CN1237516C - 磁头万向组件 - Google Patents

Abstract

HGA包括：磁头滑块，至少具有一个薄膜磁头元件；金属悬挂，用于支撑磁头滑块；信号迹线导体，通过绝缘材料层形成在金属悬挂上，用于传输至少一个薄膜磁头元件的信号；以及外部信号连接端片，通过绝缘材料层形成在金属悬挂上，并与信号迹线导体实现电连接。至少将位于外部信号连接端片下方的部分金属悬挂去除。

Description

磁头万向组件

技术领域

本发明涉及用于磁盘存储装置或磁光盘存储装置的磁头万向组件(head gimbal assembly)(HGA)。

背景技术

例如，Ohe等人的发明(第06215513 A号日本专利公布文献)以及Erpelding等人的发明(第4.996,623号美国专利)披露了一种具有金属悬挂(suspension)的HGA，在该金属悬挂上形成用于薄膜磁头元件的迹线导体和连接端片的引线导电图案。

Ohe等人对利用光刻法，在承载梁上形成用于与薄膜磁头元件相连的引线导电图案的过程进行了披露，而Erpelding等人披露了一种层叠悬挂，在层叠悬挂上设置柔性塑料材料片、与柔性塑料材料片的一面接合的不锈钢层以及具有用于实现电连接的迹线导电图案并与柔性塑料材料片的另一面接合的铜质层。

在这两个公知技术中，将用于连接薄膜磁头元件的迹线导体形成在绝缘材料层上，绝缘材料层层叠在基底金属层上。因此，在迹线导体与基底金属层之间产生电容。由于基底金属层被接地，所以在引线导电图案与地之间将产生寄生电容。此寄生电容与迹线导体产生的寄生电感以及薄膜磁头元件的电感分量结合在一起，因此，会产生接近数据传输频率的谐振。如果出现这种谐振，则不能传输其频率高于此谐振频率的读取数据。

为了解决现有技术中的此问题。本专利申请发明人提出了一种通过在信号迹线导体之下的位置，通过悬挂或在悬挂上形成通路孔或凹槽，来降低迹线导体与地之间的寄生电容的方法(Shiraishi等人的发明(第09282624 A号日本专利申请公布文献))。

然而，即使利用这种公知技术降低了寄生电容，仍难以完全抑制产生寄生电容。因此，根据不断增加当今的HDD内的密度和数据存储容量的要求，在磁盘内具有更高的记录频率和更高的再现频率的要求不能被充分满足。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供一种HGA，利用该HGA可以提高记录频率和再现频率。

本发明涉及的HGA包括：磁头滑块，至少具有一个薄膜磁头元件；金属悬挂，用于支撑磁头滑块；信号迹线导体，通过绝缘材料层形成在金属悬挂上，用于传输至少一个薄膜磁头元件输出的信号；以及外部信号连接端片，通过绝缘材料层形成在金属悬挂上，并与信号迹线导体实现电连接。具体地说，根据本发明，至少将外部信号连接端片之下的部分金属悬挂去除。

从Shiraishi等人的专利中可以得知降低迹线导体与金属悬挂之间的寄生电容的技术。如果根据此寄生电容降低技术、在信号迹线导体之下的位置通过金属悬挂形成多个通路孔来制造HGA，则会在某种程度上提高数据传输频率。然而，传输频率的提高是有限的，并且难以满足当前的高传输频率要求。本专利申请发明人利用高速数字设计领域内众所周知的测量工具-时域反射(TDR)计(meter)对根据公知寄生电容降低技术制造的传统结构HGA的阻抗特性进行了分析。

图1示出利用TDR计测量的HGA阻抗特性结果。如图所示，横轴表示对应于下图所示HGA信号迹线导体位置的时间，纵轴表示阻抗。

从图中可以看出，在HGA的外部信号连接端片10位置的特性阻抗出现大电容性断续部分。可以认为出现这种断续，是因为在金属悬挂与信号迹线导体相比具有大得多的区域的外部信号连接端片10或其它连接端片之间产生了大寄生电容。

因此，根据本发明，至少将位于外部信号连接端片之下的部分金属悬挂去除以大幅度降低这些连接端片与金属悬挂之间的寄生电容。结果，可以进一步提高电谐振频率并且可以大幅度提高数据传输频率。因此，可以充分满足当前对高传输频率的要求。

通常根据C≈ε_rS/d，确定电容器的电容C，其中ε_r相对电容器电极之间的绝缘材料层的相对介电常数，S是相对电极的相对面积，d是电极之间的距离。可以通过以下过程，减小寄生电容：

(1)增加金属悬挂与导电图案(conductive pattern)之间的距离d；

(2)降低金属悬挂与导电图案之间的绝缘材料层的相对介电常数ε_r；以及/或

(3)减小金属悬挂与导电图案之间的相对面积。

然而，如果通过增加金属悬挂与连接端片之间的绝缘材料层的厚度来增加(1)所述距离d，则这样就会严重降低悬挂的挠性。此外，降低(2)所述相对介电常数ε_r也有难度，因为很少有这样的绝缘材料，即该绝缘材料的相对介电常数比现在使用的聚酰亚胺的相对介电常数低(ε_r＝3.3)，而且它具有良好层绝缘特性。因此，根据本发明，至少将外部信号连接端片之下的部分金属悬挂去除以增加(3)所述的相对面积S，并由此降低导电图案与金属悬挂之间的寄生电容。

此外，由于在外部信号连接端片之下没有金属层，所以位于这些连接端片下方的空气起到热绝缘层的作用，因此提高了焊接时的焊接性能。

金属悬挂优先包括：金属承载梁；金属弯曲件，设置在金属承载梁上；外部信号连接端片，形成在金属弯曲件上，并且例如，优先通过至少形成一个通路孔，至少将位于外部信号连接端片下方的部分金属弯曲件去除。

在这种情况下，例如，最好通过至少形成一个通路孔，至少将位于外部信号连接端片下方的部分金属承载梁去除。

金属悬挂还最好包括：金属弯曲件；外部信号连接端片，形成在金属弯曲件上，并且例如，最好通过至少形成一个通路孔，至少将位于外部信号连接端片下方的部分金属弯曲件去除。

还最好使信号迹线导体与至少一个薄膜磁头元件直接相连。

HGA还进一步最好包括安装在金属悬挂上的驱动IC芯片，该驱动IC芯片包括至少一个薄膜磁头元件的电路，并且通过驱动IC芯片，信号迹线导体还最好与至少一个薄膜磁头元件相连。

HGA最好进一步包括：电源迹线导体，形成在金属悬挂绝缘材料层上，用于对驱动IC芯片供电；以及外部电源连接端片，形成在金属悬挂绝缘材料层上，并电连接到电源迹线导体。

最好保留位于外部电源连接端片下方的金属悬挂。此外，还最好保留位于电源迹线导体下方的金属悬挂。

至少最好去除位于信号迹线导体下方的部分金属悬挂。

金属悬挂还最好包括：金属承载梁；金属弯曲件，设置在金属承载梁上；信号迹线导体，形成在金属弯曲件上，并且至少最好将位于信号迹线导体下方的部分金属弯曲件去除。在这种情况下，还至少最好去除位于信号迹线导体下方的部分金属承载梁。

金属悬挂进一步最好包括：金属弯曲件；信号迹线导体，设置在金属弯曲件上，并且至少最好去除位于信号迹线导体下方的部分金属弯曲件。

根据以下对附图所示的本发明优选实施例所做的说明，本发明的其它目的和优点将变得更加明显。

附图说明

图1示出已经说明了的、采用TDR计的现有技术HGA的特性阻抗测量结果；

图2a示出根据本发明HGA的优选实施例的平面图；

图2b示出图2a所示的圆形B内的信号迹线导体和弯曲件的结构；

图2c示出说明图2a所示磁头滑块结构的斜视图；

图3示出详细说明图2a和图2b所示外部信号连接端片的一部分的放大平面图；

图4示出图3的IV-IV线剖视图；

图5示出说明通路孔的变换例的平面图；

图6示出说明通路孔的另一个变换例的平面图；

图7示出根据本发明HGA另一个实施例的外部信号连接端片的剖视图；

图8a示出根据本发明HGA的又一个实施例的平面图；

图8b示出位于图8a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构；

图8c示出位于图8a所示圆形C内的信号迹线导体和弯曲件的结构；

图8d示出说明图8a所示磁头滑块结构的斜视图；

图9示出详细说明图8a至图8c所示外部电源迹线导体和外部信号连接端片一部分的放大图；

图10示出图9的X-X线剖视图；

图11a示出根据本发明HGA的又一个实施例的平面图；

图11b示出位于图11a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构；

图11c示出位于图11a所示圆形C内的信号迹线导体和弯曲件的结构；

图11d示出图11a所示磁头滑块结构的斜视图；

图12示出图11a的XII-XII线剖视图；以及

图13示出作为图11a至图11d所示实施例的变换例、位于图11a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构。

实现本发明的最佳方式

图2a示出根据本发明的HGA的优选实施例，图2b示出图2a所示圆形B内的信号迹线导体的结构和弯曲件(flexure)，如2c示出图2a所示磁头滑块(slider)的结构，图3详细示出图2a和图2b所示外部信号连接端片的一部分，图4是图3的IV-IV剖视图。在图2a中，未示出信号迹线导体。

如这些图所示，通过将至少具有一个薄膜磁头元件21e的磁头滑块21固定到悬挂20的顶端部分，组装HGA。尽管未示出，但是将用于驱动磁头元件21e以及用于放大磁头元件的读出信号的驱动IC芯片安装到此悬挂20的中部。

此悬挂20主要包括：弹性弯曲件22，在其一个端部装有磁头滑块2 1；弹性承载梁23，支撑并固定弯曲件22；基板24，固定在承载梁23的基端部分。

磁头滑块21至少具有一个由写磁头元件和磁阻效应读磁头元件构成的薄膜磁头元件21e。尽管它仅是一个例子，但是磁头滑块21的尺寸为：1.25mm×1.0mm×0.3mm。

弯曲件22具有被在承载梁23上形成的凹坑(dimple)(未示出)压下的挠性舌片(未示出)，弯曲件22还具有弹性，用于利用舌片挠性支撑磁头滑块21以对滑块提供自由度。在此实施例中，弯曲件22由厚度约为25μm、宽度大致均匀的不锈钢板制成(例如：SUS304TA)。

关于引线，在弯曲件22上沿其全长形成4个薄膜导电图案信号迹线导体25a至25d。迹线导体25a至25d的一端与4个磁头连接端片26a至26d相连。这4个磁头连接端片26a至26d与安装在弯曲件22的一个端部(顶端部分)的磁头滑块21的4个端子电极21a至21d相连。迹线导体25a至25d的另一端与形成在弯曲件22的另一个端部(后端部)的4个外部信号连接端片27a至27d实现电连接。事实上，图1所示的链接PFC(软性印制电路)与外部信号连接端片27a-27d相连。

可以利用类似于在金属薄板上形成印刷电路板的印制图案方法的众所周知方法，形成薄膜导电图案。即，如图4所示，通过以此顺序在弯曲件22上顺序沉积约5μm厚的聚酰亚胺层40(下绝缘材料层)、约4μm厚的印制图案Cu层(信号迹线导体层25a至25d、磁头连接端片26a至26d或外部信号连接端片27a至27d)以及约5μm厚的聚酰亚胺层41(上绝缘材料层)，形成导电图案。在修改实施例中，可以将预先沉积的导电图案多层薄膜层叠在弯曲件22上。在连接端片区域内，在Cu层上顺序沉积Ni层和Au层，并且没有上绝缘材料层。

承载梁23具有弹性，所以在运行时，可以向着磁盘方向压下滑块21，从而获得稳定浮动高度。在此实施例中，此承载梁23由厚度约为60至65μm的弹性不锈钢板制成，并沿其全长支撑弯曲件22。承载梁23具有随着逐渐靠近其顶端宽度变窄的形状。例如，通过利用激光束在多个点进行点焊，将弯曲件22固定到承载梁23上。如下所述，在此实施例中，悬挂20是由弯曲件22、承载梁23以及基板24的单独部件构成的三件结构。在这种三件结构中，弯曲件22的刚性被设定为比承载梁23的刚性低。

基板24由厚度比承载梁23的厚度高的不锈钢板或铁板制成，例如，通过利用激光束进行点焊，将基板24固定到承载梁23的基端部分。通过利用机械方法将基板24的安装件24a挤压到支撑臂，将HGA安装到每个支撑臂(未示出)。

如图2a和2b所示，例如，通过在信号迹线导体25a至25d通过的位置，在弯曲件22的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔28。在弯曲件22上形成的这些通路孔28减少了作为迹线导体的相对电极工作的弯曲件22的有效面积。因此，根据此配置，可以降低信号迹线导体与弯曲件22之间的寄生电容。此外，在弯曲件22上形成通路孔28也可以减轻悬挂本身的重量，从而显著提高整个悬挂的机械共振特性和动态振动特性。

在此实施例中，最重要配置是，例如通过在外部信号连接端片27a至27d所在位置，在弯曲件22的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔29，如图2a至图4所示。因此，可以减小作为外部信号连接端片27a至27d的相对电极工作的弯曲件22的有效面积，外部信号连接端片27a至27d的面积比信号迹线导体25a至25d的面积大得多，所以可以显著降低外部信号连接端片与弯曲件之间的寄生电容。具体地说，在此实施例中，由于仅在弯曲件22上形成通路孔29，所以外部信号连接端片27a至27d对着位于在通路孔29区域内弯曲件22下方的承载梁23以增大电容器电极之间的间距。因此，可以显著降低外部信号连接端片与弯曲件或基板之间的寄生电容。结果，可以在此区域内避免出现阻抗不匹配现象，并且还可以完全抑制因为引线引起的电谐振影响。因此，有希望实现以较高频率进行记录和再现。

此外，由于没有金属层，而是在外部信号连接端片27a至27d的下方具有通路孔，所以通路孔内的空气可以起到热绝缘层的作用，从而在进行焊接时，提高焊接性能。

在此实施例中，通路孔29的尺寸比每个外部信号连接端片27a至27d的尺寸小。然而，在修改实施例中，通路孔的尺寸还可以等于或大于外部信号连接端片27a至27d的尺寸。尽管在此实施例中将每个通路孔29的形状大致形成为矩形，但是在修改实施例中，可以将它形成为任何形状，例如椭圆形或另一种多边形。各通路孔的形状和尺寸可以彼此相同也可以不同。

尽管仅是修改实施例，但是所形成的是其形状大致为矩形、其纵轴垂直于外部信号连接端片27a至27d的纵轴的通路孔59，如图5所示。由于信号迹线导体25a至25d从相应外部信号连接端片27a至27d出来的方向垂直于这些外部信号连接端片27a至27d的纵轴，所以还可以将位于信号迹线导体下方的弯曲件22的各部分去除，从而进一步降低寄生电容。

此外，尽管它是另一个修改实施例，但是还可以在位于4个外部信号连接端片27a至27d下方的弯曲件22上形成单个连续通路孔69，如图6所示。另外，还可以在每个外部信号连接端片的下方的弯曲件22上形成两个或更多个通路孔(未示出)。也就是说，可以形成与外部信号连接端片27a至27d具有不同数量的通路孔。

图7示出根据本发明的HGA的另一个实施例的外部信号连接端片，并且该图还是图3的IV-IV线剖视图。

在此实施例中，不仅在外部信号连接端片27a至27d位置，在弯曲件22上形成通路孔29，而且在外部信号连接端片27a至27d位置，在层叠在弯曲件22的下方的承载梁23上形成通路孔79。在信号迹线导体所在位置，在弯曲件22和承载梁23上形成同样的通路孔。

根据此实施例，由于还在承载梁23上附加形成通路孔79，所以可以进一步降低寄生电容，并且可以进一步减轻悬挂的重量。

此实施例的另一种配置、变换例、运行过程以及优点与图2a至图6所示实施例中的大致相同。

图8a示出根据本发明的HGA的另一个实施例，图8b示出位于图8a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构，图8c示出位于图8a所示圆形C内的信号迹线导体和弯曲件的结构，图8d示出图8a所示磁头滑块的结构，图9详细示出图8a至图8c所示外部电源迹线导体和外部信号连接端片的一部分，图10是图9的X-X线剖视图。在图8a中，省略示出电源迹线导体和信号迹线导体。

如这些图所示，通过将至少具有一个薄膜磁头元件81e的磁头滑块安装到悬挂80的基端部分来组装HGA。具体地说，在此实施例中，将用于驱动磁头元件81e以及用于放大磁头元件的读出信号的驱动IC芯片90安装到悬挂80的中部。

悬挂80主要包括：弹性弯曲件82，在其一个端部装有磁头滑块81；弹性承载梁83，支撑并固定弯曲件82；基板84，固定在承载梁83的基端部分。

磁头滑块81至少具有一个由写磁头元件和MR读磁头元件构成的薄膜磁头元件81e。尽管它仅是一个例子，但是磁头滑块81的尺寸为：1.25mm×1.0mm×0.3mm。

弯曲件82具有被形成在承载梁83上的凹坑压下的挠性舌片(未示出)，弯曲件82还具有弹性，用于利用舌片挠性支撑磁头滑块81以对滑块提供自由度。在此实施例中，弯曲件82由厚度约为25μm、宽度大致均匀的不锈钢板制成(例如：SUS304TA)。

关于引线，在弯曲件82的顶端与驱动IC芯片90之间的顶端侧面区域内，在弯曲件82上，形成4个薄膜导电图案信号迹线导体85a至85d。迹线导体85a至85d的一端与4个磁头连接端片86a至86d相连。这4个磁头连接端片86a至86d与安装在弯曲件82的一个端部(顶端部分)的磁头滑块81的4个端子电极81a至81d实现电连接。迹线导体85a至85d的另一端与形成在弯曲件82上的芯片连接端片(未示出)相连。

在弯曲件82的后端与驱动IC芯片90之间的后端侧面区域内，将薄膜导电图案形式的两个信号迹线导体91a和91b以及两个电源迹线导体92a和92b形成在弯曲件82上作为引线。这两个信号迹线导体91a和91b以及这两个电源迹线导体92a和92b的一端分别与形成在弯曲件82上的芯片连接端片(未示出)相连，而另一端与形成在弯曲件82的另一个端部(后端部分)的两个外部信号连接端片93a和93b以及两个外部电源连接端片94a和94b相连。事实上，图1所示的链接PFC与外部信号连接端片93a和93b以及外部电源连接端片94a和94b相连。

可以利用类似于在金属薄板上形成印刷电路板的印制图案方法的众所周知方法，形成薄膜导电图案。即，如图10所示，通过以此顺序在弯曲件82上顺序沉积约5μm厚的聚酰亚胺层100(下绝缘材料层)、约4μm厚的印制图案Cu层(信号迹线导体层85a至85d、91a和91 b、电源迹线导体92a和92b、磁头连接端片86a至86d、芯片连接端片、外部信号连接端片93a和93b或外部电源连接端片94a和94b)以及约5μm厚的聚酰亚胺层101(上绝缘材料层)，形成导电图案。在修改实施例中，可以将预先沉积的多层薄膜导电图案层叠在弯曲件82上。在连接端片区域内，在Cu层上顺序沉积Ni层和Au层，并且没有上绝缘材料层。

承载梁83具有弹性，所以在运行时，可以向着磁盘方向压下滑块81，从而获得稳定浮动高度。在此实施例中，此承载梁83由厚度约为60至65μm的弹性不锈钢板制成，并沿其全长支撑弯曲件82。承载梁83具有随着逐渐靠近其顶端宽度变窄的形状。例如，通过利用激光束在多个点进行点焊，将弯曲件82固定到承载梁83上。如下所述，在此实施例中，悬挂80是由弯曲件82、承载梁83以及基板84的单独部件构成的三件结构。在这种三件结构中，弯曲件82的刚性被设定为比承载梁83的刚性低。

基板24由厚度比承载梁83的厚度厚的不锈钢板或铁板制成，例如，通过利用激光束进行点焊，将基板84固定到承载梁83的基端部分。通过利用机械方法将基板84的安装件84a挤压到支撑臂，将HGA安装到每个支撑臂(未示出)。

如图8a至8c所示，例如，通过在信号迹线导体85a至85d、91a和91b通过的位置，在弯曲件82的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔88和95。在弯曲件82上形成的这些通路孔88和95减少了作为迹线导体的相对电极工作的弯曲件82的有效面积。因此，根据此配置，可以降低信号迹线导体与弯曲件82之间的寄生电容。此外，在弯曲件82上形成通路孔88和95还减轻了悬挂本身的重量，从而显著提高整个悬挂的机械共振特性和动态振动特性。然而，在电源迹线导体92a和92b通过的位置，在弯曲件82上不形成通路孔，因为要求电源线的容量要大。

在此实施例中，最重要配置是，例如通过在外部信号连接端片93a和93b所在位置，在弯曲件82的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔89，如图8a至图10所示。因此，可以减小作为外部信号连接端片93a和93b的相对电极工作的弯曲件82的有效面积，外部信号连接端片93a和93b的面积比信号迹线导体85a至85d、91a以及91b的面积大得多，所以可以显著降低外部信号连接端片与弯曲件之间的寄生电容。具体地说，在此实施例中，由于仅在弯曲件82上形成通路孔89，所以外部信号连接端片93a和93b对着在通路孔29区域内位于弯曲件82下方的承载梁83以增大电容器电极之间的间距。因此，可以显著降低外部信号连接端片与弯曲件或基板之间的寄生电容。结果，可以在此区域内避免出现阻抗不匹配现象，并且还可以完全抑制因为引线引起的电谐振影响。因此，有希望实现以较高频率进行记录和再现。

此外，由于没有金属层，而是在外部信号连接端片93a和93b的下方具有通路孔，所以通路孔内的空气可以起到热绝缘层的作用，从而在进行焊接时，提高焊接性能。

如上所述，因为要求电源线的容量要大，所以在外部电源连接端片94a和94b所在位置，在弯曲件82的不锈钢板上不形成通路孔。

在此实施例中，为了交替流过写信号和读信号，在弯曲件82的后端与驱动IC芯片90之间的后端侧面区域内形成两个信号迹线导体91a和91b以及两个外部信号连接端片93a和93b。还可以将具有4个信号迹线导体和4个外部信号连接端片的HGA应用于本发明和此

实施例。

此实施例的另一种配置、修改、运行过程以及优点与图2a至图6所示实施例的配置、修改、运行过程以及优点大致相同。

图11a示出根据本发明的HGA的又一个实施例，图11b示出位于图11a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构，图11c示出位于图11a所示圆形C内的信号迹线导体和弯曲件的结构，图11d示出图11a所示磁头滑块的结构，图12是图11a的XII-XII线剖视图。在图11a中，省略示出电源迹线导体和信号迹线导体。

如这些图所示，通过将至少具有一个薄膜磁头元件111e的磁头滑块111安装到悬挂110的基端部分来组装HGA。在此实施例中，悬挂110具有长尾结构，将用于驱动磁头元件111e和磁头元件以及用于放大磁头元件的读出信号的驱动IC芯片120安装到悬挂110上基板114的侧面位置。

悬挂110主要包括：弹性弯曲件112，在其一个端部装有磁头滑块111；弹性承载梁113，支撑并固定弯曲件112；基板114，固定在承载梁113的基端部分。

磁头滑块111至少具有一个由写磁头元件和MR读磁头元件构成的薄膜磁头元件111e。尽管它仅是一个例子，但是磁头滑块111的尺寸为：1.25mm×1.0mm×0.3mm。

弯曲件112具有挠性舌片(未示出)，挠性舌片被形成在承载梁113上的凹坑压下，弯曲件112还具有弹性，用于利用舌片柔性支撑磁头滑块111以对滑块提供自由度。在此实施例中，弯曲件112由厚度约为25μm、宽度大致均匀的不锈钢板制成(例如：SUS304TA)。

关于引线，在弯曲件112的顶端与驱动IC芯片120之间的顶端侧面区域内，在弯曲件112上，形成4个薄膜导电图案信号迹线导体115a至115d。迹线导体115a至115d的一端与4个磁头连接端片116a至116d相连。这4个磁头连接端片116a至116d与安装在弯曲件112的一个端部(顶端部分)的磁头滑块111的4个端子电极111a至111d实现电连接。迹线导体115a至115d的另一端与形成在弯曲件112上的芯片连接端片(未示出)相连。

在弯曲件112的后端与驱动IC芯片120之间的后端侧面区域内，将薄膜导电图案形式的两个信号迹线导体121a和121b以及两个电源迹线导体122a和122b形成在弯曲件112上作为引线。这两个信号迹线导体121a和121b以及这两个电源迹线导体122a和122b的一端与形成在弯曲件112上的芯片连接端片(未示出)相连，而另一端与形成在弯曲件112的另一个端部(后端部分)的两个外部信号连接端片123a和123b以及两个外部电源连接端片124a和124b相连。如图11a所示，这两个外部信号连接端片123a和123b以及外部电源连接端片124a和124b在后面远离基板114，并且在基板114后面区域内在弯曲件112的下方不形成承载梁。在这种长尾结构HGA中，不需要使用图1所示的链接FPC。

可以利用类似于在金属薄板上形成印刷电路板的印制图案方法的众所周知方法，形成薄膜导电图案。即，如图12所示，通过以此顺序在弯曲件112上顺序沉积约5μm厚的聚酰亚胺层130(下绝缘材料层)、约4μm厚的印制图案Cu层(信号迹线导体层115a至115d、121a和121b、电源迹线导体122a和122b、磁头连接端片116a至116d、芯片连接端片、外部信号连接端片123a和123b或外部电源连接端片1124a和1124b)以及约5μm厚的聚酰亚胺层131(上绝缘材料层)，形成导电图案。在修改实施例中，可以将预先沉积的多层薄膜导电图案层叠在弯曲件112上。在连接端片区域内，在Cu层上顺序沉积Ni层和Au层，并且没有上绝缘材料层。

承载梁113具有弹性，所以在运行时，可以向着磁盘方向压下滑块111，从而获得稳定浮动高度。在此实施例中，此承载梁113由厚度约为60至65μm的弹性不锈钢板制成，并支撑部分弯曲件112。承载梁113具有随着逐渐靠近其顶端宽度变窄的形状。例如，通过利用激光束在多个点进行点焊，将弯曲件112固定到承载梁113上。如下所述，在此实施例中，悬挂110是由弯曲件112、承载梁113以及基板114的单独部件构成的三件结构。在这种三件结构中，弯曲件112的刚性被设定为比承载梁113的刚性低。

基板114由厚度比承载梁113的厚度厚的不锈钢板或铁板制成，例如，通过利用激光束进行点焊，将基板114固定到承载梁113的基端部分。通过利用机械方法将基板114的安装件114a挤压到支撑臂，将HGA安装到每个支撑臂(未示出)。

如图11a至11c所示，例如，通过在信号迹线导体115a至115d、121a和121b通过的位置，在弯曲件112的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔118和125。在弯曲件112上形成的这些通路孔118和125减少了作为迹线导体的相对电极工作的弯曲件112的有效面积。因此，根据此配置，可以降低信号迹线导体与弯曲件112之间的寄生电容。此外，在弯曲件112上形成通路孔118和125还减轻了悬挂本身的重量，从而显著提高整个悬挂的机械共振特性和动态振动特性。然而，在电源迹线导体122a和122b通过的位置，在弯曲件112上不形成通路孔，因为要求电源线的容量要大。

在此实施例中，最重要配置是，例如通过在外部信号连接端片123a和123b所在位置，在弯曲件112的不锈钢板上进行蚀刻，形成多个通路孔119，如图11a至图12所示。因此，可以减小作为外部信号连接端片123a和123b的相对电极工作的弯曲件112的有效面积，外部信号连接端片123a和123b的面积比信号迹线导体115a至115d、1121a以及121b的面积大得多，所以可以显著降低外部信号连接端片与弯曲件之间的寄生电容。因此可以大幅度降低外部信号连接端片与弯曲件之间的寄生电容。结果，可以在此区域内避免出现阻抗不匹配现象，并且还可以完全抑制因为引线引起的电谐振影响。因此，有希望实现以较高频率进行记录和再现。

此外，由于没有金属层，而是在外部信号连接端片123a和123b的下方具有通路孔，所以通路孔内的空气可以起到热绝缘层的作用，从而在进行焊接时，提高焊接性能。

如上所述，因为要求电源线的容量要大，所以在外部电源束连接端片124a和124b所在位置，在弯曲件112的不锈钢板上不形成通路孔。

在此实施例中，为了交替流过写信号和读信号，在弯曲件112的后端与驱动IC芯片120之间的后端侧面区域内形成两个信号迹线导体和两个外部信号连接端片。还可以将具有4个信号迹线导体和4个外部信号连接端片的HGA应用于本发明和此实施例。

此实施例的另一种配置、修改、运行过程以及优点与图2a至图6所示的实施例的配置、修改、运行过程以及优点大致相同。

图13示出作为图11a至图11d所示实施例的修改、图11a所示圆形B内的电源迹线导体、信号迹线导体以及弯曲件的结构。

在此修改中，通过蚀刻工艺，将薄膜导电图案引线直接形成在弯曲件112上。具体地说，在此修改中，如图13所示，沿迹线导体121a和121b，不形成通路孔，将位于信号迹线导体121a和121b下方的弯曲件112的不锈钢板连续、完全去除。因此，可以进一步降低寄生电容，并且可以进一步减轻悬挂本身的重量。

此实施例的另一种配置、修改、运行过程以及优点与图11a至图11d所示的实施例的配置、修改、运行过程以及优点大致相同。

在本发明实质范围内，可以构造许多非常不同的本发明实施例。显然，本发明并不局限于上述说明的特定实施例，除所附权利要求所限定的外。

Claims (11)

1.一种磁头万向组件，该磁头万向组件包括：

磁头滑块，具有至少一个薄膜磁头元件；

金属悬挂，用于支撑所述磁头滑块，所述金属悬挂包括金属承载梁和设置在所述金属承载梁上的金属弯曲件；

信号迹线导体，通过绝缘材料层形成在所述金属悬挂上，用于传输所述至少一个薄膜磁头元件的信号；以及

外部信号连接端片，通过绝缘材料层形成在所述金属弯曲件上并与所述信号迹线导体电连接，

至少在位于所述外部信号连接端片之下的所述金属弯曲件上形成的一个通路孔。

2.根据权利要求1所述的磁头万向组件，其中至少去除位于所述外部信号连接端片下方的部分所述金属承载梁。

3.根据权利要求1所述的磁头万向组件，其中还至少在位于所述外部信号连接端片之下的所述金属承载梁上形成一个通路孔。

4.根据权利要求1所述的磁头万向组件，其中所述信号迹线导体与所述至少一个薄膜磁头元件直接相连。

5.根据权利要求1所述的磁头万向组件，其中所述组件进一步包括安装在所述金属悬挂上的驱动IC芯片，所述驱动IC芯片包括用于所述至少一个薄膜磁头元件的电路，并且其中通过所述驱动IC芯片，所述信号迹线导体与所述至少一个薄膜磁头元件相连。

6.根据权利要求5所述的磁头万向组件，其中所述组件进一步包括：电源迹线导体，通过绝缘材料层形成在所述金属悬挂上、用于对所述驱动IC芯片提供电源；以及外部电源连接端片，通过绝缘材料层形成在所述金属悬挂上并与所述电源迹线导体实现电连接。

7.根据权利要求6所述的磁头万向组件，其中保留位于所述外部电源连接端片下方的所述金属悬挂。

8.根据权利要求6所述的磁头万向组件，其中保留位于所述电源迹线导体下方的所述金属悬挂。

9.根据权利要求1-8中的任何一个所述的磁头万向组件，其中至少去除位于所述信号迹线导体下方的部分所述金属悬挂。

10.根据权利要求9所述的磁头万向组件，其中所述信号迹线导体形成在所述金属弯曲件上，并且其中至少去除位于所述信号迹线导体下方的部分所述金属弯曲件。

11.根据权利要求10所述的磁头万向组件，其中还至少去除位于所述信号迹线导体下方的部分所述金属承载梁。

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