CN1276265C - 附有电磁线圈的磁阻传感元件 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为，沿某方向进行延伸的由延伸沟(11)所形成的电极配线基板(1)和，该电极配线基板(1)内沿延伸沟(11)内配置的呈螺旋状的线圈下方(31)和与该线圈下方的各上端相接续的线圈上方(32)来形成的电磁线圈(3)和，上述电极配线基板(1)的上述延伸沟(11)内插置的绝缘体(4)和，该绝缘体(4)内插设的，可通高频或脉冲电流的感磁体(2)来构成的，当施加高频或脉冲电流时输出上述电磁线圈上所产生的对应外部磁场强度的电压的附有电磁线圈的磁阻传感元件。

Description

附有电磁线圈的磁阻传感元件

技术领域

本发明涉及一种作为磁性传感器而使用在电磁线圈上的磁阻传感元件(以下称为MI元件)，以及对它进行小型化、高灵敏度化，还有其在汽车领域被广泛利用的可能性。

背景技术

图13显示了原有MI元件(特开2000-81471号、2001-296127号)的构造。

MI元件，其中心部将非结晶合金磁性线来组成的感磁体固定在电极板上，此电极板的周围缠绕着电磁线圈。电磁线圈的直径范围为1mm至5mm。而MI元件的大小一般为，宽3mm、高2mm、长4mm等。

上述原有的MI元件，作为磁性传感器使用时，能达到一定程度的高灵敏度、小型化、低耗电，但是，作为高性能磁性传感器的小型化来说还存在不太充分的问题。

现在，在本领域中使用这种MI元件的高性能磁性传感器(以下称为MI元件)时要求更加小型化。而原有的MI元件，因为电磁线圈是从外侧绕电极板的构造，造成尺寸较大。为此，需要更进一步对MI元件进行小型化。

发明内容

本发明者，针对MI元件的小型化进行了深入的研讨，将本发明的技術着眼点定在将电磁线圈配置在沿某方向进行延伸的由延伸沟所形成的电极配线板内。既在该电极配线基板内的上述延伸沟内配置线圈的下半部分，将其上端接点与该线圈的上半部的相应点相接形成呈螺旋状的电磁线圈，当对上述电极配线板中的上述延伸沟内插置的绝缘体内的感磁体施加高频或脉冲电流时，上述电磁线圈上就产生出相应于外部施加磁场强度的电压。

本发明就是根据以上技术着眼点，进行更进一步的研究开发后得到的。

同样也达到了小型，薄型化、小容积化、低消费电力化、高灵敏度化以及广泛应用化的各项发明目的。

本发明的第1方面提供一种附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为，包括：

沿某方向进行延伸的延伸沟所形成的电极配线基板，

电磁线圈，在该电极配线基板内的上述延伸沟内配置线圈的下半部分，将其上端接点与该线圈的上半部的相应点相接形成呈螺旋状的电磁线圈，

上述电极配线基板的延伸沟内插置的绝缘体，，

该绝缘体内插设的、能通高频或脉冲电流的感磁体，

当施加高频或脉冲电流时，上述电磁线圈输出相对应外部施加磁场强度的电压。

本发明的第2方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第1方面中，上述感磁体，是由非结晶合金的导电性的磁性线来组成。

本发明的第3方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第2方面中，上述电磁线圈，其绕线内径为200μm以下。

本发明的第4方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第3方面中，上述电磁线圈的绕线间隔为100μm/圈以下。

本发明的第5方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第2方面中，上述感磁体长度设定在3mm以下。

本发明的第6方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第2方面中，上述感磁体，其长度相对于磁性线直径之比值设定为10至100。

本发明的第7方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第6方面中，上述电磁线圈的绕线内径，相对于上述感磁体的磁性线直径的比值设定为1.005至10之间。

本发明的第8方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第2方面中，上述电磁线圈的绕线内径为100μm以下。

本发明的第9方面的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征为：

上述第3方面中，上述电磁线圈的绕线间隔为50μm/圈以下。

由上述结构所组成的第1发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，由于当对插介在上述电极配线基板的上述延伸沟内插置的绝缘体内的感磁体，施加高频或脉冲电流时，将对上述电极配线及板内形成的延伸沟内的为螺旋状的线圈和与该线圈的各上端向接续的另一线圈来构成的电磁线圈上所产生并输出对应于外部施加磁场强度的电压，所以才可以取得小型薄型化、低消费电力的效果。

由上述结构所组成的第2发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，由于上述第1发明中的感磁体，是由非结晶合金的导电性的磁性线来组成，所以才能实现高灵敏度的效果。

由上述结构所组成的第3发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第2发明中的上述电磁线圈，其绕线内径为200μm以下，所以能达到实现小型薄型化的效果。

由上述结构所组成的第4发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因上述第3发明中的电磁线圈，其绕线间隔为100μm/圈以下，实现了高密度的上述电磁线圈，所以才能实现高灵敏度的效果。

由上述结构所组成的第5发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第2发明中的感磁体，长度设定在3mm以下，所以能实现小型化的效果。

由上述结构所组成的第6发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第2发明中的上述感磁体，相对于磁性线直径的长度比的高宽比设定为10至150，维持了线形性，使其能夠进行测量的测量磁场范围变广，所以能实现在汽车领域中的广泛应用的效果。

由上述结构所组成的第7发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第6发明中的上述电磁线圈的绕线内径，相对于上述感磁体的磁性线直径的比值设定为1.005至10倍，所以才能实现高灵敏度的效果。

由上述结构所组成的第8发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第2发明中的上述电磁线圈，其绕线内径为100μm以下，所以才能实现小型薄型化的效果。

由上述结构所组成的第9发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为上述第3发明中的上述电磁线圈，绕线间隔为50μm/圈以下，实现了高密度的上述电磁线圈，所以才能实现高灵敏度的效果。

附图说明

图1所示为本发明第一实施形态及第一实施例的实施例的MI元件的正视图。

图2所示为图1所示的本第1实施形态及第1实施例的MI元件的沿A-A线的截面图。

图3所示为本第1实施形态及第1实施例的槽沟内线圈配置形态的部分斜视图。

图4所示为本第1实施形态及第1实施例的槽沟内线圈配置形态的部分平面图。

图5所示为本第1实施形态及第1实施例的槽沟内线圈配置形态的部分平面图。

图6所示为本第1实施形态及第1实施例的MI传感器的电子回路集成电路图。

图7所示为本第1实施形态及第1实施例的使用MI元件的MI传感器的传感器输出电压对外部磁场的特性图。

图8所示为本第1实施例的传感器和绕线筒型的传感器的外部磁场和输出电压之间的特性图。

图9所示为了比较本第2实施例的MI元件的为感磁体的各种长度的非结晶合金磁性线的量程所示的外部磁场和输出电压之间的特性图。

图10所示为本第2实施例的MI元件的为感磁体的各种长度的非结晶合金磁性线的饱和磁场(G)和磁性线全长即尺寸比之间的特性图。

图11所示为本发明的其它实施形态及实施例的槽沟内线圈配置形态的部分平面图。

图12所示为本发明的其它实施形态及实施例的槽沟形状例的部分平面图。

图13所示为比较例及原来例的MI元件的正视图。

具体实施方式

以下，对本发明的实施形态，用图面进行说明。

(第1实施形态)

本第1实施形态的附有电磁线圈的磁阻传感元件，如图1及图2所示的MI元件，是在电极配线基板1上配置检测磁场用的感磁体2，和在感磁体2与电磁线圈3之间用于固定感磁体2的不存在基板的状态下对感磁体的周围只介入绝缘物，配置内径为200μm以下的电磁线圈3，将感磁体2和线圈3的端子与基板1上的各个电极51、52相连接，给感磁体2通高频率及脉冲电流，来输出此时在电磁线圈3上产生的对应外部磁场的强度的电压的元件。

本MI元件，因为感磁体2的周围只介入绝缘物来设置电磁线圈3，能使其内径在200μm以下，从整体上能达到MI元件的小型化。

并且，本实施形态，对上述的MI元件，上述感磁体2是直径为1~150μm的导电性的磁性线，上述电极配线板1有深度为5~200μm的槽构11，上述电磁线圈3，其电磁线圈的一侧31沿上述槽沟面111配置，上基板12的下面配置的电磁线圈的另一侧32配置在槽沟上面，槽沟面的线圈一侧31和槽沟上面的线圈另一侧32的2层构造来形成。

上述感磁体2，通过采用直径为1~150μm的导电性的磁性线，能使线圈直径在200μm以下。

而且，上述感磁体2采用磁性线时，因磁性线的磁感应性能优越，电磁线圈相对于1卷的输出电压增加，因为可以减少绕线数，所以能使MI元件的长度缩短。

而且，上述电极配线板1上采用了形成槽沟11的槽沟形二.发明说明(9)

构造，通过在电极配线板1上配置电磁线圈3使MI元件更加小型化，并且，防止了电磁线圈3与外部的接触，实现了机械性安定的MI元件。

而且，本实施形态，对上述MI元件，上述导电性的磁性线为非结晶合金。

磁性线的材質特定为非结晶合金时，因非结晶合金的磁感应性能优越，电磁线圈相对于1卷的输出电压增加，因为可以减少绕线数，所以能使MI元件的长度缩短。

本实施形态，对上述MI元件，上述电磁线圈3的绕线间隔为100μm/圈以下。

通过减小上述电磁线圈3的绕线间隔，增加相当于1卷(单位长度)的绕线数，能增加输出电压。实用上希望为100μm/卷以下。为同样输出电压时，能使MI元件的长度缩短。

本实施形态，对上述MI元件，其上述电极配线板1的大小是以，宽从20μm至1mm以下，厚度从20μm至1mm以下，长度从200μm至4mm以下为特征的MI元件。

由于电磁线圈3的相当于园的直径的宽度，高度最大为200μm，上述大小的尺寸可以在电极配线板1上形成，所以能实现元件整体的大幅度的小型化及小容积化。

(第2实施形态)

对本第2实施形态的附有电磁线圈的磁阻传感元件，以下加与叙述。

一般的高灵敏度磁性传感器，因为相对于检出输入的变化来说检出输出的变化大，其灵敏度非常高，相反很快就能达到至饱和磁场的满刻度，所以检测量程狭窄。扩大量成，可以通过縮小相对于感应磁元件直径的为长度比的纵横比，利用反磁场的方法。

但是，针对上述原来的如图13所示构造的高灵敏度磁性传感器(MI，FG传感器)，小型化方面有限制，在实现宽量程同时进行小型化非常困难，相反縮小长度时会引起灵敏度的极度下降。

本第2实施形态中，通过縮小相对于非结晶合金磁性线直径的为长度比的纵横比，谟求广量程的同时，在非结晶合金磁性线的周围缠绕超高密度的线圈，来提高灵敏度，因线圈形状小电感L极端小，对线圈的诱导振动会高，通过采用模拟开关在不会失去灵敏度的同时能检测磁场信号。

即，从广量程化的观点出发，对非结晶合金磁性线的直径Φ10μm~100μm，非结晶合金磁性线的长度设定为100μm~10000μm，纵横比设定在10~150时，检测量程为原来的1.5~20倍，纵横比设定在10~100时，检测量程为原来的3~20倍。

希望的是，纵横比设定在10~50时，检测量程，为原来的5~20倍。

而且，从高灵敏度化的观点出发，对非结晶合金磁性线的直径Φ10μm~100μm，电磁线圈的直径设定在10.05μm~1000μm，设定为1.005~10倍为佳。

作为检测方法，通过采用模拟开关，在不失去灵敏度的同时能检测磁场信号成为可能。

(第1实施例)

对本第1实施例的附有电磁线圈的磁阻传感元件，以下用图1及图2加于说明。

电极配线板1的大小为，宽0.5mm、高0.5mm、长1.5mm。感磁体，使用的是为CoFeSiB系合金的直径为30μm或20μm的非结晶合金磁性线2。电极配线板上的槽沟11其深度为50μm、宽度为70μm、长度为1.5mm。电磁线圈3，由槽沟面111上形成的线圈的一侧31，和槽沟上面112(树脂4的上面41)上形成的另一侧线圈32的2层构造来形成。

上述槽沟面111上形成的线圈一侧31，如图3至图5所示，是在电极配线板1的长方向上形成的槽沟11的槽沟面111的全面及电极配线板1上面的上述槽沟11的相近接部上，通过镀气方法来形成构成线圈的导电性的磁性金属薄膜，为了使所形成的导电性磁性金属薄膜为螺旋状，对构成间隙部的导电性金属薄膜部进行选择，通过腐蚀方法对所选择的间隙部分进行除去。

即，上述槽沟11的槽沟侧面113上通过压延形成上下方向垂直的线圈部311，上述槽沟11的槽沟底面110上的领接上下方向的线圈部上通过压延形成连续的与宽度方向相倾斜的线圈部312。

上述槽沟上面112(树脂4的上面41)上形成的另一侧线圈32，是在与上述槽沟上面112(树脂4的上面41)的上述电极配线板1的长方向上形成的槽沟11相对的分部上，通过镀气方法在广的范围内来形成构成线圈的导电性的磁性金属薄膜，为了使所形成的导电性磁性金属薄膜以一定的距离、比上述槽沟11的宽度方向的长度长、沿宽度方向压延为短册形，对应该构成一定距离的间隙部的磁性金属薄膜进行选择，通过腐蚀方法对所选择的间隙部分进行除去。上述线圈的上面，根据要求也可以形成保护膜。

上述电磁线圈3的绕线内径，相当于园的内径(与由高度和宽度所形成的槽沟截面面积相同的园的直径)，为66μm。电磁线圈3的的绕线间隔为50μm/圈。

非结晶合金磁性线2和电磁线圈3之间，配置了具于绝缘性的树脂4，得到了导电性磁性非结晶合金磁性线和电磁线圈的绝缘。电极5在基板上面烧焊了电磁线圈端子51和感磁体的端子52共計4个端子。这个电极5上先连接着非结晶合金磁性线2的两端和电磁线圈3的两端。具有上述构成的是本发明的附有电磁线圈的MI元件10。即，本MI元件的大小，和电极配线板的大小相同。

下面，用图6所示的上述MI元件10的特性对MI传感器进行评价。

用于评价的MI传感器的电子回路，由信号发生器6和上述MI元件10和型号处理器7来组成。信号为，相当于200MHz的170mA的强脉冲信号，信号间隔为1μsec。脉冲信号输入到非结晶合金磁性线2，在其输入时间中，电磁线圈3上产生与外部磁场成比例的电压。

信号处理回路7，通过介入与脉冲信号的输入进行连续进行开閉的同步检波71，来取出电磁线圈3上产生的电压，经过增幅器72以所定的比例进行放大输出。

由上述回路所取得的传感器输出如图7所示。

图7的横轴表示外部磁场的大小，纵轴表示传感器的输出电压。传感器的输出在±10G之间显示为良好的直线性。而且，其灵敏度为20mV/G。这表示作为高灵敏度磁性传感器具有充分使用的余地。

一方面，作为比较例的如图13所示的原来的MI元件9的尺寸如以下所示。固定非结晶合金磁性线的基板91的尺寸为，宽0.7mm、高0.5mm、长3.5mm。感磁体使用的是为CoFeSiB系合金的直径为30μm的非结晶合金磁性线92。非结晶合金磁性线92和电磁线圈93之间，配置了具于绝缘性的绕线框94，得到了导电性磁性非结晶合金磁性线与电磁线圈的绝缘。

绕线框94的由树脂模型所形成的芯部，宽度为1mm，高度为1mm，长度为3mm。这时，电磁线圈93的内径为1.5mm。电极95在绕线框94上配置了电磁线圈端子和感磁体的端子共計4个端子。这个电极95上非结晶合金磁性线92的两端和电磁线圈93的两端相连接。具有上述构成的是原来的MI元件91。即，这时的MI元件91的尺寸为，宽3mm，高2mm，长4mm。原来的MI元件，如上所述尺寸大，对设置空间有限制的传感器来说不能使用。

针对这个问题，本发明的第1实施例为非常的小薄型，能应用携带电話用的传感器，手表用的传感器等小型电子器件用的超小型磁性传感器。

本第1实施例中，通过在电极配线板1的长方向上形成的槽沟11的槽沟面111以及上基板12的下面112上，经过镀气方法来形成构成线圈的导电性的磁性金属薄膜，为了使所形成的导电性磁性金属薄膜为螺旋状，对构成间隙部的导电性金属薄膜部进行选择，经过腐蚀方法对所选择的间隙部分进行除去，来形成电磁线圈，达到了以高的密度制造小型薄型的MI元件的效果。

使用本第1实施例的MI元件10的结果，如图3至图5所示，与使用原来的MI元件的MI传感器相比，不仅达到约为50分的1(48分的1)的小型化，而且，得到了在±10G的磁场领域中为良好的直线性。

为了进行比较，对如图13所示的为比较例的原来的绕线筒型传感器(磁性线长2.5mm、线圈长2mm、40卷)和上述第1实施例的传感器(磁性线直径为Φ25μm及长度为1.5mm、线圈长度为1mm、18卷)的量程进行比较的结果，如图8所示。图8的横轴为外部磁场，纵轴为输出电压。

从图8可以知道，原来的绕线筒型传感器和上述第1实施例的传感器的量程，为±3G几乎相等，与原来的绕线筒型传感器相比上述第1实施例的传感器的输出电压强8成，进行小型薄型化输出电压的降低比较低，由于卷数的差大，相当于一卷的电压，相对绕线筒型的28mV/卷，第1实施例的传感器为53mV/圈，为绕线筒型的2倍，适用于小型化。

(第2实施例)

本第2实施例的附有电磁线圈的磁阻传感元件，例如，是能适用于汽车领域的实现了广量程化的例子，以下用图1至图2加于说明。

电极配线板1的大小，长度为0.67mm。感磁体2，使用的是为CoFeSiB系合金的直径为30μm的非结晶合金磁性线2。电磁线圈3，由槽沟面111上形成的线圈的一侧31，和槽沟上面112(树脂4的上面41)上形成的另一侧线圈32的2层构造来形成。元件全长为0.67mm。

本第2实施例中，为感磁体2的非结晶合金磁性线的直径为Φ30μm，电磁线圈3的绕线内径设定为Φ80μm。

如图3至图5以及表1所示的线圈部311及线圈部312的上述槽沟11的长方向的宽度，设定为50μm，10μm、25μm等，上述间隙部的宽度，设定为25μm，5μm、25μm等。

                 表1

例	线圈的宽度	间隙部
			A	50μm	25μm
B	10μm	5μm
			C	25μm	25μm

电磁线圈3的绕线内径对非结晶合金磁性线的直径的比设定在1.005至10范围内，非结晶合金磁性线的直径设定在Φ10μm~100μm范围内，非结晶合金磁性线的直径为Φ10μm时，电磁线圈3的绕线内径设定在10.05μm~100μm范围，非结晶合金磁性线的直径为Φ100μm时，电磁线圈3的绕线内径设定在10.05μm~1000μm范围。

非结晶合金磁性线的直径为Φ10μm时，电磁线圈3的绕线内径为11μm至70μm(1.1~7倍)，非结晶合金磁性线的直径为Φ100μm时，电磁线圈3的绕线内径为200μm至300μm(2~3倍)。

相对非结晶合金磁性线的直径为100μm，非结晶合金磁性线的长度设定为100μm~10000μm，纵横比设定在10~100时，检测量程为原来的3~20倍，可以适用于要求广量程的汽车领域中。

作为感磁体2的非结晶合金磁性线的长度采用0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4种类，对非结晶合金磁性线用比如7所示的第1实施例高的驱动电压进行驱动时，对各个量程进行比较的结果表示在图9上。图9的横轴表示外部磁场，纵轴表示输出电压。

从图9可以得到，非结晶合金磁性线的长度为最短的0.6mm的量程，为±45G的最宽量程，随着非结晶合金磁性线的长度的变长，量程变狭窄，与1.5mm的磁性线相比具有约为9倍的广度。

而且，针对所采用的作为感磁体2的非结晶合金磁性线的长度为0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4种类，当磁性线直径为Φ30μm时，对決定测定可能范围的饱和磁场(G)，测定的结果表示在图10上，图10的横轴表示磁性线的全长即纵横比，纵轴为测定可能范围(饱和磁场(G))。从图10可以得到，针对非结晶合金磁性线的长度0.6mm、0.7mm、0.9mm、1.5mm的4种类，饱和磁场(G)，相对于磁性线的全长即纵横比表示为线形关系。

而且，对非结晶合金磁性线的长度为0.4mm时，对上述的量程也进行了确認，与上述的0.6mm的磁性线相比，更广的量程成为测定可能范围。

本第2实施例的附有电磁线圈的磁阻传感元件，在不損失传感器灵敏度的前提下能扩大检测量程，如上所述，因为元件形状为小，空间分解能提高的同时，元件全长(L)小，具有提高频率应答性的利点。

上述实施形态，是为了说明而舉例的实施形态，本发明部限定于这些，从权利要求范围，发明的詳細说明及图面的记载，本产业能认识在不反本发明的技術想法的情沉下，变更及附加是为可能的。

上述第1实施例中，作为一例，对上述槽沟11的槽沟底面110上的领接上下方向的线圈部上通过压延形成连续的与宽度方向相倾斜的线圈部312的同时，上基板12的下面112上与在电极配线板1的长方向上形成的槽沟11相直交的上述电极配线板1的宽度方向上形成另一侧线圈32的例子进行了说明，本发明不限制于这个，如图11(A)所示，把线圈部312进行倾斜压延形成的同时，另一侧线圈32也进行倾斜压延形成的例子，如图11(B)所示，可以采用将线圈部312在与电极配线板1的长方向上形成的槽沟11相直交的宽度方向上形成的同时，对另一侧线圈32也进行倾斜压延形成的例。

而且，上述第1实施例中，作为一例，对如图2所示的在上述电极配线板1上形成矩形的槽沟11的槽沟构造进行了说明，本发明不限制于这个，可以采用如图12(A)至(C)所示的把上述电极配线板1通过腐蚀方法除去形成槽沟11的时候，从斜上方进行腐蚀的时候的U字形、从上方进行腐蚀的时候的逆台形状及V字形，台形状及V字形的槽沟的实施形态。

而且，上述第1实施例中，作为一例，对在上述电极配电线板1上所形成的槽沟11的内侧壁面上配置线圈的例进行了说明，本发明不限制于这个，可以采用对部分材料的表面通过镀气形成导电性的磁性金属薄膜后，经过选择腐蚀进行除去，形成为螺旋状的电磁线圈，也可以采用在由园形，矩形及多角形的截面形状的绝缘材料所形成的线状部材的外侧壁全面上，通过镀气形成导电性的磁性金属薄膜，旋转该线状部材，以一定的速度进行旋转的同时，选择应该形成间隙部的外侧

上述实施形态，是为了说明而舉例的实施形态，本发明部限定于这些，从权利要求范围，发明的詳細说明及图面的记载，本产业能认识在不反本发明的技術想法的情沉下，变更及附加是为可能的。

上述第1实施例中，作为一例，对上述槽沟11的槽沟底面110上的领接上下方向的线圈部上通过压延形成连续的与宽度方向相倾斜的线圈部312的同时，上基板12的下面112上与在电极配线板1的长方向上形成的槽沟11相直交的上述电极配线板1的宽度方向上形成另一侧线圈32的例子进行了说明，本发明不限制于这个，如图11(A)所示，把线圈部312进行倾斜压延形成的同时，另一侧线圈32也进行倾斜压延形成的例子，如图11(B)所示，可以采用将线圈部312在与电极配线板1的长方向上形成的槽沟11相直交的宽度方向上形成的同时，对另一侧线圈32也进行倾斜压延形成的例。

而且，上述第1实施例中，作为一例，对如图2所示的在上述电极配线板1上形成矩形的槽沟11的槽沟构造进行了说明，本发明不限制于这个，可以采用如图12(A)至(C)所示的把上述电极配线板1通过腐蚀方法除去形成槽沟11的时候，从斜上方进行腐蚀的时候的U字形、从上方进行腐蚀的时候的逆台形状及V字形，台形状及V字形的槽沟的实施形态。

而且，上述第1实施例中，作为一例，对在上述电极配电线板1上所形成的槽沟11的内侧壁面上配置线圈的例进行了说明，本发明不限制于这个，可以采用对部分材料的表面通过镀气形成导电性的磁性金属薄膜后，经过选择腐蚀进行除去，形成为螺旋状的电磁线圈，也可以采用在由圆形，矩形及多角形的截面形状的绝缘材料所形成的线状部材的外侧壁全面上，通过镀气形成导电性的磁性金属薄膜，旋转该线状部材，以一定的速度进行旋转的同时，选择应该形成间隙部的外侧壁的磁性金属薄膜部，用腐蚀方法除去，来形成螺旋状的电磁线圈，切成所定的长度，来插入非结晶合金磁性线的实施形态。

综上所述，本发明的附有电磁线圈的磁阻传感元件，因为非常小型且灵敏度高，能应用在携带电話用的传感器，手表用的传感器等小型电子器件用的超小型磁性传感器的同时，因为实现了小型化、广量程化，也可以应用在汽车领域上。

Claims (9)

1.一种附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，包括：

沿某方向进行延伸的延伸沟所形成的电极配线基板；

电磁线圈，由该电极配线基板内的上述延伸沟内配置为螺旋状的一部分和与该部分的各上端相接续的另一部分构成；

上述电极配线基板的上述延伸沟内插置的绝缘体，在该绝缘体内插设的、加通有高频或脉冲电流的感磁体，

当施加高频或脉冲电流时，该感磁体会输出上述电磁线圈上所产生的对应外部磁场强度的电压。

2.如权利要求1所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述感磁体由具有非结晶合金和导电性的磁性线来组成。

3.如权利要求2所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述电磁线圈的绕线内径为200μm以下。

4.如权利要求3所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述电磁线圈的绕线间隔为100μm/圈以下。

5.如权利要求2所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，感磁体长度设定在3mm以下。

6.如权利要求2所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述感磁体，其长度相对于磁性线直径之比值设定在10至100。

7.如权利要求6所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述电磁线圈的绕线内径，相对于上述感磁体的磁性线直径的比值设定为1.005至10之间。

8.如权利要求2所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述电磁线圈，其绕线内径为100μm以下。

9.如权利要求3所述的附有电磁线圈的磁阻传感元件，其特征在于，上述电磁线圈的绕线间隔为50μm/圈以下。

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