CN1243137C - 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法 - Google Patents

掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1243137C
CN1243137C CNB031160409A CN03116040A CN1243137C CN 1243137 C CN1243137 C CN 1243137C CN B031160409 A CNB031160409 A CN B031160409A CN 03116040 A CN03116040 A CN 03116040A CN 1243137 C CN1243137 C CN 1243137C
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
aluminum garnet
yttrium aluminum
annealing
hour
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB031160409A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1441092A (zh
Inventor
赵志伟
徐晓东
邓佩珍
徐军
宋平新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Original Assignee
Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS filed Critical Shanghai Institute of Optics and Fine Mechanics of CAS
Priority to CNB031160409A priority Critical patent/CN1243137C/zh
Publication of CN1441092A publication Critical patent/CN1441092A/zh
Priority to PCT/CN2004/000240 priority patent/WO2004085719A1/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1243137C publication Critical patent/CN1243137C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16Oxides
    • C30B29/22Complex oxides
    • C30B29/28Complex oxides with formula A3Me5O12 wherein A is a rare earth metal and Me is Fe, Ga, Sc, Cr, Co or Al, e.g. garnets

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法,其特征是包括以下步骤:将Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中,该坩埚盖半开启,一并放入马弗炉中;马弗炉以小于50℃/小时的速率升温,升温至1000℃-1300℃;恒温48小时;以小于30℃/小时的速率降至室温,取出Yb:YAG晶体。经本发明方法退火,晶体中不存在散射颗粒,晶体应力完全消失,激光性能和光学性能都有提高。

Description

掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法
技术领域:
本发明涉及掺镱钇铝石榴石激光晶体(以下简称Yb:YAG),特别是一种镱钇铝石榴石晶体的退火方法。
背景技术:
近年来,激光惯性约束核聚变的研究进展表明,Yb3+离子比Nd3+离子在相同的基质中的存储寿命、发射截面、泵浦效率以及吸收波长和二极管激光波长匹配等综合性能均占有明显的优势,其中Yb:YAG晶体具有如下优点:Yb3+在940nm附近宽的吸收带(18nm),能与InGaAs激光二极管有效耦合;量子缺陷小、量子效率高达90%。(比Nd3+离子要高3倍多);荧光寿命长(951μs),是Nd3+的3倍多,具有高的能量储存能力;没有浓度猝灭效应;没有激发态吸收和荧光猝灭效应;热负荷仅为掺Nd3+的1/3。此外,由于其基质YAG具有良好的综合物理化学性能而备受瞩目。目前的退火都是基于Nd:YAG的退火工艺在1600℃进行,往往造成大量的散射颗粒,严重地影响了晶体的激光性能,采用炉内通部分氧气退火的办法虽然可以消除散射颗粒,但是还会造成大量贵金属铱的氧化损耗。
发明内容:
本发明要解决的技术问题在于克服上述现有技术的缺点,提供一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法,以消除现有技术退火产生的相变而造成晶体中的散射颗粒和生长炉内通氧气产生的大量贵金属铱的氧化损耗,从而减少缺陷,提高光谱和激光性能。
本发明的技术解决方案:
一种激光晶体掺镱钇铝石榴石(以下简称Yb:YAG)晶体的退火方法,其特征在于包括以下步骤。
①将Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中,该坩埚盖半开启,一并放入马弗炉中;
②马弗炉以小于50℃/小时的速率升温,升温至1000℃-1300℃;
③恒温48小时;
④以小于30℃/小时的速率降至室温,取出Yb:YAG晶体。
所述的马弗炉的最佳升温速率为30℃/小时。
所述的马弗炉的最佳降温速率为16℃/小时。
通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。确实解决了以往因为高温退火产生的相变而在晶体中产生散射颗粒的问题或生长炉内通氧气产生的大量贵金属铱的氧化损耗问题,大大减少了晶体的缺陷,提高了晶体的光谱和激光性能。
附图说明:
图1是本发明退火装置结构剖示图
图中:
1-耐火砖  2-发热体  3-坩埚  4-晶体  5-纯YAG碎料
6-垫板
具体实施方式:
请参见图1,下面结合实施例对本发明作进一步说明。
实施例1:
将5at.%Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。马弗炉以50℃/小时的速度升温,升温至1000℃,恒温56小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例2:
将10at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1050℃,恒温72小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例3:
将15at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1100℃,恒温48小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例4:
将20at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1150℃,恒温24小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例5:
将25at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1200℃,恒温48小时后以30℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例6:
将30at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1250℃,恒温48小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。
实施例7:
将50at.%.Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中。将将坩埚盖半启,放入马弗炉中(图1)。将马弗炉以30℃/小时的速度升温,升温至1300℃,恒温48小时后以16℃/小时的速度缓慢降至室温,出炉。通过以上退火处理Yb:YAG晶体由原来的绿色变为无色透明,吸收光谱中二价Yb离子吸收峰消失,已经全部转化成为三价的Yb离子,通过激光束在侧面观察,晶体中不存在散射颗粒,通过正交偏光应力仪观察晶体应力完全消失,表明退火完全达到效果。

Claims (3)

1、一种掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法,其特征在于包括以下步骤。
①将Yb:YAG晶体放入盛有纯钇铝石榴石碎晶体的氧化铝坩埚中,该坩埚盖半开启,一并放入马弗炉中;
②马弗炉以小于50℃/小时的速率升温,升温至1000℃--1300℃;
③恒温48小时;
④以小于30℃/小时的速率降至室温,取出Yb:YAG晶体。
2、根据权利要求1所述的掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法,其特征在于所述的马弗炉的升温速率为30℃/小时。
3、根据权利要求1或2所述的掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法,其特征在于所述的马弗炉的降温速率为16℃/小时。
CNB031160409A 2003-03-28 2003-03-28 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法 Expired - Fee Related CN1243137C (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031160409A CN1243137C (zh) 2003-03-28 2003-03-28 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法
PCT/CN2004/000240 WO2004085719A1 (fr) 2003-03-28 2004-03-23 Procédé de recuisson de cristaux de grenat d'yttrium-aluminium dopés à l'ytterbium

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CNB031160409A CN1243137C (zh) 2003-03-28 2003-03-28 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1441092A CN1441092A (zh) 2003-09-10
CN1243137C true CN1243137C (zh) 2006-02-22

Family

ID=27770405

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB031160409A Expired - Fee Related CN1243137C (zh) 2003-03-28 2003-03-28 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN1243137C (zh)
WO (1) WO2004085719A1 (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1326790C (zh) * 2005-10-28 2007-07-18 宁波大学 稀土离子掺杂的yag微晶玻璃及其制备方法
CN100434574C (zh) * 2005-12-02 2008-11-19 西南技术物理研究所 掺镱和四价铬钇铝石榴石激光晶体的生长方法
US7535947B2 (en) 2006-10-20 2009-05-19 Raytheon Company Enhanced beam quality from a laser rod using interstitial dopants
US7633981B2 (en) * 2006-10-20 2009-12-15 Raytheon Company Reverse oxidation post-growth process for tailored gain profile in solid-state devices
CN102363898A (zh) * 2011-11-19 2012-02-29 元亮科技有限公司 一种用于生长石榴石型单晶的蓝宝石坩埚
CN103409806A (zh) * 2013-08-13 2013-11-27 安徽环巢光电科技有限公司 一种掺钕、铈和铬的钇铝石榴石晶体的退火方法
CZ305900B6 (cs) * 2014-02-11 2016-04-27 Fyzikální ústav AV ČR, v.v.i. Příprava výkonových laserových monokrystalických slabů na bázi ytterbiem dopovaných aluminátů granátu s potlačením ASE
CN104357899B (zh) * 2014-11-21 2017-03-29 中国电子科技集团公司第二十六研究所 大尺寸Yb‑YAG激光晶体泡生法制备方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1006815B (zh) * 1988-08-02 1990-02-14 西南技术物理研究所 掺钕和铈的钇铝石榴石晶体的退火技术
JPH04259269A (ja) * 1991-02-13 1992-09-14 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 固体レーザーロッドの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
WO2004085719A1 (fr) 2004-10-07
CN1441092A (zh) 2003-09-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1243137C (zh) 掺镱钇铝石榴石晶体的退火方法
WO2021004078A1 (zh) 一种掺谱钪酸钆可见波段激光晶体及其制备方法
CN1785870A (zh) 稀土离子掺杂的yag微晶玻璃及其制备方法
Chen et al. Exaggerated grain growth caused by ZrO2-doping and its effect on the optical properties of Tb3Al5O12 ceramics
Pandey et al. Temperature induced upconversion behaviour of Ho3+-Yb3+ codoped yttrium oxide films prepared by pulsed laser deposition
CN107841789A (zh) 一种镝铽共掺的铝酸钇可见波段激光晶体及其制备方法
CN110468452B (zh) 一种中红外铥钬共掺倍半氧化物激光单晶光纤及其制备方法和应用
CN1837418A (zh) 掺镱硼酸镧钙激光晶体及其制备方法和用途
CN101037796A (zh) 掺钕硼酸氧钙钆镧激光晶体及其制备方法和用途
CN1298896C (zh) Er3+,Yb3+,Ce3+共掺的CaF2激光晶体及其生长方法
CN101545143A (zh) 提高掺铈钇铝石榴石晶体发光效率的退火方法
CN1262504C (zh) Er3+/Yb3+共掺氧氯碲酸盐玻璃及其制备方法
CN1837419A (zh) 掺镱硼酸氧钙钇镧激光晶体及其制备方法和用途
Shur et al. Optical properties of Er doped congruent and stoichiometric LiNbO3 single crystals
CN1966780A (zh) 掺钕钼酸钇钠激光晶体及其制备方法和用途
CN100469950C (zh) 一种掺镱硼酸钇锶飞秒激光晶体
CN100340703C (zh) 掺钕铝钽酸镧锶激光晶体及其制备方法
CN1635192A (zh) 共掺钠和镱氟化钙激光晶体及其生长方法
CN1006815B (zh) 掺钕和铈的钇铝石榴石晶体的退火技术
CN1236028A (zh) 掺钕离子的钒酸钆钇激光晶体
CN113818078B (zh) 一种铕掺杂硼酸盐激光晶体材料及其制备方法和应用
CN114836831B (zh) 一种Er,Dy共掺氟化铅中红外激光晶体及其制备方法与应用
CN118461118B (zh) 一种蓝绿光激光增益介质材料及其制备方法
CN1292107C (zh) 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
CN112831837B (zh) 镝铽共掺含钪石榴石激光晶体及其制备方法和ld泵浦该晶体实现黄光激光输出的应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C17 Cessation of patent right
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20060222

Termination date: 20120328