CN1213334C - 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置 - Google Patents

电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1213334C
CN1213334C CNB021570094A CN02157009A CN1213334C CN 1213334 C CN1213334 C CN 1213334C CN B021570094 A CNB021570094 A CN B021570094A CN 02157009 A CN02157009 A CN 02157009A CN 1213334 C CN1213334 C CN 1213334C
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
reflection horizon
liquid crystal
crystal layer
electro
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB021570094A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1427287A (zh
Inventor
小田切赖广
泷泽圭二
中野智之
金子英树
田中千浩
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BOE Technology Group Co Ltd
BOE Technology HK Ltd
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1427287A publication Critical patent/CN1427287A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1213334C publication Critical patent/CN1213334C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133371Cells with varying thickness of the liquid crystal layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133553Reflecting elements
    • G02F1/133555Transflectors
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • G09G2300/0439Pixel structures
    • G09G2300/0456Pixel structures with a reflective area and a transmissive area combined in one pixel, such as in transflectance pixels

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Abstract

本发明的课题是在半透射反射型的电光装置,例如液晶装置中,提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。本发明是一种液晶装置用基板10,即电光装置用基板,具有:透光性的基体材料11;反射层12,在基体材料11上形成,具有反射部12r和其透射率比该反射部的透射率高的透射部12a;透光层25,堆叠在反射层12上,在基体材料11上形成,在与透射部12a在平面上重叠的位置上具有凹陷25a;以及取向膜17,堆叠在透光层25上,在基体材料11上形成,进入凹陷25a而形成凹部10a。与凹部10a对应的液晶层42的厚度“b”比其它的液晶层42的厚度“a”厚。

Description

电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置
(一)技术领域
本发明涉及液晶装置、有机EL装置等的电光装置中使用的基板及该基板的制造方法、液晶装置等的电光装置和使用该电光装置构成的电子装置。
(二)背景技术
迄今为止,已知有能看到利用外部光的反射型显示和利用来自背光源等的照明装置的光的透射型显示的任一种显示的半透射反射型的电光装置,例如液晶装置(参照专利文献1:特开2001-33778号公报)。在该半透射反射型的液晶装置中,在内部设置了反射外部光用的反射层,再者,使来自背光源等的照明光能透过该反射层。作为这种反射层,以往有在每个作为液晶装置中的显示的最小单位的显示点中具有适当的面积的透射部,例如开口部的结构的反射层。
图19示出了半透射反射型的液晶装置的现有的一例。在该液晶装置1000中,利用密封材料1003贴合基板1001与基板1002,再者,在基板1001与基板1002之间封入液晶1004。
在基板1001的内表面上形成具备在每个显示点中作为透射部的开口部1011a的反射层1011,在该反射层1011上形成了滤色层1012。该滤色层1012具备着色层1012r、1012g、1012b和表面保护层1012p。此外,在滤色层1012的表面保护层1012p的表面上形成透明电极1013。
另一方面,在基板1002的内表面上形成透明电极1021。将该透明电极1021构成为与相向的基板1001上的透明电极1013交叉。再有,根据需要在基板1001上的透明电极1013上和基板1002上的透明电极1021上适当地形成取向膜或硬质透明膜等。
此外,在基板1002的外表面上依次配置延迟片,例如1/4波长片1005和偏振片1006。此外,在基板1001的外表面上依次配置延迟片,例如1/4波长片1007和偏振片1008。
在将以上那样构成的现有的液晶装置应用于移动电话机、便携型个人计算机等的电子装置的情况下,有时在其背后配置背光源1009。在该液晶装置1000中,在白昼或室内等明亮的场所,外部光沿反射路径R通过了液晶1004后被反射层1011反射,再通过液晶层104,向外部发射。利用这种光可看到反射型显示。
另一方面,在夜间或野外等暗的场所,通过使背光源1009点亮,该背光源1009的照明光中通过了透射部1011a的光沿透射路径T通过液晶装置1000,向外部发射。利用这种光可看到透射型显示。
但是,在这样的半透射反射型的液晶装置1000中,起因于采用了反射型显示和透射型显示这样不同的二种显示方式,存在以下那样的问题。
即,在将液晶装置1000作为反射型使用的情况下,在从液晶装置1000的显示部的前方入射的外部光通过了液晶层1004后,由于被反射层1011反射而再次通过液晶层104,故到进行图像显示为止,二次通过液晶层1004。与此不同,在作为透射型使用的情况下,从背光源1009入射的光只通过液晶层1004一次。
如果采用这样不同的显示方式,则在通过液晶层1004的光中产生相位差,使液晶层的光程差(retardation)值(Δn·d,在此,Δn是折射率各向异性,d是液晶层的厚度)不同。该光程差值对光透射率有影响,光的利用效率因各自的显示方式的不同而不同。由此,通常在容易变暗的反射型显示中,如果这样来决定液晶层的厚度,即,使该光程差值Δn·d成为最佳值,则在透射型显示中,透射光的利用效率变低,存在不能得到充分的亮度的问题。
此外,为了使反射型显示变得明亮,也有减小反射层1011的透射部1011a的面积的方法,但也存在如果使透射部1011a的面积减小则透射型显示的亮度降低的问题。
如上所述,使反射型显示变得明亮这一点和使透射型显示变得明亮这一点存在互相矛盾的关系,存在使两者兼顾是极为困难的这样的问题。
此外,如果通过使透射部1011a的面积减少来使反射型显示明亮地显示出来,则为了确保透射型显示的亮度而必须增加背光源1009的照明光量,其结果是,也存在不能充分地满足液晶装置的小型化、薄型化、轻量化、降低功耗那样的对电子装置、特别是便携型装置所要求的诸特性的问题。
(三)发明内容
本发明是鉴于上述的问题而进行的,其目的在于,在半透射反射型的电光装置,例如液晶装置中提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。
(1)为了达到上述的目的,本发明的一种电光装置,将液晶层挟持在一对基板之间而构成,其特征在于:上述基板中的一片具有:反射层,具有反射部和其透射率比该反射部的透射率高的透射部;以及透光层,重叠在该反射层上形成,对上述反射层的透射部在平面上重叠的位置上具有凹状;上述基板中的另一片具有将电压施加在上述液晶上的电极和与上述电极连接的开关元件;与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
在上述结构中,例如通过在透光层中设置开口部、即贯通孔或设置凹部、即有底孔来形成「凹陷」。
如果考虑将上述结构的电光装置用基板使用于电光装置,例如液晶装置的情况,则可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。再者,如果通过提高透射光的利用效率能充分地确保透射光的亮度,则可使透射部的面积缩小、即,使反射部的面积增加,可使通常容易变暗的反射型显示更明亮。
(2)在上述结构的电光装置用基板中,可在位于上述透光层与上述取向膜之间且与上述反射层的反射部对应的位置上配置电极。而且,此时,将该电极构成为进入上述透光层的凹陷而在其表面上形成凹部。
(3)在上述结构的电光装置用基板中,可利用在该反射层中设置的开口部或其厚度比该反射层中的其它的部分的厚度薄的部分形成上述反射层的透射部。
(4)在上述结构的电光装置用基板中,希望上述透光层具有母体材料和分散在该母体材料中、其折射率与该母体材料的折射率不同的微粒体。
(5)其次,本发明的另一种电光装置,将液晶层挟持在一对基板之间而构成,其特征在于:上述基板中的一片具有:反射层,具有反射部和其透射率比该反射部的透射率高的透射部;以及绝缘层,重叠在该反射层上形成,对上述透射部在平面上重叠的位置上具有凹状;上述基板中的另一片具有将电压施加在上述液晶层上的电极和与上述电极连接的开关元件;与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
如果考虑将该结构的电光装置用基板使用于电光装置,例如液晶装置的情况,则可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。再者,通过存在基底层,可缩短反射光的通过距离,可提高反射显示中的反射特性。
(6)在上述结构的电光装置用基板中,上述反射层的透射部可利用在该反射层中设置的开口部来构成。
(7)此外,在上述结构的电光装置用基板中,可在位于上述基底层与上述取向膜之间且与上述反射层的反射部对应的位置上配置电极。而且,此时,希望构成为该电极进入上述基底层的凹陷而形成凹部。
(8)此外,在上述结构的电光装置用基板中,希望上述基底层在上述反射层一侧的表面的上述凹陷以外的区域中具有凹凸。
(9)其次,本发明的另一电光装置用基板的特征在于,具有:透光性的基体材料;反射层,在该基体材料上形成,具有反射部和其透射率比该反射部的透射率高的透射部;绝缘层,堆叠在该反射层上,在上述基体材料上形成,在与上述反射层的透射部在平面上重叠的位置上具有凹陷;以及取向膜,堆叠在该绝缘层上,在上述基体材料上形成,进入上述凹陷而形成凹部。
如果考虑将该结构的电光装置用基板使用于电光装置,例如液晶装置的情况,则通过取向膜使液晶层的取向变得均匀、有效地使光偏振,可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。
(10)其次,本发明的一种电光装置的制造方法,该电光装置将液晶层挟持在一对基板之间,上述基板中之一片具有将电压施加在上述液晶上的电极,和与上述电极连接而构成的开关元件,其特征在于,所述制造方法具有下述工序:在上述基板的另一片上形成反射层的工序;在上述反射层上形成绝缘层的工序;对上述绝缘层构图的工序;以已被构图的上述绝缘层为掩模、对上述反射层进行显影而在该反射层上形成凹状的工序;以及在上述绝缘层上和上述凹状上形成电极的工序;与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
如果考虑将该结构的制造方法使用于电光装置,例如液晶装置的情况,则可制造能提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降的电光装置用基板。再者,由于可将绝缘层作为反射层的曝光时的掩模来利用,故可缩短制造工序,因此,可简便地且以低成本来制造电光装置用基板。
(11)其次,本发明的电光装置的特征在于,具有:以上记载的结构中的电光装置用基板;与该电光装置用基板相向地配置的第2基板;以及在该第2基板内设置的第2取向膜,与上述反射层的透射部对应的位置上的上述第1取向膜与上述第2取向膜的间隙比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述第1取向膜与上述第2取向膜的间隙大。
(12)其次,本发明的另一电光装置的特征在于,具有:以上记载的结构中的电光装置用基板;以及由该电光装置用基板支撑的电光物质层,与上述反射层的透射部对应的位置上的上述电光物质层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述电光物质层的厚度厚。
(13)其次,本发明的另一电光装置的特征在于,具有:以上记载的结构中的电光装置用基板;与该电光装置用基板相向地配置的第2基板;以及在上述电光装置用基板与上述第2基板之间设置的液晶层,在将与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“a”、将与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“b”时,满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。
(14)在上述结构的电光装置中,在将构成上述液晶层的向列液晶的折射率各向异性定为Δn、将其与对应于上述反射层的反射部的位置上的上述液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a、将其与对应于上述反射层的透射部的位置上的上述液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b时,希望满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式。
(15)在上述结构的电光装置中,上述第2基板可具有以与上述反射层在平面上重叠的方式设置的着色层。
(16)在上述结构的电光装置中,上述第2基板可具有以与上述着色层在平面上重叠的方式配置的电极和连接到该电极上的开关元件。
(17)其次,本发明的电子装置的特征在于,具有:以上记载的结构的电光装置;以及控制该电光装置的工作的控制装置。
(四)附图说明
图1是示出本发明的电光装置用基板和电光装置的各自的一个实施例的液晶装置的斜视图。
图2是示出图1的液晶装置的剖面结构的剖面图。
图3是放大地示出液晶装置用基板的一例的主要部分的平面图。
图4是放大地示出作为图2的主要部分的1个显示点部分的剖面图。
图5是示出图2的液晶装置中的显示原理的图。
图6是示出作为本发明的电光装置的另一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面结构的剖面图,是沿图7的X1-X1’线和图8的X2-X2’线的剖面图。
图7是从图6的Z轴的正方向看构成图6中示出的液晶装置的液晶装置用基板的平面图。
图8是从图6的Z轴的正方向看构成图6中示出的液晶装置的对置基板的平面图。
图9是示出作为本发明的电光装置的又一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面结构的剖面图,是沿图10的X3-X3’线的剖面图。
图10是从图9的Z轴的负方向看构成图9中示出的液晶装置的对置基板的平面图。
图11是示出本发明的电光装置用基板的制造方法的一个实施例的工序图。
图12是示出作为本发明的电光装置的又一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面结构的剖面图。
图13是示出图12的液晶装置的液晶装置用基板的平面图。
图14是示出作为本发明的电光装置的又一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面图。
图15是示出作为本发明的电光装置的又一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面图。
图16是示出作为本发明的电光装置的又一实施例的液晶装置的1个显示点部分的剖面图。
图17是示出本发明的电子装置的一个实施例的框图。
图18是示出作为本发明的电子装置的另一实施例的移动电话机的斜视图。
图19是示出作为电光装置的一例的液晶装置的现有的一例的剖面图。
具体实施方式
以下,以液晶装置用基板和液晶装置为例,一边参照附图,一边具体地说明本发明的电光装置用基板和电光装置。再有,在使用了本实施例的说明的各图中,为了使各层或各构件成为在图面上可识别的程度的大小,在各层或各构件中使比例尺不同。
(第1实施例)
首先,参照图1至图4,说明作为本发明的电光装置一个实施例的液晶装置。图1示出了本实施例的液晶装置的外观结构。图2示出了该液晶装置的剖面结构。图3在平面上放大地示出了构成该液晶装置的液晶装置用基板中的几个显示点部分。图4放大地示出了图2的主要部分。再有,这里示出的液晶装置1是所谓的半透射反射型的无源矩阵方式的液晶装置。
如图1中所示,液晶装置1具有以由玻璃板或合成树脂板等构成的透明的、即具有透光性的第1基体材料11为基体的液晶装置用基板10和以与其相向的同样的第2基体材料21为基体的对置基板20。利用密封材料30互相贴合这些基板10和20。而且,在基板10与20之间且在这些被密封材料30包围的区域内通过注入口30a注入液晶,其后,利用密封材料31密封注入口30a。由此,形成具有液晶层的盒结构。
在第1基体材料11的内表面(即,与第2基体材料21相向的表面)上形成了多个并列的条状的透明电极16,在第2基体材料21的内表面上形成了多个并列的条状的透明电极22。此外,透明电极16导电性地连接到布线18A上,透明电极22导电性地连接到布线28上。透明电极16与透明电极22互相正交,其交叉区域构成以矩阵状排列的多个显示点,利用这些显示点的集合构成了显示区A。
第1基体材料11具有向第2基体材料21的外侧伸出的伸出部10T,在该伸出部10T上形成了经用密封材料30的一部分构成的上下导通部与布线18A、布线28导电性地连接的布线18B和由独立地形成的多个布线图形构成的输入端子部19。此外,在伸出部10T上安装了内置液晶驱动电路等的半导体IC69,使其与这些布线18A、18B和输入端子部19导电性地连接。此外,在伸出部10T的端部上安装柔性布线基板68,使其导电性地连接到输入端子部19上。
在该液晶装置1中,如图2中所示,在第1基体材料11的外表面上配置作为延迟片的1/4波长片40和偏振片41,在第2基体材料21的外表面上配置作为延迟片的1/4波长片50和偏振片51。此外,如图1和图2中所示,在液晶装置的背面上经缓冲材料66配置以LED61等作为光源的照明装置60。
利用LED基板62固定LED61。利用导光体63将从LED61射出的照明光导入到第1基体材料11中。在导光体63的液晶层一侧的表面上安装漫射片65,在导光体63的与其相反一侧的表面上安装了反射片64。
(液晶装置用基板的结构)
其次,参照图2、图3和图4,具体地说明液晶装置用基板10的结构。在第1基体材料11的表面上形成了反射层12。反射层12例如由铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金与钛、氮化钛、钼、钽等的层叠膜构成。
在该反射层12上,如图4中所示,在每个显示点D中设置了反射外部光的反射部12r和透过光的透射部12a。反射层12的透射部12a可利用在反射层12中设置的开口部,即贯通孔来构成,也可利用其厚度比反射层12中的其它的部分薄的部分来构成。在本实施例中,透射部12a作为开口部,即贯通孔来形成。
再有,如果将透射部12a作为其厚度比反射层12中的其它的部分薄的部分来形成,则第1基体材料11与反射层12的接合部不向外部露出,因而可防止水等的杂质侵入到该接合部中。因此,可将反射层12保持为稳定的状态。
利用例如SiO2或TiO2等的或无机材料或丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机树脂等在反射层12上形成绝缘层25。在该绝缘层25上,在与反射层12的透射部12a在平面上重叠的区域中形成了作为凹陷的开口部,即贯通孔25a。
再有,绝缘层25也可以是实质上透过光的透光层。此外,绝缘层25的凹陷25a也可作成凹部,即有底孔来代替开口部。此外,在绝缘层25是透光层的情况下,该绝缘层25可利用具有母体材料和分散在母体材料中、其折射率与该母体材料的折射率不同的微粒体的材料来形成。如果这样来构成,则可使透光层具有漫射功能。
此外,绝缘层25也可具有保护反射层12的液晶层一侧的表面(即,反射面)的功能。例如,在使用铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金与钛、氮化钛、钼、钽等的层叠膜作为反射层12的情况下,使绝缘层25具有保护膜的功能是有效的。
在绝缘层25上形成了由ITO(氧化铟锡)等的透明导电体构成的透明电极16。将该电极16配置在与反射层12的反射部12r对应的位置上,同时通过至少进入绝缘层25的开口部25a中,在与反射层12的透射部12a对应的位置的表面上具有凹部。
将电极16形成为在图3的纸面的上下方向上延伸的带状,多个电极16互相并列,构成为条状。通过使用这些电极16,可对图2的液晶层42的显示点D部分施加电压。在电极16上和在与未形成电极16的区域对应的绝缘层25上形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜17。
在图4中,由于在与反射层12的透射部12a在平面上重叠的区域中形成绝缘层25的开口部25a,故在第1基体材料11的表面上利用反射层12的透射部12a和绝缘层25的开口部25a形成凹形状。而且,由于将电极16和取向膜17配置成再现该凹形状,故在液晶装置用基板10的表面上形成凹部10a。
(对置基板的结构)
另一方面,与液晶装置用基板10相向的对置基板20中在第2基体材料21上以与反射层12在平面上重叠的方式设置着色层14,在其上覆盖由丙烯酸树脂或环氧树脂等的透明树脂构成的表面保护层,即外覆盖层15。利用该结构,可实现在对比度方面良好的全色显示。
通常在透明树脂中分散了颜料或染料等的着色材料而使着色层14呈现规定的色调。作为着色层14的色调的一例,有由R(红)、G(绿)、B(蓝)这3色的组合构成的色调作为原色系列滤色层的色调,但不限定于此,也可用补色系列等各种色调来形成。
再有,通常在第2基体材料21的表面上涂敷包含颜料或染料等的着色材料的感光性树脂构成的着色抗蚀剂,利用光刻法除去不需要的部分,从而将着色层14形成为规定的彩色图形。这里,在形成多种色调的着色层14的情况下,重复进行上述的工序。
如上所述,在每个显示点D中形成的着色层14之间的点间区域中形成黑色遮光膜14BM。有时将该黑色遮光膜14BM称为黑矩阵、黑掩模等。作为该黑色遮光膜14BM,可使用例如使黑色的颜料或染料等的着色材料分散在树脂等的基体材料中的材料、或使R(红)、G(绿)、B(蓝)这3色的着色材料一起分散在树脂等的基体材料中的材料,或者铬、氧化铬或它们的层叠膜等的金属薄膜等。
再有,作为着色层14的排列图形,在图3中示出的例子中采用了条状排列,但除了该条状排列外,也可采用三角形排列或斜的镶嵌排列等的各种图形形状。
在图4中,在对置基板20上还依次层叠了由ITO等的透明导电体构成的透明电极22和由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜24。与反射层12的透射部12a对应的位置的取向膜17与对置基板20一侧的取向膜24的间隔比与反射层12的反射部12r对应的位置的取向膜17与取向膜24的间隔大。如果这样的话,则可使与反射层12的透射部12a对应的位置的液晶层42的厚度“b”比与反射层12的反射部12r对应的位置的液晶层42的厚度“a”厚。由此,可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。在后面将要详细地叙述该作用和效果。
将对置基板20上的透明电极22和液晶装置用基板10上的透明电极16配置成互相正交,这些交点如图2和图3中所示,排列成矩阵状。而且,该矩阵状的各交点构成一个显示点D。
(液晶层的结构)
在图4中,在液晶装置用基板10与对置基板20之间充填液晶,形成了液晶层42。此时,在与液晶装置用基板10的液晶层42相接的表面上,如上所述,由于在每个显示点D中形成了凹部10a,故构成液晶层42的液晶成为进入该凹部10a内的状态,即进入到绝缘层25的开口部25a的内侧的状态。因此,与反射层12的透射部12a对应的位置的液晶层42的厚度“b”比与反射层12的反射部12r对应的位置的液晶层42的厚度“a”厚。
再者,根据申请人的实验,最好将与反射层12的反射部12r对应的位置的液晶层42的厚度“a”和与反射层12的透射部12a对应的位置的液晶层42的厚度“b”形成为满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。在不满足该关系式的条件下,透射部12a中的透射率比90%小,因此,透射部12a中的透射型显示变暗了。
由于本实施例的液晶装置如上述那样来构成,故在利用反射型显示进行图像显示的情况下,从对置基板20一侧入射的外部光在通过了由着色层14等构成的对置基板20和液晶层42后被反射部12r反射,再次通过液晶层42和对置基板20向外部射出。此时,反射光通过对置基板20与液晶装置用基板10之间的液晶层42二次。
另一方面,在利用透射型显示进行图像显示的情况下,来自液晶装置用基板10的背面一侧配置的照明装置60的LED61等的照明光的一部分通过反射层12的透射部12a入射到液晶层42上,通过由着色层14等构成的对置基板20向外部射出。此时,透射光只通过液晶层42一次。
这样,如果构成液晶层42的液晶进入液晶装置用基板10的液晶层42一侧的表面上形成的凹部10a中,则由于液晶层42的厚度在与反射层12的透射部12a重叠的区域中变厚,故作用于进行了透射型显示的透射光的液晶层42的光程差(retardation)(Δn·d,在此,Δn是折射率各向异性,d是液晶层的厚度)增大,其结果是,可提高透射型显示中的透射光的利用效率。即,可实现明亮的透射型显示而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。
图5是说明如上所述改变了液晶层的厚度的情况的效果用的图。与图4中示出的液晶装置1的情况相同,在图5中,在液晶装置用基板TE1上,在具备透射部Ra的反射层R上,将绝缘层T形成为在反射层R的透射部Ra上具有开口部。在液晶装置用基板TE1的背面上配置了作为照明装置的背光源BL。
此时,将与透射部Ra在平面上重叠的区域的液晶层的厚度“b”定为除此以外的区域的液晶层的厚度“a”的2倍。这里,为了说明的方便起见,假定构成了沿面排列方式的向列液晶层LC,再者,假定该液晶层LC的光程差Δn·a=λ/4,Δn·b=λ/2(Δn是液晶层LC的折射率各向异性,λ是光的波长)。
在上述的状况下,在液晶层LC处于光透过状态的情况下,在透射型显示中,如(A)中所示,来自背光源BL的照明光通过偏振片P2,成为线偏振光,再者,通过延迟片(例如,1/4波长片)D2,例如,成为右旋圆偏振光。该偏振光因为通过厚度“b”的液晶层,故相位差再超前1/2波长而成为左旋圆偏振光。该圆偏振光因通过对置基板TE2并通过延迟片D1,故相位差再超前1/4波长而成为原来的线偏振光,通过偏振片P1。
此外,在与上述相同地液晶层LC处于光透过状态时,在反射型显示中,如(B)中所示,外部光通过偏振片P1,成为线偏振光,因通过延迟片(例如,1/4波长片)D1,例如成为右旋圆偏振光。因为该圆偏振光往返二次通过厚度为“a”的液晶层,故相位差再超前1/2波长而成为左旋圆偏振光,因再次通过延迟片D1,故返回到原来的线偏振光,通过偏振片P1。
在此,如(C)中所示,在透射型显示中,如果设想假定通过厚度为“a”(即,(A)中示出的液晶层的厚度“b”的一半)的液晶层的情况,则由于该液晶层LC的光程差为λ/4,故照明光经偏振片P2、延迟片D2通过了液晶层LC后的偏振状态成为与起初正交的方向的线偏振光,其后,通过延迟片D1成为左旋圆偏振光,再通过偏振片P1。此时,能通过偏振片P1的偏振光分量大致为(A)中示出的透射型显示的偏振光分量的一半。
如以上所说明的那样,在本实施例那样的半透射反射型的液晶装置的情况下,如果与反射层R的透射部Ra在平面上重叠的区域的液晶层的厚度“b”比除此以外的区域的液晶层的厚度“a”厚,则光透过状态中的光透射率提高了,特别是,如果与透射部Ra在平面上重叠的区域的液晶层的厚度“b”为除此以外的区域的液晶层的厚度“a”的大致2倍,则光透过量也大致为2倍。
而且,根据申请人的实验,如果将构成液晶层的向列液晶的折射率各向异性定为Δn,将其与反射部的位置对应的液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a,将其与透射部Ra的位置对应的液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b,则通过构成为满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式,可使进行透射型显示时的透射部Ra中的透射率为90%以上,因此,判明了可进行明亮的透射显示。
如果液晶层LC不是沿面排列方式,在液晶层LC中存在扭曲,则透射率也往往没有提高,但在例如40°扭曲的液晶中,如果将与透射部Ra在平面上重叠的区域的液晶层的厚度“b”定为除此以外的区域的液晶层的厚度的2倍,则可得到约40%的透射率的提高。
按照该结构,由于可提高对于透射型显示的透射光的利用效率,使透射型显示变得明亮,故例如可减少背光源等的照明光量,因此,可实现背光源的小型化、薄型化、轻量化及功耗的降低。此外,如果充分地确保了透射型显示的亮度,则通过缩小透射部Ra的开口面积,使反射部的面积增加,也可提高反射型显示的亮度。
此外,由于图4中的绝缘层25在形成反射层12的透射部12a时可作为抗蚀剂掩模来利用,故不会使现有的液晶装置用基板10的制造工序变得有多复杂。再有,在后面将要叙述液晶装置用基板10的制造方法。
(第2实施例)
其次,参照图6至图8,说明作为本发明的电光装置的另一实施例的液晶装置。图6示出了该液晶装置101的主要部分的剖面结构。图7是从图6中的Z轴的正方向看构成该液晶装置101的液晶装置用基板的平面图。图8是从图6中的Z轴的正方向看构成该液晶装置101的对置基板的平面图。再有,图6是沿图7的X1-X1’线和图8的X2-X2’线的剖面图。
该液晶装置101是使用了TFD(薄膜二极管)元件作为有源元件(即,能动元件)的有源矩阵方式的液晶装置,在图6中,在对置基板120上设置与着色层114在平面上重叠地配置的透明电极122和具有连接到该透明电极122上的开关元件的功能的有源元件的TFD元件130。利用该结构可降低功耗,同时可实现液晶装置的小型化。
如图6和图7中所示,在液晶装置用基板110中,在第1基体材料11上形成具备反射部112r和透射部112a的反射层112,在该反射层112上形成了绝缘层125。在该绝缘层125上形成了开口部125a,即贯通孔,使其与反射层112的透射部112a重叠。
此外,在绝缘层125上以覆盖形成了反射层112的区域的方式形成具有扫描线的功能的透明电极116,再者,至少在透明电极116上和与未形成透明电极116的区域对应的绝缘层125上形成取向膜117。由与图4中示出的实施例中使用的同样的材料构成了这些反射层112、绝缘层125、透明电极116和取向膜117。
如图6和图8中所示,对置基板120是具有着色层114和TFD元件130的滤色阵列基板在第2基体材料121上形成了TFD元件130。TFD元件130由第1金属层131、在该第1金属层131的表面上形成的绝缘层132和在该绝缘层132上形成的第2金属层133构成。这样,利用由第1金属层131/绝缘层132/第2金属层133构成的层叠结构,即所谓的MIM(金属-绝缘-体金属)结构构成了TFD元件130。
而且,在第2基体材料121上形成供给像素信号的信号线134,使其与在第1基体材料111上形成的透明电极116在平面上交叉,该信号线134与TFD元件130导电性地连接。
例如利用钽单质、钽合金等形成构成TFD元件130的第1金属层131。在使用钽合金作为第1金属层131的情况下,在主成分的钽中添加规定的元素,例如钨、铬、钼、铼、钇、镧、镝等那样的属于周期表的第6~第8族的元素。
例如利用阳极氧化法,利用通过使第1金属层131的表面氧化形成的氧化钽(Ta2O3)来形成绝缘层132,再在其上利用铬等的导电材料形成第2金属层133。
在以这种方式形成了TFD元件130的第2基体材料121上,再在每个显示点D中形成着色层114。然后,在这些着色层114之间的点间区域中形成了黑色遮光膜114BM、所谓的黑矩阵或黑掩模。在本实施例中,将1个显示点定义为第2基体材料121上的1个透明电极122与第1基体材料111上的透明电极116在平面上重叠的区域。此外,用与图3中示出的实施例中使用的同样的材料来构成这些着色层114和黑色遮光膜114BM。
在着色层114的表面上依次层叠由ITO等的透明导电体构成的透明电极122和由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜124,再者,透明电极122经接触孔122a与TFD元件130导电性地连接。至少在透明电极122上和与未形成透明电极122的区域对应的着色层114上和黑色遮光膜114BM上形成取向膜124。
在液晶装置用基板110与对置基板120之间充填液晶,形成液晶层142。构成该液晶层142的液晶成为进入在液晶装置用基板110的液晶层142一侧的表面上形成的凹部110a内的状态(即,至少进入绝缘层125的开口部125a的内侧的状态)。此时,最好将与反射层112的反射部112r对应的位置的液晶层142的厚度“a”和与透射部112a对应的位置的液晶层142的厚度“b”形成为满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。
此外,如果假定构成液晶层142的向列液晶的的折射率各向异性定为Δn,将其与反射部112r的位置对应的液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a,将其与透射部112a的位置对应的液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b,则最好构成为满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式。
利用这样的结构,可得到与图3中示出的实施例同样的作用和效果,可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。
此外,在本实施例中,由于在形成反射层112的第1基体材料111上不形成TFD元件130,故与在形成反射层112的第1基体材料111上形成TFD元件130的情况相比,可简化液晶装置用基板110的制造工序。而且,由于在形成TFD元件130的第2基体材料121上形成着色层114和黑色遮光膜114BM,故与在与TFD元件130分开的基板上形成着色层114和黑色遮光膜114BM的情况相比,可减少对置基板120和液晶装置用基板110的贴合时的组装偏移的影响。
(第3实施例)
其次,参照图9和图10,说明作为本发明的电光装置的另一实施例的液晶装置。图9示出了该液晶装置201的主要部分的剖面结构。图10示出了从图9中的Z轴的负方向看构成该液晶装置201的对置基板220的平面结构。将该对置基板220称为滤色阵列基板。再有,图9是沿图10的X3-X3’线的剖面图。本实施例是使用了3端子型的有源元件,即TFT(薄膜晶体管)元件230作为有源元件(即,能动元件)的有源矩阵方式的液晶装置。
在图9中,对置基板220是设置了与着色层214在平面上重叠地配置的透明电极222和连接到该透明电极222上的开关元件的滤色阵列基板。而且,在第2基体材料221上形成了作为具有开关元件的功能的有源元件的TFT元件230。
TFT元件230具有:在第2基体材料221上形成的栅电极231;在该栅电极231上在第2基体材料221的整个区域上形成的栅绝缘膜232;夹住该栅绝缘膜232在栅电极231的上方位置上形成的半导体层233;在该半导体层233的一侧经接点电极234形成的源电极235;以及在该半导体层233的另一侧经接点电极236形成的漏电极239。
将栅电极231形成为从栅总线布线237延伸,将源电极235形成为从源总线布线238延伸。在图10中,栅总线布线237在基体材料221的横方向上延伸,向纵方向以等间隔平行地形成多条栅总线布线237。此外,源总线布线238夹住栅绝缘膜232以与栅总线布线237交叉的方式在纵方向上延伸,向横方向以等间隔平行地形成多条源总线布线238。
例如用铬、钽等形成栅总线布线237和栅电极231。例如用氮化硅(SiN)、氧化硅(SiOx)等形成栅绝缘膜232。例如用A-Si、多晶硅、CdSe等形成半导体层233。例如用钛、钼、铝等形成源电极235和与其成为一体的源总线布线238以及漏电极239。栅总线布线237起到扫描线的作用,源总线布线238起到信号线的作用。
在形成了TFT元件230的第2基体材料221上,再在每个显示点D中形成着色层214,在这些着色层214之间的点间区域中形成了黑色遮光膜214BM。该黑色遮光膜214B也称为黑矩阵或黑掩模。在本实施例中,将1个显示点定义为第2基体材料221上的1个透明电极222与第1基体材料211上的透明电极216在平面上重叠的区域。用与图4中示出的实施例中使用的同样的材料来构成这些着色层214和黑色遮光膜214BM。
在着色层214的表面上依次层叠由ITO等的透明导电体构成的透明电极222和由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜224,再者,透明电极222经接触孔222a与TFT元件230导电性地连接。
在液晶装置用基板210中,与图4的实施例的情况相同,在第1基体材料211上形成具备反射部212r和透射部212a的反射层212,在该反射层212上形成绝缘层225。此外,再在绝缘层225上依次形成透明电极216和取向膜217。此外,在绝缘层225中形成开口部,即贯通孔225a,使其与反射层212的透射部212a重叠。用与图4中示出的实施例中使用的同样的材料来构成这些反射层212、绝缘层225、透明电极216和取向膜217。
在液晶装置用基板210与对置基板220之间充填液晶,形成液晶层242。构成液晶层242的液晶成为进入在液晶装置用基板210的液晶层242一侧的表面上形成的凹部210a内的状态,即,至少进入上述绝缘层225的开口部225a的内侧的状态。
此时,最好将与反射层212的反射部212r对应的位置的液晶层242的厚度“a”和与透射部212a对应的位置的液晶层242的厚度“b”形成为满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。
此外,如果假定构成液晶层242的向列液晶的的折射率各向异性定为Δn,将其与反射部212r的位置对应的液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a,将其与透射部212a的位置对应的液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b,则最好构成为满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式。
利用这样的结构,可得到与图4中示出的实施例同样的作用和效果,可提高透射型显示中的透射光的利用效率而不使反射型显示中的图像显示的亮度下降。此外,在本实施例中,也可得到与图6的实施例的情况同样的作用和效果。即,由于在形成反射层212的第1基体材料211上不形成TFT元件230,故与在形成反射层212的第1基体材料211上形成TFT元件230的情况相比,可简化液晶装置用基板210的制造工序。
此外,由于在形成TFT元件230的第2基体材料221上形成着色层214和黑色遮光膜214BM,故与在与TFT元件230分开的基板上形成着色层214和黑色遮光膜214BM的情况相比,可减少对置基板220和液晶装置用基板210的贴合时的组装偏移的影响。
(第4实施例)
其次,参照图11(a)~(f),以液晶装置用基板的制造方法为例,具体地说明本发明的电光装置用基板的制造方法的实施例。本实施例涉及图4中示出的液晶装置1中使用的液晶装置用基板10的制造方法。
首先,如图11(a)中所示,在第1基体材料11上,利用蒸镀法或溅射法将铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金、钛、氮化钛、钼、钽等的金属成膜为薄膜状,使用熟知的光刻法对其进行构图。由此,形成在每个显示点中被区分的厚度约为50nm~250nm的反射层12。
其次,如图11(b)中所示,在反射层12的整个区域中形成厚度约为0.5微米~2.5微米的绝缘膜25X。作为绝缘膜25X的母体材料,可使用SiO2或TiO2等的无机材料或丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机树脂等。此外,也可使用将其折射率与有机树脂等的母体材料的折射率不同的微粒体分散在该母体材料中而构成的来形成绝缘膜25X。利用该结构,在反射型显示的图像显示时产生适当的漫射,可防止面部等映入显示画面。
其次,如图11(c)中所示,通过使用光刻技术和刻蚀技术,对绝缘膜25X进行构图(参照图11(b)),以便在与后述的反射层12的透射部12a对应的区域中配置开口部25a,形成绝缘层25。
其次,如图11(d)中所示,通过将绝缘层25作为抗蚀剂掩模来刻蚀反射层12,在反射层12中开出开口部,即贯通孔,形成透射部12a。在通常的刻蚀工序中,在刻蚀工序结束后利用灰化工序等来除去抗蚀剂掩模,但在本实施例中,由于以绝缘层25为掩模对反射层12进行曝光,在该反射层12中形成开口部,故可省略这些工序。
其次,如图11(e)中所示,在基体材料11的整个区域中形成由ITO等的透明导电体构成的透明导电层16’。可利用溅射法对该透明导电层成膜。然后,通过使用光刻技术和刻蚀技术对该透明导电层进行构图,形成透明电极16。
其次,如图11(f)中所示,在第1基体材料11的整个区域中形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜17,并对该取向膜17进行摩擦处理。这样,便形成了液晶装置用基板10。
(变例1)
其次,参照图12和图13,说明图4中示出的液晶装置1的变例。由于该变例除了图12中示出的液晶装置用基板310外,与图4的液晶装置1的结构相同,故对同样的部分标以同一符号而省略其说明。
在本变例中,如图12和图13中所示,在第1基体材料311的表面上利用SiO2或TiO2等的无机材料或丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机树脂等形成基底层325。该基底层325在每个显示点D中具有由开口部即贯通孔构成的透射部325a。另外,该基底层325最好是例如具有绝缘性的绝缘层。此外,在本变例中,也以互相正交的方式配置对置基板20上的透明电极22和液晶装置用基板310上的透明电极316,将这些交叉点配置成矩阵状,该矩阵状的各交叉点构成了1个显示点D。
在基底层325上形成反射层312,在该反射层312上设置反射部312r和透过光的透射部312a。将该透射部312a作为开口部即贯通孔形成。此外,将该透射部312a形成为与基底层325的开口部325a重叠。由铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金与钛、氮化钛、钼、钽等的层叠膜构成了反射层312。
此外,在与反射层312的透射部312a对应的区域以外的区域中,基底层325最好在反射层312一侧的表面上具有凹凸(省略图示)。如果在基底层325的表面上设置凹凸,则在其上层叠的反射层312的反射部312r的表面上也形成凹凸,在反射型显示的图像显示时产生适当的漫射,可防止面部等映入显示画面。
在反射层312上形成由ITO等的透明导电体构成的透明电极316。此外,在透明电极316上形成由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜317。以覆盖反射层312的端部的方式形成透明电极316。在使用铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金与钛、氮化钛、钼、钽等的层叠膜作为反射层312并在其上层叠ITO等的层结构中进行构图的情况下,这一点对于良好地进行刻蚀是有效的。
将透明电极316形成为在图13的纸面上下方向上延伸的带状,多个透明电极316互相并列,被构成为条状。此外,将透明电极316与反射层312的反射部312r的位置对应地配置,同时至少进入基底层325的开口部325a中。由此,在与反射层312的透射部312a对应的位置的表面上形成凹部310a。利用该结构,可有效地利用基底层325的开口部325a,可实现明亮的透射型的图像显示。
在以这种方式构成的液晶装置中,在液晶装置用基板310的液晶层342一侧的表面上形成凹部310a,构成液晶层342的液晶进入到该凹部310a中。由此,关于液晶层342的厚度,在与反射层312的透射部312a重叠的区域中变厚。因此,可得到与图4的实施例同样的效果。此外,在本实施例中,由于在反射型显示中光不通过基底层325,故可消除光透过基底层325时的光量的损耗。由此,可使反射型显示的反射率进一步提高。
再有,图12的变例不仅可适用于图4那样的无源矩阵方式的液晶装置,而且也可适用于图6中示出的具有TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置或图9中示出的具有TFT元件的有源矩阵方式的液晶装置。此外,也可在设置反射层的第1基体材料上形成TFD元件、TFT元件等。
(变例2)
其次,参照图14,说明液晶装置的另一变例。由于该变例除了对置基板420外,与图4的实施例的结构相同,故对同样的部分标以同一符号而省略其说明。
在图14中,在第2基体材料421的表面上,在每个显示点D中形成着色层414,在这些着色层414之间的点间区域中形成黑色遮光膜414BM。该黑色遮光膜414BM也称为黑矩阵或黑掩模。利用由丙烯酸树脂或环氧树脂等的透明树脂等构成的表面保护层415覆盖该黑色遮光膜414BM。
在表面保护层415的液晶层一侧,在与相向于第2基体材料421配置的液晶装置用基板10上的反射层12的透射部12a对应的区域中形成了凹部415a。
在表面保护层415上形成由ITO等的透明导电体构成的透明电极422,并在该透明电极422上形成由环氧树脂等构成的取向膜424。在该取向膜424的表面上再现表面保护层415的凹部415a,由此,对置基板420在其表面上形成凹部420a。将对置基板420上的透明电极422和液晶装置用基板10上的透明电极16配置成互相正交,将这些交点排列成矩阵状,该矩阵状的各交点构成1个显示点D。
在本变例中,由于对置基板420也具有凹部420a,故构成液晶层442的液晶分别进入到液晶装置用基板10的凹部10a和对置基板420的凹部420a中。由此,可将与透射部12a在平面上重叠的区域的液晶的厚度“b”、在除此以外的区域的液晶层的厚度“a”保持为不变的状态下形成得更厚。
另一方面,按照本发明,在打算将与透射部12a对应的区域的液晶层442的厚度“b”设定为与图4的实施例的情况相同的情况下,可使液晶装置用基板10上设置的凹部10a和对置基板420上设置的凹部420a的各自的深度比图4的实施例中的凹部10a的深度小。由此,可减少起因于凹部10a中的台阶差而在透明电极16中产生断线的情况。
此外,按照本变例,由于与图4的实施例中的凹部10a的深度相比,可分别减小凹部10a和凹部420a的深度,故在表面保护层415的凹部415a的内侧面上利用溅射法形成透明电极422的情况下和在绝缘层25的开口部25a的内侧面上利用溅射法形成透明电极16的情况下,可减少分别在凹部415a的内侧面和开口部25a的内侧面上产生不能良好地形成透明电极422和透明电极16这样的不良情况。
此外,按照本变例,由于与图4的实施例中的凹部10a的深度相比,可分别减小凹部10a和凹部420a的深度,故与图4的实施例中的凹部10a的锥形相比,可使凹部10a和凹部420a的各自的内侧面上形成的锥形成为更接近于90°的值。。由此,可减小锥形在平面上所占的区域,可减少因锥形在平面上所占的区域引起的显示的不良情况。
再有,图14的变例不仅可适用于图4那样的无源矩阵方式的液晶装置,而且也可适用于图6中示出的具有TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置或图9中示出的具有TFT元件的有源矩阵方式的液晶装置。此外,也可在设置反射层的第1基体材料上形成TFD元件、TFT元件等。
此外,液晶装置用基板10的凹部10a具有从与反射部12r的形成区域对应的液晶装置用基板10的表面起到凹部10a的底部为止的深度b1。另一方面,对置基板420的凹部420a具有从与反射部12r的形成区域对应的对置基板420的表面起到凹部420a的底部为止的深度b2。而且,在本变例中,这样来设定凹部10a和凹部420a,使得b1>b2。
这是因为,由于液晶装置用基板10的结构简单,故适合于形成深度大的凹部,相反,具备着色层414且结构复杂的对置基板420不适合于形成深的凹部。如果像本变例那样将结构简单的液晶装置用基板10中的凹部10a的深度b1形成得较深,再者,将结构复杂的对置基板420中的凹部420a形成得较浅,则可提高液晶装置用基板10和对置基板420的制造时的成品率。
(变例3)
其次,参照图15,说明液晶装置的另一变例。该变例是使用了图12中示出的液晶装置用基板310和图14中示出的对置基板420的液晶装置。
在该结构的液晶装置中,由于在液晶装置用基板310和对置基板420上分别设置凹部310a和凹部420a,故构成液晶层442的液晶分别进入到液晶装置用基板310的凹部310a和对置基板420的凹部420a中。由此,可将与作为开口部,即贯通孔构成的透射部312a在平面上重叠的区域的液晶层542的厚度“b”、在除此以外的区域的液晶层542的厚度“a”保持为不变的状态下形成得更厚。
此外,在打算将与透射部312a对应的区域的液晶层542的厚度“b”设定为与图4的实施例的情况相同值的情况下,可使液晶装置用基板310上设置的凹部310a和在对置基板420上设置的凹部420a的各自的深度比图4的实施例中的凹部10a的深度小。由此,可减少起因于凹部310a中的台阶差而在透明电极316中产生断线的情况。
此外,按照本变例,由于与图4的实施例中的凹部10a的深度相比,可分别减小凹部310a和凹部420a的深度,故在表面保护层415的凹部415a的内侧面上利用溅射法形成透明电极422的情况下和在基底层325的开口部325a的内侧面上利用溅射法形成透明电极316的情况下,可减少产生分别在凹部415a的内侧面和开口部325a的内侧面上不能良好地形成透明电极这样的不良情况。
此外,按照本变例,由于与图4的实施例中的凹部10a的深度相比,可分别减小凹部310a和凹部420a的深度,故与图4的实施例中的凹部10a的锥形相比,可使凹部310a和凹部420a的各自的内侧面上形成的锥形成为更接近于90°的值,可减小锥形在平面上所占的区域。由此,可减少因锥形在平面上所占的区域引起的显示的不良情况。
再者,在本变例中,由于基底层325具有作为使底部上抬的层的功能,故可缩短反射型显示中的光的通过距离,其结果是,可进一步提高反射型显示的透射率。
再有,本变例不仅可适用于图4那样的无源矩阵方式的液晶装置,而且也可适用于图6中示出的具有TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置或图9中示出的具有TFT元件的有源矩阵方式的液晶装置。此外,也可在设置反射层的第1基体材料上形成TFD元件、TFT元件等。
此外,液晶装置用基板310的凹部310a具有从与反射部312r的形成区域对应的液晶装置用基板310的表面起到凹部310a的底部为止的深度b1。另一方面,对置基板420的凹部420a具有从与反射部312r的形成区域对应的对置基板420的表面起到凹部420a的底部为止的深度b2。而且,在本变例中,这样来设定凹部310a和凹部420a,使得b1>b2。
这是因为,由于液晶装置用基板310的结构简单,故适合于形成深度大的凹部,相反,具备着色层414且结构复杂的对置基板420不适合于形成深的凹部。如果像本变例那样将结构简单的液晶装置用基板310中的凹部310a的深度b1形成得较深,并将结构复杂的对置基板420中的凹部420a的深度b2形成得较浅,则可提高液晶装置用基板310和对置基板420的成品率。
(变例4)
其次,参照图16,说明液晶装置的又一变例。由于该变例除了液晶装置用基板610的结构外,与上述的图4的实施例的结构相同,故对同样的部分标以同一符号而省略其说明。
在图16中,在第1基体材料611的表面上形成反射层612。该反射层612由例如铝、银或它们的合金、或者铝、银或它们的合金与钛、氮化钛、钼、钽等的层叠膜构成。此外,在该反射层612上,在每个显示点D中作为开口部,即贯通孔设置了透过光的透射部612a。
在反射层612上形成了由SiO2或TiO2等的无机材料或丙烯酸树脂或环氧树脂等的有机树脂等构成的绝缘层625,在该绝缘层625中,在与反射层612的透射部612a在平面上重叠的区域中设置了其厚度比其它的区域的厚度薄的区域625a。
此外,在绝缘层625上形成了由ITO等的透明导电体构成的透明电极616,在该透明电极616上形成了由聚酰亚胺树脂等构成的取向膜617。
在该结构的液晶装置中,由于构成液晶层642的液晶进入到液晶装置用基板610的凹部610a中,故液晶层642的厚度在与反射层612的透射部612a重叠的区域中变厚。由此,可得到与图4的实施例同样的效果。此外,通过调节绝缘层625的厚度的薄的区域625a的厚度,可调节液晶层的厚度“b”,由此,可将液晶层642的厚度设定成使透射光的利用效率为最高。
再有,图16的变例不仅可适用于图4那样的无源矩阵方式的液晶装置,而且也可适用于图6中示出的具有TFD元件的有源矩阵方式的液晶装置或图9中示出的具有TFT元件的有源矩阵方式的液晶装置。此外,也可在设置反射层的第1基体材料上形成TFD元件、TFT元件等。
(电子装置的实施例)
其次,说明将迄今为止已说明的液晶装置用作显示部的电子装置的实施例。图17利用框图示出了本实施例的电子装置的整体结构。这里示出的电子装置具有液晶装置1和控制该液晶装置1的控制装置700。液晶装置1具有面板结构体701和用半导体IC等构成的驱动电路702。此外,控制装置700具有:显示信息输出源703;显示信息处理电路704;电源电路706;以及时序发生器707。
显示信息输出源703包含:由ROM(只读存储器)或RAM(随机存取存储器)等构成的存储器;由磁记录盘或光记录盘等构成的存储单元;以及对数字图像信号进行调谐并输出的调谐电路等。构成为根据由时序发生器707生成的各种时钟信号,以预定格式的图像信号等的形态将显示信息供给显示信息处理电路704。
显示信息处理电路704具备:串-并变换电路;放大、反转电路;旋转电路;灰度系数(γ)校正电路;以及箝位电路等众所周知的各种电路,它执行所输入的显示信息的处理,将该图像信息与时钟信号CLK一起供给驱动电路702。驱动电路702包含扫描线驱动电路、数据线驱动电路和检查电路。此外,电源电路706分别将预定的电压供给上述的各构成要素。
图18示出了作为本发明的电子装置的一个实施例的移动电话机。在该移动电话机710中,在机壳711的内部配置了电路基板712,在该电路基板712上安装了上述的液晶装置1。可通过显示窗718从外部观察该液晶装置1的显示面,即图1的图像显示区A。
在机壳711的正面排列了操作按钮713,此外,从一个端部以可拉出的方式安装了天线714。在受话部716的内部配置了扬声器,在送话部717的内部内置了话筒。
(其它的实施例)
本发明的电光装置不限定于上述的实施例,在不脱离本发明的要旨的范围内,当然可增加各种变更。例如,图1中示出的液晶装置具有在基板上直接安装IC芯片的结构,即所谓的COG(芯片键合在玻璃上)方式的结构,但也可代之以采用例如经柔性布线基板或TAB基板在液晶装置上安装IC芯片的结构。再者,本发明也可适用于将液晶以外的电光物质、例如EL发光元件等作为电光物质使用的电光装置。

Claims (20)

1.一种电光装置,将液晶层挟持在一对基板之间而构成,其特征在于:
上述基板中的一片具有:
反射层,具有反射部和其透射率比该反射部的透射率高的透射部;以及
透光层,重叠在该反射层上形成,对上述反射层的透射部在平面上重叠的位置上具有凹状;
上述基板中的另一片具有将电压施加在上述液晶上的电极和与上述电极连接的开关元件;
与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
2.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
上述透光层的凹状不设置上述透光层。
3.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
上述透光层在上述凹状中厚度比在与上述反射层的反射部对应的位置薄。
4.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
上述基板中的一片具有在上述透光层与上述液晶层之间且与上述反射层的反射部对应的位置上配置的电极,
该电极进入上述透光层的凹状而形成凹部。
5.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透射部不设置上述反射层。
6.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透光部比上述反射层的反射部的厚度薄。
7.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
在将与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“a”、将与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“b”时,满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。
8.如权利要求1中所述的电光装置,其特征在于:
在将构成上述液晶层的向列液晶的折射率各向异性定为Δn、将其与对应于上述反射层的反射部的位置上的上述液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a、将其与对应于上述反射层的透射部的位置上的上述液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b时,满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式。
9.一种电光装置,将液晶层挟持在一对基板之间而构成,其特征在于:
上述基板中的一片具有:
反射层,具有反射部和其透射率比该反射部的透射率高的透射部;以及
绝缘层,重叠在该反射层上形成,对上述透射部在平面上重叠的位置上具有凹状;
上述基板中的另一片具有将电压施加在上述液晶层上的电极和与上述电极连接的开关元件;
与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
10.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
上述绝缘层的凹状不设置上述绝缘层。
11.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
上述绝缘层在上述凹状中,厚度比在与上述反射层的反射部对应的位置上薄。
12.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透射部不设置上述反射层。
13.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透光部比上述反射层的反射部的厚度薄。
14.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
在将与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“a”、将与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度定为“b”时,满足1.8a≤b≤2.4a的关系式。
15.如权利要求9中所述的电光装置,其特征在于:
在将构成上述液晶层的向列液晶的折射率各向异性定为Δn、将其与对应于上述反射层的反射部的位置上的上述液晶层的厚度“a”的乘积定为Δn·a、将其与对应于上述反射层的透射部的位置上的上述液晶层的厚度“b”的乘积定为Δn·b时,满足1.8×Δn·a≤Δn·b≤2.4×Δn·a的关系式。
16.一种电光装置的制造方法,该电光装置将液晶层挟持在一对基板之间,上述基板中之一片具有将电压施加在上述液晶上的电极,和与上述电极连接而构成的开关元件,其特征在于,所述制造方法具有下述工序:
在上述基板的另一片上形成反射层的工序;
在上述反射层上形成绝缘层的工序;
对上述绝缘层构图的工序;
以已被构图的上述绝缘层为掩模、对上述反射层进行显影而在该反射层上形成凹状的工序;以及
在上述绝缘层上和上述凹状上形成电极的工序;
与上述反射层的透射部对应的位置上的上述液晶层的厚度比与上述反射层的反射部对应的位置上的上述液晶层的厚度厚。
17.如权利要求16中所述的电光装置制造方法,其特征在于:
上述绝缘层的凹状不设置上述绝缘层。
18.如权利要求16中所述的电光装置制造方法,其特征在于:
上述绝缘层在上述凹状中,厚度比在与上述反射层的反射部对应的位置上薄。
19.如权利要求16中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透射部不设置上述反射层。
20.如权利要求16中所述的电光装置,其特征在于:
上述反射层的透射部比上述反射层的反射部厚度薄。
CNB021570094A 2001-12-17 2002-12-16 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置 Expired - Lifetime CN1213334C (zh)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP383023/2001 2001-12-17
JP2001383023 2001-12-17
JP2002303217A JP4068942B2 (ja) 2001-12-17 2002-10-17 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP303217/2002 2002-10-17

Related Child Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510004152XA Division CN100390632C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置及其制造方法
CNB2005100041515A Division CN100363805C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1427287A CN1427287A (zh) 2003-07-02
CN1213334C true CN1213334C (zh) 2005-08-03

Family

ID=26625092

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100041515A Expired - Lifetime CN100363805C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置
CNB021570094A Expired - Lifetime CN1213334C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置
CNB200510004152XA Expired - Lifetime CN100390632C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置及其制造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2005100041515A Expired - Lifetime CN100363805C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB200510004152XA Expired - Lifetime CN100390632C (zh) 2001-12-17 2002-12-16 电光装置及其制造方法

Country Status (5)

Country Link
US (4) US6987596B2 (zh)
JP (1) JP4068942B2 (zh)
KR (1) KR100523102B1 (zh)
CN (3) CN100363805C (zh)
TW (1) TW591273B (zh)

Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4068942B2 (ja) 2001-12-17 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器
JP3964324B2 (ja) 2002-12-27 2007-08-22 三菱電機株式会社 半透過型表示装置の製造方法および半透過型表示装置
KR100987711B1 (ko) * 2003-11-18 2010-10-13 삼성전자주식회사 액정표시장치 및 제조방법
JP2005275102A (ja) * 2004-03-25 2005-10-06 Nec Lcd Technologies Ltd 半透過型液晶表示装置及びその製造方法
JP4179316B2 (ja) 2005-09-30 2008-11-12 エプソンイメージングデバイス株式会社 液晶装置、及び、電子機器
JP2007121373A (ja) * 2005-10-25 2007-05-17 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶表示パネル、カラーフィルタ、及びその製造方法
JP2007279276A (ja) * 2006-04-05 2007-10-25 Epson Imaging Devices Corp 液晶装置及び電子機器
JP4919738B2 (ja) 2006-08-31 2012-04-18 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
CN101595427B (zh) * 2007-03-30 2011-11-30 夏普株式会社 液晶显示装置
JP5145878B2 (ja) * 2007-11-07 2013-02-20 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
JP4577429B2 (ja) * 2008-04-30 2010-11-10 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP5301294B2 (ja) * 2008-05-30 2013-09-25 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 表示装置
CN101833193B (zh) * 2009-03-13 2014-04-02 北京京东方光电科技有限公司 半透过式液晶显示器、透明基板及其制造方法
TW201044089A (en) * 2009-06-05 2010-12-16 Prime View Int Co Ltd Electrophoretic display panel
WO2011081041A1 (en) * 2009-12-28 2011-07-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device
JP6186697B2 (ja) * 2012-10-29 2017-08-30 セイコーエプソン株式会社 有機el装置の製造方法、有機el装置、電子機器
KR102466673B1 (ko) * 2016-01-13 2022-11-14 삼성전자주식회사 가변 전기광학 필터
CN105759476B (zh) * 2016-05-24 2019-09-06 武汉华星光电技术有限公司 液晶面板及其薄膜晶体管阵列基板
US10663782B2 (en) * 2017-01-20 2020-05-26 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Liquid crystal panel and thin film transistor array substrate thereof
CN108508667B (zh) * 2018-04-20 2020-07-28 武汉华星光电技术有限公司 Tft阵列基板及液晶显示面板
US20230064760A1 (en) * 2021-08-30 2023-03-02 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for generating euv radiation

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4006968A (en) * 1975-05-02 1977-02-08 Hughes Aircraft Company Liquid crystal dot color display
US4037930A (en) * 1976-04-05 1977-07-26 Hitachi, Ltd. Liquid crystal display cells
US6038006A (en) * 1996-09-02 2000-03-14 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode
US6124909A (en) * 1996-12-25 2000-09-26 Casio Computer Co., Ltd. Color liquid crystal display device having a plurality of pixel areas which emit non-colored light
JPH10319860A (ja) * 1997-05-23 1998-12-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2955277B2 (ja) * 1997-07-28 1999-10-04 シャープ株式会社 液晶表示装置
US6330047B1 (en) * 1997-07-28 2001-12-11 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for fabricating the same
JP3380482B2 (ja) * 1997-12-26 2003-02-24 シャープ株式会社 液晶表示装置
KR20000031459A (ko) 1998-11-06 2000-06-05 윤종용 반사형 액정표시장치 및 그의 제조방법
JP2000267081A (ja) * 1999-03-17 2000-09-29 Toshiba Corp 液晶表示装置
JP3714044B2 (ja) * 1999-07-15 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 液晶表示装置およびその製造方法ならびに電子機器
JP2001154181A (ja) 1999-12-01 2001-06-08 Sharp Corp 液晶表示装置
JP3744342B2 (ja) 1999-12-03 2006-02-08 セイコーエプソン株式会社 液晶装置および電子機器
KR100661825B1 (ko) * 1999-12-28 2006-12-27 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치의 어레이 기판 및 그의 제조방법
KR100685296B1 (ko) * 1999-12-31 2007-02-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
KR100603846B1 (ko) * 2000-02-10 2006-07-24 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반사투과형 액정 표시장치
JP3400403B2 (ja) 2000-03-29 2003-04-28 シャープ株式会社 液晶表示装置
JP4521089B2 (ja) * 2000-03-31 2010-08-11 オプトレックス株式会社 半透過型液晶表示パネルおよびこれの製造方法
KR100351700B1 (ko) * 2000-04-17 2002-09-11 엘지.필립스 엘시디 주식회사 반투과 액정 표시장치
JP4560924B2 (ja) 2000-09-19 2010-10-13 ソニー株式会社 液晶表示装置
JP3757840B2 (ja) * 2000-11-30 2006-03-22 セイコーエプソン株式会社 半導体チップ実装基板、電気光学装置、液晶装置、エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器
JP2002341342A (ja) 2001-05-21 2002-11-27 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置
JP2003005211A (ja) 2001-06-19 2003-01-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半透過型アクティブ素子アレイ基板およびその製造方法
JP3873827B2 (ja) 2001-07-26 2007-01-31 セイコーエプソン株式会社 液晶装置及び電子機器
JP3610967B2 (ja) * 2001-07-27 2005-01-19 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、カラーフィルタ基板及び電子機器
JP3675427B2 (ja) * 2001-09-25 2005-07-27 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型液晶装置、およびそれを用いた電子機器
JP3999501B2 (ja) 2001-11-26 2007-10-31 株式会社日立製作所 液晶表示装置
JP3714244B2 (ja) * 2001-12-14 2005-11-09 セイコーエプソン株式会社 半透過・反射型電気光学装置の製造方法、半透過・反射型電気光学装置、および電子機器
JP4068942B2 (ja) 2001-12-17 2008-03-26 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法、並びに電子機器

Also Published As

Publication number Publication date
US20070052893A1 (en) 2007-03-08
CN100363805C (zh) 2008-01-23
US20030151791A1 (en) 2003-08-14
US20050162726A1 (en) 2005-07-28
US6987596B2 (en) 2006-01-17
CN1673813A (zh) 2005-09-28
US7196832B2 (en) 2007-03-27
CN1427287A (zh) 2003-07-02
US7630115B2 (en) 2009-12-08
US7034976B2 (en) 2006-04-25
JP2003248222A (ja) 2003-09-05
CN1632660A (zh) 2005-06-29
TW200301382A (en) 2003-07-01
CN100390632C (zh) 2008-05-28
JP4068942B2 (ja) 2008-03-26
KR20030051329A (ko) 2003-06-25
KR100523102B1 (ko) 2005-10-19
TW591273B (en) 2004-06-11
US20060139721A1 (en) 2006-06-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1213334C (zh) 电光装置用基板及其制造方法、电光装置和电子装置
CN1231798C (zh) 液晶装置用基板、液晶装置、和电子设备
CN1204447C (zh) 显示装置用基板及其制造方法、以及液晶装置及电子设备
CN1184513C (zh) 电光装置用基板、电光装置及其制造方法和应用
CN2582024Y (zh) 半透射反射式液晶装置和使用它的电子设备
CN2630888Y (zh) 半透过反射型液晶装置和使用其的电子设备
CN1189780C (zh) 电光装置、滤色片基板和电子设备
CN1138173C (zh) 液晶装置及电子装置
CN2690915Y (zh) 照明装置、液晶装置和电子设备
CN1224859C (zh) 半透过反射型液晶装置和使用其的电子设备
CN1591145A (zh) 电光装置和电子设备
CN1517751A (zh) 上基底及具有该基底的液晶显示装置
CN1734330A (zh) 电光装置、电光装置的制造方法及电子设备
CN1335943A (zh) 反射型及半透射反射型液晶装置以及电子设备
CN100351682C (zh) 液晶显示装置及其制造方法和电子设备
CN100343744C (zh) 电光装置用基板、电光装置和电子设备
CN1648744A (zh) 液晶显示装置和电子设备
CN1892267A (zh) 偏振膜、包括偏振膜的液晶显示器及其制造方法
CN1343902A (zh) 液晶装置及配备该液晶装置的电子装置
CN1763615A (zh) 阵列基板、彩色滤光片基板、液晶显示屏及显示装置
CN1190688C (zh) 液晶装置用基板、液晶装置用基板的制造方法、液晶装置、液晶装置的制造方法及电子设备
CN1782833A (zh) 液晶显示装置、其制造方法及电子设备
CN1885115A (zh) 电光装置、其制造方法及电子设备
CN1185521C (zh) 液晶装置和电子设备
CN1220104C (zh) 电光器件用基板、电光器件及其制造方法以及电子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20160524

Address after: Hongkong, China

Patentee after: BOE Technology (Hongkong) Co.,Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Seiko Epson Corp.

Effective date of registration: 20160524

Address after: 100015 Jiuxianqiao Road, Beijing, No. 10, No.

Patentee after: BOE TECHNOLOGY GROUP Co.,Ltd.

Address before: Hongkong, China

Patentee before: BOE Technology (Hongkong) Co.,Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20050803

CX01 Expiry of patent term