CN1201342C - 芯片电阻形成用的陶瓷基板及芯片电阻的制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种能够抑制在陶瓷基板及芯片电阻的制造过程中产生不良的断裂并且能满足分割后尺寸精度的芯片电阻用陶瓷基板。使得一次分割沟的两主面的合计深度比二次分割沟的两主面的合计深度要浅，并使得电阻形成面侧一次分割沟1a比内面侧一次分割沟1b要深而使得内面侧二次分割沟2b比电阻形成面侧二次分割沟2a要深。在陶瓷基板的边缘部分分割沟2b的端部或仅在其延长上形成盲沟或盲孔。

Description

芯片电阻形成用的陶瓷基板及芯片电阻的制造方法

技术领域

本发明涉及用于形成芯片电阻的陶瓷基板以及采用该陶瓷基板的芯片电阻的制造方法。

背景技术

如图17所示，芯片电阻11在陶瓷基板12的两主面到端面上形成2个电极膜14，在一侧的主面上形成电阻膜13并且在其上形成保护膜15。以往，陶瓷基板12如图18所示那样以分割沟6区分成多个格子内区域3并且具备形成在该格子内区域3的短边侧3a的一次分割沟1以及形成在长边侧3b的二次分割沟2，为了高效地制造芯片电阻11，在它的制造过程中采用上述的形状。

又，随着这种芯片电阻11的小型化、尺寸精度的精密化，一般在两主面各自对应的位置上形成分割沟6，该分割沟6的形成方法如图19所示，通过将金属模具备的刀刃8a、8b压入生片5来形成。如此，将形成了规定形状的生片5在规定温度下烧成而得到陶瓷基板12。

其次，对于芯片电阻11的制造工序进行说明。如图20所示，首先在陶瓷基板12的两主面上印刷电极膜14，在烧成之后在陶瓷基板12的一侧的主面上印刷电阻膜13并进行烧成。然后，利用激光修整对于电阻膜13的一部分进行整形并将电阻值调整到规定范围，然后，在电阻膜13上印刷保护膜15并进行烧成。其次，进行一次分割沟1的断开并且在断开后的细长基板片的一次分割沟1的剖面上印刷电极膜14，在烧成之后，再以二次分割沟2将细长基板片断开，由此制造多个芯片电阻11。

作为以往采用以一次分割沟1及二次分割沟2进行分割的方法，通常所知的是以滚筒方式以及曲折方式进行。滚筒方式是如图21A所示的方法，即通过将陶瓷基板12插入并且压于大径直滚筒16于小直径滚筒17之间，由此，分割成如图22A所述的细长基板片4或者图22B所示的芯片电阻11。又，曲折方式是如图21B所示的方法，即将陶瓷基板12通过固定部件18夹在基台上，然后，利用压下部件19施加曲折重量，并以分割沟1将曲折后的陶瓷基板12分割，与上述滚筒方式同样地，在每个细长基板片4上将陶瓷基板12分离成芯片电阻11。

然而，从一次分割沟1开始断开时，在滚筒方式中，大直径滚筒16的压力对于陶瓷基板12的二次分割沟也会产生作用，会产生细长基板片的二次分割沟2处断开所谓的基板片折断不良的情况。同样，即使采用曲折方式，有时也会发生由于夹持陶瓷基板12的压力而使得二次分割沟2断开这样的问题。这种基板片折断不良的情况对于上述向端面印刷电极膜14工序中的利用自动装置进行搬送、决定位置、印刷等的动作会产生妨碍，因此，必须使得自动装置停止工作或者从自动装置中去除不良部件。

为了解决基板片折断不良等的问题，关于沟的深度提出了各种方案，例如，在日本专利公开3-160704号公报中，在沿纵沟(一次分割沟1)分割之后沿横沟(二次分割沟2)分割时，使得纵沟的深度为基板厚度T的0.5倍左右并且使得横沟的深度较浅而为基板厚度T的0.2～0.3倍。

又，在日本专利公开3-64089号公报中，虽然没有记载基板的厚度T，而所揭示的是使得最初割断方向的分割沟6(一次分割沟1)的印刷面的深度为170～260μm、里面的深度为10～120μm，并且使得最后进行分割的方向的分割沟6(二次分割沟2)的印刷面的深度为10～100μm、里面的深度为70～180μm。使得二次分割沟2的两主面的合计深度比一次分割沟1的两主面的合计深度要小并且使得二次分割沟2的印刷面的深度比其内面侧要小，这样在印刷面上细长电极膜14、电阻膜13、保护膜15，即使由此带来的拉伸应力使得印刷面鼓出，也能够防止因一次分割沟1的断开时陶瓷基板12的两端上负重引起二次分割沟2的断裂。

如上所述，以往的基板通过使得一次分割沟1的两主面的合计深度比二次分割沟2的两主面的合计深度要小，并且使得二次分割沟2的表里面的深度与之相反，由此，能够防止上述滚筒方式以及曲折方式引起的在一次分割沟1断裂时二次分割沟2发生断裂这样的基板片折断的不良情况。

然而，当前随着芯片状电子部件更进一步的薄型化及小型化，芯片电阻11也同样地向这个方向发展，使用以往的分割装置以及穿通装置逐渐不能精度良好地成形分割的陶瓷基板12。

对于陶瓷基板的分割技术，在上述日本专利公开3-160704号公报以及日本专利公告5-5421号公报中，使得一次分割沟1的深度为基板厚度T的50％左右，为了防止一次分割沟1断裂时基板片折断不良，使得二次分割沟2的两主面的合计深度比一次分割沟1的两主面的合计深度要小。

然而，对于陶瓷基板12的厚度T为230μm以下的薄板基板，当分割沟6的两主面的合计深度超过陶瓷基板12的厚度T的约40％时，则在形成陶瓷基板12的分割沟6的工序、烧成工序以及此后形成的芯片电阻11的印刷工序及其后的烧成工序中，会发生分割沟6断裂的问题，而且较多地会产生在上述一次分割沟1断裂时二次分割沟2断裂这样的基板折断不良的情况。

另一方面，日本专利公开3-64089号公报中虽然使得印刷面侧的二次分割沟2的深度比其内面侧的沟深度要小并且考虑到断开一次分割沟1时二次分割沟2会发生断裂不良的情况，而由于分割沟6的深度范围很宽，即使陶瓷基板12的厚度为230μm以下的薄基板采用其深度的最小值，在陶瓷基板12的分割沟6的形成工序以及烧成工序等之中，同样地也会发生在上述一次分割沟1的断开时二次分割沟2断裂不良的情况。

而且，在陶瓷基板12上，形成用于分割成芯片状电阻单体25的上述多条分割沟6，如图23所示，也同时形成用于分离基板边缘部分的边缘部分分割沟26，使得该基板的边缘成为边缘部分27。该边缘部分分割沟26通常也兼作为上述一次分割沟与二次分割沟中最外轮廓的一次分割沟及二次分割沟。形成边缘部分27的目的是为了保护电阻单体25不受外部冲击并且防止成形时应力的集中以及烧成中产生龟裂等等。

分割沟形成的工序如图24所示，将生片5插入到金属模28的状态，将上穿孔机29压入生片5并且由阴模30将外缘切断。在该上穿孔机29上装有刀具的刀刃31，在切断外缘之后再将上穿孔机29压入，刀刃31压入生片5，同时形成上述一次分割沟及二次分割沟6以及边缘部分分割沟26。然后，如图25所示，在上述生片5的沟的形成工序之后，经过烧成工序、表面处理工序、校正翘曲工序、外观检查工序而作成陶瓷基板12。

陶瓷基板12在形成电阻膜13之后，为了分割成电阻单体25，如图23所示，利用边缘部分分割沟26的切断将边缘部分27从陶瓷基板中分割出来。在此分割之前，边缘部分27对于陶瓷基板12是必要的，即使对于边缘部分分割沟26也必须防止产生裂缝。对于边缘部分分割沟26，在断裂时必须显示良好的分割性，而在分割之前也必须要防止裂缝以及断裂的发生。

为了获得良好的分割特性，如图26所示，以往的边缘部分分割沟26触及到陶瓷基板12的端部。然而，由于这样的边缘部分分割沟26很容易产生龟裂，如图27所示，使得形成边缘部分分割沟26没有触及到陶瓷基板12的端部(参照日本实用新型公开4-59905号)，或者如图28所示使得形成与边缘部分分割沟26平行的盲沟32(参照日本实用新型登录第2590335号)。

又，对于边缘部分的分割，如图27所示，即使使得边缘部分分割沟26形成没有触及陶瓷基板12的边缘端部的形状，由于应力集中在边缘部分分割沟26上，则存在这样的问题，即在边缘部分分割沟26或者边缘部分分割沟26与陶瓷基板12的端部之间容易产生裂缝。

而且，当如图28所示那样使得形成与边缘部分分割沟26平行的其他的盲沟32时，在陶瓷基板的全长上刻制盲沟32，则由于仅在四边的边缘部分分割沟的内边、相对边上能够形成盲沟32，因此，在没有形成盲沟32的二边不能够防止边缘部分分割沟26的产生裂缝。又，当盲沟32触及到陶瓷基板12的端部时，存在这样的问题，即在生片5的冲孔工序及其后的搬送工序、烧成工序中在盲沟32上容易产生裂缝而使得成品率下降。

再者，为了将形成了分割沟6及盲沟32的陶瓷基板12作成电阻8，要形成电阻膜13及电极膜，则采用印刷法以及液状感光剂法，在印刷法中，例如，如图30所示，采用利用位置固定销33来固定陶瓷基板12的外缘减小印刷的方式。

为了对于陶瓷基板12的外形进行整形，通常在生片阶段如上所述在主面上形成分割沟的同时进行冲孔加工。在图31中，列举了利用金属模进行冲孔加工中所使用的金属模，这是采用具有陶瓷基板12边缘形状的上冲床34及下冲床35以及与它们对应的模具36对于生片5进行冲孔的方法。

采用这种方法进行冲孔后的生片5如图32所示，边缘部分37存在大小上的相差而呈现出S字状的剖面形状。这是由于当由下冲床35及模具36将生片5剪断时，如图33A所示因下冲床35及模具36的间隙38而在生片5的上部形成“塌边”39。而且，当进一步进行切断时，如图33B所示，在生片5的下部形成突出部分40。对于切断型的金属模，生片5的边缘部分37成为该剖面形状，而对于一般构造的金属模如图33C所示，在模具36回复原位时由于反方向摩擦生片5的边缘部分37，因此，在下侧形成“塌边”39并且在上侧形成突出部分40。

即使在烧成生片5并作成陶瓷基板12的状态下，该生片3的边缘部分37的突出部分40也几乎保持原形，而因与上述网板印刷的位置固定销33的接触或者其他搬送工序中的机械的冲击，则很容易脱落。这会造成印刷位置的精度发生偏差或者由于脱落的碎屑掉入印刷用网板而带来不良影响，成为陶瓷基板12的图案印刷中缺损等的原因。

为了解决该问题，作为以往技术在日本专利公开63-226092号中，如图34所示，在生片5的表里形成多角形的切沟41，将烧成生片5而获得的陶瓷基板12的切沟41折断，形成如图35所示的尤如边缘部分37那样的多角形形状。

另一方面在日本专利公开4-158002号中，如图36所示例举了下述方法，在金属模34、35上设有刀尖为锥面的两刀刃的切断刀刃42，利用金属模34、35的切断刀刃42使得在生片的里面形成较深的切断沟41而将生片5切断。这是为了通过利用两刀刃的切断刀刃42从表里压入而切断生片5，如图37所示，使得边缘部分37的边缘形成弧状(曲面状)，而没有形成以往那样突出的端部。

然而，如图34及图35所示的陶瓷基板12，由于从用金属模加工后的金属模中分离出生片5很困难，必须要花费许多工夫，且由于金属模构造复杂而存在成本较高的问题，而且必须要附加在生片5烧成之后沿着切断沟41将不需要的外部边缘部分43切断的工序。

另外，对于如图36及图37所示的陶瓷基板12，不需要生片5烧成之后分离不要的外部边缘部分的工序，又，以往有这样的优点，即每一生片5或者陶瓷基板12所废弃的外框部分的不要外部边缘部分43较少或者能够使得它们较少。然而，如上所述从生片5很难分离出切断刀刃42，如图38所示，上下切断刀刃42进入生片5并且从生片5的切断沟41的尖端部产生的龟裂44不在垂直方向而相互呈反方向。因此，该切断面的表面容易产生凹凸，这样存在下述问题，在印刷工序中因与位置固定销33的碰撞不能避免地微小部分会脱落以及金属模构造复杂使得金属模制作费用较高。

如此，对于应用以往技术获得的陶瓷基板12，虽然能够防止在边缘部分37产生突出部分40，但存在这样的问题，即如图39所示，通过切断获得端面的垂直面48形成微小的凹凸状，由于在印刷工序中与位置固定销33的接触时的碰撞，凸部会掉落。又，存在生片5在加工后很难脱离金属模的问题以及金属模制作费用高或维持费用高的问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种为了防止将在芯片电阻用陶瓷基板上形成的格子状分割沟的第1分割沟顺次分离成细长基板片时的折损而具备适当分割沟的陶瓷基板以及使用该基陶瓷基板的芯片电阻的制造方法。

又，本发明的目的是提供一种能够防止陶瓷基板的边缘部分及边缘部分分割沟的缺陷并且电阻成形部分与边缘部分能够容易分离的陶瓷基板。

再者，本发明的目的是提供一种具备高精度基板边缘部分的陶瓷基板以及利用该基板的电阻的制造方法。

本发明的陶瓷基板是在两主面上对应配置格子状的分割沟的基板，形成在长方形格子内区域短边侧的一次分割沟的两主面的合计深度比形成在该格子内区域长边侧的二次分割沟的两主面的合计深度要小。在陶瓷基板上，形成多个平行的一次分割沟以及与它们几乎垂直相交而相互平行的二次分割沟，一次分割沟是将分割陶瓷基板分离成最初细长基板片时首先进行断开的分割沟，在断开分离后的细长基板片上留有形成的二次分割沟。

最好，这样的陶瓷基板的一次分割沟电阻形成表面侧的沟深比里面侧的沟深要大。

此时，二次分割沟也是电阻形成表面侧的沟深比里面侧的沟深要大。而且，最好，一次分割沟同样地是电阻膜形成的表面侧比里面侧要深，使得其他的二次分割沟里面侧比表面侧要深。

陶瓷基板的形状最好是厚度为200±30μm、格子内区域的长边为600μm以下且短边侧为300μm以下。最好，长边的长度为600μm～300μm的范围并且短边长度为300μm～100μm的范围。

对于分割沟的深度，一种形态是使得表面侧的二次分割沟比里面侧要深时，一次分割沟的在电阻形成面侧的深度为20±10μm、在里面侧的深度为10±5μm，二次分割沟在电阻形成面侧的深度为40±10μm、在里面侧的深度为10±5μm。

另一种形态是，使得里面侧的二次分割比表面侧要深时，例如最好使得一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm、在里面侧的深度为10±5μm，二次分割沟的深度在电阻形成面侧为10±5μm、在里面侧的深度为40±10μm，此时，对于电阻形成面侧的一次分割沟与里面侧的二次分割沟的刻沟，开口角为30±10°，另外，里面侧的一次分割沟的开口角以及电阻形成面侧的二次的开口角为40±5°。

又，本发明的芯片电阻的制造方法是采用具备多个一次及二次分割沟相互垂直交叉被划分成电阻形成面的陶瓷基板，在该陶瓷基板的两主面上形成电极并在电阻形成面上成电阻膜，此后先分割一次分割沟再分割二次分割沟。

本发明的制造方法是配置支持台使得陶瓷基板移送到装置基台上并将其一次分割沟放置于分割装置中能够升降的安装在升降轴上的下压部件与固定部件之间，通过能够上下移动的升降轴的向下运动，利用固定部件来抑制陶瓷基板并进行固定，然后以制动机构来限制固定部件的向下运动并且使得下压部件进一步向下运动而压入陶瓷基板，由此将一次分割沟断开并分离成细长基板片，重复上述动作。在断开面上形成电极膜之后，再沿着二次分割沟将该细长基板片断开，由此形成芯片电阻。

本发明的陶瓷基板还仅在陶瓷基板的周围将边缘部分及其延长方向上形成盲沟或者盲孔，由此，能够防止陶瓷基板制造工序以及电子部件制造工序中在边缘部分分割沟以及盲沟的附近产生裂缝，并且使得在此后断开成电阻单体的过程中也能够毫无妨碍地进行分离。

本发明的陶瓷基板在其边缘端部的两面上具有倒角以及斜面，在这些倒角之间具有层厚为基板厚度50％以上特别地在50～80％范围宽度的垂直端面，具有该垂直端面的最大光洁度Rmax(按照JIS B0601所规定的表面光洁度的规格)的平均值为6μm以下的特征。

又，本发明的制造方法中包含在烧成陶瓷基板之前在陶瓷基板的边缘端部的两面上形成倒角的工序。即本方法时将在刀尖具有垂直面且根部具有倒角形成用斜面的尖角状一侧刀刃的切断刀刃从烧成前的陶瓷生片的一主面压入，在所述陶瓷生片的周围形成层厚度为所述陶瓷生片的60％～80％的切断沟之后，沿着所述切断沟进行切断，形成在边缘部分具有倒角的生片，然后将其烧成来制造陶瓷基板。

附图说明

图1是本发明的芯片电阻用陶瓷基板的立体图。

图2是形成了电阻的本发明的芯片电阻用陶瓷基板的立体图。

图3A是芯片电阻用陶瓷基板的平面图，图3B表示烧成时拉伸应力的生片的平面图。

图4是形成了电阻膜与保护膜之后的陶瓷基板的剖视图。

图5A与图5B是表示拉断应力大小的生片的剖视图，图5C是表示产生微小裂缝的生片的剖视图。

图6是生片的剖视图。

图7A～图7C是模式性地表示本发明的芯片电阻用陶瓷基板的分割装置的模式的剖视图。

图8A～图8C是本发明的电子部件用陶瓷基板的平面图。

图9A是本发明的电子部件用陶瓷基板的放大图，图9B是其剖视图，图9C～图9E是其平面图。

图10A～图10C是电子部件用陶瓷基板的平面图。

图11是本发明的陶瓷基板的剖视图。

图12是使用在本发明的陶瓷基板的制造方法中的切断刀刃的剖视图。

图13是图12的切断刀刃组装到金属模后状态的剖视图。

图14A～图14C是表示本发明的陶瓷基板的制造方法的剖视图。

图15是表示本发明的陶瓷基板的制造方法中生片的制品部分与不需要的

外部边缘42分离工序的剖视图。

图16是表示本发明的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

图17表示芯片电阻的剖视图。

图18是芯片电阻用陶瓷基板的立体图。

图19是表示由金属模在生片上形成分割沟的一例的剖视图。

图20是芯片电阻的制造工序图。

图21A与图21B是表示以往的分割装置的分割动作的剖视图。

图22A与图22B是表示芯片电阻用陶瓷基板的分割例平面图。

图23是形成了以往的分割沟的电子部件用陶瓷基板的立体图。

图24是将生片进行冲孔成型的金属模的剖视图。

图25是陶瓷基板的制造工序的流程图。

图26是以往的陶瓷基板的平面图。

图27是以往的陶瓷基板的平面图。

图28是以往的陶瓷基板的平面图。

图29是表示以往的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

图30是决定陶瓷基板印刷时的位置的平面图。

图31是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖视图。

图32是以往的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

图33A～图33C是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖视图。

图34是用于说明以往的陶瓷基板的制造工序的多角形切口沟部分的剖视图。

图35是以图34所示的方法制作成的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

图36是表示以往陶瓷基板的制造方法的剖视图。

图37是以图36所示的方法制作成的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

图38是表示以往的陶瓷基板的制造方法的剖视图。

图39是由图38所示的方法制作成的陶瓷基板的边缘部分的剖视图。

具体实施方式

实施形态1

本发明的芯片电阻用陶瓷基板是指由陶瓷进行烧结后的薄板或薄层。使用氧化铝、氮化铝、多铝红柱石、镁橄榄石、玻璃陶瓷等的陶瓷。例如，可以利用Al2O3含量为93.0～99.6重量％的氧化铝粉。通常，使用这些陶瓷微细粉末，在微细粉末中掺入烧结助剂、溶剂、树脂粘结料作成浆体，例如使用刮片法等形成陶瓷的生片5。为了进行冲孔以及形成沟，对于生片5由压机进行冲孔而固定外形，并且压机的金属模所具备的刀刃8压入规定深度而形成分割沟6、26以及盲沟5。此后在一定温度下进行烧却(脱粘结料)，然后，经过高温下的烧结陶瓷基板成形。

对于烧结后的陶瓷基板，在基板的两主面上至少具备分割沟6，分割沟6是由在一个方向上平行的多个沟与在其垂直方向上平行的多个沟形成。如图1所示，在两主面上这些沟以多个格子状对应排列。分割沟是沿着它将基板进行分割的沟，则将格子内区域3的短边侧3a的沟作为一次分割沟1，又将该格子内区域3的长边侧3b上形成的沟作为二次分割沟2，在本说明书中，在断开时，先使一次分割沟1分离，然后使二次分割沟2分离。这样，一次分割沟1的相互间隔比二次分割沟的相互间隔要宽。

在芯片电阻11的制造工序中，如图2所示，对于陶瓷基板12在其两侧的主面中仅仅在一侧的主面上形成电阻膜13。形成该电阻膜13的主面可以称为电阻形成面或者单单称为表面，另一侧的主面单单称为里面。

本发明的陶瓷基板使得电阻形成面侧一次分割沟1a与其里面侧一次分割沟1b的合计深度比电阻形成面侧二次分割沟2a与其里面侧二次分割沟2b的合计深度要浅。

如图3A所示，使得陶瓷基板12的一次分割沟1的相互间的间距P1比二次分割沟2间的间距P2要宽。如图3B所示，在生片5的烧成中脱粘结料时，生片5发生膨胀而拉伸应力从中央向外侧的箭头方向作用，虽然应力向间距狭窄的二次分割沟2分散，然而，应力集中在间距P1较宽的一次分割沟1，而容易产生裂缝及断裂。使得一次分割沟1比二次分割沟2要小的原因是为了抑制这种裂缝及断裂的发生。

若使得一次分割沟1较浅，最初，在分离一次分割沟1时的分离性能很差，通过采用本发明下述的分割装置，即使一次分割沟1较浅，也能够很好地进行分离。

对于陶瓷基板12的厚度T在230μm以下时，最好一次分割沟1以及二次分割沟2的两主面的合计深度为基板厚度T的40％以下，当该分割沟6的深度超过厚度T的40％时，则在将金属模所具备的刀刃7压向生片5而形成分割沟6的过程中，生片5会破裂，在此后的烧结工序即及此后印刷芯片电阻11进行烧成的工序中分割沟6会断裂，又，这是由于在一次分割沟1的分割工序中容易产生二次分割沟2断裂的基板片折断不良的情况。因此，对于一次分割沟1以及二次分割沟2的厚度T较好的范围是使得一次分割沟1为7.5～22.5％，使得二次分割沟2为17.5～32.5％。

又，对于电阻形成面与其里面的分割沟6的深度，使得一次分割沟1、二次分割沟2的承受断裂时施加压力的面较深，并且为了使得断裂时断裂方向相对于基板的厚度方向为竖直方，其相对侧只要有能够引导断裂方向的深度即可。对于分割沟的深度，一种形态是使得一次分割沟1、二次分割沟2的电阻形成面都比里面侧要深，无论在一次分割还是二次分割中，都能够向表面侧的分割沟施加压力。

这种形态下，对于厚度T为200±30μm、格子内区域3的尺寸为600μm×300μm以下的陶瓷基板12，最好使得电阻形成面侧一次分割沟1a的深度为20±10μm、里面侧一次分割沟1b的深度为10±5μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为40±10μm、里面侧二次分割沟2b的深度为10±5μm。如此，在极端形成较小深度的一次分割沟1，可以防止上述生片5烧成时裂缝的发生，并且在下述破裂方法，这种深度也能进行良好的分离。

又，对于一次分割沟1、二次分割沟2，分割沟的开口角最好都是电阻形成面为30°±10°、里面为40°±5°。当金属模具备的刀刃压入生片5时，进入生片5的刀刃的体积大较大，则生片5向分割沟边缘突起，使得形成的较深的电阻形成面的分割沟的开口角较狭是为了减小该突起。又，使得形成的较浅的里面的分割沟的开口角较大是为了确保与金属模刀刃加工技术以及与陶瓷基板12的产量相适应的刀刃的强度。

对于沟的深度的其他形态有，使得一次分割沟1的电阻形成面比里面深、使得二次分割沟2里面比电阻形成面深。这种情况下，在陶瓷基板12断裂时，首先从电阻形成面侧向一次分割沟1施压，此后从里面侧向二次分割沟2施压而使得陶瓷基板12断裂。使得该二次分割沟2在电阻形成面的深度较小而里面的深度较大的原因是为了防止下述情况，即在陶瓷基板12上印刷电阻膜13、保护膜15并进行烧成时，如图4所示，由于电阻膜13、保护膜15的形成物的收缩力使得陶瓷基板12很容易出现谷形的曲翘，此时，当在一次分割沟1断裂时向陶瓷基板12施压，则谷形状基板的两端承受重压，很容易发生二次分割沟2断裂的基板片折断不良。

如此，对于厚度T为200±30μm、格子内区域3的尺寸为600μm×300μm以下的陶瓷基板12，使得电阻形成面侧一次分割沟1a的深度为20±10μm、里面侧一次分割沟1b的深度为10±5μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为10±5μm、里面侧二次分割沟2b的深度为40±10μm。

又，对于分割沟6的开口角θ，电阻形成面侧一次分割沟1a以及里面侧二次分割沟2b为30°±10°、里面侧一次分割沟1b以及电阻形成面侧二次分割沟2a为40°±5°。使得电阻形成面侧一次分割沟1a以及里面侧二次分割沟2b的开口角θ比里面侧一次分割沟1b以及电阻形成面侧二次分割沟2a要浅的是由于如图5A所示，当分割沟6的开口角θ较小时与图5B所示的开口角θ较大时的情况相比，在分割沟6形成时向生片5的拉伸应力较大，结果如图5C所示，在分割沟6的垂直下方容易出现微小的裂缝7。希望不会出现微小裂缝7，而当产生裂缝7时，最好是在断裂面侧，因为若在其相对侧上产生裂缝7，则会引起基板片折断不良情况。又，使得开口角θ较小的分割沟6较深的原因是如图6所示为了防止由于将金属模所具备的刀刃8压入生片5而使生片5的表面形成突起45，因而使得深进入的刀刃8的体积较小。一方较浅的分割沟6为了使得与金属模刀刃8的加工技术上以及陶瓷基板12产量成型相适的刀刃8的强度上或长度的刀刃宽度为一定，而使得分割沟6的开口角θ较大。

关于本发明的芯片电阻的制造方法，对于使用本发明的陶瓷基板12制造芯片电阻11的方法进行说明。与上述图20的制造工序相同，在形成了分割沟的陶瓷基板12的两主面上印刷电极糊，烧附形成电极膜14。然后，在形成对应于陶瓷基板12厚度方向的较深的一次分割沟1的主面上印刷、烧附电阻材料，形成电阻膜13。其次，通过激光照射对电阻膜13进行整形并且调整它为规定的电阻值，在该电阻膜13上印刷烧附保护膜15。

此后，先分离一次分割沟1使其成为细长的基板片，在断裂面上印刷·烧附电极膜14之后，通过二次分割沟2将各基板片分离，形成芯片电阻。

接着，对此分割方法进行说明。图7A表示分割装置的分割动作，首先为了使得陶瓷基板12的电阻形成面在上并且一次分割沟1的断裂部位位于分割装置的下压部件19与固定部件18之间，将陶瓷基板12运送到下部薄板20上。其次，如图7B所示，通过曲柄结构21上下旋转，能够上下运动的升降轴22上下可动，使得下压部件19与固定部件18向下运动，由制动结构24规定固定部件18的向下运动并使其与陶瓷基板12相接。如图7C所示，而且通过升降轴22向下运动，由于连结部分23的杠杆机构，利用固定部件18使得下压部件19进一步向下运动而压向基板，由此将一次分割沟1断开。

根据此方法进行的一次分割，能够高精度地进行断开，并且不会将多余的压力施加到二次分割沟2，而且由于二次分割沟2受到压力的电阻形成面的分割沟6的深度较小，即使陶瓷基板12即使呈现出谷形，基板片也不会发生折断不良现象。

二次分割即可以采用上述的分割方法，也可以采用以往的滚筒方法，使得细长基板片4的电阻形成面在下方，由里面施加压力而断开。

实施例1

以刮片法形成Al2O3含量为96.0％重量的陶瓷生片5，将金属模所具备的刀刃8压到该生片5的一定深度而形成分割沟6，此后，通过在一定温度下进行烧成，形成外围尺寸为60.0mm×49.5mm、厚度T为200μm的陶瓷基板12。陶瓷基板12以分割沟划分开的格子内区域3的长边侧3b的尺寸为580μm、短边侧3a的尺寸为290μm，格子内区域3的个数是2880个。此后，将它们分割开而形成芯片电阻11。

本发明的陶瓷基板12如表1所示，电阻形成面侧一次分割沟1a的深度是，试料A为8μm、试料B为10μm、试料C为20μm、试料D为30μm、试料E为32μm，电阻形成面侧二次分割2a的深度都为40μm，里面侧一次分割沟1b以及里面侧二次分割沟2b的深度都为10μm。又，一次分割沟1以及二次分割沟2同样的分割沟的开口角是电阻形成面侧为30°、里面侧为40°。

比较例也是同样形状的陶瓷基板12，电阻形成面侧一次分割沟1a的深度为90μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为50μm，里面侧一次分割沟1b以及二次分割沟2b的深度都为10μm。这是使得一次分割1的两主面的合计深度为基板厚度T的50％，二次分割沟2的两主面的合计深度为基板厚度T的30％。又，一次分割沟1以及二次分割沟2的分割沟的开口角都是电阻形成面侧为30°，里面侧为40°。

对于分割沟的形成，利用冲压方式首先将具备分割沟形成用的刀刃的金属模压入上述的生片5的两主面，在表里面同时形成二次分割沟2，然后同样地在两主面同时形成一次分割沟1。

一次分割是在两主面上形成电极膜14、在基板厚度方向上形成对应分割沟较深的主面上形成电阻膜13以及保护膜15之后，利用如图7A～图7C所示的分割装置将形成在格子内区域短边侧3a的一次分割沟1进行分割。然而，二次分割沟的分割利用图21的以往方法、滚筒方法进行分割。

对此，其他比较例的一次分割沟1的分割与二次分割都是以以往的方法即图21所示的滚筒方式来实施的。

对于本发明的实施例以及比较例，从生片5的形成分割沟到芯片电阻11的制造工序的一次分割沟1的断裂，此过程中的生片5的断开以及陶瓷基板12的断裂不良、基板片的折断不良、断裂毛刺的发生率如表1所示。对于断裂毛刺，将它的大小超过15μm以上的作为不良毛刺。

                           表1

从此结果可知，本发明的芯片电阻用陶瓷基板12的合计不良率为4.1％之下，而能够提高成品率。

由于比较例是使得一次分割沟1的两主面的合计深度为基板厚度T的50％，二次分割沟2的两主面的合计深度为基板厚度T的30％，经常会产生生片5分割沟形成时的断裂、陶瓷基板12烧成时的断裂、芯片电阻11制造工序中进行印刷烧成时的断裂以及利用滚筒方式一次分割沟1分割时二次分割沟2断裂的基板片折断不良情况以及分割毛刺不良，合计不良率高到51.9％。

即使在本实施形态中，特别地对于一次分割沟1两主面的合计深度为基板厚度T的9％的试料A，一次分割沟1的断裂不良升高到0.5％，又，对于一次分割1的两主面合计厚度为基板厚度T的21％的试料E，在生片5上形成分割沟时经常会产生断裂。因此，一次分割沟1的两主面的合计深度的最佳范围是基板厚度T的10～20％的试料B、C、D。二次分割沟2的两主面合计深度对于试料A～E都为基板厚度T的20％，而没有什么特别的问题。

根据以上结果，对于厚度为200±30μm、格子内区域3的尺寸为600μm×300μm以下的陶瓷基板12的电阻形成面一次分割沟1a深度为20±10μm、里面侧一次分割沟1b的深度为10±5μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为40±10μm、里面侧二次分割沟2b的深度为10±5μm的本发明的芯片电阻用陶瓷基板，对于一次分割沟1的分割方法采用使得升降轴31的向下运动通过带有杠杆机构的连结部分32并利用固定部件18以及下压部件19高精度地进行分离的方法，由此，能够保持小尺寸的芯片电阻11成品率并且能够以高效率的自动生产线进行制造。

实施例2

仅如下述那样改变陶瓷基板的分割沟的尺寸，而其他条件与实施例1相同。

本实施例的陶瓷基板12如表2所示，电阻形成面侧一次分割沟1a的深度是，试料A为8μm、试料B为10μm、试料C为20μm、试料D为30μm、试料E为32μm，里面侧一次分割沟1b的深度都为10μm，电阻形成面侧二次分割沟2a的深度都为10μm，里面侧二次分割沟2b的深度都为10μm，里面侧二次分割沟2b的深度都为40μm。又，电阻形成面侧一次分割沟1a以及里面侧二次分割沟2b的分割沟6的开口角为θ30°、里面侧一次分割沟1b以及电阻形成面侧二次分割沟2a的分割沟6的开口角θ为40°。

比较例也是同样形状的陶瓷基板12，电阻形成面侧一次分割沟1a的深度为90μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为50μm，里面侧一次分割沟1b以及二次分割沟2b的深度都为10μm。又，一次分割沟1以及二次分割沟2的分割沟的开口角θ都是电阻形成面侧为30°，里面侧为40°。

使得分割沟的形成、芯片电阻的制造、分割试验与实施例1相同。

又，对于微小裂缝7的产生，对于没有进行印刷等的陶瓷基板12，本发明实施例、比较例都是用油性红色万能笔对于5层薄层分别将分割沟6进行着色之后，发生断裂，对于各薄层任意的5个点，用工具显微镜观察其断裂剖面，来测定基板厚度方向上微小裂缝7的深度，其平均值记载在表2中。

                         表2

从此结果可知，由于比较例是使得一次分割沟1的两主面的合计深度为基板厚度T的50％，二次分割沟2的两主面的合计深度为基板厚度T的30％，而且使得由此分割沟1以及二次分割沟2的电阻形成面都比其里面侧要深并且电阻形成面的分割沟6的开口角θ小到为30°，则在电阻形成面由此分割沟1a上即电阻形成面二次分割沟2a上分别产生18.5μm及8.2μm深度的微小裂缝7，经常会产生生片5的分割沟6形成时的断裂、陶瓷基板12烧成时的断裂、芯片电阻11制造工序中进行印刷烧成时的断裂以及利用滚筒方式一次分割沟1分割时二次分割沟2断裂的基板片折断不良的情况以及分割毛刺不良和二次分割沟2的断裂毛刺不良，合计不良率达到52.7％。

对此，可知本发明的芯片电阻用陶瓷基板12不良率的合计为4.5％，能够提高成品率。

即使在本发明的实施例中，对于一次分割沟1的基板厚度T两主面的合计深度为其的9％的试料A，一次分割沟1的断裂毛刺不良高达0.4％，又，对于一次分割沟1的基板厚度T，两主面合计厚度为其21％的试料E，在生片5上形成分割沟6时断裂经常到达2.8％。因此，一次分割沟1的两主面的合计深度的最佳范围是基板厚度T的10～20％的试料B、C、D。二次分割沟2的两主面合计深度对于试料A～E都为基板厚度T的25％，而都没有产生特别的问题。

本发明实施例的不良率比比较例显著下降的原因是附加了上述的分割沟6的合计深度的设定，通过使得二次分割沟2的电阻形成面较浅而其里面较深，由此即使形成了电阻膜13、保护膜15的陶瓷基板12耸现为谷形，也可以抑制一次断开时二次分割沟2断裂基板折断不良情况的发生，又，在分割沟6的竖直下方产生微小裂缝7，即由于分割沟6的深度浅而整体上较少的每种试料的开口角θ都为30°以及狭小的电阻形成面侧一次分割沟1a、里面侧二次分割沟2b上4.7μm以下各自相对侧的开口角θ为40°的分割沟6上产生0.7μm以下程度的微小裂缝7，不会使得上述不良率上升。

根据以上结果，对于厚度为200±30μm、格子内区域3的尺寸纵向为600μm以下横向为300μm以下的陶瓷基板12的电阻形成面一次分割沟1a深度为20±10μm、里面侧一次分割沟1b的深度为10±5μm、电阻形成面侧二次分割沟2a的深度为10±5μm、里面侧二次分割沟2b的深度为40±10μm，使得分割沟6的开口角θ为电阻形成面一次分割沟1a以及里面侧二次分割沟2b的为30°，里面侧一次分割沟1b以及电阻形成面侧二次分割沟2a的为40°，由此，能够保持薄板小型的芯片电阻11成品率并且能够以高效率的自动生产线进行制造。

如上所述，本发明的芯片电阻用陶瓷基板，使得一次分割沟的两主面端面合计深度比二次分割沟的两主面的合计深度要小，而且形成电阻形成面要比里面深，并且作为能够用下述的分割方法进行良好分割的深度，二次分割沟的深度是控制陶瓷基板以及芯片电阻制造工序中断裂发生率为较低范围的深度，并且使得电阻形成面比里面要小，一次分割沟1的分割是是采用通过带有杠杆机构的连结部分以升降轴使得固定部件以及下压部件向下运动从电阻形成面进行施压的方法，以从电阻形成面的里面进行的方式或者以往的滚筒方式施加压力进行二次分割沟的分割，即使对于厚度230μm、格子内区域为600×300μm以下的陶瓷基板，能够抑制陶瓷基板制造工序中以及芯片电阻制造工序中的断裂以及一次分割沟的分割时基板的折断不良、分割毛刺不良的产生，而且能够高效地以自动生产线进行制造。

实施形态2

对于该实施形态的陶瓷基板12，在电阻成形，和上述一次及二次分割沟1、2一起，在基板边缘外有边缘部分27，为了将该边缘部分27从电阻成形部分分离开来，而形成了边缘分割沟26。边缘部分分割沟26兼为外轮廓的一次及二次分割沟，而该边缘部分分割沟26的端部达到边缘部分27。

在边缘部分分割沟26的边缘部分27内的端部还形成盲沟或者盲孔，可以保护边缘部分分割沟26的顶端部，以防龟裂产生。

作为盲沟32的示例，在图8A中，在边缘分割沟26的端部形成垂直方向上较短的终端用盲沟32。又，作为其他示例，如图8B所示，在边缘部分分割沟26的端部的其延长方向上并与其分离的位置上能够形成垂直方向上较短的终端用盲沟32。其他示例，如图8C所示，在边缘部分分割沟26的顶端部也能够形成盲孔46。也可以在边缘部分分割沟26的延长位置上形成该盲孔46。

即使应力集中在陶瓷基板12的边缘部分分割沟26上，而利用盲沟32或者盲孔46能够分散该应力并防止裂缝的产生，则陶瓷基板12的制造工序及其后的电子部件制造工序的成品率提高。又，由于边缘部分分割沟26的端部进入到边缘部分27，则边缘部分27的断开性能良好。

对于盲沟以及盲孔进行详细的说明，这里，如图9A所示，在边缘部分分割沟26的垂直方向上形成盲沟32，盲沟32的长度A相对于边缘部分分割沟26的宽度K，最好为A＞K。又，陶瓷基板12的端部与盲沟32的顶端之间的距离N相对于边缘部分27的宽度M，最好N＞0.1×M。而且，陶瓷基板12的端部与盲沟32的距离B以及边缘部分分割沟26的交叉部分到边缘部分分割沟26所突出部分的距离C最好分别为B＞10×K、C＞10×K。

盲沟32的深度G如图9B所示，相对于边缘部分分割沟26的深度H，G为0.75×H到1.5×H的范围，相对于陶瓷基板12的厚度T，G最好为0.08×T到0.5×T之间。当盲沟32与边缘部分分割沟26分离的情况下，如图9C所示，边缘部分分割沟26与盲沟32的距离D相对于盲沟32的长度A，最好为D≤0.5×A。

对于在边缘部分分割沟26的顶端形成盲沟46的情况，如图9D所示，盲孔46的直径E相对于边缘部分分割沟26的宽度K，最好为5×K＞E＞K，盲孔46与陶瓷基板12的端部的距离F最好为F＞E。如图9E所示，当盲孔46与边缘部分分割沟26分离的情况下，边缘部分分割沟26与盲孔46的距离R相对于盲孔46的直径E，最好为R≤0.5×E，陶瓷基板12的的边缘部分与盲孔46的距离F以及从边缘部分分割沟26的交叉部分到边缘部分分割沟26的突出部分的距离C与上面说明的相同。

然而，如图10A所示，即使在边缘部分分割沟26的端部形成箭头状的盲沟32，也不能获得此效果。

这是当用如图24所示的金属模28对于陶瓷基板12进行冲孔成型时，如图10B所示利用分离的削切刀刃47a、47b形成盲沟32。由于即便在该削切刀刃47a与47b的连接部分上在削切刀刃47c的方向上产生裂缝，也不能防止裂缝的延伸。

又，如图10C所示，将边缘部分分割沟26的端部作为中心，当盲沟32的左右的长度P、Q不相等时，由于盲沟32不能够均匀地分散集中在边缘部分分割沟26上的应力，因此，有时在盲沟32上会产生裂缝，有时因盲沟32不能够缓和应力而贯通盲沟32形成裂缝。因此，最好盲沟32对于边缘部分分割沟26具有左右相等的长度。

本实施形态的制造方法是将金属模所具备的削切刀刃以及圆形压入陶瓷生片形成边缘部分分割沟26、电阻单体分割沟6、盲沟32以及盲孔46，此后在规定温度下将它们烧成。

实施例3

作为本发明的实施例，已经例举了图8A的将盲沟32连接在边缘部分分割沟26形成的基板、图8B的将盲沟32与边缘部分分割沟26分离形成的基板以及图8C所示的将盲孔46与边缘部分分割沟26连接形成的基板。作为比较例选择例举了图26所示的边缘部分分割沟26触及到陶瓷基板12的边缘端部的基板、图27所示的边缘部分分割沟26没有触及到陶瓷基板12的边缘端部的基板。还将图28所示的形成与边缘分割沟26平行的盲沟32的基板作为比较例。

这些基板是将金属模28所具备的削切刀刃压入氧化铝含有量为96％的生片5的表面来形成分割沟，并且此后在规定温度下烧成。

陶瓷基板12的外围尺寸为78mm×60nm长方形、厚度0.8mm。本发明的图8A、图8B、图8C形状的试料分别为试料a、试料b、试料c。比较例的图26、图27、图28形状的试料甲、试料乙、试料丙。各试料的尺寸值如表3所示。

表3                                                                              单位mm

	试料名	A	B	C	D	E	F	G	H	T	K	N	M	S
															本发明实施例	试料a	10	5	5	-	-	-	0.2	0.2	0.8	0.2	5	10	-
试料b	10	5	2	3	-	-	0.2	0.2	0.8	0.2	5	10	-
														试料c		-	-	-	-	0.6	3	-	0.2	0.8	0.2	-	10	-
比较例	试料甲	-	-	10	-	-	-	-	0.2	0.8	0.2	-	10																-
														试料乙	-	-	5	5	-	-	-	0.2	0.8	0.2	-	10	5
	试料丙	78	5		5	-	-	0.2	0.2	0.8	0.2	-	10															-

各试料数为10000层，比较图25所示的陶瓷基板制造工序、外观检查工序中的产生裂缝的不良率。又，为了比较边缘部分27的断开性能，将图8A所示的陶瓷基板12如图8B以及图8C所示那样，由边缘部分分割沟26将边缘部分27各10000层薄层手动折断(hand break)，将形成图8D所示电阻单体25的毛刺L为0.2mm以上作为不良情况，比较了不良情况的发生率。以上的结果表示在表4。

表中的判定是用○表示裂缝不良率未满1％，用△表示裂缝不良率1％以上而未满2％，用×表示裂缝不良率2％以上。

表4                                                     数量各10,000层

	试料名	盲沟盲孔裂缝％	盲部分割沟裂缝％	毛刺％	判定
						本发明实施例	试料a	0.03％	0.06％	0.11％	○
试料b	0.04％	0.08％	0.12％	○
					试料c		0.02％	0.06％	0.10％	○
比较例	试料甲	-	7.30％	0.13％							×
					试料乙	-	2.33％	0.12％	×
	试料丙	2.36％	2.13％	0.122％						×

根据实施例3可以判断采用本发明实施例的试料a、试料b、试料c时，盲沟32与边缘部分分割沟26的裂缝发生率以及边缘部分27的断裂引起的毛刺L的发生率都较低判定为“0”。

对于比较例的试料甲与试料乙，边缘部分分割沟26的裂缝发生率因为×而判定它为较高，又，试料丙从盲沟32其的裂缝发生率为×而判定它为较高。又，由边缘部分27的断裂引起的毛刺L的发生率仅试料丙为较高的值。

实施例4

作为本发明的实施例，如实施例3同样地作成图9A所示的陶瓷基板12。对于该试料，使得盲沟32的长度为A、边缘部分分割沟26的宽度为K、陶瓷基板12的边缘端部与盲沟32的距离为B、边缘部分分割沟26的交叉部至边缘部分分割沟26的突出部距离为C、边缘部分27的宽度为M、陶瓷基板12的边缘端部与盲沟32的端部的距离为N，并且K＝0.2mm、B＝5mm、C＝5mm、M＝10mm，设定盲沟32的长度A为0.1mm到18mm的9个种类。试料4-1是A＝0.1mm、试料4-2是A＝0.2mm、试料4-3是A＝0.4mm、试料4-4是A＝1.0mm、试料4-5是A＝2.0mm、试料4-6是A＝5.0mm、试料4-7是A＝14mm、试料4-8是A＝16mm、试料4-9是A＝18mm。

对于上述各试料，陶瓷基板12的边缘端部与盲沟32的端部之间的距离N都为N＝M-(A/2)的值。

其他的陶瓷基板12的条件与实施例3的试料相同。试料数与裂缝的调查方法、评定方法也与实施例3相同，其结果由表5表示。

表5                                                  数量各10,000层

试料名	A的长度	N的长度	盲沟盲孔裂缝％	盲部分割沟裂缝％	毛刺％	判定
							试料2-1	0.1mm	9.95mm	3.50％	3.50％	0.11％	×
试料2-2	0.2mm	9.9mm	1.23％	0.55％	0.11％	△
							试料2-3	0.4mm	9.8mm	0.12％	0.14％	0.15％	○
试料2-4	1mm	9.5mm	0.16％	0.25％	0.14％	○
							试料2-5	2mm	9mm	0.21％	0.32％	0.13％	○
试料2-6	5mm	7.5mm	0.65％	0.26％	0.12％	○
							试料2-7	14mm	3mm	0.67％	0.14％	0.15％	○
试料2-8	16mm	2mm	0.78％	0.16％	0.12％	○
							试料2-9	18mm	1mm	1.11％	0.34％	0.11％	△

根据实施例4，对于盲沟32的长度A比边缘部分分割沟26的宽度K要小的试料4-1，其盲沟32与边缘部分分割沟26的裂缝发生率都为×而判定为较高。对于盲沟32的长度A与边缘部分分割沟26的宽度K相同的试料4-2，盲沟32与边缘部分分割沟26裂缝发生率虽然比试料4-1要低，但判定为△。

又，盲沟32的长度A由于为最长即18mm，陶瓷基板12边缘部分与盲沟32的端部之间的距离N为较短的1.0mm时，则试料4-9从盲沟32起的裂缝发生率稍高，判定为△。

对于盲沟32的长度A为0.4mm～16mm的试料4-3、试料4-4、试料4-5、试料4-6、试料4-7、试料4-8，盲沟32与边缘部分分割沟26的裂缝发生率为较低，判定为○。

实施例5

作为本发明的实施例，与实施例3同样地作成图9D所示的陶瓷基板12。试料以陶瓷基板12的边缘部分与盲孔46的距离F＝3mm、边缘部分27的宽度M＝10mm、边缘部分分割沟26的宽度K＝0.2mm，以盲孔46的直径E的大小分别设定为5个种类。试料3-1是E＝0.15mm、试料3-2是E＝0.25mm、试料3-3是E＝0.3mm、试料3-4是E＝0.6mm、试料3-5是E＝1.0mm。其他的陶瓷基板12的条件与试料数、裂缝、断裂的调查方法、评定方法也与实施例3相同，其结果由表6表示。

表6                                                  数量各10,000层

试料名	E的大小	盲沟盲孔裂缝％	盲部分割沟裂缝％	毛刺％	判定
						试料3-1	0.15mm	0.22％	0.81％	0.08％	△
试料3-2	0.25mm	0.16％	0.42％	0.10％	○
						试料3-3	0.3mm	0.08％	0.10％	0.11％	○
试料3-4	0.6mm	0.08％	0.06％	0.09％	○
						试料3-5	1.0mm	0.89％	0.23％	0.13％	△

盲孔46的直径E小于边缘分割沟26的宽度K的试料3-1由于盲孔46与边缘部分分割沟26之间的裂缝发生率合计为1％以上，则判定为△，直径E为5×K的试料3-5由于盲孔46与边缘部分分割沟26的裂缝发生率合计在1％以上，也判定为△。

盲孔46的直径E超过边缘部分分割沟26的宽度K而未满5×K的试料3-2、试料3-3、试料3-4盲孔46与边缘部分分割沟26起的裂缝发生率为较低，则判定为○。

根据上述实施例3，本发明的实施例相比于比较例，能够降低裂缝、毛刺L的发生率，根据实施例4、3本发明特征性的主要部分的尺寸值最好为A＞K且N＞0.1×M，并且5×K＞E＞K。

根据本发明，对于在周边具备边缘部分的陶瓷基板，通过在边缘部分分割沟的端部或者仅在其延长上形成盲沟或者盲孔，不会降低分割沟的分割性能，并且对于陶瓷基板制造工序及其后的电子部件制造工序，能够防止裂缝以及断裂的发生并且能够提高成品率与生产率。

实施形态3

该实施形态如图11所示，本发明的陶瓷基板12在端部37的两侧的主面侧上具有倒角部分47，它们之间的垂直面48至少为陶瓷基板12的厚度T的50％以上，其表面上凹凸很少并且最大粗糙度Rmax为6μm以下。由此，能够防止印刷工序等中陶瓷基板12的位置固定销33引起的端部37的缺损以及凸部细微脱落的发生。

这里，作为上述最大光洁度Rmax，对于至少20张以上的陶瓷基板12测定了20个以上最大粗糙度Rmax时的平均值。

本发明的陶瓷基板12的边缘部分的成形是通过将切断刀刃42压入生片5而形成。图12表示切断刀刃42的剖面形状，而切断刀刃的刀尖49是由刀刃垂直面50与刀尖倾斜面52形成，并且制成单刃的形状，刀尖角度θ最好为45度以下，经过其根部一侧上与刀尖垂直面50精密连接的倒角倾斜面51，设有切断刀刃的11根部侧平行面53、54。

该切断刀刃42如图13所示，切断刀刃42安装在上穿孔机34的下面侧，并且与切断刀刃的刀尖49的垂直面50相对，使得能够将生片挖出成规定形状。因此，使得切断刀刃倒角用倾斜面51的部分面向金属模的内侧并且安装在上穿孔机34上。

使用时，在下冲床与上冲床34之间放置生片，放下上冲床将切断刀刃42压向5，则如图14A所示，切断刀刃42压入生片5。然后，如图14B所示，进一步压入，在达到生片5厚度T的约50％时切断刀刃倒角用倾斜面51在生片5上开始形成倒角部分47。而且，如图14C所示，当将切断刀刃42压入到生片5厚度T的60～80％时，利用切断倒角用倾斜面51在生片5上形成倒角部分47，另一方面，在生片5上由于切断刀刃42的刀尖49的倾斜面使得扩张而施加压缩应力，向箭头方向产生龟裂44。如此，没有完全切断生片5，若将切断刀刃42向上拉，则形成包围生片的切断沟，在切断沟的底部形成龟裂44即倒角部分47。

生片5从金属模中脱出，在输送过程中如图15所示，生片的切断沟外侧的外部边缘部分分离并且留下固定形状的生片。这里，分离了不需要的外部边缘部分并且此时它沿着前面图14C所示的龟裂自然地断裂，在边缘部分37上，如图11所示在生片5的，两个主面侧上形成倒角部分47，在其之间形成垂直面48的剖面形状。

通过将这样形成的生片5在规定温度下进行烧成，制造烧成后具有同样剖面形状的陶瓷基板12。

该实施形态能够适用于通过刮片法或者滚筒压制法(roll compaction)成形的所有材料的陶瓷生片。又，切断刀刃42的材料最好是超硬合金，它可以装备在金属模上或者装备在冲床等上，压入到生片5。

实施例6

本发明实施例是切断刀刃的刀尖49的刀尖角度θ为35°在压入到生片5厚度T50％时起以超硬合金作成形成切断刀刃倒角用倾斜面51形状的切断刀刃42，并且将该切断刀刃42安装在金属模的上冲床34上，将上述金属模压入氧化铝含有量为96％的以刮片法成形的生片5中而作成试料，将该试料在规定温度下进行烧成而获得陶瓷基板12。

对于该陶瓷基板12，测定图16所示的边缘部分37的倒角部分47的厚度t1，t3、垂直面48的厚度t2、倒角部分47的宽度-X1，-X2以及突出部分40的宽度X1，X2的各部分的尺寸。

又，作为比较例，通过采用图31所示的金属模的加工法将试料作成并烧成之后，对于图29所示的位置，与本发明试料同样地测定各部分的尺寸进行比较。

本发明与比较例都采用由烧成后的陶瓷基板12厚度T为0.64mm形成的生片5，以任意50层薄层来测定试料，每一层薄层对于任意一点用工具显微镜进行测定。

以上的测定结果如表7所示。

表7                                                       单位(mm)

测定位置			本发明的实施例	比较例
					C面部捕获突出部分的厚度	t1	平均值	0.100	0.100
标准偏差	0.009	0.015
			垂直面的厚度	t2			平均值	0.320	0.290
标准偏差	0.007	0.028
					C面部的厚度	t3	平均值	0.220	0.250
标准偏差	0.009	0.030
			C面部的宽度	-X1			平均值	0.100	-
标准偏差	0.009	-
					-X2	平均值	0.150	0.100
标准偏差	0.010	0.018
				突出部分的宽度		X1	平均值	-	0.120
标准偏差	-	0.018
			X2		平均值		-	-
标准偏差	-	-

对于本发明的实施例，在陶瓷基板12的边缘部分37的两主面侧上形成倒角部分47并且在其上没有产生突出部分40。又，还形成相对于陶瓷基板12的厚度T50％的垂直面48并且在其表面没有会带来凹凸问题的。比较例1在其边缘部分37的表面的主面侧上产生突出部分40并且里面的主面侧成为以半径状的S字形状。

实施例7

分别作成实施例6的本发明实施例以及金属模加工后的比较例1的试料、作为比较2由图34及图35所示的在表里形成多角形切断沟41并经过烧成将该切断沟41折断的试料、作为比较例3由图36及图37所示的将以往的两刀刃的切断刀刃42压入生片5的表面及里面进行切断并烧成之后的试料，测定边缘部分37垂直面48的表面光洁度的最大粗糙度Rmax。

本发明实施例以及比较例1，2，3，的陶瓷基板12的厚度T都为0.64mm并且测定数都为20层，对于垂直面48的剖面对一层任意一点在纵方向上用表面光洁度计进行测定。表面光洁度计的探头直径为2μm，对于本发明的实施例以及比较例2、3不能由垂直面48的厚度t2来特定测定长度，比较例1也不能够由垂直面48特定测定长度，因此，对于陶瓷基板的厚度T要分别进行测量。此结果由表8表示。

                  表8

	垂直部分的最大粗糙度Rmax(μm)
			平均值	标准偏差
	A	B
			本发明的实施例	5.500	0.679
比较例1	20.980	4.523
			比较例2	8.200	0.815
比较3	9.114	0.788

陶瓷基板12的边缘部分37的垂直面48的最大粗糙度Rmax在本发明实施例中平均值为5.500μm，比较例1中其平均值较大为20.980μm，比较例2中其平均值为8.200μm，比较例3中其平均值为9.114μm，相对于本发明的实施例任何一个值都偏大。

实施例8

在本发明的实施例中，对于切断刀刃42的压入深度及其里面侧主面的倒角形成进行测试。试料采用实施例6的本发明实施例，条件为1～5，分别改变表面侧的倒角部分47的厚度t1以及垂直面48的厚度t2，加工各50层生片5，在从金属模脱离输送工序中生片不需要的外部边缘部分43的分离时其自然断裂，并且将在里面侧形成倒角部分47的作为良品，否则作为次品。

此结果如表9所示。对于条件1～5，陶瓷基板12的厚度T均为0.64mm，表中的数据是烧成后的值。

                           表9

在切断刀刃42的压入深度(t1+t2)为陶瓷基板厚度T的54.7％的条件1下，从金属模脱离后的输送工序中生片不需要的外部边缘部分43不能够良好地自然断裂并且里面侧倒角部分47的形成不良率为40％，又，在切断刀刃42的压入深度为83.6％的条件5下，在里面侧没有形成倒角部分47的为20％。

在切断刀刃42的压入深度为陶瓷基板厚度T的59.7％的条件2、65.6％的条件3以及80.5％的条件4下，里面侧的倒角部分47的形成不良率都为0％。

由此，使得切断刀刃42压入生片5形成的切断沟41的深度为生片5厚度T的60％以上，又，为了在生片5的另一主面侧上也形成倒角部分47，则使之上限为80％。

这样的金属模加工时的生片5与切断刀刃42的分离不会引起损坏，而且它是一种在生产性上效率高的加工。

如此，根据本发明，通过在生片表面的一方向上压入切断刀刃，仅设定其压入深度，将生片及其烧成获得陶瓷基板的剖面边缘部分上能够形成至少50％以上凹凸少的垂直面以及在两主面侧上能够形成没有突出部分的倒角部分。

在根据本发明获得的陶瓷基板上，利用印刷法等用位置固定销进行固定，也能够放置××的产生，并且能够防止位置偏移以及因断落部分附着在倒角部分的表面所引起的印刷不良等。里面侧的倒角部分的表面比表面侧的倒角部分的要粗糙，但由于印刷时不存在与位置决定销的接触等，而不存在任何问题。

又，切断刀刃仅安装在金属模的冲床的一侧，由于生片加工时生片与切断刀刃能够良好地分离，则能够进行加工时没有损坏的、高生产性的加工。而且，与将切断刀刃使设置在金属模上部、下部分的以往方法进行比较，能够降低制作金属模的费用，并且由切断刀刃的磨损引起的修整以及替换或者交换时的安装都变得容易。

Claims (19)

1.一种芯片电阻用陶瓷基板，它是用于形成通过在基板的两主面上对应地形成格子状的分割沟而在所述主面上划分长方形状区域来构成的芯片电阻，其特征在于，

形成在所述区域短边侧的一次分割沟的两主面的合计深度比形成在所述区域长边侧的二次分割沟的两主面的合计深度要浅。

2.如权利要求1所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

基板的所述两主面中，形成有电阻膜的主面为电阻形成面，另一主面为里面，所述一次分割沟与所述二次分割沟电阻形成面侧的沟深都比里面侧的沟深要大。

3.如权利要求2所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，

所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，

所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为40±10μm且在里面侧的深度为10±5μm。

4.如权利要求1所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

基板的所述两主面中，形成有电阻膜的主面为电阻形成面，另一主面为里面，

所述一次分割沟的电阻形成面侧比里面侧要深，

所述二次分割沟的里面侧比电阻形成面侧要深。

5.如权利要求4所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，

所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，

所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为10±5μm且在里面侧的深度为40±10μm。

6.如权利要求5所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

所述一次分割沟的电阻形成面侧的开口角以及所述二次分割沟的里面侧的开口角都在30±10°的范围内，

所述一次分割沟的里面侧的开口角以及所述二次分割沟的电阻形成面侧的开口角都在40±5°的范围内，

7.如权利要求1～6任意一项所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷基板具有在周围将边缘部分与所述陶瓷基板分割的边缘部分分割沟，仅在所述边缘部分分割沟的端部或其延长方向上具有盲沟或者盲孔。

8.如权利要求1～6任意一项所述的芯片电阻用陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷基板在两主面的边缘端部具备倒角，在所述倒角之间具有垂直端面，所述垂直端面的厚度至少为所述基板厚度的50％以上，所述垂直端面的最大粗糙度Rmax为6μm以下。

9.一种芯片电阻的制造方法，它是将分割沟在两主面上对应地形成格子状的生片进行烧成并且将所述生片作为陶瓷基板，在所述基板的两主面上形成电极并在表面侧形成电阻膜，再分割所述陶瓷基板，其特征在于，

所述陶瓷基板的两主面具有由一次分割沟及与所述一次分割沟垂直相交的二次分割沟分割的区域，在所述区域短边侧形成的所述一次分割沟的两主面的合计深度比在所述区域长边侧形成的所述二次分割沟的两主面的合计深度要小，并且所述一次分割沟首先断开。

10.如权利要求9所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

所述一次分割沟的分割方法是将所述陶瓷基板移送到装置基台上将所述陶瓷基板要断开的一次分割沟放置于分割装置中能够升降的下压部件与固定部件的垂直下方，通过能够上下移动的升降轴使所述下压部件与固定部件向下运动，以制动器来限制所述固定部件向下运动并且使得所述陶瓷基板与所述固定部件相触而进行固定，同时利用连结部分的杠杆机构使所述下压部件通过所述固定部进一步向下运动并压入所述陶瓷基板，由此将所述一次分割沟曲折而与所述基板分离。

11.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

基板的所述两主面中，形成有电阻膜的主面为电阻形成面，另一主面为里面，所述一次分割沟与所述二次分割在电阻形成面侧的沟深比在里面侧的沟深要大。

12.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在在于，

所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，

所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，

所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为40±10μm且在里面侧的深度为10±5μm。

13.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

基板的所述两主面中，形成有电阻膜的主面为电阻形成面，另一主面为里面，

所述一次分割沟在电阻形成面侧比里面侧要深，并且所述二次分割沟在里面侧比电阻形成面侧要深。

14.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

所述陶瓷基板的厚度为200±30μm，所述格子内区域的所述格子内区域的长边为600μm～300μm且短边为300μm～100μm，

所述一次分割沟的深度在电阻形成面侧为20±10μm且在里面侧的深度为10±5μm，

所述二次分割沟的深度在电阻形成面侧为10±5μm且在里面侧的深度为40±10μm。

15.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

所述一次分割沟的电阻形成面侧的开口角以及所述二次分割沟的里面侧的开口角都在30±10°的范围内，

所述一次分割沟的里面侧的开口角以及所述二次分割沟的电阻形成面侧的开口角都在40±5°的范围内，

16.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

在形成所述分割沟时，所述陶瓷基板预先具有在周围将边缘部分与所述陶瓷基板分割的边缘部分分割沟，仅在所述边缘部分分割沟的端部或其延长方向上形成盲沟或者盲孔。

17.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

所述陶瓷基板具备两主面的边缘端部倒角，在所述倒角之间具有垂直端面，所述垂直端面的厚度至少为所述基板厚度的50％以上，所述垂直端面的最大粗糙度Rmax为6μm以下。

18.如权利要求9或10所述的芯片电阻的制造方法，其特征在于，

先烧成生片，将在刀尖具有垂直面且根部具有倒角用斜面的切断刀刃从陶瓷生片的一主面压入，在所述陶瓷生片的周围形成层厚度为所述陶瓷生片的60％～80％的切断沟之后，沿着所述切断沟进行切断。

19.一种芯片电阻，所述芯片电阻通过在权利要求1至8中任一项所述的陶瓷基板上形成电阻膜和电极、进而沿各分割沟进行分割而得到。

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