CN1892267A - 偏振膜、包括偏振膜的液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种液晶显示器，根据本发明的液晶显示器包括：第一面板；第二面板，面向第一面板；液晶层，位于第一面板和第二面板之间；偏振膜，其中，偏振膜包括导电颗粒(例如，碳纳米管或者碳纳米纤维)并反射与导电颗粒的取向方向平行的第一偏振分量且透射与导电颗粒的取向方向垂直的第二偏振分量。

Description

偏振膜、包括偏振膜的液晶显示器及其制造方法
本申请要求2005年7月1日在韩国知识产权局提交的第10-2005-0059089号韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用被包含于此。
                          技术领域
本发明涉及一种偏振膜、包括偏振膜的液晶显示器及其制造方法。
                          背景技术
通常，液晶显示器(LCD)包括位于一对显示面板之间的液晶(LC)层，其中，所述一对显示面板各装配有场发生电极和偏振器。
每个像素的场发生电极在液晶层两端产生电场，每个像素中电场强度的变化改变液晶层中液晶分子的取向。
液晶层中液晶分子的取向变化改变穿过液晶层的光的偏振。
偏振器适当地阻挡或透射不同的偏振光，以产生亮区和暗区，从而显示期望的图像。
通常，传统偏振器包括由例如聚乙烯醇(PVA)等材料制成的偏振膜。
可通过在用各向异性的尿化合物对聚乙烯醇进行染色之后在预定方向上拉伸(延伸)聚乙烯醇(PVA)，或者可通过在将染料吸收到PVA中之后在预定方向上布置双色染料的分子来形成偏振膜。
以这种方式形成的偏振膜吸收具有与上述预定方向平行的线性偏振的光分量(与上述预定方向平行的偏振分量)，而该偏振膜透射与预定方向垂直的偏振分量。
可选地，可通过将金属件图案化以在预定方向上延伸来制造传统偏振膜。以这种方式制造的金属偏振膜反射与延伸方向平行的偏振光分量，并且透射与延伸方向垂直的偏振光分量。
液晶显示器是非发射显示装置，液晶显示器允许来自单独配备的背光单元的灯的光穿过液晶层来改变每个像素的亮度。
因此，优选的，附于液晶显示器的偏振器不吸收从背光单元发射的光而是反射从背光单元发射的光，尤其优选地是位于液晶显示器的背光单元附近的偏振器不吸收从背光单元发射的光而是反射从背光单元发射的光。
因为偏振膜需要精确和细致的图案，所以通过将金属图案化来制造偏振膜很难并且昂贵。
在该背景部分中公开的上述信息仅用来增加对发明背景的理解，因此，上述信息可含有对于这个国家的本领域普通技术人员而言不构成已知的现有技术的信息。
                         发明内容
根据本发明示例性实施例的具有偏振件(偏振膜)的液晶显示器包括：基膜；地(导电)层，位于基膜上；多个导电颗粒，位于导电层中。
根据本发明示例性实施例的制造用于LCD的偏振件(偏振膜)的方法包括：在基层(例如，基膜)上涂覆包含液晶材料和导电颗粒的混合物，形成偏振膜；将偏振膜硬化(聚合)。
根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括：第一面板；第二面板，面向第一面板；液晶层，位于第一面板和第二面板之间；第一偏振膜(例如，位于第一面板上)，包含导电颗粒。
液晶显示器还包括位于第二面板上并且包含导电颗粒的第二偏振膜。
第一面板包括基底和基底上的多个薄膜，其中，偏振膜接触基底或者位于薄膜之间，或者在薄膜上。
薄膜可包括：栅极线和数据线，位于基底上；薄膜晶体管，与栅极线和数据线连接；像素电极，与薄膜晶体管连接。薄膜包括形成在基底的整个表面上的共电极。
薄膜还包括位于基底上的阻光构件。薄膜还包括位于基底上的滤色器。
导电颗粒可以以大约50nm至大约150nm的距离彼此分隔开。
导电颗粒可包含碳纳米管或者碳纳米纤维。导电颗粒可以是圆柱形。导电颗粒可具有等于大约500nm至大约900nm的长度和等于大约30nm至大约90nm的宽度。
以下将参照附图来更充分地描述本发明，附图中示出了优选实施例。然而，本发明可以以许多不同的形式实施，而不应被理解为限于这里提到的实施例。
                          附图说明
在图中，为了清晰起见，夸大了层、膜和区域的厚度。相同的标号始终表示相同的元件。可以理解，当元件例如层、膜、区域或基底被表示为“在另一个元件上”时，该元件可直接位于所述另一个元件上或者也可存在中间元件。相反，当元件被表示为“直接在另一个元件上”时，不存在中间元件。在图中：
图1是根据本发明实施例的液晶显示器的透视图；
图2A是图1中示出的偏振膜的顶部平面图；
图2B是图2A中示出的偏振膜的一部分的放大图；
图2C是沿着剖线IIC-IIC截取的图2B中示出的偏振膜的剖视图；
图3是包含在偏振膜中的示例性导电颗粒的透视图；
图4A、图4B和图4C是示出根据本发明实施例的制造偏振件(偏振膜)的方法的图；
图5A是示出根据导电颗粒之间的平均距离和光的波长的偏振膜的透射率和反射率的曲线图，其中，所述光的偏振方向与导电颗粒的排列方向垂直；
图5B是示出根据导电颗粒之间的平均距离和光的波长的偏振膜的透射率和反射率的曲线图，其中，所述光的偏振方向与导电颗粒的排列方向平行；
图5C是示出根据导电颗粒之间的平均距离和导电颗粒的平均宽度的偏振膜的透射率和反射率的曲线图，其中，所述光的偏振方向与导电颗粒的排列方向垂直；
图5D是示出根据导电颗粒之间的平均距离和导电颗粒的平均宽度的偏振膜的透射率和反射率的曲线图，其中，所述光的偏振方向与导电颗粒的排列方向平行；
图6是根据本发明示例性实施例的液晶显示器中的像素电路的布局图；
图7是沿着图6中示出的剖线VII-VII截取的图6中示出的液晶显示器的剖视图；
图8是沿着图6中示出的剖线VIII-VIII截取的图6中示出的液晶显示器的剖视图。
                   具体实施方式
将参照图1、图2、图3、图4和图5来详细描述在根据本发明实施例的液晶显示器中使用的偏振膜。
图1是根据本发明实施例的液晶显示器的透视图，图2A是图1中示出的偏振膜12(或22)的顶部平面图，图2B是图2A中示出的偏振膜12(或22)的一部分的放大图，图2C是沿着剖线IIC-IIC截取的图2B中示出的偏振膜12(或22)的剖视图，图3是包含在偏振膜中的示例性导电颗粒的透视图。
如图1中所示，根据本发明示例性实施例的液晶显示器包括：下面板100；上面板200；液晶层3，位于下面板100和上面板200之间；偏振膜12和22，设置在下面板100和上面板200的外表面上。
场发生电极(未示出)形成在下面板100和上面板200中的至少一个的内表面上。
偏振膜12和22可以选择性地设置在显示面板100和200的内表面上，或者可仅设置在显示面板100或200之一的内表面上。
参照图2A至图2C，根据本发明示例性实施例的偏振膜12包括由液晶材料制成的地(导电)件和多个导电颗粒32。
液晶材料是向列液晶，所述向列型液晶包括在液晶分子的长度方向上彼此平行取向的拉长的液晶分子。
导电颗粒32在一个方向上长并且在几条线上取向，从而导电颗粒的长度方向与液晶分子的长度方向一致。
导电颗粒32之间的距离(d)，即，或者间距，优选地小于入射光波长的大约三分之一，更优选地，小于入射光波长的大约四分之一。
因为可见光的波长为从大约380nm至大约780nm，所以距离(d)(图2B)优选地小于大约150nm，(更优选地，在大约50nm至大约150nm之间)。
参照图3，导电颗粒32为近似圆柱形，导电颗粒32的宽度优选地小于导电颗粒32之间的平均距离(d)的大约0.6倍。
导电颗粒32优选地包含碳纳米管或碳纳米纤维。在这种情况下，导电颗粒32的长度L1在从大约500nm至大约900nm的范围内，导电颗粒32的宽度(直径)L2在从大约30nm至大约90nm的范围内。
接着，将参照图4来详细描述制造根据本发明实施例的偏振件的方法。
图4A、图4B和图4C是示出制造图2A至图2C中示出的偏振件的方法的剖视图。
首先，如图4A所示制备基膜12a。
参照图4B，光固化液晶材料31和导电颗粒32混合并涂覆在基膜12a上，以形成偏振膜12。
最后，如图4C中所示将偏振膜12硬化。
用于硬化工艺的例子有在大约80-100℃的温度下预烘偏振膜12，然后用紫外射线辐射。
接着，偏振膜12的液晶材料31光聚合并瞬时硬化，从而液晶分子在一个方向上取向。
当液晶材料31硬化时，导电颗粒32与液晶分子一起被取向。
因此，即使不用金属膜沉积和光刻也能制造在单一方向上取向的多个导电颗粒32。
如上所述制造的偏振件(偏振膜)附于液晶显示器的显示面板100和200的外表面上。
然而，如前所述，可通过混合液晶材料31和导电颗粒32、将混合物直接涂覆在显示面板100和200的内表面或外表面上并且硬化涂覆后的所得物来形成偏振膜12(从而，直接在显示面板100或200上形成偏振膜12)，代替将偏振件附于液晶显示器的显示面板100和200上。
下面，将参照图5A、图5B、图5C和图5D来描述根据本发明示例性实施例的偏振膜12或22(图1中)的光学特性。
图5A和图5B是均示出作为入射光波长除以导电颗粒之间的平均距离的函数的偏振膜的透射率和反射率的曲线图。在图5A中，光具有与导电颗粒的取向方向垂直的偏振。在图5B中，光具有与导电颗粒的取向方向平行的偏振。
图5A和图5B的横坐标表示光的波长除以导电颗粒32之间的平均距离(d)(以下称作“单位波长”)。
参照图5A，虽然光的透射率根据波长不存在明显的变化，但是反射率示出了显著的变化。当单位波长小于大约三时，反射率不规则并且高。随着单位波长变得高于大约三，反射率的变化减小，随着单位波长变得高于四，反射率变小且均匀。
因此，从上面可以看出，当导电颗粒32之间的平均距离(d)小于入射光波长的大约三分之一时，优选地，当导电颗粒32之间的平均距离(d)小于入射光波长的大约四分之一时，如本示例性实施例中所示，具有与导电颗粒32的取向方向垂直的偏振的光被完全透射且没有被反射。
参照图5B，当单位波长大于大约三时，光透射率迅速降低，当单位波长大于大约四时，反射率和透射率显示出近似常数值。
因此，从上面可以看出，当导电颗粒32之间的距离小于入射光波长的大约1/3.5时，优选地，小于入射光波长的大约四分之一时，具有与导电颗粒32的取向方向平行的偏振的光被完全反射。
图5C和图5D是分别示出作为导电颗粒的平均宽度除以导电颗粒的平均距离(d)的比的函数的偏振膜的透射率和反射率的曲线图。在图5C中，光具有与导电颗粒的取向方向垂直的偏振。在图5D中，光具有与导电颗粒的取向方向平行的偏振。
图5C和图5D中的横坐标表示导电颗粒32的平均宽度L2除以导电颗粒32的平均距离(d)(以下，称作“单位平均宽度”)。
参照图5D，具有与导电颗粒32的取向方向平行的偏振的入射光反射率高并且透射率接近于零。因此，单位平均宽度的变化并不能显著地影响具有平行的偏振的光的反射率或透射率。
然而，参照图5C，具有与导电颗粒32的取向方向垂直的偏振的入射光的反射率几乎为0，当单位宽度增加到大于0.6时，光的反射率明显增加。另一方面，当单位平均宽度增加到大于0.6时，入射光的透射率减小。
因此，在本发明的示例性实施例中，当单位导电颗粒32之间的平均距离(d)的导电颗粒32的平均宽度(导电颗粒32的平均宽度除以单位导电颗粒32之间的平均距离(d))小于0.6时，具有与导电颗粒32的取向方向垂直的偏振的光被完全透射。
参照图6、图7和图8，将详细描述包括根据本发明示例性实施例的偏振膜的液晶显示器。
图6是包括根据本发明示例性实施例的液晶显示器的像素的一部分的布局图。图7是沿着图6中示出的剖线VII-VII截取的图6中示出的液晶显示器的剖视图，图8是沿着图6中示出的剖线VIII-VIII截取的图6中示出的液晶显示器的剖视图。
根据本示例性实施例的液晶显示器包括：薄膜晶体管(TFT)阵列面板100(图1中的下面板100)；共电极面板200(图1中的上面板200)，面对TFT阵列面板100；液晶层3，位于面板100和面板200之间；一对偏振膜12、22，设置在面板100和面板200上。
首先，现在将更详细地描述TFT阵列面板100。
多条栅极线121和多条存储电极线131形成在绝缘基底110上，所述绝缘基底为例如透明玻璃或塑料。
栅极线121传输栅极信号并且基本在横向(例如，水平)方向上延伸。
栅极线121的每条包括：多个栅电极124，向下突出；(至少)一个端部129，具有用于与另一层或外部驱动电路接触的扩大的区域。
用于产生栅极信号的栅极驱动电路(未示出)可安装在柔性印刷电路(FPC)膜(未示出)上，该柔性印刷电路膜可附于基底110上、直接安装在基底110上或者集成到基底110上。
栅极线121可延伸为与驱动电路直接连接，该驱动电路可集成到基底110上。
存储电极线131被供给预定电压，存储电极线131的每条包括：主干(stem)，基本上与栅极线121平行延伸；多个成对的存储电极133a和133b，从主干分支。
存储电极线131的每条位于两条相邻的栅极线121之间，存储电极线131的主干靠近两条相邻栅极线121中的一条。
存储电极133a和133b的每个具有与主干连接的固定端部和与固定端部相对设置的自由端部。
存储电极133b的固定端部具有扩大的区域，存储电极133b的自由端部分叉为线性(直)分支和弯曲分支。
然而，存储电极线131可具有各种形状和布置。
栅极线121和存储电极线131优选地由含Al金属例如Al和Al合金、含Ag金属例如Ag和Ag合金、含Cu金属例如Cu和Cu合金、含Mo金属例如Mo和Mo合金、Cr、Ta或Ti制成。
然而，它们可具有包括物理特性不同的两层导电膜(未示出)的多层结构。
两层膜中的一层优选地由低电阻率金属例如含Al金属、含Ag金属和含Cu金属制成，以减小信号延迟或电压降。
另一层膜优选地由例如含Mo金属、Cr、Ta或Ti等材料制成，所述材料具有良好的物理、化学特性，并且具有良好的与其它导电材料例如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的电接触特性。
两层膜结合的典型例子是下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。
然而，栅极线121和存储电极线131可由各种金属或导体制成。
栅极线121和存储电极线131的侧面相对于基底110的表面倾斜，它们的倾斜角在大约30-80度的范围内。
优选地由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的栅极绝缘层140形成在栅极线121和存储电极线131上。
优选地由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或者多晶硅制成的多个半导体岛(例如，带状)151形成在栅极绝缘层140上(例如，形成在从栅极线121向下突出的多个栅电极124上方)。
半导体岛151基本上在纵向方向上延伸并且每个半导体岛151包括向其各自的栅电极124扩展的突出154。
半导体岛151在靠近栅极线121和存储电极线131的位置变宽，从而半导体岛151覆盖栅极线121和存储电极线131的扩大的区域。
多个欧姆接触带161(163)和欧姆接触岛165形成在半导体岛151上。
欧姆接触带161(163)和欧姆接触岛165优选地由用N型杂质例如磷重掺杂的n+氢化a-Si制成，或者它们可由硅化物制成。
每个欧姆接触带161包括多个突出163，欧姆接触突出163和欧姆接触岛165成对地位于半导体岛151的突出154上。
半导体岛151和欧姆接触161、165的侧面相对于基底110的表面倾斜，它们的倾斜角优选地在大约30-80度的范围内。
多条数据线171和多个漏电极175形成在栅极绝缘层140上方。多个漏电极175形成在欧姆接触165上。
数据线171传输数据信号并且基本上在与栅极线121垂直的纵向(例如，竖直)方向上延伸。
每条数据线171也与存储电极线131垂直，并且在相邻的成对存储电极133a和133b之间延伸。
每条数据线171包括向栅电极124突出的多个源电极173和具有用于与另一层或外部驱动电路接触的扩大的区域的端(末端)部179。
用于产生数据信号的数据驱动电路(未示出)可安装在FPC膜(未示出)上，该FPC膜可附于基底110上、直接安装在基底110上或者集成到基底110上。
数据线171可延伸为与驱动电路连接，该驱动电路可集成到基底110上。
漏电极175与数据线171分离并且相对于栅电极124与源电极173相对设置。
漏电极175的每个包括宽端部和窄端部。
宽端部与存储电极线131叠置，窄端部被“J”形的源电极173部分地包围。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体岛151的突出154一起形成TFT，该TFT具有在位于源电极173和漏电极175之间的(半导体岛151的)突出154中形成的沟道。
数据线171和漏电极175优选地由难熔金属例如Cr、Mo、Ta、Ti或其合金制成，数据线和漏电极可具有包括难熔金属膜(未示出)和低电阻率膜(未示出)的多层结构。
多层结构的典型例子是包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的双层结构以及下Mo(合金)膜、中间Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三层结构。
然而，数据线171和漏电极175可由各种材料或导体制成。
数据线171和漏电极175具有倾斜的边缘轮廓，相对于基底它们的倾斜角在大约30-80度的范围内。
欧姆接触161和165仅位于下面的半导体岛151和在其上的上面的导体171和175之间，减小元件之间的接触电阻。
尽管半导体岛(带)151在大多数位置比数据线171窄，但是如上所述，半导体岛151的宽度在靠近栅极线121和存储电极线131的位置变大，以平滑表面轮廓，从而防止数据线171断开。
半导体岛151包括不被数据线171和漏电极175覆盖的一些暴露部分，例如，位于源电极173和漏电极175之间的部分。
钝化层180形成在数据线171、漏电极175以及半导体带151的暴露部分上。
钝化层180优选地由无机或有机绝缘体制成，并且它可具有平坦的顶部表面。
无机绝缘体的例子包括硅氮化物和硅氧化物。
有机绝缘体可具有感光性并且介电常数小于大约4.0。
钝化层180可包括无机绝缘体的下膜和有机绝缘体的上膜，从而该钝化层具有有机绝缘体的良好的绝缘特性而且通过有机绝缘体防止半导体带151的暴露部分被损坏。
钝化层180具有分别暴露数据线171的端部179和漏电极175的多个接触孔182和185。钝化层180和栅极绝缘层140具有暴露栅极线121的端部129的多个接触孔181、暴露存储电极线133靠近存储电极133a的固定端部的部分的多个接触孔183a以及暴露存储电极133a的自由端部的线性分支的多个接触孔183b。
多个像素电极191、多个桥(overpass)83和多个接触辅助物81、82形成在钝化层180上。
它们优选地由透明导体例如ITO或IZO制成，或者由反射导体例如Ag、Al、Cr或它们的合金制成。
像素电极191通过接触孔185与漏电极175物理连接和电连接，从而像素电极191从漏电极175接收数据电压。
被供给数据电压的每个像素的像素电极191与被供给共电压的相对的共电极面板200的共电极270一起产生电场，所述电场确定每个像素中液晶分子(未示出，位于面板100和面板200之间的液晶层3中)的取向。
每个像素中穿过液晶层3的光的偏振根据每个像素中液晶分子的被确定的取向而改变。
像素电极191和共电极270形成被称作“液晶电容器”的电容器，该电容器在像素的TFT截止之后存储施加的电压。
像素电极191与包括存储电极133a和133b的存储电极线131叠置。
像素电极191、与像素电极191连接的漏电极175以及存储电极线131形成被称作“存储电容器”的附加电容器，该电容器提高每个像素的液晶电容器的电压存储容量。
接触辅助物81和82分别通过接触孔181和182与栅极线121的端部129和数据线171的端部179连接。
接触辅助物81和82保护端部129和179并且提高端部129、179与外部器件之间的粘附。
桥83跨过栅极线121并且它们分别通过接触孔183a和183b与存储电极线131的暴露部分以及存储电极133b的自由端部的暴露的线性分支连接，接触孔183a和183b相对于栅极线121彼此相对设置。
包括存储电极133a和133b的存储电极线131与桥83一起可用于修复栅极线121、数据线171或TFT中的缺陷。
下面为参照图7和图8对共电极面板200的描述。
阻光构件220形成在绝缘基底210(例如，透明玻璃)上。
被称作黑色矩阵的阻光构件220防止像素之间的光泄漏。
阻光构件220具有多个面向像素电极191的开口。所述开口可具有与像素电极191的平面形状基本相同的形状。
另外，阻光构件220可包括面向TFT阵列面板100上的数据线171或栅极线121的多个部分以及面向TFT阵列面板100上的TFT的多个加宽的部分。
多个滤色器230形成在基底210和阻光构件220上。
滤色器230基本上设置在像素被阻光构件220包围的区域中，并且滤色器230可沿着像素电极191基本上在纵向方向上延伸。
滤色器230的每个可表示原色红色、绿色或蓝色中的一种。
保护层250形成在滤色器230和阻光构件220上。
保护层250优选地由(有机)绝缘体制成并防止滤色器230被暴露且提供平坦的表面。可省略保护层250。
共电极270形成在保护层250上。共电极270优选地由透明导电材料例如ITO和IZO制成。
取向层(未示出)涂覆在面板100和200的内表面上。
偏振膜12和22被设置在面板100和200的外表面上。
偏振膜12和22可以可选地设置在显示面板100和200的内表面上，例如设置在基底110、设置在其它层之间。
偏振膜12和22具有如图1至图3中示出的结构，并且可通过图4A至图4C中示出的方法制造(例如，在基底110上)。
与偏振膜12或22中的导电颗粒取向的方向平行(或垂直)的轴是偏振轴。
偏振膜12和22的每个透射光与偏振轴平行的偏振分量，并且反射与偏振轴垂直的偏振分量，从而产生线性偏振光，其中，所述光进入液晶层3或者从液晶层3中射出。
偏振膜12和22的透射轴以直角交叉或者彼此平行。当入射光穿过液晶层3时，可通过控制每个像素中入射光偏振的改变来影响亮度变化。
当LCD是反射式LCD时，可省略偏振膜12和22中的一个。
位于显示面板100和200之间的液晶层3包含具有正介电各向异性的向列液晶材料。
使液晶层3的液晶分子取向，从而液晶分子的长轴可与显示面板100和200的表面平行取向。
液晶分子的长轴方向从一个显示面板100到另一个显示面板200螺旋扭转大约90度。
LCD还可包括用于补偿液晶层3的延迟的至少一个延迟膜(未示出)。
LCD还可包括向延迟膜、显示面板100和200以及液晶层3供给光的背光单元(未示出)。
由于偏振膜包括在预定方向上取向的导电颗粒，所以偏振膜反射与导电颗粒的取向方向平行偏振的光分量，并且透射与导电颗粒的取向方向垂直偏振的光分量。
尽管已经结合目前认为实用的示例性实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明不限于公开的实施例，而且相反，本发明意图覆盖包含在权利要求的精神和范围内的各种修改和等同排列。

Claims (22)

1、一种偏振膜，包括：
偏振层，位于基层上；
多个导电颗粒，位于所述偏振层中。
2、如权利要求1所述的偏振膜，其中，所述偏振层包含液晶材料。
3、如权利要求1所述的偏振膜，其中，所述导电颗粒以大约50nm至大约150nm的距离彼此分隔开。
4、如权利要求1所述的偏振膜，其中，所述导电颗粒包含从由碳纳米管和碳纳米纤维组成的组中选择的至少一种。
5、如权利要求1所述的偏振膜，其中，所述导电颗粒是圆柱形。
6、如权利要求5所述的偏振膜，其中，所述导电颗粒的每个具有等于大约500nm至大约900nm的长度和等于大约30nm至大约90nm的宽度。
7、一种制造偏振膜的方法，所述方法包括：
用包含液晶材料和导电颗粒的混合物涂覆基层，形成偏振膜；
将所述偏振膜中的所述液晶材料聚合。
8、如权利要求7所述的方法，其中，所述导电颗粒以大约50nm至大约150nm的距离彼此分隔开。
9、如权利要求7所述的方法，其中，所述导电颗粒包含从由碳纳米管和碳纳米纤维组成的组中选择的至少一种。
10、如权利要求7所述的方法，其中，所述导电颗粒是圆柱形。
11、如权利要求10所述的方法，其中，所述导电颗粒的每个具有等于大约500nm至大约900nm的长度和等于大约30nm至大约90nm的宽度。
12、一种液晶显示器，包括：
第一面板；
第二面板，面向所述第一面板；
液晶层，位于所述第一面板和所述第二面板之间；
第一偏振膜，包含导电颗粒。
13、如权利要求12所述的液晶显示器，还包括位于所述第二面板上并且包含导电颗粒的第二偏振膜，其中，所述第一偏振膜位于所述第一面板上。
14、如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述导电颗粒以大约50nm至大约150nm的距离彼此分隔开。
15、如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述导电颗粒包含从由碳纳米管和碳纳米纤维组成的组中选择的至少一种。
16、如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述导电颗粒是圆柱形。
17、如权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述导电颗粒的每个具有等于大约500nm至大约900nm的长度和等于大约30nm至大约90nm的宽度。
18、如权利要求12所述的液晶显示器，其中，所述第一面板包括基底和所述基底上的多层薄膜，其中，所述偏振膜：
直接接触所述基底；
位于所述薄膜之间；或者
位于所述薄膜上。
19、如权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述多个薄膜包括：
栅极线和数据线，位于所述基底上；
薄膜晶体管，与所述栅极线和所述数据线连接；
像素电极，与所述薄膜晶体管连接。
20、如权利要求18所述的液晶显示器，其中，所述多个薄膜包括形成在所述基底的整个表面上的共电极。
21、如权利要求20所述的液晶显示器，其中，所述多个薄膜还包括位于所述基底上的阻光构件。
22、如权利要求20所述的液晶显示器，其中，所述多个薄膜还包括位于所述基底上的滤色器。
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