、第2保护层3、5也可以是不相同的，而是由不同的化合物构成。
反射层2的材料可以是：具有光反射性的Al、Au、Ag等金属，以及以此为主要成分，包含Ti、Cr、Pd、Cu等添加元素在内的合金、以及在Al、Au、Ag等金属中混合了Al、Si等的金属氮化物、金属氧化物、金属硫化物等金属化合物的材料。Al、Au、Ag等金属、以及以这些为主要成分的合金，光反射性强，而且能提高热传导率，所以效果良好。上述反射层2的厚度约为5nm以上、300nm以下。
并且，作为本发明的特征的记录层4由TiwGexSbyTez构成，能满足以下关系式，这一点待以后叙述。
0.5≤w≤4.0
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4.0
w+x+y+z＝100(原子比)
作为本实施例的光盘10、20的记录使用的光源优选采用激光L，主要是从近红外区的波长830nm到紫外区的300nm的范围内的激光。也可以采用那种利用2次高谐波发生元件(SHG元件)对1次光进行短波长化后的L激光。
以下说明本发明的光盘10的实施例，在此之前参照图2说明记录时的策略。在本发明光盘10上的记录是在结晶状态的记录层4上照射激光脉冲等，进行加热，经过急剧冷却后，形成非晶质的记录标记。
在实用上，是把在引起结晶化的低能量的消除功率(P2)上叠加的记录峰值功率(P1)投入到记录层4内，这样，不经过消除过程直接在已记录的记录标记上进行重叠写入。这时的记录激光脉冲被分割成比记录标记长度短的多个脉冲。
以下表示具体的实施例，如前所述，本发明并非仅限于该实施例。在该实施例中，利用安装了波长405nm的激光二极管、数值孔径NA＝0.85的光学透镜(物镜)的希巴索库(shibasoku)公司制的光盘驱动测试器(LM330A)，来进行记录(1束重写)。初始化装置使用希巴索库公司制的初始化器(LK201A)。
以下说明实施例。如前所述，实验证明，共晶组成附近的GeSbTe系材料能够使用兰色激光的系统进行某种程度的记录重放。并且，为了提高录放特性，实验证明，也可以在GeSbTe系材料的构成元素中，通过调整Sb和Te量的比例来控制结晶化速度，改变记录时的对应线速度。
并且，实验也已证明，Ge的量对记录材料的稳定性影响很大，如果是适当范围的量，则可以提高对束径小能量密度高的兰色激光的重放光耐久性。
因此，在下述的图16所示的本发明的实施例和比较例的说明中，对上述GeSbTe进行18个试样的实验结果，在GeSbTe的组成量(原子比)和Sb/Te比位于规定范围内的情况下，能适应下一代兰色激光，而且即使短脉冲宽度也能充分记录，而且能改写的范围内的、重放劣化为0.2dB以下，并且初始抖动也在9％以下的试样，共抽取了12个。而且，在图16中重放劣化特性和抖动特性两者均为○标记的试样相当于本发明的实施例。
然而，这12个试样，即使如上所述均为能适应下一代的兰色激光，而且即使短脉冲宽度也能充分记录，并且在能够改写的范围内，也并非为了用下一代兰色激光进行更高密度的记录，能如上所述提高重放功率和减小抖动。也就是说，利用GeSbTe系材料作为已有结构的相变化型记录层的光盘，耐久重放功率输出充其量也只有0.36mW左右，所以，对比度达不到，因此，C/N变坏，不能减小抖动，必须进一步提高录放特性。
本发明，为了解决这些问题，如上所述，作为相变化型记录层，以GeSbTe系材料为基础适量地新添加钛(Ti)，能获得以下光盘，即与仅有GeSbTe的记录材料相比，在利用兰色激光的系统中能达到优良的录放特性，同时，对重放光有很强的耐久性。以下具体说明这一问题。
而且，在以下的本实施例的说明中，上述能适应下一代兰色激光而且即使短脉冲宽度也能充分记录，并且在能改写范围内的12个试样作为基础，从这12个中再选择7个，在这被选择的7个试样中添加Ti，这样用已有结构达不到效果，用本实施例结构才达到特有效果。对此加以说明。
首先参照图4说明试样No.2。而且，在图4中，2表示下述图6的试样No.2，2-v1～2-v7表示对该试样No.2，改变Ti量时的耐久重放功率和平均初始抖动状态。
[第1实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，首先利用溅射方法依次形成Ag合金作为反射层2、ZnS-SiO2作为第1保护层3、TiGeSbTe作为记录层4、ZnS-SiO2作为第2保护层5。然后，利用UV(紫外线)固化树脂作为粘接层6，其上面粘贴复盖片7。这时各层的膜厚分别为：反射层2为200nm、第1保护层3为8nm、记录层4为14nm、第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为Ti 0.5％、Ge 3.4％、Sb72.7％、Te 23.4％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行UV照射。然后，利用激光束点直径为120μm的初始化器把初始化条件固定为线速度4m/S，进给间距40μm，用激光输出570mW来进行了初始化。
在此，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的优化结果。然后，对1-7调制后的信息信号按5.28m/S，如图2所示从策略上定为1T＝15.1nsec，如后述的图14的记录条件一览的试样No.2所示，对P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略(T)按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量了时钟对数据抖动(clock to data jitter)。
而且，图14的试样No.2～试样No.17对应于包括本实施例等在内的各实施例的试样No.2～试样No.17。
利用时间间隔分析仪(型号为TA520：横河电机公司制)测量抖动。初次记录后的初始抖动，在记录标记的始端为7.1％，在记录标记的后端为6.8％，其平均值为6.95％，形成了良好的记录(参见图4中2-v1)。而且，初始抖动值是光盘本身的抖动，按照下一代兰色激光标准，包含装置(硬件)侧在内的抖动值为10％以下。所以，至少光盘单体的初始抖动值，希望控制在约7％。
并且，在同一光盘上按照上述策略来记录了2T长的单一信号。对已记录的轨道进行静态重放，对S/N进行了测量。这时，对重放功率从0.30mW到0.40mW按0.01mW的刻度数进行调整，测量了静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N。在此，把静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N差保持在0.2dB以下的范围内的重放功率最大值作为耐久重放功率，C/N是以频谱分析仪为主的测量误差为0.2dB左右。
在由于重放光而有劣化的情况下，C/N的变化在静态重放1分钟左右时即可看出。经过5分钟后，C/N劣化量的确超过了0.2dB，其劣化可充分看出。因此，把重放光造成劣化的判断标准定为C/N差0.2dB。
根据上述测量，该实施例1的光盘刚开始后的C/N为50.2dB，经过5分钟后的C/N为50.2dB。C/N的测量利用频谱分析仪，取16个数据，找出平均值。这样可以看出，在该第1实施例的光盘中，静态重放刚开始后的C/N和经过5种后的C/N没有任何变化，也就是说，没有重放劣化，具有稳定的性能。
在此说明重放光。在记录的标记中抖动最厉害的是很难记录的最短标记，即2T标记。这是因为记录时的激光照射时间、即标记形成时间最短，所以形成标记很费工夫。也就是说，如果能把2T标记的抖动例如控制在9％以下，则能可靠地把全标记控制在9％以下。所以，能大大减小综合抖动。实验证明，该2T单独的抖动为9％，所以需要的C/N是51.0dB。
在此，在采用不含Ti的GeSbTe作为相变化型记录层的情况下，若用不会劣化的0.3mW的功率来进行重放，则达到50.0Db的C/N。在此，实验证明，即使把重放光提高到耐久功率最大值0.36mW，也只不过达到50.0dB，达不到51.0dB。
另一方面，在采用含有Ti的GeSbTe作为相变化型记录层的本实施例的情况下，耐久重放功率为0.38mW～0.4mW。这是因为，如下所述，Ti是高熔点元素，对热量非常稳定，不与构成相变化型记录层的Ge、Sb、Te进行反应，并且，也不与相邻的形成保护层的材料进行反应，是稳定的物质，利用适量的添加，能使该Ti在记录膜中具有固定的作用，在形成记录标记时标记边缘更清晰，能减少抖动。再者，如上所述，由于是高熔点材料，耐热耐久性好，所以对重放光能承受更大的功率。
并且，在利用不会劣化的0.30mW的功率来进行重放时，C/N最大值为50.2dB，但把重放功率提高到0.38mW，能使C/N达到51.1dB。也就是说，即使在形成很难记录的最短标记2T标记时，也能把该T2单独的抖动控制在9％。
顺便说明，在把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.1dB，经过5分钟后的C/N同样是51.1dB。也就是说，上述2T单独的抖动为9％，所以，能充分满足必要的C/N条件(参见图15的2v1～v5)。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加改变，再者Ti的量设定为1.0的情况下，作为2-v2进行了实验。取得了充分的实验结果，耐久重放功率为0.38mW，平均初始抖动为6.89％。也就是说，可以看出，该例的光盘是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量设定为2.0的情况作为2-v3进行了实验，获得了充分的实验结果，耐久重放功率与上述一样为0.38mW，平均初始抖动为6.97％。也就是说，可以看出，该例的光盘也是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量设定为3.0的情况作为2-v4进行了实验，获得了充分的实验结果，耐久重放功率与上述一样为0.38mW，平均初始抖动为7.11％。也就是说，可以看出，该例的光盘也是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量设定为4.0的情况作为2-v5进行了实验，获得了充分的实验结果，耐久重放功率与上述一样为0.38mW，平均初始抖动为7.58％。也就是说，可以看出，该例的光盘也是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量设定为5.0的情况作为2-v6进行了实验，从试样No.2获得了不良的实验结果，耐久重放功率与上述一样为0.38mW，平均初始抖动为8.87％。也就是说，可以看出，该例的光盘也是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
其次，把Ge的量和Sb/Te的比定为相同，对Sb和Te的量稍加更改，并把Ti的量设定为6.0的情况作为2-v7进行了实验，从上述2-v6中获得了更加不良的实验结果，耐久重放功率与上述一样为0.38mW，平均初始抖动为9.92％。也就是说，可以看出，该例的光盘也是重放功率输出、初始抖动能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生约0.2dB的误差，所以，重放刚开始后的C/N变化如果是0.2dB以下，则可以认为是良好。也就是说，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N实质上没有变化。在此，在经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB以下能承受的重放功率强度的调查结果是耐久性能达到0.38mW。由此可以看出：第1实施例的光盘10是对重放光有很强的耐久性，能满足下一代的标准的光盘。
并且，从该2-v1～2-v7中可以看出，Ti的量在0.5～4.0范围内的，初始抖动性能良好。
以下参照图5说明试样No.4。而且，在图5中，4表示下述图16的试样No.4，4-v1～4-v7表示对该试样No.4改变了Ti量时的耐久重放功率和平均初始抖动的状态。
[第2实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 4.3％、Sb64.5％、Te 30.7％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示。策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.4所示，对P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clock to data jitter)。
利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量抖动。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为7.54％；在记录标记的后端为7.42％，其平均值为7.48％，能进行良好的记录(参见图5中4-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.40mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.1dB，经过5分钟后C/N为50.1dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.1dB，经过5分钟后C/N同样为51.1dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的4-v1～v5)。
这样，在该第2实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N几乎没有变化，也就是说，可以看出是没有重放劣化、性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为4-v2进行了实验。取得了良好的结果，耐久重放功率为0.38mW，平均初始抖动为7.14％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为4-v3进行了实验。取得了良好的结果，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为7.08％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为4-v4进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为7.22％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为4-v5进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为7.76％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为4-v6进行了实验。取得了更加不良的结果，不如上述试样No.4，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为9.04％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为4-v7进行了实验。取得了更加不良的结果，不如上述4-v6，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为10.12％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.38mW。由此可知，第2实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该4-v1～4v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范围内对初始抖动是良好的。
以下参照图6，说明试样No.7。而且，在图6中，7表示下述图16的试样No.7，7-v1～7-v6表示对该试样No.7，在改变Ti量时耐久重放功率和平均初始抖动的状态。
[第3实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作为粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 4.6％、Sb75.9％、Te 19.0％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.7所示，P1＝5.2mW、P2＝3.4mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.5T、T2＝0.5T、T3＝0.8T、T4＝0.8T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clockto data jitter)。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为7.44％；在记录标记的后端为7.40％，其平均值为7.42％，能进行良好的记录(参见图6中，7-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.40mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.2dB，经过5分钟后C/N为50.2dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.2dB；经过5分钟后C/N同样为51.2dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的7-v1～v5)。
这样，在该第3实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N几乎没有变化。也就是说，可以看出，是没有重放劣化，性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为7-v2进行了实验。取得了超过上述7-v1的结果，耐久重放功率为0.38mW，平均初始抖动为7.02％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为7-v3进行了实验。取得了的结果，超过了上述7-v2，耐久重放功率与上述情况相同为0.38mW，平均初始抖动为6.82％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为7-v4进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率与上述情况相同为0.38mW，平均初始抖动为6.98％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是耐久重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为7-v5进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率与上述情况相同为0.38mW，平均初始抖动为7.36％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为7-v6进行了实验。取得了与试样No.7几乎相同的结果，耐久重放功率与上述情况相同，为0.38mW，平均初始抖动为8.51％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为7v7进行了实验。取得了更坏的结果，不如上述7-v6，耐久重放功率与上述情况相同为0.38mW，平均初始抖动为9.63％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.38mW。由此可知，第3实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该7-v1～7-v7中可以看出，Ti的量在0.5～4.0范围内初始抖动是良好的。
以下参照图7，说明试样No.9。而且，在图7中，9表示下述图16的试样No.9，9-v1～9v7表示对该试样No.9，在改变Ti量时重放功率输出和平均初始抖动的状态。
[第4实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 6.2％、Sb68.7％、Te 24.6％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.9所示，对P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clock to data jitter)。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为6.98％，在记录标记的后端为6.84％，其平均值为6.91％，能进行良好的记录(参见图7中，9-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.40mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.3dB，经过5分钟后C/N为50.2dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.2dB，经过5分钟后的C/N同样为51.2dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的9-v1～v5)。
这样，在该第4实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N几乎没有变化，也就是说，可以看出，是没有重放劣化，性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为9-v2进行了实验。取得了超过上述9-v1的结果，耐久重放功率为0.39mW，平均初始抖动为6.78％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为9-v3进行了实验。取得了的结果，进一步超过了上述9-v2，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为6.65％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为9-v4进行了实验。取得了充分的结果，与上述情况相同，耐久重放功率为0.39mW，平均初始抖动为6.84％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为9-v5进行了实验。取得了充分的结果，与上述情况相同，耐久重放功率为0.39mW，平均初始抖动为7.09％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为9-v6进行了实验。取得了比试样No.9更坏的结果，耐久重放功率同上述一样为0.39mW，平均初始抖动为8.25％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为9-v7进行了实验。取得了比上述9-v6更坏的结果，耐久重放功率同上述一样为0.39mW，平均初始抖动为9.32％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB以下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.39mW。由此可知，第4实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该9-v1～9-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范围内对初始抖动是良好的。
以下参照图8，说明试样No.15。而且，在图8中15表示下述图16的试样No.15，15v1～15-v7表示对该试样No.15，在改变Ti量时耐久重放功率和平均初始抖动的状态。
[第5实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 8.7％、Sb69.2％、Te 21.6％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示。策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.15所示，对P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为6.78％，在记录标记的后端为6.64％，其平均值为6.71％，能进行良好的记录(参见图8中，15-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.40mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.4dB，经过5分钟后C/N为50.4dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.4dB，经过5分钟后C/N同样为51.4dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的5-v1～v5)。
这样，在该第5实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N没有变化，也就是说，可以看出，是没有重放劣化，性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为15-v2进行了实验。取得了的实验结果基本与15-v1相同，耐久重放功率为0.39mW，平均初始抖动为6.63％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为15-v3进行了实验。取得了的结果，进一步超过了上述15-v2，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为6.68％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为15-v4进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为6.78％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为15-v5进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为6.95％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为15-v6进行了实验。取得了比试样No.15更坏的结果，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为8.14％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为15-v7进行了实验。取得了比上述15-v6更坏的结果，耐久重放功率同样为0.39mW，平均初始抖动为9.22％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB以下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.39mW。由此可知，第5实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该15-v1～15-v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范围内对初始抖动是良好的。
以下参照图9，说明试样No.16。而且，在图9中，16表示下述图16的试样No.16，16-v1～16-v7表示对该试样No.16，在改变Ti量时耐久重放功率和平均初始抖动的状态。
[第6实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 11.1％、Sb 68.8％、Te 19.6％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.16所示，P1＝5.2mW、P2＝3.4mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.5T、T2＝0.5T、T3＝0.8T、T4＝0.8T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clockto data jitter)。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为7.10％，在记录标记的后端为6.94％，其平均值为7.02％，能进行良好的记录(参见图9中，16-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.39mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.2dB，经过5分钟后C/N为50.1dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.2dB，经过5分钟后C/N同样为51.2dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的16-v1～v5)。
这样，在该第6实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N没有变化，也就是说，可以看出，是没有重放劣化，性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为16-v2进行了实验。取得了超过上述16-v1的结果，耐久重放功率为0.40mW，平均初始抖动为6.95％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为16-v3进行了实验。取得了的结果，进一步超过了上述16-v2，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为6.82％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为16-v4进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为6.88％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为16-v5进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为7.25％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为16-v6进行了实验。取得了比试样16更坏的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为8.48％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为16-v7进行了实验。取得了比上述16-v6更坏的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为9.64％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.40mW。由此可知，第6实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该16-v1～16v7中可看出，Ti的量在0.5～4.0范围内对初始抖动是良好的。
以下参照图10，说明试样No.17。而且，在图10中，17表示下述图16的试样No.17，17-v1～17-v7表示对该试样No.17，在改变Ti量时耐久重放功率和平均初始抖动的状态。
[第7实施例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，利用和上述第1实施例相同的方法，依次溅射形成了：反射层2、第1保护层3、记录层4、第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ti 0.5％、Ge 14.5％、Sb 64.8％、Te 20.2％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定为线速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
这时，初始化的激光输出与使用GeSbTe的下述比较例相同，是对TiGeSbTe的最佳结果。然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示，策略是1T＝15.1nsec，如下述图14的记录条件一览表的试样No.17所示，对P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、策略T按照T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clock to data jitter)。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为7.22％；在记录标记的后端为7.06％，其平均值为7.14％，能进行良好的记录(参见图10中，17-v1)。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率从0.30mW变化到0.40mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.2dB，经过5分钟后C/N为50.2dB。C/N的测量，利用频谱分析仪，取16个数据，求其平均值。
再者，把重放功率提高到0.38mW的情况下，静态重放刚开始后的C/N为51.3dB，经过5分钟后C/N同样为51.3dB。也就是说，上述2T单独的抖动达到9％所需要的C/N条件完全可以满足(参见图15的17-v1～v5)。
这样，在该第7实施例的光盘上，静态重放刚开始后的C/N和经过5分钟后的C/N几乎没有变化，也就是说，可以看出，是没有重放劣化，性能稳定的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为1.0的情况作为17-v2进行了实验。取得超过上述17-v1的实验结果，耐久重放功率为0.40mW，平均初始抖动为7.05％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为2.0的情况作为17-v3进行了实验。取得的结果，超过了上述17-v1，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为7.02％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为3.0的情况作为17-v4进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为7.16％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为4.0的情况作为17-v5进行了实验。取得了充分的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为7.28％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为5.0的情况作为17-v6进行了实验。取得了比试样17更坏的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为8.55％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
其次，在使Ge的量和Sb/Te的比相同，使Sb和Te的量稍加变化，并使Ti的量为6.0的情况作为17-v7进行了实验。取得了比上述17-v6更坏的结果，耐久重放功率同样为0.40mW，平均初始抖动为9.78％。也就是说，可以看出：该例的光盘也是重放功率输出和初始抖动均能充分满足下一代标准的光盘。
在此，测量误差产生0.2dB左右的误差，所以，静态重放刚开始后的C/N的变化，如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。在此，按照经过5分钟后的C/N劣化为0.2dB下，对能承受的重放功率的强度进行了检查，结果发现能承受0.40mW。由此可知，第7实施例的光盘10对重放光有很强的耐久性，是能满足下一代标准的光盘。
并且，从该17-v1～7-v17中可看出，Ti的量在0.5～4.0范围内对初始抖动是良好的。在此，如下所述，Ge的最佳范围是3.4～14.5，Sb/Te的比的最佳范围为2.1～4.0。
以下说明作为本实施例的记录层的各构成要素的性质。与Ge、Sb、Te的熔点为700K～1200K相比，Ti是1948K的高熔点元素，对热是非常稳定的。并且，不与本实施例的构成光盘的记录层内所包含的Ge、Sb、Te进行反应，也不与形成邻接的保护层的材料进行反应，是很稳定的物质。
因此，若Ti加入的量很大，则会阻碍记录时记录层内的结晶—非结晶之间的相变化。但若添加适当的量，则在记录膜中Ti能发挥固定的作用，在形成记录标记时能使标记边缘更清晰，能减小抖动，并且，由于是高熔点材料，热耐久性良好，所以，对重放光能承受更强的功率。
[比较例]
在直径120mm的聚碳酸酯基板1上，首先用溅射方法，依次形成了：Ag合金作为反射层2、ZnS-SiO2作为第1保护层3、GeSbTe作为记录层4、ZnS-SiO2作为第2保护层5。然后，利用UV固化树脂作粘接层6，在其上面粘贴了复盖片7。这时各层的膜厚，反射层2为200nm，第1保护层3为8nm，记录层4为14nm，第2保护层5为36nm。
并且，记录层4的组成按原子比分别为：Ge 8.7％、Sb 69.7％、Te 21.6％。贴合后，为了使粘接层6充分固化，进行了UV照射。然后，利用激光束点直径120μm的初始化器来进行初始化，初始化条件定位为速度4m/S，进给间距40μm，激光输出570mW。
然后，对1-7调制的信息信号按5.28m/S如图2所示的策略进行录放。1T＝15.1nsec，按照P1＝5.2mW、P2＝2.7mW、P3＝0.1mW、P4＝0.1mW、T1＝0.4T、T2＝0.4T、T3＝0.7T、T4＝0.7T，在槽纹上进行记录，在重放信号的振幅中心进行切片，测量对数据抖动的时钟(clock to datajitter)。
抖动利用时间间隔分析仪(型号TA520：横河电机公司制)进行了测量。初次记录后的抖动，在记录标记的始端为7.7％，在记录标记的后端为7.9％，能进行通常的记录。
并且，在同一光盘上按上述策略记录了2T长的单一信号。对记录的轨道进行静态重放，测量了C/N。这时，对重放功率设定为光盘不劣化的值0.30mW，对静态重放刚开始后和经过5分钟后的C/N进行了测量。刚开始后的C/N为50.0dB，经过5分钟后C/N为50.0dB。
在此，即使把重放功率提高到耐久功率最大值的0.36mW，C/N也是保持在50.0dB，并未达到上述2T单独的抖动达到9％所需的C/N51.0dB。
C/N的测量利用频谱分析仪，取入16次数据，找出了其平均值。在此测量误差能产生0.2dB左右的误差，所以重放劣化试验开始前后的C/N变化如果是0.2dB以下，则可以认为是良好的。
并且，对上述记录层4的组成以外的组成进行了研究。研究过的组成如图16所示。从该图16中可以看出，相变化型记录层4采用GeSbTe系材料，与使用兰色激光的光盘系统相对应，同时，对重放光具有很强的耐久性的光盘10，GeSbTe的组成范围，按原子比为Ge3.4％以上、14.5％以下，而且Sb/Te为2.1以上、4.0以下，在利用重放功率0.30mW的静态重放中，C/N的劣化为0.2dB以下，初始抖动为9％以下。
而且，各种实验结果表明：该最佳组成范围是开始劣化的初期。以下详细说明这一点。首先说明Ge的范围。
，若使Ge的量增加，则其效果是：对比度提高，环境负荷的耐受性增强。最小值定为3.4％(原子比)。若考虑测量误差，则也有一些差异。而且，实验结果表明，在Ge量少的情况下，尤其不能减小抖动。但是，并非Ge量越多越好。
也就是说，在Ge量增加的情况下，相对地Sb量减少，所以，结晶速度减慢。也就是说牵涉到不能用快的线速度进行记录和改写。并且，实验结果表明，即使相同的Sb/Te的比，也是Sb的原子比(量)少时，结晶速度减慢。所以，在此情况下，因改写而造成消除不干净(有残余)。
另一方面，Ge量的增加使结晶速度加快。在高温下结晶的记录层具有很高的耐久性，即使记录也是重放劣化很少。若结晶温度过高，则初始化本身困难，能实验的范围，上限为14.5％(原子比)。
以下说明Sb/Te的比。如上所述，Sb/Te的比影响结晶速度。该比值一大，结晶速度就加快，能以更快的线速度进行记录和改写。相反，该比值一小，结晶速度就减慢。在本实施例中该比值的下限为2.1。因为在此附近初始化工序的结晶很困难。并且，在低于2.1的情况下，也还会出现结晶状态不稳定，记录时的对比度变坏，不能重叠写入等缺陷。
另一方面，若把该比值的上限定为4.0，当该比值上升时容易结晶，所以记录时不能充分形成非晶质标记。并且，即使能形成，也是记录的非晶质标记对重放光的强度差，对记录的内容进行静态重放时，记录的标记消失。
在比较例中实验的图16的试样No.18的组成，其本身具有良好的特性，能耐受重放功率达0.35mW。但如上所述，按耐久重放功率只不过停留在50.0dB，所以，不能期望达到2T单独的抖动9％以下。也就是说，能耐受本发明企图达到的、满足下一代标准的高输出重放光，不能获得能以更小的抖动进行记录的光信息记录媒体。
从以上的详细说明中，可以明显看出：若采用本发明实施例的构成，则能获得仅用GeSbTe记录材料不能达到目的的有益的特性结果。
发明的效果
如以上说明的那样，若采用本发明的光信息记录媒体，则能耐受用GeSbTe系记录层材料达不到的高输出重放光，能获得能以更小的抖动进行记录的光信息记录媒体。

Claims (1)

1、一种光信息记录媒体，在基板上至少具有相变化型记录层，利用光照射来使上述相变化型记录层发生相变化，以此进行2T标记的信息的记录，其特征在于：
上述相变化型记录层由TiwGexSbyTez构成，
满足以下条件：
0.5≤w≤4.0
3.4≤x≤14.5
2.1≤y/z≤4.0
w+x+y+z＝100，
再现2T标记时的抖动在9％以下。
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