CN1261520C - 研磨用组合物及用它的研磨方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种研磨用组合物，可以同等研磨速度研磨钨膜和绝缘膜，其结果是创造出平坦性良好的，无研磨损伤，不受铁离子等杂物污染的研磨面。该研磨用组合物含有(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)pH调整剂、和(d)水，研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，及使用该研磨用组合物的研磨方法。该研磨用组合物是适宜半导体装置的精加工研磨。

Description

研磨用组合物及用它的研磨方法
技术领域
本发明涉及在半导体、光掩膜、各种存储硬盘用基盘等中使用的，具有钨膜和绝缘膜形成半导体器件的研磨中使用的研磨用组合物，特别涉及适用于半导体产业等中的器件晶片的表面平坦化加工的研磨用组合物，以及用该组合物的研磨方法。
更详细讲，涉及在制造至少具有钨膜和绝缘膜形成的半导体器件中的器件晶片的工艺加工时，使用了所谓化学的·机械的研磨技术(Chemical MechanicalPllishing，以下称CMP)的半导体器件的研磨中，可形成具有优良平坦性，无研磨损伤，而且不受铁离子等杂物污染的优良表面的研磨用组合物，以及使用该组合物的研磨方法。
技术背景
近年来计算机制品的惊人发展，其中使用的另件，例如，UVSI，年年遵守着高集成化、高速度化这一途径发展。与其相伴，半导体器件的设计规范也年年向细微化发展，在器件制造工艺中的焦点深度越来越浅，对图形形成面要求的平坦性也更加严格。
由于器件的细微化、高集成化，导致器件上的布线也越发复杂，为此，在硅面的上部需要层叠多层布线。在层叠各层的过程中，为了高精度形成其上层布线，最重要的工艺是保持各层的平坦性。作为有效形成平坦化的方法，可使用CMP。CMP大致分成2大类，即，研磨二氧化硅、氮化硅、酸性氟化硅、及其他绝缘膜，形成平坦化的方法，和研磨钨、铜、铝，它们的合金、及其他金属膜，形成平坦化的方法。
这些金属膜中，钨膜用于较下层的接触布线部分。这是由于钨的优良耐热性和稳定性。对于钨的CMP。以前大多采用的方法是使用含有二氧化硅、氧化铝等研磨颗粒、过氧化氢等氧化剂、铁离子等催化剂的研磨用组合物，研磨去除钨膜，在显现出绝缘膜时，结束研磨。
然而，使用以前的研磨用组合物进行研磨时，引发的问题是，由于铁离子等杂物的存在，研磨后的器件表面或受到损伤，或铁离子附着研磨后的在晶片上，导致半导体器件的特性恶化等。进而研磨后的表面因该研磨用组合物对于钨膜的研磨速度与对于绝缘膜的研磨速度之差会产生凹凸状，导致器件的合格率进一步恶化。
发明内容
本发明就是为解决上述问题而进行的。即，本发明的目的是提供一种研磨用组合物，在对至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件进行研磨时，可形成具有优良平坦性、无研磨损伤，而且不受铁离子等杂物污染的优良表面。
本发明还提供一种研磨方法，即，在对至少具有钨膜和绝缘膜形成的半导体器件进行研磨时，在大部分的钨膜研磨除去后，使用本发明的研磨用组合物进行精加工研磨，可形成具有优良平坦性，无研磨损伤的优良表面，而且能防止由铁离子等杂物引发的污染。
根据本发明的研磨用组合物，其特征是含有下述(a)～(d)的各种成分，适于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件。
(a)二氧化硅
(b)过碘酸
(c)从氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾、和过碘酸钠中选出的至少1种PH调整剂、和
(d)水。
根据本发明的研磨方法，其特征是在对至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件进行研磨的过程中，使用含有下述(a)～(d)各种成分的研磨组合物，同时对钨膜和绝缘膜进行研磨。
(a)二氧化硅
(b)过碘酸
(c)从氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾、和过碘酸钠中选出的至少1种PH调整剂、和
(d)水。
根据本发明的半导体器件的研磨方法，其特征是在制造至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件的研磨过程中，除去大部分钨膜后，使用上述研磨组合物进行精加工研磨。
根据本发明，在制造至少含有钨膜和绝缘膜的半导体器件的研磨过程中，在利用研磨除去淀积的钨后的精加工研磨过程中，一边保持同等的研磨速度一边研磨钨膜和绝缘膜，其结果，实现了良好的平坦性，而且无研磨损伤，并能创造出不受铁离子等杂物污染的面。
发明的具体说明
(a)二氧化硅
本发明的研磨用组合物含有二氧化硅。二氧化硅是作为研磨材料担当机械加工的材料。二氧化硅具有公知的几种结晶形态，制造方法也知道几种。根据本发明的研磨用组合物，不是采用这些的结晶形态和制造方法，虽说可任意使用，但其中，最好使用可容易制成微粒子的，而且能获得稳定的二氧化硅水性悬浊液的形态和方法。
具体讲，本发明中使用的二氧化硅，最好是利用溶胶法制造的，利用溶胶法制造二氧化硅，一般按如下方法进行。即，将硅酸甲酯滴加到由甲醇、氨、水形成的溶剂中，进行水分解，生成二氧化硅。根据这种方法，杂物极少，并能得到二氧化硅的悬浊液。
除溶胶凝胶法之外，作为二氧化硅的制造方法，例如有加热四氯化硅进行制造的方法，和对硅酸钠进行离子交换，使二氧化硅成长的方法等。然而，使用以四氯化硅为起始原料的方法，制得的二氧化硅中，有时混入微量的氯杂物。而使用以硅酸钠为原料的方法，原料中一般含有碱土类金属、铜、铁、铬等金属杂物，因此，使用由这些方法制造的二氧化硅时，最好进行去除杂物的精制处理。
本发明的二氧化硅相对于研磨用组合物的含量，从对研磨用组合物付与充分的机械加工能力，而且均匀稳定地分散在研磨组合物中，保持适度的粘度等方面考虑，一般在10～200g/升的范围内，最好在30～150g/升的范围内，二氧化硅的含量若在上述所示范围内，由于充分的机械加工能力，所以对于钨膜和绝缘膜能形成充分的研磨速度，并能缩短加工时间。进而，二氧化硅含量若在上述所示范围内，可确保二氧化硅在研磨用组合物中具有良好的分散稳定性，并能防止二氧化硅沉淀和研磨用组合物的粘度过大。
本发明二氧化硅的大小，是由以BET法(氮吸附法)测定的表面积和以粒子密度计算的表面积算出的平均粒子径(以下记作表面积粒子径)，一般为40～120nm的范围内，最好为60～100nm的范围内。利用光学式粒径测定装置以光学散射法计算的平均粒子径(以下记作光学式粒子径)，一般为80～300nm的范围内，最好在150～250nm的范围内。二氧化硅的粒子径若在此范围内，可形成充分的机械研磨力，特别是对于绝缘膜，可达到很高的研磨速度，并能防止研磨用组合物的粘度过大。进而，二氧化硅的粒子径若在上述所示范围内，可使二氧化硅均匀分散，并能防止粒子沉降，结果是能防止研磨后的表面受到损伤。
(b)过碘酸
本发明的研磨用组合物含有过碘酸，过碘酸作为具有氧化作用的材料是广为人知的。本发明的研磨用组合物中所含的过碘酸是付与研磨用组合物氧化作用的物质。该氧化作用主要是对钨膜起作用，将表面的钨氧化成三氧化钨(WO3)。氧化成的三氧化钨是脆性材料，在上述二氧化硅的机械研磨作用下具有很容易去除的趋势。
本发明研磨用组合物中过碘酸的含量，一般为2～9g/升的范围，最好为3.5～6g/升。如果本发明研磨用组合物中过碘酸的含量在上述范围内，使钨膜氧化的作用比较适宜，并能维持适当的研磨速度。对于添加过碘酸引起的PH变化，根据下述很容易调整PH。
(c)PH调整剂
本发明的研磨用组合物含有从氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾、和过碘酸钠中至少选出1种的PH调整剂。添加这些PH调整剂是为调制研磨用组合物PH。而本发明研磨用组合物的PH，通过添加上述PH调整剂，一般调整到4.5～7，，好的5～6，更好5.3～5.8的范围。若PH在此范围内，过碘酸会充分发挥氧化作用，研磨用组合物对钨膜的研磨速度能保持充分且适当。而且在法规、和安全卫生方面不存在问题。
(d)水
本发明的研磨用组合物作为介质含有水。本发明研磨用组合物中使用的水，可使用工业水、饮用水、离子交换水和蒸馏水中的任何一种水，实用中，最好是不含金属离子的水。实用时，最好将不含金属离子的离子交换水进行过滤，去除杂物后使用。
研磨用组合物
本发明的研磨用组合物是用于半导体器件的制造，一般都知道，半导体器件混入金属杂物时，会导致性能劣化。某种元素附着在研磨用组合物所含二氧化硅表面上时，就成为研磨损伤晶片表面的因素。为了改进半导体制造工艺中的合格率，这些元素(以下称杂元素)在本发明研磨用组合物中的含量越低越好。作为这种杂元素有中国目前广泛使用的CAS版元素周期表中的2A族、3B族、4B族、5B族、6B族、7B族、8族、1B族、2B族(对应于日本以往使用的IUPAC原先版本的元素周期表中的2A族、3A族、4A族、5A族、6A族、7A族、8族、1B族、2B族)、镧系族、锕系族、铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋、氟和氯各种元素，其浓度分别在100ppb以下，最好在50ppb以下。
这些杂物的浓度测定可使用通常用的分析装置进行，例如诱导结合等离子体质量分析装置(ICM-MS)、诱导结合高频等离子体分光分析装置(ICP分光分析装置)、原子吸收光谱分析装置等。测定氟和氯时，可用离子色谱仪等。
上述的杂元素也会影响研磨用组合物的保存稳定性。即，研磨用组合物中含有大量杂物时，该杂物有可能使本发明研磨用组合物中的成分过碘酸分解。因此，杂元素含量很低时，本发明研磨用组合物能发挥出优良的保存稳定性。
本发明的研磨用组合物，调制后，至少1个月内，对钨膜和绝缘膜的研磨速度能保持在调制后研磨速度的90％以上，最为理想。
本发明的研磨用组合物，可同时研磨钨膜和绝缘膜，也能用于精加工研磨因此，最好对于钨膜和绝缘膜能以大致相同的研磨速度进行研磨。因此，将对钨膜的研磨速度作为基准，对于绝缘膜的研磨速度(以下称选择比)好的为0.75～1.5的范围，更好为0.9～1.2的范围。通过将选择比定在此范围内，钨膜和绝缘膜可得到均匀研磨，可改进最终精加工研磨面的平坦性。
在半导体器件领域内，被称作绝缘膜的有几种。具体讲，有以CVD法成膜的氧化硅膜(一般是TEOS膜)、酸性氟化硅膜(一般是SIOF膜)、硼涂覆的BSG膜、磷涂覆PSG膜、硼和磷涂覆的BVPSG膜等。这些，因其种类不同机械强度也不同，所以利用研磨用组合物的研磨速度也随其种类而不同。为此，为使选择比最适宜，可对研磨用组合物中的各成分进行调整。根据钨膜的成膜条件，对钨膜的研磨速度也有所不同，所以根据被研磨物的构成进行组成的最佳化调整。
本发明的研磨用组合物，一般是将二氧化硅、过碘酸、和PH调整剂混合在水中，溶解或分散，进而根据需要，通过溶解其他添加剂进行调制。可以任意方法将这些成分溶解或分散在水中。例如，以叶片式搅拌机搅拌，利用超声波进行分散。可以任意顺序添加这些成分，可将任一种首先进行溶解、分散，也可同时进行溶解、分散。
本发明研磨用组合物的供给形态，可以是预先将上述(a)二氧化硅、(b)过碘酸、(c)PH调整剂、和(d)水混合作为备用，原样用于研磨，也可以高浓度含有上述(a)、(b)和(c)成分，即，将浓缩的研磨用组合物作为备用，使用时加以稀释，得到所要求的组合物。或者，将组合物分成2种以上的液剂以作备用。例如，将由(a)二氧化硅和(d)水形成的第一种液剂，和将(b)过碘酸、(c)PH调整剂和(d)水形成的第二种液剂，分开备用，使用时将这2种组合物混合后使用。在如此操作的基础上，根据绝缘膜和钨膜的种类、研磨机的状态，研磨时的环境等，将上述2种组合物的比率作微量调整，也可将选择比作微量调整。从保存稳定性方面考虑，将组合物分成2种液剂最为有利。
研磨方法
本发明的研磨方法是使用上述研磨用组合物研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件的方法。
本发明的研磨方法，只要使用上述研磨用组合物研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，也可与以前的任何研磨方法和研磨条件相组合。
例如，作为研磨机可使用单面研磨机、双面研磨机、和其他研磨机。研磨盘可使用熔焊型、无纺布型、植绒布型、起毛型等磨片。
在半导体器件的研磨中，为了使表面更加平均，可采用2阶段以上研磨。在这种分阶段研磨中，即使初期研磨形成研磨面上多多少少出现缺陷，可实施快速研磨在后期的研磨中，一边修补缺陷，一边形成平坦的研磨面。本发明中，上述研磨用组合物的选择比接近于1，在2阶段以上研磨中，最后的研磨工序，即最好用精加工研磨。这时，在精加工研磨之前的研磨工序中，最好将大部分钨膜除去。此处所说的除去大部分钨膜，通常是说研磨到去除钨膜的残余量，厚度达到2000以下，最好1000以下。这样可以任意方法都能获得除去大部分钨膜的半导体装置，可以使用上述的研磨用组合物，和一般使用的其他研磨用组合物。
实施例
试验1
研磨用组合物的内容和调制
将二氧化硅、过碘酸和氨各种成分溶解或分散在水中，准备实施例1～24和比较例1-3中的研磨用组合物。各成分的浓度或添加量如表1中记载。在上述任何实施例和比较例中，使用的二氧化硅是利用溶胶凝胶法精制的表面积粒子径90nm、光学式粒子径230nm的胶体状氧化硅。其他杂元素的含量，任何一种元素都在50ppb以下。
在实施例1-7和比较例3中，只改变二氧化硅的浓度，其他成分不动。在实施例8～13和比较例2中，只改变过碘酸的添加量，其他成分不动。在实施例14～19和比较例1中，只改变氨的添加量、其他成分不动。比较例1是不添加氨，即不进行PH调整的实例。在实施例22～24中，作为调整PH的化合物，分别使用氢氧化钾、过碘酸铵、和过碘酸钾，其他成分不动。
表1
  二氧化硅g/升   过碘酸g/升   PH调整剂   PH   研磨速度   研磨速度比
  W   TEOS
  /min   /min
  实施例1   5   4   氨   5.5   270   350   1.30
  实施例2   10   4   氨   5.5   320   400   1.25
  实施例3   30   4   氨   5.5   480   550   1.15
  实施例4   70   4   氨   5.5   800   870   1.09
  实施例5   150   4   氨   5.5   1200   1300   1.08
  实施例6   200   4   氨   5.5   1350   1500   1.11
  实施例7   250   4   氨   5.5   1450   1600   1.10
  实施例8   70   1   氨   5.5   500   870   1.74
  实施例9   70   2   氨   5.5   610   880   1.44
  实施例10   70   3.5   氨   5.5   750   890   1.19
  实施例11   70   6   氨   5.5   970   900   0.93
  实施例12   70   9   氨   5.5   1220   910   0.75
  实施例13   70   10   氨   5.5   1350   910   0.67
  实施例14   70   4   氨   3.0   500   1900   3.80
  实施例15   70   4   氨   4.0   600   1400   2.33
  实施例16   70   4   氨   4.5   650   1250   1.92
  实施例17   70   4   氨   5.0   720   1080   1.50
  实施例18   70   4   氨   5.3   780   930   1.19
  实施例19   70   4   氨   5.8   850   780   0.92
  实施例20   70   4   氨   6.0   900   700   0.78
  实施例21   70   4   氨   7.0   1100   500   0.45
  实施例22   70   4   KOH   5.5   820   890   1.09
  实施例23   70   2   API*1   5.3   830   950   1.14
  实施例24   70   2   PPI*2   5.5.   850   1020   1.20
  比较例1   70   4   -   1.3   300   2700   9.00
  比较例2   70   -   氨   9   200   1300   6.50
  比较例3   -   4   氨   5   180   30   0.17
API*1：过碘酸铵
PPI*2：过碘酸钾
研磨试验
接着，使用上述实施例1-24和比较例1-3的研磨用组合物进行研磨试验。研磨条件如下。
研磨条件
研磨机：单片CPM用研磨机
(商品名：Mirra，Applied Materials公司产品)
被加工物：钨覆盖晶片
(利用PVD形成钨膜的8寸硅片)
TEOS覆盖晶片
(利用CVD形成TEOS膜的8寸硅片)
研磨盘：聚氮酯制的层叠研磨盘
(商品名：IC-1000/Suba400，美国罗德尔公司产品)
加工压力：4psl(约28kpa)
加工时间：60秒
定盘转数：70rpm
研磨组合物的供给：250ml/分钟
载体转数：70rpm
利用钨和TEOS覆盖晶片进行评价研磨速度。测定研磨前和研磨后的钨膜和TEIS膜的厚度，利用前后的厚度差异算出研磨速度。在测定钨膜厚度时。使用片电阻器(VR-120、国际电气系统服务公司产品)，测定TEOS膜存度时使用光学式腹压测定器(VM-2030，Dainippon Screen MFG公司产品)。用钨膜的研磨速度值除TEOS膜的研磨速度得到的数值，记作选择比。
研磨后，用光学显微镜，以目视评价钨表面状态。
使用元素分析装置(全反身荧光X射线式、TRE-610T、Technos公司产品)测定研磨后表面的金属杂物。评价结果如表1记载。
试验1的评价结果，由实施例1～21的结果可知，通过改变二氧化硅、过碘酸和氨的添加量，可以调节钨膜和TEOS膜的研磨速度。由实施例22～24的结果，可知使用氢氧化钾、过碘酸铵、或过碘酸钾代替氨时，也能获得同样的良好结果。比较例1是不进行PH调整的实例，相对于TEOS膜的研磨速度，钨膜的研磨速度很小，选择比显著增大。比较例2是不含过碘酸的实例，当各实施例与该比较例2比较时，可知由于添加了过碘酸，对钨的研磨速度得到显著改善，选择比也大大改进。
研磨后进行表面元素离子分析，实施例、比较例对于任何元素都是可判定为性能上不存在问题的值。进而，任何一个实施例、比较例研磨后的表面状态都很良好。
试验2
为了评价金属杂物对本发明研磨用组合物的影响，准备以下3种研磨用组合物，即，实施例4的研磨用组合物，在实施例4的研磨用组合物中添加硝酸铁，形成铁离子浓度为150ppb的组合物(实施例25)、使用粒子尺寸相同的离子交换法(由硅酸钠精制法)制作的胶体状氧化硅代替实施例4中使用胶体状氧化硅的组合物(实施例26)。使用上述3种研磨用组合物，对制造后、和制后室温密封保存1个月内的，以和试验1相同的条件进行研磨和评价。评价结果如表2记载，对实施例26中使用的由离子交换法制得胶体状氧化硅中的金属杂物含量，利用诱导结合等离子体质量分析仪(ICM-MS)测定结果，如表3所示。
表2
                                                                制造后                                       室温保管1个月
  二氧化硅   添加硝酸铁   表面离子浓度   pH   研磨速度   研磨速度比   pH   研磨速度   研磨速度比
  W   TEOS   W   TEOS
  /min   /min   /min   /min
  实施例4   溶胶凝胶法   无   ＜1×1010   5.5   800   870   1.09   5.5   790   870   1.10
  25   溶胶凝胶法   有   4×1010   5.5   810   870   1.07   5.8   650   870   1.34
  26   离子交换法   无   2×1010   5.5   830   890   1.07   6.0   410   880   2.15
表3
  元素   杂物金属含有量(ppb)
  Al   15000
  Ba   100
  Ca   10000
  Cd   ＜100
  Co   ＜100
  Cr   1000
  Cu   ＜100
  Fe   13000
  Mg   ＜3000
  Mn   100
  Mo   ＜200
  Ni   ＜500
  Pb   ＜500
  Sn   ＜2000
  Sr   ＜100
  Ti   6000
  V   ＜100
  Zn   ＜1000
  Zr   ＜3000
当比较制造后和1个月保管后的研磨速度时，实施例4的组合物研磨速度几乎没有降低。实施例25和实施例26，保存后的研磨速度有降低趋势，可知金属杂物越少，保存性也越好。
观察研磨钨表面时，实施例4的研磨用组合物完全没有观察到研磨损伤，但实施例25、26观察到研磨损伤，可知金属杂物越多，研磨损伤趋于增加。测定研磨后表面的金属杂物时，实施例4的研磨用组合物，任何元素都低于检测线。实施例25，检测出铁离子为4×1010atms/cm2。实施例26中，由于二氧化硅中所含金属杂物的影响，研磨后的表面上，除了检测出铁离子浓度为2×1011atoms/vm2外，还检测出钛离子浓度为3×1011atms/cm2。
根据试验2的结果，可知使用含金属杂物的研磨用组合物时，研磨后的器件表面上存在金属杂物产生污染的趋势。推测机理，可能是金属杂物引起过碘酸分解，由于长期保存研磨用组合物发生变化导致研磨速度降低。
试验3
预先准备二氧化硅100g/升、过碘酸6g/升、用氨调整PH4，5的组合物(A)、和只含有二氧化硅200g/升的组合物(B)。作为二氧化硅，使用和试验1使用相同的\利用溶胶凝胶法制造的胶体状氧化硅。接着，将组合A和B调制成2种研磨用组合物，以容积比调制成A∶B＝2∶1的(实施例27)，和A∶B＝1∶1的(实施例28)。使用实施例27和28，以和试验1相同的方法进行研磨试验，测定各种研磨性能。结果是，实施例25的钨研磨速度为820/min，TEOS膜的研磨速度为900/min。而实施例26的钨研磨速度为750/min，TEOS膜的研磨速度为700/min。实施例27、28任何一种情况，研磨后的表面状态良好◎，研磨后表面的铁离子浓度不存在性能方面的问题，在1×1010atms/cm2以下。
试验4
作为二氧化硅，使用表4所示的表面积粒子径和光学式粒子径的胶体状氧化硅，调制和实施例4相同组成的研磨用组合物，在和试验1相同的条件下进行研磨试验和评价。使用的胶体状氧化硅都是利用溶胶凝胶法制造的，所以它们的杂元素含量，任何一种元素都在50ppb。评价结果如表4记载。
表4
  表面积粒子径(nm)   光学式粒子径(nm)   研磨速度   研磨速度比
  W   TEOS
  /min   /min
  实施例27   20   100   500   400   0.80
  实施例28   40   150   650   600   0.92
  实施例29   60   180   750   730   0.97
  实施例30   100   220   790   850   1.08
  实施例31   120   300   800   860   1.08
  实施例32   140   300   810   889   1.09
  实施例33   40   60   600   500   0.83
  实施例34   60   80   650   600   0.92
  实施例35   70   150   720   750   1.04
  实施例36   90   250   800   850   1.06
  实施例37   100   300   820   870   1.06
  实施例38   120   400   810   860   1.06
从试验3的结果，可知将研磨用组合物分成2个组合物备用，研磨时再混合，可得到无损伤的，铁离子浓度少的良好表面。研磨时改变2个组合物的配合比率，可调整钨膜和绝缘膜的研磨速度。从试验4的结果，可知改变氧化硅的表面积粒子径或光学式粒子径时，虽然钨膜、绝缘膜的研磨速度发生变化，但研磨后的表面、金属杂物的任何一种都处于良好的结果。

Claims (11)

1.一种研磨用组合物，用于研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件，其特征是，含有以下(a)～(d)成分
(a)二氧化硅
(b)过碘酸
(c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的至少1种pH调整剂
(d)水。
2.根据权利要求1记载的研磨用组合物，其特征是，在该组合物中，2A族、3B族、4B族、5B族、6B族、7B族、8族、1B族、2B族、镧系族、锕系族的各元素浓度分别在10ppb以下。
3.根据权利要求2记载的研磨用组合物，其特征是，铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋、氟和氯的各元素浓度分别在100ppb以下。
4.根据权利要求1或2记载的研磨用组合物，其特征是，所述二氧化硅是用溶胶凝胶法制造的二氧化硅。
5.根据权利要求1记载的研磨用组合物，其特征是，该组合物的pH为4.5～7。
6.一种研磨方法，其特征是，在研磨至少具有钨膜和绝缘膜的半导体器件的工序中用含有下述(a)～(d)成分的研磨用组合物同时研磨钨膜和绝缘膜，
(a)二氧化硅
(b)过碘酸
(c)选自氨、氢氧化钾、氢氧化钠、过碘酸铵、过碘酸钾和过碘酸钠的至少1种pH调整剂
(d)水。
7.根据权利要求6记载的研磨方法，其特征是，在所述研磨用组合物中，2A族、3B族、4B族、5B族、6B族、7B族、8族、1B族、2B族、镧系族、锕系族的各元素浓度分别在100ppb以下。
8.根据权利要求7记载的研磨用组合物，其特征是，铝、镓、铟、铊、锡、铅、铋、氟和氯的各元素浓度分别在100ppb以下。
9.根据权利要求6或7记载的研磨方法，其特征是，所述二氧化硅是用溶胶凝胶法制造的二氧化硅。
10.根据权利要求6记载的研磨方法，其特征是，所述研磨用组合物的pH为4.5～7。
11.一种半导体器件的研磨方法，其特征是，在至少具有钨膜和绝缘膜的半导体装置制造的研磨工序中，除去钨膜的大部分后，用权利要求1-5中任1项记载的研磨组合物进行精加工研磨。
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